JPH09149425A - 固体撮像素子の駆動方法 - Google Patents
固体撮像素子の駆動方法Info
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- JPH09149425A JPH09149425A JP7307655A JP30765595A JPH09149425A JP H09149425 A JPH09149425 A JP H09149425A JP 7307655 A JP7307655 A JP 7307655A JP 30765595 A JP30765595 A JP 30765595A JP H09149425 A JPH09149425 A JP H09149425A
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Landscapes
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 モザイク型のカラーフィルタが装着された固
体撮像素子のダイナミックレンジを広くする。 【解決手段】 固体撮像素子1の撮像部1iに印加され
る4相のクロックφv1〜φv4の内、各受光画素を垂直方
向に分離する第2層のゲート電極17に印加するクロッ
クφv1、φv3の一方を水平走査のブランキング期間で一
時的に立ち上げて第2層のゲート電極17をオンさせ、
2画素の情報電荷を一時的に平均化する。これにより、
感度の異なる受光画素で一方の受光画素が先に飽和する
のを防止する。
体撮像素子のダイナミックレンジを広くする。 【解決手段】 固体撮像素子1の撮像部1iに印加され
る4相のクロックφv1〜φv4の内、各受光画素を垂直方
向に分離する第2層のゲート電極17に印加するクロッ
クφv1、φv3の一方を水平走査のブランキング期間で一
時的に立ち上げて第2層のゲート電極17をオンさせ、
2画素の情報電荷を一時的に平均化する。これにより、
感度の異なる受光画素で一方の受光画素が先に飽和する
のを防止する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、モザイク型のカラ
ーフィルタが装着される固体撮像素子の駆動方法に関す
る。
ーフィルタが装着される固体撮像素子の駆動方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】固体撮像素子を用いた撮像装置において
は、固体撮像素子の露光状態を最適に保つように露光制
御手段が設けられる。この露光制御手段としては、固体
撮像素子に入射する光量を被写体の輝度に応じて制御す
る機械的な絞り機構や、固体撮像素子の電荷の蓄積時間
を被写体の輝度に応じて制御する、いわゆる電子シャッ
タなどが知られてる。
は、固体撮像素子の露光状態を最適に保つように露光制
御手段が設けられる。この露光制御手段としては、固体
撮像素子に入射する光量を被写体の輝度に応じて制御す
る機械的な絞り機構や、固体撮像素子の電荷の蓄積時間
を被写体の輝度に応じて制御する、いわゆる電子シャッ
タなどが知られてる。
【0003】図5は、フレーム転送方式のCCD固体撮
像素子を用いた撮像装置の構成を示すブロック図で、図
6は、その動作を説明するタイミング図である。CCD
固体撮像素子1は、受光部1i、蓄積部1s、水平転送
部1h及び出力部1dより構成される。受光部1iは、
互いに平行に配列される垂直方向に連続する複数のシフ
トレジスタからなり、これらのシフトレジスタの各ビッ
トが複数の受光画素を形成し、各受光画素に被写体映像
に対応して発生する情報電荷を蓄積する。蓄積部1s
は、蓄積部1iの各シフトレジスタに連続する複数のシ
フトレジスタからなり、各シフトレジスタのビット数が
蓄積部1iのシフトレジスタのビット数に合わせて設定
され、蓄積部1iから転送される1画面分の情報電荷を
一時的に蓄積する。水平転送部1hは、蓄積部1sの複
数のシフトレジスタの各出力がそれぞれ各ビットに接続
される単一のシフトレジスタからなり、蓄積部1sに蓄
積される1画面分の情報電荷を1行単位で受け取り順次
出力する。そして、出力部1dは、電気的に独立した容
量及びその容量の電位変化を取り出すアンプからなり、
水平転送部1hから出力される情報電荷を1画素単位で
容量に受けて電圧値に変換し、画像信号Y0(t)として出
力する。
像素子を用いた撮像装置の構成を示すブロック図で、図
6は、その動作を説明するタイミング図である。CCD
固体撮像素子1は、受光部1i、蓄積部1s、水平転送
部1h及び出力部1dより構成される。受光部1iは、
互いに平行に配列される垂直方向に連続する複数のシフ
トレジスタからなり、これらのシフトレジスタの各ビッ
トが複数の受光画素を形成し、各受光画素に被写体映像
に対応して発生する情報電荷を蓄積する。蓄積部1s
は、蓄積部1iの各シフトレジスタに連続する複数のシ
フトレジスタからなり、各シフトレジスタのビット数が
蓄積部1iのシフトレジスタのビット数に合わせて設定
され、蓄積部1iから転送される1画面分の情報電荷を
一時的に蓄積する。水平転送部1hは、蓄積部1sの複
数のシフトレジスタの各出力がそれぞれ各ビットに接続
される単一のシフトレジスタからなり、蓄積部1sに蓄
積される1画面分の情報電荷を1行単位で受け取り順次
出力する。そして、出力部1dは、電気的に独立した容
量及びその容量の電位変化を取り出すアンプからなり、
水平転送部1hから出力される情報電荷を1画素単位で
容量に受けて電圧値に変換し、画像信号Y0(t)として出
力する。
【0004】クロック発生回路2は、垂直クロック発生
部2v、蓄積クロック発生部2s、水平クロック発生部
2h及び基板クロック発生部2bより構成される。垂直
クロック発生部2vは、垂直同期信号VDに同期し、垂
直走査のブランキング期間内に撮像部1iの情報電荷を
素早く蓄積部1sへ転送する垂直クロックφvを撮像部
1iに供給する。蓄積クロック発生部2sは、垂直クロ
ックφvによって転送される情報電荷を蓄積部1sに取
り込むと共に、取り込んだ1画面分の情報電荷を水平同
期信号HDに同期し、水平走査のブランキング期間内に
1行ずつ水平転送部1hへ転送する蓄積クロックφsを
蓄積部1sに供給する。水平クロック発生部2hは、水
平同期信号HDに同期し、蓄積クロックφhに応答して
1行毎に取り込まれる情報電荷を順次出力部1d側へ転
送する水平クロックφhを水平転送部1hに供給する。
また、水平クロック発生部2hでは、水平クロックφh
に同期して出力部1dの容量の情報電荷を排出するリセ
ットクロックφrが生成され、出力部1dに供給され
る。そして、基板クロック発生部2bは、垂直走査期間
の途中で所定の期間立ち上げられる基板クロックφbを
CCD固体撮像素子1の基板側印加する。この基板クロ
ックφbは、撮像部1iに蓄積される情報電荷を排出す
るためのものであり、基板クロックφbによる情報電荷
の排出動作が完了してから垂直クロックφvによる情報
電荷の転送動作が開始されるまでの期間Lが情報電荷の
蓄積時間となる。この基板クロックφbの立ち上がりの
タイミングの変更によって、情報電荷の蓄積期間、即
ち、シャッタ速度の制御が可能になる。
部2v、蓄積クロック発生部2s、水平クロック発生部
2h及び基板クロック発生部2bより構成される。垂直
クロック発生部2vは、垂直同期信号VDに同期し、垂
直走査のブランキング期間内に撮像部1iの情報電荷を
素早く蓄積部1sへ転送する垂直クロックφvを撮像部
1iに供給する。蓄積クロック発生部2sは、垂直クロ
ックφvによって転送される情報電荷を蓄積部1sに取
り込むと共に、取り込んだ1画面分の情報電荷を水平同
期信号HDに同期し、水平走査のブランキング期間内に
1行ずつ水平転送部1hへ転送する蓄積クロックφsを
蓄積部1sに供給する。水平クロック発生部2hは、水
平同期信号HDに同期し、蓄積クロックφhに応答して
1行毎に取り込まれる情報電荷を順次出力部1d側へ転
送する水平クロックφhを水平転送部1hに供給する。
また、水平クロック発生部2hでは、水平クロックφh
に同期して出力部1dの容量の情報電荷を排出するリセ
ットクロックφrが生成され、出力部1dに供給され
る。そして、基板クロック発生部2bは、垂直走査期間
の途中で所定の期間立ち上げられる基板クロックφbを
CCD固体撮像素子1の基板側印加する。この基板クロ
ックφbは、撮像部1iに蓄積される情報電荷を排出す
るためのものであり、基板クロックφbによる情報電荷
の排出動作が完了してから垂直クロックφvによる情報
電荷の転送動作が開始されるまでの期間Lが情報電荷の
蓄積時間となる。この基板クロックφbの立ち上がりの
タイミングの変更によって、情報電荷の蓄積期間、即
ち、シャッタ速度の制御が可能になる。
【0005】タイミング制御回路3は、垂直同期信号V
D及び水平同期信号HDに基づいて、垂直走査に同期し
た垂直タイミング信号VT、垂直走査及び水平走査に同
期した蓄積タイミング信号ST及び水平走査に同期した
水平タイミング信号HTを生成し、クロック発生回路2
の各部2v、2s、2hに供給する。また、後述するデ
ジタル信号処理回路6から供給される露光情報に基づい
て、排出タイミング信号BTを生成し、クロック発生回
路2の基板クロック発生部2bに供給する。この排出タ
イミング信号BTは、デジタル信号処理回路6から供給
される露光情報が、CCD固体撮像素子1が過剰露光で
あることを示す場合にはタイミングを遅らせて情報電荷
の蓄積時間Lを短くし、逆に、露光不足であることを示
す場合にはタイミングを早めて情報電荷の蓄積時間を長
くするように生成される。これにより、CCD固体撮像
素子1の露光状態が常に適正になるようにフィードバッ
ク制御が行われる。
D及び水平同期信号HDに基づいて、垂直走査に同期し
た垂直タイミング信号VT、垂直走査及び水平走査に同
期した蓄積タイミング信号ST及び水平走査に同期した
水平タイミング信号HTを生成し、クロック発生回路2
の各部2v、2s、2hに供給する。また、後述するデ
ジタル信号処理回路6から供給される露光情報に基づい
て、排出タイミング信号BTを生成し、クロック発生回
路2の基板クロック発生部2bに供給する。この排出タ
イミング信号BTは、デジタル信号処理回路6から供給
される露光情報が、CCD固体撮像素子1が過剰露光で
あることを示す場合にはタイミングを遅らせて情報電荷
の蓄積時間Lを短くし、逆に、露光不足であることを示
す場合にはタイミングを早めて情報電荷の蓄積時間を長
くするように生成される。これにより、CCD固体撮像
素子1の露光状態が常に適正になるようにフィードバッ
ク制御が行われる。
【0006】アナログ信号処理回路4は、CCD固体撮
像素子1から出力される画像信号Y0(t)を取り込み、サ
ンプルホールド、AGC(自動利得制御)等の処理を施
し、所定のフォーマットに従う画像信号Y1(t)として出
力する。例えば、サンプルホールド処理においては、基
準レベルと信号レベルとが一定の周期で交互に繰り返さ
れる画像信号Y0(t)から、各レベルの差のみが取り出さ
れ、AGC処理では、画像信号Y1(t)の1画面内の平均
レベルを適正な範囲に納めるように画像信号Y0(t)に対
する利得が調整される。A/D変換回路5は、アナログ
信号処理回路4から出力される画像信号Y1(t)をアナロ
グ信号処理回路4の処理動作(CCD固体撮像素子1の
出力動作)に同期してデジタルデータに変換し、CCD
固体撮像素子1の各受光画素に対応した画像データD1
(n)を生成する。そして、デジタル信号処理回路6は、
画像データD1(n)を取り込み、輪郭補正や露光情報の生
成、さらに、カラー撮像の場合には、色バランスの制御
やフィルタリング等の処理を施し、新たな画像データD
2(n)として出力する。この画像データD2(n)は、A/D
変換回路によりアナログ値に変換されて表示装置に転送
されるか、あるいは、そのまま記録媒体に記録される。
像素子1から出力される画像信号Y0(t)を取り込み、サ
ンプルホールド、AGC(自動利得制御)等の処理を施
し、所定のフォーマットに従う画像信号Y1(t)として出
力する。例えば、サンプルホールド処理においては、基
準レベルと信号レベルとが一定の周期で交互に繰り返さ
れる画像信号Y0(t)から、各レベルの差のみが取り出さ
れ、AGC処理では、画像信号Y1(t)の1画面内の平均
レベルを適正な範囲に納めるように画像信号Y0(t)に対
する利得が調整される。A/D変換回路5は、アナログ
信号処理回路4から出力される画像信号Y1(t)をアナロ
グ信号処理回路4の処理動作(CCD固体撮像素子1の
出力動作)に同期してデジタルデータに変換し、CCD
固体撮像素子1の各受光画素に対応した画像データD1
(n)を生成する。そして、デジタル信号処理回路6は、
画像データD1(n)を取り込み、輪郭補正や露光情報の生
成、さらに、カラー撮像の場合には、色バランスの制御
やフィルタリング等の処理を施し、新たな画像データD
2(n)として出力する。この画像データD2(n)は、A/D
変換回路によりアナログ値に変換されて表示装置に転送
されるか、あるいは、そのまま記録媒体に記録される。
【0007】図7は、CCD固体撮像素子1の撮像部1
iの構造を示す平面図で、図8は、そのX−X線の断面
図である。尚、このCCD固体撮像素子1は、各受光画
素でオーバーフローした過剰な情報電荷を基板側に吸収
させる縦型オーバーフロードレイン構造を示している。
N型の半導体基板11の表面領域に、P型の不純物が拡
散されてP−Well領域12が形成され、このP−W
ell領域12の表面に厚い酸化膜あるいはP型の拡散
層からなる複数のチャネル分離領域13が垂直方向に延
在して互いに平行に形成される。各チャネル分離領域1
3の間には、表面にN型の不純物が拡散され、情報電荷
を転送するチャネル領域となる埋込層14が形成され
る。チャネル分離領域13及び埋込層14が形成された
半導体基板11上には、絶縁膜15を介して第1層のゲ
ート電極16が一定の間隔で配置され、さらに、第1層
のゲート電極16の間隙を被うようにして第2層のゲー
ト電極17が配置される。これらの各ゲート電極16、
17には、例えば、互いの位相差が90゜となる4相の
垂直クロックφv1〜φv4が印加され、N型の導電型を示
す半導体基板11には基板クロックφbが印加される。
iの構造を示す平面図で、図8は、そのX−X線の断面
図である。尚、このCCD固体撮像素子1は、各受光画
素でオーバーフローした過剰な情報電荷を基板側に吸収
させる縦型オーバーフロードレイン構造を示している。
N型の半導体基板11の表面領域に、P型の不純物が拡
散されてP−Well領域12が形成され、このP−W
ell領域12の表面に厚い酸化膜あるいはP型の拡散
層からなる複数のチャネル分離領域13が垂直方向に延
在して互いに平行に形成される。各チャネル分離領域1
3の間には、表面にN型の不純物が拡散され、情報電荷
を転送するチャネル領域となる埋込層14が形成され
る。チャネル分離領域13及び埋込層14が形成された
半導体基板11上には、絶縁膜15を介して第1層のゲ
ート電極16が一定の間隔で配置され、さらに、第1層
のゲート電極16の間隙を被うようにして第2層のゲー
ト電極17が配置される。これらの各ゲート電極16、
17には、例えば、互いの位相差が90゜となる4相の
垂直クロックφv1〜φv4が印加され、N型の導電型を示
す半導体基板11には基板クロックφbが印加される。
【0008】このような撮像部1iの各受光画素は、チ
ャネル分離領域13で水平方向に分離され、各ゲート電
極16、17によって形成されるポテンシャルの障壁で
垂直方向に分離される。例えば、4相の垂直クロックφ
v1〜φv4の内、第1層のゲート電極16に印加する垂直
クロックφv2、φv4が高電位に固定され、第2層のゲー
ト電極17に印加される垂直クロックφv1、φv3が低電
位に固定されることにより、図9に示すように、第1層
のゲート電極16の下に受光画素Pに対応するポテンシ
ャルの井戸が形成される。これらのポテンシャルの井戸
に蓄積される情報電荷は、それぞれ独立した状態で転送
することができないため、垂直方向に隣接する2画素分
が合成された後に順次転送出力される。このとき、情報
電荷を合成する受光画素の組み合わせを各垂直走査期間
(各フィールド)毎に1画素ずつずらすようにすること
で、インタレース駆動を実現している。即ち、図9に示
すように、奇数フィールドODDの転送出力時には垂直
クロックφv3を高電位として2画素の情報電荷を合成
し、偶数フィールドEVENの転送出力時には垂直クロ
ックφv4を高電位として2画素の情報電荷を合成するよ
うにしている。
ャネル分離領域13で水平方向に分離され、各ゲート電
極16、17によって形成されるポテンシャルの障壁で
垂直方向に分離される。例えば、4相の垂直クロックφ
v1〜φv4の内、第1層のゲート電極16に印加する垂直
クロックφv2、φv4が高電位に固定され、第2層のゲー
ト電極17に印加される垂直クロックφv1、φv3が低電
位に固定されることにより、図9に示すように、第1層
のゲート電極16の下に受光画素Pに対応するポテンシ
ャルの井戸が形成される。これらのポテンシャルの井戸
に蓄積される情報電荷は、それぞれ独立した状態で転送
することができないため、垂直方向に隣接する2画素分
が合成された後に順次転送出力される。このとき、情報
電荷を合成する受光画素の組み合わせを各垂直走査期間
(各フィールド)毎に1画素ずつずらすようにすること
で、インタレース駆動を実現している。即ち、図9に示
すように、奇数フィールドODDの転送出力時には垂直
クロックφv3を高電位として2画素の情報電荷を合成
し、偶数フィールドEVENの転送出力時には垂直クロ
ックφv4を高電位として2画素の情報電荷を合成するよ
うにしている。
【0009】ところで、CCD固体撮像素子1によって
カラー撮像を行う場合には、撮像部1iの各受光画素P
をそれぞれ所定の色成分に対応付けるようカラーフィル
タが装着される。例えば、モザイク型のカラーフィルタ
の場合、図10に示すように、Ye(イエロー)、Cy
(シアン)、W(ホワイト)及びG(グリーン)の各セ
グメントが撮像部1iの各受光画素Pに対応して配置さ
れる。ここでは、W及びGの各成分が奇数行に交互に配
置され、Ye及びCyの各成分が偶数行に交互に配置さ
れている。そして、このようなカラーフィルタが装着さ
れたとき、2画素の情報電荷を合成して読み出すと、そ
れぞれの色成分が混合されて出力される。例えば、Y
e、Cy、W及びGの各色成分に対して、G+Cy、G
+Ye、W+Cy及びW+Yeの4種類の成分を表す映
像情報が出力される。
カラー撮像を行う場合には、撮像部1iの各受光画素P
をそれぞれ所定の色成分に対応付けるようカラーフィル
タが装着される。例えば、モザイク型のカラーフィルタ
の場合、図10に示すように、Ye(イエロー)、Cy
(シアン)、W(ホワイト)及びG(グリーン)の各セ
グメントが撮像部1iの各受光画素Pに対応して配置さ
れる。ここでは、W及びGの各成分が奇数行に交互に配
置され、Ye及びCyの各成分が偶数行に交互に配置さ
れている。そして、このようなカラーフィルタが装着さ
れたとき、2画素の情報電荷を合成して読み出すと、そ
れぞれの色成分が混合されて出力される。例えば、Y
e、Cy、W及びGの各色成分に対して、G+Cy、G
+Ye、W+Cy及びW+Yeの4種類の成分を表す映
像情報が出力される。
【0010】ここで、CCD固体撮像素子1の撮像部1
iのn行目及びn+1行目の受光画素からG+Cy及び
W+Yeの成分を表す映像情報が得られたとすると、こ
れらの情報の差から、次式に示すように、R(レッド)
成分の情報が生成される。 (W+Ye)−(G+Cy)=(2R+2G+B)−(2G+B) = 2R (尚、Ye=R+G、Cy=G+Bである。) さらに、次のn+2行目及びn+3行目の受光画素から
W+Cy及びG+Yeの成分を表す映像情報が得られた
とすると、これらの成分の信号の差から、次式に示すよ
うに、B(ブルー)成分の情報が生成される。
iのn行目及びn+1行目の受光画素からG+Cy及び
W+Yeの成分を表す映像情報が得られたとすると、こ
れらの情報の差から、次式に示すように、R(レッド)
成分の情報が生成される。 (W+Ye)−(G+Cy)=(2R+2G+B)−(2G+B) = 2R (尚、Ye=R+G、Cy=G+Bである。) さらに、次のn+2行目及びn+3行目の受光画素から
W+Cy及びG+Yeの成分を表す映像情報が得られた
とすると、これらの成分の信号の差から、次式に示すよ
うに、B(ブルー)成分の情報が生成される。
【0011】 (W+Cy)−(G+Ye)=(R+2G+2B)−(2G+R) = 2B 一方、輝度データ生成回路6では、各受光画素から得ら
れるW+Ye及びG+CyあるいはW+Cy及びG+Y
eの成分の信号の互いの和から、次式に示すように、
R、G及びBの各成分が1:2:1の割合で合成された
輝度信号が生成される。
れるW+Ye及びG+CyあるいはW+Cy及びG+Y
eの成分の信号の互いの和から、次式に示すように、
R、G及びBの各成分が1:2:1の割合で合成された
輝度信号が生成される。
【0012】 (W+Ye)+(G+Cy)=(W+Cy)+(G+Ye) =Ye+Cy+G+W =2R+4G+2B 本来、輝度信号は、NTSC方式の規格によれば、R、
G及びBの各成分を3:6:1の割合で合成して生成さ
れるものであるが、これに近い割合で合成して生成した
ものであれば、実用的には問題がない。
G及びBの各成分を3:6:1の割合で合成して生成さ
れるものであるが、これに近い割合で合成して生成した
ものであれば、実用的には問題がない。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】各種の色成分からなる
カラーフィルタが装着されたCCD固体撮像素子1で
は、各色成分に対応する受光画素の感度にばらつきが生
じるため、各受光画素が飽和する入射光量にもばらつき
が生じる。例えば、カラーフィルタのG層がYe層とC
y層との重ね合わせにより形成される場合、G成分の受
光画素の感度がYe成分及びCy成分の受光画素の感度
より低くなるのに対して、着色層が形成されないW成分
の受光画素の感度はYe成分及びCy成分の受光画素の
感度より高くなる。このため、CCD固体撮像素子1の
露光制御においては、最も感度の高い受光画素が飽和状
態とならないようにして、情報電荷の蓄積時間が設定さ
れる。しかしながら、最も感度の高い受光画素に対応し
て露光制御を行うようにすると、その他の受光画素の蓄
積能力を十分に活用することができず、結果的にCCD
固体撮像素子1のダイナミックレンジを狭くしている。
カラーフィルタが装着されたCCD固体撮像素子1で
は、各色成分に対応する受光画素の感度にばらつきが生
じるため、各受光画素が飽和する入射光量にもばらつき
が生じる。例えば、カラーフィルタのG層がYe層とC
y層との重ね合わせにより形成される場合、G成分の受
光画素の感度がYe成分及びCy成分の受光画素の感度
より低くなるのに対して、着色層が形成されないW成分
の受光画素の感度はYe成分及びCy成分の受光画素の
感度より高くなる。このため、CCD固体撮像素子1の
露光制御においては、最も感度の高い受光画素が飽和状
態とならないようにして、情報電荷の蓄積時間が設定さ
れる。しかしながら、最も感度の高い受光画素に対応し
て露光制御を行うようにすると、その他の受光画素の蓄
積能力を十分に活用することができず、結果的にCCD
固体撮像素子1のダイナミックレンジを狭くしている。
【0014】そこで本発明は、モザイク型のカラーフィ
ルタが装着されたCCD固体撮像素子のダイナミックレ
ンジが狭くなるのを防止することを目的とする。
ルタが装着されたCCD固体撮像素子のダイナミックレ
ンジが狭くなるのを防止することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するために成されたもので、その特徴とするところ
は、受光した光に応答して発生する情報電荷をそれぞれ
蓄積する複数の受光画素がマトリクス状に配置され、各
受光画素を所望の色成分に対応付けるモザイク型のカラ
ーフィルタが装着された固体撮像素子の駆動方法におい
て、情報電荷の蓄積期間中、水平走査のブランキング期
間内に情報電荷の転送方向に隣接する2つの受光画素間
で情報電荷を一旦合成して分離し、所望の蓄積期間が終
了した後に同一の受光画素間で上記情報電荷を再度合成
して転送出力することにある。
解決するために成されたもので、その特徴とするところ
は、受光した光に応答して発生する情報電荷をそれぞれ
蓄積する複数の受光画素がマトリクス状に配置され、各
受光画素を所望の色成分に対応付けるモザイク型のカラ
ーフィルタが装着された固体撮像素子の駆動方法におい
て、情報電荷の蓄積期間中、水平走査のブランキング期
間内に情報電荷の転送方向に隣接する2つの受光画素間
で情報電荷を一旦合成して分離し、所望の蓄積期間が終
了した後に同一の受光画素間で上記情報電荷を再度合成
して転送出力することにある。
【0016】これにより、感度の高い受光画素に蓄積さ
れる情報電荷の一部が、蓄積期間の途中で、その受光画
素に隣接する感度の低い受光画素へ転送される。このた
め、感度の高い受光画素で自身の情報電荷の蓄積能力を
越えて発生した情報電荷も、オーバーフローすることな
く読み出されるようになる。
れる情報電荷の一部が、蓄積期間の途中で、その受光画
素に隣接する感度の低い受光画素へ転送される。このた
め、感度の高い受光画素で自身の情報電荷の蓄積能力を
越えて発生した情報電荷も、オーバーフローすることな
く読み出されるようになる。
【0017】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の固体撮像素子の
駆動方法を説明するタイミング図であり、図2は、フレ
ームシフトパルスの波形図である。尚、この駆動方法を
採用する撮像装置の構成は、図5と同一である。垂直ク
ロックφvは、4相のクロックφv1〜φv4からなり、固
体撮像素子1の撮像部1iの第1層及び第2層のゲート
電極16、17にそれぞれ印加される。この4相のクロ
ックφv1〜φv4は、垂直走査期間の途中で全てが一時的
に低電位とされ、その間に基板クロックφbが立ち上げ
られて撮像部1iに蓄積される情報電荷が全て基板側へ
排出される。即ち、各ゲート電極16、17の電位を低
くしながら半導体基板11の電位を高くすることによ
り、図3に示すように、埋込層14と半導体基板11と
の間のポテンシャルの障壁をなくし、埋込層14部分に
蓄積される情報電荷を半導体基板11側へ排出させるよ
うにしている。情報電荷の排出のタイミングは、図5と
同様に、被写体の輝度に応じて設定され、この情報電荷
の排出が完了してから情報電荷の蓄積が介しされる。
駆動方法を説明するタイミング図であり、図2は、フレ
ームシフトパルスの波形図である。尚、この駆動方法を
採用する撮像装置の構成は、図5と同一である。垂直ク
ロックφvは、4相のクロックφv1〜φv4からなり、固
体撮像素子1の撮像部1iの第1層及び第2層のゲート
電極16、17にそれぞれ印加される。この4相のクロ
ックφv1〜φv4は、垂直走査期間の途中で全てが一時的
に低電位とされ、その間に基板クロックφbが立ち上げ
られて撮像部1iに蓄積される情報電荷が全て基板側へ
排出される。即ち、各ゲート電極16、17の電位を低
くしながら半導体基板11の電位を高くすることによ
り、図3に示すように、埋込層14と半導体基板11と
の間のポテンシャルの障壁をなくし、埋込層14部分に
蓄積される情報電荷を半導体基板11側へ排出させるよ
うにしている。情報電荷の排出のタイミングは、図5と
同様に、被写体の輝度に応じて設定され、この情報電荷
の排出が完了してから情報電荷の蓄積が介しされる。
【0018】情報電荷の蓄積期間中には、第2層のゲー
ト電極17に印加されるクロックφv1、φv3が低電位に
保たれてポテンシャルの障壁が形成され、第1層のゲー
ト電極16に印加されるクロックφv2、φv4が高電位に
保たれてポテンシャルの井戸が形成される。即ち、図4
に示すように、クロックφv2、φv4が印加される第1層
のゲート電極16の下にポテンシャルの障壁によって区
画される受光画素が形成され、それらの受光画素にそれ
ぞれ所定の色成分が対応付けられる。そして、ポテンシ
ャルの障壁を形成するために第2層のゲート電極17に
印加されるクロックφv1、φv3の一方が、水平同期信号
HDに同期して、水平走査のブランキング期間中に一時
的に高電位とされ、隣り合う2画素の情報電荷が混合さ
れる。この混合動作は、各フィールド毎に切り換えら
れ、奇数フィールドでクロックφv1を立ち上げ、偶数フ
ィールドでクロックφv3を立ち上げるようにしている。
即ち、垂直走査期間が終了したときに情報電荷を合成す
る受光画素の組み合わせに応じて、情報電荷の蓄積期間
中にも水平走査のブランキング期間に2画素の情報電荷
を合成するようにしている。例えば、水平同期信号HD
に同期して、奇数フィールドでクロックφv1を立ち上
げ、偶数フィールドでクロックφv3を立ち上げることに
より、図4に示すように、W(ホワイト)成分に対応付
けられた受光画素とYe(イエロー)成分またはCy
(シアン)成分に対応付けられた受光画素と間のポテン
シャル障壁を一時的になくすようにしている。このよう
に、水平走査のブランキング期間で繰り返し2画素の情
報電荷を合成すれば、各受光画素の受光感度に差があっ
た場合でも、情報電荷は2画素を平均した量が各受光画
素に蓄積されるため、受光感度の高いW成分に対応した
受光画素が飽和しにくくなる。ここで、クロックφv1ま
たはφv3を立ち上げて第2層のゲート電極17をオンす
る時間は、水平走査のブランキング期間の全期間である
必要はなく、一部期間で十分である。また、第2層のゲ
ート電極17のオンしている期間が短いと、2つの受光
画素の情報電荷を完全に混合できない場合もあるが、こ
の時点で2つの受光画素の情報電荷を完全に平均化する
必要はなく、動作上問題にならない。
ト電極17に印加されるクロックφv1、φv3が低電位に
保たれてポテンシャルの障壁が形成され、第1層のゲー
ト電極16に印加されるクロックφv2、φv4が高電位に
保たれてポテンシャルの井戸が形成される。即ち、図4
に示すように、クロックφv2、φv4が印加される第1層
のゲート電極16の下にポテンシャルの障壁によって区
画される受光画素が形成され、それらの受光画素にそれ
ぞれ所定の色成分が対応付けられる。そして、ポテンシ
ャルの障壁を形成するために第2層のゲート電極17に
印加されるクロックφv1、φv3の一方が、水平同期信号
HDに同期して、水平走査のブランキング期間中に一時
的に高電位とされ、隣り合う2画素の情報電荷が混合さ
れる。この混合動作は、各フィールド毎に切り換えら
れ、奇数フィールドでクロックφv1を立ち上げ、偶数フ
ィールドでクロックφv3を立ち上げるようにしている。
即ち、垂直走査期間が終了したときに情報電荷を合成す
る受光画素の組み合わせに応じて、情報電荷の蓄積期間
中にも水平走査のブランキング期間に2画素の情報電荷
を合成するようにしている。例えば、水平同期信号HD
に同期して、奇数フィールドでクロックφv1を立ち上
げ、偶数フィールドでクロックφv3を立ち上げることに
より、図4に示すように、W(ホワイト)成分に対応付
けられた受光画素とYe(イエロー)成分またはCy
(シアン)成分に対応付けられた受光画素と間のポテン
シャル障壁を一時的になくすようにしている。このよう
に、水平走査のブランキング期間で繰り返し2画素の情
報電荷を合成すれば、各受光画素の受光感度に差があっ
た場合でも、情報電荷は2画素を平均した量が各受光画
素に蓄積されるため、受光感度の高いW成分に対応した
受光画素が飽和しにくくなる。ここで、クロックφv1ま
たはφv3を立ち上げて第2層のゲート電極17をオンす
る時間は、水平走査のブランキング期間の全期間である
必要はなく、一部期間で十分である。また、第2層のゲ
ート電極17のオンしている期間が短いと、2つの受光
画素の情報電荷を完全に混合できない場合もあるが、こ
の時点で2つの受光画素の情報電荷を完全に平均化する
必要はなく、動作上問題にならない。
【0019】所定の長さの情報電荷の蓄積期間が完了す
ると、図2に示すように互いに位相が90゜だけずれた
4相のフレームシフトパルスが供給される。この内、2
つの情報電荷を合成するためのクロックφv1、φv3は、
それぞれ1周期分先にパルスが立ち上げられることにな
る。例えば、奇数フィールドでは、始めに第1のクロッ
クφv1が立ち上げられ、その後に第4のクロックφv4か
ら順次パルスが立ち上げられるようになる。また、偶数
フィールドでは、始めに第3のクロックφv3が立ち上げ
られ、その後に第2のクロックφv2から順次パルスが立
ち上げられるようになる。
ると、図2に示すように互いに位相が90゜だけずれた
4相のフレームシフトパルスが供給される。この内、2
つの情報電荷を合成するためのクロックφv1、φv3は、
それぞれ1周期分先にパルスが立ち上げられることにな
る。例えば、奇数フィールドでは、始めに第1のクロッ
クφv1が立ち上げられ、その後に第4のクロックφv4か
ら順次パルスが立ち上げられるようになる。また、偶数
フィールドでは、始めに第3のクロックφv3が立ち上げ
られ、その後に第2のクロックφv2から順次パルスが立
ち上げられるようになる。
【0020】このように、第1層のゲート電極16のみ
をオンさせてポテンシャル井戸を形成し、このポテンシ
ャル井戸を受光画素とする場合には、第2層のゲート電
極17によって形成されるポテンシャル障壁で画素の分
離が成されるため、カラーフィルタの各セグメントと各
受光画素との位置ずれに対して有利である。即ち、各受
光画素に対するカラーフィルタの各セグメントの位置が
ずれたとしても、そのずれ幅が第2層のゲート電極17
の幅以内であれば、適正な色成分を取り出すことができ
る。尚、第2層のゲート電極17がオンしている時間
は、オフしている時間に比べて十分に短いため、第2層
のゲート電極17の下で発生する情報電荷はほとんど影
響しない。
をオンさせてポテンシャル井戸を形成し、このポテンシ
ャル井戸を受光画素とする場合には、第2層のゲート電
極17によって形成されるポテンシャル障壁で画素の分
離が成されるため、カラーフィルタの各セグメントと各
受光画素との位置ずれに対して有利である。即ち、各受
光画素に対するカラーフィルタの各セグメントの位置が
ずれたとしても、そのずれ幅が第2層のゲート電極17
の幅以内であれば、適正な色成分を取り出すことができ
る。尚、第2層のゲート電極17がオンしている時間
は、オフしている時間に比べて十分に短いため、第2層
のゲート電極17の下で発生する情報電荷はほとんど影
響しない。
【0021】フレームシフトが開始された後、垂直クロ
ックφv、蓄積クロックφs及び水平クロックφhは、図
6と同一であり、固体撮像素子1の撮像部1iに発生す
る情報電荷が、垂直クロックφvで蓄積部1sへ転送さ
れ、蓄積クロックφsで蓄積部1sから水平転送部1h
へ転送されると共に、水平クロックφhで水平転送部1
hから出力部1dへ出力される。
ックφv、蓄積クロックφs及び水平クロックφhは、図
6と同一であり、固体撮像素子1の撮像部1iに発生す
る情報電荷が、垂直クロックφvで蓄積部1sへ転送さ
れ、蓄積クロックφsで蓄積部1sから水平転送部1h
へ転送されると共に、水平クロックφhで水平転送部1
hから出力部1dへ出力される。
【0022】以上の実施例においては、カラーフィルタ
の各セグメントをW、G、Ye及びCyで構成した場合
を例示したが、垂直方向に隣接する2つのセグメントで
光の透過効率に差が生じるような場合であれば、その他
の構成の場合でも本発明の駆動方法を適用できる。
の各セグメントをW、G、Ye及びCyで構成した場合
を例示したが、垂直方向に隣接する2つのセグメントで
光の透過効率に差が生じるような場合であれば、その他
の構成の場合でも本発明の駆動方法を適用できる。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、モザイク型のカラーフ
ィルタが装着された固体撮像素子を駆動する際に、色成
分毎の受光感度に差があっても、特定の色成分の受光画
素のみ先に飽和することがなくなる。従って、全ての受
光画素を有効に活用することができ、固体撮像素子のダ
イナミックレンジを広くすることができる。
ィルタが装着された固体撮像素子を駆動する際に、色成
分毎の受光感度に差があっても、特定の色成分の受光画
素のみ先に飽和することがなくなる。従って、全ての受
光画素を有効に活用することができ、固体撮像素子のダ
イナミックレンジを広くすることができる。
【図1】本発明の固体撮像素子の駆動方法を説明するタ
イミング図である。
イミング図である。
【図2】フレームシフトパルスの波形図である。
【図3】縦型オーバーフロードレイン構造の固体撮像素
子の深さ方向のポテンシャルの変化を示すプロファイル
図である。
子の深さ方向のポテンシャルの変化を示すプロファイル
図である。
【図4】チャネル領域内のポテンシャルの変化の様子を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図5】フレーム転送方式の固体撮像素子を採用した撮
像装置の構成を示すブロック図である。
像装置の構成を示すブロック図である。
【図6】図5の撮像装置の動作を説明するタイミング図
である。
である。
【図7】フレーム転送方式のCCD固体撮像素子の撮像
部の構造を示す平面図である。
部の構造を示す平面図である。
【図8】縦型オーバーフロードレイン構造の固体撮像素
子の撮像部の構造を示す断面図であり、図7のX−X線
断面をしめす。
子の撮像部の構造を示す断面図であり、図7のX−X線
断面をしめす。
【図9】チャネル領域内のポテンシャルの変化の様子を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図10】モザイク型のカラーフィルタの構成を示す平
面図である。
面図である。
1 CCD固体撮像素子 1i 撮像部 1s 蓄積部 1h 水平転送部 1d 出力部 2 クロック発生回路 2v 垂直クロック発生部 2s 蓄積クロック発生部 2h 水平クロック発生部 2b 基板クロック発生部 3 タイミング制御回路 4 アナログ信号処理回路 5 A/D変換回路 6 デジタル信号処理回路 11 半導体基板 12 P−Well領域 13 チャネル分離領域 14 埋込層 15 絶縁膜 16、17 ゲート電極
Claims (2)
- 【請求項1】 受光した光に応答して発生する情報電荷
をそれぞれ蓄積する複数の受光画素がマトリクス状に配
置され、各受光画素を所望の色成分に対応付けるモザイ
ク型のカラーフィルタが装着された固体撮像素子の駆動
方法において、情報電荷の蓄積期間中、水平走査のブラ
ンキング期間内に情報電荷の転送方向に隣接する2つの
受光画素間で情報電荷を一旦合成して分離し、所望の蓄
積期間が終了した後に同一の受光画素間で上記情報電荷
を再度合成して転送出力することを特徴とする固体撮像
素子の駆動方法。 - 【請求項2】 蓄積期間中に情報電荷を合成する2つの
受光画素の組み合わせが、垂直走査期間毎に1画素分垂
直方向にずれることを特徴とする請求項1に記載の固体
撮像素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30765595A JP3392607B2 (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30765595A JP3392607B2 (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09149425A true JPH09149425A (ja) | 1997-06-06 |
JP3392607B2 JP3392607B2 (ja) | 2003-03-31 |
Family
ID=17971664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30765595A Expired - Fee Related JP3392607B2 (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3392607B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7852394B2 (en) | 2006-07-11 | 2010-12-14 | Panasonic Corporation | Driving method for solid-state imaging device and solid-state imaging device |
-
1995
- 1995-11-27 JP JP30765595A patent/JP3392607B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7852394B2 (en) | 2006-07-11 | 2010-12-14 | Panasonic Corporation | Driving method for solid-state imaging device and solid-state imaging device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3392607B2 (ja) | 2003-03-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |