JPH09138972A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH09138972A JPH09138972A JP8148627A JP14862796A JPH09138972A JP H09138972 A JPH09138972 A JP H09138972A JP 8148627 A JP8148627 A JP 8148627A JP 14862796 A JP14862796 A JP 14862796A JP H09138972 A JPH09138972 A JP H09138972A
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Abstract
書き込みが可能な光情報記録媒体を得る。 【解決手段】 光情報記録媒体は、透光性基板1の上に
直接または他の層を介してレーザ光を吸収する光吸収層
2と、この光吸収層2の上に直接または他の層を介して
レーザ光を反射する光反射層3が設けられている。前記
光吸収層2より透光性基板側1に、当該光吸収層2にお
けるレーザ光の吸収により、ガス発生しもしくは膨張
し、局部的に圧力増大がもたらされ変形される層を有
し、透光性基板1の界面が変形され、光学的に変性した
ピット5を有する。透光性基板1の上に中間層6を介し
て光吸収層2を設けた場合、光吸収層2におけるレーザ
光の吸収により、前記中間層6が変形し、ピット5が形
成される。この中間層6の膜厚を30nm以下と薄くす
ることにより、この中間層6の変形は透光性基板1にも
及ぶ。
Description
ータを記録し、前記レーザ光と異なるレーザ光により記
録データを再生する光情報記録媒体とその記録方法に関
する。
ることができる光情報記録媒体は、Te、Bi、Mn等
の金属層や、シアニン、メロシアニン、フタロシアニン
等の色素層等からなる記録層を有し、レーザ光の照射に
より、前記記録層を変形、昇華、蒸発或は変性させる等
の手段で、ピットを形成し、データを記録する。このよ
うな従来の光情報記録媒体の反射率は30〜40%、変
調度は20〜50%程度であった。また、前記のような
記録層を有する光情報記録媒体では、ピットを形成する
際の記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を容易にする
ため、記録層の背後に空隙を設けることが一般に行なわ
れている。具体的には例えば、空間部を挟んで2枚の基
板を積層する、いわゆるエアサンドイッチ構造と呼ばれ
る積層構造がとられる。
する基板1側からレーザ光を照射し、ピットを形成す
る。そして、記録したデータを再生するときは、前記基
板1側から記録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、
前記ピットとそれ以外の部分との反射光の違いにより、
信号を読みとる。
ータの書き込みや消去ができない、いわゆるROM型光
情報記録媒体が情報処理や音響部門で既に広く実用化さ
れている。この種の光情報記録媒体は、前記のような記
録層を持たず、記録データを再生するためのピットを予
めプレス等の手段でポリカーボネート製の基板の上に形
成し、この上にAu、Ag、Cu、Al等の金属膜から
なる反射層を形成し、さらにこの上を保護層で覆ったも
のである。
なものが音響部門や情報処理部門等で広く実用化されて
いるコンパクトディスク、いわゆるCDであり、このC
Dの記録、再生信号の仕様は、いわゆるCDフォーマッ
トとして規格化され、これに準拠する再生装置は、コン
パクトディスクプレーヤ(CDプレーヤ)として極めて
広く普及している。
体は、やはりCDと同じレーザ光を用いる記録、再生手
段であるため、再生に際し、既に広く普及したCDに準
拠することが強く望まれる。しかしながら、前記の光情
報記録媒体は、CDには無い記録層を有し、基板にでは
なく、この記録層にピットを形成して記録する手段がと
られる。さらに、この記録層にピットを形成するのを容
易にするための空隙層等を有することから、再生信号が
自ずとCDと異なってくる。このため、いわゆるCDに
ついての規格を定めた前記CDフォーマットを満足する
ことが困難であった。特に、透光性基板側から入射した
レーザ光の反射率が低いことにより、CDフォーマット
に準拠した再生信号が得られないのが現状である。
めなされたもので、その目的は、反射率及び変調度の高
い再生信号が得られる書き込みが可能な光情報記録媒体
を提供することにある。
媒体は、透光性基板の上に直接または他の層を介してレ
ーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上に直接
または他の層を介してレーザ光を反射する光反射層が設
けられたものにおいて、前記光吸収層より透光性基板側
に、当該光吸収層におけるレーザ光の吸収により、光学
的に変性したピットを有する。このピットは、レーザ光
を吸収した光吸収層の発熱により、隣接する他の層が変
形すると同時に、融解、蒸発、昇華、反応、分解或は変
形し、さらには光吸収層の成分が、前記変形領域に混入
して形成される。このような光情報記録媒体には、前記
光吸収層より透光性基板側に、当該光吸収層におけるレ
ーザ光の吸収により、ガス発生しもしくは膨張し、局部
的に変性部分がもたらされ変形される層を有する。
て、前記光吸収層より透光性基板側に、当該光吸収層に
おけるレーザ光の吸収により、前記透光性基板の界面が
変形され、光学的に変性したピットを有することを特徴
とする。さらに、透光性基板の上に中間層を介してレー
ザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上に直接ま
たは他の層を介してレーザ光を反射する光反射層が設け
られたものにおいて、前記光吸収層より透光性基板側
に、当該光吸収層におけるレーザ光の吸収により、前記
中間層がレーザ光照射時における前記光吸収層の発熱等
により変形し、光学的に変性したピットを有することを
特徴とする。ここで、前記の中間層の膜厚を30nm以
下と薄くすることにより、前記中間層の変形は前記透光
性基板にも及ぶ。
ザ光を照射したとき、同光吸収層がレーザ光を吸収して
発熱すると共に、同光吸収層が融解、蒸発、昇華、反
応、分解或は変性する等してガス発生もしくは膨張し、
局部的に、圧力増大がもたらされる。すなわち、レーザ
光のエネルギーにより、光吸収層から熱的、機械的なエ
ネルギーが変換或は誘起される。このとき、前記レーザ
光を前記光吸収層に収束して照射した時は、前記エネル
ギーが局部的に発生する。こうして発生したエネルギー
は、光吸収層に隣接する他の層に及び、そこを局部的に
変形させ、光学的変性部分(ピット)を形成する。すな
わち、光学的変性部分は、発熱により、隣接する他の層
が変形すると同時に、融解、蒸発、昇華、反応、分解或
いは変形した光吸収層の成分が、前記変形領域に混入し
て形成される。
学的変性部分は、記録層に形成されるのと異なり、予め
プレス等の手段によって基板の表面に形成されるピット
に近似するものである。また、このような構造の記録可
能な光情報記録媒体では、光吸収層の背後に密着して反
射層を設けることができる。従って、形態的にもCDに
近似した光情報記録媒体が得られ、詳しくはデータを読
みとる際のレーザ光の反射率、再生信号の変調度、ブロ
ックエラーレート等の点で、例えばCDフォーマットに
準拠した記録可能型光情報記録媒体が容易に得られる。
明の実施の形態について具体的且つ詳細に説明する。本
発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、図1
〜図7に示す。同図において、1は、透光性を有する基
板、2は、その上に形成された光吸収層で、照射された
レーザ光を吸収して発熱すると共に、融解、蒸発、昇
華、変形または変性する層である。図4〜図7において
のみ示された6の符号は、前記透光性基板1と光吸収層
2との間に存在する樹脂層、耐溶剤層等の中間層で、こ
れが存在する場合は、レーザ光の照射時における前記光
吸収層2の発熱、圧力増大等により、図5で示すように
同層6が変形し、光学的に変性したピット5が形成され
る。また、これら中間層6の膜厚が30nm以下という
ように、比較的薄い場合は、図7で示すように、同層6
の変形が基板1にも及ぶことがある。こうした中間層6
が存在しないときは、図3で示すように基板1の界面が
変形され、光学的に変性したピット5が形成される。3
は、その上に形成された光反射層、4は、その外側に設
けられた保護層を示す。
録前の状態を、図3、図5及び図7は、記録後の状態、
すなわち、光学ピックアップ8からレーザ光7を光吸収
層2に収束して照射した時に、同層2で発生する熱や圧
力増大等のエネルギーにより、基板1の表面が一部変形
され、光学的に変性したピット5が形成された状態を模
式的に示す。
の高い材料で、耐衝撃性に優れた主として樹脂により形
成されたもの、例えばポリカーボネート板、アクリル
板、エポキシ板等が用いられる。光吸収層2は、前記透
光性基板1側から入射したレーザ光を吸収して発熱する
と共に、融解、蒸発、昇華、反応、分解或は変性する等
してガス発生もしくは膨張し、局部的に圧力増大がもた
らされるもので、インドジカーボシアニン等のシアニン
系色素を前記基板1の上またはその上に形成された他の
層を介してスピンコート法等により形成する。反射層3
は金属膜により形成され、例えば、金、銀、銅、アルミ
ニウムあるいはこれらを含む合金膜等により形成され
る。保護層4は、透光性基板1と同様の耐衝撃性に優れ
た樹脂により形成され、最も一般的には紫外線硬化樹脂
をスピンコート法により塗布し、これに紫外線を照射し
て硬化させることにより形成される。この他、エポキシ
樹脂、アクリル樹脂、シリコーン系ハードコート樹脂等
が一般に使用されるが、緩衝作用を持たせるため、ウレ
タン樹脂等の弾性材で形成されることもある。
いて、光吸収層2の複素屈折率の実数部nabs とその膜
厚dabs と再生光の波長λとで与えられるρ=nabsd
abs/λが0.05≦ρ≦0.6であり、かつ前記複素
屈折率の虚部kabs が0.3以下であるのが望ましい。
図8は、光ディスクの2つの例について、再生光として
波長λ=780nmの半導体レーザを用いた場合に、前
記光ディスクの光吸収層2の複素屈折率の実数部n
abs 、膜厚dabs 及び再生光の波長λで与えられるρ=
nabsdabs/λと、基板側から入射させた光の反射率と
の関係を示すグラフである。また、図9は、反射層にA
u膜を用いた光ディスクにおいて、シアニン系色素から
なる光吸収層の透光性を変え、その複素屈折率の実数部
を nabs=2.4と一定にしながら、その虚部kabs を
0に近い値から2.0まで変化させたときの反射率を示
している。これらからρ=nabsdabs/λとkabs と
が、前記の条件を満足する場合は、高い反射率が得られ
ることが理解され、反射率70%以上というCDフォー
マットに定められた規格特性を容易に確保できるように
なる。
は、透光性基板1に対して光吸収層2の背後側の層、例
えば光反射層3や保護層4等を、前記ピット5が形成さ
れる層に比べて熱変形温度が高く、かつ硬度が高いもの
で形成するのが望ましい。背後側の層を硬度の高い層で
形成することは、記録信号のブロックエラーレートの低
減に効果が認められ、ブロックエラーレートBLERが
3×10-2以下というCDフォーマットに定められた規
格特性を十分確保できる。
以下に説明する。 (実施例1)表面に幅0.8μm、深さ0.08μm、
ピッチ1.6μmのスパイラル状のプレグルーブ8が形
成された厚さ1.2mm、外径120mmφ、内径15
mmφのポリカーボネート基板1を射出成形法により成
形した。このポリカーボネート基板1のロックウェル硬
度ASTM D785は、M75鉛筆硬度HBと同等で
あり、熱変形温度ASTM D648は、4.6kg/
cm2、121℃であった。
て、0.65gの1,1’ジブチル3,3,3’,3’
テトラメチル4,5,4’,5’ジベンゾインドジカー
ボシアニンパークロレート(日本感光色素研究所製、品
番NK3219)を、ジアセトンアルコール溶剤10c
cに溶解し、これを前記の基板1の表面に、スピンコー
ト法により塗布し、膜厚130nmの感光色素膜からな
る光吸収層2を形成した。この光吸収層2の複素屈折率
の実数部nabs とその膜厚dabs と再生光の波長λとで
与えられるρ=nabsdabs/λは、0.45であり、か
つ前記複素屈折率の虚部kabs は0.05であった。
mφの領域の全面にスパッタリング法により、膜厚80
nmのAu膜を成膜し、反射層3を形成した。さらに、
この反射層3の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μmの
保護層4を形成した。この保護層4の硬化後のロックウ
ェル硬度ASTM D785はM90であり、熱変形温
度ASTM D648は、4.6kg/cm2、135℃
であった。
0nmの半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パ
ワー6.0mWで照射し、EFM信号を記録した。その
後、この光ディスクを、市販のCDプレーヤ(Aure
x XR−V73、再生光の波長λ=780nm)で再
生したところ、半導体レーザの反射率が72%、I11/
Itop が0.68、I3/Itop が0.35、ブロックエ
ラーレートBLERが1.2×10-2であった。
/Itopが0.6以上、I3/Itopが0.3〜0.7、
ブロックエラーレートBLERが3×10-2以下と定め
られており、この実施例による光ディスクは、この規格
を満足している。さらにこの記録後の光ディスクの前記
保護層4と光反射層3とを剥離し、光吸収層2の表面を
観察したところピットの輪郭と思われる線状の微小な凹
凸が見られた。また、光吸収層2を溶剤で洗浄、除去
し、基板1の表面を観察したところ、そこに光学的に変
性したピット5が形成されているのが確認された。この
光ディスクの層構造を図2に模式的に示し、その光記録
後の状態を図3に模式的に示す。
収層2と光反射層3との間に、エポキシ樹脂をスピンコ
ートし、膜厚100nmの硬質層を設けたこと以外は、
前記実施例1と同様にして、光ディスクを製作した。な
お、このエポキシ樹脂硬化後のロックウェル硬度AST
M D785はM90であり、熱変形温度ASTM D
648は、4.6kg/cm2、135℃であった。
例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、この光
ディスクを、市販のCDプレーヤで再生したところ、前
記実施例1と同様の半導体レーザの反射率、再生信号出
力特性、がえられ、さらにブロックエラーレートBLE
Rは、3.0×10-3であった。また、前記実施例1と
同様にして、記録後の光ディスクの基板1の表面を観察
したところ、そこにピット5が形成されているのが確認
された。
収層2と光反射層3との間であって、光吸収層2の上面
に形成するエポキシ樹脂に代えて膜厚100nmのシリ
コンアクリル樹脂の硬質層を設け、この硬質層の上面に
エポキシ樹脂からなる20nmの結着層をそれぞれスピ
ンコート法により形成したこと以外は、前記実施例1と
同様にして、光ディスクを製作した。なお、シリコンア
クリル樹脂層の硬化後のロックウェル硬度ASTM D
785はM100であり、熱変形温度ASTM D64
8は、4.6kg/cm2、100℃であった。
例1と同様にして記録パワー7.0mWにてEFM信号
を記録し、その後、この光ディスクを、実施例1と同じ
CDプレーヤ(Aurex XR−V73、再生光の波
長780nmで再生したところ、半導体レーザの反射率
が75%、I11/Itop が0.63、I3/Itop が0.
35、ブロックエラーレートBLERが2.5×10-3
であった。また、前記実施例1と同様にして、記録後の
光ディスクの基板1の表面を観察したところ、そこにピ
ット5が形成されているのが確認された。
収層2の上に、光反射層3として金とアンチモンとの
9:1の割合の合金膜を真空蒸着法で形成したこと、及
びこの反射層3の上に、エポキシ樹脂からなる20nm
の結着層を介して紫外線硬化樹脂からなる保護層4を形
成したこと以外は、前記実施例1と同様にして、光ディ
スクを製作した。なお、前記光反射層3は、鉛筆硬度と
して「H」以上の硬度を有する。
例1と同様にして記録パワー6.2mWにてEFM信号
を記録し、その後、この光ディスクを、実施例1と同じ
CDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率
が72%、I11/Itop が0.62、I3/Itop が0.
32、ブロックエラーレートBLERが3.5×10-3
であった。また、前記実施例1と同様にして、記録後の
光ディスクの基板1の表面を観察したところ、そこにピ
ット5が形成されているのが確認された。
カーボネート基板1の光入射側上に紫外線硬化型ハード
コート樹脂をスピンコートし、厚さ1μmの基板保護層
を設け、プリグルーブを設けた面上に光吸収層2を形成
したこと、及びこの光吸収層2の上に、光反射層3とし
てイリジウムと金との3:1の割合の合金膜をスッパタ
リング法により形成したこと以外は、前記実施例1と同
様にして、光ディスクを製作した。なお、前記光反射層
3は、鉛筆硬度として「5H」以上の硬度を有する。
例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、この光
ディスクを、前記実施例1と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が70%、I11/I
top が0.62、I3/Itop が0.37、ブロックエラ
ーレートBLERが3.7×10-3であった。また、前
記実施例1と同様にして、記録後の光ディスクの基板1
の表面を観察したところ、そこにピット5が形成されて
いるのが確認された。
射層3を厚さ60nmの銀膜で形成したこと、その上に
シリコーン系ハードコート剤をスピンコートし、これを
加熱、硬化させて厚み3μmの硬質保護層4を形成した
以外は、前記実施例1と同様にして、光ディスクを製作
した。なお、前記保護層4は、鉛筆硬度として「HB」
以上の硬度を有する。
例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、この光
ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤで再生したと
ころ、半導体レーザの反射率が71%、I11/Itop が
0.63、I3/Itop が0.35、ブロックエラーレー
トBLERが2.8×10-3であった。また、前記実施
例1と同様にして、記録後の光ディスクの基板1の表面
を観察したところ、そこにピット5が形成されているの
が確認された。
50nmのAu膜を真空蒸着した光反射層3の上に、ジ
クリシジルエーテルで希釈したポリサルファイド添加エ
ポキシ樹脂をスピンコートして形成された30nmの結
着層を介してシリコーン系ハードコート剤をスピンコー
トし、これを加熱、硬化させて厚み3μmの硬質保護層
4を形成した以外は、前記実施例1と同様にして、光デ
ィスクを製作した。
例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、この光
ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤで再生したと
ころ、半導体レーザの反射率が72%、I11/Itop が
0.65、I3/Itop が0.35、ブロックエラーレー
トBLERが2.5×10-3であった。また、前記実施
例1と同様にして、記録後の光ディスクの基板1の表面
を観察したところ、そこにピット5が形成されているの
が確認された。
1’ジブチル3、3、3’、3’テトラメチル5、5’
ジエトキシインドジカーボシアニンパークロレートを用
いて光吸収層2を形成したこと、光反射層3の上にエポ
キシ樹脂からなる100nmの硬質層を形成し、さらに
この上に紫外線硬化樹脂を10μm設けて、保護層4を
形成した以外は、前記実施例1と同様にして、光ディス
クを製作した。
例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、この光
ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤで再生したと
ころ、半導体レーザの反射率が74%、I11/Itop が
0.68、I3/Itop が0.34、ブロックエラーレー
トBLERが8.3×10-3であった。また、前記実施
例1と同様にして、記録後の光ディスクの基板1の表面
を観察したところ、そこにピット5が形成されているの
が確認された。
たのと同じポリカーボネート基板1の表面にジイソブチ
ルケトンで溶解したアクリル樹脂をスピンコートし、厚
み40nmの中間層6を形成した。この中間層6のロッ
クウェル硬度ASTM D785は、M85であり、熱
変形温度ASTM D648は、4.6kg/cm2、1
00℃であった。
て、0.6gの1,1’ジプロピル,3,3,3’,
3’テトラメチル5,5’ジメトキシインドジカーボシ
アニンアイオダイドを、イソプロピルアルコール溶剤1
0ccに溶解し、これを前記の基板1の表面に、スピン
コート法により塗布し、膜厚120nmの感光色素膜か
らなる光吸収層2を形成した。この光吸収層2の複素屈
折率の実数部nabs とその膜厚dabs と再生光の波長λ
とで与えられるρ=nabsdabs/λは、0.41であ
り、かつ前記複素屈折率の虚部kabs は0.02であっ
た。
シリコンアクリル樹脂をスピンコートし、厚さ100n
m、鉛筆硬度2H、熱変形温度ASTM D648
4.6kg/cm2、120℃のシリコンアクリル樹脂層
を形成し、その上にスパッタリング法により、膜厚50
nmのAu膜を成膜し、反射層3を形成した。さらに、
この反射層3の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μmの
保護層4を形成した。この保護層4の硬化後のロックウ
ェル硬度ASTM D785はM90であり、熱変形温
度ASTM D648は、4.6kg/cm2、135℃
であった。
0nmの半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パ
ワー7.5mWで照射し、EFM信号を記録した。その
後、この光ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤで
再生したところ、半導体レーザの反射率が74%、I11
/Itop が0.62、I3/Itop が0.31、ブロック
エラーレートBLERが4.0×10-3であった。さら
にこの記録後の光ディスクの前記保護層4と光反射層3
とを剥離し、光吸収層2を溶剤で洗浄、除去し、中間層
6の表面を観察したところ、そこにピット5が形成され
ているのが確認された。
間層6の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み0.01μmのシリケート層を設け、その上に光吸
収層2を形成したこと以外は、前記実施例9と同様にし
て、光ディスクを製作した。こうして得られた光ディス
クに、前記実施例9と同様にして記録パワー7.8mW
にてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例9と同じCDプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が73%、I11/Itop が0.62、I3
/Itop が0.31、ブロックエラーレートBLERが
3.4×10-3であった。また、前記実施例9と同様に
して、記録後の光ディスクの中間層6の表面を観察した
ところ、そこにピット5が形成されているのが確認され
た。
板1としてガラス基板を用いたこと、及び反射層の上
に、トルエンとメチルエチルケトンの1:1の溶剤で溶
解したイソシアネート樹脂をスピンコート法にて形成さ
れた厚さ20nmの結着層を形成したこと以外は、前記
実施例9と同様にして、光ディスクを製作した。こうし
て得られた光ディスクに、前記実施例9と同様にして記
録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例9と同じCDプレーヤで再生
したところ、半導体レーザの反射率が72%、I11/I
top が0.65、I3/Itop が0.33、ブロックエラ
ーレートBLERが3.6×10-3であった。また、前
記実施例9と同様にして、記録後の光ディスクの中間層
6の表面を観察したところ、そこにピット5が形成され
ているのが確認された。
間層6の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み0.01μmのシリケート層を設け、その上に光吸
収層2を形成したこと、及び反射層の上に、ポリブタジ
エンをスピンコート法にて形成した厚さ20nmの結着
層を形成したこと以外は、前記実施例9と同様にして、
光ディスクを製作した。
例9と同様にして記録パワー7.2mWにてEFM信号
を記録し、その後、この光ディスクを、実施例9と同じ
CDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率
が72%、I11/Itop が0.66、I3/Itop が0.
35、ブロックエラーレートBLERが3.5×10-3
であった。また、前記実施例9と同様にして、記録後の
光ディスクの中間層6の表面を観察したところ、そこに
ピット5が形成されているのが確認された。
間層6の厚みを20nmとしたこと、シリコンアクリル
樹脂層を設けないこと及び反射層3としてイリジウムと
金との1:9の割合の合金膜をスパッタリング法により
形成したこと以外は、前記実施例9と同様にして、光デ
ィスクを製作した。なお、前記合金膜の鉛筆硬度は2H
であった。
例9と同様にして記録パワー7.0mWにてEFM信号
を記録し、その後、この光ディスクを、実施例9と同じ
CDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率
が71%、I11/Itop が0.63、I3/Itop が0.
32、ブロックエラーレートBLERが3.3×10-3
であった。また、前記実施例9と同様にして、記録後の
光ディスクの中間層6の表面を観察したところ、そこに
ピット5が形成されているのが確認された。このピット
5は、中間層6の膜厚が薄いため、基板の表面にまで達
して形成されている。この光ディスクの層構造を図6に
模式的に示し、その光記録後の状態を図7に模式的に示
す。
間層6の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み0.01μmのシリケート層を設け、その上に光吸
収層2を形成したこと、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層3としてイリジウムと金との1:9
の割合の合金膜をスパッタリング法により形成したこと
以外は、前記実施例9と同様にして、光ディスクを製作
した。
例9と同様にして記録パワー7.8mWにてEFM信号
を記録し、その後、この光ディスクを、実施例9と同じ
CDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率
が71%、I11/Itop が0.64、I3/Itop が0.
32、ブロックエラーレートBLERが2.8×10-3
であった。また、前記実施例9と同様にして、記録後の
光ディスクの中間層6の表面を観察したところ、そこに
ピット5が形成されているのが確認された。
リコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層3とし
てイリジウムと金との1:9の割合の合金膜をスパッタ
リング法により形成したこと、及び光反射層の上に、ポ
リイソプレンをスピンコートして、厚さ20nmの結着
層を形成し、この上に紫外線硬化性樹脂製の保護層4を
形成したこと以外は、前記実施例9と同様にして、光デ
ィスクを製作した。
例9と同様にして記録パワー7.4mWにてEFM信号
を記録し、その後、この光ディスクを、実施例9と同じ
CDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率
が72%、I11/Itop が0.64、I3/Itop が0.
32、ブロックエラーレートBLERが4.1×10-3
であった。また、前記実施例9と同様にして、記録後の
光ディスクの中間層6の表面を観察したところ、そこに
ピット5が形成されているのが確認された。
リコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層3とし
て厚さ50nmの銅膜を形成したこと、及び保護層4と
してジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノー
ル硬化型エポキシ樹脂をスピンコートして厚さ50nm
のエポキシ樹脂層を形成したこと以外は、前記実施例9
と同様にして、光ディスクを製作した。なお、前記保護
層はロックウェル硬度ASTM D785がM110で
あることから硬質層としての機能を有する。
例9と同様にして記録パワー7.0mWにてEFM信号
を記録し、その後、この光ディスクを、実施例9と同じ
CDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率
が75%、I11/Itop が0.64、I3/Itop が0.
33、ブロックエラーレートBLERが2.9×10-3
であった。また、前記実施例9と同様にして、記録後の
光ディスクの中間層6の表面を観察したところ、そこに
ピット5が形成されているのが確認された。
間層6の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み0.01μmのシリケート層を設け、その上に光吸
収層2を形成したこと、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層3として厚さ50nmの銅膜を形成
したこと、及び保護層4としてジグリシジルエーテル溶
剤に希釈したビスフェノール硬化型エポキシ樹脂をスピ
ンコートして厚さ50nmのエポキシ樹脂層を形成した
こと以外は、前記実施例9と同様にして、光ディスクを
製作した。
例9と同様にして記録パワー7.0mWにてEFM信号
を記録し、その後、この光ディスクを、実施例9と同じ
CDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率
が74%、I11/Itop が0.64、I3/Itop が0.
33、ブロックエラーレートBLERが3.5×10-3
であった。また、前記実施例9と同様にして、記録後の
光ディスクの中間層6の表面を観察したところ、そこに
ピット5が形成されているのが確認された。
リコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層3とし
て厚さ50nmの銅膜を真空蒸着法で形成したこと、反
射層の上に、トルエンとメチルエチルケトンの6:4の
溶剤で溶解したポリ酢酸ビニル樹脂をスピンコートで形
成した厚さ20nmの結着層を介して保護層4を形成し
たこと、及び保護層4としてジグリシジルエーテル溶剤
に希釈したビスフェノール硬化型エポキシ樹脂をスピン
コートして厚さ50nmのエポキシ樹脂層を形成したこ
と以外は、前記実施例9と同様にして、光ディスクを製
作した。
例9と同様にして記録パワー7.4mWにてEFM信号
を記録し、その後、この光ディスクを、実施例9と同じ
CDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率
が74%、I11/Itop が0.64、I3/Itop が0.
33、ブロックエラーレートBLERが3.6×10 -3
であった。また、前記実施例9と同様にして、記録後の
光ディスクの中間層6の表面を観察したところ、そこに
ピット5が形成されているのが確認された。
0.1μm、ピッチ0.8μmのスパイラル状のプレグ
ルーブ8が形成された厚さ1.2mm、外径120mm
φ、内径15mmφのポリカーボネート基板1を射出成
形法により成形した。このポリカーボネート基板1のロ
ックウェル硬度ASTM D785は、M75(鉛筆硬
度HBと同等)であり、熱変形温度ASTM D648
は、4.6kg/cm2、121℃であった。
て、0.65gの1,1’ジブチル3,3,3’,3’
テトラメチル4,5,4’,5’ジベンゾインドジカー
ボシアニンパークロレート(日本感光色素研究所製、品
番NK3219)を、ジアセトンアルコール溶剤10c
cに溶解し、これを前記の基板1の表面に、スピンコー
ト法により塗布し、膜厚100nmの光吸収層2を形成
した。この光吸収層2の複素屈折率の実数部nabs とそ
の膜厚dabs と再生光の波長λとで与えられるρ=n
absdabs/λは、0.45であり、かつ前記複素屈折率
の虚部kabs は0.05であった。
mφの領域の全面にスパッタリング法により、膜厚80
nmのAu膜を成膜し、反射層3を形成した。さらに、
この反射層3の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μmの
保護層4を形成した。この保護層4の硬化後のロックウ
ェル硬度ASTM D785はM90であり、熱変形温
度ASTM D648は、4.6kg/cm2、135℃
であった。
0nmの半導体レーザを線速2.0m/sec、記録パ
ワー6.0mWで照射し、EFM信号を記録した。その
後、この光ディスクを、市販のCDプレーヤ(Aure
x XR−V73、再生光の波長λ=780nm)で再
生したところ、半導体レーザの反射率が70%、I11/
Itop が0.70、I3/Itop が0.32、ブロックエ
ラーレートBLERが1.2×10-2であった。
大きな記録が出来た。さらにこの記録後の光ディスクの
前記保護層4と光反射層3とを剥離し、光吸収層2を分
析したところ、光吸収層の分解が確認された。また、そ
の光吸収層2の表面を観察したところピットの輪郭と思
われる線状の微小な凹凸が見られた。また、光吸収層2
を溶剤で洗浄、除去し、透光性基板1の表面を観察した
ところ、そこに光学的に変性したピット5が形成されて
いるのが確認された。
媒体とその記録方法によれば、レーザ光の照射により、
光学的にCDに近似した光情報記録媒体が得られ、詳し
くはデータを読み取る際のレーザ光の反射率、再生信号
の変調度、ブロックエラーレート等の点で、例えばCD
フォーマットに準拠した記録可能な光情報記録媒体が容
易に得られる効果がある。
ある。 図2 図1の光記録前のトラックに沿って断面した部分拡大図
である。 図3 図1の光記録後のトラックに沿って断面した部分拡大図
である。 図4 光情報記録媒体の他の実施例を示すトラックに沿って断
面した要部断面拡大図である。 図5 同実施例における記録後の状態を示すトラックに沿って
断面した要部断面拡大図である。 図6 光情報記録媒体の他の実施例を示すトラックに沿って断
面した要部断面拡大図である。 図7 同実施例における記録後の状態を示すトラックに沿って
断面した要部断面拡大図である。 図8 光ディスクの光吸収層の複素屈折率の実数部nabs 、膜
厚dabs 及び再生光の波長λで与えられるρ=nabsd
abs/λの値とレーザ光の反射率との関係の例を示すグ
ラフである。 図9 光ディスクの光吸収層の複素屈折率の虚部kabs の値と
レーザ光の反射率との関係を示すグラフである。
Claims (8)
- 【請求項1】 透光性基板の上に直接または他の層を介
してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
層が設けられた光情報記録媒体において、前記光吸収層
におけるレーザ光の吸収により、光吸収層より透光性基
板側に、光学的に変性したピットを有することを特徴と
する光情報記録媒体。 - 【請求項2】 前記ピットは、前記光吸収層が発熱によ
り反応或は分解し、隣接する他の層が変形することによ
り形成されたことを特徴とする請求項1に記載の光情報
記録媒体。 - 【請求項3】 前記ピットは、前記光吸収層が発熱によ
り融解、蒸発、昇華、反応或は分解し、隣接する他の層
が変形することにより形成されたことを特徴とする請求
項1に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項4】 前記ピットは、前記光吸収層が発熱によ
り融解、蒸発、昇華、反応、分解或は変形し、隣接する
他の層が変形すると共に、光吸収層の成分が、その変形
領域に混入することにより形成されたことを特徴とする
請求項1に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項5】 透光性基板の上に直接または他の層を介
してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
層が設けられた光情報記録媒体において、前記光吸収層
がレーザ光を吸収し、ガス発生しもしくは膨張し、前記
光吸収層より透光性基板側に、局部的に変形すると共
に、変性した層を有することを特徴とする光情報記録媒
体。 - 【請求項6】 透光性基板の上に直接または他の層を介
してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
層が設けられた光情報記録媒体において、前記光吸収層
より透光性基板側に、当該光吸収層におけるレーザ光の
吸収により、前記透光性基板の界面が変形され、光学的
に変性したピットを有することを特徴とする光情報記録
媒体。 - 【請求項7】 透光性基板の上に中間層を介してレーザ
光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上に直接また
は他の層を介してレーザ光を反射する光反射層が設けら
れた光情報記録媒体において、前記光吸収層におけるレ
ーザ光の吸収により、前記中間層がレーザ光照射時にお
ける前記光吸収層の発熱により変形し、光学的に変性し
たピットを有することを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項8】 透光性基板の上に膜厚が30nm以下の
中間層を介してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光
吸収層の上に直接または他の層を介してレーザ光を反射
する光反射層が設けられた光情報記録媒体において、前
記光吸収層より透光性基板側に、当該光吸収層における
レーザ光の吸収により、前記中間層の変形が前記透光性
基板にも及んでいることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8148627A JP2866056B2 (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8148627A JP2866056B2 (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 光情報記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1007512A Division JP2710041B2 (ja) | 1988-07-30 | 1989-01-14 | 光情報記録媒体とその記録方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09138972A true JPH09138972A (ja) | 1997-05-27 |
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Family
ID=15457022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP8148627A Expired - Lifetime JP2866056B2 (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2866056B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7366081B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-04-29 | Tdk Corporation | Information recording medium |
US7385911B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-06-10 | Tdk Corporation | Optical recording medium having multiple layers of different thermal conductivities |
WO2011045903A1 (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-21 | ソニー株式会社 | 光記録媒体、光記録媒体の製造方法 |
-
1996
- 1996-05-20 JP JP8148627A patent/JP2866056B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7366081B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-04-29 | Tdk Corporation | Information recording medium |
US7385911B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-06-10 | Tdk Corporation | Optical recording medium having multiple layers of different thermal conductivities |
WO2011045903A1 (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-21 | ソニー株式会社 | 光記録媒体、光記録媒体の製造方法 |
CN102576556A (zh) * | 2009-10-14 | 2012-07-11 | 索尼公司 | 光记录介质和光记录介质的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2866056B2 (ja) | 1999-03-08 |
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