JP2500208B2

JP2500208B2 - ヒ―トシンクとその製造方法

Info

Publication number: JP2500208B2
Application number: JP22708991A
Authority: JP
Inventors: 英章中幡; 直治藤森
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1991-09-06
Filing date: 1991-09-06
Publication date: 1996-05-29
Anticipated expiration: 2011-05-29
Also published as: JPH0567711A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体能動素子の実装に
使用されるヒートシンクとその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ヒートシンクは放熱用部品として、半導
体レーザーダイオードなど各種の半導体部品に広く利用
されている。これらの半導体素子は温度が変化すると、
動作特性例えば発光波長などが著しく変化する為、安定
した動作が特に要求される大容量長距離光ファイバー通
信用半導体レーザーダイオードモジュールやマイクロ波
伝送用半導体レーザーダイオードモジュールでは、ヒー
トシンクの下に電子冷却素子を取り付け、半導体レーザ
ーダイオード素子の温度を一定に保つようになってい
る。このような半導体レーザーダイオードモジュールに
おいて、電子冷却素子の制御にはサーミスター（電気抵
抗が大きな負の温度係数を持つ半導体を利用した回路素
子）が使用されており、その一例として三菱電機技報vo
l.６４，No. ９，１９９０，ｐ４１（７４５）には図７
に示す構造のものが提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来この種の半導体レ
ーザーダイオードモジュールでは、電子冷却素子へフィ
ードバックをかける温度補償用のサーミスターは、図７
に示すように半導体レーザーダイオード素子とは別物と
して取り付けられていた為、外部環境温度変化が大きい
場所で使用する場合や、特に安定した動作特性が要求さ
れる半導体レーザーダイオードモジュールでは、温度制
御精度や熱応答性が実用の水準に到達していなかった。
また、温度制御精度を向上させる為、サーミスターを小
型化し、半導体レーザーダイオード素子を搭載している
ヒートシンクに直接取り付ける方法が考えられるが、実
用に供し得るような電気サーミスターは超小型になるた
め加工が難しく、また小さなサーミスターへの電極形成
が難しいため製造不可能である。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明では半導体レーザ
ーダイオードの温度制御精度を改善する為、半導体レー
ザーダイオードを直接搭載するヒートシンクに温度補償
用のサーミスターを具備させることにより上記した従来
法の問題点を解決できた。すなわち、本発明は熱伝導率
が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上である高熱伝導性物質をヒート
シンク素材とし、該ヒートシンク素材の一部または全部
がサーミスター特性を有する半導電性ダイヤモンド層で
構成され、該ヒートシンク素材の表面が部分的に金属化
膜で被覆されており、かつ該サーミスター特性を有する
半導電性ダイヤモンド層に一対の金属電極が形成されて
なるヒートシンクを提供する。前記ダイヤモンド層は、
気相合成法により形成された半導電性ダイヤモンド、イ
オン注入法により形成された半導電性ダイヤモンド、不
純物の熱拡散により形成されたもののいずれかであるこ
とが特に好ましく、また単結晶又は多結晶の半導電性ダ
イヤモンドであることが特に好ましい。前記半導電性ダ
イヤモンド層の含有する不純物としては、Ｂ，Ａｌ，
Ｐ，Ｓｂ，Ｓｉ，Ｌｉ，Ｓ，Ｓｅ，Ｃｌ，Ｎのうちの１
種または２種以上が特に好ましい。前記ダイヤモンド層
は厚さが０．０５μｍ以上であることが特に好ましく、
その２５℃における電気抵抗値が１０Ω〜１ＭΩ、かつ
サーミスター定数１０００Ｋ〜１００００Ｋのものであ
ることが特に好ましい。また、前記ヒートシンク素材の
寸法は、縦・横が０．２ｍｍ〜５０ｍｍであり、且つ厚
さ０．０５ｍｍ〜２ｍｍであることが特に好ましい。

【０００５】本発明は第２の発明としてヒートシンク素
材の一部に気相合成法により所望の不純物を含有する半
導電性ダイヤモンド層を形成し、該半導電性ダイヤモン
ド層に金属電極を形成し、該ヒートシンク素材に金属化
膜を形成することを特徴とするヒートシンクを製造方法
を提供する。前記ヒートシンク素材は単結晶ダイヤモン
ド、多結晶ダイヤモンド、ｃＢＮ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓｉ、
Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａもしくはそれらの酸化物、
炭化物、窒化物、炭窒化物のうちの１種または２種以上
を主成分とするものであることが特に好ましく、また、
前記金属化膜及び金属電極としては、第１層としてＴ
ｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒもし
くはそれらの酸化物、炭化物、窒化物、炭窒化物のうち
の１種または２種以上から構成され、その上にＭｏ、Ｎ
ｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ｐｄのうちの１種または２種以上を主成分とする一
層または二層以上の構造を有するものが特に好ましい。

【０００６】

【作用】半導体レーザーダイオードモジュールに一般に
使用されるヒートシンク素材の熱伝導率を表１に示し
た。

【表１】ヒートシンクは発生した熱を迅速かつ効率良く放散さ
せる為に使用するものであるから、最も熱伝導率が高い
ダイヤモンドが最適であるが、ダイヤモンドは高価格で
ある為、半導体レーザーダイオードの発熱量および要求
特性に応じて表１に示した材料が使い分けられている。

【０００７】一方、サーミスター特性とは、温度が変化
することにより導電率が変化して抵抗値が変化する特性
を意味する。半導体ダイヤモンドは、他の半導体と同様
に、温度が上昇すると導電率が上昇し、抵抗値は小さく
なるのでサーミスター特性を有している。ところで近
年、大気圧以下の圧力下で、非平衡過程によるダイヤモ
ンドの合成技術が開発されており（例えば米国特許第
４，４３４，１８８号明細書に記載されるマイクロ波に
よるダイヤモンドの気相合成法等）、この気相合成法を
応用したサーミスタの製造方法が開発されている（例え
ば特公昭６３−１８４３０４号公報に記載されるサーミ
スタとその製造方法等）。この種の気相合成法では、原
料としてメタン等の炭化水素ガスを用いることができる
ので、これらの炭化水素ガスと同時に適当な不純物をガ
スの形で供給することにより、各種の不純物を制御性良
く、且つ極めて均一にドーピングすることができ、半導
電性ダイヤモンド層を形成することができる。そこで本
発明者等は、ヒートシンクの素材の一部にサーミスタの
特性を有する半導電性ダイヤモンド層を形成することを
考えつき、本発明に到達した。特に、ダイヤモンドから
成るヒートシンクとダイヤモンドから成るサーミスタを
一体化させた構造のものは、素子の小型化も容易であ
り、表１からも最も迅速な熱応答性を発揮し、最も精度
良く半導体レーザーダイオードモジュールを制御できる
ものとなることがわかる。

【０００８】本発明のヒートシンクの構成の具体例とし
ては、図１、図３および図５に示すようなものが挙げら
れる。図中１はヒートシンク素材、２は半導電性ダイヤ
モンド層、３は金属電極、４は素子固定用の金属化膜
、５は絶縁性ダイヤモンド層を表す。素子（レーザー
ダイオード等）は金属化膜４上に密着性良く固定され
る。また本発明においてはヒートシンク素材全体が半導
電性ダイヤモンドでも良く、図６に示すようにヒートシ
ンク素材の半導電性ダイヤモンドの上に金属電極を配し
た構造をとることもできる。このような場合には半導電
性ダイヤモンドは天然あるいは超高圧合成の単結晶ダイ
ヤモンドを用いることも可能である。

【０００９】ダイヤモンドの気相合成法としては、
（１）直流または交流電界により放電を起こし、原料ガ
スを活性化する方法、（２）熱電子放射材を加熱し、原
料ガスを活性化する方法、（３）ダイヤモンドを成長さ
せる表面をイオンで衝撃する方法、（４）レーザーや紫
外線等の光で原料ガスを励起する方法、等の各種の方法
があるが、いずれの方法も本発明に用いることができ、
発明の効果は変わらない。

【００１０】例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波無極放
電を用いるプラズマＣＶＤ法では、原料ガスとしてＣＨ
₄とＨ₂を１：１５０の比で混合し、５００Ｗの高周波
出力を与えることより、２０×２０ｍｍの基板に１．０
μｍ／Ｈｒの成長速度でダイヤモンド結晶を成長させる
ことができる。原料ガスは、Ｃ_mＨ_n，Ｃ_mＨ_nＯ_pで
表せる炭化水素化合物を用いることができる。また、原
料ガスに所望の不純物を含む化合物の蒸気を混合するこ
とにより、容易に、成長するダイヤモンド結晶中に不純
物をドーピングすることができる。ダイヤモンド結晶中
の不純物の濃度は、原料ガスと不純物を含む化合物の蒸
気との比によって調整できる。この方法により、ＰやＡ
ｓ、Ｃｌ、Ｓ、Ｓｅ等の超高圧下ではダイヤモンド中に
存在し得ない不純物元素も、均一にドーピングすること
ができる。これらの不純物元素は単体で高い蒸気圧を持
つもので例えばＮ₂、Ｃｌ₂のようなものはそのままで
使用でき、単体では蒸気圧が低いものは水素化合物（Ｈ
ｙｄｒｉｄｅ）、有機金属化合物（Ｍｅｔａｌｏｒｇ
ａｎｉｃＣｏｍｐｐｏｕｎｄ）、塩化物（Ｃｈｒｏｌ
ｉｄｅ）、アルコキシド（Ａｌｃｈｏｘｉｄｅ）の形で
用いることができる。

【００１１】また、半導体ダイヤモンド層の形成方法と
して、まずノンドープダイヤモンド膜を気相合成し、そ
こへイオン注入法により前述のような不純物をドーピン
グして半導体化する方法もある。あるいはヒートシンク
素材がダイヤモンドの場合には、そこへイオン注入を行
い、ヒートシンクの一部を半導体化することもできる。
また、ダイヤモンド中に含まれる不純物元素の種類によ
ってサーミスターの抵抗温度特性が異なるので、本発明
方法によれば用途に応じて最適の不純物元素を選ぶこと
ができる。

【００１２】半導体レーザーダイオードの温度補償用サ
ーミスターとしては、半導電性ダイヤモンドの室温での
電気抵抗は１０Ω〜１００ｋΩが適している。この範囲
から外れると、温度補償回路に流れる電流値が過大また
は過小となる。なお、サーミスターを正常に機能させる
為、ヒートシンク素材の比抵抗は半導電性ダイヤモンド
層の１０倍以上、更に望ましくは１００倍以上であるこ
とが好ましい。また、半導電性ダイヤモンドのサーミス
ター定数は半導体レーザーダイオードの温度変化に対
し、十分な感度を得る為、１０００Ｋ以上であることが
望ましい。また上限は１００００Ｋ位である。

【００１３】半導電性ダイヤモンド層の厚さについて
は、０．０５μｍ以上の厚さで使用でき、上限は１００
μｍ位である。

【００１４】次に、半導電性ダイヤモンドに設ける一対
のオーミック電極およびヒートシンクの素材表面に設け
る金属化膜は、耐熱性があり且つダイヤモンドへの密着
性か良いことから、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗやそれらの炭化物、窒化物、炭窒化物が好
ましい。特に、ＴｉとＴａはダイヤモンドへの密着性が
優れていて、良好である。複層構造とする場合は、第一
層としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗが上記の上にで望ましい。これの保護膜として、
Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ
ｄを第二層として設けることが良い。この一対の電極は
半導電性ダイヤモンド層の表面に並置してもよいし、場
合によっては一対の電極で半導電性ダイヤモンドを上下
に挟み込む構造をとってもよい。後者の場合には、まず
下側電極をヒートシンク上に形成し、その上に半導電性
ダイヤモンド層を形成し、その後更にその上に上側電極
を形成することになる。

【００１５】本発明に用いるヒートシンクのサイズにつ
いては、使用する半導体レーザーダイオードの形状、発
熱形態により設計されるが、半導体レーザーダイオード
は通常縦横が０．１ｍｍ程度以上の矩形であるので、ヒ
ートシンクは縦横０．２ｍｍ程度以上であることが望ま
しく、特殊な半導体レーザーダイオードであっても５０
ｍｍを越えることはない。またヒートシンクの厚みは、
標準的には０．３ｍｍ程度であるが、半導体レーザーダ
イオードの形状が小さい場合は、０．０５ｍｍ程度でも
良い。また、１ｍｍ以上に厚くしても、放熱効率は殆ど
改善されず、価格が高くなるだけである。

【００１６】以上のような本発明においては、レーザー
ダイオードの温度変化に最も敏感な部分、つまりレーザ
ーダイオード直下に接して設置してあるヒートシンク部
分の中に材料中最も大きい熱伝導性を有するダイヤモン
ドから成るサーミスターを作り込んでしまっているの
で、レーザーダイオードの温度変化に対して、最高速応
答が可能であり、電子冷却素子へのフィードバックも高
速で行え、レーザーダイオードへの温度制御精度を高く
できることになる。本発明の具体例とて、図１、図３及
び図５に示すもので挙げられる。図３の例では、ヒート
シンク素材への電流リークを防ぐために絶縁性ダイヤモ
ンドを設けている。あるいは、図６に示すようにヒート
シンク素材全体が半導電性ダイヤモンドでも良く、その
上に金属電極を配置した構造をとることもできる。この
ような場合には半導電性ダイヤモンドは天然あるいは超
高圧合成の単結晶ダイヤモンドを用いることも可能であ
る。図１，図３の場合にはレーザダイオードの温度はヒ
ートシンクを通じてサーミスターへ伝わることになる
が、図５，図６の場合には直接サーミスターに伝わるこ
とになり、より高速の応答が可能である。

【００１７】

【実施例】実施例１基材として、超高圧下で合成したＩｂ型ダイヤモンド単
結晶の（１００）面を１×１×０．３ｍｍの形状に成形
した。このダイヤモンド単結晶を基材とし、金属マスク
を使用して、上面の一部０．８×０．３ｍｍの領域に各
種の不純物をドーピングして半導電性ダイヤモンド薄膜
体をエピタキシャル成長させた。ダイヤモンド薄膜体の
成長は米国特許第４，４３４，１８８号明細書等に提案
される公知のマイクロ波プラズマＣＶＤ法によった。成
長条件は、ＣＨ₄と水素を１：１００の比率で石英反応
管に供給し、圧力を４ｋＰａに立って、２．４５ＧＨｚ
のマイクロ波を４５０Ｗの出力で照射してプラズマを発
生させた。本実施例では不純物としてＢ、Ａｌ、Ｓ、
Ｐ、Ａｓ、Ｃｌ、Ｓｂの各元素をドーピングした。ＣＨ
₄に対する各不純物元素の供給ガス濃度と成長時間を表
２に示す。本発明者等の更なる実験ではＳｉ、Ｌｉ、Ｓ
ｅ、Ｎも可能であった。

【００１８】

【表２】

【００１９】これらの不純物をドーピングした半導電性
ダイヤモンド薄膜体に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｕの順で蒸着を
行い、２カ所に電極を形成した。更にＩｂ型ダイヤモン
ド単結晶基材の上面の一部と下面前面とをスパッタ法に
よりＴｉ−Ｐｔ，Ａｕの金属化膜で被覆した。このよう
にして製造したサーミスター付ヒートシンクの構造は図
１に示すタイプであって、ヒートシンク素材１はＩｂ型
ダイヤモンド単結晶であり、電極３はＴｉ、Ｍｏ、Ａｕ
の３層からなり、金属化膜４はＴｉ、Ｐｔ、Ａｕの３層
からなる。次に各電極からリード線を取り出し、ドーピ
ングした不純物元素毎に、室温から８００℃までにおけ
る抵抗、温度特性を測定した。その測定結果を図３に示
す。また２５℃における抵抗値はサーミスター定数とを
表３にまとめる。

【００２０】

【表３】通常半導体レーザーダイオードは、室温から１５０℃
程度以下の温度で使用し、かつ温度補償用としてサーミ
スターを使用する場合、抵抗値は１０Ωから１００ｋΩ
の範囲が好ましいので、これらのうちＢ又はＡｌをドー
ピングしたものがサーミスター機能を具備するヒートシ
ンクとして特に好適である。なお、他の不純物元素をド
ーピングしたものについても半導電性ダイヤモンド層の
形状、厚みと電極の形状、電極の距離を変えることによ
り、半導体レーザーダイオード用サーミスター付ヒート
シンクに適した抵抗値にすることが可能である。

【００２１】実施例２ヒートシンク素材を縦・横１．５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ
の形状に成形し、タングステン（Ｗ）フィラメントを加
熱して原料ガスを分解する方法により、基板の一部に半
導電性ダイヤモンド薄膜体を成長させた〔Ｊａｐａｎｅ
ｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙ
ｓｉｃｓ，２１（１９８２）Ｌ１８３参照〕。成長条件
は、Ｗフィラメント温度２３００℃、基板温度８５０℃
とし、Ｃ ₂Ｈ₂とＨ₂とを１：５０の比で供給し、圧力
を６ｋＰａに保った。成長時間は全て１時間である。表
４に基板材質とドーピングした不純物元素、ドーピング
に用いた供給ガスとそのＣ₂Ｈ₂に対する濃度を示す。
但し試料No. １、２、３、５については、上記半導電性
ダイヤモンドの成長の前に、不純物元素をドーピングす
る為のガスを供給せずに上記条件で１時間絶縁性ダイヤ
モンド薄膜を成長させた。このようにして成長した各種
半導電性ダイヤモンド薄膜体にＴａ、Ｗ、Ａｕの順で電
極を蒸着し、２カ所に電極を形成した。更に基材の上面
の一部と下面全面とをスパッタ法により、Ｔａ、Ｐｄ、
Ｎｉ、Ａｕの金属化膜で被覆した。

【００２２】

【表４】

【００２３】表４中の試料No. ４、６、７、８、９のサ
ーミスター付ヒートシンクを図３に示す。また、それ以
外の試料は図１に示した構造のサーミスター付きヒート
シンクに形成した。図３において、絶縁性ダイヤモンド
薄膜体２の上に半導電性ダイヤモンド薄膜体３が形成さ
れている。１は基材（ヒートシンク素材）、４は電極、
５は金属化膜である。図４に表４中の試料No．１、３、
７、８について室温から８００℃までの抵抗−温度特性
を示す。また２５℃における抵抗値とサーミスター定数
を表５に示す。

【００２４】

【表５】

【００２５】実施例１、２は気相合成法により形成され
た半導電性ダイヤモンド薄膜をサーミスターとして利用
したサーミスター付きヒートシンクであるが、単結晶も
しくは多結晶ダイヤモンドにイオン注入法により不純物
をドーピングすることにより、半導電性ダイヤモンド層
を形成してもよい。なお、基材としてダイヤモンド以外
の材料を使用する場合は、基材の上に気相合成法により
絶縁性ダイヤモンド薄膜を形成し、このダイヤモンド薄
膜に不純仏をイオン注入する方法でサーミスター付きヒ
ートシンクを製造することも可能である。

【００２６】

【発明の効果】本発明によるヒートシンクは温度補償用
に使用する高速応答性を有する半導電性ダイヤモンドに
よるサーミスター機能を具備しているので、例えば半導
体レーザーダイオードに用いれば高精度且つ瞬時に温度
を制御することが可能である。また、気相合成法により
ダイヤモンド層を形成するので、所望の不純物を容易に
所望濃度で均一にドーピングでき、必要に応じた各種の
特性のサーミスター機能を有するヒートシンクの製造が
可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のヒートシンクの一具体例を示す斜視図
である。

【図２】実施例１の各サーミスター付ヒートシンクにお
ける半導電性ダイヤモンド層の抵抗−温度特性を示すグ
ラフ図である。

【図３】本発明のヒートシンクの他の具体例を示す斜視
図である。

【図４】実施例２の各サーミスター付ヒートシンクにお
ける半導電性ダイヤモンド層の抵抗−温度特性を示すグ
ラフ図である。

【図５】本発明のヒートシンクの更なる具体例であって
ヒートシンクの全部がサーミスター特性を有する半導電
性ダイヤモンドからなる例を示す斜視図である。

【図６】本発明のヒートシンクの更なる具体例を示す斜
視図であって、ヒートシンク素材の全部が半導電性ダイ
ヤモンドからなる例を示す。

【図７】従来のサーミスター付きヒートシンクの一例を
示す斜視図である。

【符号の説明】

１ヒートシンク素材２半導電性ダイヤモンド層３金属電極４金属化膜５絶縁性ダイヤモンド層

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上である
高熱伝導性物質をヒートシンク素材とし、該ヒートシン
ク素材の一部または全部がサーミスター特性を有する半
導電性ダイヤモンド層で構成され、該ヒートシンク素材
の表面が部分的に金属化膜で被覆されており、かつ該サ
ーミスター特性を有する半導電性ダイヤモンド層に一対
の金属電極が形成されてなるヒートシンク。
【請求項２】前記半導電性ダイヤモンド層が気相合成
法により形成されたものであることを特徴とする請求項
１に記載のヒートシンク。
【請求項３】前記半導電性ダイヤモンド層がイオン注
入法により形成されたものであることを特徴とする請求
項１記載のヒートシンク。
【請求項４】前記半導電性ダイヤモンド層が不純物の
熱拡散により形成されたものであることを特徴とする請
求項１記載のヒートシンク。
【請求項５】前記半導電性ダイヤモンド層が、単結晶
又は多結晶であることを特徴とする請求項１〜請求項４
のいずれかに記載のヒートシンク。
【請求項６】前記半導電性ダイヤモンド層が、Ｂ，Ａ
ｌ，Ｐ，Ｓｂ，Ｓｉ，Ｌｉ，Ｓ，Ｓｅ，Ｃｌ，Ｎのうち
の１種または２種以上を不純物として含有する請求項１
〜請求項６のいずれかに記載のヒートシンク。
【請求項７】前記半導電性ダイヤモンド層が、２５℃
における電気抵抗値が１０Ω〜１ＭΩ、かつサーミスタ
ー定数１０００Ｋ〜１００００Ｋのものであることを特
徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載のヒート
シンク。
【請求項８】前記ダイヤモンド層の厚さが０．０５μ
ｍ以上であることを特徴とする請求項１〜請求項５のい
ずれかに記載のヒートシンク。
【請求項９】前記ヒートシンク素材の寸法が、縦・横
が０．２ｍｍ〜５０ｍｍであり、且つ厚さ０．０５ｍｍ
〜２ｍｍであることを特徴とする請求項１〜請求項８の
いずれかに記載のヒートシンク。
【請求項１０】ヒートシンク素材の一部に気相合成法
により所望の不純物を含有する半導電性ダイヤモンド層
を形成した後、該半導電性ダイヤモンド層に金属電極を
形成し、さらに該ヒートシンク素材表面に金属化膜を形
成することを特徴とするヒートシンクの製造方法。
【請求項１１】前記ヒートシンク素材が単結晶ダイヤ
モンド、多結晶ダイヤモンド、ｃＢＮ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｓ
ｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａもしくはそれらの酸化
物、炭化物、窒化物、炭窒化物のうちの１種または２種
以上を主成分とすることを特徴とする請求項１０記載の
ヒートシンクの製造方法。
【請求項１２】前記金属化膜及び／又は金属電極とし
て、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃ
ｒもしくはそれらの酸化物、炭化物、窒化物、炭窒化物
のうちの１種または２種以上から構成される第１層を形
成し、該第１層の上にＭｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｄのうちの１種また
は２種以上を主成分とする一層または二層以上を形成す
ることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載
のヒートシンクの製造方法。