JPH09153640A

JPH09153640A - 赤外線光源

Info

Publication number: JPH09153640A
Application number: JP33814895A
Authority: JP
Inventors: Koji Kobashi; 宏司小橋; Yoshiaki Nakada; 嘉昭中田; Hiroyuki Ihi; 寛之衣斐; Katsuhiko Tomita; 勝彦冨田
Original assignee: Horiba Ltd; Kobe Steel Ltd
Current assignee: Horiba Ltd; Kobe Steel Ltd
Priority date: 1995-11-30
Filing date: 1995-11-30
Publication date: 1997-06-10
Anticipated expiration: 2015-11-30
Also published as: JP3642853B2

Abstract

(57)【要約】【課題】耐久性や昇・降温における応答性に優れたコ
ンパクトな赤外線光源を提供すること。【解決手段】絶縁基板１上にｐ型半導体ダイヤモンド
膜２Ｐを形成し、このｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐに
二つの電極３を形成し、この電極３の間のｐ型半導体ダ
イヤモンド膜２Ｐの部分２ａを発光部とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば赤外線ガ
ス分析計などに用いられる赤外線光源に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、赤外線ガス分析計に用いられる
赤外線光源としては、発光のふらつきが小さく、経時的
に劣化が小さく、かつ、安定発光までの時間が短いこと
が求められている。この赤外線光源では、波長２〜１０
μｍの赤外線領域での赤外線放射を得るため、フィラメ
ント温度が６００〜８００℃程度となるよう電圧が印加
されている。

【０００３】従来、この種の赤外線光源として、発光部
のフィラメントがタングステン（Ｗ）や白金（Ｐｔ）線
などの金属線をコイル状に巻いたものや、コイル表面を
アルミナなどのセラミックで被覆することにより、赤外
線領域での発光効率を高めたものなどがある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
赤外線光源は、発光部のフィラメント部分の経時的な劣
化や、温度上昇による各部の機械的歪みの発生などを考
慮する必要があり、小型化、マイクロ化する上で障害と
なっていた。また、金属コイルの場合、抵抗の温度係数
が負特性を示すため、温度分布が生じやすいという欠点
があった。

【０００５】これに対して、半導体ウエハプロセスを用
いて、絶縁基板上に金属薄膜やシリコン（Ｓｉ）のフィ
ラメントを形成することが試みられているが、前記した
ような高温領域での耐久性や安定性に欠けるとともに、
昇・降温における応答性が赤外線光源としては不十分で
ある。

【０００６】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、その目的は、耐久性や昇・降温における応答
性に優れたコンパクトな赤外線光源を提供することであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、半導体ダイヤモンドまたは非ダイヤモ
ンド材料の抵抗体を蒸着したダイヤモンドを用いてい
る。

【０００８】

【発明の実施の形態】この発明の赤外線光源は、ダイヤ
モンド膜を構成要素としている。

【０００９】この場合、発光源を気相合成されているダ
イヤモンド膜で形成してもよい。

【００１０】ダイヤモンド膜と導電性薄膜とが密着した
構造にしてもよく、この場合、ダイヤモンド膜が電気絶
縁性のアンドープ膜であってもよい。

【００１１】そして、ダイヤモンド膜は自立性であって
もよく、また、発光部のみが自立性であってもよい。こ
のようにした場合、ベース部材の全部または一部を省略
できる。

【００１２】また、ダイヤモンド膜の全部または一部が
ボロン（Ｂ）ドープされたｐ型半導体であってもよい。
Ｂドープすることにより、ダイヤモンドの抵抗率が低下
する。

【００１３】さらに、ダイヤモンド膜がｐ型半導体層と
アンドープ層とが積層された構造を有していてもよい。
このようにした場合、ｐ型半導体層がホモエピタキシャ
ル成長し、膜特性が均一になる。そして、ｐ型半導体層
の上面にアンドープ層をさらに積層することにより、ア
ンドープ層がｐ型半導体層のパッシベーションの働きを
し、表面が大気中の酸素で多少エッチングされても、ｐ
型半導体層に影響が及ぼされることがない。

【００１４】電極材料としては、白金（Ｐｔ）、金（Ａ
ｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タング
ステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）から選ばれた少なくとも
１つ以上の元素を含むものであればよいが、単体ではＰ
ｔを用いるのが最も好ましい。

【００１５】ダイヤモンド膜におけるＢドーピング濃度
は、１０¹⁶／ｃｍ³〜１０²²／ｃｍ³といった濃度が好
ましい。これは、前記濃度が１０¹⁶／ｃｍ³より低いと
高抵抗となり、１０²²／ｃｍ³を超えた場合、ダイヤモ
ンド膜の結晶性が悪くなるからである。

【００１６】また、電極直下のダイヤモンド膜における
Ｂドーピング濃度は、１０²⁰／ｃｍ³〜１０²³／ｃｍ³
といった高濃度が好ましい。これは、電極直下を高濃度
にドープ（ヘビードープ）することにより接触抵抗が低
下するからである。この場合、ヘビードープ層の厚さは
１μｍ以下でよいので、結晶性が低下しても構わない。

【００１７】ダイヤモンド膜に蒸着された導電性薄膜の
厚みが、自立性ダイヤモンド部分では所定の厚みを有
し、これ以外の部分では前記自立性ダイヤモンド部分よ
りも厚く形成してもよい。

【００１８】電気抵抗を測定することにより、発光部の
温度を測定または推定し、発光部の制御を行うようにし
てもよい。

【００１９】同一基板上に複数の発光部を形成してあっ
てもよい。

【００２０】ダイヤモンド膜が（１００）または（１１
１）に配向された高配向性膜としてもよい。

【００２１】ダイヤモンドは、耐熱性に優れ、その単結
晶は非酸化雰囲気中では１２００℃までの高温でも劣化
せず、気相合成法により形成された多結晶膜でも、大気
中で約７００〜８００℃に耐えることができる。また、
室温付近での熱伝導率は、物質中最大であるといった特
徴を有する。

【００２２】ダイヤモンドは、バンドギャップが大きく
（５．５ｅＶ）、通常は絶縁体であるが、不純物ドーピ
ングにより半導体化できる。また、絶縁破壊電圧や飽和
ドリフト速度が大きく、誘電率が小さいという優れた電
気的特性を有する。このような特徴により、ダイヤモン
ドは、高温・高周波・高電界用の電子デバイス・センサ
材料として期待されている。

【００２３】また、バンドギャップが大きいことを利用
した紫外線などの短波長領域に対応する光センサは発光
素子への応用、熱伝導率が大きく、比熱が小さいことを
利用した放熱基板材料、物質中で最も硬いという特性を
生かした表面弾性波素子への応用、高い光透過性・屈折
率を利用したＸ線窓や光学材料への応用などが進められ
ている。さらに、ダイヤモンドは、工具の耐磨耗部にも
使用されている。

【００２４】ダイヤモンドの耐熱性および半導体特性の
応用に温度センサがある。また、半導体ダイヤモンド薄
膜でフィラメント構造を形成し、通電加熱によりヒータ
として利用することも考えられている（例えば、特開平
７−１６１４５５号公報参照）。

【００２５】ダイヤモンドの気相合成法としては、マイ
クロ波化学気相蒸着（ＣＶＤ）法（例えば、特公昭５９
−２７７５４号公報、特公昭６１−３３２０号公報参
照）。高周波プラズマＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ
法、直流プラズマＣＶＤ法、プラズマジェット法、燃焼
法、熱ＣＶＤ法などが知られている。これらの気相合成
法では、膜状のダイヤモンドが低コスト・大面積で得ら
れるという特徴がある。

【００２６】Ｓｉなどの非ダイヤモンド基板に気相合成
されたダイヤモンド膜は、一般に、ダイヤモンド粒子が
ランダムに凝集した多結晶である。しかし、ダイヤモン
ド結晶粒子がほぼ一定方向に揃った高配向性の合成も報
告されており、多結晶膜を用いた場合よりも耐熱性に優
れていることが報告されている。さらに、最近では、白
金単結晶面に粒界の見られないダイヤモンド膜が気相合
成により成長することも報告されており、このような膜
の耐熱性は、バルクダイヤモンドに近いと考えられる。

【００２７】

【実施例】実施例について、図面を参照しながら説明す
る。図１および図２は、第１実施例の赤外線光源Ｌを示
す。これらの図において、１は絶縁基板、２はこの絶縁
基板１の上面に気相合成されたダイヤモンド膜で、この
実施例においてはｐ型半導体ダイヤモンド膜（以下、ｐ
型半導体ダイヤモンド膜を符号２Ｐで表す）である。３
はこのｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐの上面に適宜の間
隔をおいて形成される電極である。そして、ｐ型半導体
ダイヤモンド膜２ｐの二つの電極３の間の部分２ａは、
ｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐの他の部分２ｂと異な
り、図２に示すように、平面形状が細長く、かつ蛇行し
た状態に形成され、赤外線の発光部となるものである。
１ａは絶縁基板１の発光部２ａに対応する部分をエッチ
ングによって削除されたエッチング部である。

【００２８】前記絶縁基板１としては、例えば表面に窒
化膜（Ｓｉ₃Ｎ₄など）を形成したＳｉ基板を用いるこ
とができ、この窒化膜の上面にｐ型半導体ダイヤモンド
膜２Ｐが形成される。そして、電極３の材料としては、
Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔｉから選ばれた少なく
とも１つ以上の元素を含むものを用いることができる
が、単体ではＰｔを用いるのが最も好ましい。また、電
極３をＴｉ（１０〜５００Å）にＰｔを積層して形成し
たり、あるいは、ＰｔにＴｉ（０．１〜５％）を混ぜ合
わせた合金材料で形成してもよい。

【００２９】図１１は、絶縁基板１の窒化膜表面にｐ型
半導体ダイヤモンド膜２Ｐを気相合成するためのマイク
ロ波ＣＶＤ装置４の一例を示し、この図において、５は
石英からなる反応管、６は反応管５と直交するように設
けられる導波管である。反応管５の一端側には原料ガス
の導入口７が形成され、他端側には図示してない真空ポ
ンプなどを備えた流路に連なる排気口８が形成されてい
る。９は位置調節手段１０によってその位置が調節され
る基板ホルダである。導波管６の一端側にはマイクロ波
電源１１が設けられ、他端側にはプランジャ１２を備え
た反射板１３が設けられている。１４はアイソレータ、
１５はチューナである。

【００３０】上記マイクロ波ＣＶＤ装置４を用いて、絶
縁基板１上にｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐを気相合成
するには、まず、基板ホルダ９に絶縁基板１を保持す
る。そして、水素ガスで０．２〜５％に希釈した水素・
メタン混合ガス１００ｓｃｃｍにジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）
を０．０１〜１００ｐｐｍ添加したものを、反応管５内
に原料ガスとして流し、反応管５内を３０〜６０Ｔｏｒ
ｒに保持するとともに、絶縁基板１の温度を７５０〜８
９０℃に保持し、その状態で３００〜５００Ｗのマイク
ロ波パワーを与える。前記原料ガスがマイクロ波によっ
て励起された電子によりプラズマ１６となり、これが絶
縁基板１上で気相反応してダイヤモンド構造が形成され
る。このようにして、気相合成を２０時間続けると、厚
さ１０μｍのｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐが絶縁基板
１上に形成される。

【００３１】前記ｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐにおけ
るボロン（Ｂ）ドーピング濃度は、１０¹⁶／ｃｍ³〜１
０²²／ｃｍ³といった濃度が好ましい。これは、Ｂドー
ピングの濃度が１０¹⁶／ｃｍ³より低いと高抵抗とな
り、１０²²／ｃｍ³を超えた場合、ｐ型半導体ダイヤモ
ンド膜２Ｐの結晶性が悪くなるからである。

【００３２】前記ｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐが形成
された絶縁基板１をマイクロ波ＣＶＤ装置４から取り出
し、フォトリソグラフィ技術によりｐ型半導体ダイヤモ
ンド膜２Ｐの中央部２ａを、所定長さにわたって細長い
帯状の蛇行した形状にする。この中央部２ａは発光部と
なる。

【００３３】次いで、前記発光部２ａを形成した絶縁基
板１を真空蒸着装置にセットし、前記発光部２ａの両側
のｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐの上面にＰｔを蒸着し
て電極３を形成する。さらに、絶縁基板１の発光部２ａ
に対応する部分をエッチングして除去することにより、
図１および図２に示す赤外線光源Ｌが得られる。

【００３４】このように構成した赤外線光源Ｌは、前記
電極３に電圧を印加することにより、発光部２ａが発熱
・発光し、所望の赤外線が発せられる。

【００３５】そして、前記赤外線光源Ｌにおいては、ダ
イヤモンド膜２の安定性のために耐久性に優れるととも
に、熱容量が小さいことにより、高速で昇・降温するこ
とができる。また、全体の構成がコンパクトである。

【００３６】また、前記赤外線光源Ｌにおいては、発光
部２ａがＢドープされたｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐ
よりなるので、その抵抗値が負の温度係数を有し、サー
ミスタととして光源自体の温度を測定できる。そして、
前記抵抗値が一定になるように電流を制御することによ
り、温度を一定に保つことができる。

【００３７】図３および図４は、第２実施例の赤外線光
源Ｌを示す。この実施例における赤外線光源Ｌは、絶縁
基板１の上面に形成されるダイヤモンド膜２がｐ型半導
体ダイヤモンド膜２Ｐとアンドープのダイヤモンド膜２
Ｕとからなり、絶縁基板１にアンドープダイヤモンド膜
２Ｕを形成し、このアンドープダイヤモンド膜２Ｕの上
面にｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐを積層している。他
の構成は、上記第１実施例のそれと同じである。

【００３８】前記アンドープダイヤモンド膜２Ｕは、図
１１に示したマイクロ波ＣＶＤ装置４を用いて形成する
ことができる。すなわち、基板ホルダ９に絶縁基板１を
保持する。そして、水素ガスで０．２〜５％に希釈した
水素・メタン混合ガス１００ｓｃｃｍを、反応管５内に
原料ガスとして流し、反応管５内を３０〜６０Ｔｏｒｒ
に保持するとともに、絶縁基板１の温度を７５０〜８９
０℃に保持し、その状態で３００〜５００Ｗのマイクロ
波パワーを与える。前記原料ガスがマイクロ波によって
励起された電子によりプラズマ１６となり、これが絶縁
基板１上で気相反応してダイヤモンド構造が形成され
る。このようにして、気相合成を２０時間続けると、厚
さ１０μｍのアンドープダイヤモンド膜２Ｕが絶縁基板
１上に形成される。

【００３９】その後、アンドープダイヤモンド膜２Ｕの
上面に、上記第１実施例と同様の手順によってｐ型半導
体ダイヤモンド膜２Ｐおよび電極３を形成した後、同様
に処理することにより、図３および図４に示すような赤
外線光源Ｌを得ることができる。

【００４０】この第２実施例の赤外線光源Ｌの動作は、
上記第１実施例のものと同じである。そして、この第２
実施例の赤外線光源Ｌは、上記第１実施例のものに加え
て、次のような効果を奏する。すなわち、ダイヤモンド
膜２がアンドープ層２Ｕ上にｐ型半導体層２Ｐを積層し
たものであるので、ホモエピタキシャル成長が可能とな
り、膜特性が均一になる。

【００４１】なお、この第２実施例において、図示して
ないが、ｐ型半導体層２Ｐの上面にアンドープ層をさら
に積層することにより、ｐ型半導体層２Ｐの上面のアン
ドープ層がｐ型半導体層２Ｐのパッシベーションの働き
をし、表面が大気中の酸素で多少エッチングされても、
ｐ型半導体層２Ｐに影響が及ぼされることがない。

【００４２】図５は、第３実施例の赤外線光源Ｌを示
す。この実施例における赤外線光源Ｌは、電極３直下の
ｐ型半導体ダイヤモンド膜２ＰにおけるＢドーピング濃
度を１０²⁰／ｃｍ³〜１０²³／ｃｍ³といった高濃度に
したもので、図中の符号１７は、高濃度Ｂドーピング部
を示している。このように、構成した赤外線光源Ｌの動
作および効果は、前記第２実施例と同様であり、さら
に、電極３直下を高濃度にドープ（ヘビードープ）する
ことにより接触抵抗を低下させることができるといった
効果を奏する。

【００４３】なお、上記図５に示すように、電極３直下
のｐ型半導体ダイヤモンド膜２ＰにおけるＢドーピング
濃度を高濃度にすることは、前記第１実施例や第２実施
例にも適用してもよいことはいうまでもない。

【００４４】また、上述の各実施例において、ダイヤモ
ンド膜２がその全部を自立性とした場合には、絶縁基板
１を省略することができる。そして、ダイヤモンド膜２
の発光部２ａのみを自立性としてもよく、この場合、絶
縁基板１を設けておくのがよい。

【００４５】そして、上述の各実施例では、ダイヤモン
ド膜２それ自体を赤外線発光体としていたが、この発明
はこれに限られるものではなく、以下のようにすること
もできる。

【００４６】図６および図７は、第４実施例の赤外線光
源Ｌを示す。この実施例における赤外線光源Ｌは、ダイ
ヤモンド膜２の上面に導電性薄膜１８を形成し、この導
電性薄膜１８を電極兼発光部としている。すなわち、絶
縁基板１の上面に例えばアンドープダイヤモンド膜２Ｕ
を形成し、このアンドープダイヤモンド膜２Ｕの上面に
例えばＰｔなどの金属を蒸着して導電性薄膜１８を形成
したものである。そして、導電性薄膜１８の中央部１８
ａをフォトリソグラフィ技術により、所定長さにわたっ
て細長い帯状の蛇行した形状にして外線発光部とし、そ
の両端部１８ｂを電極としたものである。

【００４７】このように構成した場合、ダイヤモンド膜
２の熱容量が小さいことによって、昇・降温が速く、ま
た、ダイヤモンド膜２の安定性のため、導電性薄膜１８
の拡散などの変化が少ない、耐久性の高い赤外線光源Ｌ
を得ることができる。

【００４８】そして、この第４実施例において、ダイヤ
モンド膜２をｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐで構成して
もよい。このようにした場合、第１実施例と同様に、温
度を一定に保持することができる。

【００４９】図８は、第５実施例の赤外線光源Ｌを示
す。この実施例における赤外線光源Ｌは、ダイヤモンド
膜２をｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐとアンドープのダ
イヤモンド膜２Ｕとから構成したもので、絶縁基板１に
アンドープダイヤモンド膜２Ｕを形成し、このアンドー
プダイヤモンド膜２Ｕの上面にｐ型半導体ダイヤモンド
膜２Ｐを積層している。他の構成は、上記第４実施例と
同様である。

【００５０】図９は、第６実施例の赤外線光源Ｌを示
す。この実施例における赤外線光源Ｌは、ダイヤモンド
膜２（ｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐであってもアンド
ープダイヤモンド膜２Ｕであってもよい）を、その中央
部を自立性部分２ｊとし、その両側を非自立性部分２ｈ
とし、このダイヤモンド膜２上に形成される導電性薄膜
１８の自立性部分２ｊに対応する部分１８ａを所定の厚
みの発光部とする一方、非自立性部分２ｈに対応する部
分１８ｂの厚みを、前記発光部１８ａのそれよりも大き
くしている。

【００５１】図１０は、第７実施例の赤外線光源Ｌを示
す。この実施例における赤外線光源Ｌは、絶縁基板１の
上面に電気抵抗測定用の電極１９を形成し、次いで、電
極１９の一部を残してｐ型半導体ダイヤモンド膜２Ｐを
形成し、その上面にアンドープダイヤモンド膜２Ｕを積
層し、このアンドープダイヤモンド膜２Ｕの上面に、図
９に示すものと同様の導電性薄膜１８を形成したもので
ある。

【００５２】このように構成した赤外線光源Ｌにおいて
は、発光部１８ａの温度を測定または推定できるので、
発光部１８ａの温度制御をより精度よく行うことができ
る。

【００５３】この発明は、上述の実施例に限られるもの
ではなく、種々に変形して実施することができる。例え
ば、一つの絶縁基板１状に複数の発光部が形成してあっ
てもよい。そして、発光部２ａ，１８ａの形状は、必ず
しも蛇行させる必要はなく、この部分を連続した状態に
してあってもよく、種々のパターン形状にしてあっても
よい。また、ダイヤモンド膜２を（１００）または（１
１１）に配向された高配向性膜とすることにより、ダイ
ヤモンド膜２の長期劣化を低減することができる。

【００５４】

【発明の効果】この発明は、以上のような形態で実施さ
れ、以下のような効果を奏する。

【００５５】この発明の赤外線光源は、ダイヤモンドを
構成要素とするものであるから、耐熱性に優れるととも
に、熱容量が小さいので、高速で昇・降温することがで
き、応答性に優れる。また、全体の構成がコンパクトで
ある。

【００５６】そして、発光部がＢドープされたｐ型半導
体ダイヤモンド膜よりなる場合、その抵抗値が負の温度
係数を有するので、光源自体の温度を測定できる。そし
て、前記抵抗値が一定になるように電流を制御すること
により、温度を一定に保つことができる。

【００５７】また、ダイヤモンド膜を、アンドープ層と
ｐ型半導体層とをこの順で積層して形成した場合、ｐ型
半導体層がホモエピタキシャル成長することができ、膜
特性が均一になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の赤外線光源を示す縦断面図であ
る。

【図２】前記赤外線光源の全体形状を示す斜視図であ
る。

【図３】第２実施例の赤外線光源を示す縦断面図であ
る。

【図４】前記赤外線光源の全体形状を示す斜視図であ
る。

【図５】第３実施例の赤外線光源を示す縦断面図であ
る。

【図６】第４実施例の赤外線光源を示す縦断面図であ
る。

【図７】前記赤外線光源の全体形状を示す斜視図であ
る。

【図８】第５実施例の赤外線光源を示す縦断面図であ
る。

【図９】第６実施例の赤外線光源を示す縦断面図であ
る。

【図１０】第６実施例の赤外線光源を示す縦断面図であ
る。

【図１１】マイクロ波ＣＶＤ装置の一例を概略的に示す
図である。

【符号の説明】

１…絶縁基板、２…ダイヤモンド膜、２Ｐ…ｐ型半導体
ダイヤモンド膜、２Ｕ…アンドープダイヤモンド膜、２
ａ…発光部、３…電極、１８…導電性薄膜、１８ａ…発
光部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者衣斐寛之京都府京都市南区吉祥院宮の東町２番地株式会社堀場製作所内 (72)発明者冨田勝彦京都府京都市南区吉祥院宮の東町２番地株式会社堀場製作所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ダイヤモンド膜を構成要素とすることを
特徴とする赤外線光源。
【請求項２】発光源が気相合成されているダイヤモン
ド膜である請求項１に記載の赤外線光源。
【請求項３】発光源がダイヤモンド膜と導電性薄膜と
が密着した構造である請求項１に記載の赤外線光源。
【請求項４】ダイヤモンド膜が自立性または発光部の
みが自立性である請求項１〜３のいずれかに記載の赤外
線光源。
【請求項５】ダイヤモンド膜の全部または一部がボロ
ンドープされたｐ型半導体である請求項１〜４のいずれ
かに記載の赤外線光源。
【請求項６】ダイヤモンド膜がｐ型半導体層とアンド
ープ層とが積層された構造を有する請求項１〜５のいず
れかに記載の赤外線光源。
【請求項７】ダイヤモンド膜が電気絶縁性のアンドー
プ膜である請求項３に記載の赤外線光源。
【請求項８】電極材料が白金、金、モリブデン、ニッ
ケル、タングステン、チタンから選ばれた少なくとも１
つ以上の元素を含む請求項１〜７のいずれかに記載の赤
外線光源。
【請求項９】ダイヤモンド膜におけるボロンドーピン
グ濃度が１０¹⁶／ｃｍ³〜１０²²／ｃｍ³といった濃度
である請求項１，２および４〜７のいずれかに記載の赤
外線光源。
【請求項１０】電極直下のダイヤモンド膜におけるボ
ロンドーピング濃度が１０²⁰／ｃｍ³〜１０²³／ｃｍ³
といった高濃度である請求項１，２および４〜７のいず
れかに記載の赤外線光源。
【請求項１１】ダイヤモンド膜に蒸着された導電性薄
膜の厚みが、自立性ダイヤモンド部分では所定の厚みを
有し、これ以外の部分では前記自立性ダイヤモンド部分
よりも厚い請求項３に記載の赤外線光源。
【請求項１２】電気抵抗を測定することにより、発光
部の温度を測定または推定し、発光部の制御を行う請求
項１〜１１のいずれかに記載の赤外線光源。
【請求項１３】同一基板上に複数の発光部が形成され
ている請求項１〜１２のいずれかに記載の赤外線光源。
【請求項１４】ダイヤモンド膜が（１００）または
（１１１）に配向された高配向性膜である請求項１〜１
３のいずれかに記載の赤外線光源。