JPH09146286A

JPH09146286A - 基板露光装置における位置合わせマーク検出パラメータ自動設定方法

Info

Publication number: JPH09146286A
Application number: JP7325229A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Yoshitake; 竹弘吉; Takashi Nirei; 井享司楡; Fusae Matsumoto; 本房重松
Original assignee: Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 1995-11-21
Filing date: 1995-11-21
Publication date: 1997-06-06

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】基板露光装置において、マスクとガラス基板
との位置合わせに際し、位置合わせマークを検出するた
めの検出パラメータを自動的に最適値に設定する。【解決手段】マスク及びガラス基板の位置合わせ用の
マークを照明する光量とそのマークを見い出す光学系の
焦点位置とそれを介してマーク像の検出信号のしきい値
とを初期値として設定し、照明光量を変更しマーク像の
検出信号の最大値が信号レンジの半分以上になるような
照明光量を求め、光学系の焦点位置をマスクとガラス基
板との間で変更し検出信号の微分信号及び原信号にてマ
スクの信号とガラス基板の信号の高さの差が小さくなる
焦点位置を求め、検出信号の微分信号に対するしきい値
を上限から下限まで変更し認識可能なしきい値範囲を求
めてこの上限と下限の中間値をしきい値とし、位置合わ
せマーク検出パラメータの最適値とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マスクに形成され
た配線パターンをガラス基板に焼き付ける基板露光装置
において上記マスクとガラス基板との位置合わせに際し
それぞれの位置合わせマークを確実に検出するための検
出パラメータを設定する方法に関し、特に上記検出パラ
メータを最適値に設定する処理を自動的に行う位置合わ
せマーク検出パラメータ自動設定方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板露光装置は、図２に示すように、配
線パターンが形成されたマスク１をマスクチャック２で
支持し、このマスク１の下方にはガラス基板３を基板チ
ャック４の上面に載せて保持すると共に、その基板チャ
ック４を上昇させて上記ガラス基板３の上面とマスク１
の下面との間に所定のギャップｇをあけて位置合わせを
し、上記マスク１の上方から露光用の光を照射して該マ
スク１に形成された配線パターンを上記ガラス基板３に
焼き付けるようになっている。なお、図２において、符
号５ａ，５ｂ，５ｃは上記基板チャック４の傾きを調整
するチルト機構を示し、符号６は上記チルト機構５ａ〜
５ｃを支持して上昇下降する支持部材を示している。

【０００３】そして、このような基板露光装置におい
て、上記マスク１とガラス基板３との位置合わせに際し
それぞれの位置合わせマークを確実に検出するための検
出パラメータを設定するには、位置合わせ用のマークを
照明する光量とそのマークを見い出す光学系の焦点位置
とその光学系を介してマーク像を検出する検出信号のし
きい値との三つのパラメータを、総て操作者が自ら判断
して手動で設定していた。すなわち、図３（ａ）に示す
ように、マスク１の対向する両側辺部の中央部には井桁
状の位置合わせ用のマーク８が付されており、ガラス基
板３の対向する両側辺部の中央部にはクロス状の位置合
わせ用のマーク９が付されており、図３(ｂ）に示すよ
うに、上面から見た状態でマスク１の位置合わせ用のマ
ーク８の中心にガラス基板３の位置合わせ用のマーク９
が正しく合致するのが確実に見えるように上記三つのパ
ラメータについて判断し手動で設定していた。なお、上
記ガラス基板３は、図３（ｂ）において、ｘ方向にて矢
印Ａ，Ｂのように順次搬送され、上記マスク１の下面側
で該マスク１に位置合わせされるようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の基板露光装置における位置合わせマークの検出パラ
メータの設定方法においては、操作者が総て判断して手
動で設定していたので、次のような問題があった。すな
わち、マスク１の位置合わせ用のマーク８及びガラス基
板３の位置合わせ用のマーク９を照明する光源の光量
は、マスク１とガラス基板３との位置合わせのプロセス
によって微妙に異なる。また、それぞれのマーク８，９
を見い出すときの光学系の焦点位置は、マスク１とガラ
ス基板３との間のどの位置にするのが良いかもプロセス
によって上記それぞれのマーク８，９のコントラストが
異なることから、一様には決められない。さらに、上記
光学系を介してマーク像を検出する検出信号のしきい値
も、位置合わせのプロセスによって異なってくる。これ
らの状況においては、操作者が総て自ら判断して位置合
わせマークの検出パラメータを手動で設定するのは困難
であった。従って、設定したパラメータが操作者によっ
てバラツキがあったり、そのパラメータの最適値が分か
らず設定精度が低いものであった。このことから、それ
ぞれの位置合わせ用のマーク８，９の検出不良となり、
マスク１とガラス基板３との位置合わせがうまくでき
ず、装置がエラー停止となることがあった。

【０００５】そこで、本発明は、このような問題点に対
処し、マスクとガラス基板との位置合わせに際し、それ
ぞれの位置合わせマークを検出するための検出パラメー
タを最適値に設定する処理を自動的に行う位置合わせマ
ーク検出パラメータ自動設定方法を提供することを目的
とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による基板露光装置における位置合わせマー
ク検出パラメータ自動設定方法は、配線パターンが形成
されたマスクをマスクチャックで支持し、このマスクの
下方にはガラス基板を基板チャックに載せて保持すると
共に上記マスクの下面とガラス基板の上面との間に所定
のギャップをあけて位置合わせをし、上記マスクの上方
から露光用の光を照射して該マスクに形成された配線パ
ターンを上記ガラス基板に焼き付ける基板露光装置にお
いて、上記マスクとガラス基板との位置合わせに際し、
まず該マスク及びガラス基板のそれぞれに付された位置
合わせ用のマークを照明する光量とそのマークを見い出
す光学系の焦点位置とその光学系を介してマーク像を検
出する検出信号のしきい値とは装置にセットされたそれ
らの標準値を初期値として設定し、次に上記照明光量を
変更しマーク像の検出信号の最大値が信号レンジの半分
以上の所定値になるような照明光量を求め、次に上記光
学系の焦点位置をマスクとガラス基板との間で変更し上
記検出信号の微分信号及び原信号にてマスクの信号とガ
ラス基板の信号の高さの差が小さくなる焦点位置を求
め、次に上記検出信号の微分信号に対するしきい値を上
限から下限まで変更し認識可能なしきい値範囲を求めて
この上限と下限の中間値をしきい値とし、このように求
めた照明光量と焦点位置としきい値とを位置合わせマー
ク検出パラメータの最適値として登録するものである。

【０００７】また、上記のように求めた照明光量と焦点
位置としきい値とを位置合わせマーク検出パラメータの
最適値として登録する前に、これらの値を初期値として
再度上記と同様にして照明光量を求め、焦点位置を求
め、しきい値を求めた後に、これらの値を最終的な位置
合わせマーク検出パラメータの最適値として登録するも
のとしてもよい。

【０００８】さらに、上記のように求めた照明光量と焦
点位置としきい値とを位置合わせマーク検出パラメータ
の最適値として登録した後に、その後の動作にて上記位
置合わせ用のマークの検出不良時には、上記登録した現
時点でのパラメータの値を読み出し新たな初期値として
設定し、再度上記と同様にして照明光量を求め、焦点位
置を求め、しきい値を求めてこれらの値を新たな位置合
わせマーク検出パラメータの最適値として登録するもの
としてもよい。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明による基
板露光装置における位置合わせマーク検出パラメータ自
動設定方法が適用される基板露光装置を示すシステム構
成図であり、図２は本発明の位置合わせマーク検出パラ
メータ自動設定方法を説明するためのフローチャートで
あり、図３は上記基板露光装置の基板チャック部を示す
要部断面図である。

【００１０】まず、基板露光装置は図１に示すように構
成されており、図において、基板露光部１５と露光制御
部１６とから成る。基板露光部１５は、近接又は密着状
態で平行に置かれたマスク１と、ガラス基板３と、これ
らの上方に配置された二つの観測光学系１７ａ，１７ｂ
とを有している。上記ガラス基板３は、通常、Ｘ，Ｙ方
向に移動すると共にθ方向に回転するＸ−Ｙ−θステー
ジ１８上に一体化された表面が平面状の基板チャック上
に、負圧吸着などによって平坦な状態で保持されてい
る。そして、上記マスク１には位置合わせ用のマーク８
ａ，８ｂが左右両側に設けられ、ガラス基板３にも位置
合わせ用のマーク９ａ，９ｂが左右両側に設けられてい
る。

【００１１】上記位置合わせ用のマーク８ａ，８ｂ；９
ａ，９ｂの合致状態を検出するのが、上述の二つの観測
光学系１７ａ，１７ｂである。それぞれの観測光学系１
７ａ，１７ｂは、上記マスク１とガラス基板３とに白色
光を照射する投光器１９ａ，１９ｂを有し、ミラー２０
ａ，２０ｂ及び対物レンズ２１ａ，２１ｂを介してマス
ク１及びガラス基板３に光を照射し、それぞれの位置合
わせ用のマーク８ａ，８ｂ；９ａ，９ｂのパターンから
の反射光が光検出部２２ａ，２２ｂで受光される。この
光検出部２２ａ，２２ｂは、それぞれ二つのイメージセ
ンサ２３₁，２３₂；２４₁，２４₂を有し、各イメージセ
ンサ２３₁，２３₂；２４₁，２４₂上に上記位置合わせ用
のマーク８ａ，８ｂ；９ａ，９ｂが結像し、この結像し
た映像信号のパターンによりガラス基板３とマスク１と
の位置合わせが行われる。

【００１２】上記各イメージセンサ２３₁，２３₂；２４
₁，２４₂で検出した位置合わせ用のマークの検出信号
は、露光制御部１６のＡ／Ｄ変換器２５にそれぞれ入力
して特定の周期でサンプリングされ、ディジタル化され
た値が画像データとして画像メモリ２６に入力される。
この画像メモリ２６に書き込まれた各イメージセンサ２
３₁，２３₂；２４₁，２４₂で検出した信号の画像データ
は、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）２７によりバス２８
を介して読み出される。そして、メモリ２９に記憶され
た微分演算処理プログラムＰ₁，重み算出プログラム
Ｐ₂，強調演算処理プログラムＰ₃が順次起動されて、Ｍ
ＰＵ２７が画像メモリ２６の各画素データに対して、後
述の強調パターンデータ発生処理やパターン抽出判定処
理を行う。

【００１３】上記各プログラムＰ₁，Ｐ₂，Ｐ₃で強調さ
れた微分画像データは、新しいパターンデータとして一
旦メモリ２９のデータ領域ＤＥに記憶され、次に位置ず
れ判定処理プログラムＰ₄が起動されて、抽出された強
調微分値からパターン部分を検出し、ガラス基板３側の
位置合わせ用のマーク９ａ，９ｂがマスク１側の位置合
わせ用のマーク８ａ，８ｂの中央にあるか否かを、パタ
ーンの中央位置からのずれ量として算出する。これによ
り、位置ずれ判定処理がなされ、この判定の結果に応じ
て所定以上の位置ずれがあるときは、バス２８及びイン
タフェース（Ｉ／Ｆ）３０を介して、Ｘ−Ｙ−θステー
ジ駆動回路３１に位置ずれを補正するような出力信号を
ＭＰＵ２７が出力し、Ｘ−Ｙ−θステージ１８のＸ，Ｙ
ステージの位置がずれのない方向へと調整される。その
結果、ガラス基板３がＸ，Ｙ方向へ移動してそのずれ量
が補正される。

【００１４】次に、この位置決め状態での新しい位置合
わせパターン信号をイメージセンサ２３₁，２３₂；２４
₁，２４₂から得て、上述の処理を繰り返し、位置ずれが
なくなるまでこのような処理を行う。以上のようにして
ガラス基板３とマスク１とのオートアライメントが行わ
れ、位置ずれ判定の結果、位置ずれ量が所定の許容範囲
内であると判定されたときに、上記ガラス基板３に対す
る露光処理に移行する。

【００１５】なお、図１において、符号３２はホストコ
ンピュータとしてのマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）を示
し、符号３３はインタフェース（Ｉ／Ｆ）を示し、符号
３４は画像を表示するディスプレイを示し、符号３５は
各種の操作入力を行うキーボードを示している。そし
て、ホストコンピュータとしてのＭＰＵ３２上で検出パ
ラメータの設定を行い、メモリ２９のパラメータ領域Ｐ
Ｅに記録し、前述の他のＭＰＵ２７で装置制御部の動作
を制御するようになっている。なお、図１に示す二つの
観測光学系１７ａ，１７ｂは、反射型の検出系として示
したが、これに限らず透過型の検出系としてもよい。

【００１６】次に、図３において、基板チャック４は、
その上面に大型（例えば400mm×400mm程度）のガラス基
板３を載せて保持するもので、上昇下降可能とされた支
持部材６の上面に設けられた例えば３本のチルト機構５
ａ，５ｂ，５ｃによって傾きが調整されるようになって
いる。そして、この基板チャック４の上面には、例えば
電子回路の回路基板を構成する大型のガラス基板３が真
空吸着等により保持される。

【００１７】上記基板チャック４の上方には、マスクチ
ャック２が設けられている。このマスクチャック２は、
その上面に大型（例えば400mm×400mm以上）のマスク１
を支持するもので、例えば矩形状に形成されると共に、
その中央部のマスク支持部には光透過用の例えば矩形状
の切欠窓７が穿設されている。そして、このマスクチャ
ック２の上面には、上記ガラス基板３に焼き付ける配線
パターンが形成された大型のマスク１が上記切欠窓７の
縁部にその外周縁を載せて支持される。

【００１８】次に、このような基板露光装置における位
置合わせマーク検出パラメータ自動設定方法について、
図２を参照して説明する。図２は、本発明の方法の手順
を示すフローチャートである。まず、図４に示すマスク
１及びガラス基板３のそれぞれに付された位置合わせ用
のマーク８，９を照明する光源（図示せず）の光量と、
そのマーク８，９を見い出す顕微鏡などの光学系の焦点
位置と、その光学系を介してマーク像を検出する検出信
号のしきい値とは、予め装置にセットされたそれらの標
準値を初期値として設定する（ステップ）。この状態
を起点として、位置合わせマークの検出パラメータの最
適値を自動設定する動作が開始される。

【００１９】次に、上記光源の照明光量を変更し、マー
ク像の検出信号の最大値が信号レンジの半分以上の所定
値になるような照明光量を求める（ステップ）。すな
わち、マーク像の検出信号の原信号において、図５
（ａ）に示すように、図４（ａ）に示すマスク１の位置
合わせ用のマーク８の反射光信号として符号１０で示す
ように立ち上がる検出信号があり、ガラス基板３の位置
合わせ用のマーク９の反射光信号として符号１１で示す
ように立ち上がる検出信号があるとする。そして、この
マーク像の検出信号の信号レンジが例えば最大で５Ｖあ
るとすると、上記それぞれの検出信号１０，１１が最大
信号レンジの例えば70〜80％となるように照明光量を変
更し、そのときの照明光量を求める。

【００２０】次に、上記光学系の焦点位置を図３に示す
マスク１とガラス基板３との間で変更し、上記各検出信
号１０，１１の微分信号及び原信号にてマスク１の信号
とガラス基板３の信号の高さの差が小さくなる焦点位置
を求める（ステップ）。すなわち、図５（ｂ）に示す
ように、図５（ａ）に示すマーク像の検出信号１０，１
１について微分し、マーク８の検出信号１０について微
分した信号として符号１０′で示す微分信号があり、マ
ーク９の検出信号１１について微分した信号として符号
１１′で示す微分信号があるとする。そして、これらの
微分信号１０′，１１′の高さｈ₁，ｈ₂を求め、マスク
１のマーク８についての微分信号１０′とガラス基板３
のマーク９についての微分信号１１′との高さの差Δｈ
（＝ｈ₁−ｈ₂）が小さくなる焦点位置を求める。同様に
して、図５（ａ）に示すマスク１のマーク８についての
検出信号１０（原信号）とガラス基板３のマーク９につ
いての検出信号１１（原信号）とに対してもその高さの
差が小さくなる焦点位置を求める。

【００２１】次に、上記検出信号１０，１１についての
微分信号１０′，１１′に対するしきい値を上限から下
限まで変更し、認識可能なしきい値範囲を求めてこの上
限と下限の中間値をしきい値とする（ステップ）。す
なわち、図５（ｃ）に示すように、図５（ｂ）に示す微
分信号１０′，１１′の高さｈ₁，ｈ₂が変化した場合で
も各微分信号１０′，１１′を認識可能とするため、し
きい値を上限Ｔh₁から下限Ｔh₂まで変更して認識可能な
しきい値範囲を求め、この上限のしきい値Ｔh₁と下限の
しきい値Ｔh₂の中間値をこの場合のしきい値Ｔhとす
る。例えば、上限のしきい値Ｔh₁を70％とし、下限のし
きい値Ｔh₂を10％とすると、となる。

【００２２】以上のステップ，，により、照明光
量と、焦点位置と、しきい値とが求まり、このように求
めたそれぞれの値は、位置合わせマーク検出パラメータ
の一応の最適値となる。その後、ステップで繰り返し
実行するかどうか判断し、上記のように求めた一応の最
適値で十分な場合は“NO”側へ進み、ステップに入
る。そして、上記のように求めた照明光量と焦点位置と
しきい値とを、位置合わせマーク検出パラメータの最適
値として登録する。これにより、上記検出パラメータを
最適値に設定する処理が自動的に行われる。

【００２３】一方、前述のように求めた一応の最適値の
精度を向上する場合は、ステップは“YES”側へ進ん
でステップへ戻り、ステップ→→を繰り返す。
これにより、前述のように求めた検出パラメータを初期
値として再度前述と同様にして、照明光量を求め、焦点
位置を求め、しきい値を求める。その後、再度ステップ
で繰り返し実行するかどうか判断する。今回の繰り返
し実行により、前回求めた一応の最適値の精度も向上し
てこれで十分な場合は“NO”側へ進み、ステップに入
る。そして、上記のように求めた照明光量と焦点位置と
しきい値とを、最終的な位置合わせマーク検出パラメー
タの最適値として登録する。なお、上記ステップによ
る繰り返し実行の回数は、２回でも３回でもよい。

【００２４】図６は、本発明による方法の他の実施形態
を説明するためのフローチャートである。この実施形態
による手順は、図２に示す実施形態の手順に対し、ステ
ップの次にステップを付加したものである。この実
施形態は、図３に示す基板露光装置において、マスク１
に対してガラス基板３を順次位置合わせする動作を実行
しながら、上記ガラス基板３のバラツキ等により位置合
わせマークの検出不良が発生した場合に対処するもので
あり、ステップからステップまでは、図２に示す実
施形態におけるステップからステップまでの手順内
容と全く同様に進む。そして、ステップで位置合わせ
マークの検出不良が発生したかどうか判断し、検出不良
が発生していない場合は“NO”側へ進み、ステップで
登録された検出パラメータの最適値を維持する。

【００２５】一方、位置合わせマークの検出不良が発生
した場合は、ステップは“YES”側へ進んでステップ
へ戻る。これにより、前記ステップで登録した現時
点でのパラメータの値を読み出し新たな初期値として設
定し、ステップ〜で再度前述と同様にして照明光量
を求め、焦点位置を求め、しきい値を求めてこれらの値
を新たな位置合わせマーク検出パラメータの最適値とし
て登録する。その後、ステップで検出不良が発生した
かどうか判断し、今度は検出不良が発生していない場合
は“NO”側へ進み、上記ステップで登録された新たな
検出パラメータの最適値を維持する。図６に示す実施形
態の場合は、基板露光装置が位置合わせマークの検出不
良を発生した場合でも、装置をエラー停止とせず、現時
点での検出パラメータの値を新たな初期値として再度最
適値を求めて、ガラス基板３の位置合わせの動作を続行
することができる。従って、装置の稼働率を向上するこ
とができる。

【００２６】

【発明の効果】本発明は以上のように構成されたので、
基板露光装置において、マスクとガラス基板との位置合
わせに際し、それぞれの位置合わせマークを検出するた
めの検出パラメータを最適値に設定する処理を自動的に
行うことができる。従って、位置合わせマークの検出パ
ラメータを操作者自らの判断によらず設定することがで
き、操作者によるバラツキを排除することができる。ま
た、上記検出パラメータの最適値を自動的に判断するの
で、パラメータの設定精度を向上することができる。こ
のことから、マスク及びガラス基板の位置合わせ用のマ
ークの検出不良があまり発生せず、上記マスクとガラス
基板との位置合わせが正しくできると共に、装置のエラ
ー停止を防止することができる。

【００２７】また、図６に示す実施形態の場合は、基板
露光装置が位置合わせマークの検出不良を発生した場合
でも、装置をエラー停止とせず、現時点での検出パラメ
ータの値を新たな初期値として再度最適値を求めて、ガ
ラス基板の位置合わせの動作を続行することができる。
従って、装置の稼働率を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による基板露光装置における位置合わせ
マーク検出パラメータ自動設定方法が適用される基板露
光装置を示すシステム構成図である。

【図２】本発明の位置合わせマーク検出パラメータ自動
設定方法を説明するためのフローチャートである。

【図３】上記基板露光装置の基板チャック部を示す要部
断面説明図である。

【図４】マスク及びガラス基板並びにそれらに付された
位置合わせ用のマークを示す平面図である。

【図５】マスク及びガラス基板の位置合わせ用のマーク
に照明光を照射して検出した検出信号及びそれを微分し
た微分信号を示すグラフである。

【図６】本発明による方法の他の実施形態を説明するた
めのフローチャートである。

【符号の説明】１…マスク２…マスクチャック３…ガラス基板４…基板チャック８…マスクに付された位置合わせ用のマーク９…ガラス基板に付された位置合わせ用のマーク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】配線パターンが形成されたマスクをマス
クチャックで支持し、このマスクの下方にはガラス基板
を基板チャックに載せて保持すると共に上記マスクの下
面とガラス基板の上面との間に所定のギャップをあけて
位置合わせをし、上記マスクの上方から露光用の光を照
射して該マスクに形成された配線パターンを上記ガラス
基板に焼き付ける基板露光装置において、上記マスクと
ガラス基板との位置合わせに際し、まず該マスク及びガ
ラス基板のそれぞれに付された位置合わせ用のマークを
照明する光量とそのマークを見い出す光学系の焦点位置
とその光学系を介してマーク像を検出する検出信号のし
きい値とは装置にセットされたそれらの標準値を初期値
として設定し、次に上記照明光量を変更しマーク像の検
出信号の最大値が信号レンジの半分以上の所定値になる
ような照明光量を求め、次に上記光学系の焦点位置をマ
スクとガラス基板との間で変更し上記検出信号の微分信
号及び原信号にてマスクの信号とガラス基板の信号の高
さの差が小さくなる焦点位置を求め、次に上記検出信号
の微分信号に対するしきい値を上限から下限まで変更し
認識可能なしきい値範囲を求めてこの上限と下限の中間
値をしきい値とし、このように求めた照明光量と焦点位
置としきい値とを位置合わせマーク検出パラメータの最
適値として登録することを特徴とする基板露光装置にお
ける位置合わせマーク検出パラメータ自動設定方法。
【請求項２】上記のように求めた照明光量と焦点位置
としきい値とを位置合わせマーク検出パラメータの最適
値として登録する前に、これらの値を初期値として再度
上記と同様にして照明光量を求め、焦点位置を求め、し
きい値を求めた後に、これらの値を最終的な位置合わせ
マーク検出パラメータの最適値として登録することを特
徴とする請求項１記載の基板露光装置における位置合わ
せマーク検出パラメータ自動設定方法。
【請求項３】上記のように求めた照明光量と焦点位置
としきい値とを位置合わせマーク検出パラメータの最適
値として登録した後に、その後の動作にて上記位置合わ
せ用のマークの検出不良時には、上記登録した現時点で
のパラメータの値を読み出し新たな初期値として設定
し、再度上記と同様にして照明光量を求め、焦点位置を
求め、しきい値を求めてこれらの値を新たな位置合わせ
マーク検出パラメータの最適値として登録することを特
徴とする請求項１又は２記載の基板露光装置における位
置合わせマーク検出パラメータ自動設定方法。