CN103021973A - 一种集成电路气密性封装散热结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种集成电路气密性封存装散热结构,包括外壳或基板和倒扣焊芯片,所述倒扣焊芯片用软焊料与热沉焊接在一起,热沉的一周与焊框通过钎焊料钎焊在一起;再将焊框与外壳或基板上的密封环焊接在一起,形成气密性封装。所述焊框上可设有一圈凹槽,形成缓冲环,围绕热沉一周。其优点是:本发明在不改变现有封装结构和材料,利用现有组装焊接设备和工艺的情况下,解决了倒扣焊(FC)封装气密性和散热问题。
Description
技术领域
本发明涉集成电路封装结构,具体地说是一种气密性高可靠陶瓷封装的倒扣焊(FC)芯片的散热结构,属于电子制造技术领域。
背景技术
半导体集成电路芯片倒扣焊在外壳或基板的焊盘/凸点上,对于功耗大的电路仅仅通过外壳或基板的热传导,以及芯片向四周空气对流、辐射来散热是不够的,尤其空封结构的气密性高功率密度集成电路,常常会带来芯片温升过高而导致电性能下降甚至功能失效。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足,解决倒扣焊封装气密性与散热问题,提出一种集成电路散热结构,为空封结构的气密性倒扣焊(FC)高可靠陶瓷封装。
按照本发明提供的技术方案,所述的集成电路气密性封装散热结构包括外壳或基板和倒扣焊芯片,所述倒扣焊芯片用软焊料与热沉焊接在一起,热沉的一周与焊框通过钎焊料钎焊在一起;再将焊框与外壳或基板上的密封环焊接在一起,形成气密性封装。
所述焊框上可设有一圈凹槽,形成缓冲环,围绕热沉一周。
所述焊框与外壳或基板上的密封环用激光焊接、平行缝焊方式焊接在一起。
本发明具有以下优点:
1、本发明使高功率密度集成电路倒扣焊封装实现了气密性密封;
2、本发明未改变集成电路封装结构,与现有散热方式完全兼容;
3、本发明不改变现有封装结构,利用现有组装设备和工艺即可实现气密性和优异散热。
附图说明
图1是气密性倒扣焊陶瓷封装散热结构的1/4剖面图。
图2是实施例1的1.00mm节距气密性FC-CCGA1144封装外形示意图。
图3是实施例2的1.00mm节距气密性FC-CCGA1760封装外形示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图1所示,本发明所述的散热结构采用与外壳/基板热膨胀基数相配的高导热金属热沉1,与可伐等材料制成的焊框7通过钎焊料3钎焊在一起;热沉1用软焊料4与金属化处理的倒扣焊芯片5焊接在一起;最后再用激光焊接、平行缝焊等方式将焊框7与外壳或基板6上的密封环2焊接在一起,形成气密性封装,热沉1并可将芯片热高效地向冷板等导出,形成优异的热通道。焊框2上可设置一圈凹槽,形成缓冲环8,围绕热沉1一周。
本发明的集成电路气密性封接散热结构,其热沉1与外壳或基板6为匹配封接结构;对小尺寸倒扣焊芯片不带缓冲环8,大尺寸倒扣焊芯片则带缓冲环8;热沉1对内直接与芯片5粘接或焊接,再密封;热沉1对外可直接与冷板等粘接或焊接。
本发明不改变现有封装材料和工艺,以及组装焊接设备,解决高功率密度集成电路倒扣焊封装的气密性和散热。
如图2所示,为本发明实施例1的1.00mm节距气密性FC-CCGA1144封装外形。高温共烧氧化铝陶瓷外壳/基板上的密封环2钎焊有焊框7,芯片5通过SAC305等低温软焊料4与热沉1焊接,热沉1通过平行缝焊与焊框7焊接,然后再利用回流焊工艺在外壳/基板上植上1144根(34×34阵列)2.00mm长的φ0.50mm的焊料柱,电路即完成。
如图3所示,为本发明实施例2的1.00mm节距气密性FC-CCGA1760封装外形。高温共烧氧化铝陶瓷外壳/基板上的密封环2钎焊有焊框7,芯片5通过SAC305等低温软焊料4与热沉1焊接,热沉1通过平行缝焊与焊框7焊接,然后再利用回流焊工艺在外壳/基板上植上1760根(42×42阵列)2.00mm长的φ0.50mm的焊料柱,电路即完成。
综上所述,本发明提供的散热结构为大尺寸芯片、高功率密度倒扣焊封装提供了气密结构;倒扣焊芯片与热沉直接焊接,并直接与冷板等接触,导热优异。
Claims (3)
1. 一种集成电路气密性封装散热结构,包括外壳或基板(6)和倒扣焊芯片(5),其特征是:所述倒扣焊芯片(5)用软焊料(4)与热沉(1)焊接在一起,热沉(1)的一周与焊框(7)通过钎焊料(3)钎焊在一起;再将焊框(7)与外壳或基板(6)上的密封环(2)焊接在一起,形成气密性封装。
2.如权利要求1所述集成电路气密性封装散热结构,其特征是,所述焊框(2)上设有一圈凹槽,形成缓冲环(8),围绕热沉(1)一周。
3.如权利要求1所述集成电路气密性封装散热结构,其特征是,所述焊框(7)与外壳或基板(6)上的密封环(2)用激光焊接、平行缝焊方式焊接在一起。
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