JPH09176058A - 塩素化炭化水素の製造方法 - Google Patents
塩素化炭化水素の製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/093—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens
- C07C17/15—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens with oxygen as auxiliary reagent, e.g. oxychlorination
- C07C17/152—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens with oxygen as auxiliary reagent, e.g. oxychlorination of hydrocarbons
- C07C17/154—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens with oxygen as auxiliary reagent, e.g. oxychlorination of hydrocarbons of saturated hydrocarbons
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
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- C07C17/15—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens with oxygen as auxiliary reagent, e.g. oxychlorination
- C07C17/152—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens with oxygen as auxiliary reagent, e.g. oxychlorination of hydrocarbons
- C07C17/156—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens with oxygen as auxiliary reagent, e.g. oxychlorination of hydrocarbons of unsaturated hydrocarbons
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/093—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens
- C07C17/15—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens with oxygen as auxiliary reagent, e.g. oxychlorination
- C07C17/158—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens with oxygen as auxiliary reagent, e.g. oxychlorination of halogenated hydrocarbons
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリ塩素化芳香族化合物の生成を低減して塩
素化炭化水素を製造するためのオキシクロリネーション
法を提供する。 【解決手段】 C1 〜C3 炭化水素反応体を出発材料と
して塩素化炭化水素を製造するためのオキシクロリネー
ション法であり、前記反応体と酸素若しくは酸素化気体
および塩化水素とを接触させることを含み、ここで、消
費されるべき塩化水素の少なくとも一部分が前記オキシ
クロリネーション法により生じた生成物の熱分解より回
収される以外の外部源から得られたものであり、前記接
触は150℃〜600℃で運転されている加熱反応ゾー
ンにおいてオキシクロリネーション触媒の存在下で行わ
れ、塩素化炭化水素は反応ゾーンのエフルエントから回
収され、塩化水素が芳香族炭化水素の除去のための手段
により予備処理されることを特徴とする方法。
素化炭化水素を製造するためのオキシクロリネーション
法を提供する。 【解決手段】 C1 〜C3 炭化水素反応体を出発材料と
して塩素化炭化水素を製造するためのオキシクロリネー
ション法であり、前記反応体と酸素若しくは酸素化気体
および塩化水素とを接触させることを含み、ここで、消
費されるべき塩化水素の少なくとも一部分が前記オキシ
クロリネーション法により生じた生成物の熱分解より回
収される以外の外部源から得られたものであり、前記接
触は150℃〜600℃で運転されている加熱反応ゾー
ンにおいてオキシクロリネーション触媒の存在下で行わ
れ、塩素化炭化水素は反応ゾーンのエフルエントから回
収され、塩化水素が芳香族炭化水素の除去のための手段
により予備処理されることを特徴とする方法。
Description
【0001】本発明は、操作しているオキシクロリネー
ション法からの生成物の熱分解以外の源からの塩化水素
を使用する、C1 〜C3 炭化水素、特に、メタン、エタ
ン、プロパン、エチレン、プロピレン、アセチレンおよ
びプロピンのオキシクロリネーションを用いる方法に関
する。
ション法からの生成物の熱分解以外の源からの塩化水素
を使用する、C1 〜C3 炭化水素、特に、メタン、エタ
ン、プロパン、エチレン、プロピレン、アセチレンおよ
びプロピンのオキシクロリネーションを用いる方法に関
する。
【0002】塩素の商業使用に関する最近の文献は、少
量ではあるが、測定可能な量のポリ塩素化芳香族化合
物、例えば、クロロベンゼン、ポリ塩化ビフェニル(P
CB)、ポリ塩素化ジベンゾジオキシン(PCDD)お
よびポリ塩素化ジベンゾフラン(PCDF)に集中して
おり、その全てを以下でPCDD/Fで参照し、それら
は環境上、毒性であると考えられている。これらの非常
に望ましくない化合物(HUC)は土壌および湖のセジ
メント中に見られ、工業生産からそれらを減少させ、ま
たは無くすことが最大の関心事となっている。文献に
は、非芳香族炭化水素の塩素原子の付加または除去を含
む多くの工業上の塩素含有プロセスにおいて微量のPC
DD/Fの生成は避けられないものであるという立場を
一般に支持することがPCDD/F生成について記載さ
れている。このことはオキシクロリネーション法に特に
当てはまり、そしてエチレンから1,2-ジクロロエタンへ
のオキシクロリネーションに特に当てはまる。1,2-ジク
ロロエタンは二塩化エチレン(EDC)とも呼ばれ、塩
化ビニルモノマー(VCM)の製造において重要な中間
生成物である。
量ではあるが、測定可能な量のポリ塩素化芳香族化合
物、例えば、クロロベンゼン、ポリ塩化ビフェニル(P
CB)、ポリ塩素化ジベンゾジオキシン(PCDD)お
よびポリ塩素化ジベンゾフラン(PCDF)に集中して
おり、その全てを以下でPCDD/Fで参照し、それら
は環境上、毒性であると考えられている。これらの非常
に望ましくない化合物(HUC)は土壌および湖のセジ
メント中に見られ、工業生産からそれらを減少させ、ま
たは無くすことが最大の関心事となっている。文献に
は、非芳香族炭化水素の塩素原子の付加または除去を含
む多くの工業上の塩素含有プロセスにおいて微量のPC
DD/Fの生成は避けられないものであるという立場を
一般に支持することがPCDD/F生成について記載さ
れている。このことはオキシクロリネーション法に特に
当てはまり、そしてエチレンから1,2-ジクロロエタンへ
のオキシクロリネーションに特に当てはまる。1,2-ジク
ロロエタンは二塩化エチレン(EDC)とも呼ばれ、塩
化ビニルモノマー(VCM)の製造において重要な中間
生成物である。
【0003】ポリ塩素化芳香族化合物の毒性および生体
蓄積性の問題のために、様々な産業、例えば、固体廃棄
物焼却炉、EDC/VCM法および、非芳香族炭化水素
のクロリネーション、オキシクロリネーションまたはヒ
ドロクロリネーションを用いる他の方法、例えば、逆の
プロセス、即ち、脱塩素化または脱塩化水素化におい
て、微量のポリ塩素化芳香族化合物をモニターしてい
る。欧州におけるEDC/VCM法からの排出物のケー
ススタディーより編纂された最近の報告は、2,3,7,8-テ
トラクロロジベンゾジオキシン(TCDD)の毒性相当
物と呼ばれるものの年間排出量は1.8kgであると評
価している。De Vorming van PCDFs、PCDDsen Gerelate
erde Verbindingen Bij de Oxychlorination van Ethee
n, Evers, E.H.G., Dept. of Environmental Toxicolog
y, University of Amsterdam, Contract No. ZH4005, N
at. Water Service District of So. Holland (以下でN
MS 研究(スタディー)と呼ぶ)1989. MTC Pub. No. MTC
89EE を参照されたい。自然のプロセスおよび産業のプ
ロセスの両方からどれくらいレベルのこれらの毒物が発
生しているかについての専門家の意見は別れている。
蓄積性の問題のために、様々な産業、例えば、固体廃棄
物焼却炉、EDC/VCM法および、非芳香族炭化水素
のクロリネーション、オキシクロリネーションまたはヒ
ドロクロリネーションを用いる他の方法、例えば、逆の
プロセス、即ち、脱塩素化または脱塩化水素化におい
て、微量のポリ塩素化芳香族化合物をモニターしてい
る。欧州におけるEDC/VCM法からの排出物のケー
ススタディーより編纂された最近の報告は、2,3,7,8-テ
トラクロロジベンゾジオキシン(TCDD)の毒性相当
物と呼ばれるものの年間排出量は1.8kgであると評
価している。De Vorming van PCDFs、PCDDsen Gerelate
erde Verbindingen Bij de Oxychlorination van Ethee
n, Evers, E.H.G., Dept. of Environmental Toxicolog
y, University of Amsterdam, Contract No. ZH4005, N
at. Water Service District of So. Holland (以下でN
MS 研究(スタディー)と呼ぶ)1989. MTC Pub. No. MTC
89EE を参照されたい。自然のプロセスおよび産業のプ
ロセスの両方からどれくらいレベルのこれらの毒物が発
生しているかについての専門家の意見は別れている。
【0004】PCDD/Fを発生する様々な合成ルート
に関する調査の様々な文献が存在する。Chemosphere, V
ol. 23, Nos.8 〜10, O. Huntzinger 編, Peragamon Pr
ess,1991 を参照されたい。要約すると、文献中に記載
されているPCDD/Fを生成しうる重要な前駆体は、
クロロフェノール、ベンゼン、塩素化ベンゼンおよびジ
フェニルエーテルを含む。これらの種は縮合、ラジカル
およびイオン機構によりPCDD/Fに転化されること
が知られている。Chlorinated Dioxins and Related Co
mpounds, O. Huntzingerら編, Peragamon Press, 1982
を参照されたい。
に関する調査の様々な文献が存在する。Chemosphere, V
ol. 23, Nos.8 〜10, O. Huntzinger 編, Peragamon Pr
ess,1991 を参照されたい。要約すると、文献中に記載
されているPCDD/Fを生成しうる重要な前駆体は、
クロロフェノール、ベンゼン、塩素化ベンゼンおよびジ
フェニルエーテルを含む。これらの種は縮合、ラジカル
およびイオン機構によりPCDD/Fに転化されること
が知られている。Chlorinated Dioxins and Related Co
mpounds, O. Huntzingerら編, Peragamon Press, 1982
を参照されたい。
【0005】非芳香族前駆体( 元素形態を含む) からの
PCBおよびPCDD/Fの直接合成はオキシクロネー
ションの文献中に報告されている。Chemosphere, Eklan
d, G.;Pederson, J.R.; Stromberg, B., 17, 575,1988
。NWSの研究は、多種のPCDD/Fが疑似オキシ
クロリネーション法の気相および触媒残留物中で検知さ
れたことを示している。NWSの実験において観測され
たPCDD/Fの合計量は、生成したEDC1.31g
当たりに546ng(ナノグラム)のPCDD/Fまた
は417ng/g(ppb)であった。NMSの実験に
おけるPCDD/F種のパターンはライン川の入江に沿
ったVCM産業の廃棄スラッジに見られるものと非常に
似通っており、そして実験室での研究が商業工場で起こ
っているプロセスを正確にモデル化できることを示して
いる。NWSの研究の筆者は、炭素、塩素、酸素および
活性触媒表面が存在する媒質においてPCDD/Fの生
成に銅触媒が役割を担っていると結論付けた。得られた
データは、PCDD/Fがアルカンおよびアルケンのオ
キシクロリネーション、特にエチレンのオキシクロリネ
ーションにおいて直接生成されるという他の研究者の結
論を確認するようである。用語「直接」とは、酸素およ
びHCl の存在下で、メタンまたはエチレンのような非環
式炭化水素からPCDD/Fが直接的に生成されること
であると規定される。明らかな直接合成を説明するため
に、単純な炭素構造の芳香化が起こったと研究者は考え
ている。
PCBおよびPCDD/Fの直接合成はオキシクロネー
ションの文献中に報告されている。Chemosphere, Eklan
d, G.;Pederson, J.R.; Stromberg, B., 17, 575,1988
。NWSの研究は、多種のPCDD/Fが疑似オキシ
クロリネーション法の気相および触媒残留物中で検知さ
れたことを示している。NWSの実験において観測され
たPCDD/Fの合計量は、生成したEDC1.31g
当たりに546ng(ナノグラム)のPCDD/Fまた
は417ng/g(ppb)であった。NMSの実験に
おけるPCDD/F種のパターンはライン川の入江に沿
ったVCM産業の廃棄スラッジに見られるものと非常に
似通っており、そして実験室での研究が商業工場で起こ
っているプロセスを正確にモデル化できることを示して
いる。NWSの研究の筆者は、炭素、塩素、酸素および
活性触媒表面が存在する媒質においてPCDD/Fの生
成に銅触媒が役割を担っていると結論付けた。得られた
データは、PCDD/Fがアルカンおよびアルケンのオ
キシクロリネーション、特にエチレンのオキシクロリネ
ーションにおいて直接生成されるという他の研究者の結
論を確認するようである。用語「直接」とは、酸素およ
びHCl の存在下で、メタンまたはエチレンのような非環
式炭化水素からPCDD/Fが直接的に生成されること
であると規定される。明らかな直接合成を説明するため
に、単純な炭素構造の芳香化が起こったと研究者は考え
ている。
【0006】塩素化アルケン、ベンゼン、フェノールお
よびビフェノールの直接生成は触媒の存在下でのCO2
およびHClの反応により起こることも報告されてい
る。Chemosphere, Stromberg, B.27, 179, 1993; Chemo
sphere, 23, 1515, 1990を参照されたい。これらの触媒
は、オキシクロネーション法において使用されたのと同
様の多くの商業上使用されている材料を含む。更に、都
市型固体廃棄物焼却炉からの飛散灰もPCDD/Fの生
成を触媒するものと示された。a)Chemosphere, Ross,
B. J.;Naikwadi, K. P.;Karasek, F.W., 19, 291, 198
9; b) Chemosphere,Benefenati, E.; Mariani, G; Fane
lli, R.; Zuccotti, S., 22, 1045, 1922;およびChemos
phere, Born J.G.P.; Louw, R.; Mulder,P., 26, 2087,
1993 。このような研究の1 つは、好ましい条件は28
0〜300℃にあることを示しており、PCDD/Fが
固体廃棄物焼却炉の燃焼済ベントガス冷却ゾーンにおい
て生じる傾向がある焼却法に関する研究者と同一見解で
ある。このように、研究は、塩素化芳香族化合物の直接
的な塩素化は様々な条件において起こることが示した。
よびビフェノールの直接生成は触媒の存在下でのCO2
およびHClの反応により起こることも報告されてい
る。Chemosphere, Stromberg, B.27, 179, 1993; Chemo
sphere, 23, 1515, 1990を参照されたい。これらの触媒
は、オキシクロネーション法において使用されたのと同
様の多くの商業上使用されている材料を含む。更に、都
市型固体廃棄物焼却炉からの飛散灰もPCDD/Fの生
成を触媒するものと示された。a)Chemosphere, Ross,
B. J.;Naikwadi, K. P.;Karasek, F.W., 19, 291, 198
9; b) Chemosphere,Benefenati, E.; Mariani, G; Fane
lli, R.; Zuccotti, S., 22, 1045, 1922;およびChemos
phere, Born J.G.P.; Louw, R.; Mulder,P., 26, 2087,
1993 。このような研究の1 つは、好ましい条件は28
0〜300℃にあることを示しており、PCDD/Fが
固体廃棄物焼却炉の燃焼済ベントガス冷却ゾーンにおい
て生じる傾向がある焼却法に関する研究者と同一見解で
ある。このように、研究は、塩素化芳香族化合物の直接
的な塩素化は様々な条件において起こることが示した。
【0007】産業上の塩素消費プロセスにおけるPCD
D/Fの直接生成の多くの報告では、これらの副生成物
を減らし、または無くすことが特に探究された。あるア
プローチは、所望の生成物を生じるように反応選択性を
改良することに集中した。例えば、EDCの製造におい
て生じる副生成物のレベルの低下という観点から考えら
れるの1つのアプローチは、米国特許第4,410,747 号('
747 号) に開示された、改良された直接塩素化であ
る。'747号に教示されるようなエチレンと塩素との液相
反応は金属塩化物触媒の存在下でEDC の沸点で行われ、
そしてベンゼンのような芳香族炭化水素が加えられる。
望ましくない副生成物、主として1,1,2-トリクロロエタ
ンを生成する副反応が抑えられる。PCDD/Fの直接
合成が起こるという見解によると、改良された反応選択
性は、直接生成PCDD/Fのレベルを低下することが
できる。
D/Fの直接生成の多くの報告では、これらの副生成物
を減らし、または無くすことが特に探究された。あるア
プローチは、所望の生成物を生じるように反応選択性を
改良することに集中した。例えば、EDCの製造におい
て生じる副生成物のレベルの低下という観点から考えら
れるの1つのアプローチは、米国特許第4,410,747 号('
747 号) に開示された、改良された直接塩素化であ
る。'747号に教示されるようなエチレンと塩素との液相
反応は金属塩化物触媒の存在下でEDC の沸点で行われ、
そしてベンゼンのような芳香族炭化水素が加えられる。
望ましくない副生成物、主として1,1,2-トリクロロエタ
ンを生成する副反応が抑えられる。PCDD/Fの直接
合成が起こるという見解によると、改良された反応選択
性は、直接生成PCDD/Fのレベルを低下することが
できる。
【0008】他の改良は、オキシクロリネーション法か
ら出てくるエフルエント体積の低減に集中した。EDC
を製造するためのエチレンのオキシクロリネーションの
均衡法においては、1,2-ジクロロエタンから塩化ビニル
モノマーへの分解から生じる塩化水素の再捕獲および再
使用が行われる。廃棄エフルエントの量はHClの再使
用でかなり低下される。この再生されるHCl を、ここ
で、「内部源」として参照し、そしてこの内部源HCl
は、通常、EDC、VCMおよび副生成物から蒸留によ
り分離される。
ら出てくるエフルエント体積の低減に集中した。EDC
を製造するためのエチレンのオキシクロリネーションの
均衡法においては、1,2-ジクロロエタンから塩化ビニル
モノマーへの分解から生じる塩化水素の再捕獲および再
使用が行われる。廃棄エフルエントの量はHClの再使
用でかなり低下される。この再生されるHCl を、ここ
で、「内部源」として参照し、そしてこの内部源HCl
は、通常、EDC、VCMおよび副生成物から蒸留によ
り分離される。
【0009】世界的な化学工業における最近の開発は、
VCMの製造が、均衡VCM法から、外部からのHCl
の使用を増加する方向、即ち、非オキシクロリネーショ
ン法へと向かっている。本発明は、この「外部」HC
l、即ち、オキシクロリネーション生成物、例えば、E
DCの熱分解において生じるエフルエントからHClを
分離して得られる源以外のHClの使用を考慮してい
る。外部HClは、塩素化材料の廃棄焼却;有機イソシ
アネートの製造;C1 〜C3 炭化水素の高温塩素化分
解;および、塩素化含有ポリマー、塩素化炭化水素、ク
ロロ酢酸、CFC、HCHCおよび他の産業上有用な材
料のような塩素化材料の脱塩素化のような工業法におい
て製造される。
VCMの製造が、均衡VCM法から、外部からのHCl
の使用を増加する方向、即ち、非オキシクロリネーショ
ン法へと向かっている。本発明は、この「外部」HC
l、即ち、オキシクロリネーション生成物、例えば、E
DCの熱分解において生じるエフルエントからHClを
分離して得られる源以外のHClの使用を考慮してい
る。外部HClは、塩素化材料の廃棄焼却;有機イソシ
アネートの製造;C1 〜C3 炭化水素の高温塩素化分
解;および、塩素化含有ポリマー、塩素化炭化水素、ク
ロロ酢酸、CFC、HCHCおよび他の産業上有用な材
料のような塩素化材料の脱塩素化のような工業法におい
て製造される。
【0010】本発明によると、塩素化炭化水素の製造の
ための操作オキシクロリネーション法が提供される。こ
の方法は、1〜3個の炭素原子を含む炭化水素反応体の
固定床または流動床触媒オキシクロリネーションを用い
る。オキシクロリネーション法は、C1 〜C3 炭化水素
反応体を酸素若しくは酸素化気体およびHClと接触さ
せることを含み、ここで、消費されるべき塩化水素の少
なくとも1部分は操作オキシクロリネーション法の生成
物の熱分解から生じる塩化水素回収以外の外部源から得
られる。フィードストックは150〜600℃で運転さ
れている加熱反応ゾーンにおいて反応し、塩素化炭化水
素生成物は反応ゾーンのエフルエントから回収される。
この方法は、操作されるオキシクロリネーション法にお
ける使用の前に、芳香族炭化水素の除去のための手段に
よりHClが予備処理されるということを特徴とする。
ための操作オキシクロリネーション法が提供される。こ
の方法は、1〜3個の炭素原子を含む炭化水素反応体の
固定床または流動床触媒オキシクロリネーションを用い
る。オキシクロリネーション法は、C1 〜C3 炭化水素
反応体を酸素若しくは酸素化気体およびHClと接触さ
せることを含み、ここで、消費されるべき塩化水素の少
なくとも1部分は操作オキシクロリネーション法の生成
物の熱分解から生じる塩化水素回収以外の外部源から得
られる。フィードストックは150〜600℃で運転さ
れている加熱反応ゾーンにおいて反応し、塩素化炭化水
素生成物は反応ゾーンのエフルエントから回収される。
この方法は、操作されるオキシクロリネーション法にお
ける使用の前に、芳香族炭化水素の除去のための手段に
よりHClが予備処理されるということを特徴とする。
【0011】本発明はPCDD/Fの直接合成が、工業
実施条件において、非芳香族炭化水素のオキシクロリネ
ーション法において必ずしも起こらないことを予期せず
に発見したことに基づくものである。注意深く制御した
定量的な実験において、実験室オキシクロリネーション
法を、外部源HCl、エチレンおよび空気若しくは酸素
で、銅触媒の存在下でモニターした。文献と一致して、
測定可能な量のPCBおよびPCDD/Fが観測され
た。オキシクロリネーションからのエフルエント中に観
測されるPCBおよびPCDD/Fの測定レベルは、外
部HClを最初に芳香族炭化水素の除去のために処理し
た後に、驚くほど低下した。このように、オキシクロリ
ネーション法のエフルエント中に見られるPCDD/F
の多量部分は脂肪族炭化水素のオキシクロリネーション
の間の直接合成によるものでなく、外部HClフィード
ストック中に見られる芳香族化合物のレベルが低いこと
によるものであることが示された。また、今回、これら
の芳香族化合物は、オキシクロリネーション法における
HClの使用の前に、従来の手段により除去されること
ができ、この為、オキシクロリネーションの間にそれら
がPCBおよびPCDD/Fに転化することを防止でき
ることも示された。
実施条件において、非芳香族炭化水素のオキシクロリネ
ーション法において必ずしも起こらないことを予期せず
に発見したことに基づくものである。注意深く制御した
定量的な実験において、実験室オキシクロリネーション
法を、外部源HCl、エチレンおよび空気若しくは酸素
で、銅触媒の存在下でモニターした。文献と一致して、
測定可能な量のPCBおよびPCDD/Fが観測され
た。オキシクロリネーションからのエフルエント中に観
測されるPCBおよびPCDD/Fの測定レベルは、外
部HClを最初に芳香族炭化水素の除去のために処理し
た後に、驚くほど低下した。このように、オキシクロリ
ネーション法のエフルエント中に見られるPCDD/F
の多量部分は脂肪族炭化水素のオキシクロリネーション
の間の直接合成によるものでなく、外部HClフィード
ストック中に見られる芳香族化合物のレベルが低いこと
によるものであることが示された。また、今回、これら
の芳香族化合物は、オキシクロリネーション法における
HClの使用の前に、従来の手段により除去されること
ができ、この為、オキシクロリネーションの間にそれら
がPCBおよびPCDD/Fに転化することを防止でき
ることも示された。
【0012】本発明は、脂肪族炭化水素を塩素化脂肪族
炭化水素に転化するためのオキシクロリネーション法
で、PCBおよびPCDD/Fのレベルを低下させた改
良法を提供し、この方法は、脂肪族炭化水素反応体、酸
素含有気体および外部塩化水素からの塩素源の全てまた
は一部分とオキシクロリネーション触媒を、150℃〜
600℃で運転されている加熱反応ゾーンにおいて接触
させること、ここで、好ましい温度は特定の炭化水素フ
ィードストックによるものである、および塩素化された
脂肪族炭化水素を反応ゾーンのエフルエントから回収す
ることを含み、改良は、芳香族化合物の除去のための手
段により予備処理された外部(非分解グレード)のHC
lを使用することからなる。芳香族化合物の塩化水素か
らの除去のための適切な手段は、多段分留、吸収、吸着
および反応方法を含む。
炭化水素に転化するためのオキシクロリネーション法
で、PCBおよびPCDD/Fのレベルを低下させた改
良法を提供し、この方法は、脂肪族炭化水素反応体、酸
素含有気体および外部塩化水素からの塩素源の全てまた
は一部分とオキシクロリネーション触媒を、150℃〜
600℃で運転されている加熱反応ゾーンにおいて接触
させること、ここで、好ましい温度は特定の炭化水素フ
ィードストックによるものである、および塩素化された
脂肪族炭化水素を反応ゾーンのエフルエントから回収す
ることを含み、改良は、芳香族化合物の除去のための手
段により予備処理された外部(非分解グレード)のHC
lを使用することからなる。芳香族化合物の塩化水素か
らの除去のための適切な手段は、多段分留、吸収、吸着
および反応方法を含む。
【0013】蒸留による芳香族化合物の塩化水素からの
除去は、還流凝縮器を具備した容器内でHClを蒸発さ
せる工程、次に、事実上、より高いまたはより低い沸点
の化合物を含まない、凝縮された気体を回収する工程を
含む。蒸発および凝縮工程は、好ましくは、多種の液体
の蒸留において使用されるような向流多段分留を行うた
めの手段を含む。外部源HClからの芳香族化合物の除
去のための別の手段は、固体または液体吸着剤または吸
収剤を含む容器にHClを通過させる工程を含む。固体
の吸着剤は知られており、そして制限するわけではない
が、活性炭、ゼオライト、アルミナ、珪藻土、シリカゲ
ルのような様々な形態のシリカ;および、担持された選
択吸着または吸収性ポリマー樹脂を含む。液体吸収剤
は、制限するわけではないが、パラフィン、例えば、ペ
ンタン、ヘキサン、C5 〜C9 留分等のような脂肪族炭
化水素および水を含む。
除去は、還流凝縮器を具備した容器内でHClを蒸発さ
せる工程、次に、事実上、より高いまたはより低い沸点
の化合物を含まない、凝縮された気体を回収する工程を
含む。蒸発および凝縮工程は、好ましくは、多種の液体
の蒸留において使用されるような向流多段分留を行うた
めの手段を含む。外部源HClからの芳香族化合物の除
去のための別の手段は、固体または液体吸着剤または吸
収剤を含む容器にHClを通過させる工程を含む。固体
の吸着剤は知られており、そして制限するわけではない
が、活性炭、ゼオライト、アルミナ、珪藻土、シリカゲ
ルのような様々な形態のシリカ;および、担持された選
択吸着または吸収性ポリマー樹脂を含む。液体吸収剤
は、制限するわけではないが、パラフィン、例えば、ペ
ンタン、ヘキサン、C5 〜C9 留分等のような脂肪族炭
化水素および水を含む。
【0014】外部HClからの芳香族化合物の除去は、
芳香族化合物を不飽和環式脂肪族化合物に転化するため
の水素源の存在下で、ニッケル、白金またはパラジウム
のような水素化触媒により処理することを含む、水素化
反応によっても達成されうる。芳香族化合物を二酸化炭
素および水に転化するための酸素の存在下で、酸化触媒
により接触酸化することは、HClから芳香族炭化水素
化合物を除去するために使用されうる別の反応方法であ
る。
芳香族化合物を不飽和環式脂肪族化合物に転化するため
の水素源の存在下で、ニッケル、白金またはパラジウム
のような水素化触媒により処理することを含む、水素化
反応によっても達成されうる。芳香族化合物を二酸化炭
素および水に転化するための酸素の存在下で、酸化触媒
により接触酸化することは、HClから芳香族炭化水素
化合物を除去するために使用されうる別の反応方法であ
る。
【0015】HClから芳香族化合物を除去するための
特定の方法は問題ではなく、そして、入手できる装置お
よびこの開示の範囲を越える好ましい経済性のみを基準
にして実施者が選択してよい。用いることができる予備
処理工程の中で、好ましい方法は、酸化触媒での処理、
活性炭を含む吸着性コラムにHClを通過させること、
および、パラフィン液体による抽出を含む。
特定の方法は問題ではなく、そして、入手できる装置お
よびこの開示の範囲を越える好ましい経済性のみを基準
にして実施者が選択してよい。用いることができる予備
処理工程の中で、好ましい方法は、酸化触媒での処理、
活性炭を含む吸着性コラムにHClを通過させること、
および、パラフィン液体による抽出を含む。
【0016】本発明の別の態様において、改良されたオ
キシクロリネーション法のエフルエントが提供され、前
記エフルエントは、低いそして好ましくは検知できるレ
ベルより低いレベルのポリ塩素化芳香族化合物を含み、
前記エフルエントは150〜600℃で運転されている
加熱反応ゾーンにおいて、オキシクロリネーション触媒
と、C1 〜C3 炭化水素反応体、例えば、メタン、エタ
ン、エチレン、プロパン、プロピレン、アセチレン、ク
ロロエタン、クロロプロパン、ジクロロメタン、ジクロ
ロエタン等とを、空気のような酸素含有気体および塩化
水素の存在下で接触させることにより製造され、ここ
で、塩素の一部分または全てが外部源の塩化水素により
提供され、即ち、HClは脂肪族炭化水素のオキシクロ
リネーション法自体の回収部分以外の源から得られる。
内部源のHClはプロセスから中間体塩素化炭化水素の
熱分解により得られる。それ故、本発明において、使用
されるHClの少なくとも1部分は、操作しているオキ
シクロリネーションプロセスからの中間体塩素化脂肪族
炭化水素の熱分解以外のプロセスから得られなければな
らない。本発明において、使用される外部源塩化水素
は、加熱されたオキシクロリネーション反応ゾーンに入
る前に、芳香族化合物の除去のための手段により処理さ
れていなければならない。
キシクロリネーション法のエフルエントが提供され、前
記エフルエントは、低いそして好ましくは検知できるレ
ベルより低いレベルのポリ塩素化芳香族化合物を含み、
前記エフルエントは150〜600℃で運転されている
加熱反応ゾーンにおいて、オキシクロリネーション触媒
と、C1 〜C3 炭化水素反応体、例えば、メタン、エタ
ン、エチレン、プロパン、プロピレン、アセチレン、ク
ロロエタン、クロロプロパン、ジクロロメタン、ジクロ
ロエタン等とを、空気のような酸素含有気体および塩化
水素の存在下で接触させることにより製造され、ここ
で、塩素の一部分または全てが外部源の塩化水素により
提供され、即ち、HClは脂肪族炭化水素のオキシクロ
リネーション法自体の回収部分以外の源から得られる。
内部源のHClはプロセスから中間体塩素化炭化水素の
熱分解により得られる。それ故、本発明において、使用
されるHClの少なくとも1部分は、操作しているオキ
シクロリネーションプロセスからの中間体塩素化脂肪族
炭化水素の熱分解以外のプロセスから得られなければな
らない。本発明において、使用される外部源塩化水素
は、加熱されたオキシクロリネーション反応ゾーンに入
る前に、芳香族化合物の除去のための手段により処理さ
れていなければならない。
【0017】オキシクロリネーション法において使用さ
れる適切な触媒は、従来から知られており、そして理解
されている。例は、米国特許第3,624,170 号、第4,446,
249号、第4,740,642 号および第5,011,808 号並びに欧
州特許出願公開第0255156 号に開示されている。接触オ
キシクロリネーションにおいて必要なプロセス条件も当
業界において知られており、そして確立されている。例
はHarpringらの米国特許第3,488,398 号に記載されてい
る。オキシクロリネーション触媒は固定床または流動床
のいずれのタイプの形態でも適切である。
れる適切な触媒は、従来から知られており、そして理解
されている。例は、米国特許第3,624,170 号、第4,446,
249号、第4,740,642 号および第5,011,808 号並びに欧
州特許出願公開第0255156 号に開示されている。接触オ
キシクロリネーションにおいて必要なプロセス条件も当
業界において知られており、そして確立されている。例
はHarpringらの米国特許第3,488,398 号に記載されてい
る。オキシクロリネーション触媒は固定床または流動床
のいずれのタイプの形態でも適切である。
【0018】1、2または3個の炭素原子を含む飽和炭
化水素のオキシクロリネーションの場合に、加熱反応ゾ
ーンは一般に300〜600℃で運転される。2または
3個の炭素原子を含む不飽和炭化水素のオキシクロリネ
ーションの場合に、加熱反応ゾーンは150〜300℃
で運転される。ハロゲン化誘導体も、本発明の方法を使
用して、有利に塩素化されることができ、そしてそれら
はクロロメタン、ジクロロメタン、クロロエタン、ジク
ロロエタン、トリクロロエタン、フルオロメタン、フル
オロエタン、フルオロプロパン、クロロフルオロメタ
ン、クロロフルオロエタン、クロロフルオロプロパンお
よびブロモ置換C1 〜C3 炭化水素を含む。プロセス
は、大気圧以上で運転される。反応体フィード気体HC
l/C2 H4/O2 のモル比は、一般に、2/1〜1.
5/0.5〜1.0に維持される。プロセスは、未反応
フィード気体の再使用を行わない一回通過法として運転
されても、または、プロセスは未反応フィード気体を循
環することにより運転されてもよい。塩素化生成物の更
なる処理は、当業界において確立されている従来の熱分
解および/または精製手段を使用して可能である。
化水素のオキシクロリネーションの場合に、加熱反応ゾ
ーンは一般に300〜600℃で運転される。2または
3個の炭素原子を含む不飽和炭化水素のオキシクロリネ
ーションの場合に、加熱反応ゾーンは150〜300℃
で運転される。ハロゲン化誘導体も、本発明の方法を使
用して、有利に塩素化されることができ、そしてそれら
はクロロメタン、ジクロロメタン、クロロエタン、ジク
ロロエタン、トリクロロエタン、フルオロメタン、フル
オロエタン、フルオロプロパン、クロロフルオロメタ
ン、クロロフルオロエタン、クロロフルオロプロパンお
よびブロモ置換C1 〜C3 炭化水素を含む。プロセス
は、大気圧以上で運転される。反応体フィード気体HC
l/C2 H4/O2 のモル比は、一般に、2/1〜1.
5/0.5〜1.0に維持される。プロセスは、未反応
フィード気体の再使用を行わない一回通過法として運転
されても、または、プロセスは未反応フィード気体を循
環することにより運転されてもよい。塩素化生成物の更
なる処理は、当業界において確立されている従来の熱分
解および/または精製手段を使用して可能である。
【0019】幾つかの実験は、オキシクロリネーション
法のフィードストックとして使用されるHClストリー
ムから芳香族化合物を注意深く除去することはPCBお
よびPCDD/Fの量を大きく低下するであろうという
ことを示すものであった。
法のフィードストックとして使用されるHClストリー
ムから芳香族化合物を注意深く除去することはPCBお
よびPCDD/Fの量を大きく低下するであろうという
ことを示すものであった。
【0020】210℃〜245℃で運転され、15〜4
0秒間の接触時間であり、そしてそれ以外は商業ユニッ
トでの運転の範囲で実験室スケールの流動床オキシクロ
リネーション反応器で反応を行った。接触時間は、触媒
床の流動床体積を、反応器制御温度および反応器塔頂圧
でのフィード気体の合計の体積流速で割った商として規
定される。幾つかの実験では、事前に測定したレベルの
芳香族化合物をフィード気体とともに反応器に導入させ
た。他の実験は、ベンゼン、ジクロロベンゼンまたはト
ルエンをモデル化合物として故意に添加することを含ん
だ。ベースライン対照実験は、芳香族化合物がフィード
にもまたは触媒上にも存在しないで行われた。
0秒間の接触時間であり、そしてそれ以外は商業ユニッ
トでの運転の範囲で実験室スケールの流動床オキシクロ
リネーション反応器で反応を行った。接触時間は、触媒
床の流動床体積を、反応器制御温度および反応器塔頂圧
でのフィード気体の合計の体積流速で割った商として規
定される。幾つかの実験では、事前に測定したレベルの
芳香族化合物をフィード気体とともに反応器に導入させ
た。他の実験は、ベンゼン、ジクロロベンゼンまたはト
ルエンをモデル化合物として故意に添加することを含ん
だ。ベースライン対照実験は、芳香族化合物がフィード
にもまたは触媒上にも存在しないで行われた。
【0021】PCBおよびPCDD/Fの定量分析を扱
う科学文献において、オキシクロリネーションおよび他
の方法において生成されるPCBおよび特にPCDD/
Fは触媒上に蓄積し、そして濃縮され、そして固体触媒
粒子から抽出可能な残留物において検出されることが報
告されている。De Vorming van PCDFs, PCDDs en Gerel
ateerde Verbindingen Bij de Oxychlorination van Et
heen, Evers, E.H.G.,Doctoral Thesis, University of
Amsterdam, 1989. MTC Pub. No.MTC89EE。下記に要約
される実験研究において、反応器エフルエント( 製品お
よび気体) および固体触媒粒子の両方に対して分析を行
った。分析の一貫性および単純化のために、触媒試料か
らの低下に関する分析結果のみを下記に報告する。
う科学文献において、オキシクロリネーションおよび他
の方法において生成されるPCBおよび特にPCDD/
Fは触媒上に蓄積し、そして濃縮され、そして固体触媒
粒子から抽出可能な残留物において検出されることが報
告されている。De Vorming van PCDFs, PCDDs en Gerel
ateerde Verbindingen Bij de Oxychlorination van Et
heen, Evers, E.H.G.,Doctoral Thesis, University of
Amsterdam, 1989. MTC Pub. No.MTC89EE。下記に要約
される実験研究において、反応器エフルエント( 製品お
よび気体) および固体触媒粒子の両方に対して分析を行
った。分析の一貫性および単純化のために、触媒試料か
らの低下に関する分析結果のみを下記に報告する。
【0022】オキシクロリネーション試験条件 孤立して製造した実験室スケールの流動床反応器を使用
した。触媒約300gを充填し、そして抵抗加熱の手段によ
り210℃〜245℃の温度に制御した。この装置を大
気圧で運転した。フィード気体、C2 H4 、HClおよ
び空気またはN 2 およびO2 を触媒床からすぐ下で反応
器に導入した。流動床の接触時間が約25秒間であり、
そしてHCl/C2 H4 /O2 のモルフィード比がそれ
ぞれ約1.96/1.0/1になるように、市販の質量
流量計を使用してフィード速度を調節した。
した。触媒約300gを充填し、そして抵抗加熱の手段によ
り210℃〜245℃の温度に制御した。この装置を大
気圧で運転した。フィード気体、C2 H4 、HClおよ
び空気またはN 2 およびO2 を触媒床からすぐ下で反応
器に導入した。流動床の接触時間が約25秒間であり、
そしてHCl/C2 H4 /O2 のモルフィード比がそれ
ぞれ約1.96/1.0/1になるように、市販の質量
流量計を使用してフィード速度を調節した。
【0023】反応体および生成物は、生成気体を触媒粒
子と分離するディスエンゲイジメントゾーンへと流動床
を上に向かって通過する。生成気体は、その後、液体お
よび気体サンプリングステーションへ、密閉系を通過し
て輸送される。分析を行われようとするときに、反応器
および全ての下流試料ラインは気体の露点より高く維持
されていることが必須であった。
子と分離するディスエンゲイジメントゾーンへと流動床
を上に向かって通過する。生成気体は、その後、液体お
よび気体サンプリングステーションへ、密閉系を通過し
て輸送される。分析を行われようとするときに、反応器
および全ての下流試料ラインは気体の露点より高く維持
されていることが必須であった。
【0024】反応条件の間に反応器から触媒試料を取り
出した。反応器のボトム付近であるが、フィード気体が
導入される点よりも高い所にある試料ポートを開け、そ
して触媒試料を透明なガラスバイアル中に入れ、そして
シールした。
出した。反応器のボトム付近であるが、フィード気体が
導入される点よりも高い所にある試料ポートを開け、そ
して触媒試料を透明なガラスバイアル中に入れ、そして
シールした。
【0025】次の手順によりトルエンで触媒試料を抽出
した。5gの触媒を50ccのクリンプバイアルに入れ
た。トルエン(25ml)を加え、そして試料を機械的
に7時間振り、その後、約15時間放置した。触媒およ
び溶剤を、#2ワットマン紙を通して濾過して6ドラム
のアンバーバイアルに入れた。2,4,8-トリクロロジベン
ゾジオキシンを内部回収標準として加えた。試料を、そ
の後、蒸発乾固させた。残留物を2〜3mlのイソオク
タン中に再溶解させ、4mlのアンバーバイアルに移
し、そして加熱することなく蒸発乾固させた。GC分析
のために残留物を0.1mlのオクタン中で抽出した。
した。5gの触媒を50ccのクリンプバイアルに入れ
た。トルエン(25ml)を加え、そして試料を機械的
に7時間振り、その後、約15時間放置した。触媒およ
び溶剤を、#2ワットマン紙を通して濾過して6ドラム
のアンバーバイアルに入れた。2,4,8-トリクロロジベン
ゾジオキシンを内部回収標準として加えた。試料を、そ
の後、蒸発乾固させた。残留物を2〜3mlのイソオク
タン中に再溶解させ、4mlのアンバーバイアルに移
し、そして加熱することなく蒸発乾固させた。GC分析
のために残留物を0.1mlのオクタン中で抽出した。
【0026】GC分析による2種の方法を用いた。電子
捕獲検知器(ECD)およびRTX−5コラムを具備し
たHP5890シリーズII GCで定量スクリーニン
グを行った。HP5790質量選択検知器および30m
XTI−5毛細管コラム(0.25μmフィルム)を具
備したHP5870 GCで定量分析を行った。試料サ
イズは2μlであり、そしてコラム条件は70℃で2分
間、15℃/分ので300℃、および17.7分の浸漬
時間であった。検出限界は反応器から取り出された触媒
1g当たりに0.1ngのPCBまたはPCDD/Fで
あった。
捕獲検知器(ECD)およびRTX−5コラムを具備し
たHP5890シリーズII GCで定量スクリーニン
グを行った。HP5790質量選択検知器および30m
XTI−5毛細管コラム(0.25μmフィルム)を具
備したHP5870 GCで定量分析を行った。試料サ
イズは2μlであり、そしてコラム条件は70℃で2分
間、15℃/分ので300℃、および17.7分の浸漬
時間であった。検出限界は反応器から取り出された触媒
1g当たりに0.1ngのPCBまたはPCDD/Fで
あった。
【0027】下記に報告した定量データは触媒上でのn
g/g単位で示す。8、9および10個の塩素原子を含
むPCBの値は合計して、PCBsとして報告される。
ヘッディングの下の「OCDD」および「OCDF」は
それぞれ八塩素化ジベンゾジオキシンおよび八塩素化ジ
ベンゾフランである。オキシクロリネーション法はより
高度に塩素化されたPCDFの生成を優先し、この為、
より低い塩素化の、より環境に危険な種よりも低い毒性
の誘導体の生成を優先することが当業界において知られ
ている。
g/g単位で示す。8、9および10個の塩素原子を含
むPCBの値は合計して、PCBsとして報告される。
ヘッディングの下の「OCDD」および「OCDF」は
それぞれ八塩素化ジベンゾジオキシンおよび八塩素化ジ
ベンゾフランである。オキシクロリネーション法はより
高度に塩素化されたPCDFの生成を優先し、この為、
より低い塩素化の、より環境に危険な種よりも低い毒性
の誘導体の生成を優先することが当業界において知られ
ている。
【0028】実験室のオキシクロリネーション反応器に
おいて事前に使用した触媒、添加した芳香族炭化水素お
よび塩素化芳香族炭化水素の存在下で実験室オキシクロ
リネーション反応において事前に使用した触媒ととも
に、フレッシュ触媒で実験を行った。
おいて事前に使用した触媒、添加した芳香族炭化水素お
よび塩素化芳香族炭化水素の存在下で実験室オキシクロ
リネーション反応において事前に使用した触媒ととも
に、フレッシュ触媒で実験を行った。
【0029】塩素化エテン誘導体が芳香族化合物または
その既知の前駆体(ブタジエンの誘導体)となるかどう
かを決定するためにも実験を行った。全ての場合に、反
応器へのフィードがC2 H4 、HCl、O2 およびN2
のみを含むときには、C2 炭化水素の芳香族化またはP
CBまたはPCDD/Fの生成の証拠は見つからなかっ
た。
その既知の前駆体(ブタジエンの誘導体)となるかどう
かを決定するためにも実験を行った。全ての場合に、反
応器へのフィードがC2 H4 、HCl、O2 およびN2
のみを含むときには、C2 炭化水素の芳香族化またはP
CBまたはPCDD/Fの生成の証拠は見つからなかっ
た。
【0030】例1フレッシュ触媒(ベースライン) 米国特許第5,292,703 号に開示されたタイプのフレッシ
ュのオキシクロリネーション触媒の試料を上記のように
抽出した。定量的および定性的GC分析は、フレッシュ触
媒は、ほんのわずかなレベルのPCBおよびPCDD/
Fしか含まないことを示した。見られた汚染レベルは、
文献中に報告されたものと一致していた。それは様々な
市販材料および非売材料に見られるバックグランドレベ
ルと同様である。
ュのオキシクロリネーション触媒の試料を上記のように
抽出した。定量的および定性的GC分析は、フレッシュ触
媒は、ほんのわずかなレベルのPCBおよびPCDD/
Fしか含まないことを示した。見られた汚染レベルは、
文献中に報告されたものと一致していた。それは様々な
市販材料および非売材料に見られるバックグランドレベ
ルと同様である。
【0031】ベースラインを作るために、フレッシュ触
媒の5個の追加の試料でこの分析を繰り返した。結果を
下記の表1に要約する。単位は製造されたEDC1g当
たりのナノグラム(ng/g)で示される。
媒の5個の追加の試料でこの分析を繰り返した。結果を
下記の表1に要約する。単位は製造されたEDC1g当
たりのナノグラム(ng/g)で示される。
【0032】 表1触媒 PCBs(ng/g) OCDD(ng/g) OCDF(ng/g) 1−A <0.1 検知されず 約0.8 1−B <5 検知されず <5 1−C 3.0 検知されず 2.3 1−D <1 検知されず <1 1−E <1 検知されず <1 1−F <1 検知されず <1
【0033】例2 225℃で運転され、HCl/C2 H4 /O2 のモル比
が1.97/1.0/1.1および接触時間が約25秒
間に制御されている実験室オキシクロリネーション反応
器においてフレッシュ触媒の試料を使用した。HCl、
エチレンおよび空気を芳香族化合物の除去のために定量
的に予備処理した。上記のように触媒をサンプリング
し、そして抽出した。驚くべきことに、高いレベル(ベ
ースラインの実験と比較して)のPCBまたはPCDD
/Fの証拠は触媒粒子の定量分析では見られなかった。
避けられないポリ塩素化芳香族化合物の直接合成が起こ
っていたとすれば、触媒粒子上のPCBおよび/または
PCDD/Fの容易に検知可能な増加が観測されていた
はずである。それ故、芳香族化合物を除去するための適
切な手段を使用した処理の後には、HCl中に芳香族化
合物が存在せず、オキシクロリネーションエフルエント
は低いレベルのPCBおよびPCDD/Fを含むであろ
う。
が1.97/1.0/1.1および接触時間が約25秒
間に制御されている実験室オキシクロリネーション反応
器においてフレッシュ触媒の試料を使用した。HCl、
エチレンおよび空気を芳香族化合物の除去のために定量
的に予備処理した。上記のように触媒をサンプリング
し、そして抽出した。驚くべきことに、高いレベル(ベ
ースラインの実験と比較して)のPCBまたはPCDD
/Fの証拠は触媒粒子の定量分析では見られなかった。
避けられないポリ塩素化芳香族化合物の直接合成が起こ
っていたとすれば、触媒粒子上のPCBおよび/または
PCDD/Fの容易に検知可能な増加が観測されていた
はずである。それ故、芳香族化合物を除去するための適
切な手段を使用した処理の後には、HCl中に芳香族化
合物が存在せず、オキシクロリネーションエフルエント
は低いレベルのPCBおよびPCDD/Fを含むであろ
う。
【0034】例3 フレッシュ触媒を上記の条件で実験室オキシクロリネー
ション反応器中に入れた。主にキシレンおよびC3 −ベ
ンゼンからなる芳香族炭化水素の混合物を、HClフィ
ード速度を基準に約200ppbの混合レベルで導入し
た。反応を約24時間行い、安定状態にさせ、そして上
記のように触媒をサンプリングし、そして分析した。G
C−MSD結果は、高くなったレベルのPCBおよびP
CDD/Fを示した:PCB=21.2ng/g;OC
DD=検知されず;OCDF=94.2ng/g。同様
の実験において、PCB=23.9ng/g;OCDD
=検知されず;OCDF=14.6ng/gであること
を確認した。これらの測定は、HClストリーム中に存
在する芳香族化合物はオキシクロリネーションエフルエ
ント中に見られるポリ塩素化芳香族化合物の量に貢献す
ることを示す。
ション反応器中に入れた。主にキシレンおよびC3 −ベ
ンゼンからなる芳香族炭化水素の混合物を、HClフィ
ード速度を基準に約200ppbの混合レベルで導入し
た。反応を約24時間行い、安定状態にさせ、そして上
記のように触媒をサンプリングし、そして分析した。G
C−MSD結果は、高くなったレベルのPCBおよびP
CDD/Fを示した:PCB=21.2ng/g;OC
DD=検知されず;OCDF=94.2ng/g。同様
の実験において、PCB=23.9ng/g;OCDD
=検知されず;OCDF=14.6ng/gであること
を確認した。これらの測定は、HClストリーム中に存
在する芳香族化合物はオキシクロリネーションエフルエ
ント中に見られるポリ塩素化芳香族化合物の量に貢献す
ることを示す。
【0035】例4 例3と同様の手順により、HClフィード速度の約14
%の速度でベンゼンを6時間導入した。上記のように触
媒をサンプリングし、そして分析し、そして高いレベル
のPCBおよびPCDD/Fが見られた:PCB=5.
3ng/g;OCDD=検知されず;OCDF=113
7ng/g。
%の速度でベンゼンを6時間導入した。上記のように触
媒をサンプリングし、そして分析し、そして高いレベル
のPCBおよびPCDD/Fが見られた:PCB=5.
3ng/g;OCDD=検知されず;OCDF=113
7ng/g。
【0036】例5 例4と同様の手順により、HClフィード速度の約4%
の速度でトルエンを導入した。約6時間の暴露後の触媒
の分析は次の結果を示した:PCB=46.4ng/
g;OCDD=42.3ng/g;OCDF=315.
6ng/g。
の速度でトルエンを導入した。約6時間の暴露後の触媒
の分析は次の結果を示した:PCB=46.4ng/
g;OCDD=42.3ng/g;OCDF=315.
6ng/g。
【0037】クロロカーボンを加えたら、オレフィンと
反応して芳香族化合物を生成することが知られているブ
タジエンおよびブタジエン誘導体を生成するかどうかを
決定するために、ペルクロロエチレンを、例5と同様の
条件下で運転している実験室オキシクロリネーション反
応器に導入した。GC−MSD分析による反応生成物の
定量分析はエタンおよびエテンの全ての塩素化誘導体の
存在を示した。しかし、C3 、C4 またはそれより高級
の炭化水素またはその誘導体は見られなかった。このこ
とは、通常のオキシクロリネーション条件下で芳香族化
が起こらないことを示す。上記の実験に使用されるタイ
プの触媒は観測される挙動に関してユニークでなく、そ
して、商業的使用における典型的なオキシクロリネーシ
ョン触媒の単なる例示に過ぎない。
反応して芳香族化合物を生成することが知られているブ
タジエンおよびブタジエン誘導体を生成するかどうかを
決定するために、ペルクロロエチレンを、例5と同様の
条件下で運転している実験室オキシクロリネーション反
応器に導入した。GC−MSD分析による反応生成物の
定量分析はエタンおよびエテンの全ての塩素化誘導体の
存在を示した。しかし、C3 、C4 またはそれより高級
の炭化水素またはその誘導体は見られなかった。このこ
とは、通常のオキシクロリネーション条件下で芳香族化
が起こらないことを示す。上記の実験に使用されるタイ
プの触媒は観測される挙動に関してユニークでなく、そ
して、商業的使用における典型的なオキシクロリネーシ
ョン触媒の単なる例示に過ぎない。
【0038】例6 例1は、オキシクロリネーション反応における使用の前
に、フレッシュ触媒はほんの微量のPCBおよびPCD
D/Fしか含まないことを示した。例2は、プロセスに
使用される全てのフィードは芳香族化合物を含まず、そ
してフレッシュ触媒が使用されるときに、工業規模の運
転に適切な条件下でPCBおよびPPCDD/Fの直接
合成はされないことを示した。粗EDCおよびプロセス
より蓄積された排水スラッジ中に含まれる重質の副生成
物は0レベルのPCBおよびPCDD/Fに近くである
か、または0レベルに達することができるので、オキシ
クロリネーションのエフルエント中でPCBおよびPC
DD/Fの生成が起こることを防止するために有利であ
る。廃棄エフルエントの汚染物除去の工程を無くすこと
ができるという経済的利点がある。最終的に、環境汚染
が低減される。
に、フレッシュ触媒はほんの微量のPCBおよびPCD
D/Fしか含まないことを示した。例2は、プロセスに
使用される全てのフィードは芳香族化合物を含まず、そ
してフレッシュ触媒が使用されるときに、工業規模の運
転に適切な条件下でPCBおよびPPCDD/Fの直接
合成はされないことを示した。粗EDCおよびプロセス
より蓄積された排水スラッジ中に含まれる重質の副生成
物は0レベルのPCBおよびPCDD/Fに近くである
か、または0レベルに達することができるので、オキシ
クロリネーションのエフルエント中でPCBおよびPC
DD/Fの生成が起こることを防止するために有利であ
る。廃棄エフルエントの汚染物除去の工程を無くすこと
ができるという経済的利点がある。最終的に、環境汚染
が低減される。
【0039】上記の理解から、当業者は、塩素化、塩化
水素化およびその逆のような他の同様の方法に本発明を
応用できると評価するであろう。PCBおよびPCDD
/Fの生成を防止することができる能力は、脂肪族炭化
水素を芳香族炭化水素に転化することを防止する条件下
で、塩素、塩化水素および脂肪族炭化水素を用いるどの
ような工業法においても実現されることができる。本発
明は芳香族およびポリ塩素化芳香族化の直接合成が本質
的に起こる方法、または、芳香族化合物が方法の一部に
用いられる方法には応用できない。
水素化およびその逆のような他の同様の方法に本発明を
応用できると評価するであろう。PCBおよびPCDD
/Fの生成を防止することができる能力は、脂肪族炭化
水素を芳香族炭化水素に転化することを防止する条件下
で、塩素、塩化水素および脂肪族炭化水素を用いるどの
ような工業法においても実現されることができる。本発
明は芳香族およびポリ塩素化芳香族化の直接合成が本質
的に起こる方法、または、芳香族化合物が方法の一部に
用いられる方法には応用できない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョセフ アレン カウファー アメリカ合衆国,オハイオ 44012,エイ ボン レイク,ロックウッド コート 522 (72)発明者 ローレンス ポピエル アメリカ合衆国,テキサス 77059,ヒュ ーストン,ビューフィールド コート 13902
Claims (6)
- 【請求項1】 クロロベンゼン、ポリ塩素化ビフェニル
(PCB)、ポリ塩素化ジベンゾジオキシン(PCD
D)およびポリ塩素化ジベンゾフラン(PCDF)の生
成を低減して塩素化炭化水素を製造するためのオキシク
ロリネーション法による改良された方法であって、前記
方法は、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロ
パン、プロピレン、メチルアセチレンおよびそれらのハ
ロゲン置換体からなる群より選ばれたC1 〜C3 炭化水
素反応体を出発材料とし、前記方法は、前記反応体と酸
素若しくは酸素化気体および塩化水素とを接触させるこ
とを含み、ここで、消費されるべき塩化水素の少なくと
も一部分が前記オキシクロリネーション法により生じた
生成物の熱分解より回収される以外の外部源から得られ
たものであり、前記接触は150℃〜600℃で運転さ
れている加熱反応ゾーンにおいてオキシクロリネーショ
ン触媒の存在下で行われ、塩素化炭化水素は反応ゾーン
のエフルエントから回収され、前記方法は塩化水素が芳
香族炭化水素の除去のための手段により予備処理される
ことを特徴とする方法。 - 【請求項2】 前記塩化水素からの芳香族化合物の除去
のための前記手段が蒸留、吸着、吸収、水素化合物およ
び酸化からなる群より選ばれたものである請求項1記載
の方法。 - 【請求項3】 芳香族化合物の除去のための前記手段
が、(a)前記塩化水素を活性炭を含む容器に通過させ
ること、(b)前記塩化水素を活性炭で処理すること、
(c)前記塩化水素をシリカで処理すること、(d)前
記塩化水素を芳香族化合物吸着性樹脂で処理すること、
(e)前記塩化水素を水素化プロセスに付すこと、
(f)脂肪族液体炭化水素で抽出すること、および、
(g)前記塩化水素を酸化プロセスに付すこと、からな
る群より選ばれたものである、請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 前記炭化水素がメタン、エタンおよびプ
ロパンからなる群より選ばれ、且つ、前記加熱反応ゾー
ンが300℃〜600℃で運転される、請求項1記載の
方法。 - 【請求項5】 前記炭化水素がエチレン、アセチレン、
プロピレンおよびメチルアセチレンからなる群より選ば
れ、且つ、前記加熱反応ゾーンが150℃〜300℃で
運転される、請求項1記載の方法。 - 【請求項6】 前記炭化水素がエチレンである、請求項
1記載の方法。
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US08/559123 | 1995-11-17 |
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---|---|
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JP (1) | JPH09176058A (ja) |
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AR (1) | AR004967A1 (ja) |
AT (1) | ATE189672T1 (ja) |
BR (1) | BR9605557A (ja) |
CA (1) | CA2190330A1 (ja) |
DE (1) | DE69606604T2 (ja) |
DK (1) | DK0774450T3 (ja) |
ES (1) | ES2143704T3 (ja) |
GR (1) | GR3032620T3 (ja) |
NO (1) | NO312718B1 (ja) |
PT (1) | PT774450E (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007512843A (ja) * | 2003-12-05 | 2007-05-24 | バイオエフエックス ラボラトリーズ、インコーポレイテッド | フェニルホスフェートの木炭による安定化 |
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DE10232789A1 (de) * | 2002-07-18 | 2004-02-05 | Vinnolit Technologie Gmbh & Co.Kg Werk Gendorf | Vorrichtung zum Einleiten von Gas in ein Fließbett und Verfahren hierfür |
EP1752436A1 (en) * | 2003-11-20 | 2007-02-14 | SOLVAY (Société Anonyme) | Pseudo-azeotropic composition containing dichloropropanol and process for producing such composition |
FR2881732B1 (fr) | 2005-02-08 | 2007-11-02 | Solvay | Procede pour la purification de chlorure d'hydrogene |
KR20080037613A (ko) | 2005-05-20 | 2008-04-30 | 솔베이(소시에떼아노님) | 폴리히드록실화 지방족 탄화수소의 클로로히드린으로의전환 방법 |
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US20100032617A1 (en) * | 2007-02-20 | 2010-02-11 | Solvay (Societe Anonyme) | Process for manufacturing epichlorohydrin |
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FR2913684B1 (fr) | 2007-03-14 | 2012-09-14 | Solvay | Procede de fabrication de dichloropropanol |
TW200911740A (en) | 2007-06-01 | 2009-03-16 | Solvay | Process for manufacturing a chlorohydrin |
TW200911693A (en) * | 2007-06-12 | 2009-03-16 | Solvay | Aqueous composition containing a salt, manufacturing process and use |
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KR20100089835A (ko) * | 2007-10-02 | 2010-08-12 | 솔베이(소시에떼아노님) | 용기의 내부식성 향상을 위한 실리콘-함유 조성물의 용도 |
FR2925045B1 (fr) | 2007-12-17 | 2012-02-24 | Solvay | Produit a base de glycerol, procede pour son obtention et son utilisation dans la fabrication de dichloropropanol |
TWI478875B (zh) * | 2008-01-31 | 2015-04-01 | Solvay | 使水性組成物中之有機物質降解之方法 |
CN101980995B (zh) | 2008-04-03 | 2014-06-18 | 索尔维公司 | 包含甘油的组合物、获得该组合物的方法以及它们在二氯丙醇生产中的用途 |
FR2935968B1 (fr) | 2008-09-12 | 2010-09-10 | Solvay | Procede pour la purification de chlorure d'hydrogene |
FR2939434B1 (fr) * | 2008-12-08 | 2012-05-18 | Solvay | Procede de traitement de glycerol. |
JP6049087B2 (ja) | 2010-09-30 | 2016-12-21 | ソルヴェイ(ソシエテ アノニム) | 天然起源のエピクロロヒドリンの誘導体 |
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BE620099A (ja) * | 1961-07-11 | |||
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DE2556521B1 (de) * | 1975-12-16 | 1977-03-24 | Hoechst Ag | Verfahren zur reinigung von chlorwasserstoff fuer die herstellung von 1,2-dichloraethan |
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-
1995
- 1995-11-17 US US08/559,123 patent/US6177599B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-11-12 DK DK96118115T patent/DK0774450T3/da active
- 1996-11-12 EP EP96118115A patent/EP0774450B1/en not_active Revoked
- 1996-11-12 AT AT96118115T patent/ATE189672T1/de not_active IP Right Cessation
- 1996-11-12 PT PT96118115T patent/PT774450E/pt unknown
- 1996-11-12 DE DE69606604T patent/DE69606604T2/de not_active Revoked
- 1996-11-12 ES ES96118115T patent/ES2143704T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-13 BR BR9605557A patent/BR9605557A/pt not_active IP Right Cessation
- 1996-11-14 CA CA002190330A patent/CA2190330A1/en not_active Abandoned
- 1996-11-15 AR ARP960105200A patent/AR004967A1/es not_active Application Discontinuation
- 1996-11-15 NO NO19964865A patent/NO312718B1/no not_active IP Right Cessation
- 1996-11-18 KR KR1019960054787A patent/KR970027035A/ko not_active Application Discontinuation
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-
2000
- 2000-02-10 GR GR20000400051T patent/GR3032620T3/el not_active IP Right Cessation
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