CN103021973A - 一种集成电路气密性封装散热结构 - Google Patents

一种集成电路气密性封装散热结构 Download PDF

Info

Publication number
CN103021973A
CN103021973A CN2012105350055A CN201210535005A CN103021973A CN 103021973 A CN103021973 A CN 103021973A CN 2012105350055 A CN2012105350055 A CN 2012105350055A CN 201210535005 A CN201210535005 A CN 201210535005A CN 103021973 A CN103021973 A CN 103021973A
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat sink
welding
integrated circuit
packaging
airtightness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012105350055A
Other languages
English (en)
Inventor
丁荣峥
李欣燕
高娜燕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CETC 58 Research Institute
Original Assignee
CETC 58 Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 58 Research Institute filed Critical CETC 58 Research Institute
Priority to CN2012105350055A priority Critical patent/CN103021973A/zh
Publication of CN103021973A publication Critical patent/CN103021973A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

本发明涉及一种集成电路气密性封存装散热结构,包括外壳或基板和倒扣焊芯片,所述倒扣焊芯片用软焊料与热沉焊接在一起,热沉的一周与焊框通过钎焊料钎焊在一起;再将焊框与外壳或基板上的密封环焊接在一起,形成气密性封装。所述焊框上可设有一圈凹槽,形成缓冲环,围绕热沉一周。其优点是:本发明在不改变现有封装结构和材料,利用现有组装焊接设备和工艺的情况下,解决了倒扣焊(FC)封装气密性和散热问题。

Description

一种集成电路气密性封装散热结构
技术领域
本发明涉集成电路封装结构,具体地说是一种气密性高可靠陶瓷封装的倒扣焊(FC)芯片的散热结构,属于电子制造技术领域。
背景技术
半导体集成电路芯片倒扣焊在外壳或基板的焊盘/凸点上,对于功耗大的电路仅仅通过外壳或基板的热传导,以及芯片向四周空气对流、辐射来散热是不够的,尤其空封结构的气密性高功率密度集成电路,常常会带来芯片温升过高而导致电性能下降甚至功能失效。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足,解决倒扣焊封装气密性与散热问题,提出一种集成电路散热结构,为空封结构的气密性倒扣焊(FC)高可靠陶瓷封装。
按照本发明提供的技术方案,所述的集成电路气密性封装散热结构包括外壳或基板和倒扣焊芯片,所述倒扣焊芯片用软焊料与热沉焊接在一起,热沉的一周与焊框通过钎焊料钎焊在一起;再将焊框与外壳或基板上的密封环焊接在一起,形成气密性封装。
所述焊框上可设有一圈凹槽,形成缓冲环,围绕热沉一周。
所述焊框与外壳或基板上的密封环用激光焊接、平行缝焊方式焊接在一起。
本发明具有以下优点:
1、本发明使高功率密度集成电路倒扣焊封装实现了气密性密封;
2、本发明未改变集成电路封装结构,与现有散热方式完全兼容;
3、本发明不改变现有封装结构,利用现有组装设备和工艺即可实现气密性和优异散热。
附图说明
图1是气密性倒扣焊陶瓷封装散热结构的1/4剖面图。
图2是实施例1的1.00mm节距气密性FC-CCGA1144封装外形示意图。
图3是实施例2的1.00mm节距气密性FC-CCGA1760封装外形示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图1所示,本发明所述的散热结构采用与外壳/基板热膨胀基数相配的高导热金属热沉1,与可伐等材料制成的焊框7通过钎焊料3钎焊在一起;热沉1用软焊料4与金属化处理的倒扣焊芯片5焊接在一起;最后再用激光焊接、平行缝焊等方式将焊框7与外壳或基板6上的密封环2焊接在一起,形成气密性封装,热沉1并可将芯片热高效地向冷板等导出,形成优异的热通道。焊框2上可设置一圈凹槽,形成缓冲环8,围绕热沉1一周。
本发明的集成电路气密性封接散热结构,其热沉1与外壳或基板6为匹配封接结构;对小尺寸倒扣焊芯片不带缓冲环8,大尺寸倒扣焊芯片则带缓冲环8;热沉1对内直接与芯片5粘接或焊接,再密封;热沉1对外可直接与冷板等粘接或焊接。
本发明不改变现有封装材料和工艺,以及组装焊接设备,解决高功率密度集成电路倒扣焊封装的气密性和散热。
如图2所示,为本发明实施例1的1.00mm节距气密性FC-CCGA1144封装外形。高温共烧氧化铝陶瓷外壳/基板上的密封环2钎焊有焊框7,芯片5通过SAC305等低温软焊料4与热沉1焊接,热沉1通过平行缝焊与焊框7焊接,然后再利用回流焊工艺在外壳/基板上植上1144根(34×34阵列)2.00mm长的φ0.50mm的焊料柱,电路即完成。
如图3所示,为本发明实施例2的1.00mm节距气密性FC-CCGA1760封装外形。高温共烧氧化铝陶瓷外壳/基板上的密封环2钎焊有焊框7,芯片5通过SAC305等低温软焊料4与热沉1焊接,热沉1通过平行缝焊与焊框7焊接,然后再利用回流焊工艺在外壳/基板上植上1760根(42×42阵列)2.00mm长的φ0.50mm的焊料柱,电路即完成。
综上所述,本发明提供的散热结构为大尺寸芯片、高功率密度倒扣焊封装提供了气密结构;倒扣焊芯片与热沉直接焊接,并直接与冷板等接触,导热优异。

Claims (3)

1. 一种集成电路气密性封装散热结构,包括外壳或基板(6)和倒扣焊芯片(5),其特征是:所述倒扣焊芯片(5)用软焊料(4)与热沉(1)焊接在一起,热沉(1)的一周与焊框(7)通过钎焊料(3)钎焊在一起;再将焊框(7)与外壳或基板(6)上的密封环(2)焊接在一起,形成气密性封装。
2.如权利要求1所述集成电路气密性封装散热结构,其特征是,所述焊框(2)上设有一圈凹槽,形成缓冲环(8),围绕热沉(1)一周。
3.如权利要求1所述集成电路气密性封装散热结构,其特征是,所述焊框(7)与外壳或基板(6)上的密封环(2)用激光焊接、平行缝焊方式焊接在一起。
CN2012105350055A 2012-12-12 2012-12-12 一种集成电路气密性封装散热结构 Pending CN103021973A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012105350055A CN103021973A (zh) 2012-12-12 2012-12-12 一种集成电路气密性封装散热结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012105350055A CN103021973A (zh) 2012-12-12 2012-12-12 一种集成电路气密性封装散热结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103021973A true CN103021973A (zh) 2013-04-03

Family

ID=47970411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012105350055A Pending CN103021973A (zh) 2012-12-12 2012-12-12 一种集成电路气密性封装散热结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103021973A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105355612A (zh) * 2015-11-13 2016-02-24 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种数模混合高密度外壳
CN105428321A (zh) * 2015-12-23 2016-03-23 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种气密性芯片倒装安装用陶瓷焊盘阵列外壳结构
CN104201113B (zh) * 2014-09-04 2017-06-16 中国电子科技集团公司第五十八研究所 系统级封装的气密性密封结构及其制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1202983A (zh) * 1995-11-28 1998-12-23 株式会社日立制作所 半导体器件及其制造方法以及装配基板
CN1638070A (zh) * 2004-12-01 2005-07-13 美新半导体(无锡)有限公司 微电子电路的平面型载体空腔气密性封装方法
US20070285892A1 (en) * 2006-06-07 2007-12-13 The Boeing Company Encapsulated multi-phase electronics heat sink
US20100019379A1 (en) * 2008-07-24 2010-01-28 Broadcom Corporation External heat sink for bare-die flip chip packages

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1202983A (zh) * 1995-11-28 1998-12-23 株式会社日立制作所 半导体器件及其制造方法以及装配基板
CN1638070A (zh) * 2004-12-01 2005-07-13 美新半导体(无锡)有限公司 微电子电路的平面型载体空腔气密性封装方法
US20070285892A1 (en) * 2006-06-07 2007-12-13 The Boeing Company Encapsulated multi-phase electronics heat sink
US20100019379A1 (en) * 2008-07-24 2010-01-28 Broadcom Corporation External heat sink for bare-die flip chip packages

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104201113B (zh) * 2014-09-04 2017-06-16 中国电子科技集团公司第五十八研究所 系统级封装的气密性密封结构及其制造方法
CN105355612A (zh) * 2015-11-13 2016-02-24 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种数模混合高密度外壳
CN105428321A (zh) * 2015-12-23 2016-03-23 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种气密性芯片倒装安装用陶瓷焊盘阵列外壳结构
CN105428321B (zh) * 2015-12-23 2019-01-04 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种气密性芯片倒装安装用陶瓷焊盘阵列外壳结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4901350B2 (ja) 熱電変換装置及びその製造方法
US20090116197A1 (en) Method for power semiconductor module fabrication, its apparatus, power semiconductor module and its junction method
CN101431207B (zh) 激光晶体板条与热沉焊接的方法
JP6072667B2 (ja) 半導体モジュールとその製造方法
WO2019071743A1 (zh) 采用低温烧结纳米银的双面互连硅基igbt模块的方法
CN105758531A (zh) 一种非制冷红外探测器的真空封装组件
WO2011040313A1 (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法
CN105826458A (zh) 一种带金属围坝的dpc陶瓷基板制备方法
JP2011165745A (ja) セラミックパッケージ
JP2008042039A (ja) 半導体装置
CN106404187A (zh) 非制冷焦平面红外探测器芯片真空封装结构及工艺
CN103779307A (zh) 一种全免清洗软钎焊功率模块及制备方法
CN107546131A (zh) 一种用于封装电子组件的金属外壳的制作方法
CN111146151A (zh) 同时实现倒装芯片散热和气密性的封装结构及制备方法
CN103441077A (zh) 一种微波大功率管外壳的制造方法
CN103021973A (zh) 一种集成电路气密性封装散热结构
CN104867888A (zh) 一种高散热性SiC的功率模块
CN102522695A (zh) 纳米银焊膏封装60瓦 808纳米大功率半导体激光器模块及其封装方法
JP2019079905A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN204167364U (zh) 高导热氮化铝全瓷led封装外壳
JP2014109401A (ja) ヒートパイプとその製造方法
WO2019062200A1 (zh) 一种超大功率 cob 光源及其制作工艺
CN108115363B (zh) 一种铝合金相变热控构件的真空钎焊工艺方法
CN103633550A (zh) 一种半导体激光器bar条垂直阵列的封装方法
TW201214909A (en) Conduction cooled package laser and packaging method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20130403