JPH09176282A - 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び該組成物を用いた光半導体装置 - Google Patents
光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び該組成物を用いた光半導体装置Info
- Publication number
- JPH09176282A JPH09176282A JP7340092A JP34009295A JPH09176282A JP H09176282 A JPH09176282 A JP H09176282A JP 7340092 A JP7340092 A JP 7340092A JP 34009295 A JP34009295 A JP 34009295A JP H09176282 A JPH09176282 A JP H09176282A
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- epoxy resin
- photosemiconductor
- resin composition
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Abstract
(57)【要約】
【課題】透明性が高く、耐熱性、成形性に優れたエポキ
シ樹脂組成物及びこのエポキシ樹脂組成物で封止された
光半導体装置を提供すること。 【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤を含有
してなる光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物におい
て、上記エポキシ樹脂が軟化点９０℃以上のオルソクレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂をエポキシ樹脂全体の
５〜５０重量％含むエポキシ樹脂組成物で光半導体素子
素子を封止する。
シ樹脂組成物及びこのエポキシ樹脂組成物で封止された
光半導体装置を提供すること。 【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤を含有
してなる光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物におい
て、上記エポキシ樹脂が軟化点９０℃以上のオルソクレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂をエポキシ樹脂全体の
５〜５０重量％含むエポキシ樹脂組成物で光半導体素子
素子を封止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明性が高く、耐熱
性、成形性に優れたエポキシ樹脂組成物及びこのエポキ
シ樹脂組成物で封止された光半導体装置に関するもので
ある。
性、成形性に優れたエポキシ樹脂組成物及びこのエポキ
シ樹脂組成物で封止された光半導体装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】発光素子及び受光素子封止用には、透明
性の優れた酸無水物硬化系のエポキシ樹脂組成物が多用
されている。例えばトランスファ成形用のエポキシ樹脂
組成物においては、硬化剤として、テトラヒドロ無水フ
タル酸やヘキサヒドロ無水フタル酸等の二塩基酸無水物
が使用されている（特開平１─１６７３５９号公報、特
開平２─２２２１６５号公報参照）。また、エポキシ樹
脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、脂環式
エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂等が使用されている
（特開平５─１３６３００号公報参照）。
性の優れた酸無水物硬化系のエポキシ樹脂組成物が多用
されている。例えばトランスファ成形用のエポキシ樹脂
組成物においては、硬化剤として、テトラヒドロ無水フ
タル酸やヘキサヒドロ無水フタル酸等の二塩基酸無水物
が使用されている（特開平１─１６７３５９号公報、特
開平２─２２２１６５号公報参照）。また、エポキシ樹
脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、脂環式
エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂等が使用されている
（特開平５─１３６３００号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般の
エポキシ樹脂組成物は透明性、耐熱性を確保する目的に
硬化剤として酸無水物を使用し、エポキシ樹脂としては
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂をベースとし、脂環式
エポキシ樹脂やトリグリシジルイソシアヌレートが併用
される。これらのエポキシ樹脂は比較的軟化点が低く、
かつエポキシ樹脂当量が小さいため、酸無水物の配合量
はビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を単独使用した場合
と比較して、大幅に増加する。この結果、通常の混練機
器を用いて上記樹脂組成物を混練した場合、得られる封
止材の溶融粘度が著しく低くなるため成形時にボイド、
光学ムラを生じ易い。この対策として、封止材を低温で
エージングして成形性が良好になるまで増粘させる等の
手法が採用されるが、この場合は、エージングによる微
細異物（ゲル化物）の発生やロット間の粘度バラツキの
増大等の品質上の問題やエージング工程増設によるコス
ト増の問題を生じる。本発明の目的は、通常の混練作業
のみにより、透明性、耐熱性、成形性に優れたエポキシ
樹脂組成物および、このエポキシ樹脂組成物の硬化物で
封止された光半導体装置を提供することにある。
エポキシ樹脂組成物は透明性、耐熱性を確保する目的に
硬化剤として酸無水物を使用し、エポキシ樹脂としては
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂をベースとし、脂環式
エポキシ樹脂やトリグリシジルイソシアヌレートが併用
される。これらのエポキシ樹脂は比較的軟化点が低く、
かつエポキシ樹脂当量が小さいため、酸無水物の配合量
はビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を単独使用した場合
と比較して、大幅に増加する。この結果、通常の混練機
器を用いて上記樹脂組成物を混練した場合、得られる封
止材の溶融粘度が著しく低くなるため成形時にボイド、
光学ムラを生じ易い。この対策として、封止材を低温で
エージングして成形性が良好になるまで増粘させる等の
手法が採用されるが、この場合は、エージングによる微
細異物（ゲル化物）の発生やロット間の粘度バラツキの
増大等の品質上の問題やエージング工程増設によるコス
ト増の問題を生じる。本発明の目的は、通常の混練作業
のみにより、透明性、耐熱性、成形性に優れたエポキシ
樹脂組成物および、このエポキシ樹脂組成物の硬化物で
封止された光半導体装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、耐熱性を
付与する多官能エポキシ樹脂について鋭意研究を重ねる
中で、軟化点９０℃以上のオルソクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂をビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と併
用することにより、透明性を損なわずに耐熱性、成形性
に優れた光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物が得ら
れることが分かり、本発明に到達した。すなわち本発明
は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤を含有してなる
光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物において、上記
エポキシ樹脂が軟化点９０℃以上のオルソクレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂をエポキシ樹脂全体の５〜５０
重量％含むことを特徴とする光半導体素子封止用エポキ
シ樹脂組成物および、該エポキシ樹脂組成物で素子を封
止してなる光半導体装置に関する。
付与する多官能エポキシ樹脂について鋭意研究を重ねる
中で、軟化点９０℃以上のオルソクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂をビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と併
用することにより、透明性を損なわずに耐熱性、成形性
に優れた光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物が得ら
れることが分かり、本発明に到達した。すなわち本発明
は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤を含有してなる
光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物において、上記
エポキシ樹脂が軟化点９０℃以上のオルソクレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂をエポキシ樹脂全体の５〜５０
重量％含むことを特徴とする光半導体素子封止用エポキ
シ樹脂組成物および、該エポキシ樹脂組成物で素子を封
止してなる光半導体装置に関する。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明のエポキシ樹脂は、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂と上記オルソクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂を主体とする構成をとる。ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂としては、常温で固体で着色
の少ないものであれば特に制限はなく、公知のものでよ
い。上記オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂の
配合量は総エポキシ樹脂量の５重量％〜５０重量％、好
ましくは１０重量％〜４０重量％とすればよい。この範
囲を下回ると耐熱性がさほど向上せず、逆に上回ると成
形性が悪化するためである。また、本発明においては本
発明を損なわない範囲で上記エポキシ樹脂以外のエポキ
シ樹脂（脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシア
ヌレート、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂）を配合してもよい。本発明で用いる硬化剤は、従来
公知のものでよく、特に制限はない。ただし、光学特性
を確保するために酸無水物を使用するのが好ましく、例
えば無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラ
ヒドロ無水フタル酸、無水コハク酸などが好適に使用さ
れる。酸無水物の配合量はエポキシ樹脂に対して０．７
〜１．２当量、好ましくは０．８〜１．０当量となるよ
うに配合する必要がある。この範囲を外れると、反応が
不十分となり硬化物の物性が低下するためである。本発
明で用いる硬化促進剤は、従来公知のものでよく、例え
ば、イミダゾール類、三級アミン類、四級アンモニウム
類、四級ホスホニウム塩類、ジアザビシクロウンデセン
及びその塩類などが例示される。硬化促進剤の配合量
は、エポキシ樹脂と硬化剤との合計量に対して０．１〜
５重量％にすればよい。また、本発明のエポキシ樹脂組
成物には、上記各成分以外に必要に応じて離型剤、酸化
防止剤、着色剤、カップリング剤、変性剤、光線（紫外
線、可視光線、赤外線）、吸収剤、低応力化剤、充填剤
等の従来公知の添加剤が用いられる。
ェノールＡ型エポキシ樹脂と上記オルソクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂を主体とする構成をとる。ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂としては、常温で固体で着色
の少ないものであれば特に制限はなく、公知のものでよ
い。上記オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂の
配合量は総エポキシ樹脂量の５重量％〜５０重量％、好
ましくは１０重量％〜４０重量％とすればよい。この範
囲を下回ると耐熱性がさほど向上せず、逆に上回ると成
形性が悪化するためである。また、本発明においては本
発明を損なわない範囲で上記エポキシ樹脂以外のエポキ
シ樹脂（脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシア
ヌレート、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂）を配合してもよい。本発明で用いる硬化剤は、従来
公知のものでよく、特に制限はない。ただし、光学特性
を確保するために酸無水物を使用するのが好ましく、例
えば無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラ
ヒドロ無水フタル酸、無水コハク酸などが好適に使用さ
れる。酸無水物の配合量はエポキシ樹脂に対して０．７
〜１．２当量、好ましくは０．８〜１．０当量となるよ
うに配合する必要がある。この範囲を外れると、反応が
不十分となり硬化物の物性が低下するためである。本発
明で用いる硬化促進剤は、従来公知のものでよく、例え
ば、イミダゾール類、三級アミン類、四級アンモニウム
類、四級ホスホニウム塩類、ジアザビシクロウンデセン
及びその塩類などが例示される。硬化促進剤の配合量
は、エポキシ樹脂と硬化剤との合計量に対して０．１〜
５重量％にすればよい。また、本発明のエポキシ樹脂組
成物には、上記各成分以外に必要に応じて離型剤、酸化
防止剤、着色剤、カップリング剤、変性剤、光線（紫外
線、可視光線、赤外線）、吸収剤、低応力化剤、充填剤
等の従来公知の添加剤が用いられる。
【０００６】
【実施例】本発明を実施例により、更に詳細に説明する
が、本発明はこれに限定されるものではない。各種の特
性試験方法を下記に求めて記す。 （１）溶融粘度 高化式フローテスター（株式会社島津製作所製ＣＦＴ−
２０型）を用いて、１５０℃における試料の最低溶融粘
度を測定した。 （２）ゲルタイム キュラストメーター（今中機械工業社製ＪＳＲ型）を使
用し、１５０℃における試料のゲルタイムを測定した。 （３）成形性 １００φ×２ｍｍ厚の成形品を作製し、ボイドのあるも
のを×、ボイドのないものを○で表示した。 （４）光透過率 分光光度計（株式会社日立製作所製Ｕ─２０００型）を
使用し、厚さ２ｍｍの試料について波長５８９ｎｍの光
透過率を測定した。 （５）ガラス転移温度 直径２ｍｍ、長さ２０ｍｍの試料について、ＴＭＡ（理
学社製ＴＭＡ─８１４０型）を用い、５℃／分で昇温し
た時の試料の伸び率が急変する温度とした。
が、本発明はこれに限定されるものではない。各種の特
性試験方法を下記に求めて記す。 （１）溶融粘度 高化式フローテスター（株式会社島津製作所製ＣＦＴ−
２０型）を用いて、１５０℃における試料の最低溶融粘
度を測定した。 （２）ゲルタイム キュラストメーター（今中機械工業社製ＪＳＲ型）を使
用し、１５０℃における試料のゲルタイムを測定した。 （３）成形性 １００φ×２ｍｍ厚の成形品を作製し、ボイドのあるも
のを×、ボイドのないものを○で表示した。 （４）光透過率 分光光度計（株式会社日立製作所製Ｕ─２０００型）を
使用し、厚さ２ｍｍの試料について波長５８９ｎｍの光
透過率を測定した。 （５）ガラス転移温度 直径２ｍｍ、長さ２０ｍｍの試料について、ＴＭＡ（理
学社製ＴＭＡ─８１４０型）を用い、５℃／分で昇温し
た時の試料の伸び率が急変する温度とした。
【０００７】実施例１〜３、比較例１〜３ 表１に示すとおり各原材料を配合し、ニーダー（バレル
温度１００℃）にて混練後、冷却粉砕し、目的とする粉
末状のエポキシ樹脂組成物を得た。次に、これらのエポ
キシ樹脂組成物を各試験用金型を用いて、成形温度１５
０℃でトランスファ成形（成形圧力７０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、成形時間２分間）し、さらに１５０℃で２時間ア
フタキュアした。得られた各種成形品の特性結果を表１
に併せて示す。
温度１００℃）にて混練後、冷却粉砕し、目的とする粉
末状のエポキシ樹脂組成物を得た。次に、これらのエポ
キシ樹脂組成物を各試験用金型を用いて、成形温度１５
０℃でトランスファ成形（成形圧力７０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、成形時間２分間）し、さらに１５０℃で２時間ア
フタキュアした。得られた各種成形品の特性結果を表１
に併せて示す。
【０００８】
【表１】 注) ＊１ R367 ：三井石油化学社製ヒ゛スフェノール Ａ型エホ゜キシ樹脂 軟化点 120℃、エポキシ当量1250 ＊２ YDCN704 ：東都化成社製オルソクレソ゛ールノホ゛ラック 型エホ゜キシ樹脂 軟化点94℃、エポキシ当量208 ＊３ N695 ：大日本インキ化学社製オルソクレソ゛ールノホ゛ラック 型エホ゜キシ樹脂 軟化点96℃、エポキシ当量214 ＊４ TEPIC ：日産化学社製トリク゛リシシ゛ルイソシアヌレート 融点 110℃、エポキシ当量100 ＊５ EHPE3150：ダイセル化学社製脂環式エホ゜キシ樹脂 軟化点79℃、エポキシ当量177 ＊６ YDCN701 ：東都化成社製オルソクレソ゛ールノホ゛ラック 型エホ゜キシ樹脂 軟化点65℃、エポキシ当量200 ＊７ THPA ：新日本理化社製酸無水物 ＊８ C11Z ：四国化成社製イミタ゛ソ゛ール 上記の結果から明らかなように、比較例の場合は溶融粘
度が低く成形性に問題を残す。これを緩和するため低温
エージング処理を施すと微細異物（ゲル化物）を発生し
たり、コスト増を招く。一方実施例の場合は、適性な溶
融粘度を示すため成形性に優れ、かつ透明性、耐熱性も
実用レベルにあることが分かる。また、上記実施例で得
られたエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子（受光
素子）を封止することにより、光半導体装置を作製し
た。その結果、この光半導体装置は高信頼性を有するも
のであった。
度が低く成形性に問題を残す。これを緩和するため低温
エージング処理を施すと微細異物（ゲル化物）を発生し
たり、コスト増を招く。一方実施例の場合は、適性な溶
融粘度を示すため成形性に優れ、かつ透明性、耐熱性も
実用レベルにあることが分かる。また、上記実施例で得
られたエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子（受光
素子）を封止することにより、光半導体装置を作製し
た。その結果、この光半導体装置は高信頼性を有するも
のであった。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば成
形性に優れたエポキシ樹脂組成物を安価に製造でき、か
つ透明性、耐熱性に優れた光半導体装置の提供が可能と
なった。
形性に優れたエポキシ樹脂組成物を安価に製造でき、か
つ透明性、耐熱性に優れた光半導体装置の提供が可能と
なった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 広川 孝三 茨城県結城市大字鹿窪1772−１ 日立化成 工業株式会社下館工場内
Claims (2)
- 【請求項１】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤を含有
してなる光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物におい
て、上記エポキシ樹脂が軟化点９０℃以上のオルソクレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂をエポキシ樹脂全体の
５〜５０重量％含むことを特徴とする光半導体素子封止
用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】請求項１記載のエポキシ樹脂組成物で素子
を封止してなる光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7340092A JPH09176282A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び該組成物を用いた光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7340092A JPH09176282A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び該組成物を用いた光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09176282A true JPH09176282A (ja) | 1997-07-08 |
Family
ID=18333644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7340092A Pending JPH09176282A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び該組成物を用いた光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09176282A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001010926A1 (de) * | 1999-08-04 | 2001-02-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Transparente giessharzmasse für smt-fähige led-anwendungen mit hoher temperatur und hohen helligkeiten oder leuchtstärken |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP7340092A patent/JPH09176282A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001010926A1 (de) * | 1999-08-04 | 2001-02-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Transparente giessharzmasse für smt-fähige led-anwendungen mit hoher temperatur und hohen helligkeiten oder leuchtstärken |
| JP2003506539A (ja) * | 1999-08-04 | 2003-02-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 高い温度および高い輝度または発光強度を有するｓｍｔ能を有するｌｅｄに使用するための透明な注型樹脂材料 |
| US7009008B1 (en) * | 1999-08-04 | 2006-03-07 | Osram Gmbh | Transparent liquid resin material for SMT-enabled led-applications at higher temperatures and higher luminosities |
| JP4805500B2 (ja) * | 1999-08-04 | 2011-11-02 | アバゴ・テクノロジーズ・ファイバー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | 高い温度および高い輝度または発光強度を有するｓｍｔ能を有するｌｅｄに使用するための透明な注型樹脂材料 |
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Legal Events
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