JPH09162127A - エピタキシャル成長方法 - Google Patents
エピタキシャル成長方法Info
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- JPH09162127A JPH09162127A JP31628995A JP31628995A JPH09162127A JP H09162127 A JPH09162127 A JP H09162127A JP 31628995 A JP31628995 A JP 31628995A JP 31628995 A JP31628995 A JP 31628995A JP H09162127 A JPH09162127 A JP H09162127A
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Abstract
GaNまたはInGaNとGaNとの積層体を形成し、
他の領域にGaAsとAlGaAsまたはInGaAs
とGaAsとの積層体を形成するエピタキシャル成長方
法を提供することにある。 【解決手段】 GaNとAlGaNまたはInGaNと
GaNとの積層体の一部領域が除去されて露出している
Si基板上に、Ga源としてトリメチルガリウムを使用
し、ヒ素源としてトリスジメチルアミノアルシンを使用
して、第1のGaAs層を形成し、Al源としてジメチ
ルアルミニウムハイドライドを使用し、In源としてト
リメチルインジュウムを使用し、Ga源としてトリメチ
ルガリウムを使用し、ヒ素源としてトリスジメチルアミ
ノアルシンを使用して、第1のGaAs層の上にAlG
aAs層またはInGaAs層を形成し、Ga源として
トリメチルガリウムを使用し、ヒ素源としてトリスジメ
チルアミノアルシンを使用して、AlGaAs層または
InGaAs層の上に第2のGaAs層を形成する工程
を有するエピタキシャル成長方法である。
Description
ピタキシャル成長方法に関する。特に、Si基板上の一
部領域に、GaNとAlGaNとGaNとの積層体を形
成し、他の領域にGaAsとAlGaAsとGaAsと
の積層体を形成するエピタキシャル成長方法と、Si基
板上の一部領域に、GaNとInGaNとGaNとの積
層体を形成し、他の領域にGaAsとInGaAsとG
aAsとの積層体を形成するエピタキシャル成長方法と
に関する。
メタルGaをGa源とし、ラジカル化したNをN源とし
て、基板温度を500〜600°Cとする方法が知られ
ている。また、トリメチルガリウムをGa源とし、ラジ
カル化したアンモニアをN源とする方法も知られてい
る。
には、メタルGaをGa源とし、ヒ素をAs源とし、当
初基板温度を450°CとしてGaAs層を形成した
後、基板温度を650°Cに上昇して、上記のGaAs
層上に重ねてGaAs層形成する二段階成長法も知られ
ている。
上の一部領域にGaNとAlGaNとGaNとの積層体
を形成し、他の領域にGaAsとAlGaAsとGaA
sとの積層体を形成するエピタキシャル成長方法も、ま
た、単一のSi基板上の一部領域にGaNとInGaN
とGaNとの積層体を形成し、他の領域にGaAsとI
nGaAsとGaAsとの積層体を形成するエピタキシ
ャル成長方法も知られていない。そこで、かゝるエピタ
キシャル成長方法の開発が望まれていた。
NとAlGaNとGaNとの積層体を形成する方法を提
供することにある。
NとGaNとの積層体の一部領域のみを選択的にエッチ
ングする方法を提供することにある。
の一部領域にGaNとAlGaNとGaNとの積層体を
形成し、他の領域にGaAsとAlGaAsとGaAs
との積層体を形成するエピタキシャル成長方法を提供す
ることにある。
NとInGaNとGaNとの積層体を形成する方法を提
供することにある。
NとGaNとの積層体の一部領域のみを選択的にエッチ
ングする方法を提供することにある。
の一部領域にGaNとInGaNとGaNとの積層体を
形成し、他の領域にGaAsとInGaAsとGaAs
との積層体を形成するエピタキシャル成長方法を提供す
ることにある。
するために、本発明に係るGaNとAlGaNとGaN
との積層体をSi基板上に形成する方法は、Ga源とし
てメタルガリウムまたはトリエチルガリウムもしくはト
リメチルガリウムを使用し、N源としてジメチルヒドラ
ジンを使用して、Si基板上に第1のGaN層を形成
し、Al源としてジメチルエチルアミンアランまたはト
リエチルアルミニウムを使用し、Ga源としてトリエチ
ルガリウムまたはトリメチルガリウムを使用し、N源と
してジメチルヒドラジンを使用して、前記の第1のGa
N層の上にAlGaN層を形成し、Ga源としてメタル
ガリウムまたはトリエチルガリウムもしくはトリメチル
ガリウムを使用し、N源としてジメチルヒドラジンを使
用して、前記のAlGaN層の上に第2のGaN層を形
成する方法である。
明に係るGaNとAlGaNとGaNとの積層体の一部
領域のみを選択的にエッチングする方法は、GaNとA
lGaNとGaNとの積層体の一部領域に電子ビーム照
射をなした後、塩素のホットジェットビーム照射をなし
て、前記の電子ビーム照射がなされて領域のみを、選択
的にエッチングする方法である。
明に係る単一のSi基板上の一部領域にGaNとAlG
aNとGaNとの積層体を形成し、他の領域にGaAs
とAlGaAsとGaAsとの積層体を形成するエピタ
キシャル成長方法は、Si基板上に形成されているGa
NとAlGaNとGaNとの積層体の一部領域が除去さ
れて露出している前記のSi基板上に、Ga源としてト
リメチルガリウムを使用し、ヒ素源としてトリスジメチ
ルアミノアルシンを使用して、第1のGaAs層を形成
し、Al源としてジメチルアルミニウムハイドライドを
使用し、Ga源としてトリメチルガリウムを使用し、ヒ
素源としてトリスジメチルアミノアルシンを使用して、
前記の第1のGaAs層の上にAlGaAs層を形成
し、Ga源としてトリメチルガリウムを使用し、ヒ素源
としてトリスジメチルアミノアルシンを使用して、前記
のAlGaAs層の上に第2のGaAs層を形成する方
法である。
明に係るGaNとInGaNとGaNとの積層体をSi
基板上に形成する方法は、Ga源としてメタルガリウム
またはトリエチルガリウムもしくはトリメチルガリウム
を使用し、N源としてジメチルヒドラジンを使用して、
Si基板上に第1のGaN層を形成し、In源としてト
リエチルインジュウムを使用し、Ga源としてガリウム
またはトリエチルガリウムもしくはトリメチルガリウム
を使用し、N源としてジメチルヒドラジンを使用して、
前記の第1のGaN層の上にInGaN層を形成し、G
a源としてメタルガリウムまたはトリエチルガリウムも
しくはトリメチルガリウムを使用し、N源としてジメチ
ルヒドラジンを使用して、前記のAlGaN層の上に第
2のGaN層を形成する方法である。
明に係るGaNとInGaNとGaNとの積層体の一部
領域のみを選択的にエッチングする方法は、GaNとI
nGaNとGaNとの積層体の一部領域に電子ビーム照
射をなした後、塩素のホットジェットビーム照射をなし
て、前記の電子ビーム照射がなされた領域のみを、選択
的にエッチングする方法である。
明に係る単一のSi基板上の一部領域にGaNとInG
aNとGaNとの積層体を形成し、他の領域にGaAs
とInGaAsとGaAsとの積層体を形成するエピタ
キシャル成長方法は、Si基板上に形成されているGa
NとInGaNとGaNとの積層体の一部領域が除去さ
れて露出している前記のSi基板上に、Ga源としてト
リメチルガリウムを使用し、ヒ素源としてトリスジメチ
ルアミノアルシンを使用して、第1のGaAs層を形成
し、In源としてトリメチルインジュウムを使用し、G
a源としてトリメチルガリウムを使用し、ヒ素源として
トリスジメチルアミノアルシンを使用して、前記の第1
のGaAs層の上にInGaAs層を形成し、Ga源と
してトリメチルガリウムを使用し、ヒ素源としてトリス
ジメチルアミノアルシンを使用して、前記のInGaA
s層の上に第2のGaAs層を形成する方法である。
実施の形態の6例について、さらに説明する。第1例 Si基板上にGaNとAlGaNとGaNとの積層体を
形成する方法 図2参照 面方位が(100)または(111)であるSi基板1
を超高真空装置中に入れ、超高真空状態の下において8
00°C以上に加熱して、基板1の表面から自然酸化膜
を除去する。
(TMG)もしくはトリエチルガリウム(TEG)をG
a源とし、ジメチルヒドラジン(DMHy)をN源とし
て、基板温度650°Cにおいて、有機金属を使用して
なす気相成長法を実行して、厚さが例えば500ÅのG
aN層2を形成する。
はトリエチルガリウム(TEG)よりなるGa源とジメ
チルヒドラジン(DMHy)よりなるN源とに、アルミ
ニウム源であるジメチルエチルアミノアラン(DMEA
A)またはトリエチルアルミニウム(TEA)を追加し
て、基板温度650°Cにおいて、有機金属を使用して
なす気相成長法を実行して、厚さが例えば50〜500
ÅのAlGaN層31・32を形成する。このとき、G
a源とAl源とのフラックス量を制御して、混晶比は自
由に制御できる。また、厚さも、用途に応じて反応時間
を制御して、自由に制御できる。本例においては、Ga
の混晶比がx1 である下層31とGaの混晶比がx2 で
ある上層32とをもってAlGaN層31・32が構成
されているものとして図示する。
リウム(TMG)もしくはトリエチルガリウム(TE
G)をGa源とし、ジメチルヒドラジン(DMHy)を
N源として、基板温度650°Cにおいて、有機金属を
使用してなす気相成長法を実行して、厚さが例えば50
0ÅのGaN層4を形成する。
とAlGaNとGaNとの積層体が形成される。第2例 GaNとAlGaNとGaNとの積層体の一部領域のみ
を選択的にエッチングする方法 図3参照 第1例の工程をもって超高真空装置中において製造した
GaNとAlGaNとGaNとの積層体を、そのまゝ超
高真空装置中に保っておき、GaNとAlGaNとGa
Nとの積層体の所望の領域5のみに電子線を照射する。
直径500Å程度の微細な電子線をラスタースキャンし
て所望のパターンを描画すればよい。電子線の加速エネ
ルギは20KeV程度が適切であり、ドーズ量は1×1
019cm -3程度が適切である。この電子線照射の結果、
GaNの一部は脱離する。 図4参照 850°Cに加熱された塩素のホットジェットビーム照
射を、膜厚に応じて30分〜1時間実行する。この塩素
のホットジェットビーム照射を使用してなすエッチング
法は、アンダーカットもメサエッチもなく、垂直エッチ
ングが可能であるドライエッチング法であり、電子線照
射がなされた領域5においてのみ、GaN層4とAlG
aN層32・31とGaN層2とがエッチングされる。
トジェットビーム照射とは同時に実行してもよい。
とGaNとの積層体の一部領域のみを選択的にエッチン
グすることができる。第3例 Si基板上の一部領域にGaNとAlGaNとGaNと
の積層体を形成し、他の領域にGaAsとAlGaAs
とGaAsとの積層体を形成するエピタキシャル成長方
法 図1参照 第2例の工程をもって超高真空装置中において製造した
一部領域に開口が形成されたGaNとAlGaNとGa
Nとの積層体を、そのまゝ超高真空装置中に保ってお
き、トリメチルガリウム(TMG)をGa源とし、トリ
スジメチルアミノアルシン(TDMAAs)をAs源と
して、成長温度450°Cにおいて気相成長法を実行し
て、開口中のみに選択的にGaAs層6を形成する。こ
のとき、トリスジメチルアミノアルシン(TDMAA
s)とトリメチルガリウム(TMG)とは、GaN系材
料に対して選択性を有するので、GaN層4上にはGa
As層6は成長しない。膜厚は自由に選択できるが、本
例においては、例えば500Åである。
(DMAH)をAl源とし、トリメチルガリウム(TM
G)をGa源とし、トリスジメチルアミノアルシン(T
DMAAs)をAs源として、AlGaAs層71・7
2を気相成長する。このとき、これらの材料はGaNに
対して選択性を有するので、GaN層4上にはAlGa
As層71・72は成長しない。また、ジメチルアルミ
ニウムハイドライド(DMAH)とトリメチルガリウム
(TMG)とのフラックス量を制御して、混晶比は自由
に制御できる。本例においては、Gaの混晶比がy1 で
ある下層71とGaの混晶比がy2 である上層72との
2層をもってAlGaAs層71・72が構成されてい
るものとして図示する。さらに、膜厚も、用途に応じて
反応時間を制御して自由に制御できるが、本例において
は、例えば50〜500Åである。
a源とし、トリスジメチルアミノアルシン(TDMAA
s)をAs源として、成長温度450°Cにおいて気相
成長法を実行して、開口中のみに選択的にGaAs層8
を形成する。このとき、トリスジメチルアミノアルシン
(TDMAAs)とトリメチルガリウム(TMG)と
は、GaN系材料に対して選択性を有するので、GaN
層4上にはGaAs層8は成長しない。
領域にGaNとAlGaNとGaNとの積層体を形成
し、他の領域にGaAsとAlGaAsとGaAsとの
積層体を、真空一貫プロセスをもって形成することがで
きる。第4例 Si基板上にGaNとInGaNとGaNとの積層体を
形成する方法 図5参照 面方位が(100)または(111)であるSi基板1
を超高真空装置中に入れ、超高真空状態の下において8
00°C以上に加熱して、基板1の表面から自然酸化膜
を除去する。
(TMG)もしくはトリエチルガリウム(TEG)をG
a源とし、ジメチルヒドラジン(DMHy)をN源とし
て、基板温度650°Cにおいて、気相成長法を実行し
て、GaN層2を形成する。
リウム(TMG)もしくはトリエチルガリウム(TE
G)よりなるGa源と、ジメチルヒドラジン(DMH
y)よりなるN源と、トリエチルインジュウム(TE
I)よりなるインジュウム源とを使用して、基板温度6
50°Cにおいて、気相成長法を実行して、InGaN
層91・92を形成する。このとき、Ga源とIn源と
のフラックス量を制御して、混晶比は自由に制御でき
る。また、厚さも、用途に応じて反応時間を制御して、
自由に制御できる。本例においては、Gaの混晶比がz
1 である下層91とGaの混晶比がz2 である上層92
とをもってInGaN層91・92が構成されているも
のとして図示する。
リウム(TMG)もしくはトリエチルガリウム(TE
G)をGa源とし、ジメチルヒドラジン(DMHy)を
N源として、基板温度650°Cにおいて、気相成長法
を実行して、GaN層4を形成する。
とInGaNとGaNとの積層体が形成される。第5例 GaNとInGaNとGaNとの積層体の一部領域のみ
を選択的にエッチングする方法 図6参照 第4例の工程をもって超高真空装置中において製造した
GaNとInGaNとGaNとの積層体を、そのまゝ超
高真空装置中に保っておき、GaNとInGaNとGa
Nとの積層体の所望の領域5のみに電子線を照射する。
直径500Å程度の微細な電子線をラスタースキャンし
て所望のパターンを描画すればよい。電子線の加速エネ
ルギは20KeV程度が適切であり、ドーズ量は1×1
019cm -3程度が適切である。この電子線照射の結果、
GaNの一部は脱離する。 図7参照 850°Cに加熱された塩素のホットジェットビーム照
射を、膜厚に応じて30分〜1時間実行する。この塩素
のホットジェットビーム照射を使用してなすエッチング
法は、アンダーカットもメサエッチもなく、垂直エッチ
ングが可能であるドライエッチング法であり、電子線照
射がなされた領域5においてのみ、GaN層4とInG
aN層92・91とGaN層2とがエッチングされる。
トジェットビーム照射とは同時に実行してもよい。
とGaNとの積層体の一部領域のみを選択的にエッチン
グすることができる。第6例 Si基板上の一部領域にGaNとInGaNとGaNと
の積層体を形成し、他の領域にGaAsとInGaAs
とGaAsとの積層体を形成するエピタキシャル成長方
法 図8参照 第5例の工程をもって超高真空装置中において製造した
一部領域に開口が形成されたGaNとInGaNとGa
Nとの積層体を、そのまゝ超高真空装置中に保ってお
き、トリメチルガリウム(TMG)をGa源とし、トリ
スジメチルアミノアルシン(TDMAAs)をAs源と
して、成長温度450°Cにおいて気相成長法を実行し
て、開口中のみに選択的にGaAs層6を形成する。こ
のとき、トリスジメチルアミノアルシン(TDMAA
s)とトリメチルガリウム(TMG)とは、GaN系材
料に対して選択性を有するので、GaN層4上にはGa
As層6は成長しない。膜厚は自由に選択できる。
をIn源とし、トリメチルガリウム(TMG)をGa源
とし、トリスジメチルアミノアルシン(TDMAAs)
をAs源として、InGaAs層101・102を気相
成長する。このとき、これらの材料はGaNに対して選
択性を有するので、GaN層4上にはInGaAs層1
01・102は成長しない。また、トリメチルインジュ
ウム(TMI)とトリメチルガリウム(TMG)とのフ
ラックス量を制御して、混晶比は自由に制御できる。本
例においては、Gaの混晶比がu1 である下層101と
Gaの混晶比がu2 である上層102との2層をもって
InGaAs層が構成されているものとして図示する。
さらに、膜厚も、用途に応じて反応時間を制御して自由
に制御できる。
a源とし、トリスジメチルアミノアルシン(TDMAA
s)をAs源として、成長温度450°Cにおいて気相
成長法を実行して、開口中のみに選択的にGaAs層8
を形成する。このとき、トリスジメチルアミノアルシン
(TDMAAs)とトリメチルガリウム(TMG)と
は、GaN系材料に対して選択性を有するので、GaN
層4上にはGaAs層8は成長しない。
領域にGaNとInGaNとGaNとの積層体を形成
し、他の領域にGaAsとInGaAsとGaAsとの
積層体を、真空一貫プロセスをもって形成することがで
きる。
的エッチング法においては、選択的電子線照射法と塩素
のホットジェットビーム照射法とを組み合わせて使用す
ることにされているので、GaNとAlGaNとGaN
との積層体またはGaNとInGaNとGaNとの積層
体の所望の領域に開口を形成することができる。また、
本発明に係るエピタキシャル成長方法においては、Ga
N系材料に対して選択性を有するトリスジメチルアミノ
アルシン(TDMAAs)をAs源とし、トリメチルガ
リウム(TMG)をGa源としてGaAs層を形成する
ことにされており、ジメチルアルミニウムハイドライド
(DMAH)をAl源とし、トリメチルガリウム(TM
G)をGa源とし、トリスジメチルアミノアルシン(T
DMAAs)をAs源としてAlGaAs層を形成する
ことにされており、また、トリメチルインジュウム(T
MI)をIn源とし、トリメチルガリウム(TMG)を
Ga源とし、トリスジメチルアミノアルシン(TDMA
As)をAs源としてInGaAs層を形成することに
されているので、GaN層上を除く領域のみに、選択的
に、AlGaAs層またはInGaAs層を形成するこ
とができる。
とAlGaNとGaNとの積層体を形成し、他の領域に
GaAsとAlGaAsとGaAsとの積層体を、真空
一貫プロセスをもって形成することができ、また、Si
基板上の一部領域にGaNとInGaNとGaNとの積
層体を形成し、他の領域にGaAsとInGaAsとG
aAsとの積層体を、真空一貫プロセスをもって形成す
ることができる。
ル成長方法を実施して製造した積層体(Si基板上の一
部領域にGaNとAlGaNとGaNとの積層体が形成
され、他の領域にGaAsとAlGaAsとGaAsと
の積層体が形成された積層体 )の断面図である。
GaNとGaNとの積層体を形成する方法を実施して製
造した積層体の断面図である。
GaNとGaNとの積層体の一部領域のみを選択的にエ
ッチングする方法の説明図である。
GaNとGaNとの積層体の一部領域のみを選択的にエ
ッチングする方法を実施して製造した積層体の断面図で
ある。
GaNとGaNとの積層体を形成する方法を実施して製
造した積層体の断面図である。
GaNとGaNとの積層体の一部領域のみを選択的にエ
ッチングする方法の説明図である。
GaNとGaNとの積層体の一部領域のみを選択的にエ
ッチングする方法を実施して製造した積層体の断面図で
ある。
ル成長方法を実施して製造した積層体(Si基板上の一
部領域にGaNとInGaNとGaNとの積層体が形成
され、他の領域にGaAsとInGaAsとGaAsと
の積層体が形成された積層体)の断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 Ga源としてメタルガリウムまたはトリ
エチルガリウムもしくはトリメチルガリウムを使用し、
N源としてジメチルヒドラジンを使用して、Si基板上
に第1のGaN層を形成し、 Al源としてジメチルエチルアミンアランまたはトリエ
チルアルミニウムを使用し、Ga源としてトリエチルガ
リウムまたはトリメチルガリウムを使用し、N源として
ジメチルヒドラジンを使用して、前記第1のGaN層の
上にAlGaN層を形成し、 Ga源としてメタルガリウムまたはトリエチルガリウム
もしくはトリメチルガリウムを使用し、N源としてジメ
チルヒドラジンを使用して、前記AlGaN層の上に第
2のGaN層を形成することを特徴とするGaNとAl
GaNとGaNとの積層体の形成方法。 - 【請求項2】 GaNとAlGaNとGaNとの積層体
の一部領域に電子ビーム照射をなした後、塩素のホット
ジェットビーム照射をなして、前記電子ビーム照射がな
されて領域のみを、選択的にエッチングすることを特徴
とするGaNとAlGaNとGaNとの積層体の選択的
パターニング方法。 - 【請求項3】 Si基板上に形成されているGaNとA
lGaNとGaNとの積層体の一部領域が除去されて露
出している前記Si基板上に、Ga源としてトリメチル
ガリウムを使用し、ヒ素源としてトリスジメチルアミノ
アルシンを使用して、第1のGaAs層を形成し、 Al源としてジメチルアルミニウムハイドライドを使用
し、Ga源としてトリメチルガリウムを使用し、ヒ素源
としてトリスジメチルアミノアルシンを使用して、前記
第1のGaAs層の上にAlGaAs層を形成し、 Ga源としてトリメチルガリウムを使用し、ヒ素源とし
てトリスジメチルアミノアルシンを使用して、前記Al
GaAs層の上に第2のGaAs層を形成することを特
徴とするエピタキシャル成長方法。 - 【請求項4】 Ga源としてメタルガリウムまたはトリ
エチルガリウムもしくはトリメチルガリウムを使用し、
N源としてジメチルヒドラジンを使用して、Si基板上
に第1のGaN層を形成し、 In源としてトリエチルインジュウムを使用し、Ga源
としてメタルガリウムまたはトリエチルガリウムもしく
はトリメチルガリウムを使用し、N源としてジメチルヒ
ドラジンを使用して、前記第1のGaN層の上にInG
aN層を形成し、 Ga源としてメタルガリウムまたはトリエチルガリウム
もしくはトリメチルガリウムを使用し、N源としてジメ
チルヒドラジンを使用して、前記InGaN層の上に第
2のGaN層を形成することを特徴とするGaNとIn
GaNとGaNとの積層体の形成方法。 - 【請求項5】 GaNとInGaNとGaNとの積層体
の一部領域に電子ビーム照射をなした後、塩素のホット
ジェットビーム照射をなして、前記電子ビーム照射がな
された領域のみを、選択的にエッチングすることを特徴
とするGaNとInGaNとGaNとの積層体の選択的
パターニング方法。 - 【請求項6】 Si基板上に形成されているGaNとI
nGaNとGaNとの積層体の一部領域が除去されて露
出している前記Si基板上に、Ga源としてトリメチル
ガリウムを使用し、ヒ素源としてトリスジメチルアミノ
アルシンを使用して、第1のGaAs層を形成し、 In源としてトリメチルインジュウムを使用し、Ga源
としてトリメチルガリウムを使用し、ヒ素源としてトリ
スジメチルアミノアルシンを使用して、前記第1のGa
As層の上にInGaAs層を形成し、 Ga源としてトリメチルガリウムを使用し、ヒ素源とし
てトリスジメチルアミノアルシンを使用して、前記In
GaAs層の上に第2のGaAs層を形成することを特
徴とするエピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31628995A JP3349316B2 (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31628995A JP3349316B2 (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | エピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09162127A true JPH09162127A (ja) | 1997-06-20 |
JP3349316B2 JP3349316B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=18075458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31628995A Expired - Lifetime JP3349316B2 (ja) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3349316B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299253A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体基板の製造方法及び半導体素子 |
JP2009019067A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Sharp Corp | Iii−v族化合物の半導体微粒子およびその製造方法 |
JP2015512139A (ja) * | 2012-01-13 | 2015-04-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板上に第iii−v族層を堆積させる方法 |
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1995
- 1995-12-05 JP JP31628995A patent/JP3349316B2/ja not_active Expired - Lifetime
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