JPH09172054A - 静電チャック - Google Patents
静電チャックInfo
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- JPH09172054A JPH09172054A JP32912295A JP32912295A JPH09172054A JP H09172054 A JPH09172054 A JP H09172054A JP 32912295 A JP32912295 A JP 32912295A JP 32912295 A JP32912295 A JP 32912295A JP H09172054 A JPH09172054 A JP H09172054A
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Abstract
化アルミニウム絶縁層では、膜と基材との界面で残留応
力が発生したり、膜自体の強度や靱性が低下し、基体の
反りや膜のクラックあるいは剥離が生じやすいという問
題があった。 【解決手段】基体1の表面に窒化アルミニウムを主成分
とする絶縁層3を具備した静電チャックにおいて、窒化
アルミニウムのX線回折曲線における(002)面のピ
ーク強度をI(002)、(100)面のピーク強度を
I(100)とした時、I(002)/I(100)で
表されるピーク強度比が0.3〜4.0であることを特
徴とする。
Description
においてウエハを静電的に吸着保持して処理したり、搬
送するための静電チャックに関し、特に耐久性に優れた
静電チャックに関する。
リコンウエハ等の半導体を成膜やエッチングするために
はシリコンウエハの平坦度を保ちながら保持する必要が
あり、このような手段としては機械式、真空吸着式、静
電吸着式が提案されている。
ウエハを保持することのできる静電チャックはシリコン
ウエハの加工を行うに際して要求される加工面の平坦度
や平向度を容易に実現することができ、さらにシリコン
ウエハを真空中で加工処理することができるため、半導
体の製造に際して最も適している。
上するに従い、静電チャックの精度が高度化し、さらに
耐食性、耐摩耗性、耐熱衝撃性に優れたセラミックス製
静電チャックが要求されるようになってきた。特に表面
の状態が重要である静電チャックは、基板の表面に所望
の材料を被覆することにより、表面特性特性を向上する
ことができる。そこで、電極板の上にアルミナ、サファ
イヤ等からなる絶縁層を形成したもの(特開昭60ー2
61377号)、絶縁性基体の上に導電層を形成しその
上に絶縁層を形成したもの(特開平4ー34953
号)、絶縁性基体内部に導電層を組み込んだもの(特開
昭62ー94953号)などが提案されている。
静電チャックにおいては、プラズマ中での耐久性に劣る
という問題があった。そこで、最近では、耐プラズマ性
に優れたセラミック材料として窒化アルミニウムを選択
し、これをCVD法などにより被覆した静電チャックが
特公平5−66919号、特開昭62−124735
号、特開平3−183151号、特開平3−12364
号等により提案されている。
とで熱膨脹係数が大きく異なる異方性の強い材料である
ため、基体と膜との間に熱膨張率差が生じ、残留応力が
発生する。従って、窒化アルミニウム膜に特開平3−1
2364号に示されるような配向性が存在すると膜と基
材との界面で残留応力が発生し、あるいは膜自体の強度
や靱性が低下し、その結果として基材の反りや膜のクラ
ック、あるいは剥離が生じやすくなるという問題があっ
た。
に対して特に静電チャックを構成する材料の観点から検
討を重ねた結果、基体表面に形成される窒化アルミニウ
ム絶縁層において、X線回折曲線における(002)面
のピーク強度と、(100)面のピーク強度が所定の関
係を満たす時、発生応力が小さくなってクラックや剥離
のない信頼性の高いものが得られることを見いだしたの
である。
面に窒化アルミニウムを主成分とする絶縁層を具備し、
窒化アルミニウムのX線回折曲線における(002)面
のピーク強度をI(002)、(100)面のピーク強
度をI(100)とした時、I(002)/I(10
0)で表されるピーク強度比が0.3〜4.0であるこ
とを特徴とするものであり、特に窒化アルミニウム絶縁
層が化学気相合成法により被覆され、さらには、この絶
縁層が0.01〜1.0mmの厚みで形成してなること
を特徴とするものである。
ルミニウムは、結晶学的に、a軸とc軸とで熱膨脹係数
が大きく異なる異方性を有する。そのため、基体との間
に熱膨張率差が生じ、残留応力が発生しやすい。特に、
窒化アルミニウム絶縁層に配向性が存在すると膜と基体
との界面で残留応力が発生し、あるいは膜自体の強度や
靱性が低下し、その結果として基材の反りや膜のクラッ
ク、あるいは剥離の原因となる。しかも、配向した膜で
は柱状に結晶が発達し、基板に垂直にその結晶が成長す
る。しかし、柱状組織は靱性が低いために、特に膜の研
磨時等において、クラックが伝搬しやすくクラックや剥
離の原因になりやすい。
の配向をX線回折曲線において、c軸に起因する(00
2)面と、a軸に起因する(100)面とのピーク強度
により、それらのピーク強度をI(002)、I(10
0)とした時に、(002)/(100)で表されるピ
ーク強度比を0.3〜4.0となるように制御すること
により、絶縁層の膜の配向を制御し、非柱状組織にする
ことによって絶縁層の靱性を高め、クラックの伝搬が生
じにくくするため、絶縁層の強度が高まってクラックや
剥離を防止することができる。このように、本発明によ
れば、格別に複雑な構造をとる必要がなく、剥離しにく
い絶縁層を形成することができるために、静電チャック
として信頼性、長期安定性が保証される。
構造を図1に示した。図1によれば、静電チャックは、
絶縁体からなる基体1と、その基体1表面に形成された
電極2および絶縁層3により構成される。絶縁層3は、
窒化アルミニウムを主相とし、少なくともウエハ4の載
置面、あるいは半導体製造装置内に露出している基体面
全体に形成される。また、図2は他の構造を示すもので
あり、電極2は、基体1中の配置され、この基体1上に
絶縁層3が形成されている。絶縁層3は、窒化アルミニ
ウムを主相とし、少なくともウエハ4の載置面に形成さ
れている。図1および図2のいずれの場合においても、
基体1内にヒータを内蔵したり、冷却剤の循環路等を形
成してもよい。
3はX線回折曲線において、(002)面のピーク強度
をI(002)、(100)面のピーク強度をI(10
0)とした時、I(002)/I(100)で表される
ピーク強度比が0.3〜4.0、特に、0.45〜2.
0であることが大きな特徴である。
0)が0.3より小さいと、窒化アルミニウム絶縁層
は、a軸に配向した柱状膜からなり、また4.0を越え
ると、c軸に配向した柱状膜となり、いずれも膜強度が
低下する。したがって、ピーク強度比が上記の範囲にお
いて、窒化アルミニウム絶縁層は、非柱状組織、具体的
には粒状の組織からなり、膜強度が向上して耐剥離性が
高くなる。また、ピーク強度比が0.45〜2.0であ
れば非柱状組織がより強まり、さらに剥離に対して強い
膜を形成することができる。
いかなる方法で形成されても構わないが、例えば、スパ
ッタリング、イオンプレーティングなどの物理気相合成
法(PVD法)や、プラズマCVD、光CVD、MO
(Metal−organic)CVDなどの化学気相
合成法(CVD法)により形成されるが、特に、高速成
長の点でCVD法が望ましい。
絶縁層の(002)面と(100)面のピーク強度を制
御する方法としては、例えば、CVD法において、成膜
温度を通常の温度よりも100℃ほど高く、具体的に
は、800〜1000℃の温度に設定するとともに、反
応室の圧力を15〜200torrの比較的高めに設定
するか、または反応ガスを連続的ではなく、間欠的に導
入して核発生を随時起こして結晶成長を抑制しながら成
膜すればよい。
は、最表面が上記窒化アルミニウムからなる絶縁層であ
ることを除き、あらゆるものが使用できるが、具体的に
はAl2 O3 、AlON、Si3 N4 、ダイヤモンド、
ムライト、ZrO2 などが挙げられるが、これらの中で
も半導体製造時の耐プラズマ性に優れる点で窒化アルミ
ニウムを主体とする焼結体が最も望ましい。
金属材料が適用でき、例えば、W、Mo、Mo−Mnを
少なくとも1種類を含むものが使用可能である。また、
導電性のセラミック材料、例えばTiN、SiC、W
C、カーボンやSi半導体材料(n型あるいはp型)も
電極材料として使用が可能である。その他、基体とし
て、電極層3を形成せず、それ自体が導電性を有するS
iC、TiN、WCを主とする導電性セラミックス、
W、Moなどの金属単体およびこれらの合金などにより
形成することも可能であり、その場合には導電性基体そ
のものに直接電圧を印加する。
Wを主成分とする電極層を形成した後、その表面に化学
気相合成法によって窒化アルミニウム(AlN)からな
る絶縁層を形成した。AlN絶縁層の成膜は、基体を外
熱式によって表1の温度に加熱した炉に入れ、窒素を8
(l/min)、アンモニアを1(l/min)、N2
Oガスを0〜200(cc/min)の比率で流して炉
内圧力を表1の圧力に設定した。そして、塩化アルミニ
ウムを0.3(l/min)流して反応を開始し、表1
の膜厚の絶縁層を形成し静電チャックを得た。なお、試
料No.10については、塩化アルミニウムを間欠的に導
入しながら成膜を行った。
行い、(002)面のピーク強度をI(002)、(1
00)面のピーク強度をI(100)とした時、I(0
02)/I(100)で表されるピーク強度比を表1に
示した。また、絶縁層に対して、電子顕微鏡写真により
組織の観察を行なった。
化アルミニウム絶縁層の形成後の基板の反りを測定し、
膜のクラックまたは剥離の発生を観察した。結果は、表
1に示した。
度比が0.3より小さい試料No.9では、a軸配向の柱
状組織からなり、基板の反りが17μmと大きいもので
あった。また、ピーク強度比が4.0を越える試料No.
1、3、4ではc軸配向の柱状組織からなり、基板の反
りが非常に大きく、絶縁層の一部に剥離、およびクラッ
クの発生が認められた。
非柱状の組織からなり、成膜後の基板の反りはいずれも
5μm以下と小さく、膜のクラックや剥離は全く見られ
なかった。特に、ピーク強度比が0.45〜2.0で
は、反りは3μm以下に抑制できた。
クは、窒化アルミニウム絶縁層の配向性を制御すること
により、絶縁層の耐剥離性を向上し、密着強度が高く優
れた信頼性と長期安定性が得られ、静電チャックの製造
コストの低減を図ることができる。
る。
である。
Claims (3)
- 【請求項1】基体の表面に窒化アルミニウムを主成分と
する絶縁層を具備した静電チャックにおいて、窒化アル
ミニウムのX線回折曲線における(002)面のピーク
強度をI(002)、(100)面のピーク強度をI
(100)とした時、I(002)/I(100)で表
されるピーク強度比が0.3〜4.0であることを特徴
とする静電チャック。 - 【請求項2】前記絶縁層が非柱状組織からなることを特
徴とする請求項1記載の静電チャック。 - 【請求項3】前記絶縁層が化学気相合成法により0.0
1〜1.0mmの厚みで被覆されたものであることを特
徴とする請求項1記載の静電チャック。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP32912295A JP3297571B2 (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP32912295A JP3297571B2 (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 静電チャック |
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JPH09172054A true JPH09172054A (ja) | 1997-06-30 |
JP3297571B2 JP3297571B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
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JP32912295A Expired - Fee Related JP3297571B2 (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 静電チャック |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP3297571B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6051303A (en) * | 1997-08-06 | 2000-04-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Semiconductor supporting device |
CN100345274C (zh) * | 2003-02-27 | 2007-10-24 | 株式会社日立高新技术 | 静电吸盘的制造方法 |
JP2008103753A (ja) * | 2007-12-10 | 2008-05-01 | Canon Anelva Corp | 半導体製造装置用静電吸着ステージ |
WO2017057273A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
US10707373B2 (en) | 2016-02-25 | 2020-07-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Polycrystalline gallium nitride self-supported substrate and light emitting element using same |
-
1995
- 1995-12-18 JP JP32912295A patent/JP3297571B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPWO2017057273A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2018-08-16 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
US10460970B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-10-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck |
US10707373B2 (en) | 2016-02-25 | 2020-07-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Polycrystalline gallium nitride self-supported substrate and light emitting element using same |
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