CN102738365A - 一种基于dfn、qfn的新型led封装件及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法，属于电子信息自动化元器件制造技术领域。封装件包括引线框架载体，粘片胶，IC芯片，键合线，塑封体，引线框架载体上固定粘片胶，粘片胶上固定IC芯片，IC芯片的PAD键合线与引线框架载体相连，构成了电路的电流和信号通道，塑封料包围了引线框架载体、粘片胶、IC芯片、IC芯片上的PAD与引线框架载体连接的键合线构成电路整体；本发明可有效缩小产品尺寸，且属于载体外露的高密度封装，不但降低了成本，而且扩大了产品的应用范围，提高封装可靠性。

Description

一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法，属于电子信息自动化元器件制造技术领域。
背景技术
DFN是一种最新的的电子封装工艺.采用先进的双边扁平无铅封装(DFN)。DFN平台是最新的表面贴装封装技术。印刷电路板(PCB)的安装垫、阻焊层和模版样式设计以及组装过程，都需要遵循相应的原则。DFN平台具有多功能性，可以让一个或多个半导体器件在无铅封装内连接。
QFN(Quad Flat No-lead Package，方形扁平无引脚封装)是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴的表面贴装芯片封装技术。由于底部中央大暴露的焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上，使得QFN具有极佳的电和热性能。QFN是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置一个大面积裸露的焊盘，具有导热的作用，在大焊盘的封装外围有实现电气连接的导电焊盘。由于QFN封装不像传统的SOIC与TSOP封装那样具有鸥翼状引线，内部引脚与焊盘之间的导电路径短，自感系数以及封装体内布线电阻很低，所以，它能提供卓越的电性能。此外，它还通过外露的引线框架焊盘提供了出色的散热性能，该焊盘具有直接散热的通道，用于释放封装内的热量。通常，将散热焊盘直接焊接在电路板上，并且PCB中的散热过孔有助于将多余的功耗扩散到铜接地板中，从而吸收多余的热量。由于体积小、重量轻，加上杰出的电性能和热性能，这种封装特别适合任何一个对尺寸、重量和性能都有要求的应用。
LED(Light-Emitting-Diode，为发光二极管)是一种能够将电能转化为光能的半导体，它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理，而采用电场发光。据分析，LED的特点非常明显，寿命长、光效高、无辐射与低功耗。LED的光谱几乎全部集中于可见光频段，其发光效率可超过150lm/W(2010年)。将LED与普通白炽灯、螺旋节能灯及T5三基色荧光灯进行对比，结果显示：普通白炽灯的光效为12lm/W，寿命小于2000小时，螺旋节能灯的光效为60lm/W，寿命小于8000小时，T5荧光灯则为96lm/W，寿命大约为10000小时，而直径为5毫米的白光LED光效理论上可以超过150lm/W，寿命可大于100000小时。有人还预测，未来的LED寿命上限将无穷大。然而，LED灯的工作原理使得在大功率LED照明行业里散热问题变得非常突出，许多LED照明方案不够重视散热，或者是技术水平有限，所以目前量产的大功率LED灯普遍存在实际使用寿命远远不如理论值，性价比低于传统灯具的尴尬情况，目前还没有真正做到适合商业化的量产。
传统的LED工艺有着污染物焊接。焊点损伤变形等常见缺陷，封装过程次品率较高，而且产品尺寸较大，应用有局限。
发明内容
针对上述基于DFN、QFN封装的新型LED封装件的缺点，提供一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法，可有效缩小产品尺寸，且属于载体外露的高密度封装，不但降低了成本，而且扩大了产品的应用范围，提高封装可靠性。
本发明采用的技术方案：封装件包括引线框架载体1，粘片胶2，IC芯片3，键合线4，塑封体5，引线框架载体1上固定粘片胶2，粘片胶2上固定IC芯片3，IC芯片3的PAD键合线4与引线框架载体1相连，构成了电路的电流和信号通道，塑封料5包围了引线框架载体1、粘片胶2、TC芯片3、IC芯片3上的PAD与引线框架载体1连接的键合线4构成电路整体。
所述的粘片胶2为导电胶或绝缘。
所述的一种基于DFN、QFN的新型LED封装件的制作方法按照以下步骤进行：
第一步、晶圆减薄；晶圆减薄厚度为50μm～200μm，粗糙度Ra 0.10um～0.30um；
第二步、划片；
第三步、采用粘片胶上芯；
第四步、压焊；
第五步、采用传统塑封料进行一次塑封；
第六步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。
所述的方法中的第二步中150μm以上的晶圆采用普通QFN划片工艺；厚度在150μm以下晶圆，采用双刀划片机及其工艺；所述的方法中的第三步中上芯时采用的粘片胶可以用胶膜片(DAF)替换；第五步中传统塑封料采用9220进行塑封。
所述的方法中的第四步、第五步、第六步均与常规AAQFN工艺相同。
本发明的有益效果：可有效缩小产品尺寸，且属于载体外露的高密度封装，不但降低了成本，而且扩大了产品的应用范围，提高封装可靠性。
附图说明
图1为本发明的框架剖面图；
图2为本发明的上芯后产品剖面图；
图3为本发明的压焊后产品剖面图；
图4为本发明的塑封后产品剖面图。
图中：1-引线框架载体、2-粘片胶、3-IC芯片、4-键合线、5-塑封体。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细说明。
如图4所示：本发明包括引线框架载体1，粘片胶2，IC芯片3，键合线4，塑封体5，引线框架载体1上是粘片胶2，粘片胶2为导电胶或绝缘胶，粘片胶2上是IC芯片3，IC芯片3上的PAD键合线4与引线框架载体1相连，构成了电路的电流和信号通道。塑封料5围了引线框架载体1、粘片胶2、IC芯片3、IC芯片3上的PAD与引线框架载体1连接的键合线4构成电路整体，对IC芯片3和键合线4到支撑和保护作用。
实施例1
一种基于DFN、QFN的新型LED封装件的制作方法按照以下步骤进行：
第一步、晶圆减薄；晶圆减薄厚度为50μm，粗糙度Ra 0.10um；
第二步、采用双刀划片机及其工艺进行划片；
第三步、采用粘片胶上芯；
第四步、采用常规AAQFN工艺进行压焊；
第五步、采用传统塑封料9220进行塑封；
第六步、采用常规AAQFN工艺进行后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。
实施例2
一种基于DFN、QFN的新型LED封装件的制作方法按照以下步骤进行：
第一步、晶圆减薄；晶圆减薄厚度为130μm，粗糙度Ra 0.20um；
第二步、采用双刀划片机及其工艺进行划片；
第三步、采用胶膜片(DAF)上芯；
第四步、采用常规AAQFN工艺进行压焊；
第五步、采用传统塑封料9220进行塑封；
第六步、采用常规AAQFN工艺进行后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。
实施例3
一种基于DFN、QFN的新型LED封装件的制作方法按照以下步骤进行：
第一步、晶圆减薄；晶圆减薄厚度为160μm，粗糙度Ra 0.30um；
第二步、采用普通QFN划片工艺；
第三步、采用胶膜片(DAF)上芯；
第四步、采用常规AAQFN工艺进行压焊；
第五步、采用传统塑封料9220进行塑封；
第六步、采用常规AAQFN工艺进行后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。

Claims (6)

1.一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法，其特征在于：封装件包括引线框架载体，粘片胶，IC芯片，键合线，塑封体，引线框架载体上固定粘片胶，粘片胶上固定IC芯片，IC芯片的PAD键合线与引线框架载体相连，构成了电路的电流和信号通道，塑封料包围了引线框架载体、粘片胶、IC芯片、IC芯片上的PAD与引线框架载体连接的键合线构成电路整体。
2.根据权利要求1所述的一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法，其特征在于：所述的粘片胶为导电胶或绝缘。
3.根据权利要求1所述的一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法，其特征在于：所述的一种基于DFN、QFN的新型LED封装件的生产方法按照以下步骤进行：
第一步、晶圆减薄；晶圆减薄厚度为50μm～200μm，粗糙度Ra 0.10um～0.30um；
第二步、划片；
第三步、采用粘片胶上芯；
第四步、压焊；
第五步、采用传统塑封料进行一次塑封；
第六步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。
4.根据权利要求3所述的一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法，其特征在于：所述的方法中的第二步中150μm以上的晶圆采用普通QFN划片工艺；厚度在150μm以下晶圆，采用双刀划片机及其工艺。
5.根据权利要求3所述的一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法，其特征在于：所述的方法中的第三步中上芯时采用的粘片胶可以用胶膜片(DAF)替换。
6.根据权利要求3所述的一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法，其特征在于：第五步中传统塑封料采用9220进行塑封。
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Date Code Title Description
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PB01 Publication
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Guo Xiaowei

Inventor after: Cui Meng

Inventor after: Liu Jianjun

Inventor after: Pu Hongming

Inventor after: Ma Mianzhi

Inventor before: Guo Xiaowei

Inventor before: Cui Meng

Inventor before: Liu Jianjun

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: GUO XIAOWEI CUI MENG LIU JIANJUN TO: GUO XIAOWEI CUI MENG LIU JIANJUN PU HONGMING MA MIANZHI

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Application publication date: 20121017

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