JPH09181127A - 二層ｔａｂテープの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 エッチングによるディバィスホールの穿設工
程を省く事ができ、しかも、高精度の液晶用ＴＡＢ等と
して好適な二層ＴＡＢテープを製造し得る方法を得る。 【解決手段】 ポリイミドフィルムにディバィスホール
を穿設する際に形成されるフィルム切片をディバィスホ
ール中に配し、かつ、それを剥離性樹脂で裏止め固定し
てディバィスホールを閉塞するか、又はポリイミドフィ
ルムに裏止め用の剥離性樹脂を塗布してから、かかるポ
リイミドフィルムだけを貫通せしめるようにディバィス
ホールを穿設し、かつ、その際に形成されるフィルム切
片を前記ディバィスホール中に配したままの状態に保
ち、次いで、それに所定方法により回路パターンを形成
した後、剥離性樹脂及びフィルム切片を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、二層ＴＡＢテープ
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、導電回路を形成する為の導電材料
として、ディバィスホールを穿設したボリイミドフィル
ム上に、アクリル樹脂系やエポキシ樹脂系の接着剤を用
いて銅箔を接着した三層構造のＴＡＢが広く実用に供さ
れている。

【０００３】しかし、この三層ＴＡＢは、ボリイミドフ
ィルムと銅箔との接着の際に、銅箔にある程度の厚み
（１８μｍ以上）が必要とされる為、エッチングにより
ピッチ間隔の小さい回路パターンの形成が難しく、か
つ、接着剤層の耐熱性が不十分であると共に半田等のバ
ンプ或いはＡＣＦ等を用いてＩＣチップと接合する場合
に位置ずれが発生し易く、従って、高精度の液晶用ＴＡ
Ｂ等として必ずしも満足し得るものではなかった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】そこで、このような欠
点を解消し得る、ボリイミドフィルムと銅箔との二層構
造のＴＡＢが注目されつつあるが、この二層ＴＡＢは、
無電解メッキ法又はスパッター法により銅薄膜をボリイ
ミドフィルムに直接、形成すると共に、その上にアディ
ティブメッキやエッチング等により回路パターンを形成
するものであるから、ディバィスホールを穿設したボリ
イミドフィルムを使用する事ができず、従って、ディバ
ィスホールが穿設されていないボリイミドフィルムの使
用が余儀無くされ、これに起因して、その製造工程の途
中において、エッチングによるディバィスホールの穿設
が必要とされていた。

【０００５】ところが、エッチングによるディバィスホ
ールの穿設は、その作業が煩しい共にエッチング液が界
面へ侵入して適正な形状のディバィスホールが得られ無
いといった問題が発生し易く、この点の改善が必要とさ
れていた。なお、このような事は、特開平７−７４２１
２号公報の［０００８］に記載されている。

【０００６】本発明は、上述の欠点に鑑み、その製造途
中における、エッチングによるディバィスホールの穿設
工程を省くことができ、しかも、高精度の液晶用ＴＡＢ
等として好適な二層ＴＡＢを製造し得る方法を開発すべ
く各方面から鋭意検討の結果、その一つとして、ポリイ
ミドフィルムにディバィスホールを穿設する際に形成さ
れるフィルム切片をディバィスホール中に配し、かつ、
それを剥離性樹脂で裏止め固定してディバィスホールを
閉塞した後、このフィルム表面上に所定方法により回路
パターンを形成してから剥離性樹脂を除去してフィルム
切片をディバィスホール中から取り除くようにすればよ
いことを見い出すと共に、他の一つとして、ポリイミド
フィルムに裏止め用の剥離性樹脂を塗布してから、かか
るポリイミドフィルムだけを貫通せしめるようにディバ
ィスホールを穿設し、かつ、その際に形成されるフィル
ム切片を前記ディバィスホール中に配したままフィルム
表面上に所定方法により回路パターンを形成した後、剥
離性樹脂及びフィルム切片を除去すればよいことを見い
出したものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】すなわち、本願発明に係
る二層ＴＡＢテープの製造方法の一つは、ポリイミドフ
ィルムにディバィスホールを穿設する際に形成されるフ
ィルム切片を前記ディバィスホール中に配し、かつ、そ
れを剥離性樹脂で裏止め固定して前記ディバィスホール
を閉塞した後、フィルム表面全体にスパッター法により
銅薄膜を形成し、次いで、かかる銅薄膜上に、アディテ
ィブメッキ法により回路パターンを形成した後、前記剥
離性樹脂を除去して前記フィルム切片を前記ディバィス
ホール中から取り除くと共にエッチング法により余分な
銅薄膜を除去することを特徴とするものである。

【０００８】また、本願発明に係る二層ＴＡＢテープの
製造方法の他の一つは、ポリイミドフィルムにディバィ
スホールを穿設する際に形成されるフィルム切片を前記
ディバィスホール中に配し、かつ、それを剥離性樹脂で
裏止め固定して前記ディバィスホールを閉塞した後、フ
ィルム表面全体に無電解メッキ法により銅薄膜を形成
し、次いで、かかる銅薄膜上に電解メッキ法により銅膜
を積層した後、エッチング法により回路パターンを形成
すると共に前記剥離性樹脂を除去して前記フィルム切片
を前記ディバィスホール中から取り除くことを特徴とす
るものである。

【０００９】また、本願発明に係る二層ＴＡＢテープの
製造方法の他の一つは、ポリイミドフィルムに裏止め用
の剥離性樹脂を塗布してから、前記ポリイミドフィルム
だけを貫通せしめるようにディバィスホールを穿設し、
かつ、その際に形成されるフィルム切片を前記ディバィ
スホール中に配したままフィルム表面全体にスパッター
法により銅薄膜を形成し、次いで、かかる銅薄膜上に、
アディティブメッキ法により回路パターンを形成した
後、前記剥離性樹脂と前記フィルム切片を除去すると共
にエッチング法により余分な銅薄膜を除去することを特
徴とするものである。

【００１０】また、本願発明に係る二層ＴＡＢテープの
製造方法の他の一つは、ポリイミドフィルムに裏止め用
の剥離性樹脂を塗布してから、前記ポリイミドフィルム
だけを貫通せしめるようにディバィスホールを穿設し、
かつ、その際に形成されるフィルム切片を前記ディバィ
スホール中に配したままフィルム表面全体に無電解メッ
キ法により銅薄膜を形成し、次いで、かかる銅薄膜上
に、電解メッキ法により銅膜を積層した後、エッチング
法により回路パターンを形成すると共に前記剥離性樹脂
と前記フィルム切片を除去することを特徴とするもので
ある。

【００１１】

【発明の実施の形態】請求項１〜４に記載の発明におい
ては、ポリイミドフィルムにディバィスホールを穿設
（貫通）し、それを閉塞するが、かかる閉塞手段とし
て、フィルム切片が用いられる。このフィルム切片は、
ポリイミドフィルムにディバィスホールを穿設する際に
得られるものであって、その形状及び大きさはディバィ
スホールとほぼ同一である。

【００１２】なお、ディバィスホールの穿設はパンチン
グ等により行われるが、請求項１，２に記載の発明にお
いては、ポリイミドフィルムに裏止め用の剥離性樹脂を
塗布する前にディバィスホールを穿設し、そして、ディ
バィスホール中にフィルム切片を配した状態において剥
離性樹脂を塗布してフィルム切片を裏止め固定する。

【００１３】一方、請求項３，４に記載の発明において
は、ディバィスホールを穿設する前にポリイミドフィル
ムに裏止め用の剥離性樹脂を塗布し、次いで、ポリイミ
ドフィルムだけを貫通せしめるようにディバィスホール
を穿設する。その為、フィルム切片は、剥離性樹脂で裏
止め固定されてディバィスホール中に配されたままに保
たれており、従って、この状態においては、ディバィス
ホールは、フィルム切片と裏止め用の剥離性樹脂とで閉
塞されている。

【００１４】また、請求項１〜４に記載の発明において
は、ポリイミドフィルムは、いかなる種類のものであっ
てもよい。例えば、、ピロメット酸とＰＰ′−ジアミノ
フェニルエーテルを主成分とするボリイミド（例えば、
東レデュポン株式会社製の“カプトン”、鐘淵化学株式
会社製の“アピカル”等）、ジフェニルテトラカルボン
酸とＰジアミノベンゼンを主成分とするポリイミド（例
えば、宇部興産株式会社製の“ユーピッレックス”等）
などが挙げられるが、これらは通常、銅回路の密着性を
向上させる為に、銅薄膜を形成する前に適当な表面処理
（粗面化処理）が施される。

【００１５】また、請求項１〜４に記載の発明において
は、剥離性樹脂を用いてフィルム切片をポリイミドフィ
ルムに裏止め固定するが、この剥離性樹脂は、回路形成
用フォトレジストと同じ剥離液によって剥離し得る樹
脂、すなわち、アルカリ剥離型の樹脂が用いられる。

【００１６】このような樹脂を用いた場合には、裏止め
時の樹脂硬化が容易であると共に回路用フォトレジスト
と同時に除去することができるから好ましく、かつ、こ
の樹脂は、液状又はフィルム状（ドライフィルム）のい
ずれであってもよい。

【００１７】なお、剥離性樹脂は、耐酸性で硬化し得る
ものが用いられるが、その硬化方法については、ＵＶ硬
化や乾燥硬化等、いかなる方法であってもよいと共に、
その除去方法についても、アルカリ水溶液や有機溶剤に
よる溶解剥離等、いかなる方法であってもよい。

【００１８】一般に、アルカリ水溶液や有機溶剤で現像
や剥離が可能なＵＶ硬化タイプの感光性樹脂が好まし
く、このような樹脂は、各種のものが市販されており、
従って、それらのうちから適当なものを選択することで
きる。

【００１９】また、ポリイミドフィルム表面への銅薄膜
（厚さ０．１μｍ〜０．２μｍ）の形成は、請求項１，
３に記載の発明においては、スパッター法が採用される
と共に、請求項２，４に記載の発明においては、無電解
メッキ法が採用されるが、一般に、裏止め用の剥離性樹
脂の安定性の面からして、スパッター法の方が好まし
い。

【００２０】また、回路パターンの形成については、請
求項１，３に記載の発明においては、アディティブメッ
キ法、すなわち、銅薄膜上にネガ型フォトレジストを塗
布し、露光、現像により樹脂パターンを形成した後、銅
薄膜上に電解銅アディテイブメッキにより回路を積層す
る方法が採用され、そして、請求項２，４に記載の発明
においては、エッチング法、すなわち、電解メッキ法に
より銅薄膜上に積層された必要厚みの銅膜上に、ネガ型
フォトレジストを塗布し、露光、現像により樹脂パター
ンを形成して回路パターン部に保護膜を形成した後、エ
ッチングにより非回路部の銅膜を除去すると共にレジス
ト剥離により銅回路パターンを形成する方法が採用され
る。

【００２１】なお、スパッター装置や無電解メッキ液
は、市販されているものを適宜に選択して使用すること
ができ、また、ポリイミドフィルムに関し、表面処理
（粗面化処理）により金属回路との密着性が改善されて
いる為、請求項３，４に記載の発明においては、ディバ
ィスホール部の金属回路に対するフィルム切片の剥離が
煩しい場合が生ずる恐れがあるが、このようなときに
は、銅薄膜形成前又は密着性改善の表面処理前に、ディ
バィスホール部のフィルム表面を剥離性樹脂薄膜等で被
覆する方法が用いられる。

【００２２】

【実施例】

［実施例１］…宇部興産株式会社製のポリイミドフィル
ム“ユーピレックスＳ”の試片５５ｍｍ×１５０ｍｍ
（厚み５０μｍ）に、光・過酸化水素酸化及び過マンガ
ン酸カリ酸化処理による密着性改善の為の表面処理を行
った後、パンチングによりディバィスホールを穿設（貫
通）すると共に、その際、得られた、ディバィスホール
とその形状及び大きさがほぼ同一のフィルム切片を、デ
ィバィスホール中に配し、かつ、剥離性樹脂により裏止
め固定してディバィスホールを閉塞した。

【００２３】次いで、フィルム表面側にスパッター（ス
パッタレート０．１μｍ／ｍｉｎ）により０．２μｍの
銅薄膜を形成させて表面が平滑な銅薄膜ポリイミドフィ
ルムを得た後、かかる銅薄膜にネガ型ドライフィルム
（２５μｍ）をラミネートし、ＵＶ露光、現像により樹
脂パターンを形成した。

【００２４】続いて、樹脂で被覆されていない銅薄膜上
に電解メッキにより線幅３０μｍ、ピッチ間隔６０μ
ｍ、銅膜厚１８μｍのインナーリード部を有する銅回路
パターンを形成してから、更に、アルカリ性剥離液（苛
性ソーダ１％）によりフォトレジスト及び裏止め用の剥
離性樹脂を除去して同時にフィルム切片も除去し、ディ
バィスホールを開口させた。

【００２５】また、その後、過流酸ナトリュームにより
回路パターン以外の余分な銅薄膜をエッチングにより除
去することにより、ディバィスホール部にインナーリー
ドを有する二層ＴＡＢ試片を得た。なお、得られたＴＡ
Ｂ試片は、高精度の液晶用ＴＡＢ等として好適なもので
あった。

【００２６】［実施例２］…東レデュポン株式会社製の
ポリイミドフィルム“カプトンＮ”の試片５５ｍｍ×１
５０ｍｍ（厚み５０μｍ）に、２ｍｍ×３０ｍｍの矩形
ディバィスホールをパンチングにより穿設（貫通）した
後、アルカリ／硝酸による表面処理を行い、ボリイミド
の密着性を改善した。

【００２７】そして、かかるパンチングにより得られ
た、ディバィスホールとその形状及び大きさがほぼ同一
のフィルム切片をディバィスホール中に配し、かつ、剥
離性樹脂により裏止め固定してディバィスホールを閉塞
した。

【００２８】次いで、この試片を、シプレファーイース
ト社製クリーナコンディショナー１１７５で７０℃、５
分間処理し、更に、メッキ核付けとして同社製キャタポ
ジット４４に４０℃で５分間浸漬した後、同社製アクセ
レレータ１９Ｅに室温で５分間の活性化処理を行った。

【００２９】次いで、メッキ浴としてシプレファーイー
スト社製キューポジット２５０を用い、４５℃で３分
間、無電解銅メッキを行った後、電解銅メッキを行って
厚さ１８μｍの銅被覆を全面に形成し、更に、銅被覆上
にネガ型フォトレジストを塗布し、線幅３５μｍ、スペ
ース２５μｍの回路マスクを用いてＵＶ露光、現像を行
い、樹脂被覆パターンを形成した。

【００３０】次いで、塩化第２鉄溶液により、露出した
銅をエッチング除去して回路パターンを形成し、最後に
アルカリ性剥離液によりフォトレジスト及び裏止め用の
剥離性樹脂を除去して同時にフィルム切片も除去し、デ
ィバィスホールを開口させた。よって、ディバィスホー
ル部に線幅２５μｍ、スペース３５μｍ、ピッチ間隔６
０μｍのインナーリードを有する二層ＴＡＢ試片を得
た。なお、得られたＴＡＢ試片は、高精度の液晶用ＴＡ
Ｂ等として好適なものであった。

【００３１】［実施例３］…宇部興産株式会社製のポリ
イミドフィルム“ユーピレックスＳ”の試片５０ｍｍ×
１２０ｍｍ（厚み７５μｍ）の回路形成面であって、か
つ、ディバィスホールを穿設しようとする部分に、剥離
性樹脂薄膜を、ディバィスホールと同じ形状にスクリー
ン印刷法により塗布した後、光・過酸化水素酸化及び過
マンガン酸カリ酸化処理による試片（ポリイミドフィル
ム）表面の密着性（接着性）改善処理を行った。

【００３２】次いで、かかる剥離性樹脂薄膜を除去した
後、回路形成面と反対側の面（裏面）であって、かつ、
ディバィスホールを穿設しようとする部分（穿設しよう
とするディバィスホールの面積よりも大きい面積）に剥
離性樹脂を塗布し、その後、トムソン刃でポリイミドフ
ィルムだけを貫通せしめるようにディバィスホールを穿
設した。

【００３３】なお、剥離性樹脂膜厚さは、試片（ポリイ
ミドフィルム）だけを貫通させるようにディバィスホー
ルを穿設し、しかも、フィルム切片をディバィスホール
中に配したまま裏止め固定して置くのに十分な厚み（５
０μｍ〜１００μｍ）であった。また、得られた試片
（ポリイミドフィルム）の回路形成面の外観は平滑であ
った。

【００３４】次いで、回路形成面の方にスパッター法に
より０．２μｍの銅薄膜を形成させて表面の平滑な銅薄
膜試片（ポリイミドフィルム）を得た後、アディティブ
銅メッキを行って回路パターンを形成し、更に、剥離性
樹脂を除去してフィルム切片をディバィスホール中から
取り除くと共にエッチング法により余分な銅薄膜を除去
することにより、回路表面に段差や凹凸が形成されてい
ない高精度の二層ＴＡＢテープを得ることができた。

【００３５】［比較例１］…ディバィスホールの閉塞に
フィルム切片（ボリイミドフィルム切片）を用いない
で、ＵＶ硬化型のドライフィルム切片を充填して閉塞す
ると共にポリイミドフィルムの裏面にも同種のドライフ
ィルムを配し、熱プレスで裏止め固定せしめた後、かか
る樹脂を硬化させた。

【００３６】次いで、実施例１と同一条件で、銅スパッ
ター／回路パターン形成／電解メッキ／レジスト剥離／
銅薄膜エッチングを行ってＴＡＢテープを製造した。し
かし、ディバィスホールに充填された樹脂の表面平滑性
を保つ為の調整が難しい上に、硬化時の樹脂の寸法変化
により、ディバィスホール部の樹脂膜厚とポリイミドフ
ィルム膜厚間に差が生じ易く、その為、ディバィスホー
ル境界面に若干の段差が形成され、かつ、この段差の影
響は、スパッター／電解メッキ後も残る為、形成された
回路表面にも段差が生じた。なお、このような回路表面
上の段差は、半導体チップとの接合時のトラブルの原因
となる恐れがあるから、高精度ＴＡＢテープとして好ま
しくない。

【００３７】

【発明の効果】上述のように、本発明によると、従来の
製造方法においては必要とされていた製造途中における
エッチングによるディバィスホールの穿設工程を省くこ
とができ、しかも、回路表面が平滑で高精度の液晶用Ｔ
ＡＢ等として好適な二層ＴＡＢテープを製造し得る方法
を得ることができる。なお、エッチング以外のパンチン
グ等によりディバィスホールを穿設するから、その作業
が容易であると共に適正な形状のディバィスホールを穿
設することもできる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋田 雅典 滋賀県大津市大江一丁目１番45号 東レエ ンジニアリング株式会社内 (72)発明者 上原 秀雄 埼玉県川越市芳野台１丁目103番54 レイ テック株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ポリイミドフィルムにディバィスホール
   を穿設する際に形成されるフィルム切片を前記ディバィ
   スホール中に配し、かつ、それを剥離性樹脂で裏止め固
   定して前記ディバィスホールを閉塞した後、フィルム表
   面全体にスパッター法により銅薄膜を形成し、次いで、
   かかる銅薄膜上に、アディティブメッキ法により回路パ
   ターンを形成した後、前記剥離性樹脂を除去して前記フ
   ィルム切片を前記ディバィスホール中から取り除くと共
   にエッチング法により余分な銅薄膜を除去することを特
   徴とする二層ＴＡＢテープの製造方法。
2. 【請求項２】 ポリイミドフィルムにディバィスホール
   を穿設する際に形成されるフィルム切片を前記ディバィ
   スホール中に配し、かつ、それを剥離性樹脂で裏止め固
   定して前記ディバィスホールを閉塞した後、フィルム表
   面全体に無電解メッキ法により銅薄膜を形成し、次い
   で、かかる銅薄膜上に、電解メッキ法により銅膜を積層
   した後、エッチング法により回路パターンを形成すると
   共に前記剥離性樹脂を除去して前記フィルム切片を前記
   ディバィスホール中から取り除くことを特徴とする二層
   ＴＡＢテープの製造方法。
3. 【請求項３】 ポリイミドフィルムに裏止め用の剥離性
   樹脂を塗布してから、前記ポリイミドフィルムだけを貫
   通せしめるようにディバィスホールを穿設し、かつ、そ
   の際に形成されるフィルム切片を前記ディバィスホール
   中に配したままフィルム表面全体にスパッター法により
   銅薄膜を形成し、次いで、かかる銅薄膜上に、アディテ
   ィブメッキ法により回路パターンを形成した後、前記剥
   離性樹脂と前記フィルム切片を除去すると共にエッチン
   グ法により余分な銅薄膜を除去することを特徴とする二
   層ＴＡＢテープの製造方法。
4. 【請求項４】 ポリイミドフィルムに裏止め用の剥離性
   樹脂を塗布してから、前記ポリイミドフィルムだけを貫
   通せしめるようにディバィスホールを穿設し、かつ、そ
   の際に形成されるフィルム切片を前記ディバィスホール
   中に配したままフィルム表面全体に無電解メッキ法によ
   り銅薄膜を形成し、次いで、かかる銅薄膜上に、電解メ
   ッキ法により銅膜を積層した後、エッチング法により回
   路パターンを形成すると共に前記剥離性樹脂と前記フィ
   ルム切片を除去することを特徴とする二層ＴＡＢテープ
   の製造方法。