JPH09133723A - 電界センサ - Google Patents
電界センサInfo
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- JPH09133723A JPH09133723A JP29318995A JP29318995A JPH09133723A JP H09133723 A JPH09133723 A JP H09133723A JP 29318995 A JP29318995 A JP 29318995A JP 29318995 A JP29318995 A JP 29318995A JP H09133723 A JPH09133723 A JP H09133723A
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Abstract
する。 【解決手段】 電界センサヘッド3内の変調電極12
a、12bと、電界受信用アンテナ1とで形成する共振
回路に関して、変調電圧12a、12bの膜厚を1μm
以上とすることで、変調電極12の合成抵抗を小さくす
ることによりQ値を上げ、また、変調電極12a、12
bを、位相シフト光導波路10a、10bにおける光進
行方向において分割し、分割された電極の内、電界受信
用アンテナと電気的に一番近い2つの分割電極を除いた
分割電極を、2つの位相シフト光導波路を跨ぐ様に容量
結合することにより、変調電極12の合成容量を小さく
することにより、Q値を上げ、更に、電界受信用アンテ
ナ1を、低放射抵抗アンテナとすることで、電界受信用
アンテナ1の放射抵抗を低くすることで、Q値を上げる
ことにより、感度を向上させる。
Description
磁波を検出し、または、電磁波の電界強度を測定するた
めの電界センサに関する。
よびロボット等のFA機器、自動車および電車等の制御
機器などの多くの電気機器は互いに外部からの電磁ノイ
ズによって誤動作などの影響を受ける危険を常にもって
いる。このため、EMC分野においては外部の電磁環境
や影響を及ぼすようなノイズの大きさ、また、自らが発
生するノイズ等を正確に測定することが重要となってい
る。
は、通常のアンテナを用いて受信し、同軸ケーブルで測
定器まで導く装置(以下、(a)装置)、アンテナを用
いて受信した信号を検波して光信号に変換し光ファイバ
で測定器まで導く装置(以下、(b)装置)、印加され
る電界強度に応じて透過光の強度が変化するように構成
された光学素子を用いて電界強度変化を光強度変化に変
換し、前記光学素子と光源及び測定器に接続された光検
出器間を光ファイバで接続する装置(以下、(c)装
置)の3通りが用いられている。
一般的であるが、同軸ケーブル等の電気ケーブルの存在
により電界分布が乱れてしまったりケーブル途中からの
ノイズ混入の恐れがある等の問題があるため、光ファイ
バを用いた(b)装置、及び、(c)装置の開発が望ま
れている。
した信号を増幅して発光ダイオードに加え、光信号に変
換して光ファイバで光検出器に導くものであるが、電界
センサヘッド部に電気回路やバッテリを必要とするた
め、ある大きさの金属部分が存在し、かつ形状も大きく
なってしまうという問題があり、また、応答速度が遅い
という問題がある。
強度変化に変換する光学素子として電気光学効果を有す
る結晶を用いている。その素子構造としては、光ファイ
バの出射光をレンズで平行光として小型アンテナを取り
付けた結晶中を通過させて結晶中の電界により偏光状態
を変化させ、検光子で強度変化に変換した後、再び光フ
ァイバに結合するバルク型素子と、結晶上に設けた光導
波路により上記光学素子を構成する導波路型素子とがあ
り、通常、導波路型素子のほうがバルク型素子よりも1
0倍以上検出感度が高い。
て、従来、特開平4−285866に開示されているも
の(以下、引用例1)がある。
に、インピーダンス素子を挿入することにより、センサ
ロッドの共振周波数を変化させ、感度を向上させている
ものである。
しては、従来、図10に示される様なもの(以下、引用
例2)がある。ここで、図10は、従来の導波路型素子
を用いた電界センサの要部を示す一部切欠正面図であ
る。この電界センサは、電界受信用アンテナ101と、
光を放射する光源(図示せず)と、その光源に接続され
て光源の放射する光を伝達する入射光ファイバ103
と、電界受信用アンテナ101及び入射光ファイバ10
3に接続されており、入射光ファイバ103を介して入
射する光の強度が、電界受信用アンテナ101で受信し
た入力信号の電界強度に応じて変化する様に構成された
電界センサヘッド102と、電界センサヘッド102に
接続されており、電界センサヘッド102を透過してき
た透過光を伝達する出射光ファイバ104と、出射光フ
ァイバ104により伝達されてきた透過光の光強度変化
を検出する光検出器(図示せず)とを具備している。
基板105と、入射光ファイバ103に接続されるよう
に基板105上に形成された入射光導波路106と、電
界受信用アンテナ101で受信した入力信号の電界の強
度に応じて屈折率が変化するものであって、入射光導波
路106より分岐するように基板105上に形成された
2つの位相シフト光導波路107a及び107bと、出
射光ファイバ104に接続され2つの位相シフト光導波
路107a及び107bが合流するように基板105上
に形成された出射光導波路108と、電界受信用アンテ
ナ101に接続されるように2つの位相シフト光導波路
107a及び107bの双方の近傍に形成されている2
つの変調電極109a及び109bとからなる。
切りだしたニオブ酸リチウム単結晶板からなっており、
この基板105上にチタンを拡散して入射光導波路10
6と2つの位相シフト光導波路107a及び107b
と、出射光導波路108とが形成されている。
103を伝達されてきた入射光は入射光導波路106に
入射した後、2つの位相シフト光導波路107a及び1
07bにエネルギーが分割される。ここで、電界受信用
アンテナ101で受信した入力信号により、2つの変調
電極109a及び109bに電圧が誘起されて、2つの
位相シフト光導波路107a、107b中には深さ方
向、即ち、図における紙面に垂直な方向に、それぞれ互
いに反対向きの電界成分が生じる。この結果、2つの位
相シフト光導波路107a及び107bにおいて、電気
光学効果によりそれぞれ屈折率変化が生じ、2つの位相
シフト光導波路107a、107bを伝搬する光波同士
の間には、2つの位相シフト光導波路107a及び10
7bにそれぞれ生じた電界の大きさに応じた位相差が生
じ、それら位相差の生じた2つの光波が合流して出射光
導波路108において結合する場合に、干渉が起こり光
強度が変化する。すなわち、印加電界強度に応じて出射
光ファイバ104に出射する出射光の強度は変化するこ
とになり、その光強度変化を光検出器で測定することに
より印加電界の強度を測定できる。
2の導波路型素子を用いた電界センサの場合、電気ケー
ブルの存在による電界分布の乱れ、ノイズ混入は無いも
のの、最小検出可能電界強度は、(a)装置、即ち、ア
ンテナを用いて同軸ケーブルで測定器まで導く電界セン
サに比べると一桁程度劣っている。
は、アンテナのエレメント長を長くする事で、実効長h
eを大きくする方法をとるが、アンテナのエレメント長
を長くしその長さが受信電波の波長に近づくとアンテナ
の放射抵抗は大きくなる。ここで、電波の受信によく使
用されるアンテナとして、半波長ダイポールアンテナを
例にとり説明する。このアンテナの放射抵抗raは73
Ωであり、リアクタンスXaは誘導性の42Ωである。
この様なアンテナを、図3(b)に示される様に、合成
抵抗re、合成リアクタンスLe、合成容量Ceをもつ
変調電極109に接続した場合、アンテナの放射抵抗r
aと変調電極109の持つ合成抵抗reによって、電力
が消費され感度が失われてしまい、高感度化の実現が難
しい。
にわたって受信するためには、アンテナを広帯域化しな
ければならない。この様なアンテナとしては、ショート
ダイポールアンテナが挙げられる。このショートダイポ
ールアンテナは、受信する電波の波長よりアンテナエレ
メントを十分に短くすることにより、その特性は容量性
でかつ、放射抵抗が小さく出来、また、アンテナエレメ
ントの共振がないので、広い周波数範囲にわたり平坦な
特性すなわちアンテナの広帯域化が得られる。このアン
テナを、図3(c)に示される様に、変調電極109に
接続した場合、変調電極109の合成容量Ce及びアン
テナに生じる容量Cの比により、感度は決定される。す
なわち、アンテナの容量Cに比較し、変調電極109の
合成容量Ceを小さくすると高い感度を得ることができ
る。しかしながら、変調電極109の合成抵抗reが大
きいと、この合成抵抗reにより電力消費が生じ、感度
が低下するという問題がある。
ついても、当てはまるものである。更に、引用例1は、
センサロッドの共振周波数を変化させることにより希望
する共振周波数を得ようとしているものであり、変調電
極については考慮されていない。ところが、実際には、
変調電極もアンテナ全体の共振周波数に影響を及ぼして
おり、この変調電極の共振周波数に対する影響を考慮に
入れないと、希望する共振周波数を得ることが出来ない
という問題があった。
界センサであって、アンテナ全体の共振周波数を所望す
る共振周波数とすることにより、感度を高めることがで
きる電界センサを提供することにある。
解決するために、以下の様な電界センサを提供するもの
である。
ナと、光を放射する光源と、該光源に接続され該光源に
より放射された光を伝達する入射光ファイバと、前記電
界受信用アンテナ及び前記入射光ファイバに接続され前
記入射光ファイバを介して入射する光の強度が該電界受
信用アンテナで受信した入力信号の電界強度に応じて変
化するように構成された電界センサヘッドと、該電界セ
ンサヘッドに接続され該電界センサヘッドを透過してき
た透過光を伝達する出射光ファイバと、前記透過光を該
出射光ファイバを介して受けて前記透過光の光強度変化
を検出する光検出器とを具備する電界センサであって、
前記電界センサヘッドは、基板と、前記入射光ファイバ
に接続されるように該基板上に形成された入射光導波路
と、前記入射光導波路より分岐するように前記基板上に
形成され前記電界受信用アンテナで受信した入力信号の
電界強度に応じて屈折率が変化する2つの位相シフト光
導波路と、前記出射光ファイバに接続され前記2つの位
相シフト光導波路を合流するように前記基板上に形成さ
れた出射光導波路と、前記2つの位相シフト光導波路の
うち少なくとも一方の近傍に形成された変調電極とから
なる電界センサにおいて、前記変調電極及び前記電界受
信用アンテナは、共振回路を形成しており、前記共振回
路のQ値を2以上とすることにより、感度を向上させる
ことを特徴とする電界センサが得られる。
ナと、光を放射する光源と、該光源に接続され該光源に
より放射された光を伝達する入射光ファイバと、前記電
界受信用アンテナ及び前記入射光ファイバに接続され前
記入射光ファイバを介して入射する光の強度が該電界受
信用アンテナで受信した入力信号の電界強度に応じて変
化するように構成された電界センサヘッドと、該電界セ
ンサヘッドに接続され該電界センサヘッドを透過してき
た透過光を伝達する出射光ファイバと、前記透過光を該
出射光ファイバを介して受けて前記透過光の光強度変化
を検出する光検出器とを具備する電界センサであって、
前記電界センサヘッドは、基板と、前記入射光ファイバ
に接続されるように該基板上に形成された入射光導波路
と、前記入射光導波路より分岐するように前記基板上に
形成され前記電界受信用アンテナで受信した入力信号の
電界強度に応じて屈折率が変化する2つの位相シフト光
導波路と、前記出射光ファイバに接続され前記2つの位
相シフト光導波路を合流するように前記基板上に形成さ
れた出射光導波路と、前記2つの位相シフト光導波路の
うち少なくとも一方の近傍に形成された変調電極とから
なる電界センサにおいて、前記変調電極及び前記電界受
信用アンテナは、共振回路を形成しており、前記変調電
極の膜厚は1μm以上とすることで、変調電極の抵抗を
小さくし、前記共振回路のQ値を2以上とすることによ
り、感度を向上させることを特徴とする電界センサが得
られる。
あって、前記2つの位相シフト光導波路の双方の近傍に
前記変調電極が形成されている電界センサにおいて、前
記変調電極は、光進行方向において分割され該分割され
た分割電極は、互いに容量結合されていることにより、
前記変調電極の合成容量を小さくし、前記共振回路のQ
値を上げることにより、感度を向上させることを特徴と
する電界センサが得られる。
ナと、光を放射する光源と、該光源に接続され該光源に
より放射された光を伝達する入射光ファイバと、前記電
界受信用アンテナ及び前記入射光ファイバに接続され前
記入射光ファイバを介して入射する光の強度が該電界受
信用アンテナで受信した入力信号の電界強度に応じて変
化するように構成された電界センサヘッドと、該電界セ
ンサヘッドに接続され該電界センサヘッドを透過してき
た透過光を伝達する出射光ファイバと、前記透過光を該
出射光ファイバを介して受けて前記透過光の光強度変化
を検出する光検出器とを具備する電界センサであって、
前記電界センサヘッドは、基板と、前記入射光ファイバ
に接続されるように該基板上に形成された入射光導波路
と、前記入射光導波路より分岐するように前記基板上に
形成され前記電界受信用アンテナで受信した入力信号の
電界強度に応じて屈折率が変化する2つの位相シフト光
導波路と、前記出射光ファイバに接続され前記2つの位
相シフト光導波路を合流するように前記基板上に形成さ
れた出射光導波路と、前記2つの位相シフト光導波路の
双方の近傍に形成された変調電極とからなる電界センサ
において、前記変調電極及び前記電界受信用アンテナ
は、共振回路を形成しており、前記変調電極は、光進行
方向において分割され、該分割された分割電極は、互い
に容量結合されていることにより、前記変調電極の合成
容量を小さくし、前記共振回路のQ値を上げることによ
り、感度を向上させることを特徴とする電界センサが得
られる。
界センサにおいて、前記電界受信用アンテナは、低放射
抵抗アンテナとすることで、該電界受信用アンテナの放
射抵抗を低くし、前記共振回路のQ値を上げることによ
り、感度を向上させることを特徴とする電界センサが得
られる。
界センサにおいて、該電界センサは、更に、該電界セン
サに結合された導波器および反射器の内、少なくとも一
つを有することことにより、電波の集中化を図り、感度
を向上させることを特徴とする電界センサが得られる。
界センサにおいて、前記共振回路は、前記変調電極と、
前記電界受信用アンテナと、前記変調電極と前記電界受
信用アンテナを接続する経路の少なくとも一方に挿入さ
れた共振補正回路からなることを特徴とする電界センサ
が得られる。
第1の実施の形態の電界センサについて説明する。第1
の実施の形態の電界センサは、図1に示す様に、電界受
信用アンテナ1と、光を放射する光源6と、光源6に接
続されており、光源6により放射された光を伝達する入
射光ファイバ4と、入射光ファイバ4を介して入射する
光の強度が電界受信用アンテナ1で受信した入力信号の
電界強度に応じて変化する様に構成されたものであっ
て、電界受信用アンテナ1及び入射光ファイバ4に接続
された電界センサヘッド3と、電界センサヘッド3に接
続され電界センサヘッド3を透過してきた透過光を伝達
する出射光ファイバ5と、出射光ファイバを介して伝達
されてきた透過光の光強度変化を検出する光検出器7と
を具備している。
すように、基板8と、入射光ファイバ4に接続されるよ
うに基板8上に形成された入射光導波路9と、電界の強
度に応じて屈折率が変化するものであって、入射光導波
路9より分岐するように基板8上に形成された2つの位
相シフト光導波路10a及び10bと、出射光ファイバ
5に接続され2つの位相シフト光導波路10a及び10
bが合流するように基板8上に形成された出射光導波路
11と、2つの位相シフト光導波路10a及び10bの
双方の近傍に形成された2つの変調電極12a、12b
とからなる。
ナ1とを接続する経路に共振補正回路2が接続されてい
る。更に、電界受信用アンテナ1及び共振補正回路2
は、電極パッド13を介してそれぞれ変調電極12a、
12bに接続されている。
信用アンテナ1と2つの変調電極12a、12bで構成
される共振回路の共振周波数を補正するものである。即
ち、例えば、共振補正回路2を挿入していない時の電界
受信用アンテナ1と2つの変調電極12a、12bで構
成される共振回路の共振周波数が800MHzであり、
所望する共振周波数が500MHzである様な場合に、
共振補正回路2として48nHのインダクタンスを電界
受信用アンテナ1と2つの変調電極12a、12bで構
成される共振回路に付加することにより所望の共振周波
数500MHzを得ることが出来る様なものである。従
って、電界受信用アンテナ1と2つの変調電極12a、
12bで構成される共振回路の共振周波数が受信を目的
とする電波の周波数と一致する場合には、使用する必要
はない。
のため、2つの変調電極12a、12bと電界受信用ア
ンテナ1とを接続する経路の一方に挿入されていれば良
く、必ずしも、2つの変調電極12a、12bと電界受
信用アンテナ1とを接続する経路の双方に接続されなけ
ればならないという訳ではない。また、共振補正回路2
は、図2において、変調電極12aと電界受信用アンテ
ナ1とを接続する経路にのみ挿入されているが、変調電
極12bと電界受信用アンテナ1とを接続する経路にの
み挿入されていても、変調電極12aと電界受信用アン
テナ1とを接続する経路及び変調電極12bと電界受信
用アンテナ1とを接続する経路の双方に挿入されていて
も良い。更に、共振補正回路2は、所望の効果を備えて
いれば良く、コンデンサのみ、インダクタのみ、又はコ
ンデンサ及びインダクタの組み合わせで構成しても良
く、本実施の形態に制限されるものではない。
たニオブ酸リチウム単結晶板からなる。この基板8上に
チタンを拡散し、入射光導波路9と、2つの位相シフト
光導波路10a及び10bと、及び出射光導波路11と
が形成されている。この電界センサにおいて、入射光フ
ァイバ4により伝達されてきた入射光は、入射光導波路
9に入射した後、2つの位相シフト光導波路10a及び
10bにエネルギーが分割される。ここで、電界受信用
アンテナ1で受信した入力信号により、2つの変調電極
12a、12bに電圧が誘起されて、2つの位相シフト
光導波路10a及び10b中には、深さ方向、即ち、図
における紙面に垂直な方向に、それぞれ互いに反対向き
の電界成分が生じる。この結果、2つの位相シフト光導
波路10a及び10bにおいて、電気光学効果によりそ
れぞれ屈折率変化が生じ、2つの位相シフト光導波路1
0a及び10bを伝搬する光波同志の間には、その2つ
の位相シフト光導波路10a及び10bのそれぞれに生
じた電界の大きさに応じた位相差が生じ、それら位相差
の生じた2つの光波が合流して、出射光導波路11にお
いて結合する場合に、干渉が起こり光強度が変化する。
すなわち、印加電界強度に応じて出射光ファイバ5に出
射する出射光の強度は変化することになり、その光強度
変化を光検出器7で測定することにより印加電界の強度
を測定できる。
ンサは、2つの変調電極12a、12bと電界受信用ア
ンテナ1と共振補正回路2とで構成される共振回路にお
いて、2つの変調電極12a、12bのそれぞれの膜厚
を1μm以上として、2つの変調電極12a及び12b
の合成抵抗を小さくすることにより、共振回路のQ値
が、一定以上となるようにしているものである。
る共振回路の等価回路が、図3(a)に示されている。
尚、この共振回路においては、電界受信用アンテナ1の
放射インピーダンスをZa(=ra+jXa)とし、ア
ンテナの開放電圧をV(=E・he)とした。さらに、
共振補正回路2のインダクタンスをLpとし、変調電極
12(2つの変調電極12a及び12bの合成したもの
を意味する。(以下において同じ))の合成抵抗をre
とし、合成インダクタンスをLeとし、合成容量をCe
とした。ここで、Eは電界強度(V/m)、heは実効
長である。
ンサは、変調電極12にかかる電圧を増幅させるため、
変調電極12と電界受信用アンテナ1に生じるリアクタ
ンス成分とで共振回路を構成し、この共振回路のQ値を
上げることによって感度を高めたものである。
受信用アンテナ1の放射インピーダンスZaのリアクタ
ンス成分Xaと変調電極12の合成インダクタンスLe
及び合成容量Ceで決まる。ここで、LeはCeに比較
して十分にインピーダンスは小さいので無視することが
できる。また、共振補正回路が接続されていれば、さら
に、この共振補正回路のリアクタンス成分(ここでは、
インダクタンスLp)を含めて周波数が決定される。
尚、共振回路の良さを示すQ値は、周波数f、容量成分
C(本実施の形態においては、主にCe)抵抗成分R
(本実施の形態においては、主にra+re)とすれ
ば、直列共振回路の場合、Q=1/(2πfCR)(電
気・電子の基礎 オーム社,平成4年1月発行による定
義)で表される。
ては、感度を高めるため、2つの変調電極12a、12
b双方の膜厚を厚くすることにより、Q値を上げること
とした。ここで、変調電極12の合成抵抗と2つの変調
電極12a、12bのそれぞれの膜厚との関係は、図4
に示される様な曲線で表される。この図4から分かる様
に、2つの変調電極12a、12bの膜厚を1μm以上
とすることにより、変調電極12の合成抵抗を小さい値
に抑えることが出来、即ち、Q値を上げることが出来、
これにより、感度を向上させることが出来る。
の実施の形態の電界センサを図5に基いて説明する。
ても、基板8は、c軸に垂直に切りだしたニオブ酸リチ
ウム単結晶板からなるものを用いた。
おいて、変調電極12aは、位相シフト光導波路10a
における光の進行方向において、12a1、12a2、
12a3、及び12a4の4つに分割されており、同様
に変調電極12bは、12b1、12b2、12b3、
及び12b4の4つに分割されている。更に、その分割
された分割電極12a1、12a2、12a3、12a
4、12b1、12b2、12b3、12b4は、互い
に容量結合されている。また、前記電界受信用アンテナ
1は、低放射抵抗アンテナを用いた。第2の実施の形態
の電界センサは、変調電極12の合成容量Ceを小さく
し、また、電界受信用アンテナ1の放射抵抗raを低く
することにより、共振回路のQ値を上げることにより電
界センサの感度を高くするものである。
て、2つの変調電極12a及び12bは、それぞれ4つ
に分割したが、5つや6つ等に分割しても良く、本実施
の形態に制限されるものではない。
として用いた結晶の面方位により決定されるものである
ため、他の面方位により切り出した結晶を用いた場合
は、その結晶に適合した容量結合をすれば良く本実施の
形態に制限されない。
アンテナ1は、低放射抵抗アンテナの一つであるジヨン
・クラウスの発明による8JKビームアンテナである。
この8JKビームアンテナは、図6に示す基本形で構成
され、L=λ/2ダイポール(半波長ダイポールアンテ
ナ)のエレメント1aを普通w=λ/8程度の狭い間隔
で平行に配列して、逆位相で励起するといった原理とな
っており、逆位相で励起しているため、エレメント1a
の間隔wを狭くしていくほど放射抵抗がどんどん低くな
っていくものである。ここでλは電波の波長である。
ンテナのような導波器または反射器を設けてもよく、こ
の場合には電波の集中化により電界センサの感度を高め
ることができる。
ンサにおいては、2つの変調電極12a及び12bを用
いて説明してきたが、変調電極は、必ずしも2つの位相
シフト光導波路10a及び10bの双方の近傍になけれ
ばならない訳ではなく、どちらか一方の位相シフト光導
波路の近傍にのみ設けられても良い。
の形態として、図7に示す様に、本発明の電界センサを
送信点と受信点が分離されたテレビ中継放送所等の送受
信間伝送システムに使用した例について説明する。この
送受信間伝送システムは、図1に示す第1の実施の形態
と同じ符号の構成要素を有している。更に、この送受信
間伝送システムは、出射光ファイバ5からの光をもとの
RF信号に復元する光電変換回路14と、光電変換回路
14から漏れた光を受ける補償回路15と、補償回路1
5を通過したRF信号を受けIF信号(中間周波信号)
に変換する変換増幅回路16とを有している。更に、変
換増幅回路16は、変換したIF信号(中間周波信号)
を放送機に送る。
よれば、微弱なRF信号により光信号を直接変調できる
ため、受信側に電源は不要となる。
の形態として、図8に示す様な、本発明の電界センサを
高周波および高電圧が印加されている機器の絶縁に使用
した例について説明する。
ンテナ1bは、図8に示すように、100m程度の中波
空中線17に取り付けられていることが多い。また、電
界センサヘッド3は、ポールギャップ18を介して接地
されている。更に、この電界センサヘッド3とポールギ
ャップ18との接続点に中波送信機19が接続されてい
る。ここで、一般的に、中波空中線17には高周波・高
電圧が印加されており、STLの受信機との間に大型の
絶縁共用器といわれるものが用いられている。ところ
が、本発明の電界センサを用いた第4の実施の形態にお
いては、絶縁共用器を不要にすることが出来、低廉化が
可能になる。
の形態として、図9に示す様に、本発明の電界センサを
有線回線の雷害対策に用いた例を説明する。本発明の第
5の実施の形態において、電界センサヘッド3は、アレ
スタ21及び終端抵抗22を介して、外部有線回路20
と接続されている。このように、本発明による電界セン
サを用いれば、電気的に送受信間が分離できるため、雷
等による受信側機器の破壊を防止することが可能とな
る。
を説明する。
の電界センサヘッド3を有する電界センサである。
板(Z板)で形成した。この基板8上にチタンを拡散し
て、入射光導波路9と、2つの位相シフト光導波路10
a及び10bと、及び出射光導波路11とを形成した。
更に、その上に、光の吸収を防ぐためのバッファ層とし
て二酸化珪素(SiO2 )膜で全面をコートし、2つの
位相シフト光導波路10a及び10b上にあたる領域
に、一対の変調電極12a及び12bを形成した。ま
た、2つの変調電極12a及び12bはAuで形成し、
変調電極12の合成抵抗reを5Ω以下を目標とするた
め、2つの変調電極12a及び12bの膜厚をそれぞれ
1μmとした。また、2つの変調電極12a及び12b
それぞれを、2つの位相シフト光導波路10a及び10
bにおける光の進行方向に対して、4分割することによ
り、変調電極12の合成容量Ceを3pF程度となる様
にした。
Ceをネットワークアナライザにより測定したところ、
合成抵抗reは5Ω(500MHz)、合成容量Ceは
3pFであった。また、電界受信用アンテナ1として、
エレメント1aの間隔w=λ/10、エレメント1aの
長さL=λ/2の8JKビームアンテナを作成し(図6
参照)、アンテナの放射抵抗raをネットワークアナラ
イザにより測定したところ5Ωであった。
12a及び12bに共振補正回路2及び電界受信用アン
テナ1である8JKビームアンテナを接続し、電界検出
感度を調べたところ、500MHzの電波に対して、電
界強度80dBμV/mのときの光検出器7の検出信号
出力は75dBμVであった。
に、従来構成の電界センサを作成した(図10参照)。
ここで、変調電極の構造が単一電極であり、膜厚が10
00×10-10 mであり、電界受信用アンテナが半波長
ダイポールであることを除いては、同様な材料及び方法
により従来構成の電界センサを作成した。
の変調電極の合成抵抗reおよび合成容量Ceをネット
ワークアナライザにより測定したところ、合成抵抗re
は50Ω(500MHz)、合成容量Ceは12pFで
あり、また、半波長ダイポールアンテナの放射抵抗ra
は73Ωであった。
および光検出器7等の測定条件を本発明の実施例と全く
同一とし、電界検出感度を測定したところ、500MH
zの電波に対して、電界強度80dBμV/mのときの
光検出器7の検出信号出力は55dBμVであった。
は、従来構成の電界センサより20dB高感度であっ
た。
20素子の導波器を設けた八木アンテナと組み合わせた
結果、更に10dB以上の感度上昇が見られた。
と変調電極で可能である場合、前述した様に、共振補正
回路が必要ないことは、いうまでもないことである。
振回路のQ値を上げることが出来、即ち、シフト光導波
路の近傍に形成した変調電極にかかる電圧を増幅するこ
とが出来、これにより、感度を高めることが出来る。
の導波器等を設けた八木アンテナとの組み合わせによ
り、更に感度を高めることが出来る。
分離されたテレビ中継放送所の送受信間信号伝送システ
ムとして利用すれば、受信所側への電源供給は不要なた
め、電気的に完全に送受信点間を分離することが出来、
雷害防止などに大きな効果を持つ。
る。
る。
用アンテナと電界センサヘッドを含む共振回路の等価回
路を示す回路図である。 (b)従来例において、アンテナに半波長ダイポールア
ンテナを用いた場合の共振回路の等価回路を示す回路図
である。 (c)従来例において、アンテナにショートダイポール
アンテナを用いた場合の共振回路の等価回路を示す回路
図である。
と電界センサヘッドの抵抗との関係を示す図である。
る。
テナを示す斜視図である。
る。
る。
る。
る。
Claims (7)
- 【請求項1】 電界受信用アンテナと、光を放射する光
源と、該光源に接続され該光源により放射された光を伝
達する入射光ファイバと、前記電界受信用アンテナ及び
前記入射光ファイバに接続され前記入射光ファイバを介
して入射する光の強度が該電界受信用アンテナで受信し
た入力信号の電界強度に応じて変化するように構成され
た電界センサヘッドと、該電界センサヘッドに接続され
該電界センサヘッドを透過してきた透過光を伝達する出
射光ファイバと、前記透過光を該出射光ファイバを介し
て受けて前記透過光の光強度変化を検出する光検出器と
を具備する電界センサであって、 前記電界センサヘッドは、基板と、前記入射光ファイバ
に接続されるように該基板上に形成された入射光導波路
と、前記入射光導波路より分岐するように前記基板上に
形成され前記電界受信用アンテナで受信した入力信号の
電界強度に応じて屈折率が変化する2つの位相シフト光
導波路と、前記出射光ファイバに接続され前記2つの位
相シフト光導波路を合流するように前記基板上に形成さ
れた出射光導波路と、前記2つの位相シフト光導波路の
うち少なくとも一方の近傍に形成された変調電極とから
なる電界センサにおいて、 前記変調電極及び前記電界受信用アンテナは、共振回路
を形成しており、 前記共振回路のQ値を2以上とすることにより、感度を
向上させることを特徴とする電界センサ。 - 【請求項2】 電界受信用アンテナと、光を放射する光
源と、該光源に接続され該光源により放射された光を伝
達する入射光ファイバと、前記電界受信用アンテナ及び
前記入射光ファイバに接続され前記入射光ファイバを介
して入射する光の強度が該電界受信用アンテナで受信し
た入力信号の電界強度に応じて変化するように構成され
た電界センサヘッドと、該電界センサヘッドに接続され
該電界センサヘッドを透過してきた透過光を伝達する出
射光ファイバと、前記透過光を該出射光ファイバを介し
て受けて前記透過光の光強度変化を検出する光検出器と
を具備する電界センサであって、 前記電界センサヘッドは、基板と、前記入射光ファイバ
に接続されるように該基板上に形成された入射光導波路
と、前記入射光導波路より分岐するように前記基板上に
形成され前記電界受信用アンテナで受信した入力信号の
電界強度に応じて屈折率が変化する2つの位相シフト光
導波路と、前記出射光ファイバに接続され前記2つの位
相シフト光導波路を合流するように前記基板上に形成さ
れた出射光導波路と、前記2つの位相シフト光導波路の
うち少なくとも一方の近傍に形成された変調電極とから
なる電界センサにおいて、 前記変調電極及び前記電界受信用アンテナは、共振回路
を形成しており、 前記変調電極の膜厚は1μm以上とすることで、変調電
極の抵抗を小さくし、前記共振回路のQ値を2以上とす
ることにより、感度を向上させることを特徴とする電界
センサ。 - 【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載のいずれか
の電界センサであって、 前記2つの位相シフト光導波路の双方の近傍に前記変調
電極が形成されている電界センサにおいて、 前記変調電極は、光進行方向において分割されており、 該分割された分割電極は、互いに容量結合されているこ
とにより、 前記変調電極の合成容量を小さくし、前記共振回路のQ
値を上げることにより、感度を向上させることを特徴と
する電界センサ。 - 【請求項4】 電界受信用アンテナと、光を放射する光
源と、該光源に接続され該光源により放射された光を伝
達する入射光ファイバと、前記電界受信用アンテナ及び
前記入射光ファイバに接続され前記入射光ファイバを介
して入射する光の強度が該電界受信用アンテナで受信し
た入力信号の電界強度に応じて変化するように構成され
た電界センサヘッドと、該電界センサヘッドに接続され
該電界センサヘッドを透過してきた透過光を伝達する出
射光ファイバと、前記透過光を該出射光ファイバを介し
て受けて前記透過光の光強度変化を検出する光検出器と
を具備する電界センサであって、 前記電界センサヘッドは、基板と、前記入射光ファイバ
に接続されるように該基板上に形成された入射光導波路
と、前記入射光導波路より分岐するように前記基板上に
形成され前記電界受信用アンテナで受信した入力信号の
電界強度に応じて屈折率が変化する2つの位相シフト光
導波路と、前記出射光ファイバに接続され前記2つの位
相シフト光導波路を合流するように前記基板上に形成さ
れた出射光導波路と、前記2つの位相シフト光導波路の
双方の近傍に形成された変調電極とからなる電界センサ
において、 前記変調電極及び前記電界受信用アンテナは、共振回路
を形成しており、 前記変調電極は、光進行方向において分割され、 該分割された分割電極は、互いに容量結合されているこ
とにより、 前記変調電極の合成容量を小さくし、前記共振回路のQ
値を上げることにより、感度を向上させることを特徴と
する電界センサ。 - 【請求項5】 請求項1乃至請求項4に記載のいずれか
の電界センサにおいて、 前記電界受信用アンテナは、低放射抵抗アンテナとする
ことで、該電界受信用アンテナの放射抵抗を低くし、前
記共振回路のQ値を上げることにより、感度を向上させ
ることを特徴とする電界センサ。 - 【請求項6】 請求項1乃至請求項5に記載のいずれか
の電界センサにおいて、 該電界センサは、更に、該電界センサに結合された導波
器および反射器の内、少なくとも一つを有することこと
により、電波の集中化を図り、感度を向上させることを
特徴とする電界センサ。 - 【請求項7】 請求項1乃至請求項6に記載のいずれか
の電界センサにおいて、 前記共振回路は、前記変調電極と、前記電界受信用アン
テナと、前記変調電極と前記電界受信用アンテナを接続
する経路の少なくとも一方に挿入された共振補正回路か
らなることを特徴とする電界センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29318995A JP3435588B2 (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 電界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29318995A JP3435588B2 (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 電界センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09133723A true JPH09133723A (ja) | 1997-05-20 |
JP3435588B2 JP3435588B2 (ja) | 2003-08-11 |
Family
ID=17791579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29318995A Expired - Lifetime JP3435588B2 (ja) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 電界センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3435588B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102854403A (zh) * | 2012-09-18 | 2013-01-02 | 清华大学 | 一种基于共路干涉的集成电场传感器 |
WO2021111737A1 (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | Tdk株式会社 | 電磁波測定装置、及び電磁波測定方法 |
-
1995
- 1995-11-10 JP JP29318995A patent/JP3435588B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102854403A (zh) * | 2012-09-18 | 2013-01-02 | 清华大学 | 一种基于共路干涉的集成电场传感器 |
WO2021111737A1 (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | Tdk株式会社 | 電磁波測定装置、及び電磁波測定方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3435588B2 (ja) | 2003-08-11 |
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