CN201113221Y - 具有组合式散热基板的半导体激光器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种具有组合式散热基板的半导体激光器，有热电致冷器(1)，在热电致冷器(1)上置有散热基板(2)，半导体激光器芯片载体(3)置于散热基板(2)上，所述散热基板(2)由小基板(4)、大基板(5)相接而成，所述的半导体激光器芯片载体(3)位于小基板(4)上。小基板可以采用热传导性能好、与芯片载体(陶瓷)热膨胀系数相近的钨铜材料，而大基板则可采用成本低、易加工、与钨铜材料热膨胀系数相近的铁钴镍合金材料。半导体激光器芯片所产生的热量不但可通过小基板(钨铜材料)迅速散出，保证半导体激光器芯片载体、小基板及大基板在环境温度变化时胀缩一致，同时可大大降低制造成本，同时由于铁钴镍合金材料的可加工性，提高了产品成品率，降低了加工成本。

Description

具有组合式散热基板的半导体激光器

技术领域：

本实用新型涉及一种半导体激光器，尤其是一种散热效果好、加工容易且成本低的具有组合式散热基板的半导体激光器。

背景技术：

由于半导体激光器芯片在工作过程中会发热，若不能及时散热将会导致其温度升高，直接影响半导体激光器的性能和使用寿命。因此，现有半导体激光器都设有热电致冷器，在热电致冷器上置有散热基板，半导体激光器芯片载体置于散热基板上，以便及时将芯片工作时产生的热量通过散热基板传到热电致冷器表面而散掉。同时需要在基板上加工出多个台阶，用以装配半导体激光器的其他零部件。目前所用的散热基板都是采用热传导性能好、与芯片载体(陶瓷)热膨胀系数相近的钨铜材料，不但散热效果好，而且当外部环境温度变化时，芯片载体与散热基板胀缩一致，从而保证两者之间的焊接质量，提高半导体激光器的可靠性。但是，由于现有的散热基板为整块钨铜板，存在着如下缺点：

1.钨铜材料的主要成份为贵重金属钨(80％或85％)、铜(20％-15％)，导致钨铜材料成本过高；

2.钨铜材料的硬度很高，加工台阶等形状时需要特别的刀具，而且加工过程中所产生的金属(铜)屑会粘在刀具上，减少刀具的寿命，同时还存在着成品率低的问题，使得加工成本高。

发明内容：

本实用新型是为了解决现有技术所存在的上述问题，提供一种散热效果好、加工容易且成本低的具有组合式散热基板的半导体激光器。

本实用新型的技术解决方案是：一种具有组合式散热基板的半导体激光器，有热电致冷器1，在热电致冷器1上置有散热基板2，半导体激光器芯片载体3置于散热基板2上，所述散热基板2由小基板4、大基板5相接而成，所述的半导体激光器芯片载体3位于小基板4上。

所述大基板5的一端有缺角6，小基板4形状与缺角6吻合且置于缺角6处。

本实用新型是由大、小基板拼接成散热基板，并将半导体激光器芯片载体位于小基板上，这样小基板可以采用热传导性能好、与芯片载体(陶瓷)热膨胀系数相近的钨铜材料，而大基板则可采用成本低、易加工、与钨铜材料热膨胀系数相近的铁钴镍合金材料。半导体激光器芯片所产生的热量不但可通过小基板(钨铜材料)迅速散出，保证半导体激光器芯片载体、小基板及大基板在环境温度变化时胀缩一致，同时可大大降低制造成本，同时由于铁钴镍合金材料的可加工性，提高了产品成品率，降低了加工成本。尤其是将大基板一端制成缺角形状，小基板的形状与缺角吻合且安装于缺角处，使组合式散热基板的整体性得以提高。

附图说明：

图1是本实用新型实施例的结构示意图。

具体实施方式：

下面将结合附图说明本实用新型的具体实施方式。如图1所示：同现有技术相同，有热电致冷器1，在热电致冷器1上置有散热基板2，半导体激光器芯片载体3置于散热基板2上，与现有技术所不同的是散热基板2是由小基板4、大基板5相接而成，所述的半导体激光器芯片载体3位于小基板4上。小基板4可采用热传导性能好、与芯片载体(陶瓷)热膨胀系数相近的钨铜材料，大基板5则可采用成本低、易加工、与钨铜材料热膨胀系数相近的铁钴镍合金材料，用高温(480℃)钎焊到一起。小基板4、大基板5的焊接面可以是竖直的平面，也可以将大基板5的一端的角削去，形成缺角6，如图1所示，是将长方形大基板5的上端直角切去，形成L形面，即缺角6；而小基板4的形状为与L形面吻合的长方形，小基板4焊接在L形面上。

Claims (2)

1. 一种具有组合式散热基板的半导体激光器，有热电致冷器(1)，在热电致冷器(1)上置有散热基板(2)，半导体激光器芯片载体(3)置于散热基板(2)上，其特征在于：所述散热基板(2)由小基板(4)、大基板(5)相接而成，所述的半导体激光器芯片载体(3)位于小基板(4)上。

2. 根据权利要求1所述的具有组合式散热基板的半导体激光器，其特征在于：所述大基板(5)的一端有缺角(6)，小基板(4)形状与缺角(6)吻合且置于缺角(6)处。

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