JPH09148694A

JPH09148694A - フレキシブル回路基板

Info

Publication number: JPH09148694A
Application number: JP30125995A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Inoue; 浩井上; Takeyuki Matsubara; 健之松原; Hiroshi Yasuno; 弘安野; Takashi Kono; 敬河野
Original assignee: Ube Industries Ltd
Current assignee: Ube Corp
Priority date: 1995-11-20
Filing date: 1995-11-20
Publication date: 1997-06-06

Abstract

(57)【要約】【目的】半田耐熱、そり、錫メッキの侵食や、実装時の
問題を解決したフレキブル回路基板を提供する。【構成】ビフェニルテトラカルボン酸成分とパラフェニ
レンジアミン成分とを主要成分として含有し、カ−ル度
がＡ２〜Ａ０のポリイミドフィルムに導電体が積層さ
れ、さらに半田耐熱性が２４０℃以上のコ−ト層が形成
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、主要単位として
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物またはその誘導体
とパラフェニレンジアミンとを含有するポリイミド前駆
体（例えば、芳香族ポリアミック酸）の溶液を使用し
て、溶液流延法によって製膜して得られる、種々の環境
下でも優れた寸法安定性を有する芳香族ポリイミドフィ
ルムに、銅箔を積層した後、回路を形成し、その上に絶
縁性のコ−ト材を塗布した芳香族ポリイミド基板、特に
高密度パタ−ン化や半導体実装時の位置合わせが容易で
ある、フレキシブル回路基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、フレキシブル回路基板は芳香族ポ
リイミドフィルムの片面あるいは両面に直接あるいは接
着剤を介して銅箔等の金属箔層を設け、これからエッチ
ィングにより回路形成し、その上にコ−ト材層を設けた
ものが一般的である。この用途に使用される芳香族ポリ
イミドフィルムは、耐熱性、耐寒性、電気絶縁性、機械
的強度等の諸特性が要求されることから、ビフェニルテ
トラカルボン酸成分とフェニレンジアミン成分とからな
るポリイミドフィルムが使用され、これは例えば特公昭
６０−４２８１７号公報に記載されている。

【０００３】しかし、このポリイミドフィルムが使用さ
れる前記分野では、高精度、高生産性の要求が益々厳し
くなり、金属箔（銅箔）とポリイミドフィルムとを接着
剤で積層した積層体の走行安定性、該積層体のカ−ル発
生の問題、リ−ドの歪みが生じることによる位置合わせ
の問題が指摘されている。例えば、高精度の要求の特に
厳しいＴＡＢ用途では、スプロケット穴をあけた３５ｍ
ｍ幅、７０ｍｍ幅等のテ−プ状で加工するため、ベ−ス
フィルムであるポリイミドフィルムによっては積層体の
加工時の走行安定性が悪く、最悪の場合、スプロケット
から外れるという問題が発生したり、積層体にカ−ルが
発生し高密度パタ−ン化が難しく、あるいは半導体実装
時に前記の位置合わせが難しいという問題点が指摘され
ている。

【０００４】このため、ポリイミドフィルムの寸法安定
性、膨張係数に着目して種々の改良がなされた。例え
ば、特開昭６１−２６４０２７号公報にはポリイミドフ
ィルムを低張力下に再熱処理して、寸法安定なポリイミ
ドフィルムを製造する方法が記載されている。また、特
開平４−２５４３４号公報には線膨張係数比（送り方向
／直交方向）および送り方向の線膨張係数が特定範囲内
にあり寸法安定性に優れたポリイミドフィルムが記載さ
れている。

【０００５】しかし、これらの公知技術では、ポリイミ
ドフィルム自体の寸法精度は高いものの、用途分野の製
造工程での寸法精度も高く、他物品を実装する際の位置
合わせも良好である、という高密度化において求められ
る種々の性能をバランス良く満足するポリイミドフィル
ムを得ることが困難であり、エレクトロニクス業界にお
ける高精度・高生産性・品質の均一性・低コスト化とい
ったニ−ズを満足することは困難である。

【０００６】また、フレキシブル回路基板の回路形成後
設けるコ−ト材層としては、エポキシ樹脂や芳香族ポリ
イミドなどが使用されている。しかし、一般にコ−ト剤
用のエポキシ樹脂は硬化剤の併用が必要であり、その硬
化剤に係わる保存安定性、二液調製のための作業性など
の種々の問題があったり、耐熱性に問題があり又、前述
のコ−ト材として使用した場合に、熱硬化によって形成
される絶縁膜が剛直であり柔軟性に欠け、屈曲性に劣る
ためこれを用いて製造したフレキシブル回路基板の実装
時の位置合わせが困難であるとか、液晶などに接続した
後ストレスが掛かってついには剥離してしまい機能しな
くなるという問題があった。

【０００７】また、芳香族ポリイミドをコ−ト材として
使用する場合、芳香族ポリイミドが有機溶媒に溶解し難
いために、芳香族ポリイミドの前駆体（芳香族ポリアミ
ック酸）の溶液として使用して、塗布膜を形成し、次い
で乾燥とイミド化とを高温で長時間、加熱処理すること
によって、芳香族ポリイミドのコ−ト材層を形成する必
要があり、保護すべきフレキシブル回路基板自体が熱劣
化するという問題があった。

【０００８】一方、有機溶剤に可溶性の芳香族ポリイミ
ドは、例えば、特公昭５７−４１４９１号公報に記載さ
れているようにビフェニルテトラカルボン酸とジアミン
化合物とを有機極性溶媒中で重合及びイミド化した芳香
族ポリイミドが知られているが、そのポリイミドはフレ
キシブル基板との密着性（接着性）が充分でないので予
め基板を密着促進剤で処理しておく必要があり、あるい
は有機極性溶媒に溶解するもののこれらの溶媒への溶解
度が通常１０〜２０重量％程度と小さいためそのままで
は電気絶縁性が不充分であるという問題がある。さら
に、公知の有機溶剤に可溶性の芳香族ポリイミドをコ−
ト材として使用した場合に、この芳香族ポリイミドがか
なり剛直であり柔軟性が不充分で、屈曲性も劣るためこ
れを用いて製造したフレキシブル回路基板の実装時の位
置合わせが困難であるとか、液晶などに接続した後スト
レスが掛かってついには剥離してしまい機能しなくなる
という問題があった。

【０００９】すなわち、これら公知のコ−ト材では、エ
レクトロニクス業界における高精度・高生産性・品質の
均一性・低コスト化といったニ−ズを満足することは困
難である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、基
板として、特にＴＡＢ用途において加工時の走行安定性
が良く、高密度パタ−ン化が可能であり、半導体実装時
の位置合わせが容易なフレキシブル回路基板を提供する
ことである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】すなわちこの発明は、主
要単位としてビフェニルテトラカルボン酸成分とパラフ
ェニレンジアミン成分とを含有してなり、厚みが１２〜
２５０μｍであって下記の条件（１）カ−ル度がＡ４〜
Ｂ１であり、（２）厚みむらを示す厚み傾斜が幅方向１
０ｍｍ当たり３μｍ以下であり、（３）吸水率が１．８
％以下であり、（４）引張弾性率が５００Ｋｇ／ｍｍ²
以上であり、（５）線膨張係数（５０〜２００℃）が
２．５×１０^-5ｃｍ／ｃｍ／℃以下であり、（６）マイ
クロビッカ−ス硬度が３０以上である。を満足する芳香
族ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、直接あるい
は接着剤を介して導電体を積層したのち、回路を形成
し、その上に絶縁性のコ−ト材を塗布し加熱乾燥してコ
−ト層を形成してなり、半田耐熱性が２４０℃以上、そ
り（曲率半径）が２５ｍｍ以上、錫メッキ液による浸食
が１５０μｍ以下であることを特徴とするフレキシブル
回路基板に関するものである。

【００１２】この発明においては、主要成分としてビフ
ェニルテトラカルボン酸成分、例えば３，３’，４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸、酸の二無水物、酸
のエステル化物などの誘導体、好適には３，３’，４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェ
ニレンジアミン成分とから得られる芳香族ポリイミドフ
ィルムが使用される。

【００１３】この発明においては、上記のビフェニルテ
トラカルボン酸成分およびパラフェニレンジアミン成分
の他に、その他の芳香族テトラカルボン酸成分および／
または芳香族ジアミン成分を発明の効果を損なわない範
囲で１種あるいは多種含ませてもよい。併用可能な芳香
族テトラカルボン酸成分としては、ピロメリット酸二無
水物、各種異性体のベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物、各種異性体のナフタレンテトラカルボン酸二無
水物などが挙げられる。併用可能な芳香族ジアミン成分
としては、メタフェニレンジアミン、４，４’−ジアミ
ノジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノジフェニル
プロパン、４，４’−ジアミノジフェニルエタン、４，
４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
ジフェニルスルフィドなどが挙げられる。

【００１４】この発明において、芳香族ポリイミドフィ
ルムは、上記各成分からなり、厚みが１２〜２５０、好
ましくは１２〜１２５μｍであって下記の条件（１）カ
−ル度がＡ４〜Ｂ１、好ましくはＡ２〜Ａ０であり、
（２）厚みむらを示す厚み傾斜が幅方向１０ｍｍ当たり
３μｍ以下であり、（３）吸水率が１．８％以下であ
り、（４）引張弾性率が５００Ｋｇ／ｍｍ²以上であ
り、（５）線膨張係数（５０〜２００℃）が２．５×１
０^-5ｃｍ／ｃｍ／℃以下、好ましくは０．５〜２．０^-5
ｃｍ／ｃｍ／℃であり、（６）マイクロビッカ−ス硬度
が３０以上である。を満足することが必要である。

【００１５】前記各成分からなる芳香族ポリイミドフィ
ルムであっても、上記（１）〜（６）の各条件を満足し
ないと、この発明の目的を達成することが困難である。
すなわち、（１）カ−ル度が前記範囲外であると、支持
基板、特にＴＡＢ用途においてテ−プ状での加工時の走
行安定性が悪くなり、スプロケット穴から外れる危険性
が増大する。さらに、銅箔貼り合わせ時のカ−ルが大き
くなり、高密度パタ−ン化および半導体実装時の位置合
わせが容易でなくなる。また、（２）厚みむらが前記範
囲外であると、５０８ｍｍ幅の芳香族ポリイミドフィル
ムを３５ｍｍ幅にスリットした後に、３５ｍｍ幅のテ−
プを巻き取る際に、張力が３５ｍｍ幅のテ−プ１４巻毎
でそれぞれで異なったり、３５ｍｍテ−プの巻状態が両
サイドで異なったりし、スリット工程でトラブルの原因
となり、生産性が落ちる。また、（３）吸水率および
（５）線膨張係数（５０〜２００℃）が前記範囲外であ
ると、種々の環境下（高温、エッチング等）においた場
合の寸法安定性が低くなり好ましくない。さらに、
（４）引張弾性率および（６）マイクロビッカ−ス硬度
が前記範囲外であると、ハンドリングが難しく、薄肉化
が困難になる。

【００１６】この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムは、好適には下記の製法によって製造することができ
る。すなわち、先ず前記ビフェニルテトラカルボン酸類
とパラフェニレンジアミンとをＮ，Ｎ−ジメチルアセト
アミドやＮ−メチル−２−ピロリドンなどのポリイミド
の製造に通常使用される有機極性溶媒中で、好ましくは
１０〜８０℃で１〜３０時間重合して得られた、好適に
はポリマ−の対数粘度（測定温度：３０℃、濃度：０．
５ｇ／１００ｍｌ溶媒、溶媒：Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン）が０．１〜５、ポリマ−濃度が１５〜２５重量
％であり、回転粘度（３０℃）が５００〜４５００ポイ
ズであるポリアミック酸（イミド化率：５％以下）溶液
を得る。

【００１７】次いで、好適にはポリアミック酸１００重
量部に対して０．０１〜１重量％の（ポリ）リン酸エス
テルおよび／またはリン酸エステルのアミン塩などのリ
ン含有化合物および、ポリアミック酸１００重量部に対
して０．１〜３重量部のコロイダルシリカのような無機
フィラ−（好適には平均粒径０．００５〜２μｍ）を添
加してポリアミック酸溶液組成物を調製する。

【００１８】このポリアミック酸溶液組成物を平滑な表
面を有する金属製のドラムまたはベルトなどの支持体表
面に流延して前記溶液の薄膜を形成し、その薄膜を乾燥
する際に、乾燥条件を調整して（キャスティング・乾燥
炉中の入口〜出口を複数にゾ−ン分割して、その好適な
条件は温度：１００〜１６０℃、時間：１〜６０分間）
乾燥することにより、固化フィルム中、前記溶媒及び生
成水分からなる揮発分含有量が３０〜５０重量％、好ま
しくは３３〜４５重量％であり、イミド化率が１０〜６
０％である長尺状固化フィルムを形成し、次いで、上記
長尺状固化フィルムを支持体表面から剥離して固化フィ
ルムを得る。

【００１９】次いで、該固化フィルムの幅方向の両端縁
を把持しないで、好適には１３０〜１６０℃で、０．５
〜１０分間乾燥して乾燥フィルムの揮発分含有量が１０
〜４０重量％、好ましくは１３〜３５重量％、イミド化
率が２０〜７０重量％となるように調整した後、該乾燥
フィルムの幅方向の両端縁を把持した状態で、キュア炉
内で約１００℃以上、最高加熱温度：好ましくは４００
〜５００℃の温度で、１〜５０分間該乾燥フィルムを乾
燥およびイミド化して、好適には残揮発物量０．２重量
％以下、イミド化率９５％以上とすることによって長尺
状の芳香族ポリイミドフィルムとして製造することがで
きる。

【００２０】前記キュアリング工程の後、好適には低張
力下あるいは無張力下に２００〜４００℃程度の温度で
加熱して応力緩和処理し、巻き取る。

【００２１】前記の芳香族ポリイミドフィルムは、好適
には製造時の前記支持体表面上の薄膜（キャストフィル
ム）の固化フィルムの揮発分含有量およびイミド化率を
前記範囲内でコントロ−ルすること、および固化フィル
ムの幅方向の両端縁を把時しないで乾燥して揮発分含有
量およびイミド化率を前記範囲内に調整することによっ
て他の物性を損なうことなく、厚みが１２〜２５０μ
ｍ、好ましくは５０〜１２５μｍのものであって、
（１）カ−ル度をＡ４〜Ｂ１、好ましくはＡ２〜Ａ０と
することができる。最適な乾燥条件はフィルム厚みで異
なったり、乾燥温度およびその温度勾配、乾燥時間、乾
燥空気の風量等の条件で異なる。そこで、ある条件でポ
リイミドフィルムを製造し、そのカ−ル度をまず測定
し、そのカ−ルの面（Ａ、Ｂ）、その度合いによって、
好適には温度を変更することによってカ−ル度を変更し
て最適な状態を見出すことができる。また、芳香族ポリ
イミドフィルムは、好適には製造時に揮発分含有量と加
熱条件とを前記の範囲にすることによって、（２）フィ
ルムの厚みむらを示す、厚み傾斜が幅方向１０ｍｍ当た
り３μｍ以下にすることができる。

【００２２】この発明におけるポリイミドフィルムは、
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレン
ジアミンとを重合する方法によって容易に得ることがで
きるが、ポリアミック酸としては、主要単位がビフェニ
ルテトラカルボン酸類とパラフェニレンジアミンとであ
ればよく、前記各条件を満足する範囲内であればビフェ
ニルテトラカルボン酸類とパラフェニレンジアミンとと
もに他の成分を重合してもよく、また、結合の種類はラ
ンダム重合、ブロック重合のいずれであってもよい。
また、前記条件を満足する限り、主成分がビフェニルテ
トラカルボン酸類とパラフェニレンジアミンとからなる
ポリアミック酸に他のポリアミック酸成分を混合して使
用してもよい。いずれの場合も前記と同様にして目的と
する芳香族ポリイミドフィルムを得ることができる。ま
た、この発明における芳香族ポリイミドフィルムは、上
述の熱イミド化に限定されず、化学イミド化によっても
同様に得ることができる。

【００２３】この発明における芳香族ポリイミドフィル
ムは、そのままあるいは巻きぐせが生じている場合は熱
処理して巻きぐせを解消して、そのままあるいは好適に
はプラズマ処理あるいはアミノシラン処理などのそれ自
体公知のフィルム表面活性化処理を施して、熱硬化性接
着剤あるいは好適には熱可塑性ポリイミド樹脂などの熱
可塑性接着剤を介して銅箔などの金属箔と積層する。

【００２４】上記芳香族ポリイミドフィルムの上に導電
体層を積層する方法としては、蒸着法、スパッタ法、メ
ッキ法で導電体層を直接積層してもよく、あるいは接着
剤を介して導電体層を積層しても良い。接着剤を介して
導電体層を積層する場合の接着剤は、熱硬化型でも熱可
塑型でも良い。

【００２５】この発明における導電体は、銅箔が好まし
い。銅箔は、電解銅箔、圧延銅箔であり、その引張強度
が１７Ｋｇ／ｍｍ²以上である銅箔が好ましい。銅箔の
厚みは８〜５０μｍであることが好ましい。

【００２６】この発明においては、芳香族ポリイミドフ
ィルム上に直接あるいは接着剤を介して導電体を積層し
たのち、回路を形成する。導電体への回路形成は、芳香
族ポリイミドフィルム上に直接あるいは接着剤を介して
導電体を積層して導電基板を製造した後、その導電体表
面に例えばエッチィングレジストを回路パタ−ン状（配
線パタ−ン状）に印刷して、配線パタ−ンが形成される
部分の導電体の表面を保護するエッチィングレジストの
配線パタ−ンを形成した後、それ自体公知の方法でエッ
チィング液を使用して配線が形成されない部分の導電体
をエッチィングにより除去し、好適にはエッチィングレ
ジストを除去することによって行うことができる。

【００２７】この発明においては、前述のように回路を
形成し、その回路板（配線板）の回路パタ−ン（配線パ
タ−ン）上面に絶縁性のコ−ト材を塗布し、加熱乾燥し
てコ−ト層を形成してなる半田耐熱が２４０℃以上、そ
りが２５ｍｍ以上、好ましくは１００μｍ以上、錫メッ
キ液による侵食１５０μｍ以下であうフレキシブル配線
基板を製造する。

【００２８】前記の絶縁性のコ−ト層の形成は、回路パ
タ−ン上面に直接あるいはシランカップリング剤のよう
な表面処理剤で処理した後、コ−ト材（液状物）を回転
塗布機械、ディスペンサ−又は印刷機などを使用する塗
布方法で均一な厚さ、好適には１〜１００μｍの厚さに
塗布し、加熱乾燥（好適には５０〜１８０℃、約１〜１
５０分間、常圧あるいは減圧下）して行うことができ
る。この発明においてコ−ト層は厚さが５〜５０μｍで
あることが好ましい。

【００２９】この発明における絶縁性のコ−ト材として
は、好適には以下に示されるポリイミドシロキサン組成
物を挙げることができる。すなわち、有機極性溶媒に
（ａ）下記一般式（１）、（２）および（３）で表され
る有機極性溶媒可溶性のポリイミドシロキサン１００重
量部、（ｂ）エポキシ樹脂１〜５０重量部、および
（ｃ）２〜１５０重量部の平均粒子径０．１〜２０μｍ
の無機粒子、特にその粒子が偏平状で平均粒子径が１〜
３μｍのタルクを含有させたポリイミドシロキサンの組
成物が挙げられる。

【００３０】

【化１】

【００３１】

【化２】

【００３２】

【化３】（ただし、式中のＲ₁は芳香族テトラカルボン酸からテ
トラカルボン酸を除く４価の残基を示し、Ｒ₄は芳香族
ジアミン化合物からアミノ基を除く２価の残基を示し、
ｎ₁は３〜３０の整数を示し、Ｒ₂は２価の炭化水素基
又はフェニル基を示し、Ｒ₃は独立に炭素数１〜３のア
ルキル基またはフェニル基を示し、ｘは直接結合又は下
記一般式（４）で示される基で、ｒ₁は水酸基又はカル
ボキシル基を、ｎ₂は１又は２の整数を、ｎ₃は０〜３
の整数を示し、Ｒ₅、Ｒ₆は水素、メチル基を示し、ｍ
₁、ｍ₂及びｍ₃の割合が各成分合計１００モル％中ｍ
₁が４５〜８０モル％、ｍ₂が０．５〜４０モル％及び
ｍ₃が残部である。）

【００３３】

【化４】

【００３４】前記のポリイミドシロキサン組成物におい
て、有機極性溶媒としてはＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチル
エ−テル（ジグライム）、トリメチルエ−テル（トリグ
ライム）などの沸点が１４０℃以上、特に沸点が１８０
℃以上の有機溶媒が使用され、ポリイミドシロキサンは
対数粘度（測定濃度：０．５ｇ／１００ミリリットル、
溶媒：Ｎ−メチル−２−ピロリドン、測定温度：３０
℃）が０．１〜２であるものが好ましく、エポキシ樹脂
としてはエポキシ当量が１００〜１０００程度であるビ
スフェノ−ルＡ型、ビスフェノ−ルＦ型のエポキシ樹脂
や、３官能以上のエポキシ樹脂が挙げられる。また、前
記のポリイミドシロキサン組成物中の固形分濃度は１０
〜６０重量％であるものが好適であり、増粘度成分とし
てアエロジル等を含有させてもよい。

【００３５】

【実施例】以下にこの発明の実施例を示す。以下の各例
において、ポリイミドフィルムの物性、フレキシブル回
路基板の物性測定は以下の方法によって行った。

【００３６】カ−ル度測定：８６ｍｍφのサンプルを採
取し、各サンプルを除電処理した後、最大カ−ル位置を
カ−ル測定台に対して水平にして最大カ−ル長さ（ｍ
ｍ）を測定する。数値は少数点１桁を四捨五入し整数で
表示する。数値が小さい程カ−ルが少ない。また、カ−
ル面（凹面側）をＡ面・Ｂ面で表示し、最大カ−ル長さ
とともに表示する。なお、Ａ面は流延した支持体面の反
対側の面を、Ｂ面は支持体面と接する側の面を意味す
る。ポリイミドフィルムとしては、Ａ面カ−ルの方がＢ
面カ−ルよりも高精度の要求される分野で好適である。

【００３７】厚み傾斜の測定：安立電気株式会社製の電
子マイクロメ−タ−を用いて、フィルムの幅方向の厚み
プロフィルを測定し、フィルム１０ｍｍ幅当たりの最大
厚み傾斜を求める。

【００３８】吸水率測定：ＡＳＴＭＤ５７０−６３に従って測定
（２３℃×２４時間）引張強度測定：ＡＳＴＭＤ８８２−６４Ｔに従って測
定（ＭＤ：長手方向）引張弾性率測定：ＡＳＴＭＤ８８２−６４Ｔに従って
測定（ＭＤ）線膨張係数（５０〜２００℃）測定：３００℃で３０分
加熱して応力緩和したサンプルをＴＭＡ装置（引張りモ
−ド、２ｇ荷重、試料長１０ｍｍ、２０℃／分）で測定

【００３９】イミド化率測定：ＦＩ−ＩＲ（ＡＴＲ法）
により、１７８０ｃｍ^-1と１５１０ｃｍ^-1の吸光度の比
から求めた。測定はフィルムのＡ面について行った。

【００４０】マイクロビッカ−ス硬度：島津ダイナミッ
ク超微小硬度計（島津製作所製：ＤＵＨ−２００を使
用して、三角錐圧子（１１５°）、試験荷重０．５ｇ、
負荷速度２で測定した。）

【００４１】寸法変化率：導電体層を積層したポリイミ
ドフィルム（銅張板）の上にＡ、Ｂの２点を刻印し、こ
の間隔Ａ、Ｂの長さを測定した。さらに、常法に従いこ
の銅張板を全面エッチィング−水洗−乾燥工程を経た
後、上記のＡ、Ｂ間の距離を測定し、以下の式を用いて
寸法変化率を求めた。この値が小さいほど寸法の変化が
小さく寸法精度がよい。寸法変化率＝〔（Ｌ₀−Ｌ）／Ｌ₀〕×１００（％）Ｌ₀：エッチィング前のＡ、Ｂ間の長さＬ：エッチィング後のＡ、Ｂ間の長さ

【００４２】半田耐熱（耐ハンダ性テスト）：厚さ３５
μｍの電解銅箔の光沢面に厚さ５０μｍのポリイミド製
スペ−サ−をのせ、コ−ト材：ポリイミドシロキサン組
成物を流延し、８０℃で３０分、１６０℃で６０分加熱
乾燥を行い、ポリイミドシロキサンコ−ト材層を形成す
る。ポリイミドシロキサンコ−ト材層を形成した銅箔を
３×３ｃｍに切断し、コ−ト材層上にロジン系フラック
ス（サンワ化学工業製：ＳＵＮＦＬＵＸＳＦ−２７
０）を塗布した後、２４０℃及び２６０℃の溶融半田浴
に３０秒間コ−ト材層の面を接触させ、冷却後、コ−ト
材層面のふくれの有無を観察した。全くふくれなしの温
度を半田耐熱温度として示す。

【００４３】そり（曲率半径）：最も大きいそりを生じ
る、導電体を除く部分についてＪＩＳ−Ｃ−５０１２に
準じて曲率半径を測定した。錫メッキ液による侵食（錫メッキ液潜り込み）：フレキ
シブル回路基板をメッキ液に浸漬後、コ−ト材と導電体
界面でのメッキ液の潜り込みの程度を測定した。メッキ
液はシプレ−ファイ−スト株式会社の無電解錫メッキ液
（商品名ティレポジットＬＴ−３４）を用い、指定条
件で浸漬した際の錫メッキ液の潜り量（ｍｍ）で示す。

【００４４】揮発物含有量測定：下記式により求めた。揮発物含有量＝〔（Ａ−Ｂ）／Ａ〕×１００Ａ：加熱前のフィルム重量Ｂ：４２０℃、２０分加熱後のフィルム重量

【００４５】残揮発物量測定：下記式により求めた。残揮発物量＝〔（Ｃ−Ｄ）／Ｃ〕×１００Ｃ：１５０℃×１０分乾燥後の重量Ｄ：４５０℃×２０分乾燥後の重量

【００４６】実施例１ポリイミドフィルムの製造内容積１００リットルの重合槽に、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド５４．６ｋｇを加え、次いで３，３’，４，
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８．８２６
ｋｇとパラフェニレンジアミン３．２４３ｋｇとを加
え、３０℃で１０時間重合反応させてポリマ−の対数粘
度（測定温度：３０℃、濃度：０．５ｇ／１００ｍｌ溶
媒、溶媒：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）が１．６
０、ポリマ−濃度が１８重量％であるポリアミック酸
（イミド化率：５％以下）溶液を得た。このポリアミッ
ク酸溶液に、ポリアミック酸１００重量部に対して０．
１重量部の割合でモノステアリルリン酸エステルトリエ
タノ−ルアミン塩および０．５重量部の割合（固形分基
準）で平均粒径０．０８μｍのコロイダルシリカを添加
して均一に混合してポリアミック酸溶液組成物を得た。
このポリアミック酸溶液組成物の回転粘度は３０００ポ
イズであった。このポリアミック酸組成物をＴダイ金型
のスリットから連続的に、キャスティング・乾燥炉（入
り口〜出口を複数ゾ−ンに分割）の平滑な支持体に押出
して前記溶液の薄膜を形成し、その薄膜を乾燥する際の
乾燥条件を調整して（各ゾ−ンの平均温度：１３８℃、
最終ゾ−ンの温度：１４２℃、滞留時間：１５分間）乾
燥することにより、固化フィルムの平均値として前記溶
媒及び生成水分からなる揮発分含有量が３９重量％であ
り、イミド化率が２９％である長尺状固化フィルムを形
成した。次いで、上記長尺状固化フィルムを支持体表面
から剥離し、該固化フィルムの幅方向の両端縁を把持し
ないで加熱炉（平均温度：１４５℃）内を滞留時間：２
分間加熱して、揮発分含有量が２９重量％、イミド化率
が３２％である乾燥フィルムを形成した。

【００４７】次いで、該乾燥フィルムの幅方向の両端縁
を把持した状態で、キュア炉（入口温度：１４０℃、最
高温度：４８０℃、出口温度：１５０℃）内を、滞留時
間：１５分間で、該乾燥フィルムを乾燥およびイミド化
して、厚み７５μｍ、残揮発物量０．２６重量％、イ
ミド化率９５％以上の長尺状の芳香族ポリイミドフィル
ムを連続的に製造した。次に、上記の芳香族ポリイミド
フィルムをフィルム長手方向に８０ｇ／ｍｍ²の張力を
加えた状態で高温縦型加熱炉内に供給し、該高温縦型加
熱炉内で３００℃の加熱温度で３分間加熱して応力緩和
処理を行った。上述の芳香族ポリイミドフィルムの物性
を表１に示す。

【００４８】コ−ト材としてのポリイミドシロキサンの
溶液組成物の製造容量２０リットルのガラス製フラスコに、２，３，
３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２９
４．２２ｇ、トリグライム７００ｇを仕込み、室温で攪
拌しながら溶解した後、α，ω−ビス（３−アミノプロ
ピル）ポリジメチルシロキサン（信越シリコン製、Ｘ−
２２−１６１ＡＳ、ｎ＝９）６０５．３０ｇとトリグラ
イム１８５ｇを加えて均一に溶解させ、窒素雰囲気下
に、１８５℃に加熱してこの温度を維持しながら４時間
重合した。次いで反応液を室温に戻して攪拌しながら
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン６２．２０ｇと３，５−ジアミノ安息香酸
２３．０５ｇ及びトリグライム５０９ｇを加えた後、反
応温度を１８５℃にあげて更に４時間反応させてポリイ
ミドシロキサン溶液を製造した。このポリイミドシロキ
サンは濃度が４０．５重量％、溶液粘度が２１ポイズで
あった。又、このポリイミドシロキサンは、対数粘度が
０．２３であり、イミド化率が実質的に１００％であっ
た。このポリイミドシロキサン溶液１００ｇ、エポキシ
樹脂（油化シェル社製、エピコ−ト１５７−７０）７．
２０ｇとタルク２１．４ｇ（日本タルク社製、ミクロエ
−スＰ−３、平均粒子径１．８μｍ）とを仕込み、室温
（２５℃）で、２時間攪拌して、均一に溶解・分散させ
たポリイミドシロキサンの組成物（溶液粘度：１８０ポ
イズ）を得た。

【００４９】上記のポリイミドフィルムをスリットし、
３５ｍｍ幅のテ−プを作製し、その上に２６ｍｍ幅のポ
リイミド系接着剤テ−プ（厚み２０μｍ、熱硬化型）を
ポリイミドテ−プ（支持体面）の中央に１２０℃でラミ
ネ−トし、接着剤付きポリイミドテ−プを作製した。こ
の接着剤付きポリイミドテ−プにスプロケット穴やデバ
イスホ−ルをパンチングで開け、電解銅箔（３５μｍ、
引張強度４０Ｋｇ／ｍｍ²）を１３０℃で張り合わせ、
接着剤を１００℃で２時間、１２０℃で１時間、１８０
℃で６時間加熱して接着剤を硬化させた。続いて、この
銅張板に、常法に従いパタ−ニングを行い、次にエッチ
ング、水洗・乾燥工程を経た後、前記のポリイミドシロ
キサンの組成物をコ−ト材として塗布・乾燥して、ポリ
イミドシロキサンからなる柔軟なコ−ト層（厚さ３０μ
ｍ）が形成されたフレキシブル回路基板を製造した。こ
のフレキシブル回路基板についての評価結果を表１に示
す。

【００５０】実施例２実施例１に記載の方法と同様にして製造したポリアミッ
ク酸溶液組成物をＴダイ金型のスリットからの押出量を
変えて連続的に、キャスティング・乾燥炉の平滑な支持
体に押出して前記溶液の薄膜を形成し、その薄膜を乾燥
して（各ゾ−ンの平均温度：１４０℃、最終ゾ−ンの温
度：１５０℃、滞留時間：１０分間）乾燥することによ
り、固化フィルムの平均値として前記溶媒及び生成水分
からなる揮発分含有量が４０重量％であり、イミド化率
が２４％である長尺状固化フィルムを形成した。次い
で、上記長尺状固化フィルムを支持体表面から剥離し、
該固化フィルムの幅方向の両端縁を把持しないで加熱炉
（平均温度：１４０℃）内を滞留時間：２分間加熱して
乾燥フィルムの揮発分含有量が２７重量％、イミド化率
が３１％となるように加熱・乾燥した。

【００５１】次いで、該乾燥フィルムの幅方向の両端縁
を把持した状態で、キュア炉（入口温度：１１０℃、最
高温度：４８０℃、出口温度：１５０℃）内を、滞留時
間：１０分間で、該乾燥フィルムを乾燥およびイミド化
して、厚み５０μｍ、残揮発物量０．１７重量％、イミ
ド化率９５％以上の長尺状の芳香族ポリイミドフィルム
を連続的に製造した。次いで、実施例１に記載の条件で
応力緩和処理を行った。上述の芳香族ポリイミドフィル
ムの物性を表１に示す。このポリイミドフィルムを使用
した以外は実施例１と同様に実施してフレキシブル回路
基板を得た。結果をまとめて表１に示す。

【００５２】実施例３実施例１に記載の方法と同様にして製造したポリアミッ
ク酸溶液組成物をＴダイ金型のスリットからの押出量を
変えて連続的に、キャスティング・乾燥炉の平滑な支持
体に押出して前記溶液の薄膜を形成し、その薄膜を乾燥
して（各ゾ−ンの平均温度：１３４℃、最終ゾ−ンの温
度：１３８℃、滞留時間：３０分間）乾燥することによ
り、固化フィルムの平均値として前記溶媒及び生成水分
からなる揮発分含有量が３７重量％であり、イミド化率
が３０％である長尺状固化フィルムを形成した。

【００５３】次いで、上記長尺状固化フィルムを支持体
表面から剥離し、該固化フィルムの幅方向の両端縁を把
持しないで加熱炉（平均温度：１２０℃）内を滞留時
間：５分間加熱して乾燥フィルムの揮発分含有量が３３
重量％、イミド化率が３２％となるように加熱・乾燥し
た。次いで、該乾燥フィルムの幅方向の両端縁を把持し
た状態で、キュア炉（入口温度：１４０℃、最高温度：
４８０℃、出口温度：１５０℃）内を、滞留時間：３０
分間で、該乾燥フィルムを乾燥およびイミド化して、厚
み１２５μｍ、残揮発物量０．５１重量％、イミド化率
９５％以上の長尺状の芳香族ポリイミドフィルムを連続
的に製造した。次いで、実施例１に記載の条件で応力緩
和処理を行った。上述の芳香族ポリイミドフィルムの物
性を表１に示す。このポリイミドフィルムを使用した以
外は実施例１と同様に実施してフレキシブル回路基板を
得た。結果をまとめて表１に示す。

【００５４】実施例４実施例１に記載の方法と同様にして製造したポリアミッ
ク酸溶液組成物をＴダイ金型のスリットからの押出量を
変えて連続的に、キャスティング・乾燥炉の平滑な支持
体に押出して前記溶液の薄膜を形成し、その薄膜を乾燥
して（各ゾ−ンの平均温度：１３８℃、最終ゾ−ンの温
度：１４０℃、滞留時間：１５分間）乾燥することによ
り、固化フィルムの平均値として前記溶媒及び生成水分
からなる揮発分含有量が４１重量％であり、イミド化率
が２７％である長尺状固化フィルムを形成した。

【００５５】次いで、上記長尺状固化フィルムを支持体
表面から剥離し、該固化フィルムの幅方向の両端縁を把
持しないで加熱炉（平均温度：１４５℃）内を滞留時
間：２分間加熱して乾燥フィルムの揮発分含有量が３１
重量％、イミド化率が３１％となるように加熱・乾燥し
た。次いで、該乾燥フィルムの幅方向の両端縁を把持し
た状態で、キュア炉（入口温度：１４０℃、最高温度：
４８０℃、出口温度：１５０℃）内を、滞留時間：１５
分間で、該乾燥フィルムを乾燥およびイミド化して、厚
み７５μｍ、残揮発物量０．３０重量％、イミド化率９
５％以上の長尺状の芳香族ポリイミドフィルムを連続的
に製造した。次いで、実施例１に記載の条件で応力緩和
処理を行った。上述の芳香族ポリイミドフィルムの物性
を表１に示す。このポリイミドフィルムを使用した以外
は実施例１と同様に実施してフレキシブル回路基板を得
た。結果をまとめて表１に示す。

【００５６】実施例５Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド５３．６ｋｇ、パラフェ
ニレンジアミン２．２７ｋｇ、４，４’−ジアミノジフ
ェニルエ−テル１．８０２ｋｇ、３，３’，４，４’−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物４．４１３ｋｇ、
ピロメリット酸二無水物３．２７２ｋｇにした他は実施
例１と同様に重合し、ポリアミック酸の溶液（回転粘
度：１４００ポイズ、１８重量％）を得た。ポリアミッ
ク酸溶液組成物のＴダイ金型のスリットからの押出量を
変えて連続的にキャスティング、乾燥炉の平滑な支持体
に押出して前記溶液の薄膜を形成して（各ゾ−ンの平均
温度：１３８℃、最終ゾ−ンの温度：１４０℃、滞留時
間：１０分間）乾燥することにより、固化フィルムの前
記溶媒及び生成水分からなる揮発分含有量が４０重量％
であり、イミド化率が２５％である長尺状固化フィルム
を形成した。次いで、上記長尺状固化フィルムを支持体
表面から剥離し、該固化フィルムの幅方向の両端縁を把
持しないで加熱炉（平均温度：１４０℃）内を滞留時
間：２分間で、加熱して乾燥フィルムの揮発分含有量が
３１重量％、イミド化率が２９％となるように加熱・乾
燥した。

【００５７】次いで、該乾燥フィルムの幅方向の両端縁
を把持した状態で、キュア炉内での加熱条件を変えて
（入口温度：１４０℃、最高温度：４４０℃、出口温
度：１５０℃、滞留時間：１０分間）、該乾燥フィルム
を乾燥およびイミド化して、厚み５０μｍ、残揮発物量
０．１８重量％、イミド化率９５％以上の長尺状の芳香
族ポリイミドフィルムを連続的に製造した。次いで、実
施例１に記載の条件で応力緩和処理を行った。上述の芳
香族ポリイミドフィルムの物性を表１に示す。このポリ
イミドフィルムを使用した以外は実施例１と同様に実施
してフレキシブル回路基板を得た。結果をまとめて表１
に示す。

【００５８】実施例６実施例１におけるコ−ト材用のポリイミドシロキサンの
組成物を製造する際のタルクの量を２１．４ｇから１０
０ｇに変えた他は実施例１と同様に実施した。このコ−
ト材を使用した以外は実施例１と同様に実施してフレキ
シブル回路基板を得た。結果をまとめて表１に示す。

【００５９】実施例７銅箔として、圧延銅箔（１８μｍ、引張強度３９Ｋｇ／
ｍｍ²）を用いた他は実施例１と同様に実施してフレキ
シブル回路基板を得た。結果をまとめて表１に示す。

【００６０】実施例８（２層）実施例１で製造した長尺状の芳香族ポリイミドフィルム
の片面をヒドラジン水和物水溶液中に２５℃で３０秒間
浸漬し、次いで無電解メッキ用触媒付与剤による前処理
・水洗後、奥野製薬社製の処理剤（カッパ−ＬＰ）でポ
リイミドフィルムの表面に１μｍの銅被膜を形成した
（６０℃、１０分）。さらにこの上に硫酸銅浴により銅
電解メッキ層１０μｍの厚さに形成、金属膜付きポリイ
ミドフィルムを得た。この金属膜付きポリイミドフィル
ムを使用した以外は、実施例１と同様に実施しフレキシ
ブル回路基板を得た。結果をまとめて表１に示す。

【００６１】比較例１実施例１に記載の方法と同様にして製造したポリアミッ
ク酸溶液組成物を、キャスティング・乾燥炉の平滑な支
持体に押出して前記溶液の薄膜を形成し、その薄膜を乾
燥する条件を、各ゾ−ンの平均温度：１４２℃、最終ゾ
−ンの温度：１４５℃、滞留時間：１５分間で乾燥し
て長尺状固化フィルムを得た。この長尺状固化フィルム
は平均値として前記溶媒及び生成水分からなる揮発分含
有量が３４重量％であり、イミド化率が３４％であっ
た。次いで、この長尺状固化フィルムを支持体表面から
剥離し、該固化フィルムの幅方向の両端縁を把持して加
熱炉（平均温度：１４５℃）内を滞留時間：２分間加熱
・乾燥した。このフィルムの揮発分含有量は２６重量
％、イミド化率が３５％であった。

【００６２】次いで、該乾燥フィルムの幅方向の両端縁
を把持した状態で、キュア炉（入口温度：１４０℃、最
高温度：４８０℃、出口温度：１５０℃）内を、滞留時
間：１５分間で、該乾燥フィルムを乾燥およびイミド化
して、厚み７５μｍ、残揮発物量０．２５重量％、イミ
ド化率９５％以上の長尺状の芳香族ポリイミドフィルム
を製造した。次いで、実施例１に記載の条件で応力緩和
処理を行った。上述の芳香族ポリイミドフィルムの物性
を表１に示す。このポリイミドフィルムを使用した以外
は実施例１と同様に実施してフレキシブル回路基板を得
た。結果をまとめて表１に示す。

【００６３】比較例２実施例１に記載の方法と同様にして製造したポリアミッ
ク酸溶液組成物を、キャスティング・乾燥炉の平滑な支
持体に押出して前記溶液の薄膜を形成し、その薄膜を乾
燥する条件を変え（各ゾ−ンの平均温度：１３５℃、最
終ゾ−ンの温度：１４０℃、滞留時間：１５分間）て乾
燥することにより、固化フィルムの前記溶媒及び生成水
分からなる揮発分含有量が４２重量％であり、イミド化
率が２６％である長尺状固化フィルムを形成した。次い
で、上記長尺状固化フィルムを支持体表面から剥離し、
該固化フィルムの幅方向の両端縁を把持して加熱炉（平
均温度：１４５℃）内を滞留時間：２分間で加熱して乾
燥フィルムの揮発分含有量が３３重量％、イミド化率が
３０％となるように加熱・乾燥した。次いで、該乾燥フ
ィルムの幅方向の両端縁を把持した状態で、キュア炉
（入口温度：１４０℃、最高温度：４８０℃、出口温
度：１５０℃）内を、滞留時間：１５分間で、該乾燥フ
ィルムを乾燥およびイミド化して、厚み７５μｍ、残揮
発物量０．３０重量％、イミド化率９５％以上の長尺状
の芳香族ポリイミドフィルムを製造した。次いで、実施
例１に記載の条件で応力緩和処理を行った。上述の芳香
族ポリイミドフィルムの物性を表１に示す。このポリイ
ミドフィルムを使用した以外は実施例１と同様に実施し
てフレキシブル回路基板を得た。結果をまとめて表１に
示す。

【００６４】比較例３ジアミンとして、パラフェニレンジアミンに代えて４，
４’−ジアミノジフェニルエ−テル６．００７Ｋｇを、
溶媒としてＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドの量を５４．
６Ｋｇから６７．６Ｋｇに変えた他は比較例１と同様に
実施して、厚み７５μｍ、残揮発物量０．６１重量％、
イミド化率９５％以上の長尺状の芳香族ポリイミドフィ
ルムを連続的に製造した。次いで、実施例１に記載の条
件で応力緩和処理を行った。上述の芳香族ポリイミドフ
ィルムの物性を表１に示す。このポリイミドフィルムを
使用した以外は実施例１と同様に実施してフレキシブル
回路基板を得た。結果をまとめて表１に示す。

【００６５】比較例４容量２０リットルのガラス製フラスコに、２，３，
３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２９
４．２２ｇ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン７００ｇを仕
込み、室温で攪拌しながら溶解させた後、α，ω−ビス
（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（信越
シリコン製、Ｘ−２２−１６１ＡＳ、ｎ＝９）２６４．
０ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン１８５ｇを加えて均
一に溶解させ、窒素雰囲気下に、１８５℃に加熱してこ
の温度を維持しながら４時間重合した。次いで反応液を
室温に戻して攪拌しながら２，２−ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕プロパン２２５．６ｇと
３，５−ジアミノ安息香酸２２．８２ｇ及びＮ−メチル
−２−ピロリドン５０９ｇを加えた後、反応温度を１８
５℃にあげて更に４時間反応させてポリイミドシロキサ
ン溶液を製造した。このポリイミドシロキサン溶液はポ
リイミドシロキサン濃度が３８．６重量％、溶液粘度が
３５ポイズであった。又、このようにして得られたポリ
イミドシロキサンンハ、対数粘度が０．２５であり、イ
ミド化率が実質的に１００％であった。このポリイミド
シロキサンを用いて、実施例１に記載の方法と同様にし
てコ−ト材としてのポリイミドシロキサン組成物（溶液
粘度２１０ポイズ）を得た。このポリイミドシロキサン
組成部をコ−ト材として使用した以外は実施例１と同様
に実施してフレキシブル回路基板を得た。結果をまとめ
て表１に示す。

【００６６】テ−プ状での走行安定性評価実施例１〜８、比較例１〜４において、工程中得られた
接着剤付きポリイミドテ−プのポリイミド上にスプロケ
ット穴やデバイスホ−ルをパンチングで開け、銅箔（３
５μｍ）を１３０℃、２ｋｇ／ｃｍ²、ロ−ルラメネ−
ト（約１秒間）した。その銅箔にパタ−ンニング・エッ
チングによりインナ−リ−ドやアウタ−リ−ド等の回路
を形成してＴＡＢ用キャリアテ−プを作製した。実施例
８については、金属はく付きポリイミドフィルムを用い
その金属膜にパタ−ンニング・エッチィングにより同様
にしてＴＡＢキャリアテ−プを作製した。このＴＡＢ用
キャリアテ−プを用いて、以下のようにして評価した。走行安定性の評価テ−プにカ−ルがあるとテ−プ走行中に、スプロケット
穴から外れたり、逆にテ−プの走行方向を変える時に歯
車がスプロケット穴から外れなかったりの問題が生じ
る。走行中にスプロケット穴から外れたり、逆に外れな
かったりする状態がある場合は不良、そのような問題が
ない場合は良好とした。

【００６７】

【表１】

【００６８】

【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に記載のような効果を奏する。

【００６９】この発明のフレキシブル回路基板は、基板
フィルムがスプロケット穴から外れにくく加工時の走行
安定性が良く、高密度パタ−ン化が可能であり、半導体
実装時の位置合わせが容易である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者河野敬山口県宇部市大字小串1978番地の10 宇部産株式会社宇部ケミカル工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主要単位としてビフェニルテトラカルボン
酸成分とパラフェニレンジアミン成分とを含有してな
り、厚みが１２〜２５０μｍであって下記の条件（１）カ−ル度がＡ４〜Ｂ１であり、（２）厚みむらを示す厚み傾斜が幅方向１０ｍｍ当たり
３μｍ以下であり、（３）吸水率が１．８％以下であり、（４）引張弾性率が５００Ｋｇ／ｍｍ²以上であり、（５）線膨張係数（５０〜２００℃）が２．５×１０^-5
ｃｍ／ｃｍ／℃以下であり、（６）マイクロビッカ−ス硬度が３０以上である。を満
足する芳香族ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、
直接あるいは接着剤を介して導電体を積層したのち、回
路を形成し、その上に絶縁性のコ−ト材を塗布し加熱乾
燥してコ−ト層を形成してなり、半田耐熱性が２４０℃
以上、そり（曲率半径）が２５ｍｍ以上、錫メッキ液に
よる浸食が１５０μｍ以下であることを特徴とするフレ
キシブル回路基板。
【請求項２】導電体が引張強度１７Ｋｇ／ｍｍ²以上の
銅箔である請求項１記載のフレキシブル回路基板。
【請求項３】コ−ト層がポリマ−成分としてポリイミド
シロキサン系からなる請求項１記載のフレキシブル回路
基板。