JPH09179666A - メモリ保護回路 - Google Patents

メモリ保護回路

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Publication number
JPH09179666A
JPH09179666A JP7336483A JP33648395A JPH09179666A JP H09179666 A JPH09179666 A JP H09179666A JP 7336483 A JP7336483 A JP 7336483A JP 33648395 A JP33648395 A JP 33648395A JP H09179666 A JPH09179666 A JP H09179666A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power
flash memory
power supply
circuit
data
Prior art date
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Pending
Application number
JP7336483A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideyuki Fujishima
秀幸 藤嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP7336483A priority Critical patent/JPH09179666A/ja
Publication of JPH09179666A publication Critical patent/JPH09179666A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Power Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フラッシュメモリの内部動作中に電源の遮断
が発生した場合に、その動作を最後まで終了させること
ができるメモリ保護回路を提供することを目的とする。 【解決手段】 内部に順序回路を含むフラッシュメモリ
14に対して、少なくともフラッシュメモリ14の内部
動作を実行することができるだけの電源を蓄積すること
ができる電源蓄積手段13と、この電源蓄積手段13に
蓄積された電源を他の電気部品15によって消費される
ことを防止する逆流防止手段12を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、異常な電源遮断時
にもフラッシュメモリ内部の状態遷移回路のマシンサイ
クルを完結させることができるメモリ保護回路に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】近年、フラッシュメモリの発達にはめざ
ましいものがあり、このフラッシュメモリを用いた様々
な電子回路が提案されている。以下に従来のメモリ保護
回路について説明する。
【0003】図3は従来のメモリ保護回路の構成図であ
る。図3において1は電子回路全体に対して電源を供給
する主電源回路、2は主電源回路1の電源供給線に直接
接続される電源安定化回路、3は主電源回路1に接続さ
れるフラッシュメモリ、4は主電源回路1に接続される
フラッシュメモリ以外の電気回路を意味する他の電気部
品である。
【0004】次に上記のように構成されたメモリ保護回
路の動作を説明する。主電源回路1の発生する電圧が何
らかの理由で一時的に低下した場合に電源安定化回路2
によって蓄積された電源が一時的にフラッシュメモリに
供給される。また、フラッシュメモリ自身が電力を消費
する場合にも電源供給線の電気抵抗により、わずかに電
源電圧の低下が発生する可能性があるが、これも上記の
場合と同様に、電源安定化回路2によって一時的に電源
が供給され、フラッシュメモリ3に対する電源が安定し
て供給される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】近年のフラッシュメモ
リには内部に順序回路を備え書き込みサイクルに対して
は特定の手続きを経てなされるものが増加している。ま
た更に内部に小容量のバッファを備え一時的に書き込み
データをバッファに蓄積してからメモリセルに書き込み
を行うものもある。しかしながら従来のメモリ保護回路
では一時的な電源電圧の低下に対しては電源安定化回路
2によってフラッシュメモリ3の動作を保証することが
できるものの、ある一定期間よりも長い電源電圧の低
下、或いは電源の遮断に対しては蓄積された電源を急速
に他の電気部品4によって消費されるため、フラッシュ
メモリの動作を持続させることができない。従って上記
のような順序回路を含むフラッシュメモリの場合、電気
回路内のCPU等によりバスサイクルとしての書き込み
動作が終了した後で電源の遮断が発生した場合には、書
き込んだはずのデータが、消滅してしまうといった問題
を有していた。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した問題点
を解決するため、主電源装置から電源を供給するフラッ
シュメモリを使用し、内部に状態遷移回路を備えるフラ
ッシュメモリのためのメモリ保護回路であって、前記フ
ラッシュメモリに対して少なくとも前記状態遷移回路の
一マシンサイクルを実行することができるだけの電源を
蓄積することができる電源蓄積手段と、この電源蓄積手
段に蓄積された電源を前記フラッシュメモリ以外の電気
部品によって消費されることを防止する逆流防止手段を
備え、前記電源蓄積手段は前記フラッシュメモリの電源
端子に直接接続され、前記電源蓄積手段は前記逆流防止
手段を介して前記主電源装置に接続される。
【0007】
【発明の実施の形態】上記した構成により、CPU等に
よりデータ転送が行われた後で電源の遮断が発生した場
合にもフラッシュメモリの電源を一定の期間保証するこ
とにより、データの書き込みを保証することができる。
【0008】以下に、本発明の一実施の形態を図面を参
照して説明する。図1は本発明の一実施の形態における
メモリ保護回路の構成図、図2は同具体的構成図であ
る。図1において11は回路全体に電源を供給する主電
源回路、12は主電源回路11の+側端子に接続される
逆流防止手段、13は逆流防止手段12を介して主電源
回路11の+側端子に接続され、また他端を主電源回路
11の−側端子に接続される電源蓄積手段、14は電源
蓄積手段13と並列に接続されるフラッシュメモリ、1
5は主電源回路11に接続されるフラッシュメモリ14
以外の電気回路をまとめて表現する他の電気部品であ
る。
【0009】図2は図1に示したメモリ保護回路を更に
具体的に示したものである。図2において、21は主電
源回路、22は逆流防止手段を実現するダイオード、2
3は電源蓄積手段を実現するコンデンサ、24はコンデ
ンサ23に並列に接続されるフラッシュメモリ、25は
フラッシュメモリ24以外の他の電気部品、更に26は
フラッシュメモリ24に内蔵される順序回路、27は順
序回路26を介してデータの供給を受けるメモリアレイ
である。
【0010】上記のように構成された本発明の一実施の
形態におけるメモリ保護回路について以下にその動作を
説明する。図2において、通常は主電源回路21から電
源が供給され、ダイオード22を介してフラッシュメモ
リ24に電源として供給される。同時にコンデンサ23
に対しても電源が供給され、電荷が蓄積される。
【0011】次に何らかの異常によって主電源回路21
からの電源供給が遮断された場合の動作を説明する。電
源が遮断された瞬間、フラッシュメモリ24は順序回路
26によってデータを受理しメモリアレイ27に対して
データを転送している最中である可能性が考えられる。
この時コンデンサ23に対して蓄積された電源がフラッ
シュメモリ24に対して供給される。この時ダイオード
22によって電流が逆流することを防いでいるため、コ
ンデンサ23に蓄積された電源が他の電気部品25によ
って消費されることはない。従ってコンデンサ23に蓄
積された電源はフラッシュメモリ24に対してのみ供給
される。このコンデンサ23から供給される電源によっ
て順序回路26は電源遮断後も動作を続け、データのメ
モリセルアレイ27への転送を終了する。
【0012】
【発明の効果】以上のように本発明のメモリ保護回路に
よれば、逆流防止手段により電源蓄積手段に蓄えた電源
をフラッシュメモリにのみ供給することで小さい容量の
蓄積素子で電源を供給し、書き込み処理のための順序回
路の動作を電源遮断後も持続することにより、データ転
送が終了したデータは必ずメモリアレイに書き込むこと
を保証し、フラッシュメモリの特徴である不揮発性を最
大限に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態におけるメモリ保護回路
の構成図
【図2】本発明の一実施の形態におけるメモリ保護回路
の具体的構成図
【図3】従来のメモリ保護回路の構成図
【符号の説明】
11 主電源回路 12 逆流防止手段 13 電源蓄積手段 14 フラッシュメモリ 15 他の電気部品 21 主電源回路 22 ダイオード 23 コンデンサ 24 フラッシュメモリ 25 他の電気部品 26 順序回路 27 メモリアレイ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】主電源装置から電源を供給するフラッシュ
    メモリを使用し、内部に状態遷移回路を備えるフラッシ
    ュメモリのためのメモリ保護回路であって、前記フラッ
    シュメモリに対して少なくとも前記状態遷移回路の一マ
    シンサイクルを実行することができるだけの電源を蓄積
    することができる電源蓄積手段と、この電源蓄積手段に
    蓄積された電源を前記フラッシュメモリ以外の電気部品
    によって消費されることを防止する逆流防止手段を備
    え、前記電源蓄積手段は前記フラッシュメモリの電源端
    子に直接接続され、前記電源蓄積手段は前記逆流防止手
    段を介して前記主電源装置に接続されることを特徴とす
    るメモリ保護回路。
JP7336483A 1995-12-25 1995-12-25 メモリ保護回路 Pending JPH09179666A (ja)

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JP7336483A JPH09179666A (ja) 1995-12-25 1995-12-25 メモリ保護回路

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JPH09179666A true JPH09179666A (ja) 1997-07-11

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JP7336483A Pending JPH09179666A (ja) 1995-12-25 1995-12-25 メモリ保護回路

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