JPH09167586A - X線管 - Google Patents
X線管Info
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- JPH09167586A JPH09167586A JP8298397A JP29839796A JPH09167586A JP H09167586 A JPH09167586 A JP H09167586A JP 8298397 A JP8298397 A JP 8298397A JP 29839796 A JP29839796 A JP 29839796A JP H09167586 A JPH09167586 A JP H09167586A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window
- exit window
- ray tube
- vacuum casing
- beam exit
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/16—Vessels; Containers; Shields associated therewith
- H01J35/18—Windows
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/12—Cooling
- H01J2235/122—Cooling of the window
Landscapes
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カソード5およびアノード10を収容する真
空ケーシング1と、真空ケーシング1に設けられたビー
ム射出窓23を有するX線管を、後方散乱された電子の
衝突によるビーム射出窓の損傷の危険が低減されるよう
に構成する。 【解決手段】 ビーム射出窓は導電性であり、カソード
電位にありかつカソード電位に比して正の電位にある真
空ケーシングに対して電気的に絶縁されている。
空ケーシング1と、真空ケーシング1に設けられたビー
ム射出窓23を有するX線管を、後方散乱された電子の
衝突によるビーム射出窓の損傷の危険が低減されるよう
に構成する。 【解決手段】 ビーム射出窓は導電性であり、カソード
電位にありかつカソード電位に比して正の電位にある真
空ケーシングに対して電気的に絶縁されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、カソードおよびア
ノードを収容する真空ケーシングおよび該真空ケーシン
グに設けられたビーム射出窓を有するX線管に関する。
ノードを収容する真空ケーシングおよび該真空ケーシン
グに設けられたビーム射出窓を有するX線管に関する。
【0002】
【従来の技術】この種のX線管は、米国特許第3500
087号明細書に記載されている。
087号明細書に記載されている。
【0003】この種のX線管において、後方散乱される
電子の電子作用が著しく大きい場合、ビーム射出窓が破
壊される可能性がある。確かに、出力が低い場合、導電
性の、アース電位に接続されており、真空ケーシングに
対して電気的に絶縁されていないビーム射出窓は後方散
乱された電子を放出することができる。しかし電子の制
動の際に生じる出力密度によって限界が生じる。即ち相
応の損失熱は、同様にビーム射出窓から放出されなけれ
ばならずかつビーム射出窓が溶融する可能性がある。
電子の電子作用が著しく大きい場合、ビーム射出窓が破
壊される可能性がある。確かに、出力が低い場合、導電
性の、アース電位に接続されており、真空ケーシングに
対して電気的に絶縁されていないビーム射出窓は後方散
乱された電子を放出することができる。しかし電子の制
動の際に生じる出力密度によって限界が生じる。即ち相
応の損失熱は、同様にビーム射出窓から放出されなけれ
ばならずかつビーム射出窓が溶融する可能性がある。
【0004】出力が一層高ければ、磁石を用いた偏向に
よって、ビーム射出窓から後方散乱される電子を、真空
ケーシングの別の部分に移動させることができる。しか
しこれには、磁石を真空ケーシングの内部に取り付けな
ければならないという制約がある。この場合そのことで
既に、1次電子の影響の危険性のために不都合である。
というのは、磁石は皿形アノードに密接して取り付けら
れている状態になるからである。
よって、ビーム射出窓から後方散乱される電子を、真空
ケーシングの別の部分に移動させることができる。しか
しこれには、磁石を真空ケーシングの内部に取り付けな
ければならないという制約がある。この場合そのことで
既に、1次電子の影響の危険性のために不都合である。
というのは、磁石は皿形アノードに密接して取り付けら
れている状態になるからである。
【0005】更に、ドイツ連邦共和国特許出願公開第3
107949号公報から公知の手法において、アノード
電位とカソード電位との間にある電位に接続されてい
る、銅から成る遮蔽板を設け、該遮蔽板を、ビーム射出
窓から後方散乱される電子を斥けるために、カソード電
位に対して正の電位にある真空ケーシングに対して電気
的に絶縁されているようにしている。
107949号公報から公知の手法において、アノード
電位とカソード電位との間にある電位に接続されてい
る、銅から成る遮蔽板を設け、該遮蔽板を、ビーム射出
窓から後方散乱される電子を斥けるために、カソード電
位に対して正の電位にある真空ケーシングに対して電気
的に絶縁されているようにしている。
【0006】更に、ドイツ連邦共和国特許出願公開第4
209377号公報から、カソードおよびアノードを収
容する真空ケーシングを有し、該真空ケーシングがアー
ス電位に接続されているビーム射出窓を備えているX線
管が公知である。
209377号公報から、カソードおよびアノードを収
容する真空ケーシングを有し、該真空ケーシングがアー
ス電位に接続されているビーム射出窓を備えているX線
管が公知である。
【0007】更に、例えば米国特許第5128977号
明細書に記載されているような、X線出力を高めるかま
たはアノード負荷を低減するために、電子ビームが扁平
に(例えばアノード表面と電子ビームとの間の角度は1
0゜)アノードに射出されるX線管は特別問題がある。
というのは、この場合アノードから後方散乱される電子
の成分は非常に高く(80%)かつその上に生成される
X線および後方散乱される電子が同じ空間角度エレメン
トにおいて放出されるからである。従って、ビーム射出
窓の熱負荷は特別高く、その結果アノードから後方散乱
された電子は別個の捕捉電極によって受け取られなけれ
ばならない。ビーム射出窓を後方散乱される電子の主伝
播方向に対してずらすようにすることもできる。しかし
このように、X線に対して別の空間角度エレメントを利
用するようにすれば結果的に、一層大きな領域がX線に
よって不均一に照射されることになる。
明細書に記載されているような、X線出力を高めるかま
たはアノード負荷を低減するために、電子ビームが扁平
に(例えばアノード表面と電子ビームとの間の角度は1
0゜)アノードに射出されるX線管は特別問題がある。
というのは、この場合アノードから後方散乱される電子
の成分は非常に高く(80%)かつその上に生成される
X線および後方散乱される電子が同じ空間角度エレメン
トにおいて放出されるからである。従って、ビーム射出
窓の熱負荷は特別高く、その結果アノードから後方散乱
された電子は別個の捕捉電極によって受け取られなけれ
ばならない。ビーム射出窓を後方散乱される電子の主伝
播方向に対してずらすようにすることもできる。しかし
このように、X線に対して別の空間角度エレメントを利
用するようにすれば結果的に、一層大きな領域がX線に
よって不均一に照射されることになる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
に述べた形式のX線管を、後方散乱される電子の衝突に
よるビーム射出窓の損傷の危険が少なくとも低減される
ように、構成することである。
に述べた形式のX線管を、後方散乱される電子の衝突に
よるビーム射出窓の損傷の危険が少なくとも低減される
ように、構成することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によれ
ば、ビーム射出窓はカソード電位にありかつカソード電
位に比して正の電位にある真空ケーシングに対して電気
的に絶縁されているようにしたことによって解決され
る。
ば、ビーム射出窓はカソード電位にありかつカソード電
位に比して正の電位にある真空ケーシングに対して電気
的に絶縁されているようにしたことによって解決され
る。
【0010】
【発明の実施の形態】ビーム射出窓はカソード電位にあ
るので、ビーム射出窓は到来する後方散乱された電子に
対して排斥する作用をしかつエネルギー選択的に散乱作
用をする。これにより、電子はビーム射出窓の周辺で散
乱されかつビーム射出窓には衝突せずに、真空ケーシン
グの壁に衝突する。ところでビーム射出窓は熱的に負荷
軽減されているので、ビーム射出窓の、後方散乱された
電子による損傷の危険は、完全に除去されないまでも、
相当低減されることになる。真空ケーシングは危険には
さらされていない。というのは、これは、ビーム射出窓
より熱的および機械的に著しく強いからである。
るので、ビーム射出窓は到来する後方散乱された電子に
対して排斥する作用をしかつエネルギー選択的に散乱作
用をする。これにより、電子はビーム射出窓の周辺で散
乱されかつビーム射出窓には衝突せずに、真空ケーシン
グの壁に衝突する。ところでビーム射出窓は熱的に負荷
軽減されているので、ビーム射出窓の、後方散乱された
電子による損傷の危険は、完全に除去されないまでも、
相当低減されることになる。真空ケーシングは危険には
さらされていない。というのは、これは、ビーム射出窓
より熱的および機械的に著しく強いからである。
【0011】真空ケーシングと、ビーム射出窓との間の
必要な電気的な絶縁を簡単な手法で保証することができ
るようにするために、本発明の実施例によれば、ビーム
射出窓は真空ケーシングと絶縁材体を介して連結されて
いる。この絶縁材体は、本発明の実施例によれば、有利
にはその内側に、高抵抗の被膜を備えていることができ
る。これにより絶縁材体の静帯電は回避される。
必要な電気的な絶縁を簡単な手法で保証することができ
るようにするために、本発明の実施例によれば、ビーム
射出窓は真空ケーシングと絶縁材体を介して連結されて
いる。この絶縁材体は、本発明の実施例によれば、有利
にはその内側に、高抵抗の被膜を備えていることができ
る。これにより絶縁材体の静帯電は回避される。
【0012】本発明の実施例によれば、真空ケーシング
はビーム射出窓を取り囲む領域において冷却装置を備え
ているようになっている。これにより極めて高い出力の
X線管ですら、真空ケーシングの、電子が衝突する領域
の熱負荷が著しくは高くないことが保証されている。
はビーム射出窓を取り囲む領域において冷却装置を備え
ているようになっている。これにより極めて高い出力の
X線管ですら、真空ケーシングの、電子が衝突する領域
の熱負荷が著しくは高くないことが保証されている。
【0013】カソードから出る電子ビームが、アノード
の表面と電子ビームとの間に存在する角度が鋭角である
ような角度でアノードに衝突するとき特に、本発明の利
点は顕著になる。
の表面と電子ビームとの間に存在する角度が鋭角である
ような角度でアノードに衝突するとき特に、本発明の利
点は顕著になる。
【0014】
【実施例】次に本発明を図示の実施例につき図面を用い
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【0015】図1には、1でX線管の真空ケーシングが
示されている。これは、説明する実施例の場合、公知の
ように、金属およびセラミックまたはガラスを使用して
製造されている。ただし別の材料も可能である。真空ケ
ーシング1の内部に、管形状のケーシング突出部2にお
いて、カソード装置3が配設されている。カソード装置
は、回転対称のウェーネルト電極4の内部に収容された
電子エミッタを有している。これは、図示の実施例の場
合、ディスク形状の熱カソード5の形における扁平エミ
ッタとして実現されておりかつセラミックディスク6を
用いてウェーネルト電極4に取り付けられている。熱カ
ソード5に対向して、全体が7で示されている回転アノ
ードが設けられている。アノードは、軸8を介してロー
タ9に連結されているアノード皿部10を有している。
ロータ9は、図1に図示されていない手法で、真空ケー
シング1に連結されている軸11に回転可能に支承され
ている。ロータ9の領域において、真空ケーシング1の
外壁に、ステータ12が装着されている。該ステータ
は、回転アノードを駆動するためにい用いられる電気モ
ータを形成するためにロータ9と協働する。
示されている。これは、説明する実施例の場合、公知の
ように、金属およびセラミックまたはガラスを使用して
製造されている。ただし別の材料も可能である。真空ケ
ーシング1の内部に、管形状のケーシング突出部2にお
いて、カソード装置3が配設されている。カソード装置
は、回転対称のウェーネルト電極4の内部に収容された
電子エミッタを有している。これは、図示の実施例の場
合、ディスク形状の熱カソード5の形における扁平エミ
ッタとして実現されておりかつセラミックディスク6を
用いてウェーネルト電極4に取り付けられている。熱カ
ソード5に対向して、全体が7で示されている回転アノ
ードが設けられている。アノードは、軸8を介してロー
タ9に連結されているアノード皿部10を有している。
ロータ9は、図1に図示されていない手法で、真空ケー
シング1に連結されている軸11に回転可能に支承され
ている。ロータ9の領域において、真空ケーシング1の
外壁に、ステータ12が装着されている。該ステータ
は、回転アノードを駆動するためにい用いられる電気モ
ータを形成するためにロータ9と協働する。
【0016】X線管の駆動の際にステータ12に線路1
3および14を介して交流電流が供給されるので、軸1
1を介してロータ9に結合されているアノード皿部10
が回転する。
3および14を介して交流電流が供給されるので、軸1
1を介してロータ9に結合されているアノード皿部10
が回転する。
【0017】熱カソード5の一方の電極とウェーネルト
電極4との間に、図1に図示されているように、ウェー
ネルト電圧UWが加えられる。管電圧URは、線路15
および16を介して印加される。線路15は軸11に接
続されており、軸11の方は真空ケーシング1に導電接
続されている。熱カソード5の他方の電極は線路17と
接続されている。線路17と線路16との間に、熱カソ
ード5の加熱電圧UHが加わっているので、熱カソード
5から円形の断面の電子ビームESが射出される。図1
には、電子ビームESの中心軸線しか図示されていない
が、図2にはその輪郭ないし境界線が示されている。
電極4との間に、図1に図示されているように、ウェー
ネルト電圧UWが加えられる。管電圧URは、線路15
および16を介して印加される。線路15は軸11に接
続されており、軸11の方は真空ケーシング1に導電接
続されている。熱カソード5の他方の電極は線路17と
接続されている。線路17と線路16との間に、熱カソ
ード5の加熱電圧UHが加わっているので、熱カソード
5から円形の断面の電子ビームESが射出される。図1
には、電子ビームESの中心軸線しか図示されていない
が、図2にはその輪郭ないし境界線が示されている。
【0018】電子ビームESは、隔離体21が介挿され
て真空ケーシング1に取り付けられている集束電極19
を通る。集束電極と、熱カソード5の一方の電極と間
に、図1に図示されているように、加熱電圧UFが加え
られる。それから電子ビームESは、図1に図示されて
いるように、BFで示されている焦点においてアノード
皿部10の衝突面22に衝突する。焦点BFからX線が
出る。図1および図2において中心ビームがZSで示さ
れておりかつ縁ビームがRSで示されている有効X線束
は、ビーム射出窓23を通って射出される。
て真空ケーシング1に取り付けられている集束電極19
を通る。集束電極と、熱カソード5の一方の電極と間
に、図1に図示されているように、加熱電圧UFが加え
られる。それから電子ビームESは、図1に図示されて
いるように、BFで示されている焦点においてアノード
皿部10の衝突面22に衝突する。焦点BFからX線が
出る。図1および図2において中心ビームがZSで示さ
れておりかつ縁ビームがRSで示されている有効X線束
は、ビーム射出窓23を通って射出される。
【0019】電子ビームESの円形の横断面のために、
更に、焦点BFにおいて、任意の方向に対してX線のガ
ウス曲線に類似した強度分布が生じる可能性があるとい
う前提がある。
更に、焦点BFにおいて、任意の方向に対してX線のガ
ウス曲線に類似した強度分布が生じる可能性があるとい
う前提がある。
【0020】衝突面の熱負荷が許容限界値を上回ること
を回避するために、電子ビームESは、焦点BFにおい
て、鋭角に衝突面22に衝突するないし角度α>45゜
において衝突面22の法線Nに衝突し、その結果線分形
状の、より正確にいえば楕円形状の焦点BFが生じる
(第2図参照)。焦点BFの幅Bは、衝突面22の直接
近傍における電子ビームESの直径に相応し、それは、
熱カソード5、ウェーネルト電極4および集束電極19
の幾何学形状が決められていてかつ加熱電流および管電
圧が決められている場合、ウェーネルト電圧UWおよび
集束電圧UFに依存している。
を回避するために、電子ビームESは、焦点BFにおい
て、鋭角に衝突面22に衝突するないし角度α>45゜
において衝突面22の法線Nに衝突し、その結果線分形
状の、より正確にいえば楕円形状の焦点BFが生じる
(第2図参照)。焦点BFの幅Bは、衝突面22の直接
近傍における電子ビームESの直径に相応し、それは、
熱カソード5、ウェーネルト電極4および集束電極19
の幾何学形状が決められていてかつ加熱電流および管電
圧が決められている場合、ウェーネルト電圧UWおよび
集束電圧UFに依存している。
【0021】通例望まれる焦点寸法を考慮して、角度α
は、電子ビームESの直径が0.1mmないし2.0mmの場
合、1mmおよび15mmの間にある焦点の長さLが生じる
ように、選択されている。上に挙げた直径領域は、アノ
ード皿部10の衝突面22の直接近傍における電子ビー
ムの直径に対して当てはまる。
は、電子ビームESの直径が0.1mmないし2.0mmの場
合、1mmおよび15mmの間にある焦点の長さLが生じる
ように、選択されている。上に挙げた直径領域は、アノ
ード皿部10の衝突面22の直接近傍における電子ビー
ムの直径に対して当てはまる。
【0022】ビーム射出窓23の位置は、有効X線束の
中心ビームZSと、衝突面22の法線Nとの間の角度β
が少なくとも実質的に角度αに等しいように、選択され
ている。有効X線束の中心ビームZSの方向において見
て、高い品質の結像にとって一層有利な、少なくとも実
質的に円形状の焦点が生じる。
中心ビームZSと、衝突面22の法線Nとの間の角度β
が少なくとも実質的に角度αに等しいように、選択され
ている。有効X線束の中心ビームZSの方向において見
て、高い品質の結像にとって一層有利な、少なくとも実
質的に円形状の焦点が生じる。
【0023】ビーム射出窓23は適当な導電性の材料
(例えばアルミニウムまたはベリリウム)から形成され
ておりかつ例えばセラミックから形成されている絶縁材
体20を介して真空ケーシング1に連結されている。
(例えばアルミニウムまたはベリリウム)から形成され
ておりかつ例えばセラミックから形成されている絶縁材
体20を介して真空ケーシング1に連結されている。
【0024】このことは図1には相応の線路24で示さ
れているが、ビーム射出窓23には、カソード電位が加
えらている。これにより、ビーム射出窓23に向かって
移動する、後方散乱された電子は、斥けられかつエネル
ギー選択的に散乱される。ビーム射出窓23が円形であ
る場合、電子は、ビーム射出窓23の周辺において回転
対称に散乱される。従って電子は、ビーム射出窓23に
は衝突せず、真空ケーシング1の壁の、ビーム射出窓2
3を取り囲む領域に衝突する。
れているが、ビーム射出窓23には、カソード電位が加
えらている。これにより、ビーム射出窓23に向かって
移動する、後方散乱された電子は、斥けられかつエネル
ギー選択的に散乱される。ビーム射出窓23が円形であ
る場合、電子は、ビーム射出窓23の周辺において回転
対称に散乱される。従って電子は、ビーム射出窓23に
は衝突せず、真空ケーシング1の壁の、ビーム射出窓2
3を取り囲む領域に衝突する。
【0025】真空ケーシング1の壁の上述の領域は、図
示の実施例の場合、図示されていない手法で適当な冷却
装置に接続されている管状スパイラル25を用いて冷却
されるので、真空ケーシング1の、電子が照射される領
域の熱的な過負荷は排除されている。
示の実施例の場合、図示されていない手法で適当な冷却
装置に接続されている管状スパイラル25を用いて冷却
されるので、真空ケーシング1の、電子が照射される領
域の熱的な過負荷は排除されている。
【0026】更に、真空ケーシング1の壁の熱的な過負
荷に関して、ビーム射出窓23よりいずれにせよ高く負
荷可能な、真空ケーシング1の壁への電子の散乱のため
に、従来のX線管のビーム射出窓23に比べて更に低減
された電力密度が生じるということは、好都合に作用す
る。
荷に関して、ビーム射出窓23よりいずれにせよ高く負
荷可能な、真空ケーシング1の壁への電子の散乱のため
に、従来のX線管のビーム射出窓23に比べて更に低減
された電力密度が生じるということは、好都合に作用す
る。
【0027】当該の研究が明らかにしているように(R.
Reimer, Scanning Electron Microscopy, Springer
社、Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo, 1985
年、第138頁参照)、別の手段なしに、電子は、図1
に鎖線で示されているように、10゜の角度αにおける
アノード皿部10の衝突面22から約30゜の角度範囲
において反射される。その場合焦点BFとビーム射出窓
23との間隔が約3cmであれば、相応の損失電力が約2
cm2の大きな面積を介して放出される。これに対して、
散乱によって、図1に点線で示されているように、40
゜の平均偏向角度が実現されると、約20cm2の面積が
有効になり、しかもビーム射出窓23より機械的および
熱的に安定しておりかつ更に積極的に冷却することがで
きる真空ケーシング1の壁の領域において有効になる。
Reimer, Scanning Electron Microscopy, Springer
社、Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo, 1985
年、第138頁参照)、別の手段なしに、電子は、図1
に鎖線で示されているように、10゜の角度αにおける
アノード皿部10の衝突面22から約30゜の角度範囲
において反射される。その場合焦点BFとビーム射出窓
23との間隔が約3cmであれば、相応の損失電力が約2
cm2の大きな面積を介して放出される。これに対して、
散乱によって、図1に点線で示されているように、40
゜の平均偏向角度が実現されると、約20cm2の面積が
有効になり、しかもビーム射出窓23より機械的および
熱的に安定しておりかつ更に積極的に冷却することがで
きる真空ケーシング1の壁の領域において有効になる。
【0028】従って面積要素当たり、10倍だけ低い熱
負荷のために、所定の用途において、積極的な冷却を省
略することすらできる。即ち、損失電力は、特別な手段
なしに、絶縁または冷却媒体、例えば通例、X線管を収
容する保護ケーシング中に存在する絶縁オイルを介して
放出することができる。
負荷のために、所定の用途において、積極的な冷却を省
略することすらできる。即ち、損失電力は、特別な手段
なしに、絶縁または冷却媒体、例えば通例、X線管を収
容する保護ケーシング中に存在する絶縁オイルを介して
放出することができる。
【0029】後方散乱された電子を偏向する平均偏向角
度は、アノードおよび真空ケーシングが図1に図示され
ているようにアース電位に接続されかつカソードがアー
スに対して負の電位に接続されている単極のX線管で
は、X線電位UR,即ちカソードおよびアノード間の電
位差に依存している。
度は、アノードおよび真空ケーシングが図1に図示され
ているようにアース電位に接続されかつカソードがアー
スに対して負の電位に接続されている単極のX線管で
は、X線電位UR,即ちカソードおよびアノード間の電
位差に依存している。
【0030】図3に略示されているように、真空ケーシ
ングがアース電位に接続され、カソードがアースに対し
て負の電位UKに接続されておりかつアノードがアース
に対して正の電位UAに接続されている双極のX線管の
場合、平均偏向角度は、カソード電圧UKの、管電圧U
R=UK+UAに対する比γに依存しており、かつγが
大きければ大きいほど、平均偏向角度は大きくなる。従
って双極のX線管の場合、基本的に、平均偏向角度に影
響を及ぼすようにすることができる。
ングがアース電位に接続され、カソードがアースに対し
て負の電位UKに接続されておりかつアノードがアース
に対して正の電位UAに接続されている双極のX線管の
場合、平均偏向角度は、カソード電圧UKの、管電圧U
R=UK+UAに対する比γに依存しており、かつγが
大きければ大きいほど、平均偏向角度は大きくなる。従
って双極のX線管の場合、基本的に、平均偏向角度に影
響を及ぼすようにすることができる。
【0031】絶縁材体20の静電帯電を回避するため
に、絶縁材体はその内側が、図1において参照番号26
によって示されているように、高抵抗の被膜を備えてい
る。これを介して絶縁材体は真空ケーシングの壁に接続
されている。被膜26は例えば、抵抗材料、例えばコン
スタンタンがスパッタリングされた層とすることができ
る。
に、絶縁材体はその内側が、図1において参照番号26
によって示されているように、高抵抗の被膜を備えてい
る。これを介して絶縁材体は真空ケーシングの壁に接続
されている。被膜26は例えば、抵抗材料、例えばコン
スタンタンがスパッタリングされた層とすることができ
る。
【0032】本発明は、上述した実施例の場合とは異な
って、円形の横断面の電子ビームが使用されないX線管
にも適している。熱カソードの上述の構成に対して択一
的に、螺旋フィラメントとして実現されている従来の熱
カソードを使用することもできる。
って、円形の横断面の電子ビームが使用されないX線管
にも適している。熱カソードの上述の構成に対して択一
的に、螺旋フィラメントとして実現されている従来の熱
カソードを使用することもできる。
【0033】上述の実施例は、回転式アノードを持った
X線管である。しかし本発明は、固定回転式アノードを
持ったX線管においても使用することができる。
X線管である。しかし本発明は、固定回転式アノードを
持ったX線管においても使用することができる。
【図1】本発明のX線管の縦断面略図である。
【図2】図1のX線管の焦点スポットを拡大して示す斜
視図である。
視図である。
【図3】本発明の別のX線管の原理図である。
1 真空ケーシング、 5 カソード、 10 アノー
ド、 20 絶縁材体、 23 ビーム射出窓、 25
冷却装置、 26 高抵抗被膜
ド、 20 絶縁材体、 23 ビーム射出窓、 25
冷却装置、 26 高抵抗被膜
Claims (5)
- 【請求項1】 カソード(5)およびアノード(10)
を収容する真空ケーシング(1)を有し、該真空ケーシ
ングは導電性のビーム射出窓(23)を備え、該ビーム
射出窓はカソード電位にありかつカソード電位に比して
正の電位にある真空ケーシング(1)に対して電気的に
絶縁されていることを特徴とするX線管。 - 【請求項2】 前記ビーム射出窓(23)は前記真空ケ
ーシング(1)に絶縁材体(20)を介して結合されて
いる請求項1記載のX線管。 - 【請求項3】 前記絶縁材体(20)の内側は有利に
は、高抵抗膜(26)を備えている請求項2記載のX線
管。 - 【請求項4】 前記真空ケーシング(1)は、前記ビー
ム射出窓(23)を取り囲む領域において冷却装置(2
5)を備えている請求項1から3までのいずれか1項記
載のX線管。 - 【請求項5】 カソード(5)から電子ビーム(ES)
が射出され、該電子ビームは、前記アノード(10)
に、鋭角である角度(α)で衝突する請求項1から4ま
でのいずれか1項記載のX線管。
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DE19542438A DE19542438C1 (de) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | Röntgenröhre |
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