CN204167364U - 高导热氮化铝全瓷led封装外壳 - Google Patents
高导热氮化铝全瓷led封装外壳 Download PDFInfo
- Publication number
- CN204167364U CN204167364U CN201420671778.0U CN201420671778U CN204167364U CN 204167364 U CN204167364 U CN 204167364U CN 201420671778 U CN201420671778 U CN 201420671778U CN 204167364 U CN204167364 U CN 204167364U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aluminium nitride
- layer
- heat conduction
- line layer
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种高导热氮化铝全瓷LED封装外壳,涉及一种LED封装结构，尤其是一种大功率LED芯片的氮化铝封装外壳。它包括氮化铝基板,所述的氮化铝基板分为上下两层；上层为镜头支架层，镜头支架层的中部开有圆孔；下层为线路层，线路层的顶面固定有芯片焊盘和电路；线路层的底面固定有热沉焊盘；线路层的顶面与底面之间开有多个金属化通孔；热沉焊盘与芯片焊盘通过金属化通孔连接。本实用新型的有益效果是其散热效果好、结构简单、机械强度大，适用于高功率LED封装。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种LED 封装结构，尤其是一种LED 芯片的氮化铝封装外壳。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)由于寿命长、光效高、无辐射、抗冲击以 及低功效等优点，被认为是21世纪最优质的光源。但是目前影响到大功率LED应用的一个重要原因是其散热问题，特别是封装结构的散热设计。近年来对LED封装要求的不断提高，其封装结构也在朝着小型化、高功率、高密度封装方向发展。传统的塑封结构和铜、铝基板结构已经无法满足大功率、高可靠、小型化的封装要求。相对于塑封和铜、铝基板封装结构，陶瓷基板具有可靠性高、化学稳定性好、热稳定性高、线膨胀系数与芯片相对匹配和质量轻等优点，已广泛应用于LED封装行业，特别是大功率的LED封装领域。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题，是针对上述存在的技术不足，提供一种高导热氮化铝全瓷LED封装外壳，其散热效果好、结构简单、机械强度大，适用于高功率LED封装。
本实用新型采用的技术方案是：提供一种高导热氮化铝全瓷LED封装外壳,包括氮化铝基板,所述的氮化铝基板分为上下两层；上层为镜头支架层，镜头支架层的中部开有圆孔；下层为线路层，线路层的顶面固定有芯片焊盘和电路；线路层的底面固定有热沉焊盘；线路层的顶面与底面之间开有多个金属化通孔；热沉焊盘与芯片焊盘通过金属化通孔连接。
进一步优化本技术方案，高导热氮化铝全瓷LED封装外壳的金属化通孔所用的金属为钨或钼。
进一步优化本技术方案，高导热氮化铝全瓷LED封装外壳的热沉焊盘所用的金属为钨或钼。
进一步优化本技术方案，高导热氮化铝全瓷LED封装外壳的芯片焊盘至少设有两个，芯片焊盘之间相互串联、并联或者混合连接。
本实用新型的有益效果是：
1、线路层和镜头支架层均采用高导热氮化铝材料，热变形同步，结构稳定，机械强度大。2、芯片散发的热量可以通过两层高导热氮化铝传导到外部，满足大功率LED的散热需求，提高LED的发光效率。3、氮化铝材料热膨胀系数与硅半导体芯片的热膨胀系数接近，减小了芯片与外壳之间产生的应力，提高了大功率LED的可靠性。
附图说明
图1为本实用新型的主视图；
图2为图1中的剖视放大图。
图中，1、氮化铝基板；2、镜头支架层；3、圆孔；4、线路层；5、芯片焊盘；6、电路；7、热沉焊盘；8、金属化通孔；9、电极。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
图1-2所示，高导热氮化铝全瓷LED封装外壳,包括氮化铝基板1,所述的氮化铝基板1分为上下两层；上层为镜头支架层2，镜头支架层2的中部开有圆孔3；下层为线路层4，线路层4的顶面固定有芯片焊盘5和电路6；线路层4的底面固定有热沉焊盘7；线路层4的顶面与底面之间开有多个金属化通孔8；热沉焊盘7与芯片焊盘5通过金属化通孔8连接；金属化通孔8所用的金属为钨或钼；热沉焊盘7所用的金属为钨或钼；芯片焊盘5至少设有两个，芯片焊盘5之间相互串联、并联或者混合连接。
高导热氮化铝全瓷LED封装外壳为全氮化铝陶瓷结构，成分为90％～96％。采用多层陶瓷工艺技术制作。采用流延工艺制作氮化铝生瓷片，用模具和打孔设备在生瓷片上加工出金属化通孔8，在金属化通孔8内填充钨浆料或钼浆料，在生瓷片表面用钨浆料或钼浆料制作金属化图形（即电路6），多层生瓷片压在一起成生瓷阵列，每个阵列包含多个生瓷件，再用切割设备在单个的方形生瓷件上下预切切口但不切断，再进行高温烧结而成。陶瓷外壳经镀镍退火后，再进行表面镀金，制成成品。成品进行芯片焊接、键合以及封帽完毕后再进行裂片成单个产品。
综上所述，线路层4和镜头支架层2均采用高导热氮化铝材料，热变形同步，结构稳定，机械强度大。芯片散发的热量可以通过两层高导热氮化铝传导到外部，满足大功率LED的散热需求，提高LED的发光效率。同时，氮化铝材料热膨胀系数与硅半导体芯片的热膨胀系数接近，减小了芯片与外壳之间产生的应力，提高了大功率LED的可靠性。
Claims (4)
1.一种高导热氮化铝全瓷LED封装外壳,其特征在于：包括氮化铝基板（1）,所述的氮化铝基板（1）分为上下两层；上层为镜头支架层（2），镜头支架层（2）的中部开有圆孔（3）；下层为线路层（4），线路层（4）的顶面固定有芯片焊盘（5）和电路（6）；线路层（4）的底面固定有热沉焊盘（7）；线路层（4）的顶面与底面之间开有多个金属化通孔（8）；热沉焊盘（7）与芯片焊盘（5）通过金属化通孔（8）连接。
2.根据权利要求1所述的高导热氮化铝全瓷LED封装外壳,其特征在于：金属化通孔（8）所用的金属为钨或钼。
3.根据权利要求1所述的高导热氮化铝全瓷LED封装外壳,其特征在于：热沉焊盘（7）所用的金属为钨或钼。
4.根据权利要求1所述的高导热氮化铝全瓷LED封装外壳,其特征在于：芯片焊盘（5）至少设有两个，芯片焊盘（5）之间相互串联、并联或者混合连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420671778.0U CN204167364U (zh) | 2014-11-12 | 2014-11-12 | 高导热氮化铝全瓷led封装外壳 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420671778.0U CN204167364U (zh) | 2014-11-12 | 2014-11-12 | 高导热氮化铝全瓷led封装外壳 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204167364U true CN204167364U (zh) | 2015-02-18 |
Family
ID=52541020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420671778.0U Active CN204167364U (zh) | 2014-11-12 | 2014-11-12 | 高导热氮化铝全瓷led封装外壳 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204167364U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108091620A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-05-29 | 联想(北京)有限公司 | 一种芯片结构及电子设备 |
| CN108269743A (zh) * | 2018-01-04 | 2018-07-10 | 河北中瓷电子科技有限公司 | 台阶状氮化铝陶瓷块制备方法及台阶状氮化铝陶瓷块 |
| CN108400131A (zh) * | 2018-02-02 | 2018-08-14 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 内串联结构二极管管堆 |
-
2014
- 2014-11-12 CN CN201420671778.0U patent/CN204167364U/zh active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108091620A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-05-29 | 联想(北京)有限公司 | 一种芯片结构及电子设备 |
| CN108269743A (zh) * | 2018-01-04 | 2018-07-10 | 河北中瓷电子科技有限公司 | 台阶状氮化铝陶瓷块制备方法及台阶状氮化铝陶瓷块 |
| CN108400131A (zh) * | 2018-02-02 | 2018-08-14 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 内串联结构二极管管堆 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN201412704Y (zh) | 一种集成led芯片的光源 | |
| CN201117676Y (zh) | 集成微结构的大功率发光二极管封装结构 | |
| CN203481273U (zh) | 一种基于AlSiC复合基板的LED光源模块 | |
| CN101621105B (zh) | Led倒装芯片集成封装方法及采用该方法封装的led | |
| CN106981550B (zh) | 一种易封装易散热倒装高压led芯片 | |
| CN101532612A (zh) | 一种集成led芯片光源的制造方法 | |
| CN102222625A (zh) | 发光二极管封装结构及其基座的制造方法 | |
| CN103022307A (zh) | 一种圆片级led封装方法 | |
| CN102881806B (zh) | 一种smd led单元及其封装方法 | |
| CN104600037A (zh) | 多管芯大功率二极管外壳及其制作方法、芯片封装方法 | |
| CN105932019A (zh) | 一种采用cob封装的大功率led结构 | |
| CN102769087A (zh) | 基于通孔封装技术的发光二极管及其制造工艺 | |
| CN102738365A (zh) | 一种基于dfn、qfn的新型led封装件及其制作方法 | |
| CN204167364U (zh) | 高导热氮化铝全瓷led封装外壳 | |
| CN102368532A (zh) | 一种带金属散热片的led封装结构 | |
| CN102255034B (zh) | 发光二极管封装结构 | |
| CN103928577A (zh) | 一种板式led的封装方法及采用该方法封装的led | |
| CN103824926A (zh) | 一种多芯片led封装体的制作方法 | |
| CN102176503A (zh) | 基于硅基散热的led封装结构及制作方法 | |
| EP3006814A1 (en) | Led bulb light with high luminous efficacy | |
| CN202957289U (zh) | 光源模块 | |
| CN205429001U (zh) | 一种led cob光源封装结构 | |
| CN204011481U (zh) | 电热分离并集成led芯片的高反射率电路板 | |
| TW201429009A (zh) | 發光二極體裝置及散熱基板的製造方法 | |
| CN207116465U (zh) | 一种易封装易散热倒装高压led芯片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 050051 No. 113 Cooperative Road, Xinhua District, Shijiazhuang City, Hebei Province Patentee after: Hebei Zhongchi Electronic Technology Co., Ltd. Address before: 050051 No. 113 Cooperative Road, Xinhua District, Shijiazhuang City, Hebei Province Patentee before: HEBEI SINOPACK ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |