JPH09169911A - 導電性ポリシラン組成物およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡便な操作によって調製でき、賦形性が良好
で、劣化のない高導電性のケイ素系高分子組成物を提供
する。 【解決手段】 オニウム塩を添加したポリシランに、酸
化性物質をドーピングしたことを特徴とする導電性ポリ
シラン組成物およびその製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機ケイ素重合体
をベースポリマーとして用いる導電性組成物およびその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ポリアセチレンに電子受容性物質または
電子供与性物質をドーピングすると、電化移動形成反応
が起こり、電子伝導に基づく高い電気伝導性が発現する
ことが見出されたことから、ポリアセチレン、ポリフェ
ニレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン
などの有機高分子化合物が、高導電性薄膜などを形成す
る導電性材料として注目されている。

【０００３】しかしながら、このような有機高分子化合
物は、不溶不融であったり、賦形性に乏しかったりす
る。また、気相重合法や電解重合法で薄膜を形成する場
合、得られる薄膜の形状が反応容器や電極の形状によっ
て制約され、あるいは電子受容性物質または電子供与性
物質をドーピングする際に、著しい劣化を伴う。

【０００４】ポリシランのような、Ｓｉ−Ｓｉ結合骨格
を有する有機ケイ素重合体を、導電性材料として用いる
ことも研究されている。森らは、Ｎ−カルバゾリル置換
直鎖ポリシランの合成に成功し、ヨウ素をドーピングし
て、体積抵抗率７．７×１０² Ωcmの導電性材料を得て
いる(Synthetic Metals 73, 1995., p113 〜116 、特開
平６−１２８４８８号公報参照）。石川らは、ジエチニ
レンジピリジレンジシラニレンポリマーの合成に成功
し、ヨウ素または第二塩化鉄をドーピングして、体積抵
抗率７．１×１０³ Ωcmの導電性材料を得ている(Organ
ometallics 1995,14, p714 〜720 参照）。これらのポ
リマーは、特殊な置換基を導入する必要があるなどによ
り、いずれも合成が困難である。また、ポリシランでは
ないが類似の有機ケイ素ポリマーの例では、玉尾、伊藤
らにより、体積抵抗率１×１０³ Ωcmの導電性を示すチ
オフェン−シロール共重合体が報告されている（特開平
６−１００６６９号公報および特開平６−１６６７４６
号公報参照）。

【０００５】一方、早瀬らは、直鎖状ポリシランにオニ
ウム塩を加えて露光することにより、ポリシラン鎖を切
断しうることから、高い感光性を有するポリシラン組成
物が得られ、このことによってポリシランのパターニン
グが可能なことを報告している（特開平５−２３０３８
０号公報参照）。ここで開示されている組成物は、感光
性組成物であって、ポリシランの導電性の向上について
は開示されていない。

【０００６】また、一般にポリシランの合成には、あら
かじめ原料となる特定の有機基置換クロロシランの合成
や精製を行わなければならず、さらに、アルカリ金属を
大量に用いて縮合反応させなければならない。また、ポ
リシランのケイ素原子に結合した特定の置換基の量がそ
の導電性に大きく寄与している場合、該置換基の含有量
を制御したポリシランを選択的に合成するには、煩雑な
方法が必要である。そのため、簡便な操作によってポリ
シラン系の高導電性組成物を提供するのには困難を伴
う。以上のように、上記のいずれの報告においても、ポ
リシランにオニウム塩を添加した後、酸化性物質でドー
ピングすることにより、導電性を向上させることについ
ては、開示されていない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、合成
と取扱いの容易なポリシランをベースポリマーとして、
溶媒に可溶で、任意の形状の薄膜への賦形性が良好で、
簡便な操作によって調製でき、劣化が少なく、高導電性
のケイ素系高分子組成物およびその製造方法を提供する
ことである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するために鋭意検討を行った結果、オニウム塩
を添加したポリシランが、有機溶媒に可溶で、任意の形
状の薄膜に賦形でき、しかも予期しなかったことに、ヨ
ウ素のような酸化性物質をドーピングすることにより、
劣化が少なく、組成物の導電性がオニウム塩を添加しな
いで酸化性物質をドーピングした場合に比べて著しく向
上することを見出して、本発明を完成するに至った。

【０００９】すなわち、本発明の要旨は、オニウム塩類
を添加したポリシランに、酸化性物質をドーピングした
ことを特徴とする導電性ポリシラン組成物である。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明に用いられるポリシラン
は、好ましくは、平均式（Ｉ）：

【化２】 （式中、Ｒ¹ はたがいに同一でも異なっていてもよく、
ケイ素原子に結合した、置換または非置換の１価の炭化
水素基を表し、一部は水素原子であってもよく；Ｒ² は
たがいに同一でも異なっていてもよく、酸素原子を介し
てケイ素原子に結合した、水素原子または置換もしくは
非置換の１価の炭化水素基を表し；Ｒ³ は２個のケイ素
原子に結合した、２価の置換もしくは非置換の炭化水素
基または複素環基を表し；主鎖骨格がＳｉ−Ｓｉ結合お
よび場合によってはＳｉ−Ｒ³ −Ｓｉ結合から構成さ
れ、ａは１．００〜１．９７、ｂは正の数、ｃは０≦ｃ
／（ａｎ＋ｂｎ＋ｃ）≦０．３を満足させる数であり；
ｎはポリシランの重量平均分子量が５００〜３，００
０，０００になるように選ばれる数である）で示され
る。

【００１１】このようなポリシランは、直鎖状、分岐
状、環状、網目状のいずれのポリシラン骨格を有するも
のであってもよく、またその構造中に、部分的に、分子
中に分散して、ケイ素原子の間に上記のＲ³ が存在して
いてもよいが、酸化性物質をドーピングすることによる
劣化や分子量の低下を抑制することから、ポリシラン骨
格自体および／またはＲ³ によって網目状構造を形成し
ていることが好ましい。

【００１２】このようなポリシランとしては、たとえば
一般式（II）または（ＩＩＩ）

【化３】 （式中、Ｒ^１ 、Ｒ² およびＲ³ は前述のとおりであ
り；ｐ、ｑおよびｓは０または正の整数、ｒは正の整数
であって、該ｐ、ｑ、ｒおよびｓは上記の平均式（Ｉ）
のａ、ｂ、ｃおよびｎを満足させる数であり；式はシラ
ン単位およびＲ³ の数を表わすもので、ブロック共重合
体を意味するものではない）で示され、Ｒ¹ Ｓｉ単位お
よび必要に応じてＲ³ によって架橋され、網目状骨格を
有するポリシランが挙げられる。

【００１３】Ｒ¹ はポリシランのケイ素原子に結合した
置換または非置換の１価の炭化水素基で、メチル、エチ
ル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチ
ル、デシル、ドデシル、テトラデシル、オクタデシルな
どの直鎖状または分岐状のアルキル基；シクロヘキシル
などのシクロアルキル基；２−フェニルエチル、２−フ
ェニルプロピルなどのアラルキル基；フェニル、トリ
ル、キシリル、メシチルなどのアリール基；ビニル、ア
リルなどのアルケニル基；ｐ−ビニルフェニルなどのア
ルケニルアリール基；ならびにクロロメチル、トリフル
オロプロピル、メトキシフェニルなどの置換炭化水素基
が例示され、一部のＲ¹ は水素原子であってもよい。こ
れらのうち、合成のし易さから、メチル、エチル、プロ
ピル、ブチル、ペンチル、ヘキシルのような炭素数１〜
６のアルキル基、シクロヘキシル基およびフェニル基が
好ましい。

【００１４】ポリシラン分子中のＲ¹ の数は、前述の網
目状構造の度合と関係があり、そのケイ素原子に対する
比Ｒ¹ ／Ｓｉが１．００〜１．９７の範囲であることが
好ましく、１．００〜１．９１がさらに好ましい。

【００１５】Ｒ² は、ケイ素原子に結合したＯＲ² を構
成する水素原子または置換もしくは非置換の１価の炭化
水素基であり、水素原子のほか；メチル、エチル、プロ
ピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ドデシルなどの直
鎖状または分岐状のアルキル基；シクロヘキシルなどの
シクロアルキル基；フェニル、トリル、キシリル、メシ
チルなどのアリール基；および２−メトキシエチル、２
−エトキシエチルおよび２−ブトキシエチルのような置
換炭化水素基が例示され、合成のし易さおよび取り扱い
易さから、メチル、エチル、プロピル、ブチルのような
炭素数１〜４のアルキル基およびフェニル基が好まし
く、メチルおよびエチルが最も好ましい。すなわち、Ｏ
Ｒ² としては、メトキシ、エトキシのような低級アルコ
キシ基が最も好ましい。このようなＯＲ² 基は、ポリシ
ラン分子鎖の末端、中間および分岐位置のいずれのケイ
素原子に結合していてもよい。

【００１６】Ｒ³ は、ポリシラン鎖中、ポリシラン鎖を
架橋する形、または網目状ポリシラン構造中に、ケイ素
原子の間に導入された置換もしくは非置換の２価の炭化
水素基または複素環基であり、ポリシランの分子中に分
散して存在することが好ましい。Ｒ³ としては、メチレ
ン、エチレン、トリメチレンなどのアルキレン基；ブタ
ジエニレンなどの２価の脂肪族飽和炭化水素基；フェニ
レン、ナフチレン、９，１０−アントラセニレン、フェ
ロセニレンなどのアリーレン基；キシリレンなどの２価
の芳香族置換炭化水素基；チエニレン、ジチエニレン、
ピロリレン、ピリジニレンなどの複素環基が例示されビ
フェニレン、トリフェニレン、チエニレンのような、２
個以上の芳香環または複素環が反復して存在する２価の
連鎖であってもよく、合成のし易さと組成物の導電性か
ら、芳香族炭化水素基または複素環が好ましく、フェニ
レン、９，１０−アントラセニレンおよびチエニレンが
特に好ましい。

【００１７】ポリシラン中にＲ³ 、特に芳香族基または
複素環基であるＲ³ が存在することにより、ポリシラン
組成物の導電性を高めるとともに、溶媒に対する溶解性
を付与し、該ポリシランの薄膜をより容易に、かつ均一
に行うことができる。この場合、Ｒ³ の数ｃは、ポリシ
ラン中の置換基の全個数ａｎ＋ｂｎ＋ｃに対して３０％
以下であることが好ましく、０．１〜２０％がさらに好
ましい。この比率が大きいほどポリシランの導電性を上
げることができるが、３０％を越えると、高分子量の固
体ポリシランを得ることが困難となり、安定で物性の良
好な薄膜を形成できない。

【００１８】ポリシランの重量平均分子量は、該ポリシ
ランが溶媒に可溶であって、固体膜が形成できれば特に
限定されないが、合成のし易さ、溶媒への可溶性、成膜
性などから、５００〜３，０００，０００の範囲が好ま
しく、１，０００〜１，０００，０００がさらに好まし
く、２，５００〜１００，０００が特に好ましい。

【００１９】本発明に用いられるポリシラン、特に網目
状骨格ポリシランは、既知のポリシランの合成法を用い
て製造することができる。たとえば、金属ナトリウムに
よるオルガノクロロシラン類の脱塩縮合反応（ウルツ
法）を用いて、原料のオルガノクロロシラン類の混合比
を調整することにより、分子骨格の網目の程度を制御し
た様々な網目状骨格ポリシランを得ることができる。

【００２０】また、アルコキシジシラン類の不均化反応
を利用すれば、温和な条件で、様々な有機置換基を有す
る網目状骨格のポリシランの合成が可能である（特開平
４−３１１７２７号公報、特開平６−５７００２号公報
およびK. Kabeta ら、Chem.Lett., 1994, p835 〜838
参照）。さらに、２個のケイ素原子の間にＲ³ を導入し
たポリシランを得ることも可能である（Chem. Lett., 1
994, 119〜120 参照）。これらはアルコキシ基含有ポリ
シランについて記載されたものであるが、これをアルコ
キシ基以外のＯＲ² 基を有するポリシランに適用するこ
とは、当業者にとっては容易であろう。

【００２１】本発明において、ポリシランに添加される
オニウム塩は、本発明のポリシラン組成物に高い導電性
を付与するために不可欠な成分である。このようなオニ
ウム塩としては、ヨードニウム塩およびスルホニウム塩
が好適であり、たとえば、次に列挙する分子構造を有す
る化合物の１種または２種以上を用いることができる。

【００２２】

【化４】

【００２３】

【化５】

【００２４】これらのオニウム塩のうち、取り扱い易さ
と、ドーピング後の組成物に優れた導電性を与えること
から、下記の化合物が好ましい。

【００２５】

【化６】

【００２６】添加されるオニウム塩の量は、ポリシラン
１００重量部に対して、オニウム塩の種類によっても異
なるが、通常１〜２００重量部、好ましくは３０〜１２
０重量部であり、（ｐ−ドデシルベンゼン）ヨードニウ
ムヘキサフルオロアンチモン塩の場合、さらに好ましく
は３０〜６０重量部である。１重量部未満では、組成物
に高い導電性を与える効果が十分でなく、２００重量部
を越えて添加すると成膜性が悪くなる。

【００２７】オニウム塩を添加したポリシランを、適切
な溶媒に溶解して、基材表面に薄膜を形成するための処
理液を調製することができる。溶媒としては、非極性溶
媒、極性溶媒のいずれを用いてもよく、たとえば、ｎ−
ヘプタン、ｎ−ヘキサン、トルエン、キシレン、ベンゼ
ン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジエ
チルエーエル、クロロホルムなどが挙げられるが、ポリ
シランを容易に溶解させることから、テトラヒドロフラ
ンのような極性溶媒の方が好ましい。良好な作業性を得
るための溶媒の量は、ポリシラン１００重量部に対し
て、通常５０〜１０，０００重量部、好ましくは５００
〜２，０００重量部である。

【００２８】オニウム塩を添加されたポリシランの薄膜
を形成する方法としては、上述のような溶媒に該ポリシ
ランを溶解し、ついでこれを基板上に塗布し、常圧また
は減圧で常温に放置、または加温して溶媒を揮散させ、
ポリシラン薄膜を得る方法が一般的である。塗布方法と
してはディッピング、スピンコーティングなどが例示さ
れ、スピンコーティングを用いることが好ましい。

【００２９】このようにして得られたポリシラン薄膜
に、酸化性物質をドーピングして、導電性ポリシラン組
成物を得ることができる。

【００３０】本発明に用いられる酸化性物質としては、
塩素、臭素、ヨウ素のようなハロゲン類、塩化スズ塩化
第二鉄のような遷移金属塩化物、五フッ化アンチモン、
五フッ化ヒ素のようなルイス酸などが有効であり、安全
で、取扱い易いことから、ヨウ素や塩化第二鉄を用いる
ことが好ましい。

【００３１】ドーピングに用いる酸化性物質の量は、ポ
リシラン１００重量部に対して、通常１〜１，０００重
量部、好ましくは１０〜１００重量部である。１重量部
未満では組成物に高い導電性を与えることができず、
１，０００重量部を越えると製膜性が悪く、得られたポ
リシラン膜に欠陥を生じやすくなる。

【００３２】ドーピングの方法としては、ポリシラン薄
膜を、たとえば （ａ）ヨウ素や塩化第二鉄などの酸化性物質の蒸気雰囲
気下にさらす気相（乾式）ドーピング法； （ｂ）ヨウ素や塩化第二鉄などを不活性溶媒中に溶解し
た溶液中にポリシランを浸漬する湿式ドーピング法；お
よび （ｃ）ヨウ素とポリシランに共通に溶解させる溶媒を用
い、ヨウ素を溶解した溶液にポリシランを溶解させ、該
溶液から乾式製膜することによりフィルムあるいは薄膜
に賦形すると同時にドーピングする同時ドーピング法 があり、そのいずれかを用いることができる。

【００３３】気相ドーピング法とは、ドーパント雰囲気
の温度およびドーパントの分圧を制御することにより、
ドーピング速度をコントロールすることができる。一般
にドーピングはドーパント雰囲気の温度が−３０〜２０
０℃の範囲で行うことができる。−３０℃未満ではドー
ピング速度が遅く、２００℃を越える温度ではドーピン
グの際にポリシランの劣化を招き、好ましくない。ドー
パント分圧は１Torrから５気圧の範囲が好ましい。１To
rr未満では一般にドーピング速度が遅く、５気圧を越え
て圧力を増しても特にその効果がない。

【００３４】湿式ドーピング法に用いられる不活性溶媒
としては、ヨウ素と反応して電子受容体性化合物として
の能力を失活させない溶媒が用いられる。このような溶
媒として、ヘキサン、オクタン、石油エーテル、シクロ
ヘキサンのような脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエ
ン、キシレンのような芳香族炭化水素類；ジエチルエー
テル、テトラヒドロフランのようなエーテル類；酢酸エ
チルのようなエステル類；メタノール、エタノールのよ
うなアルコール類；ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシドのような非プロトン系極性溶媒；その他、ニ
トロメタン、ニトロベンゼン、アセトニトリルなどが例
示される。なかでもテトラヒドロフランのような溶媒
は、ポリシランの良溶媒であるため、特に同時ドーピン
グ法に好適である。この場合、ドーパントを含む溶液に
ポリシランを溶解させ、この溶液をキャスティングした
後、乾燥することにより、ドーピングと製膜を同時に行
うことができる。キャスティング後の乾燥は、常圧また
は減圧下に、０〜１５０℃の温度で行うことができる。

【００３５】本発明の組成物に、さらにラジカル発生剤
を添加することができる。

【００３６】

【発明の効果】本発明によって、簡便かつ迅速な操作に
より、１０² Ωcmまでの高い導電性を有するポリシラン
組成物、特にその薄膜を得ることができる。本発明によ
って提供される導電性ポリシラン組成物は、それに含ま
れる添加物の種類や量を変えることにより、ポリシラン
組成物の導電性を向上させることができる。また、ポリ
シランの骨格構造や置換基を変えることによっても、導
電性の制御は可能である。また、ヨードニウム塩やスル
ホニウム塩のような添加剤を加えることにより、該ポリ
シランの導電性を安定に保つ効果がある。

【００３７】本発明の導電性組成物は、上記の特徴に加
えて、取扱いが容易で賦形性が良いことから、光導電材
料や導電材料などのエレクトロニクス分野に広く応用可
能な素材として、きわめて有用である。

【００３８】

【実施例】以下の合成例、実施例および比較例によっ
て、本発明をさらに詳しく説明する。これらの例中、部
はすべて重量部を表し、物性値は２５℃における値であ
る。本発明は、これらの実施例によって制限されるもの
ではない。

【００３９】合成例１（網目状構造ポリシランの合成） 乾燥アルゴンガス気流下で、冷却管および撹拌機を備え
たフラスコに１，２−ジメチル−１，１，２，２−テト
ラエトキシジシラン５０部を仕込み、これにナトリウム
エトキシド１．５部を加え、撹拌しながら１００℃で２
０時間加熱した。冷却後、吸引濾過により固形分を除
き、濾液を無水メタノール１，０００部中にゆっくりと
注ぎ、白色固体を再沈殿させた。吸引濾過により濾別し
て集めた固体を、無水エタノールで洗浄し、減圧下で乾
燥させ、網目状の分子骨格を有するポリシラン５部を得
た。得られたポリシランの ¹Ｈ ＮＭＲを測定した結
果、メチル基とエトキシ基の存在が確認され、その比率
は１０：１であった。ＧＰＣによるポリスチレン換算分
子量は３，３００であった。

【００４０】合成例２（チエニレン基含有網目状構造ポ
リシランの合成） 冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、乾燥アルゴン
気流下で２，５−ジブロモチオフェン２重量部を仕込
み、テトラヒドロフラン１００部を加えて溶解させ、ド
ライアイス−アセトン浴で温度を−７８℃とした。これ
にｎ−ブチルリチウムの１．８M ｎ−ヘキサン溶液１．
５部を滴下し、そのまま１時間撹拌した。これに１，２
−ジメチル−１，１，２，２−テトラエトキシジシラン
５０部を仕込み、室温まで昇温させた後、撹拌しながら
１００℃で２０時間加熱した。冷却後、吸引濾過により
固形分を除き、濾液を無水メタノール１，０００部中に
ゆっくりと注ぎ、白色固体を再沈殿させた。吸引濾過に
より濾別した固体を、無水エタノールで洗浄し、減圧下
で乾燥させて、網目状構造のポリシラン６部を得た。得
られたポリシランの ¹Ｈ ＮＭＲを測定した結果、メチ
ル基、エトキシ基およびチエニレン基の存在が確認さ
れ、その比率は８５：１３：２であった。ＧＰＣによる
ポリスチレン換算分子量は、１１，０００であった。

【００４１】合成例３（アントラセニレン基含有網目状
構造ポリシランの合成） 冷却管および撹拌機を備えたフラスコに、乾燥アルゴン
気流下で９，１０−ジブロモアントラセン６部を仕込
み、テトラヒドロフラン１００部を加えて溶解させ、ド
ライアイス−アセトン浴で温度を−７８℃とした。これ
にｎ−ブチルリチウムの１．８M ｎ−ヘキサン溶液１．
５部を滴下し、そのまま１時間撹拌した。これに１，２
−ジメチル−１，１，２，２−テトラエトキシジシラン
５０部を仕込み、室温まで昇温した後、撹拌しながら１
００℃で２０時間加熱した。冷却後、吸引濾過により固
形分を除き、濾液を無水メタノール１，０００部中にゆ
っくりと注ぎ、白色固体を再沈殿させた。吸引濾過によ
り濾別した固体を、無水エタノールで洗浄し、減圧下で
乾燥させて、網目状構造のポリシラン７部を得た。得ら
れたポリシランの ¹Ｈ ＮＭＲを測定した結果、メチル
基、エトキシ基および９，１０−アントラセニレン基の
存在が確認され、その比率は７８：１８：４であった。
ＧＰＣによるポリスチレン換算分子量は、２，７００で
あった。

【００４２】実施例１〜３ 合成例１〜３で得られた網目状構造のポリシランをそれ
ぞれ用いて、表１に示す配合比により、該ポリシランと
ビス（ｐ−ドデシルベンゼン）ヨードニウムヘキサフル
オロアンチモン塩とをテトラヒドロフランに溶解させ
て、ポリシラン１０重量％の溶液を調製した。これを白
金電極を蒸着させたガラス板上にスピンコートし、５０
℃／２Torrで減圧加熱して乾燥させ、厚さ１μm の薄膜
を形成させた。このようにして得られた薄膜の体積抵抗
率を、窒素雰囲気中で２端針法で測定したところ、１×
１０¹²Ωcm以上と、まったく導電性を示さなかった。こ
れを、固体ヨウ素を入れて乾燥窒素で置換した遮光性容
器中に２５℃で１時間静置すると、ヨウ素蒸気にさらさ
れて、薄膜の外観は、透明から褐色に変化した。薄膜の
体積抵抗率を測定したところ、表１に示すように、３．
４×１０² Ωcm〜２．４×１０³ Ωcmの値を示し、優れ
た導電性を有することが観察された。これらのポリシラ
ン薄膜は、導電性を５日間以上安定に保持していた。

【００４３】比較例１〜３ 対応する実施例１〜３とそれぞれ同じポリシランを用
い、表１のように、オニウム塩を添加しないほかは実施
例１〜３と同様にして、ポリシラン薄膜を得た。これを
実施例１〜３と同様の条件でヨウ素蒸気にさらしたとこ
ろ、表１に示すように、体積抵抗率は２．７×１０³ 〜
５．０×１０⁵ であって、それぞれ対応する実施例に比
べて劣る導電性しか得られなかった。

【００４４】

【表１】

【００４５】実施例４ 合成例３で得られたアントラセニレン基含有網目状構造
ポリシランと、オニウム塩としてｐ−メトキシフェニル
（ジフェニル）スルホニウムフルオロアンチモン塩を、
重量比１：１で用いたほかは、実施例１〜３と同様にし
て、ヨウ素でドーピングした組成物を得た。その体積抵
抗率を測定したところ、５．７×１０²Ωcmの値を示
し、優れた導電性を有していた。

【００４６】実施例５ 合成例３で得られたアントラセニレン基含有網目状構造
ポリシランと、オニウム塩としてビス（ｐ−tert−ブチ
ルフェニル）ヨードニウムフルオロアンチモン塩を、重
量比１：１で用いたほかは、実施例１〜３と同様にし
て、ヨウ素でドーピングした組成物を得た。その体積抵
抗率を測定したところ、３．８×１０¹ Ωcmの値を示
し、優れた導電性を有していた。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 オニウム塩を添加したポリシランに、酸
   化性物質をドーピングしたことを特徴とする導電性ポリ
   シラン組成物。
2. 【請求項２】 ポリシランが、平均式（Ｉ）： 【化１】 （式中、Ｒ¹ はたがいに同一でも異なっていてもよく、
   ケイ素原子に結合した、置換または非置換の１価の炭化
   水素基を表し、一部は水素原子であってもよく；Ｒ² は
   たがいに同一でも異なっていてもよく、酸素原子を介し
   てケイ素原子に結合した、水素原子または置換もしくは
   非置換の１価の炭化水素基を表し；Ｒ³ は２個のケイ素
   原子に結合した、２価の置換もしくは非置換の炭化水素
   基または複素環基を表し；主鎖骨格がＳｉ−Ｓｉ結合お
   よび場合によってはＳｉ−Ｒ³ −Ｓｉ結合から構成さ
   れ、ａは１．００〜１．９７、ｂは正の数、ｃは０≦ｃ
   ／（ａｎ＋ｂｎ＋ｃ）≦０．３を満足させる数であり；
   ｎはポリシランの重量平均分子量が５００〜３，００
   ０，０００になるように選ばれる数である）で示され
   る、請求項１記載の導電性ポリシラン組成物。
3. 【請求項３】 オニウム塩が、ヨードニウム塩またはス
   ルホニウム塩である、請求項１または２記載の導電性ポ
   リシラン組成物。
4. 【請求項４】 酸化性物質が、ヨウ素、塩化第二鉄また
   は五フッ化アンチモンである、請求項１〜３のいずれか
   １項に記載の導電性ポリシラン組成物。
5. 【請求項５】 オニウム塩を添加したポリシランの薄膜
   を形成した後、酸化性物質をドーピングすることを特徴
   とする導電性ポリシラン組成物の製造方法。