JP3681190B2 - 高耐圧プレーナ型受光素子 - Google Patents
高耐圧プレーナ型受光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3681190B2 JP3681190B2 JP26749694A JP26749694A JP3681190B2 JP 3681190 B2 JP3681190 B2 JP 3681190B2 JP 26749694 A JP26749694 A JP 26749694A JP 26749694 A JP26749694 A JP 26749694A JP 3681190 B2 JP3681190 B2 JP 3681190B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- specific resistance
- diffusion layer
- resistance film
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は、高耐圧のプレーナ型受光素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図4は、比較的浅い拡散のプレーナ型受光素子を高耐圧にしたものの一例の略断面図である。図はその素子の左半分を示したもので、これと対称のものが右半分にも存在する。
【0003】
図4において、第1導電型の半導体基板、たとえば、N型シリコン基板1の表面の周縁部にはチャネルストッパとなるN+ 型拡散層3が形成され、その内側にはある間隔を隔てて第2導電型の拡散層、たとえば、p型拡散層2が選択的拡散により形成されており、その表面はSiO2 膜5で覆われている。N型シリコン基板1の周辺表面のN型層とN+ 型拡散層3との境界部から、N型シリコン基板1の表面のN型層とP型拡散層2との境界のPN接合部までを覆う絶縁膜として、SiO2 膜5が形成されており、その表面は半絶縁性の透光性の、たとえば、多結晶シリコンのような高比抵抗膜6で覆われている。高比抵抗膜6の表面はSiO2 膜7で覆われている。これらの両端に設けたアノード電極9およびチャネルストッパ電極10をそれぞれP型拡散層2およびN+ 型拡散層3とオーミックコンタクトさせている。
【0004】
N型シリコン基板1の裏面には、N+ 型拡散層4が形成され、さらにその表面にはカソード電極11が形成されている。N+ 型拡散層4は、カソード電極11とのオーミックコンタクトを良好にさせるためのものである。
【0005】
P型拡散層2には、アノード電極9により逆バイアスとなる−電位が印加され、N+ 型拡散層3には、チャネルストッパ電極10により+電位が印加される。
【0006】
このような構造であるから、この両者間の高比抵抗膜6に微小電流が流れ、素子表面のフィールド部には、この高比抵抗膜6により固定電位が形成され、その結果、素子内部の電界集中が緩和され高耐圧とすることができる。
【0007】
図4において、アノード電極9はN型シリコン基板1の表面のPN接合の境界部分を超えてチャネルストッパの方向に延長されているが、これは下記の理由によるものである。
【0008】
図5(a)および(b)は、その説明のためのプレーナ型受光素子の略断面図である。(a)はアノード電極9が狭くPN接合の端部を覆っていない場合、(b)はアノード電極9が十分広くPN接合の端部上方を広く覆っている場合である。図面を簡略化するため、素子の左半分を示し、図4の高比抵抗膜6,SiO2 膜7および裏面のN+ 型拡散層4およびカソード電極11は省略してある。
【0009】
図5(a)において、アノード電極9はN型シリコン基板1の表面のPN接合の端部上方まで延長していない場合を考える。P型拡散層2の周辺部以外の部分(A)のPN接合は平面であり、この部分での電界は集中しない。しかしP型拡散層2の周辺の端部(B)は丸く湾曲しているから端部(B)は電界が集中しやすい。さらに、PN接合とSiO2 膜5との接触部であるコーナー(C)は、QSSと呼ばれる正の固定電位や、絶縁膜中のナトリウムイオンなどの正電荷によりN型シリコン基板1の表面はさらにN型化し、点線20,20間の空乏層はSiO2 膜5界面近くで湾曲し(C)付近で降伏が発生する。
【0010】
図5(b)は前記の欠点に対する対策を施したもので、図5(a)と異なるところは、アノード電極9を延長し、PN接合のSiO2膜5との接触部を十分広く覆うようにしたものである。このようにフィールドプレートと呼ばれる、アノード電極9の延長された電極9aをPN接合の端部よりも外側に延ばすことにより、アノード電極部の基板表面のN層はP型となる傾向を持つため、接合部の表面近傍における空乏層は図5(b)の点線20,20で挟まれる領域のようにN型基板表面の左方に延びるので、PN接合の周辺部(B)および(C)における電界集中が緩和され耐圧の向上が図られる。
【0011】
図5(a)および(b)は、図4に示される半絶縁性膜である高比抵抗膜6を用いない、酸化膜たとえばSiO2 膜5のみのパッシベーション方式を用いて説明したが、半絶縁性の高比抵抗膜を用いた場合でも、その比抵抗が高く、正電荷の影響が大きい場合は全く同様で、フィールドプレート用の電極9aが必要となる。図4はこのフィールドプレートおよび高比抵抗膜の双方を備えた一例である。
【0012】
ところで、前記の高比抵抗膜6の比抵抗は、効果を得るためには108 〜1012Ω・cmの範囲であることが望ましい。理由は1012Ω・cm以上となるとほぼ完全な絶縁体になってしまい、高比抵抗膜の効果がなくなり、一方、108 Ωcm以下ではリーク電流が増大してしまい高耐圧素子として実用上好ましくない。以上のように高耐圧化を図るためには、108 〜1012Ω・cmの比抵抗である高比抵抗膜の採用と、Al電極等によるフィールドプレート電極が必要である。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
光電素子、たとえば、フォトダイオード,フォトトランジスタ,フォトサイリスタ等では、入射光による感度が高いことが重要であり、可能な限り小さいチップで光信号を電気信号に変換することが必要となる。しかしながら、高耐圧を得るためには、前述のようにAl等によるフィールドプレート電極により、チップ周辺の最も感度が高く面積の大きい基板表面のPN接合の端部を覆う必要があり、そのため光感度は大幅に低下している。
【0014】
本発明の目的は簡単な工程の追加により感度の高い高耐圧プレーナ型受光素子を得ることにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
フィールド部に固定電位を形成するための高比抵抗膜のアノード電極側の部分に不純物を拡散して低比抵抗膜とし、アノード電極がN型半導体基板表面のP型拡散層との境界の上部を覆わないようにし、透光性の低比抵抗膜をフィールドプレートとした。
【0016】
【作用】
このような構造とすることにより、フィールド部に固定電位を得るための高比抵抗膜のPN接合の端部上方を覆う部分は、不純物拡散によりフィールドプレート電極として十分使用できる低比抵抗の膜となる。低比抵抗膜として、たとえば透光性の半絶縁性多結晶シリコン膜を用いることにより、受光面積が増加するから耐圧に影響を与えずに高感度化が図られる。
【0017】
【実施例】
図1は本発明の一実施例の略断面図である。図4の従来例と異なるところは、アノード電極9が短くされPN接合の端部を覆っていないことと、高比抵抗膜6のPN接合の端部を覆う部分が後述のように、低比抵抗膜8とされていることである。その他同一の部分は同一の符号で表示される。
【0018】
図2(a)〜(e)は前記の構造を得るための製法の一例の各工程の略断面図である。
【0019】
まず、図2(a)に示すように、SiO2 膜5によって覆われた高比抵抗のN型シリコン基板1の内側にアノードとなる高不純物濃度のP型拡散層2を選択的に形成する。
【0020】
次に、図2(b)に示すように、基板表面には、P型拡散層2より所定距離離れた素子周辺に、チャネルストッパとなるN+ 型拡散層3を形成し、基板裏面には、裏面電極とのオーミックコンタクトを良好ならしめるためのN+ 型拡散層4を同時に形成する。各拡散のたびにSiO2 膜5は孔あけされ、拡散層の表面は再びSiO2 膜で覆われその厚さは変化するが、以下の図面においてSiO2 膜各部の厚さの変化は省略して図示される。
【0021】
次に、図2(c)に示されるように、P型拡散層2の周辺部とN+ 型拡散層3の内縁部にまたがるようにSiO2 膜5の表面に、半絶縁性の多結晶シリコン膜よりなる高比抵抗膜6を形成する。
【0022】
次に、図2(d)に示すように、高比抵抗膜6の表面のP型拡散層2側のアノード電極予定領域,フィールドプレート予定領域およびN+ 型拡散層側のチャネルストッパ電極予定領域を除いた部分に、SiO2 膜7を形成する。この図2(d)の状態でアノード電極予定領域,フィールドプレート予定領域およびチャネルストッパ電極予定領域に、たとえばリン等の不純物を拡散する。
【0023】
図2(e)は拡散後の状態で、高比抵抗膜6上のSiO2 膜7は不純物拡散時のカバーとなり、SiO2 膜7直下の高比抵抗膜には不純物は拡散されず、フィールドプレート予定領域とアノードおよびチャネルストッパ両電極予定領域のコンタクト部のみに不純物が拡散される。その結果、固定電荷が必要でかつリーク電流を小さくしたいフィールド部は高比抵抗膜6のままであり、抵抗率が低い方が望ましいフィールドプレート部と電極コンタクト部は低比抵抗膜8となる。本実施例では、高比抵抗膜6に成長時の酸素濃度が30%の酸素ドープの多結晶シリコン膜を使用し、不純物拡散はリンを900℃で拡散し、アニールは950℃で行なった。その結果高比抵抗膜6の部分の比抵抗は約109 Ω・cm、低比抵抗膜8の部分の比抵抗は約10Ω・cmとなり、それぞれの目的に適した値となった。
【0024】
本実施例では不純物にリンを使用したが、他の不純物でも同じ効果を得られる。
【0025】
次に図2(f)に示すように、アノード電極およびチャネルストッパ電極用のコンタクトホール12,13をSiO2 膜5に形成する。最後に図2(g)に示すように、素子表面には、アノード電極9とチャネルストッパ電極10をAl等で蒸着して形成し、裏面には、カソード電極11をAu等の金属で蒸着して形成する。
【0026】
なお前述の構造では多結晶シリコン膜が素子表面で露出している部分がある。この部分の吸湿による比抵抗の変動等、信頼性を考えると緻密な膜で覆った方が望ましく、図3の実施例に示すように、多結晶シリコン膜への不純物拡散後、多結晶シリコン膜の表面をSiN等の保護膜14で被覆した方がよい。
【0027】
図6は受光素子の各部の相対感度の関係を示すグラフの一例である。グラフの左端の座標は、図1,図4の素子の左端に相当し、a,b,c,dはそれぞれ図1および図4のa,b,c,dに対応する。一点鎖線の曲線Aは従来例,実線の曲線Bは本発明に対応する。実線CはAl電極がない場合のレベルである。斜線を施した部分が本発明により改善された部分である。
【0028】
本発明の構造を耐圧750Vのラテラル型フォトトライアックに採用し、フィールド部分のAl電極を従来チップに比べ、35μm内側に後退させることにより、最小トリガ電流は約30%向上した。
【0029】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、不純物拡散工程を1回追加するだけで、高比抵抗の半絶縁性多結晶シリコン膜を選択的に透光性の低比抵抗膜とすることが可能になり、従来Al電極により行なっていたフィールドプレートを透明の導電膜で形成することが可能となり、受光面積を増大し耐圧を低下させずに高感度化が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の略断面図である。
【図2】(a)〜(g)はそれぞれ本発明の一実施例の製造工程の略断面図である。
【図3】本発明の他の実施例の略断面図である。
【図4】従来の受光素子の一例の略断面図である。
【図5】(a)および(b)はそれぞれフィールドプレートの効果を説明するための図面である。
【図6】素子の各位置に対する相対光感度の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1 N型シリコン基板
2 P型拡散層
3,4 N+ 型拡散層
5,7 SiO2 膜
6 高比抵抗膜
8 低比抵抗膜
9 アノード電極
10 チャネルストッパ電極
11 カソード電極
12,13 コンタクトホール
14 保護膜
Claims (2)
- 受光面となる表面に選択的に形成された第2導電型の拡散層を有する第1導電型の半導体基板と、
該半導体基板の表面に、前記の拡散層との境界を含む半導体基板の周辺にわたる表面を覆うように形成された絶縁膜と、
絶縁膜の表面に形成され、透光性の比抵抗の異なる部分を有する抵抗膜とを有し、
該抵抗膜の半導体基板の周辺側の上方の部分は高比抵抗膜であり、その拡散層側の半導体基板表面の拡散層との境界の上方の部分は高比抵抗膜に選択的に不純物を拡散して形成した該高比抵抗膜に接する低比抵抗膜であり、
前記抵抗膜の両端には、前記高比抵抗膜と前記低比抵抗膜との間に電圧を印加する電極が設けられ、
前記低比抵抗膜に電圧を印加する電極は半導体基板の表面の前記拡散層との境界の上方を覆わないようにされていることを特徴とする高耐圧プレーナ型受光素子。 - 高比抵抗膜は、比抵抗が108〜1012Ω・cm以上の半絶縁性多結晶シリコン膜で、この高比抵抗膜に選択的に不純物を拡散した低比抵抗膜は比抵抗が106Ω・cm以下である請求項1記載の高耐圧プレーナ型受光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26749694A JP3681190B2 (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 高耐圧プレーナ型受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26749694A JP3681190B2 (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 高耐圧プレーナ型受光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08130324A JPH08130324A (ja) | 1996-05-21 |
JP3681190B2 true JP3681190B2 (ja) | 2005-08-10 |
Family
ID=17445664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26749694A Expired - Fee Related JP3681190B2 (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 高耐圧プレーナ型受光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3681190B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4145757B2 (ja) | 2003-09-02 | 2008-09-03 | シャープ株式会社 | フォトサイリスタ素子および電子機器 |
US7423298B2 (en) | 2004-03-17 | 2008-09-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Bidirectional photothyristor chip, optical lighting coupler, and solid state relay |
JP2014220403A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体エネルギー線検出素子及び半導体エネルギー線検出素子の製造方法 |
CN114512558A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-05-17 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 横向光电探测器 |
-
1994
- 1994-10-31 JP JP26749694A patent/JP3681190B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08130324A (ja) | 1996-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100330847B1 (ko) | 반절연층을갖는반도체장치 | |
US4607270A (en) | Schottky barrier diode with guard ring | |
JP6524353B2 (ja) | アバランシェ光検出器 | |
JP2662062B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JPH07107928B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPS6065565A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP3681190B2 (ja) | 高耐圧プレーナ型受光素子 | |
EP0178664B1 (en) | Solid state image sensing device and method for making the same | |
JP3607385B2 (ja) | シリコンアバランシェフォトダイオード | |
JPH0695571B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JPH058597B2 (ja) | ||
JPS6154314B2 (ja) | ||
JP2712098B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2583032B2 (ja) | 受光素子 | |
JPS5914180B2 (ja) | 光検出器セル | |
JPH03203273A (ja) | pinホトダイオード | |
KR102330769B1 (ko) | 반원통형 수광부를 갖는 포토다이오드 및 그 제조방법 | |
JP2000299487A (ja) | 紫外線用受光素子 | |
JPH07142757A (ja) | 半導体光センサの製造方法 | |
JP2002190613A (ja) | 高耐圧プレーナ型受光素子および双方向フォトサイリスタ素子 | |
JPS622673A (ja) | 半導体受光装置 | |
KR950010532B1 (ko) | Ccd의 구조 | |
CA1076257A (en) | Charge coupled devices | |
JP3285131B2 (ja) | 埋込ゲート形静電誘導半導体素子 | |
JPH01292869A (ja) | フォトダイオードアレイ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041018 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050426 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050517 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080527 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090527 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100527 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110527 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110527 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120527 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |