JPH09148363A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 増幅回路の発振防止。
【解決手段】 配線基板と、裏面の略全域に導体層を有
し表面を前記配線基板にフェースダウンボンディングに
よって接続される半導体ペレットと、前記導体層と前記
配線基板のグランド電極とを電気的に接続する接続体と
を有し、前記半導体ペレットは半絶縁性基板からなりか
つ増幅回路が形成されていることを特徴とする半導体装
置であって、前記接続体は配線基板の入力信号線近傍の
グランド電極のみに接続されている。前記半導体ペレッ
トの一端側の配線基板部分にそれぞれ複数の入力信号線
とグランド電極が配置され、半導体ペレットの他端側の
配線基板部分にそれぞれ複数の出力信号線とグランド電
極が配置されている。前記接続体はワイヤまたはリボン
で形成されている。
し表面を前記配線基板にフェースダウンボンディングに
よって接続される半導体ペレットと、前記導体層と前記
配線基板のグランド電極とを電気的に接続する接続体と
を有し、前記半導体ペレットは半絶縁性基板からなりか
つ増幅回路が形成されていることを特徴とする半導体装
置であって、前記接続体は配線基板の入力信号線近傍の
グランド電極のみに接続されている。前記半導体ペレッ
トの一端側の配線基板部分にそれぞれ複数の入力信号線
とグランド電極が配置され、半導体ペレットの他端側の
配線基板部分にそれぞれ複数の出力信号線とグランド電
極が配置されている。前記接続体はワイヤまたはリボン
で形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特に超高速で動作するＩＣ等に適用して有効な技術に関
する。
特に超高速で動作するＩＣ等に適用して有効な技術に関
する。
【０００２】
【従来の技術】最近、情報通信の大容量化，高速化に伴
い、超高周波で駆動する増幅器型の半導体装置の開発が
望まれている。超高周波で駆動する増幅器には、低雑音
であること等の理由により、半導体ペレットは半絶縁性
基板であるＧａＡｓ基板を母体としている。
い、超高周波で駆動する増幅器型の半導体装置の開発が
望まれている。超高周波で駆動する増幅器には、低雑音
であること等の理由により、半導体ペレットは半絶縁性
基板であるＧａＡｓ基板を母体としている。
【０００３】また、超高周波で駆動するＩＣでは、従来
から多く用いられているワイヤボンディング方法、すな
わち、配線基板の配線と半導体ペレットの電極とをワイ
ヤで接続するワイヤボンディング法を用いてボンディン
グした場合には、ワイヤの寄生インダクタンスの影響に
より、十分な高周波特性が得られないので、半導体ペレ
ットの表面のバンプ電極を配線基板のランドに直接接続
するいわゆるフェースダウンボンディングを用いること
が主流となりつつある。
から多く用いられているワイヤボンディング方法、すな
わち、配線基板の配線と半導体ペレットの電極とをワイ
ヤで接続するワイヤボンディング法を用いてボンディン
グした場合には、ワイヤの寄生インダクタンスの影響に
より、十分な高周波特性が得られないので、半導体ペレ
ットの表面のバンプ電極を配線基板のランドに直接接続
するいわゆるフェースダウンボンディングを用いること
が主流となりつつある。
【０００４】このような半導体装置においては、特開平
7-14882号公報に示されるように、ＭＥＳＦＥＴ（Meta
l-Semiconductor Field-Effect-Transistor)のサイドゲ
ート耐圧を向上するために、半導体ペレット裏面全域に
設けたメタライズ層の電位をグランド電位に固定する必
要がある。このため、この文献による半導体装置の場合
は、半導体ペレットの裏面のメタライズ層と、配線基板
のグランド電極をワイヤボンディングによるワイヤによ
って接続して半導体ペレットの裏面のメタライズ層の電
位を固定している。
7-14882号公報に示されるように、ＭＥＳＦＥＴ（Meta
l-Semiconductor Field-Effect-Transistor)のサイドゲ
ート耐圧を向上するために、半導体ペレット裏面全域に
設けたメタライズ層の電位をグランド電位に固定する必
要がある。このため、この文献による半導体装置の場合
は、半導体ペレットの裏面のメタライズ層と、配線基板
のグランド電極をワイヤボンディングによるワイヤによ
って接続して半導体ペレットの裏面のメタライズ層の電
位を固定している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記文献記載の半導体
装置では、半導体ペレットの裏面のメタライズ層に対す
るワイヤの接続位置の規定は示されていない。
装置では、半導体ペレットの裏面のメタライズ層に対す
るワイヤの接続位置の規定は示されていない。
【０００６】しかし、本発明者等の検討によると、たと
えば、ワイヤを入出力両方の側にあるグランド電極と接
続すると、グランド電極の電位のゆれが出力側から入力
側に帰還するループができ、入出力間のアイソレーショ
ンが悪くなり、高周波特性、たとえば増幅特性に悪影響
があることが分かった。
えば、ワイヤを入出力両方の側にあるグランド電極と接
続すると、グランド電極の電位のゆれが出力側から入力
側に帰還するループができ、入出力間のアイソレーショ
ンが悪くなり、高周波特性、たとえば増幅特性に悪影響
があることが分かった。
【０００７】すなわち、入出力両方の側からワイヤで電
気的接続を取ると、出力信号によって配線基板のグラン
ド電極の電位が揺れ、その揺れが出力側ボンディングワ
イヤ，裏面メタライズ層，入力側ボンディングワイヤ，
入力側グランド電極，入力側信号線と伝わり、増幅回路
が発振してしまい動作しなくなる。
気的接続を取ると、出力信号によって配線基板のグラン
ド電極の電位が揺れ、その揺れが出力側ボンディングワ
イヤ，裏面メタライズ層，入力側ボンディングワイヤ，
入力側グランド電極，入力側信号線と伝わり、増幅回路
が発振してしまい動作しなくなる。
【０００８】本発明の目的は、高周波特性が良好な半導
体装置を提供することにある。
体装置を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００１１】（１）配線基板と、裏面の略全域に導体層
を有し表面を前記配線基板にフェースダウンボンディン
グによって接続される半導体ペレットと、前記導体層と
前記配線基板のグランド電極とを電気的に接続する接続
体とを有し、前記半導体ペレットは半絶縁性基板からな
りかつ増幅回路が形成されていることを特徴とする半導
体装置であって、前記接続体は配線基板の入力信号線近
傍のグランド電極のみに接続されている。前記半導体ペ
レットの一端側の配線基板部分にそれぞれ複数の入力信
号線とグランド電極が配置され、半導体ペレットの他端
側の配線基板部分にそれぞれ複数の出力信号線とグラン
ド電極が配置されている。前記接続体はワイヤまたはリ
ボンで形成されている。
を有し表面を前記配線基板にフェースダウンボンディン
グによって接続される半導体ペレットと、前記導体層と
前記配線基板のグランド電極とを電気的に接続する接続
体とを有し、前記半導体ペレットは半絶縁性基板からな
りかつ増幅回路が形成されていることを特徴とする半導
体装置であって、前記接続体は配線基板の入力信号線近
傍のグランド電極のみに接続されている。前記半導体ペ
レットの一端側の配線基板部分にそれぞれ複数の入力信
号線とグランド電極が配置され、半導体ペレットの他端
側の配線基板部分にそれぞれ複数の出力信号線とグラン
ド電極が配置されている。前記接続体はワイヤまたはリ
ボンで形成されている。
【００１２】前記（１）の手段によれば、増幅回路のサ
イドゲート耐圧の向上を目的とする半導体ペレット裏面
のメタライズ層と、配線基板のグランド電極とのワイヤ
による接続は、半導体ペレットの一端側の配線基板部分
に形成された入力信号線の側方に位置するグランド電極
のみに接続され、出力信号線の側方に位置するグランド
電極には接続されないことから、出力信号によって配線
基板のグランド電極の電位が揺れても、その揺れをワイ
ヤで前記メタライズ層に伝えることがなくなり、回路の
発振が発生しなくなる。すなわち、本発明の半導体装置
では、従来のような出力信号線，出力側ボンディングワ
イヤ，裏面メタライズ層，入力側ボンディングワイヤ，
入力側グランド電極，入力側信号線と伝わる経路が絶た
れるため、出力信号によって配線基板のグランド電極の
電位が揺れても、その揺れは入力信号線に帰還しないこ
とから回路の発振が発生しなくなり、増幅特性が劣化し
なくなる。
イドゲート耐圧の向上を目的とする半導体ペレット裏面
のメタライズ層と、配線基板のグランド電極とのワイヤ
による接続は、半導体ペレットの一端側の配線基板部分
に形成された入力信号線の側方に位置するグランド電極
のみに接続され、出力信号線の側方に位置するグランド
電極には接続されないことから、出力信号によって配線
基板のグランド電極の電位が揺れても、その揺れをワイ
ヤで前記メタライズ層に伝えることがなくなり、回路の
発振が発生しなくなる。すなわち、本発明の半導体装置
では、従来のような出力信号線，出力側ボンディングワ
イヤ，裏面メタライズ層，入力側ボンディングワイヤ，
入力側グランド電極，入力側信号線と伝わる経路が絶た
れるため、出力信号によって配線基板のグランド電極の
電位が揺れても、その揺れは入力信号線に帰還しないこ
とから回路の発振が発生しなくなり、増幅特性が劣化し
なくなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１４】なお、発明の実施の形態を説明するための
全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。
全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１５】図１は本発明の一実施形態である半導体装
置において、配線基板に実装された半導体ペレットの裏
面メタライズ層とグランド電極とのワイヤボンディング
状態を示す模式的平面図、図２は同じく模式的断面図、
図３は本実施形態の半導体装置を示す断面図である。
置において、配線基板に実装された半導体ペレットの裏
面メタライズ層とグランド電極とのワイヤボンディング
状態を示す模式的平面図、図２は同じく模式的断面図、
図３は本実施形態の半導体装置を示す断面図である。
【００１６】本実施形態の半導体装置においては、図１
および図２の模式的平面図および模式的断面図に示すよ
うに、配線基板１の主面に半導体ペレット２をフェース
ダウンボンディングによって接続した構造となってい
る。
および図２の模式的平面図および模式的断面図に示すよ
うに、配線基板１の主面に半導体ペレット２をフェース
ダウンボンディングによって接続した構造となってい
る。
【００１７】配線基板１の主面には、図１に示すように
配線４が設けられている。この配線４は、信号線（入力
信号線４ａ，出力信号線４ｂ），ハッチングを施した電
源線（低電圧電源２７）および点々を施したグランド電
極（入力側グランド電極２５ａ，出力側グランド電極２
５ｂ）等からなっている。
配線４が設けられている。この配線４は、信号線（入力
信号線４ａ，出力信号線４ｂ），ハッチングを施した電
源線（低電圧電源２７）および点々を施したグランド電
極（入力側グランド電極２５ａ，出力側グランド電極２
５ｂ）等からなっている。
【００１８】本実施形態では、半導体ペレット２の一端
（左端）側の配線基板１部分に入力信号線４ａや入力側
グランド電極２５ａが設けられ、半導体ペレット２の他
端（右端）側の配線基板１部分に出力信号線４ｂや出力
側グランド電極２５ｂが設けられている。これは、入出
力間のクロストークをできるだけ起こさないようにする
ためである。
（左端）側の配線基板１部分に入力信号線４ａや入力側
グランド電極２５ａが設けられ、半導体ペレット２の他
端（右端）側の配線基板１部分に出力信号線４ｂや出力
側グランド電極２５ｂが設けられている。これは、入出
力間のクロストークをできるだけ起こさないようにする
ためである。
【００１９】半導体ペレット２の電極パッド１５は、バ
ンプ電極２６を介して配線基板１の配線４のランド５に
電気的に接続されている。前記ランド５は入力信号線４
ａ，出力信号線４ｂ，低電圧電源２７等に続いている。
ンプ電極２６を介して配線基板１の配線４のランド５に
電気的に接続されている。前記ランド５は入力信号線４
ａ，出力信号線４ｂ，低電圧電源２７等に続いている。
【００２０】本実施形態の配線基板１では、配線基板１
の左側に入力信号線４ａと入力側グランド電極２５ａが
配設され、配線基板１の右側に出力信号線４ｂと出力側
グランド電極２５ｂが配設されている。そして、半導体
ペレット２の裏面に設けられたメタライズ層（裏面メタ
ライズ層）１０２と、入力側グランド電極２５ａとが、
導電性のワイヤ（接続体）１０１で接続されている。
の左側に入力信号線４ａと入力側グランド電極２５ａが
配設され、配線基板１の右側に出力信号線４ｂと出力側
グランド電極２５ｂが配設されている。そして、半導体
ペレット２の裏面に設けられたメタライズ層（裏面メタ
ライズ層）１０２と、入力側グランド電極２５ａとが、
導電性のワイヤ（接続体）１０１で接続されている。
【００２１】半導体ペレット２は半絶縁性のＧａＡｓ基
板からなり、ＭＥＳＦＥＴ等によって増幅回路が構成さ
れている。半絶縁性ＧａＡｓ基板の裏面に設けたメタラ
イズ層１０２をワイヤ１０１を介して入力側グランド電
極２５ａに接続することによって、ＭＥＳＦＥＴのサイ
ドゲート耐圧を向上させることができる。
板からなり、ＭＥＳＦＥＴ等によって増幅回路が構成さ
れている。半絶縁性ＧａＡｓ基板の裏面に設けたメタラ
イズ層１０２をワイヤ１０１を介して入力側グランド電
極２５ａに接続することによって、ＭＥＳＦＥＴのサイ
ドゲート耐圧を向上させることができる。
【００２２】また、メタライズ層１０２をグランド電位
に固定する際、半導体ペレット２の左側の配線基板１部
分の入力側グランド電極２５ａにのみワイヤ１０１を接
続するため、配線基板１の出力側グランド電極２５ｂの
電位の揺れの影響を受けることなく増幅回路が動作す
る。
に固定する際、半導体ペレット２の左側の配線基板１部
分の入力側グランド電極２５ａにのみワイヤ１０１を接
続するため、配線基板１の出力側グランド電極２５ｂの
電位の揺れの影響を受けることなく増幅回路が動作す
る。
【００２３】すなわち、出力信号線４ｂの側方に設けら
れる出力側グランド電極２５ｂにはワイヤ１０１が接続
されないことから、出力信号線４ｂの電位の揺れが発生
しても、ワイヤが接続されていないことから、メタライ
ズ層１０２には電位の揺れが発生しなくなり、入力側グ
ランド電極２５ａに電位の揺れが起きなくなる。この結
果、増幅回路は発振を起こすこともなく増幅特性に劣化
を生じなくなる。
れる出力側グランド電極２５ｂにはワイヤ１０１が接続
されないことから、出力信号線４ｂの電位の揺れが発生
しても、ワイヤが接続されていないことから、メタライ
ズ層１０２には電位の揺れが発生しなくなり、入力側グ
ランド電極２５ａに電位の揺れが起きなくなる。この結
果、増幅回路は発振を起こすこともなく増幅特性に劣化
を生じなくなる。
【００２４】前記メタライズ層１０２は、ＧａＡｓ基板
側からＡｕ−Ｇｅ（６０ｎｍ）／Ｍｏ（３００ｎｍ）／
Ａｕ（１０００ｎｍ）の順にメタライズされている。Ａ
ｕ−ＧｅはＧａＡｓとその上のメタライズとのオーミッ
ク接続を取るために設けられている。また、ＭｏはＧａ
Ａｓ中のＧａのＡｕ層への拡散を防止し、Ａｕのボンダ
ビリティ低下を防止する役割を果たす。
側からＡｕ−Ｇｅ（６０ｎｍ）／Ｍｏ（３００ｎｍ）／
Ａｕ（１０００ｎｍ）の順にメタライズされている。Ａ
ｕ−ＧｅはＧａＡｓとその上のメタライズとのオーミッ
ク接続を取るために設けられている。また、ＭｏはＧａ
Ａｓ中のＧａのＡｕ層への拡散を防止し、Ａｕのボンダ
ビリティ低下を防止する役割を果たす。
【００２５】つぎに、本実施形態による半導体装置の具
体的構造について、図３を参照しながら説明する。
体的構造について、図３を参照しながら説明する。
【００２６】図３に示すように、本実施形態の半導体装
置は、金属ベース１２を下面に貼り付けた配線基板１
と、配線基板１の上面に固定された配線基板１よりは外
径が小さい枠上のダム枠１８と、前記ダム枠１８の外側
の配線基板１の上面に一端が固定されたリード９と、ダ
ム枠１８の内側の配線基板１の上面にＣＣＢ（Controll
ed Collapse Bond) 法を用いてフェースダウンボンディ
ングされた半導体ペレット２と、前記ダム枠１８を塞ぐ
キャップ３とからなっている。また、前記半導体ペレッ
ト２の裏面にはメタライズ層１０２が設けられ、このメ
タライズ層１０２はワイヤ１０１を介して前述のように
入力側グランド電極２５ａに接続されている。
置は、金属ベース１２を下面に貼り付けた配線基板１
と、配線基板１の上面に固定された配線基板１よりは外
径が小さい枠上のダム枠１８と、前記ダム枠１８の外側
の配線基板１の上面に一端が固定されたリード９と、ダ
ム枠１８の内側の配線基板１の上面にＣＣＢ（Controll
ed Collapse Bond) 法を用いてフェースダウンボンディ
ングされた半導体ペレット２と、前記ダム枠１８を塞ぐ
キャップ３とからなっている。また、前記半導体ペレッ
ト２の裏面にはメタライズ層１０２が設けられ、このメ
タライズ層１０２はワイヤ１０１を介して前述のように
入力側グランド電極２５ａに接続されている。
【００２７】本実施形態の半導体装置は、半導体ペレッ
ト２は半絶縁性ＧａＡｓ基板で形成され、図示はしない
がＭＥＳＦＥＴ等によって増幅回路が形成されている。
そして、ＭＥＳＦＥＴのサイドゲート耐圧の向上を図る
ため、半絶縁性ＧａＡｓ基板の裏面にメタライズ層を設
けるとともに、このメタライズ層をグランド電極に電気
的に接続して電位の固定を図っている。
ト２は半絶縁性ＧａＡｓ基板で形成され、図示はしない
がＭＥＳＦＥＴ等によって増幅回路が形成されている。
そして、ＭＥＳＦＥＴのサイドゲート耐圧の向上を図る
ため、半絶縁性ＧａＡｓ基板の裏面にメタライズ層を設
けるとともに、このメタライズ層をグランド電極に電気
的に接続して電位の固定を図っている。
【００２８】配線基板１は、セラミック板からなる多層
配線基板構造となり、たとえば、下面にはグランドメタ
ライズ１１が設けられている。そしてこのグランドメタ
ライズ１１にろう材１３を介して金属ベース１２が貼り
付けられている。金属ベース１２は放散板となり、グラ
ンド電位に保持される。
配線基板構造となり、たとえば、下面にはグランドメタ
ライズ１１が設けられている。そしてこのグランドメタ
ライズ１１にろう材１３を介して金属ベース１２が貼り
付けられている。金属ベース１２は放散板となり、グラ
ンド電位に保持される。
【００２９】配線基板１の上面には、配線４が設けられ
る。この配線４は、同図では図示しないが、図１と同様
に入力信号線４ａ，出力信号線４ｂ，低電圧電源２７，
入力側グランド電極２５ａ，出力側グランド電極２５ｂ
等を構成する。また、半導体ペレット２をフェースダウ
ンボンディングで接続するランド５等も設けられてい
る。ランド５上にはＡｕランド１４が設けられている。
る。この配線４は、同図では図示しないが、図１と同様
に入力信号線４ａ，出力信号線４ｂ，低電圧電源２７，
入力側グランド電極２５ａ，出力側グランド電極２５ｂ
等を構成する。また、半導体ペレット２をフェースダウ
ンボンディングで接続するランド５等も設けられてい
る。ランド５上にはＡｕランド１４が設けられている。
【００３０】配線基板１の上面側の配線４は、図１に示
すように、半導体ペレット２の左側部分に入力信号線４
ａ，入力側グランド電極２５ａが設けられ、半導体ペレ
ット２の右側部分に出力信号線４ｂ，出力側グランド電
極２５ｂが設けられている。これは、入出力間のクロス
トークをできるだけ発生させないためである。
すように、半導体ペレット２の左側部分に入力信号線４
ａ，入力側グランド電極２５ａが設けられ、半導体ペレ
ット２の右側部分に出力信号線４ｂ，出力側グランド電
極２５ｂが設けられている。これは、入出力間のクロス
トークをできるだけ発生させないためである。
【００３１】また、配線基板１の中層には電源配線７や
グランド配線６が設けられている。グランド配線６や電
源配線７は、スルーホール８を介して所定の高さ位置の
配線と接続されている。
グランド配線６が設けられている。グランド配線６や電
源配線７は、スルーホール８を介して所定の高さ位置の
配線と接続されている。
【００３２】セラミック体で形成されるダム枠１８は、
ダム枠１８の下面でろう材１９を介して配線基板１の上
面に固定される。また、リード９の一端はろう材１０を
介して配線基板１の配線４（端子）に固定されている。
ダム枠１８の下面でろう材１９を介して配線基板１の上
面に固定される。また、リード９の一端はろう材１０を
介して配線基板１の配線４（端子）に固定されている。
【００３３】半導体ペレット２は、その表面側に設けた
電極パッド１５が、Ａｕボール１６を介して配線基板１
の配線４のＡｕランド１４にフェースダウンボンディン
グによって固定されている。
電極パッド１５が、Ａｕボール１６を介して配線基板１
の配線４のＡｕランド１４にフェースダウンボンディン
グによって固定されている。
【００３４】半導体ペレット２の裏面のメタライズ層１
０２は、ワイヤ１０１を介して入力側グランド電極２５
ａに電気的に接続されている。
０２は、ワイヤ１０１を介して入力側グランド電極２５
ａに電気的に接続されている。
【００３５】キャップ３はセラミック板からなり、ダム
枠１８の上面に設けられたメタライズ２０にろう材１９
を介して気密的に接続されている。
枠１８の上面に設けられたメタライズ２０にろう材１９
を介して気密的に接続されている。
【００３６】本実施形態の半導体装置においては、半導
体ペレット２（半絶縁性ＧａＡｓ基板）の裏面に設けら
れたメタライズ層１０２は、ワイヤ１０１を介して入力
側グランド電極２５ａにのみ接続され、出力側グランド
電極２５ｂには接続されない構造となることから、出力
信号線４ｂの電位の揺れの影響が、出力側グランド電
極，ワイヤ，メタライズ層，ワイヤ，入力側グランド電
極と伝わる経路が絶たれるため、増幅回路の発振（クロ
ストーク）が発生しなくなり、増幅特性の劣化が抑止で
きる。
体ペレット２（半絶縁性ＧａＡｓ基板）の裏面に設けら
れたメタライズ層１０２は、ワイヤ１０１を介して入力
側グランド電極２５ａにのみ接続され、出力側グランド
電極２５ｂには接続されない構造となることから、出力
信号線４ｂの電位の揺れの影響が、出力側グランド電
極，ワイヤ，メタライズ層，ワイヤ，入力側グランド電
極と伝わる経路が絶たれるため、増幅回路の発振（クロ
ストーク）が発生しなくなり、増幅特性の劣化が抑止で
きる。
【００３７】図４〜図６は、本実施形態の半導体装置と
従来の半導体装置の特性測定結果を示すグラフであり、
図４は入出力間クロストークと周波数との相関を示すグ
ラフ、図５は入出力ＶＳＷＲと周波数との相関を示すグ
ラフ、図６は増幅特性と周波数との相関を示すグラフで
ある。
従来の半導体装置の特性測定結果を示すグラフであり、
図４は入出力間クロストークと周波数との相関を示すグ
ラフ、図５は入出力ＶＳＷＲと周波数との相関を示すグ
ラフ、図６は増幅特性と周波数との相関を示すグラフで
ある。
【００３８】図４の入出力間クロストークと周波数との
相関を示すグラフから分かるように、半導体ペレットの
裏面に設けたメタライズ層とグランド電極とを接続する
ワイヤを入力側グランド電極や出力側グランド電極に接
続する従来の半導体装置の場合は、８ＧＨｚ付近に共振
が発生したが、本実施形態の半導体装置の場合は共振は
発生せず、徐々にクロストークが大きくなっている。
相関を示すグラフから分かるように、半導体ペレットの
裏面に設けたメタライズ層とグランド電極とを接続する
ワイヤを入力側グランド電極や出力側グランド電極に接
続する従来の半導体装置の場合は、８ＧＨｚ付近に共振
が発生したが、本実施形態の半導体装置の場合は共振は
発生せず、徐々にクロストークが大きくなっている。
【００３９】前記共振が発生すると、図５に示すよう
に、入力ＶＳＷＲ（Voltage StandingWave Ratio:電圧
定在波比）が大きくなり、図６に示すように、増幅特性
（ｄＢ）が悪くなるが、本実施形態の半導体装置の場合
は、共振が発生しないことから、入力ＶＳＷＲも周波数
相応の大きさとなるとともに、増幅特性（ｄＢ）の劣化
も生じなくなる。
に、入力ＶＳＷＲ（Voltage StandingWave Ratio:電圧
定在波比）が大きくなり、図６に示すように、増幅特性
（ｄＢ）が悪くなるが、本実施形態の半導体装置の場合
は、共振が発生しないことから、入力ＶＳＷＲも周波数
相応の大きさとなるとともに、増幅特性（ｄＢ）の劣化
も生じなくなる。
【００４０】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえ
ば、前記メタライズ層と入力側グランド電極との接続は
リボンボンディングによってもよい。
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえ
ば、前記メタライズ層と入力側グランド電極との接続は
リボンボンディングによってもよい。
【００４１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００４２】（１）半導体ペレット裏面のメタライズ層
と、配線基板のグランド電極とのワイヤによる接続は、
半導体ペレットの一端側の配線基板部分に形成された入
力信号線の側方に位置するグランド電極のみに接続さ
れ、出力信号線の側方に位置するグランド電極には接続
されないことから、出力信号によって配線基板のグラン
ド電極の電位が揺れても、その揺れをワイヤで前記メタ
ライズ層に伝えることがなくなり、回路の発振（クロス
トーク）が発生しなくなり、増幅特性の劣化が抑止でき
る。
と、配線基板のグランド電極とのワイヤによる接続は、
半導体ペレットの一端側の配線基板部分に形成された入
力信号線の側方に位置するグランド電極のみに接続さ
れ、出力信号線の側方に位置するグランド電極には接続
されないことから、出力信号によって配線基板のグラン
ド電極の電位が揺れても、その揺れをワイヤで前記メタ
ライズ層に伝えることがなくなり、回路の発振（クロス
トーク）が発生しなくなり、増幅特性の劣化が抑止でき
る。
【図１】本発明の一実施形態である半導体装置におい
て、配線基板に実装された半導体ペレットの裏面メタラ
イズ層とグランド電極とのワイヤボンディング状態を示
す模式的平面図である。
て、配線基板に実装された半導体ペレットの裏面メタラ
イズ層とグランド電極とのワイヤボンディング状態を示
す模式的平面図である。
【図２】本実施形態の半導体装置において、配線基板に
実装された半導体ペレットの裏面メタライズ層とグラン
ド電極とのワイヤボンディング状態を示す模式的断面図
である。
実装された半導体ペレットの裏面メタライズ層とグラン
ド電極とのワイヤボンディング状態を示す模式的断面図
である。
【図３】本実施形態の半導体装置を示す断面図である。
【図４】本実施形態の半導体装置における入出力間クロ
ストークと周波数との相関を示すグラフである。
ストークと周波数との相関を示すグラフである。
【図５】本実施形態の半導体装置における入出力ＶＳＷ
Ｒと周波数との相関を示すグラフである。
Ｒと周波数との相関を示すグラフである。
【図６】本実施形態の半導体装置における増幅特性と周
波数との相関を示すグラフである。
波数との相関を示すグラフである。
１…配線基板、２…半導体ペレット、３…キャップ、４
…配線、４ａ…入力信号線、４ｂ…出力信号線、５…ラ
ンド、６…グランド配線、７…電源配線、８…スルーホ
ール、９…リード、１０…ろう材、１１…グランドメタ
ライズ、１２…金属ベース、１３…ろう材、１４…Ａｕ
ランド、１５…電極パッド、１６…Ａｕボール、１８…
ダム枠、１９…ろう材、２０…メタライズ、２５…グラ
ンド電極、２５ａ…入力側グランド電極、２５ｂ…出力
側グランド電極、２６…バンプ電極、２７…低電圧電
源、１０１…接続体（ワイヤ）、１０２…裏面メタライ
ズ層。
…配線、４ａ…入力信号線、４ｂ…出力信号線、５…ラ
ンド、６…グランド配線、７…電源配線、８…スルーホ
ール、９…リード、１０…ろう材、１１…グランドメタ
ライズ、１２…金属ベース、１３…ろう材、１４…Ａｕ
ランド、１５…電極パッド、１６…Ａｕボール、１８…
ダム枠、１９…ろう材、２０…メタライズ、２５…グラ
ンド電極、２５ａ…入力側グランド電極、２５ｂ…出力
側グランド電極、２６…バンプ電極、２７…低電圧電
源、１０１…接続体（ワイヤ）、１０２…裏面メタライ
ズ層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/338 9447−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 29/80 Ｇ 29/812 9447−4Ｍ Ｐ // Ｈ０５Ｋ 1/18 (72)発明者 新井 満 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 配線基板と、裏面の略全域に導体層を有
し表面を前記配線基板にフェースダウンボンディングに
よって接続される半導体ペレットと、前記導体層と前記
配線基板のグランド電極とを電気的に接続する接続体と
を有し、前記半導体ペレットは半絶縁性基板からなりか
つ増幅回路が形成されていることを特徴とする半導体装
置であって、前記接続体は配線基板の入力信号線近傍の
グランド電極のみに接続されていることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】 前記半導体ペレットの一端側の配線基板
部分にそれぞれ複数の入力信号線とグランド電極が配置
され、半導体ペレットの他端側の配線基板部分にそれぞ
れ複数の出力信号線とグランド電極が配置されているこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記接続体はワイヤまたはリボンで形成
されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7303985A JPH09148363A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7303985A JPH09148363A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148363A true JPH09148363A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17927659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7303985A Withdrawn JPH09148363A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148363A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013217856A (ja) * | 2012-04-11 | 2013-10-24 | Seiko Epson Corp | センサーデバイスおよび電子機器 |
-
1995
- 1995-11-22 JP JP7303985A patent/JPH09148363A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013217856A (ja) * | 2012-04-11 | 2013-10-24 | Seiko Epson Corp | センサーデバイスおよび電子機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030204 |