WO2001005889A1 - Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device - Google Patents

Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
WO2001005889A1
WO2001005889A1 PCT/JP1999/003817 JP9903817W WO0105889A1 WO 2001005889 A1 WO2001005889 A1 WO 2001005889A1 JP 9903817 W JP9903817 W JP 9903817W WO 0105889 A1 WO0105889 A1 WO 0105889A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
formula
flame retardant
semiconductor element
Prior art date
Application number
PCT/JP1999/003817
Other languages
French (fr)
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyoshi Kokaku
Akira Nagai
Takumi Ueno
Ryo Moteki
Toshiaki Ishii
Hiroki Sashima
Original Assignee
Hitachi, Ltd.
Hitachi Chemical Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi, Ltd., Hitachi Chemical Co., Ltd. filed Critical Hitachi, Ltd.
Priority to JP2001511113A priority Critical patent/JP4147030B2/en
Priority to PCT/JP1999/003817 priority patent/WO2001005889A1/en
Publication of WO2001005889A1 publication Critical patent/WO2001005889A1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/38—Boron-containing compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

An epoxy resin composition for semiconductor sealing which comprises an epoxy resin, a hardener, a hardening accelerator, and a flame retardant and is excellent in flame retardancy and moldability, characterized in that the flame retardant comprises a specific boric acid compound represented by formula (1): xM(II)O.yB2O3.zH2O (wherein 0.2≤x/y≤6.0; 0.2≤z/y≤6.0; and M(II) represents a divalent metal); and a semiconductor device with excellent reliability made using the composition.

Description

明 細 書 半導体封止用エポキシ樹 s旨組成物及び半導体装置 技術分野  Description Epoxy resin for semiconductor encapsulations Compositions and semiconductor devices
本発明は、 難燃斉 IJと してホウ酸ィ匕合物を含有し、 燃焼時に有 害ガス力3発生しない環境に優れたエポキシ樹 S旨組成物及びそ れを用いた半導体装置に関する。 背景技術 TECHNICAL FIELD The present invention relates to an epoxy resin composition containing a boric acid conjugate as a flame retardant IJ and having an environment in which no harmful gas force 3 is generated during combustion, and a semiconductor device using the same. Background art
トランジス夕、 ェ C、 L S ェ等の半導体装置は量産'性の点で 有禾 |Jな樹 S旨封止型が主、流になっている。 半導体封止用樹月旨と し ては、 エポキシ樹 旨とフエノール樹 旨硬ィ匕剤を酉己合した組成物 が成开 性、 機械特 '注、 吸湿特'注及び接着'注等の特'性バラ ンスが 良く、 しかも信頼'性が優れている。  Semiconductor devices such as Transistor, C, and L S have been mainly used in the mass production type because of their mass production. For the purpose of semiconductor encapsulation, a composition obtained by combining an epoxy resin and a phenolic resin with a hardener is used for its growth, mechanical specialty injection, hygroscopic specialty injection, and adhesive adhesion. The characteristic balance is good, and the reliability is excellent.
この半導体封止用樹 a旨組成物には難燃'注を付与するために、 臭素ィ匕エポキシ樹 s旨又は臭素ィ匕フ ェノ一ノレ樹月旨等の臭素ィ匕ィ匕 合物と、 アンチモンィ匕合物と力5添カロされている。 しカゝしな力5ら、 これらの化合物は燃焼時に有害ガスを発生し環境に悪影響を 与える可肯 注があることが心酉己されてレ、る。 In order to give the flame retardant 'note to the composition for encapsulating a semiconductor, a bromine-based epoxy resin such as a bromine-based epoxy resin or a bromine-based phenolic compound is used. And the antimony dangling thing and the power of 5 calories. And Kaka Shinano force 5 et al., These compounds are his own is Kokorotori there are variable affirmative Note that adversely affect the environment and generate harmful gases during combustion les, Ru.
一方、 半導体装置を髙温下に放置した場合、 臭素系化合物 中から脱離した脱離臭素によ り半導体素子のアジレミ ニゥム酉己 糸泉ノ ッ ドと金ワイ ヤとの接続部分が腐食されやすく、 臭素無添 カロ系に _fc匕べて短時間で断線、 故障し易レヽ。 そのため自動車のェ ンジンルーム内や高温雰囲気下で用レヽる電気機器内の半導体 装置はその塔載箇所が限定される。 また、 脱離臭素は半導体素 子のアンレミ二ゥム酉己線の腐食そのものを促進させ、 半導体装置 の耐湿信頼'注を低下させる原因になる。  On the other hand, when the semiconductor device is left at a high temperature, the desorbed bromine from the bromine-based compound corrodes the connection between the semiconductor element and the gold wire between the azireminium and the gold wire. Easy to use, bromine-free Caro system _fc dangling, disconnection in a short time, easy failure. For this reason, the location of the semiconductor device in the engine room of the automobile or in the electric equipment used in a high-temperature atmosphere is limited. In addition, the desorbed bromine promotes the corrosion of the semiconductor element's unrecycled wire itself, and lowers the reliability of the semiconductor device against moisture.
難燃助斉 !Jであるアンチモンも腐食の一要因となる。 すなわち、 アンチモンと臭素が結合して臭素ィヒアンチモンガスを発生し、 このガスは更に臭素の脱離反応を促進させる。 Antimony, a flame retardant aid, also contributes to corrosion. That is, Antimony and bromine combine to generate bromine diantimony gas, which further promotes the elimination reaction of bromine.
このため、 難燃'性及び半導体装置の信頼'注を同時に満足でき る、 有害ガスを発生しない半導体封止材料が強く望まれている < 半導体装置が高温髙湿下で使用される場合でも半導体封止 用樹月皆組成物の臭素ィ匕合物から臭素の脱離を抑える方法と し て （ a) 特開平 5— 3 2 O 3 1 9号公報は熱安定'!^の高いメ夕 位に臭素力5酉己位した臭素ィ匕ビスフ エノ一ノレ A型エポキシ樹月旨 を用いるこ と、 （ b ) 特開平 4— 4 8 7 5 9号公報は脱離臭 素を捕捉する無機ノヽィ ド ロ夕ルサィ ト系のイ オン捕捉斉 Uを用 いるこ とを開示する。 また、 （ c ) 特開平 7— 1 5 7 5 4 2号 公報と特開平 7— 1 7 3 3 7 2号公報は赤リ ン系難燃剤を用 レヽるこ と、 特開平 6— 1 0 7 9 1 4号公報はホウ酸亜鉛等のホ ゥ酸系ィ匕合物をシ リ カ と共に用 ヽるこ とを開示し ノヽロゲン 系難燃化手法を提示する。 For this reason, there is a strong demand for a semiconductor encapsulant that does not generate harmful gas while simultaneously satisfying the flame-retardant properties and reliability of semiconductor devices. As a method for suppressing the desorption of bromine from the brominated compound of the composition, (a) Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-32O319 discloses a method of providing a highly heat-stable polymer. (B) Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-487759 discloses the use of bromine-based bisphenol A-type epoxy resin with a bromine power of 5 roosters. Discloses the use of the ion capture system U of the nodule-silver system. Also, (c) JP-A-7-157542 and JP-A-7-1733372 disclose the use of a red phosphorus-based flame retardant. Japanese Patent Application Publication No. 7914 discloses the use of a boric acid-based conjugate such as zinc borate together with silica, and presents a nodogen-based flame retarding method.
更に特開平 7— 3 3 1 0 3 3号公報と特開平 8— 1 5 1 5 0 5号公報はフ エノ一ノレ樹 S旨、 リ ン又は赤リ ン、 窒素、 ホウ素 ィ匕合物、 金属水禾ロ物から選ばれた ノヽロゲン系難燃剤の 2種以 上の併用系を開示する。  Further, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 7-331033 and 8-151505 disclose phenolic tree S, lin or red lin, nitrogen, boron conjugate, Disclosed is a combination system of two or more nodogen-based flame retardants selected from metal aquatic products.
しカ しな力 2ら、 上言己の （ a) で用いる臭素ィ匕エポキシ樹 旨は、 熱分解温度の上昇効果は極めて小さ く、 臭素の脱離を防止する 効果が劣る。 Ca Shinano force 2 et then, bromine I spoon epoxy resin fact used above word of himself (a) is increasing effect of thermal decomposition temperature are very rather small, less the effect of preventing desorption of bromine.
また、 （ b) のイオン捕捉剤はその酉己合量を増やしても臭素 補足倉 力に限界があ り、 酉己合量が多すぎる と圭寸止用樹 fl旨組成物 の成开 '注の低下や吸湿率が大き く なる問題が生じる。  In addition, the ion scavenger (b) has a limited bromine supplementing capacity even if the amount of the rooster is increased, and if the amount of the rooster is too large, the composition of the flour-stopping tree will grow. There are problems such as lowering of the injection rate and higher moisture absorption.
( c ) の非ノヽロゲン系難燃剤は難燃'注の付与効果が臭素 ァ ンチモン系に :匕べてかな り劣る . このため、 難燃'注 U L - 9 4 規格 V— 0 を満足するには、 難燃剤を多量に酉己合する'必要があ る。 該 ノヽロゲン系難燃剤を多量に酉己合した圭寸止用樹月旨組成物 は成幵 ' 及び接着'性の低下並びに吸湿率の増大を招くおそれ 力5ある。 (c) The non-prone flame retardant is less effective in imparting flame retardance than that of bromine antimony. Therefore, it meets the flame retardant's UL-94 standard V-0. To do so, it is necessary to combine large amounts of flame retardants. A jujube-stopper composition containing a large amount of the nodogen-based flame retardant Some fear force 5 causing an increase in reduction and moisture absorption of Naru幵'and adhesive' properties.
そのため、 非ノヽロゲン系難燃剤を用レ、た樹 旨組成物は積層板 や電気部品の絶縁材料に用途力 SP艮定されているのが現状であ る。 Therefore, dendritic effect compositions non Nono androgenic flame retardant Yore was the Ru current der that is application force S P Ushitorajo the insulating material of the laminated plate and electrical components.
また、 赤リ ンを難燃剤に用いる場合は爆発や発火しゃすいの で取り扱レヽに ίま注意力5'必要である。 Also, when red phosphorus is used as a flame retardant, an explosion or fire will occur, so care must be taken 5 'for handling.
上述したよう に、 半導体圭寸止用樹月旨組成物の難燃'性と半導体 装置の各種信頼' を同時に改善する半導体封止用樹月旨組成物 の開発が課題であ り多く の方法が提案されている。  As described above, the development of a lubricating lubricating composition for semiconductor encapsulation that simultaneously improves the flame retardancy of the lubricating lubricating composition for semiconductors and the various reliability of semiconductor devices is an issue, and many methods are required. Has been proposed.
本発明は、 上言己の状:?兄に鑑みなされたものであ り、 その目的 とする ところは、 非ノヽロゲン系難燃剤を用レヽた難燃'性と成开 注 に優れた半導体封止用エポキシ樹 a旨組成物及び該組成物で封 止した半導体装置を提供するこ とにある。 発明の開示  The present invention has been made in view of the state of the above-mentioned self, and has as its object the purpose of the present invention is to provide a semiconductor which is excellent in flame retardancy and growth by using a non-nitrogen-based flame retardant. An object of the present invention is to provide a sealing epoxy resin composition and a semiconductor device sealed with the composition. Disclosure of the invention
上言己目的を達成するために、 本発明者等は各種難燃剤につい て鋭意検討した。 その結果、 特定のホウ酸ィ匕合物を用レ、るこ と によ り上言己目的を達成できるこ とを見出した。 本発明の要旨は 次の通りである。  In order to achieve the above objective, the present inventors have intensively studied various flame retardants. As a result, they have found that the above purpose can be achieved by using a specific boric acid conjugate. The gist of the present invention is as follows.
エポキシ樹 S旨、 硬ィ匕剤、 硬化促進剤、 難燃剤を含むエポキシ 樹 S旨組成物において、 該難燃剤が式 （1)  An epoxy resin composition containing epoxy resin S, a hardener, a curing accelerator, and a flame retardant, wherein the flame retardant is represented by the formula (1)
xM (II) O - yB203 - zH20 ( 1)  xM (II) O-yB203-zH20 (1)
(式中、 x y = 0.2〜6. 0、
Figure imgf000005_0001
〜6.0、 M (II) は二価の 金属を示す） で表される特定のホウ酸ィ匕合物よ りなるこ とを特 徴とする。 本発明は公矢口の各種難燃助剤を含むこともできる。 (Where xy = 0.2-6.0,
Figure imgf000005_0001
6.0, M (II) represents a divalent metal). The present invention can also include various types of Koyaguchi flame retardant aids.
また、 本発明は半導体素子の少なく とも一部力5、 エポキシ樹 月旨、 硬ィ匕剤、 硬ィ匕促進剤、 難燃剤を含むエポキシ樹 旨組成物で 封止されてなる半導体装置において、 該難燃剤が式 （1) xM (II) O - yB203 - zH20 ( 1) Further, the present invention provides a semiconductor device which is sealed with an epoxy resin composition containing at least a part of a semiconductor element 5 , an epoxy resin composition, an epoxy resin composition, a hardener, a hardener accelerator, and a flame retardant. The flame retardant has the formula (1) xM (II) O-yB203-zH20 (1)
(式中、 x/y=0. 2〜6. 0、 z/y=0. 2〜6.0、 M (II) は二価の 金属を示す） で表される特定のホウ酸ィ匕合物よ りなるこ とを特 徴とする半導体装置を提供する。  (Where x / y = 0.2 to 6.0, z / y = 0.2 to 6.0, and M (II) represents a divalent metal). A semiconductor device characterized by the above features is provided.
本発明 ίま、 半導体素子の一方の面力5夕、 'イ ノ、ッ ドに接着され、 該半導体素子の他方の面に外部接続用ノ ッ ドが設けられ， 該外 部接続用ノ ヅ ド と外部リ― ド とが導電ワイャを介して接続さ れ， 少なく とも該半導体素子がエポキシ樹 β旨組成物で封丄ヒされ ている半導体装置であって、 該エポキシ樹 S旨組成物の難燃剤が 式 （1) で表されるホウ酸ィ匕合物よ り なるこ とを特徴とする半 導体装置を提供する。 The present invention ί Also, one surface force 5 evening of the semiconductor element, 'Lee Bruno, is bonded to the head, the other side Roh head for external connection provided in the semiconductor element, external connection Roh Uz A semiconductor device in which a lead and an external lead are connected via a conductive wire, and at least the semiconductor element is sealed with an epoxy resin composition. A semiconductor device characterized in that the flame retardant comprises the boric acid conjugate represented by the formula (1).
また、 本発明は、 半導体素子と外咅 ( リー ドとが接着層を介し て接続され、 該半導体素子の該接着層を有する面情」に設けられ た外部接続ノ ヅ ド と該外咅 13リ一ド とが導電ワイャによって接 続され、 少なく とも半導体素子の一部がエポキシ樹月旨組成物で 封止されてなる半導体装置において、 該エポキシ樹 S旨組成物の 難燃剤が式 （1) で表されるホウ酸化合物よ り なるこ とを特徴 とする半導体装置を提供-する。  Further, the present invention provides an external connection node and an external connection node provided on a surface of a semiconductor element which is connected to an external lead via an adhesive layer and which has the adhesive layer. In a semiconductor device in which a lead is connected by a conductive wire and at least a part of a semiconductor element is sealed with an epoxy resin composition, the flame retardant of the epoxy resin composition is represented by the formula (1) A semiconductor device characterized by comprising a borate compound represented by the formula (1):
上言己について、 更に詳しく説明する。  I will explain the above statement in more detail.
本発明において、 式 （ 1 ) で表されるホウ酸ィ匕合物は式中、 x/y = 0. 2 ~ 6. 0、 z y = 0. 2 ~ 6. 0である。  In the present invention, the boric acid conjugate represented by the formula (1) is represented by the formula: x / y = 0.2 to 6.0, zy = 0.2 to 6.0.
x/ 力 20. 2未満では品質の安定したホウ酸ィ匕合物の合成力 s 難し く な り、 所望の特'注即ち難燃'注 U L- 9 4規格 V- 0を満足 する特 生が得られなレヽ。 x/y力 s 6. O以上になる と難燃作用力5 低下し、 実用に供しなく なる。 実質的に好適な範囲は 0. 5〜3. 0 である。 x / force 2 0.1 is less than 2 Ri combined force s Do rather difficult for stable boric Sani匕合of quality, to satisfy the desired JP 'Note That flame retardant' NOTE U L-9 4 standard V- 0 No special features can be obtained. x / y force s 6. If O or more, the flame-retardant action force 5 is reduced, and it is not practical. A substantially preferred range is from 0.5 to 3.0.
z/y= 0 - 2〜 6. 0はィ匕合物中における結晶水の害!]合を 示し、 z/y力 56. 0を越えると脱水温度が低下する傾向が見 られ、 それに伴って難燃効果も低下する。 z y 力 s 0. 2未満 では含水比率が少ないため、 消火に'必要な水の相対量が得られ ず、 糸吉果的には難'燃'性が不十分になる。 z / y = 0 -! 2~ 6. 0 indicates harm] If the crystal water in the I匕合product, the dehydration temperature exceeds z / y force 5 6.0 tended to decrease, it As a result, the flame retardant effect also decreases. zy force s less than 0.2 Since the water content is low, the relative amount of water required for fire extinguishing cannot be obtained, and the fire-retardant 'flammability' becomes insufficient.
一般式 （ 1 ) の Miま二価の金属を表し、 具体的にはカノレシゥ ム ( C a) ， マグネシゥム ( Mg) ， ベリ リ ウム （ Be) ， ス ト 口 ンチウム （ Sr) ， ノ リ ウム （ Ba) 、 鉄 （Fe) 等力 ある力 これらの中で（ま特にカノレシゥム （ C a)、 マグネシウム （ Mg)、 ベリ リ ウム （ Be) 力 s最も難燃'注及び成幵 '注力 s優れている。 Mi in the general formula (1) represents a divalent metal. Specifically, canolemium (Ca), magnesium (Mg), beryllium (Be), stotium (Sr), norium ( Ba), iron (Fe) Hitoshiryoku mighty among these (or especially Kanoreshiumu (C a), magnesium (Mg), Beri Li um (be) force s most flame retardant 'Note and Naru幵' excellent focus s I have.
更には、 、要に応じて^!えば一般式 （ 1 ) の M力 s亜鈴、 銅、 ニヅケノレ、 マンガン、 鉄等のホウ酸ィ匕合物を併用できる。  Furthermore, if necessary, a boric acid conjugate of the general formula (1) such as M force s dumbbell, copper, nickel, manganese, iron or the like can be used in combination.
その酉己合 J:匕率 ίま目的、 用途に応じて適宜選択されるものであ り、 特に制約されるもので ίまない。  It is selected as appropriate according to the purpose and purpose, and is not particularly limited.
本発明のホウ酸ィ匕合物は、 仞 Jえば下言己の （A) 〜 （D) のェ 程によ り製造できる。  The boric acid conjugate of the present invention can be produced by the steps (A) to (D) described below if the porosity is high.
(A) 3 5 0 0 C. Cの水 ίこホウ石少 2 5 0 g、 ホウ酸 5 4 O gを 添カロした溶液を作成する。  (A) 350 C. C. C. Prepare a solution containing 250 g of boraxite and 54 Og of boric acid.
(B) 5 0 0 C. Cの水にカンレシゥム、 マグネシウム、 ベリ リ ウ ム、 ノ リ ゥム、 鉄等の各種成分酸化物 7 0 g、 9 0 %以 上の濃硫酸 9 0 gを含有した溶液を作成する。  (B) 500 C. C water contains 70 g of oxides of various components such as potassium, magnesium, beryllium, nordium, iron, and 90 g of concentrated sulfuric acid of 90% or more. Make a solution.
(C) 上言己 ( A) と （B) を 2 4時間攪拌、混合する。  (C) Stir and mix (A) and (B) for 24 hours.
(D ) ( C ) で得られた沈殿物を濾過し、 水とアセ ト ンで複数 回繰り返し洗浄する。  (D) The precipitate obtained in (C) is filtered and washed repeatedly with water and acetate.
本発明のホウ酸ィ匕合物の製造方法は、 上言己に特定されるもの ではな く、 巿販のィ匕合物を用いてもよい。  The method for producing the boric acid conjugate according to the present invention is not limited to the above, and may be a commercially available ligone.
本発明において、 式 （ 1 ) で表されるホウ酸ィ匕合物の粒子径 と して 5 zm以下を 5 O重量％以上にするこ とによ り 同じ添カロ 量で難燃効果をよ り高く するこ とができる。 粒子径カ55 m を 越える粒子が 5 0重量％以上と多 く なるとエポキシ樹 S旨組成 物中での分散'性が悪く なるため、 一部に偏在が生じやすく な り 結果的には難燃'注が低下する。 更に好ま し く はホウ酸化合物の 粒子径カ s O . 5〜3 /z m である。 In the present invention, by setting the particle size of the boric acid conjugate represented by the formula (1) to 5 O% by weight or less from 5 zm or less, the flame retardant effect can be improved with the same amount of added calories. Higher. Since the particles exceeding a particle diameter Ca 5 5 m 5 0 wt% or more and multi-Ku becomes the dispersion 'of epoxy tree S purport composition becomes poor, resulting in the flame of partially Ri uneven distribution is likely to occur The fuel injection drops. More preferably, boric acid compounds The particle diameter is s O .5-3 / zm.
本発明において、 式 （ 1 ) で表されるホウ酸ィ匕合物と して脱 水温度力5 3 5 0 °C以上のィ匕合物を用レヽるこ とによ り、 同じ添カロ 量で難燃効果をよ り高く できる。 その理由はエポキシ楱 旨の分 解温度力 s 2 8 0— 3 4 0 °Cであるこ と力 ら、 エポキシ樹月旨の分 - 解ガスに着火した後に脱水し、 その水で、消火するためと考える c 特' 変動が少ない品質の安定したホウ酸化合物を合成する ためには、 ホウ酸ィ匕合物の脱水温度の上限力 s 6 O 0。C位である こ と力 s好ま しい。 脱水温度の上限 6 0 0 °Cは難燃 '注作用を充分 に発揮する温度でもある。 In the present invention, Ri by the formula (1) and boric Sani匕合compound represented by by dehydration temperature strength 5 3 5 0 ° C or more I匕合product to the use Rereru this same added Caro The flame retardant effect can be increased by the amount. The reason is decomposed temperature strength s 2 8 0- 3 4 0 ° C Dearuko and force these epoxy楱effect, minute epoxy resin moon effect - dehydrated after igniting the solution gas, with its water, to extinguish c JP 'to synthesize stable borate compounds of the quality variation is small, the upper limit power s 6 O 0 dehydration temperature of Housani匕合product considered. C position is preferred. The upper limit of the dehydration temperature, 600 ° C, is also a temperature at which the flame retardant injection effect is sufficiently exhibited.
本発明において、 式 （ 1 ) で表されるホウ酸ィ匕合物の添カロ量 はエポキシ樹月旨 1 0 0重量咅 ISに対して、 2— 8 0重量部である こ と力2好ま しい。 2重量咅 13未満ではホウ酸ィ匕合物量が不足し U L - 9 4規格 V - 0 を満足しなレヽ。 また 8 0重量部を超える と ホウ酸化合物によってはエポキシ樹 S旨組成物の成开$時の、流動 '注が低下し、 ト ランス ファ一成开 した際に金型内の材料、流路の 狭部が未充填となる場合がある。 そのため薄型小型ノ ヅケージ の半導体装置では安定した成开 品が得られず、 成幵 品幵 状に限 定を受 (ナる。 In the present invention, added Caro amount of boric Sani匕合of the formula (1) for the epoxy resin moon effect 1 0 0 wt咅IS, favored this and force 2 is 2-8 0 parts by weight New If the weight is less than 13%, the amount of boric acid compound will be insufficient and the UL-94 standard V-0 will not be satisfied. On the other hand, if the amount exceeds 80 parts by weight, depending on the boric acid compound, the flow rate during the growth of the epoxy resin composition will decrease, and the material and flow path in the mold will be reduced when the transfer is performed. The narrow part of may be unfilled. As a result, a stable product cannot be obtained with a semiconductor device having a thin and small package, and the shape of the semiconductor device is limited.
本発明において、 式 （ 1 ) で表されるホウ酸ィ匕合物と望素ィ匕 合物、 金属水禾 Πィ匕合物、 金属酸ィ匕物の少な く とも一種よ りなる 難燃助剤とを併用するこ とによ り、 半導体封止用と して各種信 頼'注に優れたエポキシ樹 旨組成物を提供できる。  In the present invention, a flame retardant comprising at least one of a boric acid conjugate represented by the formula (1) and a motivational conjugate, a metal water conjugate, and a metal conjugate. By using the auxiliary agent together, it is possible to provide an epoxy resin composition excellent in various reliability for semiconductor encapsulation.
ホゥ酸化合物単独に比べてこれら望素化合物、 金属水禾 tH匕合 物、 金属酸ィ匕物のうち一種、 あるいは数種を併用するこ とによ り、 その難燃特 '注におけるネ目乗効果が得られ、 少ない添力□量で 難燃'性 U L - 9 4規格 V - 0 を達成できる。 このため、 封止用樹 fl旨組成物の成幵 '性、 電気特'注、 機械特'注、 接着性等の他の特'注 に与える影響も少ない。 上言己の望素ィ匕合物と しては、 伃 ϋえば ト リ アジンィ匕合物、 メ ラ ミ ン及びその誘導体、 メ ラ ミ ン硫酸塩、 メ ラ ミ ンシァヌ レー ト 及びその誘導体、 硫酸アンモニゥム、 ベンゾグアナミ ン及びそ の誘導体、 シァヌ一ノレ酸、 イ ソシァヌ——ノレ酸、 メラ ミ ンフエノ —ル及びその言秀導体等が挙げ'られる。 Compared to the boric acid compound alone, the use of one or more of these noble metal compounds, metal hydrated compounds, and metal oxidized compounds makes it possible to obtain the flame retardant A multiplying effect is obtained, and the flame retardant property UL-94 standard V-0 can be achieved with a small amount of additional force. For this reason, there is little effect on other characteristics such as the composition, electrical characteristics, mechanical characteristics, and adhesiveness of the flour composition for sealing. Examples of the above-mentioned self-descried conjugates include triazine conjugates, melamin and its derivatives, melamin sulfate, melaminocyanurate and its derivatives, Examples thereof include ammonium sulfate, benzoguanamine and derivatives thereof, cyanuric monooleic acid, isocyanuric acid, melamine phenol, and its conductor.
上言己の金属水禾ロイ匕合物と しては、 ！!えばァノレミニゥム （A l ) 、 カノレシゥム ( C a) , マグネシウム （ M g ) , ベリ リ ウム （ B e ) , ス ト ロンチウム （ S r ) ， ノ リ ウム ( B a ) 等の金属の水酸ィ匕 物等が挙け'られる。 これらの中でも水酸ィ匕ァノレミニゥム、 水酸 ィ匕マグネシウム、 水酸ィ匕ノ リ ウム等カ s好ま しい。 As for my own metal water royal dagger, For example, hydroxyls of metals such as anolemminium (A l), canollesium (Ca), magnesium (Mg), beryllium (Be), strontium (Sr), and norium (Ba) There are swords. Among these Mizusani匕Anoreminiumu, magnesium hydroxide I spoon, Mizusani匕No Li Umm such as mosquitoes s preferred arbitrariness.
また、 上言己の金属酸ィ匕物と しては、 !1えば酸ィ匕銅、 酸化亜錯、 酸ィ匕セシウム、 酸ィ匕鉄、 酸ィ匕チタ ン、 酸ィ匕モリ ブデン、 酸ィ匕マ ンガン、 酸ィ匕ノ リ ウム、 酸ィ匕ァノレミニゥム、 酸ィ匕コノ ソレ ト、 酸 ィ匕ニッケノレ、 酸ィ匕イ ンジウム、 酸ィ匕錫、 酸ィ匕タ ングステン、 酸 ィ匕ビスマス、 酸ィ匕ス ト ロンチウム等が挙げられる。  In addition, examples of the above-mentioned metal oxidized products include: 酸 匕 copper, oxidized sub-complex, ィ cesium, 酸 匕 iron, 酸 匕 titanium, 匕Shiroi Mangan, Soraido Norium, Soraido Nano Reminimum, Soraido Conosolet, Soraido Nickenore, Soraido Indium, Soraido Tin, Soraido Tungsten, Soraido Bismuth, acid strontium and the like can be mentioned.
これら難'燃助剤の添力□量はホウ酸ィ匕合物 1 0 0重量部に対 して 0 . 1 ~ 1 O 0重量部の範囲力 s好ま しレヽ。 添力of flame 'retardant agent □ amounts Shi preferred range forces s of 0. 1 ~ 1 O 0 part by weight against the Housani匕合product 1 0 0 parts by Rere.
本発明の半導体封止用エポキシ樹 旨組成物において、 ェポキ シ樹月旨は特に限定するものでなく、 半導体封止用と して通常使 用されている公矢口のものを用いるこ と力 s出来る。 伊 Jえば、 フエ ノ一ノレノボラ ヅク型エポキシ樹 S旨、 ク レゾーンレノボラ ヅク型ェ ポキシ樹月旨、 ビスフエノーノレ A、 ビスフエノーノレ F及びビスフ エノーノレ S型エポキシ樹 fl旨等のビスフ エノ一ノレ類エポキシ樹 S旨、 フエノ一ルまたはク レゾールベースの 3官肯 g以上の多官 e エポキシ樹 旨、 ビフエ二ノレ骨格、 ナフ夕 レン骨格、 またはジシ クロペン夕 ジェン骨格を有する 2官肯 gまたは 3 官倉 のェポキ シ樹 旨等が挙げられる。 The semiconductor encapsulating epoxy resin effect the compositions of the present invention, Epoki shea tree moon effect is not particularly limited, Mochiiruko and power s things public Yaguchi which the semiconductor encapsulation is normally used I can do it. For example, it is possible to use a bisphenol-type epoxy tree, such as phenolic epoxy tree S, crenosolenoborak epoxy tree luster, bisphenol A, bisphenol F, and bisphenol S epoxy tree fl. Phenolic or cresol-based three- or more-government e-epoxy resin, biphenyl skeleton, naphthylene skeleton, or dicyclopentene skeleton. And the like.
本発明において、 硬ィ匕剤は 1 分子当た り 1 個以上のフエノ一 ル'注水酸基を有するフエノ一ルイ匕合物が好ま しく、 特にフエノ —ル'性水酸基を 2個以上有するィ匕合物が好ま しい。 伃!1えば、 フ ェノ一ノレノボラ ヅク樹 旨、 フエノ一レとァラノレキノレエ一テノレと の重縮合物、 ビスフエノー レ樹 旨、 ォノレ ト ク レゾ一ソレノボラ ッ ク樹 11旨、 ポリノ ラビニルフエノ——ノレ等力 s挙げ'られる。 In the present invention, the hardener is preferably a phenolic conjugate having one or more phenolic / hydroxyl groups per molecule. 匕 'conjugates having two or more hydroxyl groups are preferred.伃! 1 For example, pheno-reno-bora-ku, polycondensate of pheno-re and aranole-quino-re-no-tenore, bis-fueno-le-tree, honole-to-rezo-soleno-borak-tree, 11-poly, poly-vinyl-vinyl-enolate, etc. Power s lifted.
硬ィ匕促進斉 !1と して ίま、ァミ ン系の 1 , 8 ジァザビシク口 （5 , 4 , 0 ) ——ゥンデセン一7、ィ ミ ダゾ一 レ系の 2——メチジレイ ミ ダゾ一ノレ及 びリ ン系の ト リ フエニ レホスフ ィ ン等の公矢口のものを使用す ることカ^でぎる。  As an example, it is a 1,8 diazabi-sik mouth (5,4,0) of the amide series. Use a tri-phenylene phosphine such as a slag or phosphorus type material.
本発明では、 、要に応じて強執ィ匕ゃ低弾'注率化及び接着'注、 離幵 生等の特'注向上を目的に、 充填剤、 可とうィ匕斉 !1、 カ ツプリ ング剤、 滑斉! k 着色剤等を酉己合するこ とができる。  In the present invention, if necessary, a filler, a kojidani! It is possible to combine coloring agents, etc.
充填剤と しては、 公矢!]の無機系及び有機系の充填剤を使用で きる。 その中でも特に溶融シリカ、 結晶シリカ、 アジレミナ、 炭 酸カジレシゥム、 ケィ酸ジノレコニゥム、 ケィ酸カノレシゥム、 夕ノレ ク、 ク レー、 マイ力等の微粉末が成开$ '注と熱膨張係数、 電気特 ' 、 機械強度のノ ランスを計る上で好ま しい。  As the filler, inorganic and organic fillers of Koya!] Can be used. Among them, especially fine powders such as fused silica, crystalline silica, aziremina, cadmium carbonate, dinorecone silicate, kanoresium silicate, sesame, cranes, and my powers are used for the production of fine powders, such as 注It is preferable for measuring mechanical strength.
該充填剤の粒子径は 0 . 1〜 3 O 力5好ま しく、 0 . 5〜1 O ^ m が特に好ま しい。 平均粒径 0 . 1 ^ m 未満ではエポキシ 樹月旨組成物のチキソ '性が高く なり、 粘度が著しく上昇して成开 力3難し くなる。 また、 平均粒子径が 3 O ^ m を越えると金型内 の材料、流路の狭部への材料充填ができなく なった り、 樹 S旨成分 と充填剤が分離し易く な り安定した成开 品が得られなく なる。 また、 可撓化剤、 カ ップリ ング剤、 滑剤、 着色剤等についても 公矢口のものを用いるこ と力2できる。 図面の簡単な説明 The particle diameter of the filler is preferably from 0.1 to 3 O 5, more preferably from 0.5 to 1 O m. If the average particle size is less than 0.1 ^ m, the thixotropic properties of the epoxy luster composition will increase, the viscosity will increase significantly, and the forming power 3 will be difficult. If the average particle size exceeds 3 O ^ m, the material inside the mold and the narrow part of the flow channel cannot be filled, and the filler and the filler are easily separated from the slurries. A grown product cannot be obtained. Further, the flexible agents, mosquito Ppuri ring, lubricant can Mochiiruko and power 2 things public Yaguchi also coloring agent. BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
第 1 図は難燃剤をメ 夕ホウ酸カルシウム とホウ酸亜鈴と し た場合の難燃剤の添力 []量と燃焼最大時間 （¾ の関係を示す。 第 2 図は難燃剤をメ 夕ホウ酸カジレシゥムとホウ酸亜船と し た場合の難'燃剤の添力 α量と燃焼総計時間 の関係を示す。 第 3 図は本発明の半導体封止用エポキシ樹 旨組成物で封止 した半導体装置の断面図である。 Fig. 1 shows the relationship between the amount of addition of the flame retardant [] and the maximum combustion time (¾) when the flame retardant was calcium borate and dumbbell borate. Kaziresic acid and boric acid The relationship between the amount of additional force α of the flame retardant and the total combustion time in the case of the above is shown. FIG. 3 is a cross-sectional view of a semiconductor device sealed with the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention.
第 4図は本発明の "Jの半導体封止用エポキシ樹 旨組成物で 圭寸止した の半導体装置の断面図である。 発明を実施するための最良の开$態  FIG. 4 is a cross-sectional view of a semiconductor device of the present invention which has been fixed with the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of J of the present invention. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
以下、 実施 ϋを用いて具体的に説明する。  Hereinafter, a specific description will be given with reference to Embodiment 1.
【実施例 1〜 9 】 及び 【比較例 1、 2 】  [Examples 1 to 9] and [Comparative Examples 1, 2]
表 1 に実施 !1 1〜 9で用いたエポキシ樹 S旨、 フ エノール樹月旨 硬ィ匕斉 ϋ、 難燃助剤及び硬ィ匕促進斉 ijを示す。 表 2 にホウ酸ィ匕合物 系難燃斉 ϋの種類、 x / y、 z / y、 平均粒径、 脱水温度及び添 カロ量を示す。 そして、 表 3は実施^ J 1〜 9で用いた樹 旨組成物 の酉己合組成と成开 注、 難燃'性の評価結果を示す。  Table 1 shows the epoxy resin S, the phenolic resin, the flame retardant, the flame retardant aid, and the flame retardant ij used in Examples 11 to 9. Table 2 shows the types, x / y, z / y, average particle diameter, dehydration temperature and amount of added calorie of the boric acid conjugated compound flame retardant. Table 3 shows the results of evaluation of the composition of the rooster composition and the growth and flame retardant properties of the tree composition used in Examples 1 to 9.
本発明にぉレヽて、 難燃'性の評価は U L— 9 4規格に従って行つ た。 具体的には下言己の方法で作成した短冊状の樹 旨板 （試験 片） を用いて、 該樹 g旨板の一方の S耑にガスノ ーナ一の炎を近ず け樹 旨板を燃焼着火 （第一着火） させ所定時間保持した後、 ガ スノ ーナ一の炎を樹 S旨板から遠ざけ樹 S旨板の炎力 s消える迄の 時間を測定する。 その後、 再度、 同じ樹 旨板の第 1 回着火部に ガスバーナーで着火 （第二着火） し、 前回と同様炎が消える迄 の時間を U定する。 該彻 j定を 1種の樹 旨組成物に付き 5個の言式 験片を用いて測定し、 その平均値が最大 1 0 少以内、 合計 5 0 以内の時 V— 0 と判定する。 それに対して最大 3 0 ¾ί以内、 平均 2 5 0 少以内の場合は V— 1 となる。 According to the present invention, the evaluation of flame retardancy was performed according to the UL-94 standard. Specifically, using a strip-shaped wood plate (specimen) prepared by the method described below, bring the flame of the gas gas closer to one of the S 該 of the wood g plate, and draw the wood plate. After burning and igniting (first ignition) and holding it for a predetermined time, the gas flame is moved away from the tree S-plane and the time until the flame s of the tree S-plane disappears is measured. After that, the first ignition part of the same wood board is ignited again with a gas burner (second ignition), and the time until the flame goes out is determined as before. The 彻 j value is measured using five expression specimens for one kind of the tree composition, and when the average value is less than a maximum of 10 or less, a total of 50 or less is determined as V-0. On the other hand, if the maximum is less than 30 mm and the average is less than 250, V-1.
孭 IJ定用試験片には、 エポキシ樹月旨組成物を ト ラ ンス フ ァ一プ レスを用い、 金型温度 1 8 0 °C、 成开 圧力 Ί 0 k g f/ c m 2、 成开 時間 9 0秒で作成したァズモ一ノレ ド試片と、 ァズモ一ノレ ド試片 を更に 1 8 O で 5時間カロ熱硬ィ匕させた後硬ィ匕試片とを用意 した。 試験片厚さは、 いずれとも 1 16 イ ンチ （ 1. 6 mm) である。 に は For the IJ test specimens, use a translucent epoxy epoxy lubricating composition, mold temperature 180 ° C, growth pressure Ί 0 kgf / cm 2 , growth time 9 Prepare an azmo-no-reed sample prepared in 0 seconds, and further heat-harden the azmo-no-reed sample at 18 O for 5 hours and then prepare a hard-o-no-reed sample did. The specimen thickness was 116 inches (1.6 mm) in each case.
成开 生の評価はスノ イ ラノレフ 口一を E MMェ — 1— 6 6に準 じ、 g式験片作成と同じ条件で成开 した時の成开 品長さを測定す るこ とで行った。  The evaluation of the growth growth was carried out by measuring the length of the grown product when the snoy lanolevu was grown under the same conditions as in the preparation of the g-type test specimen in accordance with EMM-1-1-66. went.
：ポキシ as§ エポキシ当量 軟化点（ ） : Poxy as§ Epoxy equivalent Softening point ()
) オルトク レンール ffiエポキシ 9 5 6 ) Ortokurenru ffi epoxy 9 5 6
Figure imgf000012_0001
Figure imgf000012_0001
(B ) ビフエエル型エポキシ sag (B) Bifuel type epoxy sag
Figure imgf000012_0002
ヽ
Figure imgf000012_0002
ヽ
(c)ジシクロ ンタジェン aエポキシ «as 2 6
Figure imgf000012_0003
(c) Dicycloantagen a epoxy «as 26
Figure imgf000012_0003
2. フエノール 硬化？ R 水酸 当量  2. Phenol cured? R hydroxyl equivalent
(Α ) フエノールノボラプク «ぉ 0 6  (Α) phenol noborapuku «ぉ 0 6
O H O H
C H2 CH 2
(B ) フエノーノレアルキル (B) phenolic alkyl
O H O H  O H O H
(C ) ジシクロペンタジェン ft格含有フエノール (C) Dicyclopentadiene ft-containing phenol
0 H OH
Figure imgf000012_0004
0 H OH
Figure imgf000012_0004
ホウ黢化合物系 KflSM 表 2に Sお  Boron compound KflSM Table 2 shows S
鼸燃助》  鼸 Fire assistant >>
メラミン  Melamine
N H a NH a
N^ N  N ^ N
H , Ν人人 Ν Η ,  H, Ν 人 Η,
2 Ν 2 2 Ν 2
水 Κ化マグネシウム Μ a (O H),  Water magnesium oxide 水 a (O H),
Κ化鉄 F β ,  Iron oxide F β,
a化促逸^  a promotion ^
D B U : I , 8—シ'ァザビシクロ（5, 4, 0)—ゥンテセン '  DBU: I, 8—S'azabicyclo (5,4,0) —Pentesene '
T P P ： ト リフェニルホスフィ ン ― ts3 TPP: Triphenylphosphine ― ts3
ϋι o  ϋι o
O O
Figure imgf000013_0001
Figure imgf000013_0001
to to
Figure imgf000013_0002
Figure imgf000013_0002
* ： エポキシ樹脂 1 0 0重¾部に対する S ft部 （表 3の組成衷参照） *: Sft part for 100 parts by weight of epoxy resin (refer to composition in Table 3)
toto
X o o  X o o
CO  CO
to
Figure imgf000014_0001
to
Figure imgf000014_0001
該実施 ! Iで用いた無機充填斉 !Jは平均粒径 3〜 1 5 m の角开 シリ力及び平均粒径 5 以下の球幵 シ リカと、 平均粒径 1 0 ~ 5 0 u ra の球开 シリ力の、混合物である。 カ ツフ。リ ング斉 Uと し てエポキシシラン、 離型斉 ϋと してモン夕ン酸エステルロウ、 着 色斉 ϋと してカーボンブラ ヅクを用いた。 表 1 に示す各酉己合組成 物をそれそれ直径 8 イ ンチの二軸カロ熱口一ノレを用い、 口一ノレ表 面温度約 6 0— 9 0 °Cで 1 O分間、混練した。 The inorganic packing used in the above-mentioned! I was a square silica having an average particle size of 3 to 15 m and a spherical silica having an average particle size of 5 or less, and an average particle size of 10 to 50 ura. A mixture of spheres. Cutlet. Epoxy silane was used as the ring U, monmonic acid ester wax was used as the mold release, and carbon black was used as the coloration uniform. Each composition shown in Table 1 was kneaded for 10 minutes at a surface temperature of about 60-90 ° C. using a biaxial caloric hot mouth with a diameter of 8 inches.
実施^ J 1 に示すよ う に本発明の特定のホウ酸ィ匕合物を難 燃剤に用いるこ とによ り、 ホウ酸ィ匕合物単独でも後硬化試片で U L - 9 4規格の V— 0 を達成するこ と力 sできる。 1：匕較^!と比 ベる とィ匕合物中の金属酸ィ匕物とホウ酸の 1:匕率 ( x/y ) 、 水禾ロ量 ( z/y ) を規定するこ とによ り難燃効果の優れたホウ酸ィ匕合物 を得るこ と力 sできた。 Example 1 As shown in J1, by using the specific boric acid conjugate of the present invention as a flame retardant, even the boric acid conjugate alone can be used as a post-cured specimen according to UL-94 standard. Ability to achieve V-0 1: The ratio of the metal oxidized product and boric acid in the conjugated product is defined as 1: ratio (x / y) and water content (z / y). could this and the force s to obtain an excellent boric Sani匕合of'm Ri flame-retardant effect to.
実施^! 2 に示すよ う にホウ酸ィ匕合物の粒径の小さいものを 選択して 5 ^ m 以下の含有量を 7 0 重量％ ( 5 0重量％以上） にするこ とによ り、 実施例 1 に :匕べて難燃剤がよ り少量で U L ― 9 4規格の V— 0 を達成できる。 これは難燃剤のエポキシ核 旨中における分散 '性が向上して難燃効果が高ま つたためと考 える。  Example 2 As shown in FIG. 2, by selecting a boric acid conjugate having a small particle size to reduce the content of 5 ^ m or less to 70% by weight (50% by weight or more). In Example 1, it is possible to achieve V-0 of UL-94 standard with a smaller amount of the flame retardant. This is considered to be because the dispersibility of the flame retardant in the epoxy core was improved and the flame retardant effect was enhanced.
実施^ I 3 に示すようにホウ酸ィ匕合物と して、 脱水温度がェポ キシ樹 S旨の分解温度よ り高い、 4 3 0 °C ( 3 5 0 °C以上） の材 料を用いることによ り、 実施^! 1 に比べて難燃剤がよ り少量で U L - 9 4規格の V— 0 を達成するこ と力 sできる。  Example 3 As shown in I 3, as a boric acid conjugate, a material having a dehydration temperature higher than the decomposition temperature of epoxy tree S, at a temperature of 330 ° C. (350 ° C. or more) By using, it is possible to achieve V-0 of UL-94 standard with a smaller amount of flame retardant compared to the practice ^!
この場合後硬ィ匕工程を施していなレヽ、 ァズモ一ノレ ド品でも U L — 9 4規格の V— 0 を満足するこ とが可育 になる。 一般的にェ ポキシ樹 S旨組成物は後硬化するこ とによって難燃†生が向上す る。 これは架橋密度があがるこ とによ り燃焼時に炭素残査を开 成しやすレヽためと考える。 In this case, it is feasible to satisfy the UL-094 standard V-0 even if the post-hardening process has not been performed on the azmo monolide product. In general, the post-curing of the epoxy resin composition improves flame retardancy. This is considered to be due to the fact that a carbon residue is easily formed during combustion due to an increase in crosslink density.
最近の半導体装置は量産'注向上と低価格ィ匕を目的に、 後硬ィ匕 工程を省略した戸斤言胃ァズモール ド品のままで出荷する検討が 行われている。 本発明は難燃'性を損なう こ とな く量産時のプロ セス省略ィ匕の実現に対して貢献できる。 Recent semiconductor devices have been manufactured in order to improve mass production and lower prices. A study is underway to ship the product as it is, with the process omitted. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can contribute to the realization of process omission during mass production without impairing flame retardancy.
実施^！ 4〜 9 に示すよう に本発明の特定のホウ酸ィ匕合物の 量を 2〜 8 0重量咅 [ こするこ とによ り、 後硬ィ匕言式片の難燃 '(^を U L— 9 4規格の V— 0 を維持しながら成开$ '注の目安である スノ イ ラノレフロ一を長く すること力5できる。 この値力 2長い {まど 流動'注がよい材料であ り、 大面積の成开 品を一括で开 成できる ため、 製品の多数個取り ができ量産'注向上に貢献できる。 Implementation ^! As shown in FIGS. 4 to 9, the amount of the specific boric acid conjugate of the present invention is 2 to 80 weight%, whereby the flame retardant '(^ UL- 9 4 while maintaining the V- 0 standard 'can be a force 5 a longer Sno Lee Ranorefuro one is a measure of Note. this value forces 2 long {window flow' Naru开$ Note good material der Since large-scale products can be produced at once, multiple products can be taken, which can contribute to improving mass production.
実施^ J 5、 8、 9 に示すように本発明の特定のホウ酸ィ匕合物 をよ り効果的に使う手法と して相乗効果の期待できる難燃助 剤との組合せが有効である。 難燃助斉 ϋを併用するこ とによ りホ ゥ酸カノレシゥムの量を低減するこ と力5でき、 高、流動'注でかつァ ズモーノレ ド品のままで U L— 9 4規格の V— 0 を満足するこ と力 s可肯 gになる。 Implementation ^ J As shown in 5, 8, and 9, as a method of using the specific boric acid conjugate of the present invention more effectively, a combination with a flame-retardant aid that can be expected to have a synergistic effect is effective. . The amount of by Riho © acid Kanoreshiumu to a combination child a flame retardant Hitoshi ϋ can reduce child and force 5, high, liquidity 'Note a and remain in § Zumonore de goods UL- 9 4 of the standard V- Satisfaction of 0 is a force s g.
図 1 は実施^! 5 の難燃斉 ϋと してメ 夕ホウ酸ナ ト リ ゥムを用 いたもの及び実施 ^1 5 中の難燃剤をメ 夕ホウ酸カノレシゥムか らホウ酸亜鈴に代えたものについてそれそれのァズモ——ノレ ド 品 [充填剤含有量 ( F C ) 8 0重量％] における、 難燃剤の添カロ量 と燃焼最大時間 の関係を示す。  Fig. 1 shows the results of the use of sodium borate as the flame retardant of Example ^! 5 and the change of the flame retardant in Example ^ 15 from cane resulfate to dumbbell borate. The relationship between the amount of calorie added to the flame retardant and the maximum burning time in each of the azmo-nored products [filler content (FC) 80% by weight] is shown.
また、 図 2は難燃剤の添力！]量と燃焼総言十時間 の関係を 示す。  Fig. 2 shows the addition of flame retardants! Shows the relationship between the amount and the total combustion time of 10 hours.
図 1及び図 2 に示すように、 本発明のメ夕ホウ酸カジレシゥム を用いた場合は、 ホウ酸亜 $βを用いた場合に く らベて添力□量が 1 0部以下の少量でも格段に燃焼最大時間 と燃焼総計時 間 （ 少） 力5短く な り、 優れた難燃'注を示す。 As shown in FIG. 1 and FIG. 2, when the casilezium mesylate borate of the present invention was used, even when the amount of additional force much combustion maximum time between when combusted total (small) forces 5 short and Ri, shows excellent flame retardant 'Notes.
実施^！ 5では窒素ィ匕合物の代表伊 Jと してメラ ミ ン、 実施^! 8 では金属水禾ロイ匕合物の代表仞 Jと して水酸ィ匕マグネシウム、 実施 m 9では金属酸ィ匕物の代表^!と して酸ィ匕鉄を用いた。 i:匕較^] 1 は x/y が O . 1 でィ匕合物中のホウ酸に比べて金属 酸ィ匕物の J:匕率が少ない^!である。 この場合平均粒径の大きい材 料しか得られず、 エポキシとの分散†生が悪いため少量しか添カロ できず U L — 9 4規格の V— 0 を達成するこ とはできなカ っ た。 Implementation ^! In Fig. 5, melamine was used as the representative of the nitrogen-containing compound, and in the experiment ^! In Example 8, metal hydroxide was used as the representative J in the metal-water royal-type compound. As a representative of the stilt, we used Sui stiletto. i: 匕 x! 1 1 1 1 1 1 1] 1 1 1 1 1 1 1 1:::: 1:: 1 i i i i i: i:: i. In this case, only a material having a large average particle size was obtained, and the dispersion of epoxy was poor, so that only a small amount of calorie could be added, and V-0 of UL-94 standard could not be achieved.
i匕較^! 2 ίま x/y 力 s 8 - 0及び z /y 力 s 1 0 でィ匕合物中のホウ酸 J:匕率が少なレ、^ Iである。 この場合ホウ酸ィ匕合物を大量に添カロし ても難燃生の効果が低く、 U L— 9 4規格の V— 0 を達成する こ とはできなカゝつた。 またホウ酸ィ匕合物を大量に添カロするこ と によ り スノ ィ ラルフローが低く な り成幵 '注が低下する傾向に ある。  i-Dragon ^! 2 Porma x / y force s 8-0 and z / y force s 10, boric acid J in the dangled product: the dangle ratio is low, ^ I. In this case, even if a large amount of the boric acid drip was added, the flame retardant effect was low, and it was not possible to achieve V-0 of the UL-94 standard. In addition, the addition of a large amount of boric acid ligated product tends to lower the snorial flow and decrease the amount of syrup.
【実施例 1 0 】  [Example 10]
第 3 図に実施^ J 1 で得られたエポキシ樹 旨組成物で半導体 素子を圭寸止した半導体装置の^！を示す。  FIG. 3 shows an example of a semiconductor device in which a semiconductor element is fixed with the epoxy resin composition obtained in ^ J1. Is shown.
本実施伊 Jの半導体装置は半導体素子 1 がダイノ ッ ド 2上に 銀ペース ト等の接着層 4 を介して塔載されている。 該半導体素 子 1 の電気回路を有する面に外咅 [3接続用ノ ヅ ド 6力 s設けられ， 該ノ ッ ド と外部リー ド 3 と力 s導電'注ワイャ 5で電気的に接続 されている。 該半導体装置を、 前言己外部リー ド 3の一部を除レヽ て実施^！ 1 で得られたエポキシ樹 旨組成物 7 によ り封止した。 樹 旨封止は トランスファ一成开 プレスを用いて、 金型温度 1 8 0 °C、 成开 圧力 7 0 k g f / c m 2 . 成幵 時間 9 O 少の条件で行った。 得られた半導体装置 (ま 1 2 1 °C、 2気圧のプレツシャ · ク ヅカ 签中で 2 0 0 O時間放置するプレツシャ - ク ッ力試験を行って、 酉己線の腐食状況を検査した。 その結果、 腐食による酉己線の断線 はなく正常に動作した。 In the semiconductor device of the present embodiment J, a semiconductor element 1 is mounted on a die 2 via an adhesive layer 4 such as a silver paste. An external connection [3 connecting node 6 force s] is provided on the surface of the semiconductor element 1 having an electric circuit, and the node is electrically connected to the external lead 3 with a force s conductive wire 5. ing. Implement the semiconductor device by removing a part of the external lead 3! It was sealed with the epoxy resin composition 7 obtained in 1. The resin sealing was performed using a transfer press at a mold temperature of 180 ° C and a growth pressure of 70 kgf / cm 2 . A pressure-cooking test was conducted by leaving the obtained semiconductor device (also at 121 ° C. and 2 atm. In a pressure oven at 200 ° C. for 200 O hours) to examine the corrosion state of the rooster line. As a result, there was no disconnection of the rooster line due to corrosion, and it operated normally.
【実施例 1 1  [Example 11]
第 4図に実施伊 J 5 で得られたエポキシ樹 旨組成物で半導体 素子を封止した半導体装置の^!を示す。 本実施 ϋの半導体装置は半導体素子 1 の電気回路 （図示せ ず） を有する面の一部と外音 13リー ド 3 とが接着層 8で接着され ている。 前言己電気回路を有する面の一咅 に外部接続用ノ ヅ ド 6 力 s設けられ， 該ノ ヅ ドと前言己外部リー ド 3 とが導電'性ワイャ 5 によ り電気的に接続されている 0 該半導体装置を、 前言己外咅 13リ — ド 3 の一部を除いて実施^! 5で得られたエポキシ樹 S旨組成 物 7で圭寸止した。 樹 旨封止は トランスファー成开 プレスを用レヽ、 金型温度 1 8 0 °C、 成开 圧力 7 0 k g f/ c m 2. 成开 時間 9 0秒の 条件で行った。 Fig. 4 shows ^! Of a semiconductor device in which a semiconductor element is encapsulated with the epoxy resin composition obtained in Example J5. In the semiconductor device of the present embodiment, a part of the surface of the semiconductor element 1 having the electric circuit (not shown) and the external sound 13 lead 3 are adhered by the adhesive layer 8. Previous remarks one咅surface having himself electrical circuit external connection Roh Uz de 6 force s provided,該No Uz de and previous remarks himself external lead 3 are conductively 'resistance Waiya 5 I Ri is electrically connected to the the are 0 the semiconductor device, previous remarks himself outside咅13 Li - was sealed Keisun in implementation except for some de 3 ^ epoxy resin obtained in 5 S purport composition 7!. The resin sealing was performed using a transfer growth press under the conditions of a mold temperature of 180 ° C, a growth pressure of 70 kgf / cm 2 and a growth time of 90 seconds.
得られた半導体装置は 1 2 1 °C、 2気圧のプレツシャ · ク ヅ カ签中で 2 0 0 0時間放置後も酉己線の腐食による断線がな く 正常に動作した 0 The resulting semiconductor device was operated 1 2 1 ° C, 2 0 0 0 hours after standing at 2 atm Puretsusha-click Uz mosquito签中also Rooster disconnection due himself line of corrosion rather name normally 0
産業上の禾 IJ用可倉 注 Industrial Grass IJ Kakura Note
本発明のエポキシ樹 S旨組成物は、 ノヽロゲン、 アンチモン及び リ ン系等の難燃剤を使わずに特定のホウ酸ィ匕合物で極めて効 果的に難燃ィ匕したものであ り、 環境の点で優れている。 また、 成开$ '性や硬ィ匕物の耐熱'性、 耐湿' I"生の点で優れている。 このため、 本発明のエポキシ樹 旨組成物で封止した半導体装置は高密度 化、 高集積度ィ匕、 小型薄型ィ匕、 軽量化に対応でき工業的価値は 極めて大きい。  The epoxy resin composition according to the present invention is obtained by using a specific boric acid conjugate without using a flame retardant such as nodogen, antimony, and phosphorus to make it extremely effective. Excellent in terms of environment. In addition, it is excellent in terms of growth property, heat resistance of a hard sword, and moisture resistance. I ". Therefore, a semiconductor device encapsulated with the epoxy resin composition of the present invention has a high density. It has high industrial value because it can cope with high integration, small and thin, and light weight.

Claims

請 求 の 範 囲 The scope of the claims
1. エポキシ樹 旨、 硬ィ匕剤、 硬化促進剤、 難燃剤を含むェポキ シ樹 S旨組成物において、 該難燃剤が式 （1) 1. An epoxy resin S composition comprising an epoxy resin, a hardener, a curing accelerator, and a flame retardant, wherein the flame retardant is represented by the formula (1)
xM (II) O - yB 203 - zH20 (1)  xM (II) O-yB 203-zH20 (1)
(式中、 xZy=0.2〜6. 0、 zZy= 0.2〜6. 0、 M (II) は二価の 金属を示す） で表されるホウ酸ィ匕合物よ りなるこ とを特徴とす るエポキシ樹 S旨組成物。  (Wherein, xZy = 0.2-6.0, zZy = 0.2-6.0, and M (II) represents a divalent metal). Luster epoxy tree S composition.
2. 言青求項 1 言己載のエポキシ樹月旨組成物において、 前言己式 （ 1 ) で表されるホウ酸ィ匕合物の M (II) の二価の金属力 sカルシウム2. In the epoxy resin luster composition described in the self description, the divalent metal force of M (II) of the boric acid conjugate expressed by the previous self formula (1) s calcium
( Ca) , マグネシウム ( Mg) ， ベリ リ ウム ( Be) ， ノ、 'リ ウム ( Ba) 及び鉄 ( F e) のいずれかであるこ とを特徴とするェ ポキシ樹 S旨組成物。 An epoxy tree S composition comprising any one of (Ca), magnesium (Mg), beryllium (Be), phosphorus, lithium (Ba) and iron (Fe).
3. 請求項 1言己載のエポキシ樹 S旨組成物において、 前言己式 （ 1 ) で表されるホウ酸ィ匕合物は粒子径カ s 5 ra以下のものを 5 O重 量％以上含むこ とを特徴とするエポキシ樹 S旨組成物。 3. In claim 1 Comments himself placing the epoxy resin S purport composition, previous remarks Yuki formula (1) boric Sani匕合compound represented by the particle size mosquito s 5 ra to 5 O Weight% or more of the following ones An epoxy resin S composition, comprising:
4. 言青求項 1 言己載のエポキシ樹 旨組成物において、 前言己式 （ 1 ) で表されるホウ酸ィ匕合物は脱水温度が 3 5 0°C以上のもので あるこ とを特徴とするエポキシ樹 組成物。 4. In the epoxy resin composition described in the above statement, the boric acid conjugate represented by the above formula (1) must have a dehydration temperature of 350 ° C or higher. Characteristic epoxy tree composition.
5. 請求項 1 言己載のエポキシ樹 S旨組成物において、 前言 3式 （ 1 ) で表されるホウ酸ィ匕合物の酉己合量はエポキシ樹 S旨 1 O 0重量 部に対して、 2〜 8 0重量部であるこ とを特徴とするエポキシ 樹月旨組成物。 5. Claim 1 In the epoxy tree S composition, the amount of the boric acid compound represented by the formula (1) is 3 parts by weight based on 0 parts by weight of the epoxy tree S composition. And an epoxy resin composition comprising 2 to 80 parts by weight.
6. 言青求項 1 己載のエポキシ樹 旨組成物において、 窒素化合物、 金属水禾ロ化合物及び金属酸化物カゝら選ばれる難燃助剤の少な く とも一種を含むこ とを特徴とするエポキシ樹月旨組成物。 6. Claims 1 The epoxy resin composition on one's own is characterized by containing at least one flame retardant aid selected from nitrogen compounds, metal compounds and metal oxides. Epoxy luster composition.
7. 半導体素子の少なく とも一部が、 エポキシ樹 S旨、 硬ィ匕剤、 硬化促進剤、 難燃斉 ϋを含むエポキシ樹 s旨組成物で封止されてな る半導体装置において、 該難燃剤が式 （1) 7. In a semiconductor device in which at least a part of the semiconductor element is sealed with an epoxy resin composition containing an epoxy resin, a hardener, a curing accelerator, and a flame retardant, Formula (1)
χΜ (II) Ο - yB203 - zH20 (1)  χΜ (II) Ο-yB203-zH20 (1)
(式中、 x/y=0. 2〜6.0、 z/y = 0.2〜6.0、 M (II) は二価の 金属を示す） で表されるホウ酸ィ匕合物よ り なるこ とを特徴とす る樹月旨封止型半導体装置。  (Where x / y = 0.2 to 6.0, z / y = 0.2 to 6.0, and M (II) represents a divalent metal). The feature is a semiconductor device that is encapsulated in a resin.
8. 半導体素子の一方の面がダイノ ヅ ドに接着され、 該半導体 素子の他方の面に外部接続用ノ ヅ ドが設けられ， 該外部接続用 パ、ソ ドが導電ワイヤを介して外部リ一 ドに接続され、 少なく と も該半導体素子がエポキシ樹 S旨組成物によ り封止されている 樹月旨封止型半導体装置であって、 該エポキシ樹月旨組成物が式 (1) 8. One surface of the semiconductor element is adhered to the die, and an external connection node is provided on the other surface of the semiconductor element. The external connection pad and the source are connected to the external via a conductive wire. A semiconductor element encapsulated with an epoxy resin composition, at least the semiconductor element is sealed with an epoxy resin composition, wherein the epoxy resin composition has a formula (1) )
xM (II) O - yB 203 - zH2 O (1) xM (II) O-yB 203-zH2 O (1)
(式中、 x/y=0. 2〜6. 0、 z y = 0.2〜6.0、 M (II) は二価の 金属を示す） で表されるホウ酸ィ匕合物よ り なる難燃剤を含むこ とを特徴とする樹 β旨封止型半導体装置。  (Where x / y = 0.2 to 6.0, zy = 0.2 to 6.0, and M (II) represents a divalent metal). A semiconductor device characterized by including the following.
9. 半導体素子と、 該半導体素子の一方の面の一部に接着層を 介して接続された外部リ一 ド と、 該半導体素子の前記接着層を 有する !！に設けられた外部接続用ノ ッ ドと、 該ノ ッ ドと該外部 リ一 ド とを接続する導電ワイヤとを有し、 少な く とも半導体素 子がエポキシ樹 S旨組成物によ り封止されている樹 旨封止型半 導体装置であって、 該エポキシ樹 旨組成物が式 （1) χΜ (II) O - yB203 - zH20 (1) 9. It has a semiconductor element, an external lead connected to a part of one surface of the semiconductor element via an adhesive layer, and the adhesive layer of the semiconductor element! And a conductive wire for connecting the node to the external lead. At least a semiconductor element is sealed with an epoxy resin composition. Claims: 1. An epoxy resin composition comprising the epoxy resin composition of formula (1): χΜ (II) O-yB203-zH20 (1)
(式中、 x y = 0.2〜6· 0、 zZy=0. 2〜6.0、 Μ (II) は二価の 金属を示す） で表されるホウ酸ィ匕合物よ りなる難燃斉 ϋを含むこ とを特徴とする樹 旨封止型半導体装置。 (Where xy = 0.2 to 6.0, zZy = 0.2 to 6.0, and (II) represents a divalent metal). A resin-sealed semiconductor device characterized by including.
補正書の請求の範囲 Claims of amendment
[1999年 12月 28日 （28. 12. 99 ) 国際事務局受理：出顧当初の請求の範囲 1， 7, 8及び 9は補正された；出願当初の請求の範囲 2は取り下げられた； 他の請求の範囲は変更なし。 （3頁)] [December 28, 1999 (28.12.99) Accepted by the International Bureau: Claims 1, 7, 8 and 9 originally filed were amended; Claim 2 originally filed was withdrawn; Other claims remain unchanged. (Page 3)]
1. (補正後）エポキシ樹脂、 硬化剤、 硬化促進剤、 難燃剤を含む エポキシ樹脂組成者において、 該難燃剤が式（ 1 ) 1. (After amendment) In an epoxy resin composition containing an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, and a flame retardant, the flame retardant is represented by the formula (1)
M ( II) 0 · yB 203 · zH 20 ( 1)  M (II) 0yB 203zH 20 (1)
(式中、 x/y= 0.2〜6.0、 z/y= 0.2〜6.0、 M ( II) はカルシ ゥム （ C a) ，マ グネシ ウム （ Mg) ，ベ リ リ ウム （ B e) ，ノ、 ' リ ゥム （ B a)， 鉄 （ F e) のいずれかであ る ） で表されるホウ酸 化合物よ り なる こ と を特徴とするエポキシ樹脂組成物。  (Where x / y = 0.2 to 6.0, z / y = 0.2 to 6.0, and M (II) is calcium (Ca), magnesium (Mg), beryllium (Be), An epoxy resin composition characterized by comprising a boric acid compound represented by the following formula: (a) selected from the group consisting of sphere (Ba) and iron (Fe).
2. (削除） 2. (Delete)
3. 請求項 1 記載のエポキシ樹脂組成物において、 前記式 （ 1 ) で表されるホウ酸化合物は粒子径が 5 >tzm 以下のものを 5 0 重 量％以上含むこ と を特徴とするエポキシ樹脂組成物。 3. The epoxy resin composition according to claim 1, wherein the boric acid compound represented by the formula (1) contains 50% by weight or more of particles having a particle diameter of 5> tzm or less. Resin composition.
4. 請求項 1 記載のエポキシ樹脂組成物において、 前記式 （ 1 ) で表されるホウ酸化合物は脱水温度が 3 5 0。C以上のも のであ る こ と を特徴とするエポキシ樹脂組成物。 4. The epoxy resin composition according to claim 1, wherein the boric acid compound represented by the formula (1) has a dehydration temperature of 350. An epoxy resin composition characterized by being C or higher.
5. 請求項 1 記載のエポキシ樹脂組成物において、 前記式 （ 1 ) で表されるホウ酸化合物の配合量はエポキシ樹脂 1 0 0重量部 に対 して、 2 〜 8 0 重量部である こ とを特徴と するエポキシ樹 脂組成物。 5. The epoxy resin composition according to claim 1, wherein the amount of the boric acid compound represented by the formula (1) is 2 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin. An epoxy resin composition characterized by the following.
6. 請求項 1 記載のエポキシ樹脂組成物において、 窒素化合物、 金属水和化合物及び金属酸化物か ら選ばれる難燃助剤の少な く と も一種を含むこ とを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 6. The epoxy resin composition according to claim 1, further comprising at least one flame retardant aid selected from a nitrogen compound, a metal hydrate compound and a metal oxide. .
補正された用紙 （条約第 19条） Amended paper (Article 19 of the Convention)
7. (補正後） 半導体素子の少な く と も一部が、 エポキシ樹脂、 硬化剤、 硬化促進剤、 難燃剤を含むエポキシ樹脂組成物で封止 されてな る半導体装置において、 該難燃剤が式 （ 1 )7. (After correction) In a semiconductor device in which at least a part of the semiconductor element is sealed with an epoxy resin composition containing an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, and a flame retardant, the flame retardant is used. Equation (1)
M ( II) 0 · yB 203 · zH 20 ( 1)  M (II) 0yB 203zH 20 (1)
. (式中、 xZy= 0.2〜6.0、 z/y= 0.2〜6.0、 M ( II) はカ ル シ ゥム （ C a ) ，マ グネシ ウ ム （ M g ) ，ベ リ リ ウ ム （ B e) ，ノ、 * リ ゥム （ B a)， 鉄 （ F e) のいずれかであ る ） で表されるホウ酸 化合物よ り なる こ と を特徴とする樹脂封止型半導体装置。 8. (補正後） 半導体素子の一方の面がダイ パ ッ ド に接着され、 該半導体素子の他方の面に外部接続用パ ッ ドが設け ら れ， 該外 部接続用パ ッ ド が導電ワ イ ヤを介 して外部 リ ー ド に接続され、 少な く と も該半導体素子がエポキシ樹脂組成物によ り 封止され ている樹脂封止型半導体装置であ って、 該エポキシ樹脂組成物 が式 （ 1)  (Where xZy = 0.2 to 6.0, z / y = 0.2 to 6.0, and M (II) is calcium (Ca), magnesium (Mg), and beryllium (B e) A resin-sealed semiconductor device comprising a boric acid compound represented by *, a * (one of R a (Ba) and iron (Fe)). 8. (After correction) One surface of the semiconductor element is adhered to the die pad, and the other surface of the semiconductor element is provided with an external connection pad, and the external connection pad is electrically conductive. A resin-sealed semiconductor device connected to an external lead via a wire, wherein at least the semiconductor element is sealed with an epoxy resin composition; Object is the formula (1)
xM ( II) 0 · yB 203 · zH 20 ( 1)  xM (II) 0yB 203zH 20 (1)
(式中、 x/y= 0.2〜6.0、 zZy= 0.2〜6.0、 M ( II) はカ ル シ ゥム （ C a) ，マ グネ シ ウム （ Mg) ，ベ リ リ ウ ム （ B e) ， ノ、 * リ ゥム （ B a) ，鉄 （ F e) のいずれかであ る ） で表されるホウ酸 化合物よ り なる難燃剤を含むこ と を特徴とする樹脂封止型半導 体装置。  (Where x / y = 0.2 to 6.0, zZy = 0.2 to 6.0, and M (II) is calcium (C a), magnesium (Mg), and beryllium (B e) A resin-encapsulated semiconductor characterized by containing a flame retardant consisting of a boric acid compound represented by the following formula: (a) selected from the group consisting of a sphere (Ba) and iron (Fe). Body device.
9. (補正後） 半導体素子と、 該半導体素子の一方の面の一部に 接着層を介 して接続された外部 リ ー ド と、 該半導体素子の前記 接着層を有する側に設け られた外部接続用パ ッ ド と、 該パ ッ ド と該外部 リ ー ド と を接続する導電ワ イ ヤ と を有 し、 少な く と も 半導体素子がエポキシ樹脂組成物に よ り 封止されてい る樹脂封 止型半導体装置であ っ て、 該エポキシ樹脂組成物が式 （ 1) xM ( II) 0 · yB 203 · zH 20 ( 1) 9. (after correction) a semiconductor element, an external lead connected to a part of one surface of the semiconductor element via an adhesive layer, and an external lead provided on a side of the semiconductor element having the adhesive layer It has a pad for external connection and a conductive wire for connecting the pad and the external lead, and at least the semiconductor element is sealed with the epoxy resin composition. A resin-encapsulated semiconductor device, wherein the epoxy resin composition has the formula (1) xM (II) 0 · yB 203 · zH 20 (1)
補正された用紙 （条約第 19条） (式中、 x/y= 0.2〜6.0、 z/y= 0.2〜6.0、 M ( II) はカルシ ゥム （ C a) ，マ グネ シ ウム （ M g) ，ベ リ リ ウ ム （ B e) ，ノ、 * リ ゥム （ B a) ，鉄 （ F e) のいずれかであ る） で表される ホ ウ酸 化合物よ り なる難燃剤を含むこ と を特徴とする樹脂封止型半導 体装置。 Amended paper (Article 19 of the Convention) (Where x / y = 0.2 to 6.0, z / y = 0.2 to 6.0, and M (II) is calcium (C a), magnesium (M g), and beryllium (B e ),, *, A resin-encapsulated type characterized by containing a flame retardant consisting of a boric acid compound represented by the following: Semiconductor device.
補正された用紙 （条約第 19条） 条約第 19 条 （ 1 ) に基づ く 説明 Amended paper (Article 19 of the Convention) Explanation under Article 19 (1) of the Convention
請求の範囲第 1 項は、 式 （ 1) 中の 「〜 M ( II) は二価の金 属を示す」 を 「〜 M ( II) はカルシ ウム （ C a) ，マグネ シ ウ ム ( M g) ，ベ リ リ ウム （ B e) ，バ リ ウム （ B a) ，鉄 （ F e) の いずれかであ る 」 と補正 した。 これに よ り 、 式 （ 1) のホ ウ酸化 合物の範囲を明確に した。 引用例 J P , 8 - 1 5 1 5 0 5 ， はホゥ酸亜鉛（ 2 2 ]1 0 ' 3 B 203 ' 3 . 5 H 20 ) を難燃剤と して用いたエポキシ樹脂組 成物を開示する 。 ま た、 引用例 J P ， 9 - 1 5 3 0 1 ， Aはホ ゥ酸亜鉛 （ 4 Z n O · B 203 · H 20 ) を難燃剤 と して用いたェ ポキシ樹脂組成物を開示する。 しか し、 本発明の式（ 1 )のホ ウ 酸化合物に関する記載がない。 本発明の難燃剤はホ ウ酸亜鉛を含まない。 よ って、 上記の 2 件の引用例 とは構成が相違 し、 新規性又は進歩性がない との見 解は失当 と確信いた し ま す。 請求の範囲第 7項、 第 8項及び第 9項は、 いずれも式 （ 1) 中 の 「… M ( II) は二価の金属を示す」 を 「… M ( II) はカルシ ゥ ム （ C a) ，マ グネ シ ウム （ M g) ，ベ リ リ ウ ム （ B e) ，ノ、 * リ ゥム （ B a) ，鉄 （ F e) のいずれかであ る」 と補正 した。 これ に よ り 、 式 （ 1) のホウ酸化合物の範囲を明確に した。 引用例 J P , 8 - 1 5 1 5 0 5 ， Aはホ ウ酸亜鉛 （ 2 Z n O · 3 B 203 · 3 . 5 H 20 ) を難燃剤 と して用いた半導体封止用ェ ポキシ樹脂組成物及び半導体装置を開示する。 ま た、 引用例 J P， 9 - 1 5 3 0 1 ， はホ ゥ酸亜鉛 （ 4 2 11 0 ' 8203 ' 112 The first claim states that “-M (II) represents a divalent metal” in the formula (1), and “-M (II) is calcium (Ca) and magnesium (M g), beryllium (Be), barium (Ba), or iron (Fe). " As a result, the range of the boride compound of the formula (1) was clarified. Citations JP, 8 - 1 5 1 5 0 5, is Hou zinc (2 2] 1 0 '3 B 2 03' 3 5 H 2 0.) The as a flame retardant epoxy resin sets using Narubutsu Disclose . Also, reference example JP, 9 - 1 5 3 0 1, A is disclosed E epoxy resin composition used in the e © zinc (4 Z n O · B 2 03 · H 2 0) and a flame retardant I do. However, there is no description about the boric acid compound of the formula (1) of the present invention. The flame retardant of the present invention does not contain zinc borate. Therefore, the structure is different from the above two cited references, and I believe that the view that there is no novelty or inventive step is unreasonable. Claims 7, 8, and 9 all denote “… M (II) represents a divalent metal” in the formula (1) as “… M (II) is calcium ( C a), magnesium (M g), beryllium (B e), 、, * rim (B a) or iron (F e) ”. Thus, the range of the boric acid compound of the formula (1) was clarified. Citations JP, 8 - 1 5 1 5 0 5, A is E for semiconductor encapsulation with boric acid zinc (2 Z n O · 3 B 2 03 · 3 5 H 2 0.) As a flame retardant A oxy resin composition and a semiconductor device are disclosed. Reference example J P, 9-1 5 3 0 1, is a zinc borate (411 0 '8 2 0 3 ' 11 2
0 ) を難燃剤 と して用いた半導体封止用エポキ シ樹脂組成物及 び半導体装置を開示する。 しか し、 本発明の式（ 1 )のホウ酸化 合物に関する記載がない。 本発明の難燃剤はホウ酸亜鉛を含ま ない。 よ っ て、 上記の 2 件 の引用例 とは構成が相違 し、 新規性又は進歩性がない との見解 は失当 と確信いた し ま す。 Disclosed are an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and a semiconductor device, wherein the epoxy resin composition of (1) is used as a flame retardant. However, there is no description about the boride compound of the formula (1) of the present invention. The flame retardant of the present invention does not contain zinc borate. Therefore, the composition is different from the above two cited references, and I believe that the view that there is no novelty or inventive step is unreasonable.
PCT/JP1999/003817 1999-07-14 1999-07-14 Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device WO2001005889A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001511113A JP4147030B2 (en) 1999-07-14 1999-07-14 Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device
PCT/JP1999/003817 WO2001005889A1 (en) 1999-07-14 1999-07-14 Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP1999/003817 WO2001005889A1 (en) 1999-07-14 1999-07-14 Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2001005889A1 true WO2001005889A1 (en) 2001-01-25

Family

ID=14236243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1999/003817 WO2001005889A1 (en) 1999-07-14 1999-07-14 Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4147030B2 (en)
WO (1) WO2001005889A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101190765B1 (en) 2005-12-29 2012-10-12 주식회사 케이씨씨 Epoxy resin composition for semiconductor
JP2020158694A (en) * 2019-03-27 2020-10-01 住友ベークライト株式会社 Powder and method for producing sealing resin composition

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993010045A1 (en) * 1991-11-22 1993-05-27 U.S. Borax Inc. Zinc borate
WO1995006085A1 (en) * 1993-08-20 1995-03-02 Nitto Denko Corporation Semiconductor device
JPH08151505A (en) * 1994-11-29 1996-06-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition
JPH09151301A (en) * 1995-11-30 1997-06-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993010045A1 (en) * 1991-11-22 1993-05-27 U.S. Borax Inc. Zinc borate
WO1995006085A1 (en) * 1993-08-20 1995-03-02 Nitto Denko Corporation Semiconductor device
JPH08151505A (en) * 1994-11-29 1996-06-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition
JPH09151301A (en) * 1995-11-30 1997-06-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101190765B1 (en) 2005-12-29 2012-10-12 주식회사 케이씨씨 Epoxy resin composition for semiconductor
JP2020158694A (en) * 2019-03-27 2020-10-01 住友ベークライト株式会社 Powder and method for producing sealing resin composition

Also Published As

Publication number Publication date
JP4147030B2 (en) 2008-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6190787B1 (en) Epoxy resin compositions for encapsulating semiconductors, and semiconductor devices
CN105885197A (en) Anti-flaming vitrified EVA and preparation method thereof
TW201226465A (en) Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same
WO2001005889A1 (en) Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device
JP3440775B2 (en) Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same
US6783859B2 (en) Semiconductor encapsulating flame retardant epoxy resin composition and semiconductor device
JPH062799B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
JP3824065B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device
JPH09241483A (en) Epoxy resin composition
KR20030032769A (en) Resin Composition for Heat Sink and a Method of Manufacturing Sheets for Heat Sink Using the Same
KR101167819B1 (en) Inorganic composition for encapsulating electronic component and method of preparing the same
JP5284693B2 (en) Epoxy resin composition for sealing semiconductor devices
JPH0782343A (en) Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device sealed therewith
JP2000309685A (en) Resin composition for sealing, and semiconductor-sealing device
JPH09100337A (en) Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device sealed therewith
JP3431943B2 (en) Flame retardant polypropylene resin composition
JPH04325517A (en) Epoxy resin composition for semiconductor sealing
JP4438473B2 (en) Epoxy resin composition and semiconductor device using the same
JP2675108B2 (en) Epoxy resin composition
JP2000281874A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2534331B2 (en) Semiconductor device
KR100536091B1 (en) Epoxy molding composition for semiconductor encapsulent
JP2000091477A (en) Semiconductor device
JPS61228046A (en) Resin composition
KR19990042533A (en) Nontoxic high flame retardant resin composition and crosslinked flame retardant wire using same

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN JP KR SG US

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)