JP2001177018A - レーザダイオード用ステムおよびその製造方法 - Google Patents

レーザダイオード用ステムおよびその製造方法

Info

Publication number
JP2001177018A
JP2001177018A JP36235999A JP36235999A JP2001177018A JP 2001177018 A JP2001177018 A JP 2001177018A JP 36235999 A JP36235999 A JP 36235999A JP 36235999 A JP36235999 A JP 36235999A JP 2001177018 A JP2001177018 A JP 2001177018A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stem
plating layer
metal base
laser diode
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP36235999A
Other languages
English (en)
Inventor
Kentaro Oi
憲太郎 大井
Toru Shimada
徹 島田
Ryosuke Miura
亮介 三浦
Hisakimi Miyawaki
寿仁 宮脇
Akira Okuno
晃 奥野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP36235999A priority Critical patent/JP2001177018A/ja
Publication of JP2001177018A publication Critical patent/JP2001177018A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 金属ベース部と素子マウント部とを一体に形
成したレーザダイオード用ステムを安価に提供する。 【解決手段】 金属ベース部2と素子マウント部3とを
鉄により一体に形成したベース・マウント部一体構体1
を製作するとともに、前記ベース・マウント部一体構体
1に銅めっき層8を形成し、金属ベース部2のリード封
着孔4,4にガラス6,6を介してリード7,7を封着
したレーザダイオード用ステムAおよびその製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
用ステムおよびその製造方法に関し、より詳細には、金
属ベース部と素子マウント部とを単体金属で一体に形成
したレーザダイオード用のステムおよびその製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、レーザダイオード用のステムは、
リード封着孔にガラスを介してリードを気密に封着した
金属ベース部と、この金属ベース部に電気的・機械的お
よび熱的に接続された素子マウント部とを有する。そし
て、前記素子マウント部にレーザダイオード(以下LD
という)素子をマウントし、このLD素子からリードに
ワイヤボンディングして、上から透光板またはレンズを
具備する金属キャップを被せて金属ベース部に抵抗溶接
にて固着封止される。
【0003】したがって、LD用ステムには、次のよう
な特性が要求される。 金属ベース部にリードのガラス封着ができること。 金属ベース部に金属キャップが抵抗溶接できること。 素子マウント部にマウントしたLD素子の熱放散性が
良いこと。
【0004】
【先行技術】以下、上記の諸要求特性を満たすためのL
D用ステムについて、図面を参照して説明する。図17
は従来のLD用ステムの斜視図、図18はその平面図、
図19は図18のステムのY−Y線に沿う断面図であ
る。図17ないし図19において、LD用ステムは、鉄
製の金属ベース部61にリード封着孔62,62と位置
決め用の切欠き部63a,63a,63bとを有し、前
記リード封着孔62,62にガラス64,64を介して
リード65,65が気密に封着されている。そして、前
記金属ベース部61のほぼ中央部には、その一面66a
が金属ベース部61の中心軸にほぼ一致するように、銅
製の素子マウント部66がろう材67により電気的・機
械的および熱的に結合されている。なお、前記「素子マ
ウント部66の一面66aが金属ベース部61の中心軸
にほぼ一致する」との表現は、この素子マウント部66
の一面66aにLD素子(図示省略)をマウントした場
合に、そのLD素子の発光面が金属ベース部61の中心
軸に一致するような位置を意味するものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記LD用
ステムは、鉄製の金属ベース部61に銅製の素子マウン
ト部66ろう材67によりろう付けしたものであるた
め、次のような問題点がある。 金属ベース部61と素子マウント部66とを別々に製
作するため、それぞれの製作型が必要で型代が嵩み、ス
テムの原価高騰の第1の要因になっている。 別々に製作した金属ベース部61と素子マウント部6
6とを組み立て、しかもそのろう付け部分に板状または
線状等のろう材片を供給してろう付けするため、製作工
程数が増大し、ステムの原価高騰の第2の要因になって
いる。 金属ベース部61と素子マウント部66とのろう付け
部分に供給するろう材片が微小部材であるため、所定量
以上供給される過剰供給や、ろう材片の供給漏れによる
ろう付け不良を生じやすい。 金属ベース部61と素子マウント部66とをろう付け
するため、高い位置精度が要求されるLD用ステムとし
ての要求を満たすことが困難である。
【0006】そこで、鉄−銅クラッド材または鉄−銅−
鉄クラッド材をプレスして、金属ベース部と素子マウン
ト部とを一体に形成したLD用ステムやその製造方法が
提案されている。(特開平6−291224号公報や特
開平11−18664号公報)
【0007】このようなLD用ステムによれば、金属ベ
ース部と素子マウント部とを一体に形成するので、前記
〜の要求特性はすべて満足できるように考えられる
が、実際には、鉄−銅クラッド材または鉄−銅−鉄クラ
ッド材が高価であるため、原価低減には限度がある。
【0008】そこで、本発明は、上記の要求特性を満足
する安価なLD用ステムを提供することおよびそのLD
用ステムの製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
LD用ステムは、金属ベース部のリード封着孔にガラス
を介してリードを気密に封着するとともに金属ベース部
にその上面よりも突出する素子マウント部を具備してな
るLD用ステムにおいて、前記金属ベース部と前記素子
マウント部とが単体金属により一体に形成されていると
ともに、素子マウント部にこの素子マウント部の形成材
料よりも良熱伝導性の金属めっき層が形成されているこ
とを特徴とするLD用ステムである。このようなLD用
ステムによれば、出発材料が単体の金属であるため、鉄
−銅クラッド材や鉄−銅−鉄クラッド材に比較して安価
であり、安価なLD用ステムが得られる。
【0010】本発明の請求項2記載の発明は、前記金属
ベース部および素子マウント部が、鉄で形成されている
ことを特徴とする請求項1記載のLD用ステムである。
このようなLD用ステムによれば、出発材料が安価な鉄
であるため、安価なLD用ステムが得られる。
【0011】本発明の請求項3記載の発明は、前記金属
ベース部および素子マウント部が、銅−タングステンで
形成されていることを特徴とする請求項1記載のLD用
ステムである。このようなLD用ステムによれば、出発
材料が単体の銅−タングステン材料であるため、前記鉄
よりは高価ではあるが、鉄−銅クラッド材や鉄−銅−鉄
クラッド材よりも安価であり、安価なLD用ステムが得
られる。
【0012】本発明の請求項4記載の発明は、前記めっ
き層が、銅めっき層であることを特徴とする請求項1記
載のLD用ステムである。このようなLD用ステムによ
れば、銅めっき層の熱伝導率が鉄や銅−タングステン合
金の熱伝導率よりも大きいため、この銅めっき層を介し
てLD素子の熱放散性の向上が図れる。
【0013】本発明の請求項5記載の発明は、前記銅め
っき層が、厚さ10〜50μmであることを特徴とする
請求項4記載のLD用ステムである。このようなLD用
ステムによれば、銅めっき層の存在により素子マウント
部の熱放散性が良くなるばかりでなく、銅めっき層が存
在していても、鉄製または銅−タングステン合金製の金
属ベース部に、金属キャップを抵抗溶接できる。
【0014】本発明の請求項6記載の発明は、単体金属
材料をプレス成形してリード封着孔を有する金属ベース
部と素子マウント部とを一体に有するベース・マウント
部一体構体を製作する工程と、全体に銅めっき層を形成
する工程と、金属ベース部のリード封着孔にガラスを介
してリードを封着する工程とを有することを特徴とする
LD用ステムの製造方法である。このようなLD用ステ
ムの製造方法によれば、銅めっき層の存在により、途中
工程におけるベース・マウント部一体構体の発錆や浸炭
現象を防止できるのみならず、素子マウント部の銅めっ
き層の存在により、素子マウント部の熱放散性を向上で
き、しかも銅めっき層は鉄−銅クラッド材または鉄−銅
−鉄クラッド材に比較して簡単な設備で安価に形成でき
るので、熱放散性の良いLD用ステムを安価に製造する
ことができる。
【0015】本発明の請求項7記載の発明は、前記金属
材料が、鉄または銅−タングステンのいずれかであるこ
とを特徴とする請求項6記載のLD用ステムの製造方法
である。このようなLD用ステムの製造方法によれば、
金属ベース部にガラスを介してリードを封着可能で、熱
放散性の良いLD用ステムを安価に製造できる。
【0016】本発明の請求項8記載の発明は、前記リー
ド封着工程の後、露出金属部分に下地ニッケルめっき層
の上に金めっき層を積層形成する工程を有することを特
徴とする請求項6記載のLD用ステムの製造方法であ
る。このようなLD用ステムの製造方法によれば、下地
ニッケルめっき層によりステムの発錆を防止できるとと
もに、金めっき層によりLD素子を金−シリコン共晶に
よるろう材で取り付けることができる。
【0017】
【発明を実施する態様】以下、本発明の実施態様を図面
を参照して説明する。
【実施態様1】図1は本発明の第1実施態様のLD用ス
テムAの断面図、図2はその斜視図、図3はその平面図
であり、前記図1は図3におけるX−X線に沿う断面図
を示す。図1ないし図3において、1は鉄製のベース・
マウント部一体構体で、円板形の金属ベース部2と、そ
の中心部近傍に素子マウント部3が金属ベース部2と一
体に、かつ突出して形成されている。この素子マウント
部3の素子マウント面3aは、前記金属ベース部2の中
心軸にほぼ一致する位置に形成されている。前記素子マ
ウント部3の近傍にはリード封着孔4,4が穿設されて
いる。さらに金属ベース部2の周面2aには、前記リー
ド封着孔4,4の中心軸を結ぶ方向の線上に、位置決め
用の楔状の切欠き部5a,5aが設けられ、前記の線と
直交する位置に位置決め用の矩形状の切欠き部5bが設
けられている。そして、前記リード封着孔4,4には、
それぞれソーダライムガラスやソーダバリウムガラスや
ホウケイ酸ガラス等よりなるガラス6,6介して、Fe
−Ni合金やFe−Ni−Co合金等よりなるリード
7,7が気密に封着されている。なお、前記金属ベース
部2には、ガラス6,6によるリード7,7の封着前に
全体に厚さが10〜50μmの銅めっき層8が形成され
ている。しかも、リード7,7の封着後のベース・マウ
ント部一体構体1およびリード7,7の露出面全体に仕
上げめっき層9が形成されている。この仕上げめっき層
9は、厚さが3〜6μmの下地ニッケルめっき層の上
に、厚さが0.1〜0.3μmの金めっき層を積層形成
したものである。
【0018】
【製造方法実施態様】次に、上記LD用ステムAの製造
方法について説明する。図4は、上記LD用ステムAの
製造方法を説明する工程ブロック図で、図5ないし図1
1は前記各工程におけるベース・素子マウント部一体構
体1の断面図である。ただし、図7ないし図11におい
ては、本発明の製造工程の説明を主眼としているため、
各構成要素の寸法や形成位置等をデフォルメしたイメー
ジ図としている。まず、所定厚さの鉄製の板材10を用
意し(図4a、図5)、この鉄板材10を所定の成形型
(図示省略)でプレス成形して、金属ベース部2と素子
マウント部3とを一体に形成したベース・マウント部一
体構体1を製作する(図4b、図6)。前記金属ベース
部2の所定位置にプレス成形によりリード封着孔4,4
を穿設する(図4c、図7)。次に、プレス打ち抜きに
より前記ベース・素子マウント部一体構体1を打ち抜く
とともに、位置決め用の切欠き部5a,5a,5bを形
成する。ただし、図8においては、切欠き部5a,5b
の図示は省略している(図4d、図8)。次に、ベース
・マウント部一体構体1を洗浄し、全体に厚さ10〜5
0μmの銅めっき層8を形成する。ここで、銅めっき層
8を形成する理由は、第1に素子マウント部3にマウン
トするLD素子の熱放散性を高めるためであり、第2に
途中工程で金属ベース部2および素子マウント部3の発
錆や変色、あるいはグラファイト製の封着治具から遊離
した炭素がベース・マウント部一体構体1に浸入する,
いわゆる浸炭現象によってベース・マウント部一体構体
1の性状が変動することを防止するためである。第2の
目的のためには銅めっき層8の厚さはもっと薄くてもよ
いが、第1の目的のために10〜50μmに設定してい
る(図4e、図9)。その後、前記リード封着孔4,4
にガラス6,6を介してリード7,7を気密に封着する
(図4f、図10)。次に、ベース・マウント部一体構
体1を洗浄し、続いてベース・マウント部一体構体1お
よびリード7,7の露出面全面に仕上げめっき層9,例
えば下地ニッケルめっき層の上に金めっき層を積層形成
する(図4g、図11)。
【0019】
【実施例】次に、本発明の上記第1実施態様のLD用ス
テムAの実施例について説明する。 ベース・マウント部一体構体1 金属ベース部2 材質 :鉄(低炭素鋼) 形状 :直径5.6mmΦ×厚さ1.2mm リード封着孔4 :直径1.0mmΦ×深さ1.2mm 素子マウント部3 材質 :鉄(低炭素鋼)=熱伝導率99k/W・m-1・K-1 形状 :縦1.2mm×横1.0mm×高さ1.5mm ガラス6 材質 :ソーダガラス リード7 材質 :鉄−ニッケル合金 寸法 :直径0.45mmΦ×長さ8.3mm 銅めっき層8 :10〜50μm(熱伝導率420k/W・m-1・K-1) 仕上げめっき層9 :下地ニツケルめっき層3〜6μm 金めっき層0.1〜0.3μm
【0020】上記のLD用ステムAにおいて、銅めっき
層8の厚さを20μmにして、素子マウント部3にLD
素子(発熱量:300mW)を取り付け、大気放熱の状
態(気温:25℃)でLD素子100個の温度を測定し
た結果、LD素子の飽和温度は平均69.6℃であっ
た。
【0021】これに対して、第1の比較例として、銅め
っき層8を形成していない他は上記と同様のLD用ステ
ムの素子マウント部にLD素子を取り付け、同一条件で
LD素子100個の温度を測定した結果、LD素子の飽
和温度は平均72.3℃であった。
【0022】また、第2の比較例として、上記素子マウ
ント部3と同一寸法の銅製の素子マウント部を銀ろうに
より鉄製の金属ベース部にろう付けしたLD用ステムの
素子マウント部にLD素子を取り付け同一条件でLD素
子100個の温度を測定した結果、LD素子の飽和温度
は平均66.0℃であった。
【0023】以上の結果から、本発明のLD用ステムA
は、銅めっき層8の形成によって、銅めっき層8がない
第1比較例に対して、熱放散性が格段に向上し、十分な
実用性を有するものであることが分かる。なお、銅めっ
き層8を厚くするほど、素子マウント部3の放熱性が向
上することも確認した。なお、上記実施例のLD用ステ
ムAは、銅製の素子マウント部を銀ろうによりろう付け
した第2比較例よりは若干劣るとはいえ、低出力のLD
用としては十分な熱放散性を有しており、銅めつき層8
の厚さを増大すればさらに熱放散性が向上する。しかも
第2比較例に対しては、原価を約1/2程度の格段に安
価にできるという実用上極めて有用な特長を有するもの
である。
【0024】上記のようなLD用ステムAおよびその製
造方法によれば、次のような作用効果が得られる。 素子マウント部3の表面に銅めっき層8を有するの
で、熱放散性に優れている。 金属ベース部2と素子マウント部3とを一つの製作型
で製作できるので、型代が安価である。 金属ベース部2と素子マウント部3とを同時に製作す
るので、製造工程数が少なく製造原価が低くできる。 金属ベース部2と素子マウント部3とのろう付けのた
めのろう材およびその供給が不要で、材料費および加工
費が節減できる。 金属ベース部2と素子マウント部3との位置ずれがな
くなって両者の位置精度が高くなり、商品価値が向上す
る。 鉄を出発材料としているので、鉄−銅クラッド材や鉄
−銅−鉄クラッド材を用いる場合に比較して、原価低減
ができ、安価なLD用ステムを製造することができる。
【0025】
【実施態様2】図12は、本発明の第2実施態様のLD
用ステムBの平面図で、素子マウント部の熱放散性を向
上させるために、素子マウント部の熱容量を大きくした
ものである。すなわち、図1ないし図3に示す第1実施
態様のLD用ステムAにおける素子マウント部3は、直
方体状のものであったが、本実施態様2におけるベース
・マウント部一体構体11は、平板状の金属ベース12
と扇柱形状の素子マウント部13とを有するものであ
る。なお、それ以外の点は特に変わりがないので、符号
および説明を省略する。このようなLD用ステムBによ
れば、素子マウント部13の熱容量が大きくなることに
よって、素子マウント部13の熱放散性が向上する。ま
た、素子マウント部13の円弧状の周面13aを利用し
て、金属キャップの位置決めをすることもできるという
特長がある。
【0026】
【実施態様3】図13は、本発明の第3実施態様のLD
用ステムCの平面図で、素子マウント部の熱放散性をさ
らに向上させるために、素子マウント部の熱容量をさら
に大きくしたものである。すなわち、本実施態様3にお
けるベース・マウント部一体構体21は、平板状の金属
ベース部22と略半円柱形状の素子マウント部23とを
有するものである。なお、それ以外の点は特に変わりが
ないので、符号および説明を省略する。このようなLD
用ステムCによれば、素子マウント部23の熱容量がさ
らに大きくなることによって、素子マウント部13の熱
放散性がさらに向上する。また、素子マウント部23の
半円状の周面23aを利用して、金属キャップの位置決
めをすることもできるという特長がある。
【0027】なお、本発明の上記実施態様は、特定の構
造のLD用ステムA〜Cについて説明したが、本発明は
上記実施態様に限定されるものではなく、本発明の精神
を逸脱しない範囲で、各種の変形が可能であることはい
うまでもない。
【0028】
【実施態様4〜6】例えば、上記第1ないし第3実施態
様のLD用ステムA〜Cにおいては、金属ベース部2,
12,22の素子マウント部3,13,23の形成部分
を除く上面が、平坦状のものについて説明したが、LD
素子の発光の有無またはその強度をモニタするモニタ用
受光素子をマウントする構造のものにあっては、素子マ
ウント部3,13,23のLD素子マウント面の下方に
傾斜面部を形成してもよい。この傾斜面部は、図14に
示す第4実施態様のLD用ステムDにおけるベース・マ
ウント一体構体31のように、素子マウント部33のL
D素子のマウント位置の下方の金属ベース部32に、傾
斜面部34全体を金属ベース部32の上面32aから突
出するように形成してもよいし、、図15に示す第5実
施態様のLD用ステムEにおけるベース・マウント一体
構体41のように、傾斜面部44全体が金属ベース部4
2の上面42aから凹入するように形成してもよいし、
さらには、図16に示す第6実施態様のLD用ステムF
におけるベース・マウント一体構体51のように、傾斜
面部54のほぼ半分が金属ベース部52の上面52aか
ら突出するとともに、ほぼ半分が金属ベース部52の上
面52aから凹入するように形成してもよい。上記の第
4〜第6実施態様のLD用ステムD〜Fにおける各種傾
斜面部34,44,54は、いずれも金属ベース部3
2,42,52と素子マウント部33,43,53とが
一体に形成されたベース・マウント部一体構体31,4
1,51を製作する際に同時に形成できるので、工程数
は何ら増加せず、したがって加工費の増大もない。
【0029】また、例えば、上記実施態様においては、
LD用ステムAないしCとして、金属ベース部2,1
2,22の形状が円形状のものについて説明したが、も
し、必要ならば、矩形状その他任意の形状のものにも実
施可能である。
【0030】さらに、第1実施態様のLD用ステムAに
おける金属ベース部2の上面に、金属キャップの位置決
め用の突起ないし凹部を形成したものでもよい。
【0031】さらにまた、上記実施例では、出発材料と
して鉄の板材を用いる場合について説明したが、銅−タ
ングステンの合金ないしは銅粒子とタングステン粒子と
を分散混在させた複合材を用いてもよい。そのような場
合、鉄材よりは原価が上昇するが、鉄材よりも素子マウ
ント部の熱放散性を向上させることができる。
【0032】
【発明の効果】本発明のLD用ステムは、金属ベース部
のリード封着孔にガラスを介してリードを気密に封着す
るとともに金属ベース部にその上面よりも突出する素子
マウント部を具備してなるLD用ステムにおいて、前記
金属ベース部と素子マウント部とが単体金属により一体
に形成されているとともに、素子マウント部にこの素子
マウント部の形成材料よりも良熱伝導性の金属めっき層
が形成されていることを特徴とするレーザダイオード用
ステムであるから、熱放散性に優れたLD用ステムを安
価に提供できる。
【0028】また、本発明のLD用ステムの製造方法
は、単体金属材料をプレス成形してリード封着孔を有す
る金属ベース部と素子マウント部とを一体に有するベー
ス・マウント部一体構体を製作する工程と、全体に銅め
っき層を形成する工程と、金属ベース部のリード封着孔
にガラスを介してリードを封着する工程とを有すること
を特徴とするLD用ステムの製造方法であるから、リー
ドのガラス封着部の信頼性が高く、放熱性に優れたLD
用ステムを安価に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施態様のレーザダイオード用
ステムAにおける断面図
【図2】 本発明の第1実施態様のレーザダイオード用
ステムAにおける斜視図
【図3】 本発明の第1実施態様のレーザダイオード用
ステムAにおける平面図
【図4】 本発明の第1実施態様のレーザダイオード用
ステムAの製造方法について説明する工程ブロック図
【図5】 本発明の第1実施態様のレーザダイオード用
ステムAの製造工程における出発材料である鉄板材の要
部断面図
【図6】 本発明の第1実施態様のレーザダイオード用
ステムAの製造工程におけるベース・マウント部一体構
体のプレス形成後の要部断面図
【図7】 本発明の第1実施態様のレーザダイオード用
ステムAの製造工程におけるベース・マウント部一体構
体のリード封着孔形成後の要部断面図
【図8】 本発明の第1実施態様のレーザダイオード用
ステムAの製造工程におけるベース・マウント部一体構
体の打ち抜き後の要部断面図
【図9】 本発明の第1実施態様のレーザダイオード用
ステムAの製造工程におけるベース・マウント部一体構
体の銅めっき層形成後の要部断面図
【図10】 本発明の第1実施態様のレーザダイオード
用ステムAの製造工程におけるベース・マウント部一体
構体のリード封着後の要部断面図
【図11】 本発明の第1実施態様のレーザダイオード
用ステムAの製造工程におけるベース・マウント部一体
構体の仕上げめっき層形成後の要部断面図
【図12】 本発明の第2実施態様のレーザダイオード
用ステムBの平面図
【図13】 本発明の第3実施態様のレーザダイオード
用ステムCの平面図
【図14】 本発明の第4実施態様のレーザダイオード
用ステムDにおけるベース・マウント部一体構体の要部
拡大断面図
【図15】 本発明の第5実施態様のレーザダイオード
用ステムEにおけるベース・マウント部一体構体の要部
拡大断面図
【図16】 本発明の第6実施態様のレーザダイオード
用ステムFにおけるベース・マウント部一体構体の要部
拡大断面図
【図17】 従来のレーザダイオード用ステムの斜視図
【図18】 従来のレーザダイオード用ステムの平面図
【図19】 従来のレーザダイオード用ステムの断面図
【符号の説明】
A、B、C、D、E、F レーザダイオード用ステム 1、11、21、31、41、51 ベース・マウント
部一体構体 2、12、22、32、42、52 金属ベース部 3、13、23、33、43、53 素子マウント部 3a LD素子マウント面 4 リード封着孔 5a、5b 位置決め用切欠き部 6 ガラス 7 リード 8 銅めっき層 9 仕上げめっき層 10 鉄板材 13a、23a 素子マウント部の周面 34、44、54 傾斜面部
フロントページの続き (72)発明者 宮脇 寿仁 滋賀県大津市晴嵐2丁目9番1号 関西日 本電気株式会社内 (72)発明者 奥野 晃 滋賀県大津市晴嵐2丁目9番1号 関西日 本電気株式会社内 Fターム(参考) 5F036 BB14

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属ベース部のリード封着孔にガラスを介
    してリードを気密に封着するとともに金属ベース部にそ
    の上面よりも突出する素子マウント部を具備してなる気
    密端子において、前記金属ベース部と素子マウント部と
    が単体金属により一体に形成されているとともに、素子
    マウント部にこの素子マウント部の形成材料よりも良熱
    伝導性の金属めっき層が形成されていることを特徴とす
    るレーザダイオード用ステム。
  2. 【請求項2】前記金属ベース部および素子マウント部
    が、鉄で形成されていることを特徴とする請求項1記載
    のレーザダイオード用ステム。
  3. 【請求項3】前記金属ベース部および素子マウント部
    が、銅−タングステンで形成されていることを特徴とす
    る請求項1記載のレーザダイオード用ステム。
  4. 【請求項4】前記めっき層が、銅めっき層であることを
    特徴とする請求項1記載のレーザダイオード用ステム。
  5. 【請求項5】前記銅めっき層が、厚さ10〜50μmで
    あることを特徴とする請求項4記載のレーザダイオード
    用ステム。
  6. 【請求項6】単体金属材料をプレス成形してリード封着
    孔を有する金属ベース部と素子マウント部とを一体に有
    するベース・マウント部一体構体を製作する工程と、全
    体に銅めっき層を形成する工程と、金属ベース部のリー
    ド封着孔にガラスを介してリードを封着する工程とを有
    することを特徴とするレーザダイオード用ステムの製造
    方法。
  7. 【請求項7】前記金属材料が、鉄または銅−タングステ
    ン合金のいずれかであることを特徴とする請求項6記載
    のレーザダイオード用ステムの製造方法。
  8. 【請求項8】前記リード封着工程の後、露出金属部分に
    下地ニッケルめっき層の上に金めっき層を積層形成する
    仕上げめっき工程を有することを特徴とする請求項6記
    載のレーザダイオード用ステムの製造方法。
JP36235999A 1999-12-21 1999-12-21 レーザダイオード用ステムおよびその製造方法 Withdrawn JP2001177018A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36235999A JP2001177018A (ja) 1999-12-21 1999-12-21 レーザダイオード用ステムおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36235999A JP2001177018A (ja) 1999-12-21 1999-12-21 レーザダイオード用ステムおよびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001177018A true JP2001177018A (ja) 2001-06-29

Family

ID=18476655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP36235999A Withdrawn JP2001177018A (ja) 1999-12-21 1999-12-21 レーザダイオード用ステムおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001177018A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012109288A (ja) * 2010-10-20 2012-06-07 Takamatsu Mekki:Kk Led用ウエハ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012109288A (ja) * 2010-10-20 2012-06-07 Takamatsu Mekki:Kk Led用ウエハ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9559489B2 (en) Semiconductor laser device, light source device, method of producing semiconductor laser device, and method of producing light source device
JP3771931B1 (ja) 光半導体素子用パッケージおよび光半導体装置
US11349278B2 (en) Stem for semiconductor package, and semiconductor package
JP2001177018A (ja) レーザダイオード用ステムおよびその製造方法
JP2015226017A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP3670527B2 (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
JP3724028B2 (ja) 金属製の容器体およびパッケージ
JP4739975B2 (ja) 光半導体素子用パッケージ
US20040013152A1 (en) Optical semiconductor module and method of producing the same
JP6485518B2 (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP2001185799A (ja) レーザダイオード用ステムの製造方法
JP2001015635A (ja) 光半導体素子収納用パッケージ
CN201113221Y (zh) 具有组合式散热基板的半导体激光器
JP2001177175A (ja) レーザダイオード用ステムおよびその製造方法
KR100413848B1 (ko) 광모듈용 밀폐형 패키지
JPH11340381A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2003298126A (ja) 熱電素子モジュールならびに半導体素子収納用パッケージおよび半導体モジュール
JP2918676B2 (ja) 気密封止用ステムの製造方法
JP7481245B2 (ja) 半導体パッケージ用ステム及びその製造方法、半導体パッケージ
KR102266664B1 (ko) 스템 유닛 및 반도체 레이저 다이오드 패키지
KR20030004030A (ko) 광반도체소자를 내장한 기밀의 밀봉용기 및 그 용기와일체하는 광반도체모듈
JP2796178B2 (ja) 電子部品用ガラス端子
JP2024048084A (ja) キャップ用筐体、キャップ及び半導体装置
JPH09172219A (ja) レーザ発振用気密端子
EP1207366B8 (en) Method of manufacturing a porous metal heat sink

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070306