JPH09169969A - 半導体素子接着用樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
半導体素子接着用樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置Info
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- JPH09169969A JPH09169969A JP33192095A JP33192095A JPH09169969A JP H09169969 A JPH09169969 A JP H09169969A JP 33192095 A JP33192095 A JP 33192095A JP 33192095 A JP33192095 A JP 33192095A JP H09169969 A JPH09169969 A JP H09169969A
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 硬化性に優れ、熱時接着強度が良好な半導体
素子接着用樹脂ペーストを提供すること。 【解決手段】 エポキシ樹脂、少なくとも１分子中に２
個以上の水酸基を有するフェノール類、無機フィラー、
及び有機リン化合物塩を必須成分とする樹脂ペーストで
あって、該全樹脂ペースト中にエポキシ樹脂が１０〜８
０重量％、１分子中に少なくとも２個以上の水酸基を有
するフェノール類が０．９〜３０重量％、無機フィラー
が１０〜８５重量％、有機リン化合物塩０．０１〜１０
重量％含まれている半導体素子接着用樹脂ペースト。
素子接着用樹脂ペーストを提供すること。 【解決手段】 エポキシ樹脂、少なくとも１分子中に２
個以上の水酸基を有するフェノール類、無機フィラー、
及び有機リン化合物塩を必須成分とする樹脂ペーストで
あって、該全樹脂ペースト中にエポキシ樹脂が１０〜８
０重量％、１分子中に少なくとも２個以上の水酸基を有
するフェノール類が０．９〜３０重量％、無機フィラー
が１０〜８５重量％、有機リン化合物塩０．０１〜１０
重量％含まれている半導体素子接着用樹脂ペースト。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半
導体素子を金属フレーム等の基板に接着させる半導体素
子接着用樹脂ペーストに関するものである。
導体素子を金属フレーム等の基板に接着させる半導体素
子接着用樹脂ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を金属フレームに接着させる
工程、いわゆるダイボンディング工程において、導電性
樹脂ペーストを用いる方法では半導体素子を金属フレー
ムにマウント後硬化する必要がある。従来はオーブンに
よるバッチ方式での硬化が主流であった。ところが近年
半導体素子を金属フレームにマウントするダイボンダー
の横に硬化炉を接続させ、ダイボンディング、硬化、ワ
イヤーボンディングの工程を同一ライン上で一括して行
え、生産性の向上が図れるインライン方式が採用され、
今後さらに増加する傾向にある。一方、このインライン
方式は硬化装置が従来のオーブンに比べ非常に高価であ
り、同一工場内でインライン方式とオーブンによるバッ
チ方式が混在する場合が多い。このような場合インライ
ン方式用、バッチ方式用と硬化方式毎に半導体素子接着
用樹脂ペーストを使い分けるのは在庫管理や作業者にと
って非常に困難とのことからどちらの方式でも硬化が可
能な半導体素子接着用樹脂ペーストを求められている。
インライン方式では従来のバッチ方式に比べ硬化時間の
制約があり、例えば硬化時間が従来のバッチ方式では１
５０〜２００℃で６０〜１２０分であったが、インライ
ン方式では１５０〜２００℃で１５〜１２０秒でなけれ
ばならない。これらの硬化条件の相違はエポキシ樹脂を
用いた半導体素子接着用樹脂ペーストに用いる硬化剤の
反応性に起因する。主に短時間で硬化するインライン硬
化用の半導体素子接着用樹脂ペーストの場合、オーブン
硬化時の接着強度や導電性等の性能がインライン硬化時
に比べ非常に劣る。逆にオーブン硬化用の半導体素子接
着用樹脂ペーストでは、インライン方式の制約される硬
化時間内では硬化が終了しない。そのためオーブン硬化
とインライン硬化の併用は非常に困難な問題であった。
工程、いわゆるダイボンディング工程において、導電性
樹脂ペーストを用いる方法では半導体素子を金属フレー
ムにマウント後硬化する必要がある。従来はオーブンに
よるバッチ方式での硬化が主流であった。ところが近年
半導体素子を金属フレームにマウントするダイボンダー
の横に硬化炉を接続させ、ダイボンディング、硬化、ワ
イヤーボンディングの工程を同一ライン上で一括して行
え、生産性の向上が図れるインライン方式が採用され、
今後さらに増加する傾向にある。一方、このインライン
方式は硬化装置が従来のオーブンに比べ非常に高価であ
り、同一工場内でインライン方式とオーブンによるバッ
チ方式が混在する場合が多い。このような場合インライ
ン方式用、バッチ方式用と硬化方式毎に半導体素子接着
用樹脂ペーストを使い分けるのは在庫管理や作業者にと
って非常に困難とのことからどちらの方式でも硬化が可
能な半導体素子接着用樹脂ペーストを求められている。
インライン方式では従来のバッチ方式に比べ硬化時間の
制約があり、例えば硬化時間が従来のバッチ方式では１
５０〜２００℃で６０〜１２０分であったが、インライ
ン方式では１５０〜２００℃で１５〜１２０秒でなけれ
ばならない。これらの硬化条件の相違はエポキシ樹脂を
用いた半導体素子接着用樹脂ペーストに用いる硬化剤の
反応性に起因する。主に短時間で硬化するインライン硬
化用の半導体素子接着用樹脂ペーストの場合、オーブン
硬化時の接着強度や導電性等の性能がインライン硬化時
に比べ非常に劣る。逆にオーブン硬化用の半導体素子接
着用樹脂ペーストでは、インライン方式の制約される硬
化時間内では硬化が終了しない。そのためオーブン硬化
とインライン硬化の併用は非常に困難な問題であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、インライン
方式、バッチ方式硬化のどちらでも硬化が可能で、硬化
性に優れ、熱時接着強度が良好な半導体素子接着用樹脂
ペーストを提供するものである。
方式、バッチ方式硬化のどちらでも硬化が可能で、硬化
性に優れ、熱時接着強度が良好な半導体素子接着用樹脂
ペーストを提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ樹脂、（Ｂ）少なくとも１分子中に２個以上の水酸基
を有するフェノール類、（Ｃ）無機フィラー、及び
（Ｄ）下記式（１）に表される有機リン化合物塩を必須
成分とする樹脂ペーストであって、該全樹脂ペースト中
に１分子中に少なくとも２個以上の水酸基を有するたフ
ェノール類（Ｂ）が０．９〜３０重量％、無機フィラー
（Ｃ）が１０〜８５重量％、有機リン化合物塩（Ｄ）
０．０１〜１０重量％含まれており、また本発明に用い
る有機リン化合物塩が下記式（２）で示される化合物で
あることを特徴とする半導体素子接着用樹脂ペースト及
び上記の半導体素子接着用樹脂ペーストを用いて製造さ
れた半導体装置に関するものである。更に無機フィラー
が銀粉である導電性樹脂ペースト及び上記の導電性樹脂
ペーストを用いて製造された半導体装置に関するもので
あり、また無機フィラーがシリカである絶縁樹脂ペース
ト及び上記の絶縁樹脂ペーストを用いて製造された半導
体装置に関するものである。
シ樹脂、（Ｂ）少なくとも１分子中に２個以上の水酸基
を有するフェノール類、（Ｃ）無機フィラー、及び
（Ｄ）下記式（１）に表される有機リン化合物塩を必須
成分とする樹脂ペーストであって、該全樹脂ペースト中
に１分子中に少なくとも２個以上の水酸基を有するたフ
ェノール類（Ｂ）が０．９〜３０重量％、無機フィラー
（Ｃ）が１０〜８５重量％、有機リン化合物塩（Ｄ）
０．０１〜１０重量％含まれており、また本発明に用い
る有機リン化合物塩が下記式（２）で示される化合物で
あることを特徴とする半導体素子接着用樹脂ペースト及
び上記の半導体素子接着用樹脂ペーストを用いて製造さ
れた半導体装置に関するものである。更に無機フィラー
が銀粉である導電性樹脂ペースト及び上記の導電性樹脂
ペーストを用いて製造された半導体装置に関するもので
あり、また無機フィラーがシリカである絶縁樹脂ペース
ト及び上記の絶縁樹脂ペーストを用いて製造された半導
体装置に関するものである。
【０００５】
【化４】 （Ｒ1：炭素数１〜１０のアルキル基、アルコキシ基及
びフェニル基、クレジル基、ナフチル基等のアリル基で
あり、同一でも異なってもよい。 Ｒ2：テトラアルキル又はテトラアリルの有機ホウ素
塩、安息香酸、ナフトエ酸等の芳香族カルボン酸塩、炭
素数１〜１０の脂肪族カルボン酸塩、フェノール、ナフ
トール及びその誘導体のフェノール塩、スルフォン酸
塩、スルフィン酸塩。ｎ＝１〜３）
びフェニル基、クレジル基、ナフチル基等のアリル基で
あり、同一でも異なってもよい。 Ｒ2：テトラアルキル又はテトラアリルの有機ホウ素
塩、安息香酸、ナフトエ酸等の芳香族カルボン酸塩、炭
素数１〜１０の脂肪族カルボン酸塩、フェノール、ナフ
トール及びその誘導体のフェノール塩、スルフォン酸
塩、スルフィン酸塩。ｎ＝１〜３）
【０００６】
【化５】
【０００７】本発明に用いるエポキシ樹脂は常温で液状
のものに限定しているが、常温で液状でないと銀粉又は
シリカとの混練において、溶剤をより多く必要とする。
溶剤は気泡発生の原因となり、硬化物の接着強度を低下
させてしまう。本発明に用いるエポキシ樹脂として例え
ばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ，フェノールノ
ボラック樹脂とエピクロルヒドリンとの反応で得られる
ポリグリシジルエーテルで常温のもの、ビニルシクロヘ
キセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、ア
リサイクリックジエポキシ−アジペイドの様な脂環式エ
ポキシ、更にｎ−ブチルグリシジルエーテル、バーサテ
ィック酸グリシジルエステル、スチレンオキサイドフェ
ニルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエ
ーテル、クレジルグリシジルエーテル、ジシクロペンタ
ジエンジエポキシドの様な通常エポキシ樹脂の希釈剤と
して用いられるものがある。
のものに限定しているが、常温で液状でないと銀粉又は
シリカとの混練において、溶剤をより多く必要とする。
溶剤は気泡発生の原因となり、硬化物の接着強度を低下
させてしまう。本発明に用いるエポキシ樹脂として例え
ばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ，フェノールノ
ボラック樹脂とエピクロルヒドリンとの反応で得られる
ポリグリシジルエーテルで常温のもの、ビニルシクロヘ
キセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、ア
リサイクリックジエポキシ−アジペイドの様な脂環式エ
ポキシ、更にｎ−ブチルグリシジルエーテル、バーサテ
ィック酸グリシジルエステル、スチレンオキサイドフェ
ニルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエ
ーテル、クレジルグリシジルエーテル、ジシクロペンタ
ジエンジエポキシドの様な通常エポキシ樹脂の希釈剤と
して用いられるものがある。
【０００８】本発明において硬化剤として用いる少なく
とも１分子中に２個以上の水酸基を有するフェノール類
は、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノ
ールＡＰ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＺ、ジメ
チルビスフェノールＡ、ジメチルビスフェノールＦ、テ
トラメチルビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノ
ールＦ、ビフェノール、テトラメチルビフェノール、ジ
ヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、ｏ−ヒドロキシフェノール、ｍ−ヒドロキシフ
ェノール、ｐ−ヒドロキシフェノール、、フェノールノ
ボラック樹脂やオルソクレゾールノボラック樹脂等のポ
リフェノール類、トリヒドロキシフェニルメタンやトリ
ヒドロキシフェニルメタン等のトリスフェノール類、等
が挙げられる。またこれらは単独でも混合して用いても
良い。全樹脂ペースト中に含まれるフェノール類が０．
９重量％未満だと良好な硬化物が得られず、接着強度が
著しく低下する。また３０重量％を越えると粘度が著し
く高くなり塗布作業が低下する。
とも１分子中に２個以上の水酸基を有するフェノール類
は、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノ
ールＡＰ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＺ、ジメ
チルビスフェノールＡ、ジメチルビスフェノールＦ、テ
トラメチルビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノ
ールＦ、ビフェノール、テトラメチルビフェノール、ジ
ヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、ｏ−ヒドロキシフェノール、ｍ−ヒドロキシフ
ェノール、ｐ−ヒドロキシフェノール、、フェノールノ
ボラック樹脂やオルソクレゾールノボラック樹脂等のポ
リフェノール類、トリヒドロキシフェニルメタンやトリ
ヒドロキシフェニルメタン等のトリスフェノール類、等
が挙げられる。またこれらは単独でも混合して用いても
良い。全樹脂ペースト中に含まれるフェノール類が０．
９重量％未満だと良好な硬化物が得られず、接着強度が
著しく低下する。また３０重量％を越えると粘度が著し
く高くなり塗布作業が低下する。
【０００９】本発明に用いる無機フィラーは、５０μｍ
以下のものが望ましい。５０μｍを越えるとペースト塗
布時にニードル詰まりが起こりやすい。無機フィラーに
含まれるナトリウム、塩素等のイオン性不純物は使用さ
れる分野が半導体関連であり、ＬＳＩ等の信頼性からも
なるべく少ないことが望ましく、例えば、プレシャーク
ッカーで１２５℃、２０時間抽出で２０ｐｐｍ以下であ
ることが望ましい。また形状もフレーク状、球状、破砕
等があり、いずれも単独及び併用することが可能であ
る。また無機フィラーとしては、導電性が必要な場合銀
粉を用い、絶縁性が必要な場合はシリカを用いることが
好ましい。その添加量は全樹脂ペースト中に銀粉の場合
６０〜８５重量％、シリカの場合１０〜７０重量％が好
ましい。銀粉が６０重量％未満だと良好な導電性が得ら
れず、８５重量％を越えると粘度が高くなり著しく塗布
作業性を悪化させる。シリカが１０重量％未満だと粘度
が低くなり充分なチキソトロピーが得られず、塗布作業
性が悪化し、７０重量％を越えると粘度が高くなり良好
な塗布作業性が得られない。
以下のものが望ましい。５０μｍを越えるとペースト塗
布時にニードル詰まりが起こりやすい。無機フィラーに
含まれるナトリウム、塩素等のイオン性不純物は使用さ
れる分野が半導体関連であり、ＬＳＩ等の信頼性からも
なるべく少ないことが望ましく、例えば、プレシャーク
ッカーで１２５℃、２０時間抽出で２０ｐｐｍ以下であ
ることが望ましい。また形状もフレーク状、球状、破砕
等があり、いずれも単独及び併用することが可能であ
る。また無機フィラーとしては、導電性が必要な場合銀
粉を用い、絶縁性が必要な場合はシリカを用いることが
好ましい。その添加量は全樹脂ペースト中に銀粉の場合
６０〜８５重量％、シリカの場合１０〜７０重量％が好
ましい。銀粉が６０重量％未満だと良好な導電性が得ら
れず、８５重量％を越えると粘度が高くなり著しく塗布
作業性を悪化させる。シリカが１０重量％未満だと粘度
が低くなり充分なチキソトロピーが得られず、塗布作業
性が悪化し、７０重量％を越えると粘度が高くなり良好
な塗布作業性が得られない。
【００１０】本発明に用いる有機リン化合物塩は強塩基
であり、本発明で用いるエポキシ樹脂とフェノール類の
ような活性水素を有する化合物の求核的な付加反応の触
媒となる。一方有機リン化合物が塩の型でない場合塩基
性が更に強くなり、エポキシ樹脂とフェノール類の反応
が非常に短時間で終わるため、本発明のような半導体素
子接着用樹脂ペーストの塗布作業性が著しく低下した
り、保存安定性を著しく低下させる。本発明で用いる有
機リン化合物塩としてはテトラアルキルフォスフィン、
テトラアリールフォスフィン、テトラアルコキシフォス
フィン、テトラフェノキシフォスフィン等の四置換の有
機リン化合物の芳香族、脂肪族の有機ホウ素塩、芳香
族、脂肪族のカルボン酸、フェノール類、スルフォン
酸、スルフィン酸等の有機酸塩がある。有機リン化合物
を０．０１〜１０重量％に限定したのは、０．０１重量
％より少ないとオーブン硬化では硬化できるが、インラ
イン硬化では硬化せず。接着強度が充分に得られない。
また１０重量％より多いとインライン、オーブンのどち
らでも充分に硬化するが、ポットライフが短くなり、保
存安定性が著しく低下する。
であり、本発明で用いるエポキシ樹脂とフェノール類の
ような活性水素を有する化合物の求核的な付加反応の触
媒となる。一方有機リン化合物が塩の型でない場合塩基
性が更に強くなり、エポキシ樹脂とフェノール類の反応
が非常に短時間で終わるため、本発明のような半導体素
子接着用樹脂ペーストの塗布作業性が著しく低下した
り、保存安定性を著しく低下させる。本発明で用いる有
機リン化合物塩としてはテトラアルキルフォスフィン、
テトラアリールフォスフィン、テトラアルコキシフォス
フィン、テトラフェノキシフォスフィン等の四置換の有
機リン化合物の芳香族、脂肪族の有機ホウ素塩、芳香
族、脂肪族のカルボン酸、フェノール類、スルフォン
酸、スルフィン酸等の有機酸塩がある。有機リン化合物
を０．０１〜１０重量％に限定したのは、０．０１重量
％より少ないとオーブン硬化では硬化できるが、インラ
イン硬化では硬化せず。接着強度が充分に得られない。
また１０重量％より多いとインライン、オーブンのどち
らでも充分に硬化するが、ポットライフが短くなり、保
存安定性が著しく低下する。
【００１１】また本発明のような半導体素子接着用樹脂
ペーストではインライン方式の硬化工程において硬化時
間の制約である１５０℃〜２００℃、１５秒〜１２０秒
の条件では２３０℃以上の活性温度の触媒を用いた場合
硬化が完了せず、ダイボンディング工程後のワイヤーボ
ンディング工程でのアウトガスの発生原因になり、作業
性、信頼性を著しく低下させる。更に本発明の樹脂組成
物には必要に応じて有機リン化合物塩以外の硬化促進
剤、顔料、消泡剤などの添加剤を用いることができる。
本発明の製造方法は例えば各成分を予備混練した後、三
本ロールを用いて混練し、ペーストを得て真空下脱泡す
ることなどがある。
ペーストではインライン方式の硬化工程において硬化時
間の制約である１５０℃〜２００℃、１５秒〜１２０秒
の条件では２３０℃以上の活性温度の触媒を用いた場合
硬化が完了せず、ダイボンディング工程後のワイヤーボ
ンディング工程でのアウトガスの発生原因になり、作業
性、信頼性を著しく低下させる。更に本発明の樹脂組成
物には必要に応じて有機リン化合物塩以外の硬化促進
剤、顔料、消泡剤などの添加剤を用いることができる。
本発明の製造方法は例えば各成分を予備混練した後、三
本ロールを用いて混練し、ペーストを得て真空下脱泡す
ることなどがある。
【００１２】
【実施例】以下に本発明を実施例で具体的に説明する。 《実施例１〜８》ビスフェノールＡとエピクロルヒドリ
ンとの反応により得られるジグリシジルエーテル（エポ
キシ当量１８０で常温で液状、以下エポキシ樹脂）、希
釈剤としてクレジルグリシジルエーテル（以下ＣＧ
Ｅ）、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（水酸基
当量１１０）、ビスフェノールＦ（以下ＢＩＳ−Ｆ）
（水酸基当量１００）、硬化促進剤としてテトラフェニ
ルフォスフィン−テトラフェニルボレート（以下ＴＰＰ
−Ｋ）、テトラフェニルフォスフィン−ナフチルカルボ
キシレート（以下ＴＰＰ−Ｎ）、ジ（テトラブチルフォ
スフィン）−フタル酸（ＴＢＰ−Ｐ）、更に最大粒径５
０μｍ以下の銀粉及びシリカを表１に示す割合で配合
し、３本ロールで混練して導電性樹脂ペースト及び絶縁
性樹脂ペーストを得た。これらの樹脂ペーストを真空チ
ャンバーにて２ｍｍＨｇで３０分脱泡後、以下に示す方
法により各種性能を評価した。評価結果を表１に示す。
ンとの反応により得られるジグリシジルエーテル（エポ
キシ当量１８０で常温で液状、以下エポキシ樹脂）、希
釈剤としてクレジルグリシジルエーテル（以下ＣＧ
Ｅ）、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（水酸基
当量１１０）、ビスフェノールＦ（以下ＢＩＳ−Ｆ）
（水酸基当量１００）、硬化促進剤としてテトラフェニ
ルフォスフィン−テトラフェニルボレート（以下ＴＰＰ
−Ｋ）、テトラフェニルフォスフィン−ナフチルカルボ
キシレート（以下ＴＰＰ−Ｎ）、ジ（テトラブチルフォ
スフィン）−フタル酸（ＴＢＰ−Ｐ）、更に最大粒径５
０μｍ以下の銀粉及びシリカを表１に示す割合で配合
し、３本ロールで混練して導電性樹脂ペースト及び絶縁
性樹脂ペーストを得た。これらの樹脂ペーストを真空チ
ャンバーにて２ｍｍＨｇで３０分脱泡後、以下に示す方
法により各種性能を評価した。評価結果を表１に示す。
【００１３】・粘度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用
い、２５℃、２．５ｒｐｍでの測定値。また２５℃の恒
温槽にて３日間放置後の測定値を３日後の粘度とした。 ・体積抵抗率：スライドガラス上にペーストを幅４ｍ
ｍ、厚み３０μｍに塗布し、２００℃熱盤上にて６０秒
間（ＨＰ）、及び１８０℃オーブン中で６０分間（Ｏ
Ｖ）硬化した後の硬化物の体積抵抗率を測定した。 ・３５０℃熱時接着強度：２ｍｍ角のシリコンチップを
ペーストを用いて銅フレームにマウントし２００℃熱盤
上にて６０秒間（ＨＰ）、及び１８０℃オーブン中で６
０分間（ＯＶ）硬化した。硬化後、プッシュプルゲージ
を用い３５０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。 ・総合評価：粘度、体積抵抗率及び熱時接着強度の全て
を良好なものを○、１つでも不満足なものを×とした。
い、２５℃、２．５ｒｐｍでの測定値。また２５℃の恒
温槽にて３日間放置後の測定値を３日後の粘度とした。 ・体積抵抗率：スライドガラス上にペーストを幅４ｍ
ｍ、厚み３０μｍに塗布し、２００℃熱盤上にて６０秒
間（ＨＰ）、及び１８０℃オーブン中で６０分間（Ｏ
Ｖ）硬化した後の硬化物の体積抵抗率を測定した。 ・３５０℃熱時接着強度：２ｍｍ角のシリコンチップを
ペーストを用いて銅フレームにマウントし２００℃熱盤
上にて６０秒間（ＨＰ）、及び１８０℃オーブン中で６
０分間（ＯＶ）硬化した。硬化後、プッシュプルゲージ
を用い３５０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。 ・総合評価：粘度、体積抵抗率及び熱時接着強度の全て
を良好なものを○、１つでも不満足なものを×とした。
【００１４】《比較例１〜９》表２に示す配合割合で実
施例と全く同様にして導電性樹脂ペースト及び絶縁樹脂
ペーストを作製した。 比較例１、３では無機フィラー
を９０重量％添加したところ粘度が非常に高くなり、塗
布作業時にペーストの糸引きが発生し塗布作業性が著し
く低下した。比較例２では無機フィラーを５重量％しか
添加しないため粘度が著しく低下し、ペーストのタレが
発生し塗布作業性が低下した。比較例４では有機リン化
合物塩を添加しないため、熱盤での硬化が充分ではにた
め熱時接着強度が著しく低下した。比較例５では有機リ
ン化合物塩が１０重量％を越えた場合粘度経時変化が大
きく、保存安定性が低下した。比較例６では硬化剤にフ
ェノール類を用いずに２−イミダゾールを用いたが、熱
盤硬化での接着強度、体積抵抗率は充分であるがオーブ
ン硬化時の接着強度、体積抵抗率が充分ではない。比較
例７、８ではフェノール類が０．９重量％を下回った場
合は、硬化が充分に進まず、接着強度、体積抵抗率が低
下した。比較例９ではフェノール類が３０重量％を越え
た場合、ペーストの粘度が高くなり、塗布作業性が低下
する。
施例と全く同様にして導電性樹脂ペースト及び絶縁樹脂
ペーストを作製した。 比較例１、３では無機フィラー
を９０重量％添加したところ粘度が非常に高くなり、塗
布作業時にペーストの糸引きが発生し塗布作業性が著し
く低下した。比較例２では無機フィラーを５重量％しか
添加しないため粘度が著しく低下し、ペーストのタレが
発生し塗布作業性が低下した。比較例４では有機リン化
合物塩を添加しないため、熱盤での硬化が充分ではにた
め熱時接着強度が著しく低下した。比較例５では有機リ
ン化合物塩が１０重量％を越えた場合粘度経時変化が大
きく、保存安定性が低下した。比較例６では硬化剤にフ
ェノール類を用いずに２−イミダゾールを用いたが、熱
盤硬化での接着強度、体積抵抗率は充分であるがオーブ
ン硬化時の接着強度、体積抵抗率が充分ではない。比較
例７、８ではフェノール類が０．９重量％を下回った場
合は、硬化が充分に進まず、接着強度、体積抵抗率が低
下した。比較例９ではフェノール類が３０重量％を越え
た場合、ペーストの粘度が高くなり、塗布作業性が低下
する。
【００１５】 表 １ 実 施 例 １ ２ ３ ４ 配合（重量％） エポキシ樹脂 25 10 20 20 ＣＧＥ 5 4 4.9 4.9 フェノールノボラック 4.9 3.9 5 5 ＴＰＰ−Ｂ 0.1 ＴＰＰ−Ｎ 0.1 ＴＢＰ−Ｐ 0.1 0.1 銀粉 65 82 70 70 特性 粘度（ＰＳ） 初期 150 280 212 210 ３日後 152 290 210 208 体積抵抗率（Ω−ｃｍ） ＨＰ 1×10-4 1×10-4 2×10-4 4×10-4 ＯＶ 3×10-4 1×10-4 2×10-4 3×10-4 350℃熱時接着強度（ｇｆ) ＨＰ 700 820 690 650 ＯＶ 750 790 670 660 総合評価 ○ ○ ○ ○
【００１６】 表 ２ 実 施 例 ５ ６ ７ ８ 配合（重量％） エポキシ樹脂 20 21 10 13 ＣＧＥ 4.9 13 6 9 フェノールノボラック 11 3.7 8 ＢＩＳ−Ｆ 5 ＴＢＰ−Ｐ 0.1 5 0.3 8 銀粉 70 80 62 シリカ 50 特性 粘度（ＰＳ） 初期 178 150 260 224 ３日後 174 152 256 220 体積抵抗率（Ω−ｃｍ） ＨＰ 3×10-4 1×1015 3×10-4 2×10-4 ＯＶ 2×10-4 1×1015 3×10-4 2×10-4 350℃熱時接着強度（ｇｆ) ＨＰ 500 450 670 780 ＯＶ 500 450 700 820 総合評価 ○ ○ ○ ○
【００１７】 表 ３ 比 較 例 １ ２ ３ ４ 配合（重量％） エポキシ樹脂 4 50 4 20 ＣＧＥ 3 30 3 5 フェノールノボラック 2.9 8 2.9 5 ＴＢＰ−Ｐ 0.1 7 0.1 銀粉 90 70 シリカ 5 90 特性 粘度（ＰＳ） 初期 450 50 620 212 ３日後 462 42 668 210 体積抵抗率（Ω−ｃｍ） ＨＰ 8×10-5 1×1015 1×1015 ＞2×10-2 ＯＶ 8×10-5 1×1015 1×1015 ＞2×10-2 350℃熱時接着強度（ｇｆ) ＨＰ 550 490 490 20 ＯＶ 620 440 520 600 総合評価 × × × ×
【００１８】 表 ４ 比 較 例 ５ ６ ７ ８ ９ 配合（重量％） エポキシ樹脂 10 18 42 15.7 20 ＣＧＥ 6 8 20.5 7 10 フェノールノボラック 3 0.5 0.3 ＢＩＳ−Ｆ 33 イミダゾール ２ＰＺ 4 ＴＢＰ−Ｐ 11 7 7 7 銀粉 70 70 70 シリカ 30 30 特性 粘度（ＰＳ） 初期 190 210 154 162 392 ３日後 322 362 152 156 424 体積抵抗率 ＨＰ 2×10-4 5×10-4 1×1015 ＞2×10-2 1×1015 （Ω−ｃｍ） ＯＶ 3×10-4 ＞2×10-2 1×1015 ＞2×10-2 1×1015 350℃熱時接着強度 ＨＰ 680 550 50 70 670 （ｇｆ） ＯＶ 690 10 120 130 730 総合評価 × × × × ×
【００１９】
【発明の効果】本発明の導電性樹脂ペーストはディスペ
ンス塗布時の作業性が良好で、またナトリウム、塩素な
どのイオン性不純物が少なく銅、４２合金等の金属フレ
ーム、セラミック基板、ガラスエポキシ等の有機基板へ
のＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の接着に用いることがで
きる。特にバッチ、インライン方式と硬化方式を問わ
ず、硬化性に優れる高信頼性の半導体素子接着用の樹脂
ペーストである。
ンス塗布時の作業性が良好で、またナトリウム、塩素な
どのイオン性不純物が少なく銅、４２合金等の金属フレ
ーム、セラミック基板、ガラスエポキシ等の有機基板へ
のＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の接着に用いることがで
きる。特にバッチ、インライン方式と硬化方式を問わ
ず、硬化性に優れる高信頼性の半導体素子接着用の樹脂
ペーストである。
Claims (5)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）少なくとも
１分子中に２個以上の水酸基を有するフェノール類、
（Ｃ）無機フィラー、及び（Ｄ）下記式（１）で表され
る有機リン化合物塩を必須成分とする樹脂ペーストであ
って、該全樹脂ペースト中に１分子中に少なくとも２個
以上の水酸基を有するフェノール類（Ｂ）が０．９〜３
０重量％、無機フィラー（Ｃ）が１０〜８５重量％、有
機リン化合物塩（Ｄ）が０．０１〜１０重量％含まれて
いることを特徴とする半導体素子接着用樹脂ペースト。 【化１】 （Ｒ1：炭素数１〜１０のアルキル基、アルコキシ基及
びフェニル基、クレジル基、ナフチル基等のアリル基で
あり、同一でも異なってもよい。 Ｒ2：テトラアルキル又はテトラアリルの有機ホウ素
塩、安息香酸、ナフトエ酸等の芳香族カルボン酸塩、炭
素数１〜１０の脂肪族カルボン酸塩、フェノール、ナフ
トール及びその誘導体のフェノール塩、スルフォン酸
塩、スルフィン酸塩。ｎ＝１〜３） - 【請求項２】 有機リン化合物塩が、下記式（２）で示
される化合物である請求項１記載の半導体素子接着用導
電性樹脂ペースト。 【化２】 - 【請求項３】 無機フィラーが、銀粉である請求項１又
は２記載の半導体素子接着用導電性樹脂ペースト。 - 【請求項４】 無機フィラーが、シリカである請求項１
又は２記載の半導体素子接着用絶縁樹脂ペースト。 - 【請求項５】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）少なくとも
１分子中に２個以上の水酸基を有するフェノール類、
（Ｃ）無機フィラー、及び（Ｄ）下記式（１）で表され
る有機リン化合物塩を必須成分とする樹脂ペーストであ
って、該全樹脂ペースト中に１分子中に少なくとも２個
以上の水酸基を持ったフェノール類（Ｂ）が０．９〜３
０重量％、無機フィラー（Ｃ）が１０〜８５重量％、有
機リン化合物塩（Ｄ）が０．０１〜１０重量％含まれて
なる半導体素子接着用樹脂ペーストを用いて製造された
半導体装置。 【化３】 （Ｒ1：炭素数１〜１０のアルキル基、アルコキシ基及
びフェニル基、クレジル基、ナフチル基等のアリル基で
あり、同一でも異なってもよい。 Ｒ2：テトラアルキル又はテトラアリルの有機ホウ素
塩、安息香酸、ナフトエ酸等の芳香族カルボン酸塩、炭
素数１〜１０の脂肪族カルボン酸塩、フェノール、ナフ
トール及びその誘導体のフェノール塩、スルフォン酸
塩、スルフィン酸塩。ｎ＝１〜３）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33192095A JPH09169969A (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 半導体素子接着用樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33192095A JPH09169969A (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 半導体素子接着用樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09169969A true JPH09169969A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=18249123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33192095A Pending JPH09169969A (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 半導体素子接着用樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09169969A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020061469A (ko) * | 2001-08-04 | 2002-07-24 | 김병만 | 전자부품용 도전성 페이스트 |
| JP2008179733A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | New Japan Chem Co Ltd | エポキシ樹脂系組成物及びエポキシ樹脂系薄膜 |
| JP2015063661A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-04-09 | 北興化学工業株式会社 | エポキシ樹脂系組成物 |
-
1995
- 1995-12-20 JP JP33192095A patent/JPH09169969A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020061469A (ko) * | 2001-08-04 | 2002-07-24 | 김병만 | 전자부품용 도전성 페이스트 |
| JP2008179733A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | New Japan Chem Co Ltd | エポキシ樹脂系組成物及びエポキシ樹脂系薄膜 |
| JP2015063661A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-04-09 | 北興化学工業株式会社 | エポキシ樹脂系組成物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040116 |