JPH09166790A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH09166790A JPH09166790A JP23570096A JP23570096A JPH09166790A JP H09166790 A JPH09166790 A JP H09166790A JP 23570096 A JP23570096 A JP 23570096A JP 23570096 A JP23570096 A JP 23570096A JP H09166790 A JPH09166790 A JP H09166790A
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- semiconductor substrate
- jig
- irradiation light
- liquid crystal
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133382—Heating or cooling of liquid crystal cells other than for activation, e.g. circuits or arrangements for temperature control, stabilisation or uniform distribution over the cell
- G02F1/133385—Heating or cooling of liquid crystal cells other than for activation, e.g. circuits or arrangements for temperature control, stabilisation or uniform distribution over the cell with cooling means, e.g. fans
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- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 照射光のロスによる発熱の影響を防止し、高
輝度、高精細、高コントラスト、低コスト、コンパクト
な表示装置を提供する。 【解決手段】 液晶パネルを用いた表示装置において、
照射光を反射する画素電極１０と画素スイッチ用トラン
ジスタ、周辺駆動回路をシリコン半導体基板１上に作り
込み、該シリコン半導体基板１を固定支持する治具１５
の接続部１６表面の角度を上記画素電極１０の表面の角
度と異なるように形成し、さらにシリコン半導体基板１
に冷却装置を取りつける。
輝度、高精細、高コントラスト、低コスト、コンパクト
な表示装置を提供する。 【解決手段】 液晶パネルを用いた表示装置において、
照射光を反射する画素電極１０と画素スイッチ用トラン
ジスタ、周辺駆動回路をシリコン半導体基板１上に作り
込み、該シリコン半導体基板１を固定支持する治具１５
の接続部１６表面の角度を上記画素電極１０の表面の角
度と異なるように形成し、さらにシリコン半導体基板１
に冷却装置を取りつける。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、画像・文字等を表
示する表示装置に関する。
示する表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】マルチメディア自体の到来により、より
人間の感性による情報交換手段である表示装置が注目を
集めている。中でも、携帯性、省エネルギー特性を有す
る液晶表示装置は、半導体に次ぐ花形産業となりつつあ
る。
人間の感性による情報交換手段である表示装置が注目を
集めている。中でも、携帯性、省エネルギー特性を有す
る液晶表示装置は、半導体に次ぐ花形産業となりつつあ
る。
【０００３】液晶表示装置は現在、ノート型パソコンの
表示装置として広く普及している以外にも、プロジェク
タ用ライトバルブとして使用し、大画面表示を実現しよ
うとする試みが精力的に進められている。
表示装置として広く普及している以外にも、プロジェク
タ用ライトバルブとして使用し、大画面表示を実現しよ
うとする試みが精力的に進められている。
【０００４】プロジェクタ用ライトバルブにおいては、
より高精細化を図るため、周辺回路をパネルに内蔵で
き、一画素当たりのトランジスタも小型で高駆動力が得
られる多結晶ＳｉＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が石英基
板上に設けられている。
より高精細化を図るため、周辺回路をパネルに内蔵で
き、一画素当たりのトランジスタも小型で高駆動力が得
られる多結晶ＳｉＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が石英基
板上に設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】大画面に高精度な表示
を行なうためには、小さいライトバルブに強い光量の光
束を照射しなければならない。通常の液晶パネルでは、
パネルを両側から挟むように偏光板が設けられている
が、この偏光板を通過する光量は約３５％に過ぎず、液
晶パネル内部でも開口率が３０〜５０％であり、さらに
カラーフィルターが設けられているものであれば該フィ
ルターによる光りロスがあり、全体として通過できない
光量が多く、その結果熱が生じる。
を行なうためには、小さいライトバルブに強い光量の光
束を照射しなければならない。通常の液晶パネルでは、
パネルを両側から挟むように偏光板が設けられている
が、この偏光板を通過する光量は約３５％に過ぎず、液
晶パネル内部でも開口率が３０〜５０％であり、さらに
カラーフィルターが設けられているものであれば該フィ
ルターによる光りロスがあり、全体として通過できない
光量が多く、その結果熱が生じる。
【０００６】液晶パネルの温度が上昇すると、液晶特性
のみならず、例えば画素スイッチである多結晶ＳｉＴＦ
Ｔのリーク電流が増大し、誤動作による画質の劣化とい
う問題を引き起こしていた。
のみならず、例えば画素スイッチである多結晶ＳｉＴＦ
Ｔのリーク電流が増大し、誤動作による画質の劣化とい
う問題を引き起こしていた。
【０００７】また、液晶パネルを固定する治具から反射
した光が、表示画像に混じり、表示特性が悪くなる問題
がある。
した光が、表示画像に混じり、表示特性が悪くなる問題
がある。
【０００８】本発明の目的は、上記問題点を解決し、高
輝度、高精細、高コントラスト、低コスト、コンパクト
な表示装置を提供することであり、具体的には、液晶パ
ネルに限らず、発熱による画質の劣化を簡易な手段によ
り防止し、高品位な画像表示を実現することにある。
輝度、高精細、高コントラスト、低コスト、コンパクト
な表示装置を提供することであり、具体的には、液晶パ
ネルに限らず、発熱による画質の劣化を簡易な手段によ
り防止し、高品位な画像表示を実現することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記した画素
スイッチとしてＴＦＴを設けた半導体基板を有する表示
装置において、該半導体基板の裏面に冷却装置を備え、
光を反射する部材を用いて反射型の液晶パネルを構成
し、さらに、上記半導体基板を固定支持する治具の表面
の角度を上記反射部材の表面の角度と異なるように設定
することにより、液晶パネル内で損失される光により生
じた熱を冷却装置により外部に発散して液晶パネル内部
への影響を防止し、且つ、治具による反射光が反射部材
において反射された光に混同されるのを防止し、所望の
反射光のみを照射領域へ導くものである。
スイッチとしてＴＦＴを設けた半導体基板を有する表示
装置において、該半導体基板の裏面に冷却装置を備え、
光を反射する部材を用いて反射型の液晶パネルを構成
し、さらに、上記半導体基板を固定支持する治具の表面
の角度を上記反射部材の表面の角度と異なるように設定
することにより、液晶パネル内で損失される光により生
じた熱を冷却装置により外部に発散して液晶パネル内部
への影響を防止し、且つ、治具による反射光が反射部材
において反射された光に混同されるのを防止し、所望の
反射光のみを照射領域へ導くものである。
【００１０】即ち本発明は、表面より照射された光を画
素毎に制御して表示を行なう表示装置であって、照射光
の反射部材と該部材を制御するトランジスタ及び周辺駆
動回路を設けた半導体基板と、該半導体基板を固定支持
する治具と、該半導体基板の裏面に位置する冷却装置と
を有し、上記半導体基板周辺部の治具の表面の角度が、
上記反射部材の表面の角度と異なることを特徴とする表
示装置である。
素毎に制御して表示を行なう表示装置であって、照射光
の反射部材と該部材を制御するトランジスタ及び周辺駆
動回路を設けた半導体基板と、該半導体基板を固定支持
する治具と、該半導体基板の裏面に位置する冷却装置と
を有し、上記半導体基板周辺部の治具の表面の角度が、
上記反射部材の表面の角度と異なることを特徴とする表
示装置である。
【００１１】本発明においては、上記半導体基板に温度
測定用のｐｎダイオードを設けることにより、表示装置
の温度制御をよりスムーズに行なうことができる。
測定用のｐｎダイオードを設けることにより、表示装置
の温度制御をよりスムーズに行なうことができる。
【００１２】また、本発明は前記液晶表示装置に限ら
ず、デジタルマイクロミラー装置（ＤＭＤ；Ｄｉｇｉｔ
ａｌ Ｍｉｃｒｏ−ｍｉｒｒｏｒ ｄｅｖｉｃｅ）など
に応用することができるが、液晶表示装置に用いる場合
には、画素電極を反射部材として、反射型の液晶表示装
置を構成すれば良い。
ず、デジタルマイクロミラー装置（ＤＭＤ；Ｄｉｇｉｔ
ａｌ Ｍｉｃｒｏ−ｍｉｒｒｏｒ ｄｅｖｉｃｅ）など
に応用することができるが、液晶表示装置に用いる場合
には、画素電極を反射部材として、反射型の液晶表示装
置を構成すれば良い。
【００１３】また、前記半導体基板周辺部の治具の裏面
に良熱伝導材が設けられているのが好ましい。
に良熱伝導材が設けられているのが好ましい。
【００１４】本発明は次の表示装置も包含する。即ち、
本発明の表示装置は、表面より照射された光を画素毎に
制御して表示を行なう表示装置であって、照射光の反射
部材と該部材を制御するトランジスタ及び周辺駆動回路
を設けた半導体基板と、該半導体基板を固定支持する治
具と、該半導体基板の裏面に位置する冷却装置とを有
し、上記治具の表面が、黒く塗られていることを特徴と
する。
本発明の表示装置は、表面より照射された光を画素毎に
制御して表示を行なう表示装置であって、照射光の反射
部材と該部材を制御するトランジスタ及び周辺駆動回路
を設けた半導体基板と、該半導体基板を固定支持する治
具と、該半導体基板の裏面に位置する冷却装置とを有
し、上記治具の表面が、黒く塗られていることを特徴と
する。
【００１５】ここで、前記半導体基板上に、温度測定用
のｐｎダイオードを設けることが好ましい。
のｐｎダイオードを設けることが好ましい。
【００１６】また、前記表示装置が、前記照射光の反射
部材が画素電極となる反射型の液晶表示装置であること
が好ましい。
部材が画素電極となる反射型の液晶表示装置であること
が好ましい。
【００１７】さらにまた、前記表示装置が、前記照射光
の反射部材が反射ミラーとなるＤＭＤであることが好ま
しい。
の反射部材が反射ミラーとなるＤＭＤであることが好ま
しい。
【００１８】また、本発明は次の表示装置も包含する。
即ち、本発明の表示装置は、表面より照射された光を画
素毎に制御して表示を行なう表示装置であって、照射光
の反射部材と該部材を制御するトランジスタ及び周辺駆
動回路を設けた半導体基板と、該半導体基板を固定支持
する治具と、該半導体基板の裏面に位置する冷却装置と
を有し、上記半導体基板周辺部の治具の表面が、凹凸形
状を有していることを特徴とする。
即ち、本発明の表示装置は、表面より照射された光を画
素毎に制御して表示を行なう表示装置であって、照射光
の反射部材と該部材を制御するトランジスタ及び周辺駆
動回路を設けた半導体基板と、該半導体基板を固定支持
する治具と、該半導体基板の裏面に位置する冷却装置と
を有し、上記半導体基板周辺部の治具の表面が、凹凸形
状を有していることを特徴とする。
【００１９】ここで、前記半導体基板上に、温度測定用
のｐｎダイオードを設けることが好ましい。
のｐｎダイオードを設けることが好ましい。
【００２０】また、前記表示装置が、前記照射光の反射
部材が画素電極となる反射型の液晶表示装置であること
が好ましい。
部材が画素電極となる反射型の液晶表示装置であること
が好ましい。
【００２１】さらにまた、前記表示装置が、前記照射光
の反射部材が反射ミラーとなるＤＭＤであることが好ま
しい。
の反射部材が反射ミラーとなるＤＭＤであることが好ま
しい。
【００２２】
［実施形態１］本発明の第１の実施形態について、図１
にその断面図を示して説明する。
にその断面図を示して説明する。
【００２３】図１において１はＳｉ半導体基板で本実施
形態ではｐ型基板である。２はフィールド酸化膜、３、
４、５は液晶パネルの周辺駆動回路を構成するトランジ
スタのソース、ゲート、ドレインであり、６、７、８は
表示部に設けられた画素スイッチ用ＴＦＴのソース、ゲ
ート、ドレインで、該ソース６は信号線へ、ゲート７は
駆動線に接続されている。９は配線層で、画素スイッチ
用ＴＦＴのドレインはこの配線層を介して画素電極１０
に接続されている。１１は導電材からなる遮光層で、画
素電極１０との間で画素信号を保持する容量を形成して
いる。１２は液晶層で、偏光を制御するゲスト・ホスト
型液晶、強誘電液晶（ＦＬＣ）や、散乱・非散乱で階調
を表す高分子分散型液晶等が好適に用いられる。１３は
対向ガラス基板、１４は共通電位となる透明な共通電極
である。
形態ではｐ型基板である。２はフィールド酸化膜、３、
４、５は液晶パネルの周辺駆動回路を構成するトランジ
スタのソース、ゲート、ドレインであり、６、７、８は
表示部に設けられた画素スイッチ用ＴＦＴのソース、ゲ
ート、ドレインで、該ソース６は信号線へ、ゲート７は
駆動線に接続されている。９は配線層で、画素スイッチ
用ＴＦＴのドレインはこの配線層を介して画素電極１０
に接続されている。１１は導電材からなる遮光層で、画
素電極１０との間で画素信号を保持する容量を形成して
いる。１２は液晶層で、偏光を制御するゲスト・ホスト
型液晶、強誘電液晶（ＦＬＣ）や、散乱・非散乱で階調
を表す高分子分散型液晶等が好適に用いられる。１３は
対向ガラス基板、１４は共通電位となる透明な共通電極
である。
【００２４】１５は上記液晶パネルと光学部品２０とを
固定支持する治具で、熱伝導特性に優れた金属板が望ま
しく、Ｓｉ半導体基板１には銀ペースト等で接着されて
いる。１６は上記治具１５に接続されたヒートパイプ
で、治具１５のＳｉ半導体基板１との接続部１８にパイ
プ状に、或いはＳｉ半導体基板１の裏面全体に板状容器
の形態で取り付けられている。
固定支持する治具で、熱伝導特性に優れた金属板が望ま
しく、Ｓｉ半導体基板１には銀ペースト等で接着されて
いる。１６は上記治具１５に接続されたヒートパイプ
で、治具１５のＳｉ半導体基板１との接続部１８にパイ
プ状に、或いはＳｉ半導体基板１の裏面全体に板状容器
の形態で取り付けられている。
【００２５】上記ヒートパイプ１６の内壁面には、ウィ
ッグと呼ばれる毛細管構造が構成されており、該毛細管
中には作動液が適当量封入されている。液晶パネルの裏
面の温度が上昇すると、その熱を奪って上記作動液が蒸
発し、放熱フィン１７に達する。そこで気体は凝縮し、
熱を放出すると共に液化し、元の作動液に戻る。作動液
は再び毛細管現象により加熱端に戻り、循環を形成す
る。
ッグと呼ばれる毛細管構造が構成されており、該毛細管
中には作動液が適当量封入されている。液晶パネルの裏
面の温度が上昇すると、その熱を奪って上記作動液が蒸
発し、放熱フィン１７に達する。そこで気体は凝縮し、
熱を放出すると共に液化し、元の作動液に戻る。作動液
は再び毛細管現象により加熱端に戻り、循環を形成す
る。
【００２６】以上述べたヒートパイプ型による冷却装置
以外にも、液体を用いる冷却方式、空冷方式、ベルチェ
素子を用いる方式等を用いることができる。
以外にも、液体を用いる冷却方式、空冷方式、ベルチェ
素子を用いる方式等を用いることができる。
【００２７】治具１５の接続部１８は、その表面の角度
が画素電極１０の表面と異なる角度に設定されている。
従って、液晶パネル周辺に照射した光は、画素電極１０
からの反射光とは異なる角度に反射するため、表示には
一切影響せず、従来反射型の液晶パネルで見られたパネ
ル周辺からの反射光の混入によるコントラストの低下が
防止される。
が画素電極１０の表面と異なる角度に設定されている。
従って、液晶パネル周辺に照射した光は、画素電極１０
からの反射光とは異なる角度に反射するため、表示には
一切影響せず、従来反射型の液晶パネルで見られたパネ
ル周辺からの反射光の混入によるコントラストの低下が
防止される。
【００２８】また、冷却装置を備えていること、及びパ
ネルが熱伝導率の高いＳｉ基板を用いていることから、
液晶パネルの温度上昇が抑えられるため、温度上昇によ
る表示特性の劣化が防止され、さらに強い照明光を利用
することができる。
ネルが熱伝導率の高いＳｉ基板を用いていることから、
液晶パネルの温度上昇が抑えられるため、温度上昇によ
る表示特性の劣化が防止され、さらに強い照明光を利用
することができる。
【００２９】またさらに、周辺駆動回路が単結晶のＳｉ
基板上に作り込まれているため、小ピッチ・小面積で高
速駆動回路が実現でき、高精細、低コストな液晶パネル
が構成される。
基板上に作り込まれているため、小ピッチ・小面積で高
速駆動回路が実現でき、高精細、低コストな液晶パネル
が構成される。
【００３０】［実施形態２］本発明第２の実施形態につ
いて、図２にその断面図を示して説明する。
いて、図２にその断面図を示して説明する。
【００３１】図２において、図１と同等・同一箇所には
同一番号を記し、その説明を省略する。
同一番号を記し、その説明を省略する。
【００３２】図２において、３１は半導体基板３２を固
定する治具であり、４５に示す如く、半導体基板３２の
周辺部では画素電極１０の表面とは異なる角度になるよ
うに表面にテーパーが付けられている。さらに該表面に
は光の反射率を低下させるコーティング材を設けている
ことが望ましい。
定する治具であり、４５に示す如く、半導体基板３２の
周辺部では画素電極１０の表面とは異なる角度になるよ
うに表面にテーパーが付けられている。さらに該表面に
は光の反射率を低下させるコーティング材を設けている
ことが望ましい。
【００３３】３２はｎ型Ｓｉ半導体基板、３３はｐウェ
ル層、３４はｎ+ 拡散層、３５はｐ+ 拡散層で、このｐ
ｎダイオードによりパネルの温度がモニターされ、パネ
ル裏面に設けられた冷却装置をコントロールすることが
できる。３６、３７、３８は表示領域に設けられたｎ型
ＭＯＳＦＥＴのソース、ゲート、ドレインで、３９、４
０、４１は同様にｐ型ＭＯＳＦＥＴのドレイン、ゲー
ト、ソースで、両者のＭＯＳＦＥＴにより画素スイッチ
をトランスミッション型で構成している。これにより、
ＭＯＳＦＥＴの閾値によらず、画素信号を画素電極に書
き込むことが可能になり、液晶パネルの低電圧化を図る
ことができる。
ル層、３４はｎ+ 拡散層、３５はｐ+ 拡散層で、このｐ
ｎダイオードによりパネルの温度がモニターされ、パネ
ル裏面に設けられた冷却装置をコントロールすることが
できる。３６、３７、３８は表示領域に設けられたｎ型
ＭＯＳＦＥＴのソース、ゲート、ドレインで、３９、４
０、４１は同様にｐ型ＭＯＳＦＥＴのドレイン、ゲー
ト、ソースで、両者のＭＯＳＦＥＴにより画素スイッチ
をトランスミッション型で構成している。これにより、
ＭＯＳＦＥＴの閾値によらず、画素信号を画素電極に書
き込むことが可能になり、液晶パネルの低電圧化を図る
ことができる。
【００３４】また、本実施形態では、４２に示すように
対向ガラス基板１３表面にはテーパーが付けられてお
り、その表面に共通電極４３が設けられている。さら
に、対向ガラス基板１３の液晶層１３側には反射防止コ
ーティング材４４が設けられている。
対向ガラス基板１３表面にはテーパーが付けられてお
り、その表面に共通電極４３が設けられている。さら
に、対向ガラス基板１３の液晶層１３側には反射防止コ
ーティング材４４が設けられている。
【００３５】このように、画素電極１０以外に反射光を
生じる領域には画素電極１０とは異なる角度を持たせ、
熱伝導率の高いＳｉ半導体基板３２の裏面に冷却装置を
備え、さらに、Ｓｉ半導体基板３２上にダイオードを設
けて温度上昇をモニターし、上記冷却装置を制御するこ
とにより、いかなる環境であっても良好なコントラスト
の表示が実現する。
生じる領域には画素電極１０とは異なる角度を持たせ、
熱伝導率の高いＳｉ半導体基板３２の裏面に冷却装置を
備え、さらに、Ｓｉ半導体基板３２上にダイオードを設
けて温度上昇をモニターし、上記冷却装置を制御するこ
とにより、いかなる環境であっても良好なコントラスト
の表示が実現する。
【００３６】［実施形態３］次に本発明第３の実施形態
について、図３にその断面図を示して説明する。本実施
形態は、液晶表示装置ではなく、本発明をミラーを振る
ＤＭＤなどのデバイスに応用したものである。
について、図３にその断面図を示して説明する。本実施
形態は、液晶表示装置ではなく、本発明をミラーを振る
ＤＭＤなどのデバイスに応用したものである。
【００３７】図３において、５１はパネルを付ける表面
側に５２に示す如く凹凸を設けた熱伝導特性の良い素材
からなる治具、５３はパネルと治具５１との接着材、５
４はＳｉ半導体基板、５５はミラーを振る下地回路とな
るＣＭＯＳセル、５６は電位を与える電極、５７は反射
ミラーである。
側に５２に示す如く凹凸を設けた熱伝導特性の良い素材
からなる治具、５３はパネルと治具５１との接着材、５
４はＳｉ半導体基板、５５はミラーを振る下地回路とな
るＣＭＯＳセル、５６は電位を与える電極、５７は反射
ミラーである。
【００３８】図３の上方からの照明光は、反射ミラー５
７に反射されて散乱されて戻る。一方、パネルの周辺に
照射された光は、５２に示された凹凸により散乱され、
ここからの反射光は反射ミラー５７からの反射光と異な
る角度に出射される。従って、反射ミラー以外の光を分
離することができ、高コントラストが実現される。ま
た、パネルは治具を介して冷却装置により温度調節され
ており、安定した動作が実現する。
７に反射されて散乱されて戻る。一方、パネルの周辺に
照射された光は、５２に示された凹凸により散乱され、
ここからの反射光は反射ミラー５７からの反射光と異な
る角度に出射される。従って、反射ミラー以外の光を分
離することができ、高コントラストが実現される。ま
た、パネルは治具を介して冷却装置により温度調節され
ており、安定した動作が実現する。
【００３９】［実施形態４］図４に本発明の表示装置を
用いてリア型プロジェクタを構成した模式図を示す。表
示装置としては先に示した実施形態１〜３のいずれも好
適に用いることができる。
用いてリア型プロジェクタを構成した模式図を示す。表
示装置としては先に示した実施形態１〜３のいずれも好
適に用いることができる。
【００４０】図４中、１０１は表示装置及び光源制御用
ボード、１０２は光源電源ユニット、１０３は光源、１
０４は非球面ミラー、１０５は色分解用プリズム、１０
６は本発明の表示装置、１０７はマイクロミラー、１０
８はアパーチャー、１０９は自由曲面プリズム光学系、
１１０はスクリーン、１１８はレンズ、１１１〜１１
３、１１５〜１１７は光束である。
ボード、１０２は光源電源ユニット、１０３は光源、１
０４は非球面ミラー、１０５は色分解用プリズム、１０
６は本発明の表示装置、１０７はマイクロミラー、１０
８はアパーチャー、１０９は自由曲面プリズム光学系、
１１０はスクリーン、１１８はレンズ、１１１〜１１
３、１１５〜１１７は光束である。
【００４１】光源１０３から出た光束１１１は、非球面
ミラー１０４で集光され、マイクロミラー１０７に結像
する。マイクロミラー１０７からの反射光は色分解プリ
ズム１０５で、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に分解さ
れ、表示装置１０６に平行光となって入射する。即ちレ
ンズ１１８はテレセントリック系に配置されている。
ミラー１０４で集光され、マイクロミラー１０７に結像
する。マイクロミラー１０７からの反射光は色分解プリ
ズム１０５で、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に分解さ
れ、表示装置１０６に平行光となって入射する。即ちレ
ンズ１１８はテレセントリック系に配置されている。
【００４２】表示用信号に応じて変調された反射光１１
５がレンズ１１８に再び入射すると、暗表示光のみアパ
ーチャー１０８を通り抜け、自由曲面プリズム光学系１
０９に入射する。この自由曲面プリズム光学系を用いる
ことにより、薄型で収差の少ない像をスクリーン１１０
に結像できる。
５がレンズ１１８に再び入射すると、暗表示光のみアパ
ーチャー１０８を通り抜け、自由曲面プリズム光学系１
０９に入射する。この自由曲面プリズム光学系を用いる
ことにより、薄型で収差の少ない像をスクリーン１１０
に結像できる。
【００４３】本発明の表示装置を用いたリア型プロジェ
クタは高コントラスト、高輝度で非常に鮮明な表示が可
能となる。
クタは高コントラスト、高輝度で非常に鮮明な表示が可
能となる。
【００４４】［実施形態５］実施形態５は、図１で説明
した表示装置の接続部１８の内側と治具１５の表面を黒
く塗ることによって光を吸収する形態である。この形態
では、接続部１８の表面の角度は必ずしも反射部材の角
度と異ならなくても良い。この形態により、接続部１８
と治具１５に当たった光は、接続部１８と治具１５に吸
収され、乱反射を起こさない。よって、本形態の表示装
置はコントラストが大きい。
した表示装置の接続部１８の内側と治具１５の表面を黒
く塗ることによって光を吸収する形態である。この形態
では、接続部１８の表面の角度は必ずしも反射部材の角
度と異ならなくても良い。この形態により、接続部１８
と治具１５に当たった光は、接続部１８と治具１５に吸
収され、乱反射を起こさない。よって、本形態の表示装
置はコントラストが大きい。
【００４５】［実施形態６］実施形態６は、図１で説明
した表示装置の接続部１８の裏面と治具１５の側壁にＡ
ｌ、Ｃｕなどの良熱伝導体を設ける形態である。この形
態によれば、液晶パネルや治具１８内にたまった熱を効
率的に逃すことができ、本形態の表示装置は誤動作のな
い信頼性の高いものになる。
した表示装置の接続部１８の裏面と治具１５の側壁にＡ
ｌ、Ｃｕなどの良熱伝導体を設ける形態である。この形
態によれば、液晶パネルや治具１８内にたまった熱を効
率的に逃すことができ、本形態の表示装置は誤動作のな
い信頼性の高いものになる。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、温度による影響が防止
されるため、より強い照射光を利用することができ、且
つ、表示領域以外からの反射光が除かれるため、高輝
度、高コントラストな表示が実現し、また、単結晶半導
体基板上に周辺回路まで一体で作り込むため、低コス
ト、コンパクトな表示装置が可能となる。
されるため、より強い照射光を利用することができ、且
つ、表示領域以外からの反射光が除かれるため、高輝
度、高コントラストな表示が実現し、また、単結晶半導
体基板上に周辺回路まで一体で作り込むため、低コス
ト、コンパクトな表示装置が可能となる。
【図１】本発明第１の実施形態の断面図である。
【図２】本発明第２の実施形態の断面図である。
【図３】本発明第３の実施形態の断面図である。
【図４】本発明の表示装置をリア型プロジェクタに用い
た第４の実施形態の模式図である。
た第４の実施形態の模式図である。
１ Ｓｉ半導体基板（ｐ型） ２ フィールド酸化膜 ３ ソース ４ ゲート ５ ドレイン ６ ソース ７ ゲート ８ ドレイン ９ 配線層 １０ 画素電極 １１ 遮光層 １２ 液晶層 １３ 対向ガラス基板 １４ 共通電極 １５ 治具 １６ ヒートパイプ １７ 放熱フィン １８ 接続部 ２０ 光学部品 ３１ 治具 ３２ Ｓｉ半導体基板（ｎ型） ３３ ｐウェル層 ３４ ｎ+ 拡散層 ３５ ｐ+ 拡散層 ３６ ソース ３７ ゲート ３８ ドレイン ３９ ドレイン ４０ ゲート ４１ ソース ４３ 共通電極 ４４ 反射防止コーティング材 ５１ 治具 ５２ 凹凸 ５３ 接着材 ５４ 半導体基板 ５５ ＣＭＯＳセル ５６ 電極 ５７ 反射ミラー １０１ 表示装置及び光源制御用ボード １０２ 光源電源ユニット １０３ 光源 １０４ 非球面ミラー １０５ 色分解用プリズム １０６ 本発明の表示装置 １０７ マイクロミラー １０８ アパーチャー １０９ 自由曲面プリズム光学系 １１０ スクリーン １１８ レンズ １１１〜１１３、１１５〜１１７ 光束
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０４Ｎ 5/74 Ｂ Ｈ０４Ｎ 5/74 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｂ
Claims (13)
- 【請求項１】 表面より照射された光を画素毎に制御し
て表示を行なう表示装置であって、照射光の反射部材と
該部材を制御するトランジスタ及び周辺駆動回路を設け
た半導体基板と、該半導体基板を固定支持する治具と、
該半導体基板の裏面に位置する冷却装置とを有し、上記
半導体基板周辺部の治具の表面の角度が、上記反射部材
の表面の角度と異なることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記半導体基板上に、温度測定用のｐｎ
ダイオードを設けた請求項１記載の表示装置。 - 【請求項３】 前記照射光の反射部材が画素電極となる
反射型の液晶表示装置である請求項１または２記載の表
示装置。 - 【請求項４】 前記照射光の反射部材が反射ミラーとな
るデジタルマイクロミラー装置である請求項１または２
記載の表示装置。 - 【請求項５】 前記半導体基板周辺部の治具の裏面に良
熱伝導材が設けられている請求項１〜４のいずれか１項
に記載の表示装置。 - 【請求項６】 表面より照射された光を画素毎に制御し
て表示を行なう表示装置であって、照射光の反射部材と
該部材を制御するトランジスタ及び周辺駆動回路を設け
た半導体基板と、該半導体基板を固定支持する治具と、
該半導体基板の裏面に位置する冷却装置とを有し、上記
治具の表面が、黒く塗られていることを特徴とする表示
装置。 - 【請求項７】 前記半導体基板上に、温度測定用のｐｎ
ダイオードを設けた請求項６記載の表示装置。 - 【請求項８】 前記照射光の反射部材が画素電極となる
反射型の液晶表示装置である請求項６または７記載の表
示装置。 - 【請求項９】 前記照射光の反射部材が反射ミラーとな
るデジタルマイクロミラー装置である請求項６または７
記載の表示装置。 - 【請求項１０】 表面より照射された光を画素毎に制御
して表示を行なう表示装置であって、照射光の反射部材
と該部材を制御するトランジスタ及び周辺駆動回路を設
けた半導体基板と、該半導体基板を固定支持する治具
と、該半導体基板の裏面に位置する冷却装置とを有し、
上記半導体基板周辺部の治具の表面が、凹凸形状を有し
ていることを特徴とする表示装置。 - 【請求項１１】 前記半導体基板上に、温度測定用のｐ
ｎダイオードを設けた請求項１０記載の表示装置。 - 【請求項１２】 前記照射光の反射部材が画素電極とな
る反射型の液晶表示装置である請求項１０または１１記
載の表示装置。 - 【請求項１３】 前記照射光の反射部材が反射ミラーと
なるデジタルマイクロミラー装置である請求項１０また
は１１記載の表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23570096A JPH09166790A (ja) | 1995-09-13 | 1996-09-06 | 表示装置 |
| US08/915,663 US5793452A (en) | 1995-09-13 | 1997-08-21 | Display device with jig and cooling means |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25958395 | 1995-09-13 | ||
| JP7-259583 | 1995-09-13 | ||
| JP23570096A JPH09166790A (ja) | 1995-09-13 | 1996-09-06 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09166790A true JPH09166790A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=26532275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23570096A Pending JPH09166790A (ja) | 1995-09-13 | 1996-09-06 | 表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5793452A (ja) |
| JP (1) | JPH09166790A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004126151A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Nec Corp | 表示装置 |
| JP2008256821A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Sony Corp | 表示デバイス、光学モジュールおよび投射型表示装置 |
| JP2013186474A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Philloptics Co Ltd | Ｄｍｄモジュール冷却装置 |
| JP2016186528A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6430934B2 (en) | 2000-02-10 | 2002-08-13 | Light And Sound Design Ltd. | Super cooler for a heat producing device |
| US20050270443A1 (en) * | 2004-06-03 | 2005-12-08 | Chia-Te Lin | Liquid crystal display panel |
| US8400607B2 (en) * | 2005-10-11 | 2013-03-19 | Barco N.V. | Display assemblies and methods of display |
| JP2007139912A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Sharp Corp | 駆動素子実装表示装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5616393B2 (ja) * | 1972-08-03 | 1981-04-16 | ||
| EP0112946B1 (en) * | 1982-12-30 | 1987-05-06 | International Business Machines Corporation | Hermetic electro-optic display cell |
| DE8712733U1 (de) * | 1986-05-27 | 1988-01-14 | Haastert, Bernd, 5300 Bonn | Projizierbare passive Flüssigkeitskristall-Anzeigevorrichtung |
| US4796977A (en) * | 1987-03-17 | 1989-01-10 | Drake George M | Unitary LCD display holder |
| DE69026181D1 (de) * | 1989-10-11 | 1996-05-02 | Sanyo Electric Co | Flussigkristallprojektor |
| DE69323597T2 (de) * | 1992-11-12 | 1999-08-19 | Canon Kk | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung |
| US5721602A (en) * | 1995-10-11 | 1998-02-24 | International Business Machines Corporation | Mechanical packaging and thermal management of flat mirror arrays |
-
1996
- 1996-09-06 JP JP23570096A patent/JPH09166790A/ja active Pending
-
1997
- 1997-08-21 US US08/915,663 patent/US5793452A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
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| JP2016186528A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5793452A (en) | 1998-08-11 |
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