JPH09151301A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH09151301A JPH09151301A JP31179195A JP31179195A JPH09151301A JP H09151301 A JPH09151301 A JP H09151301A JP 31179195 A JP31179195 A JP 31179195A JP 31179195 A JP31179195 A JP 31179195A JP H09151301 A JPH09151301 A JP H09151301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- component
- resin composition
- resin
- zinc borate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ほう酸亜鉛を使用することにより、アンチモ
ン及びハロゲンを含まない難燃性の半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を提供すること。 【構成】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化
促進剤、ほう酸亜鉛及び無機充填材からなる半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。
ン及びハロゲンを含まない難燃性の半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を提供すること。 【構成】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化
促進剤、ほう酸亜鉛及び無機充填材からなる半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、難燃性に優れた半
導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイオ−ド、トランジスタ、集積
回路等の電子部品は、エポキシ樹脂組成物で封止されて
いる。この組成物中には、難燃剤としてハロゲン系難燃
剤単独あるいはハロゲン系難燃剤と三酸化アンチモンと
の併用、充填材として溶融シリカ、結晶シリカ等の無機
充填材が配合されている。ところが、環境衛生の点から
ハロゲン系難燃剤、三酸化アンチモンを使用しない難燃
性エポキシ樹脂組成物が要求されている。この要求に対
して、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウムの様な
金属水酸化物等が検討されてきたが、不純物が多くかつ
多量に添加しないと効果が発現できないことから実用化
には至っていない。
回路等の電子部品は、エポキシ樹脂組成物で封止されて
いる。この組成物中には、難燃剤としてハロゲン系難燃
剤単独あるいはハロゲン系難燃剤と三酸化アンチモンと
の併用、充填材として溶融シリカ、結晶シリカ等の無機
充填材が配合されている。ところが、環境衛生の点から
ハロゲン系難燃剤、三酸化アンチモンを使用しない難燃
性エポキシ樹脂組成物が要求されている。この要求に対
して、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウムの様な
金属水酸化物等が検討されてきたが、不純物が多くかつ
多量に添加しないと効果が発現できないことから実用化
には至っていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な問
題に対して、ほう酸亜鉛を使用することにより、アンチ
モン及びハロゲンを含まない難燃性の半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を提供するところにある。
題に対して、ほう酸亜鉛を使用することにより、アンチ
モン及びハロゲンを含まない難燃性の半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を提供するところにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進
剤、（Ｄ）ほう酸亜鉛（Ｅ）無機充填材からなる半導体
封止用エポキシ樹脂組成物である。
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進
剤、（Ｄ）ほう酸亜鉛（Ｅ）無機充填材からなる半導体
封止用エポキシ樹脂組成物である。
【０００５】本発明に用いるほう酸亜鉛は難燃性と耐湿
性との兼ね合いから４ＺｎＯ・Ｂ2Ｏ3・Ｈ2Ｏや２Ｚｎ
Ｏ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏが好ましく、成形性との兼
ね合いから４ＺｎＯ・Ｂ2Ｏ3・Ｈ2Ｏがより好ましい。
このほう酸亜鉛は市場より容易に入手することができ
る。ほう酸亜鉛は無機充填材量の含有量にもよるが、全
組成物中に１〜２０重量％含有することが好ましい。１
重量％未満だと難燃性が不足し、２０重量％を超えると
耐湿性及び成形性が低下するためである。
性との兼ね合いから４ＺｎＯ・Ｂ2Ｏ3・Ｈ2Ｏや２Ｚｎ
Ｏ・３Ｂ2Ｏ3・３．５Ｈ2Ｏが好ましく、成形性との兼
ね合いから４ＺｎＯ・Ｂ2Ｏ3・Ｈ2Ｏがより好ましい。
このほう酸亜鉛は市場より容易に入手することができ
る。ほう酸亜鉛は無機充填材量の含有量にもよるが、全
組成物中に１〜２０重量％含有することが好ましい。１
重量％未満だと難燃性が不足し、２０重量％を超えると
耐湿性及び成形性が低下するためである。
【０００６】本発明に用いるエポキシ樹脂は、１分子中
にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、
ポリマー全般を言い、その分子量、分子構造を特に限定
するものではないが、例えばビフェニル型エポキシ化合
物、ビスフェノール型エポキシ化合物、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ化合物、アル
キル変性トリフェノールメタン型エポキシ化合物及びト
リアジン核含有エポキシ樹脂等が挙げられ、単独でも混
合して用いても差し支えない。
にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、
ポリマー全般を言い、その分子量、分子構造を特に限定
するものではないが、例えばビフェニル型エポキシ化合
物、ビスフェノール型エポキシ化合物、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ化合物、アル
キル変性トリフェノールメタン型エポキシ化合物及びト
リアジン核含有エポキシ樹脂等が挙げられ、単独でも混
合して用いても差し支えない。
【０００７】本発明に用いるフェノール樹脂硬化剤は、
その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、
例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラッ
ク樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、パ
ラキシリレン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノ
ール樹脂、トリフェノールメタン化合物等が挙げられ、
特にフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン
変性フェノール樹脂、パラキシリレン変性フェノール樹
脂、テルペン変性フェノール樹脂等が好ましく、単独で
も混合しても差し支えない。また、これらの硬化剤の配
合量としては、エポキシ化合物のエポキシ基数とフェノ
ール樹脂硬化剤の水酸基数の比は０．８〜１．２が好ま
しい。
その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、
例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラッ
ク樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、パ
ラキシリレン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノ
ール樹脂、トリフェノールメタン化合物等が挙げられ、
特にフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン
変性フェノール樹脂、パラキシリレン変性フェノール樹
脂、テルペン変性フェノール樹脂等が好ましく、単独で
も混合しても差し支えない。また、これらの硬化剤の配
合量としては、エポキシ化合物のエポキシ基数とフェノ
ール樹脂硬化剤の水酸基数の比は０．８〜１．２が好ま
しい。
【０００８】本発明に用いる硬化促進剤は、エポキシ基
と水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、
一般に封止材料に使用されているものを広く使用するこ
とができる。例えば１，８−ジアザビシクロウンデセ
ン、トリフェニルホスフィン、ベンジルジメチルアミン
や２−メチルイミダゾ−ル等が挙げられ、単独でも混合
して用いても差し支えない。無機充填材としては、溶融
シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アルミナ、窒化珪素等が
挙げられるが、リードフレーム等との熱膨張係数の差や
不純物量の点から溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末が望
ましい。これら無機充填材の配合量は成形性と信頼性の
バランスから全組成物中に５０〜９５重量％含有するこ
とが好ましい。又、流動性、充填性の点から無機充填材
は、平均粒径が１０〜２０μｍで、１０μｍ以下の粒径
を２０〜４５重量％含み、７０μｍ以上の粒径が１０重
量％以下である粒度分布を持つものが好ましい。特に充
填材量の多い配合では、球状の溶融シリカを用いるのが
一般的である。
と水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、
一般に封止材料に使用されているものを広く使用するこ
とができる。例えば１，８−ジアザビシクロウンデセ
ン、トリフェニルホスフィン、ベンジルジメチルアミン
や２−メチルイミダゾ−ル等が挙げられ、単独でも混合
して用いても差し支えない。無機充填材としては、溶融
シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アルミナ、窒化珪素等が
挙げられるが、リードフレーム等との熱膨張係数の差や
不純物量の点から溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末が望
ましい。これら無機充填材の配合量は成形性と信頼性の
バランスから全組成物中に５０〜９５重量％含有するこ
とが好ましい。又、流動性、充填性の点から無機充填材
は、平均粒径が１０〜２０μｍで、１０μｍ以下の粒径
を２０〜４５重量％含み、７０μｍ以上の粒径が１０重
量％以下である粒度分布を持つものが好ましい。特に充
填材量の多い配合では、球状の溶融シリカを用いるのが
一般的である。
【０００９】本発明のエポキシ樹脂組成物はエポキシ樹
脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、ほう酸亜鉛及
び無機充填材を必須成分とするが、これ以外に必要に応
じてシランカップリング剤、カーボンブラック、ベンガ
ラ等の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等の離型剤
及びシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤等の種々
の添加剤を適宜配合しても差し支えない。また本発明の
封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料として製造するに
は、必須成分である各成分、その他の添加剤をミキサ−
等によって充分に均一に混合した後、更に熱ロ−ルまた
はニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して封止材料と
することができる。これらの成形材料は電気部品あるい
は電子部品であるトランジスタ、集積回路等の被覆、絶
縁、封止等に適用することができる。
脂、フェノール樹脂硬化剤、硬化促進剤、ほう酸亜鉛及
び無機充填材を必須成分とするが、これ以外に必要に応
じてシランカップリング剤、カーボンブラック、ベンガ
ラ等の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等の離型剤
及びシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤等の種々
の添加剤を適宜配合しても差し支えない。また本発明の
封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料として製造するに
は、必須成分である各成分、その他の添加剤をミキサ−
等によって充分に均一に混合した後、更に熱ロ−ルまた
はニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して封止材料と
することができる。これらの成形材料は電気部品あるい
は電子部品であるトランジスタ、集積回路等の被覆、絶
縁、封止等に適用することができる。
【００１０】
【実施例】以下本発明を実施例で具体的に説明する。 《実施例１〜５、比較例１〜５》表１及び表２に示した
組成物をミキサ−で常温で混合し、７０〜１００℃で２
軸ロ−ルにより混練し、冷却後粉砕して成形材料とし
た。更に得られた成形材料をタブレット化し、低圧トラ
ンスファ−成形機にて１７５℃、７０Kg／cm2 、１２０
秒の条件で、耐燃テスト用試験片を成形し、また耐湿性
試験用として３mm×３．５mmのチップを１６ｐＤＩＰに
封止した。封止したテスト用素子について下記の耐湿性
試験を行なった。試験結果を表１及び表２に示す。
組成物をミキサ−で常温で混合し、７０〜１００℃で２
軸ロ−ルにより混練し、冷却後粉砕して成形材料とし
た。更に得られた成形材料をタブレット化し、低圧トラ
ンスファ−成形機にて１７５℃、７０Kg／cm2 、１２０
秒の条件で、耐燃テスト用試験片を成形し、また耐湿性
試験用として３mm×３．５mmのチップを１６ｐＤＩＰに
封止した。封止したテスト用素子について下記の耐湿性
試験を行なった。試験結果を表１及び表２に示す。
【００１１】使用した原材料は下記のとおり。 ・オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂：軟化点
６５℃、エポキシ当量２００ g／eq ・ビフェニル型エポキシ樹脂：融点１１０℃、エポキシ
当量１９５ g／eq ・ブロム化エポキシ樹脂：軟化点６０℃、エポキシ当量
３６０ g／eq ・フェノールノボラック樹脂硬化剤：軟化点８０℃、水
酸基当量１０４ g／eq ・溶融シリカ粉末：平均粒径１５μm、比表面積２．２m
2／g 、粒径１０μm以下３５重量％、粒径７０μm以上
８重量％ ・球状シリカ：平均粒径１７μm、比表面積５．０m2／g
、粒径１０μm以下３５重量％、粒径７ ０μm以上６
重量％ ・トリフェニルホスフィン ・カ−ボンブラック ・カルナバワックス ・ほう酸亜鉛（４ＺｎＯ・Ｂ2Ｏ3・Ｈ2Ｏ） ・ほう酸亜鉛（２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３.５Ｈ2Ｏ） ・三酸化アンチモン
６５℃、エポキシ当量２００ g／eq ・ビフェニル型エポキシ樹脂：融点１１０℃、エポキシ
当量１９５ g／eq ・ブロム化エポキシ樹脂：軟化点６０℃、エポキシ当量
３６０ g／eq ・フェノールノボラック樹脂硬化剤：軟化点８０℃、水
酸基当量１０４ g／eq ・溶融シリカ粉末：平均粒径１５μm、比表面積２．２m
2／g 、粒径１０μm以下３５重量％、粒径７０μm以上
８重量％ ・球状シリカ：平均粒径１７μm、比表面積５．０m2／g
、粒径１０μm以下３５重量％、粒径７ ０μm以上６
重量％ ・トリフェニルホスフィン ・カ−ボンブラック ・カルナバワックス ・ほう酸亜鉛（４ＺｎＯ・Ｂ2Ｏ3・Ｈ2Ｏ） ・ほう酸亜鉛（２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3・３.５Ｈ2Ｏ） ・三酸化アンチモン
【００１２】評価方法は下記のとおり。 《スパイラルフロー》金型温度１７５℃、圧力７０kg／
cm2 で測定した。 《耐燃テスト》ＵＬ−９４垂直試験（試料厚さ１．０ｍ
ｍ）、難燃性で表した。 《耐湿性試験》封止したテスト用素子をプレッシャ−ク
ッカ−試験（１２５℃、１００％RH）を行い、回路のオ
−プン不良を測定し、不良発生時間で表した。 《成形性》低圧トランスファー成形機を用い、金型温度
１７５℃、圧力７０kg／cm2 の条件で１６ｐＤＩＰが成
形可能な硬化時間（秒）を成形性の目や苦とした。
cm2 で測定した。 《耐燃テスト》ＵＬ−９４垂直試験（試料厚さ１．０ｍ
ｍ）、難燃性で表した。 《耐湿性試験》封止したテスト用素子をプレッシャ−ク
ッカ−試験（１２５℃、１００％RH）を行い、回路のオ
−プン不良を測定し、不良発生時間で表した。 《成形性》低圧トランスファー成形機を用い、金型温度
１７５℃、圧力７０kg／cm2 の条件で１６ｐＤＩＰが成
形可能な硬化時間（秒）を成形性の目や苦とした。
【００１３】 表 １ 実 施 例 １ ２ ３ ４ ５ 配合（重量部） オルソクレソ゛-ルノホ゛ラック型エホ゜キシ樹脂 18.3 18.3 18.3 8.6 ビフェニル型エポキシ樹脂 4.4 フェノールノボラック樹脂 9.5 9.5 9.5 4.5 2.3 溶融シリカ粉末 61.0 51.0 51.0 球状シリカ 84.5 91.0 トリフェニルホスフィン 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 カ−ボンブラック 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 カルナバワックス 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 4ZnO・B2O3・H2O 10.0 20.0 3.0 1.1 2ZnO・3B2O3・3.5H2O 20.0 物性 スパイラルフロー(ｃｍ) 100 100 100 60 70 難燃性 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 耐湿性（Ｈｒ） 400 350 350 400 400 成形性（硬化時間：秒） 90 120 200 90 90
【００１４】 表 ２ 比 較 例 １ ２ ３ ４ ５ 配合（重量部） オルソクレソ゛-ルノホ゛ラック型エホ゜キシ樹脂 18.3 16.6 7.8 ビフェニル型エポキシ樹脂 4.4 4.3 ブロム化エポキシ樹脂 2.0 1.0 0.5 フェノールノボラック樹脂 9.5 2.3 9.2 4.3 2.5 溶融シリカ粉末 41.0 69.0 球状シリカ 91.3 84.7 91.0 トリフェニルホスフィン 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 カ−ボンブラック 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 カルナバワックス 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 4ZnO・B2O3・H2O 30.0 0.8 三酸化アンチモン 2.0 1.0 0.5 物性 スパイラルフロー(ｃｍ) 130 70 100 60 70 難燃性 V-0 V-1 V-0 V-0 V-0 耐湿性（Ｈｒ） 100 400 300 400 400 成形性（硬化時間：秒） 300 90 90 90 90
【００１５】
【発明の効果】本発明の組成物により、半導体素子を封
止することにより、ハロゲン系難燃剤、三酸化アンチモ
ンを含まないの耐湿性及び難燃性に優れた半導体装置を
得ることができる。
止することにより、ハロゲン系難燃剤、三酸化アンチモ
ンを含まないの耐湿性及び難燃性に優れた半導体装置を
得ることができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノ−ル
樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）ほう酸亜鉛及び
（Ｅ）無機充填材からなることを特徴とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 ほう酸亜鉛の構造が、４ＺｎＯ・Ｂ2Ｏ3
・Ｈ2Ｏ である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物。 - 【請求項３】 全組成物中のほう酸亜鉛の含有量が１〜
２０重量％であり、無機充填材の含有量が５０〜９５重
量％である請求項１又は２記載の半導体封止用エポキシ
樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31179195A JP3339772B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31179195A JP3339772B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09151301A true JPH09151301A (ja) | 1997-06-10 |
| JP3339772B2 JP3339772B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=18021503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31179195A Ceased JP3339772B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3339772B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001005889A1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-01-25 | Hitachi, Ltd. | Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device |
| JP2001049084A (ja) * | 1999-08-09 | 2001-02-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2001261782A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2001288338A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| KR100520793B1 (ko) * | 1996-08-22 | 2005-12-28 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 수지봉지형 반도체장치 및 그 제조방법 |
| WO2014196940A2 (en) * | 2013-06-03 | 2014-12-11 | Yeditepe Universitesi | Boron added antimicrobial joint sealant |
| JP2020158684A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP31179195A patent/JP3339772B2/ja not_active Ceased
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100520793B1 (ko) * | 1996-08-22 | 2005-12-28 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 수지봉지형 반도체장치 및 그 제조방법 |
| WO2001005889A1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-01-25 | Hitachi, Ltd. | Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device |
| JP2001049084A (ja) * | 1999-08-09 | 2001-02-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2001261782A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP4568944B2 (ja) * | 2000-03-21 | 2010-10-27 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2001288338A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2014196940A2 (en) * | 2013-06-03 | 2014-12-11 | Yeditepe Universitesi | Boron added antimicrobial joint sealant |
| WO2014196940A3 (en) * | 2013-06-03 | 2015-02-26 | Yeditepe Universitesi | Boron added antimicrobial joint sealant |
| JP2020158684A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3339772B2 (ja) | 2002-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20040166325A1 (en) | Flame retardant molding compositions containing group IVA metal oxides | |
| WO2004099313A1 (en) | Flame-retardant molding compositions | |
| JP3343704B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3339772B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH08151427A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH10152599A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2002356539A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2002003577A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2626377B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2000273281A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2000230110A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH07157542A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH1077390A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH11302501A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2002363261A (ja) | 難燃性エポキシ樹脂組成物、半導体封止材料及び半導体装置 | |
| JP2000248050A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2002241587A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JPH07173372A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2001288338A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2002256138A (ja) | 難燃性エポキシ樹脂組成物、半導体封止材料及び半導体装置 | |
| JPS6225118A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
| JP2000309678A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2000281869A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2576726B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2002363381A (ja) | 難燃性エポキシ樹脂組成物、半導体封止材料及び半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RVOP | Cancellation by post-grant opposition |