JPH09172219A - レーザ発振用気密端子 - Google Patents
レーザ発振用気密端子Info
- Publication number
- JPH09172219A JPH09172219A JP32901595A JP32901595A JPH09172219A JP H09172219 A JPH09172219 A JP H09172219A JP 32901595 A JP32901595 A JP 32901595A JP 32901595 A JP32901595 A JP 32901595A JP H09172219 A JPH09172219 A JP H09172219A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】金属臘を介するため、全体的にコスト高とな
り、ヒートシンクの位置精度が悪く、短波長レーザの発
光効率を保証されず、更に製造工程が多い。 【解決手段】リード挿着用絶縁体(13)を挿着するための
開口部(12)を有し、レーザダイオードペレットをマウン
トするためのヒートシンクを一体成形した筐体としての
ベースと、ベースの開口部に挿着された絶縁体(13)と、
絶縁体に挿着された電圧印加端子としてのリード(14)
と、ベースの裏面に溶接されたアース端子としての溶接
リード(15)とを具備し、ヒートシンクにレーザダイオー
ドペレットを直接又は台座を介してマウントするレーザ
発振用気密端子において、ベースは、気密端子に用いら
れる第１金属材料層(11a) と、熱伝導率に優れた第２金
属材料層(11b) と、キャップを溶接するための第３金属
材料層(11c) を少なくとも順次積層したレーザ発振用気
密端子。
り、ヒートシンクの位置精度が悪く、短波長レーザの発
光効率を保証されず、更に製造工程が多い。 【解決手段】リード挿着用絶縁体(13)を挿着するための
開口部(12)を有し、レーザダイオードペレットをマウン
トするためのヒートシンクを一体成形した筐体としての
ベースと、ベースの開口部に挿着された絶縁体(13)と、
絶縁体に挿着された電圧印加端子としてのリード(14)
と、ベースの裏面に溶接されたアース端子としての溶接
リード(15)とを具備し、ヒートシンクにレーザダイオー
ドペレットを直接又は台座を介してマウントするレーザ
発振用気密端子において、ベースは、気密端子に用いら
れる第１金属材料層(11a) と、熱伝導率に優れた第２金
属材料層(11b) と、キャップを溶接するための第３金属
材料層(11c) を少なくとも順次積層したレーザ発振用気
密端子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はレーザ発振用気密
端子に関し、特に筐体としてのベースに改良を施したレ
ーザ発振用気密端子に関する。
端子に関し、特に筐体としてのベースに改良を施したレ
ーザ発振用気密端子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、レーザ発振用気密端子としては、
図１（Ａ）〜（Ｃ）に示すものが知られている。ここ
で、図１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ
−Ｘ´線に沿う断面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＹ−
Ｙ´線に沿う断面図である。
図１（Ａ）〜（Ｃ）に示すものが知られている。ここ
で、図１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ
−Ｘ´線に沿う断面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＹ−
Ｙ´線に沿う断面図である。
【０００３】図中の符番１は、リード挿着用絶縁体を挿
着するための開口部２を有し、レーザダイオードペレッ
トをマウントするための筐体としてのベースである。こ
のベース１の開口部２にはガラスからなる絶縁体３が挿
着されている。この絶縁体３には、電圧印加端子として
のリード４が前記ベース１と電気的に絶縁された状態で
挿着されている。また、前記ベース１の裏面には、アー
ス端子としてのアースリード５が溶接されている。前記
ベース１上には、レーザダイオードペレットをマウント
するためのヒートシンク６が銀臘７を介して接着されて
いる。ここで、ヒートシンク６を銀臘７で前記ベース１
上に接着する理由は、レーザダイオードペレットがレー
ザ光を発光する際、発熱し、発光効率を悪化させるの
で、熱の拡散をよくするためである。
着するための開口部２を有し、レーザダイオードペレッ
トをマウントするための筐体としてのベースである。こ
のベース１の開口部２にはガラスからなる絶縁体３が挿
着されている。この絶縁体３には、電圧印加端子として
のリード４が前記ベース１と電気的に絶縁された状態で
挿着されている。また、前記ベース１の裏面には、アー
ス端子としてのアースリード５が溶接されている。前記
ベース１上には、レーザダイオードペレットをマウント
するためのヒートシンク６が銀臘７を介して接着されて
いる。ここで、ヒートシンク６を銀臘７で前記ベース１
上に接着する理由は、レーザダイオードペレットがレー
ザ光を発光する際、発熱し、発光効率を悪化させるの
で、熱の拡散をよくするためである。
【０００４】こうした構成のレーザ発振用気密端子は、
下記工程により製作される。 １．気密部品組立工程：図示しないカーボン治具上の所
定の場所に、まずベース１を入れ、次に絶縁体３を前記
ベース１の開口部２に挿入し、最後にリード４を前記絶
縁体３の穴に挿入する。
下記工程により製作される。 １．気密部品組立工程：図示しないカーボン治具上の所
定の場所に、まずベース１を入れ、次に絶縁体３を前記
ベース１の開口部２に挿入し、最後にリード４を前記絶
縁体３の穴に挿入する。
【０００５】２．封着工程：前記カーボン治具上に組み
立てられた部品（ベース１，絶縁体３，リード４）を、
カーボン治具上に組み立てた状態で、カーボン治具ご
と、高温（約９００℃〜１０００℃）の封着用炉に投入
する。この炉中で絶縁体３は溶融し、ベース１及びリー
ド４と化学的・物理的接着を行い、いわゆる気密端子と
して封着される。
立てられた部品（ベース１，絶縁体３，リード４）を、
カーボン治具上に組み立てた状態で、カーボン治具ご
と、高温（約９００℃〜１０００℃）の封着用炉に投入
する。この炉中で絶縁体３は溶融し、ベース１及びリー
ド４と化学的・物理的接着を行い、いわゆる気密端子と
して封着される。
【０００６】３．ヒートシンク組立工程：前述した封着
された気密端子を、銀臘付け用のカーボン治具上の所定
の場所にセットする。次に、銀臘７を気密端子の所定の
場所にのせ、さらに前記銀臘７の上にヒートシンク６を
のせる。
された気密端子を、銀臘付け用のカーボン治具上の所定
の場所にセットする。次に、銀臘７を気密端子の所定の
場所にのせ、さらに前記銀臘７の上にヒートシンク６を
のせる。
【０００７】４．銀臘付け工程：前記カーボン治具上に
組み立てられた部品（封着された気密端子，銀臘７，ヒ
ートシンク６）をカーボン治具上に組み立てた状態で、
カーボン治具ごと、高温（約７５０℃〜８５０℃）の銀
臘付け炉に投入する。この炉中で銀臘７は溶融し、封着
された気密端子とヒートシンク６は銀臘７を仲立ちとし
て接合される。
組み立てられた部品（封着された気密端子，銀臘７，ヒ
ートシンク６）をカーボン治具上に組み立てた状態で、
カーボン治具ごと、高温（約７５０℃〜８５０℃）の銀
臘付け炉に投入する。この炉中で銀臘７は溶融し、封着
された気密端子とヒートシンク６は銀臘７を仲立ちとし
て接合される。
【０００８】５．ヒートシンク位置出し工程：前記ベー
ス１の中心とヒートシンク６のペレットマウント面Ｓと
の距離は高い精度を要求される。従来のようなヒートシ
ンク組み立て方法では、その精度を満足しない。従っ
て、精度を出す為、ヒートシンク６の両面（図１中の矢
印の方向）から力を加え、位置を強制する。
ス１の中心とヒートシンク６のペレットマウント面Ｓと
の距離は高い精度を要求される。従来のようなヒートシ
ンク組み立て方法では、その精度を満足しない。従っ
て、精度を出す為、ヒートシンク６の両面（図１中の矢
印の方向）から力を加え、位置を強制する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
レーザ発振用気密端子によれば、ヒートシンク６をベー
ス１に金属臘７で接着する工程が必要となり、ヒートシ
ンク６及び金属臘７のコストと合わせると製造原価が高
価となり、またヒートシンク６のベース１外径に対する
位置精度も十分に得られない。
レーザ発振用気密端子によれば、ヒートシンク６をベー
ス１に金属臘７で接着する工程が必要となり、ヒートシ
ンク６及び金属臘７のコストと合わせると製造原価が高
価となり、またヒートシンク６のベース１外径に対する
位置精度も十分に得られない。
【００１０】その為、従来からある長波長レーザ発振用
気密端子（コンパクトディスク用など）に用いている、
ベース成型時にヒートシンク部を同時に成型する一体成
型の技術を利用することを思い付くが、可視光レーザ等
のようにより短波長の場合は、温度による発光効率の劣
化がより著しく、ヒートシンクが鉄等の金属では十分な
発光が得られないし、寿命も著しく落ちる。従って、ベ
ース材料とは異なるＣｕのような熱放散のよい材料を使
用しなければならないので、一体成型はできなかった。
気密端子（コンパクトディスク用など）に用いている、
ベース成型時にヒートシンク部を同時に成型する一体成
型の技術を利用することを思い付くが、可視光レーザ等
のようにより短波長の場合は、温度による発光効率の劣
化がより著しく、ヒートシンクが鉄等の金属では十分な
発光が得られないし、寿命も著しく落ちる。従って、ベ
ース材料とは異なるＣｕのような熱放散のよい材料を使
用しなければならないので、一体成型はできなかった。
【００１１】この発明はこうした事情を考慮してなされ
たもので、ベースを、気密端子に用いられる最下層とし
ての第１金属材料層と、熱伝導率に優れた中間層として
の第２金属材料層と、キャップを溶接するために用いら
れる最上層としての第３金属材料層を少なくとも積層し
て得られた構成とすることにより、金属臘を介して形成
するヒートシンクを使用することなく全体のコスト低
減，ヒートシンクの位置精度の向上を図るとともに、短
波長レーザの発光効率を落とすことなく、更に製造工程
の簡素化をなしえるレーザ発振用気密端子を提供するこ
とを目的とする。
たもので、ベースを、気密端子に用いられる最下層とし
ての第１金属材料層と、熱伝導率に優れた中間層として
の第２金属材料層と、キャップを溶接するために用いら
れる最上層としての第３金属材料層を少なくとも積層し
て得られた構成とすることにより、金属臘を介して形成
するヒートシンクを使用することなく全体のコスト低
減，ヒートシンクの位置精度の向上を図るとともに、短
波長レーザの発光効率を落とすことなく、更に製造工程
の簡素化をなしえるレーザ発振用気密端子を提供するこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明は、リード挿着
用絶縁体を挿着するための開口部を有し、レーザダイオ
ードペレットをマウントするためのヒートシンクを一体
成形した筐体としてのベースと、このベースの開口部に
挿着された絶縁体と、この絶縁体に挿着された電圧印加
端子としてのリードと、前記ベースの裏面に溶接された
アース端子としての溶接リードとを具備し、前記ベース
のヒートシンクにレーザダイオードペレットを直接又は
台座を介してマウントするためのレーザ発振用気密端子
において、前記ベースは、気密端子に用いられる最下層
としての第１金属材料層と、熱伝導率に優れた中間層と
しての第２金属材料層と、キャップを溶接するために用
いられる最上層としての第３金属材料層を少なくとも積
層して得られたものであることを特徴とするレーザ発振
用気密端子である。
用絶縁体を挿着するための開口部を有し、レーザダイオ
ードペレットをマウントするためのヒートシンクを一体
成形した筐体としてのベースと、このベースの開口部に
挿着された絶縁体と、この絶縁体に挿着された電圧印加
端子としてのリードと、前記ベースの裏面に溶接された
アース端子としての溶接リードとを具備し、前記ベース
のヒートシンクにレーザダイオードペレットを直接又は
台座を介してマウントするためのレーザ発振用気密端子
において、前記ベースは、気密端子に用いられる最下層
としての第１金属材料層と、熱伝導率に優れた中間層と
しての第２金属材料層と、キャップを溶接するために用
いられる最上層としての第３金属材料層を少なくとも積
層して得られたものであることを特徴とするレーザ発振
用気密端子である。
【００１３】この発明において、前記ベースは、例え
ば、図３に示す如く、第１金属材料層としての鉄層11ａ
と、第２金属材料層としての銅層11ｂと、第３金属材料
層としての鉄層11ｃを順次積層した三層構造のクラッド
材を用いて金型により作製される。ここで、第１金属材
料層の材料としては、鉄（Ｆｅ）の他、Ｆｅ−Ｎｉ合
金，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，ステンレス，Ｆｅ−Ｎｉ−
Ｃｒ合金（ＫＯＶＡＲ）など等、気密端子に使用するの
に相応しい材料が挙げられる。第２金属材料層の材料と
しては、銅（Ｃｕ）の他、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ等、熱伝導
率の良い金属が挙げられる。第３金属材料層の材料とし
ては、キャップを溶接するのに相応しい材料、具体的に
は前記第１金属材料層の材料と同様な材料が挙げられ
る。前記各材料層の厚さは用途により任意に変更する。
ば、図３に示す如く、第１金属材料層としての鉄層11ａ
と、第２金属材料層としての銅層11ｂと、第３金属材料
層としての鉄層11ｃを順次積層した三層構造のクラッド
材を用いて金型により作製される。ここで、第１金属材
料層の材料としては、鉄（Ｆｅ）の他、Ｆｅ−Ｎｉ合
金，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，ステンレス，Ｆｅ−Ｎｉ−
Ｃｒ合金（ＫＯＶＡＲ）など等、気密端子に使用するの
に相応しい材料が挙げられる。第２金属材料層の材料と
しては、銅（Ｃｕ）の他、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ等、熱伝導
率の良い金属が挙げられる。第３金属材料層の材料とし
ては、キャップを溶接するのに相応しい材料、具体的に
は前記第１金属材料層の材料と同様な材料が挙げられ
る。前記各材料層の厚さは用途により任意に変更する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施例に係る
レーザ発振用気密端子について図２（Ａ）〜（Ｃ）に示
すものが知られている。ここで、図２（Ａ）は平面図、
図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＸ−Ｘ´線に沿う断面図、図
２（Ｃ）は図２（Ａ）のＹ−Ｙ´線に沿う断面図であ
る。
レーザ発振用気密端子について図２（Ａ）〜（Ｃ）に示
すものが知られている。ここで、図２（Ａ）は平面図、
図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＸ−Ｘ´線に沿う断面図、図
２（Ｃ）は図２（Ａ）のＹ−Ｙ´線に沿う断面図であ
る。
【００１５】図中の符番11は、リード挿着用絶縁体を挿
着するための開口部12を有し、レーザダイオードペレッ
トをマウントするための筐体としてのベースである。こ
こで、ベース11は、図３に示す如く、第１金属材料層と
しての鉄層11ａと、第２金属材料層としての銅層11ｂ
と、第３金属材料層としての鉄層11ｃを順次積層した三
層構造のクラッド材を用いて金型によりプレスして作製
されたものである。前記ベース11の一部はヒートシンク
11´として機能している。
着するための開口部12を有し、レーザダイオードペレッ
トをマウントするための筐体としてのベースである。こ
こで、ベース11は、図３に示す如く、第１金属材料層と
しての鉄層11ａと、第２金属材料層としての銅層11ｂ
と、第３金属材料層としての鉄層11ｃを順次積層した三
層構造のクラッド材を用いて金型によりプレスして作製
されたものである。前記ベース11の一部はヒートシンク
11´として機能している。
【００１６】前記ベース11の開口部12には、ガラスから
なる絶縁体13が挿着されている。この絶縁体13には、電
圧印加端子としてのリード14が前記ベース11と電気的に
絶縁された状態で挿着されている。また、前記ベース11
の裏面には、アース端子としてのアースリード15が溶接
されている。なお、図示しないが、組立て時、ベース11
にはキャップが冠着され、前記ヒートシンク11´の所定
の側面には発光ダイド（ＬＥＤ）が取り付けられ、ベー
ス11表面の所定の凹部にはフォトダイオードが取り付け
られる。
なる絶縁体13が挿着されている。この絶縁体13には、電
圧印加端子としてのリード14が前記ベース11と電気的に
絶縁された状態で挿着されている。また、前記ベース11
の裏面には、アース端子としてのアースリード15が溶接
されている。なお、図示しないが、組立て時、ベース11
にはキャップが冠着され、前記ヒートシンク11´の所定
の側面には発光ダイド（ＬＥＤ）が取り付けられ、ベー
ス11表面の所定の凹部にはフォトダイオードが取り付け
られる。
【００１７】こうした構成のレーザ発振用気密端子は次
の２つの工程で製作される。 １．気密部品組立工程：従来の気密部品組立工程と同一
である。２．封着工程：従来の封着工程と同一である。
の２つの工程で製作される。 １．気密部品組立工程：従来の気密部品組立工程と同一
である。２．封着工程：従来の封着工程と同一である。
【００１８】上記実施例に係るレーザ発振用気密端子に
よれば、ヒートシンク１´はプレスによりベース１の一
部をなすように成型されるため、全体のコスト低減を図
ることができる。また、同様な理由により、ヒートシン
ク１´のベース１の外形に対する位置精度はプレス時に
精度よく定まり、その後の工程では影響を受けないた
め、ヒートシンク１の位置精度を向上できる。更に、レ
ーザ光発光効率も従来のタイプと遜色ない。更には、従
来のタイプと比べて製造工程を少なくできる。
よれば、ヒートシンク１´はプレスによりベース１の一
部をなすように成型されるため、全体のコスト低減を図
ることができる。また、同様な理由により、ヒートシン
ク１´のベース１の外形に対する位置精度はプレス時に
精度よく定まり、その後の工程では影響を受けないた
め、ヒートシンク１の位置精度を向上できる。更に、レ
ーザ光発光効率も従来のタイプと遜色ない。更には、従
来のタイプと比べて製造工程を少なくできる。
【００１９】なお、上記実施例では、ベースとなるクラ
ッド材が三層構造の場合について述べたが、これに限定
されず、例えば第１・第２金属材料層間，第２・第３金
属材料層間に更に他の金属層が介在した構成のものでも
よい。また、各材料層も、上記実施例に記載したものに
限らない。
ッド材が三層構造の場合について述べたが、これに限定
されず、例えば第１・第２金属材料層間，第２・第３金
属材料層間に更に他の金属層が介在した構成のものでも
よい。また、各材料層も、上記実施例に記載したものに
限らない。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
ベースを、気密端子に用いられる最下層としての第１金
属材料層と、熱伝導率に優れた中間層としての第２金属
材料層と、キャップを溶接するために用いられる最上層
としての第３金属材料層を少なくとも積層して得られた
構成とすることにより、金属臘を介して形成するヒート
シンクを使用することなく全体のコスト低減，ヒートシ
ンクの位置精度の向上を図るとともに、短波長レーザの
発光効率を落とすことなく、更に製造工程の簡素化をな
しえるレーザ発振用気密端子を提供できる。
ベースを、気密端子に用いられる最下層としての第１金
属材料層と、熱伝導率に優れた中間層としての第２金属
材料層と、キャップを溶接するために用いられる最上層
としての第３金属材料層を少なくとも積層して得られた
構成とすることにより、金属臘を介して形成するヒート
シンクを使用することなく全体のコスト低減，ヒートシ
ンクの位置精度の向上を図るとともに、短波長レーザの
発光効率を落とすことなく、更に製造工程の簡素化をな
しえるレーザ発振用気密端子を提供できる。
【図１】従来に係るレーザ発振用気密端子の説明図であ
り、図１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ
−Ｘ´線に沿う断面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＹ−
Ｙ´線に沿う断面図。
り、図１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ
−Ｘ´線に沿う断面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＹ−
Ｙ´線に沿う断面図。
【図２】この発明の一実施例に係るレーザ発振用気密端
子の説明図であり、図２（Ａ）は平面図、図２（Ｂ）は
図２（Ａ）のＸ−Ｘ´線に沿う断面図、図２（Ｃ）は図
２（Ａ）のＹ−Ｙ´線に沿う断面図。
子の説明図であり、図２（Ａ）は平面図、図２（Ｂ）は
図２（Ａ）のＸ−Ｘ´線に沿う断面図、図２（Ｃ）は図
２（Ａ）のＹ−Ｙ´線に沿う断面図。
【図３】図２のレーザ発振用気密端子の一構成であるベ
ースの成型前のクラッド材の説明図。
ースの成型前のクラッド材の説明図。
11…ベース、 11´…ヒートシンク、11ａ，11ｃ
…鉄層、 11ｂ…銅層、12…開口部、 13…絶縁
体、14…リード、 15…アースリード。
…鉄層、 11ｂ…銅層、12…開口部、 13…絶縁
体、14…リード、 15…アースリード。
Claims (1)
- 【請求項１】 リード挿着用絶縁体を挿着するための開
口部を有し、レーザダイオードペレットをマウントする
ためのヒートシンクを一体成形した筐体としてのベース
と、このベースの開口部に挿着された絶縁体と、この絶
縁体に挿着された電圧印加端子としてのリードと、前記
ベースの裏面に溶接されたアース端子としての溶接リー
ドとを具備し、前記ベースのヒートシンクにレーザダイ
オードペレットを直接又は台座を介してマウントするた
めのレーザ発振用気密端子において、 前記ベースは、気密端子に用いられる最下層としての第
１金属材料層と、熱伝導率に優れた中間層としての第２
金属材料層と、キャップを溶接するために用いられる最
上層としての第３金属材料層を少なくとも積層して得ら
れたものであることを特徴とするレーザ発振用気密端
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32901595A JPH09172219A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | レーザ発振用気密端子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32901595A JPH09172219A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | レーザ発振用気密端子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09172219A true JPH09172219A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=18216654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32901595A Pending JPH09172219A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | レーザ発振用気密端子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09172219A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100493035B1 (ko) * | 2002-11-26 | 2005-06-07 | 삼성전자주식회사 | 광픽업용 레이저 다이오드 |
-
1995
- 1995-12-18 JP JP32901595A patent/JPH09172219A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100493035B1 (ko) * | 2002-11-26 | 2005-06-07 | 삼성전자주식회사 | 광픽업용 레이저 다이오드 |
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Legal Events
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050308 |