JPH0913195A - 樹脂封止半導体リードフレームのはんだめっき方法 - Google Patents

樹脂封止半導体リードフレームのはんだめっき方法

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Publication number
JPH0913195A
JPH0913195A JP16065695A JP16065695A JPH0913195A JP H0913195 A JPH0913195 A JP H0913195A JP 16065695 A JP16065695 A JP 16065695A JP 16065695 A JP16065695 A JP 16065695A JP H0913195 A JPH0913195 A JP H0913195A
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JP
Japan
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solder plating
lead frame
plating method
resin
semiconductor lead
Prior art date
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Pending
Application number
JP16065695A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshinori Ozaki
敏範 尾崎
Hisanori Akino
久則 秋野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
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Publication of JPH0913195A publication Critical patent/JPH0913195A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】コストパフォーマンスがよく、針状の異常析出
物の発生を防止し得る樹脂封止半導体リードフレームの
はんだめっき方法を提供する。 【構成】樹脂封止半導体リードフレームのはんだめっき
方法において、はんだめっき浴槽1内に衝撃力発生手
段、すなわち超音波振動子4、回転ブラシ6、ジェット
流噴出ノズル7を配設し、その衝撃力によりめっき加工
中のリードフレーム2に機械的衝撃をあたえることを特
徴とするものである。これらの衝撃力発生手段の衝撃力
は、前半の工程で用いることを好ましい。これにより、
針状の異常析出物が小さい間に対処することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止半導体リード
フレームのはんだめっき方法に係り、特に、樹脂封止後
の半導体の実装直前のリードフレームのはんだめっき方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来においては、樹脂封止半導体は、I
Cチップを連続した長尺条体のリードフレームに搭載
し、樹脂封止後に、前記リードフレームのアウターリー
ド部分にはんだめっきを行う。その後、リードフレーム
を切断し、樹脂封止半導体として仕上げていた。
【0003】上記はんだめっきは、長いはんだめっき浴
槽内に、樹脂封止後のリードフレームを浸漬し、10μ
m程度のはんだめっきを行う。その結果第4図に示すよ
うに偶発的にはんだめっきの針状な異常析出が生じ問題
となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記針状の異常析出の
発生理由は必ずしも正確に解明されていないが、以下の
ような理由と考えられる。
【0005】(1)はんだめっき液の個性が原因になっ
ていると考えられる。その証拠に例えばはんだめっき液
を換えると、その発生状況が変化する。
【0006】(2)めっき時間が長いので、針状になり
やすい。
【0007】(3)下地のリードフレーム表面が粗い
と、発生しやすい。
【0008】(4)一度針状に発展したはんだめっき
は、ますます針状となる。
【0009】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
コストパフォーマンスがよく、針状の異常析出物の発生
を防止し得る樹脂封止半導体リードフレームのはんだめ
っき方法を提供することをその目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的は、樹脂封止半
導体リードフレームのはんだめっき方法に係る本発明の
構成を、樹脂封止半導体リードフレームのはんだめっき
方法において、はんだめっき浴槽内に衝撃力発生手段を
配設し、当該衝撃力発生手段の衝撃力によりめっき加工
中の前記リードフレームに機械的衝撃をあたえることに
より達成することができる。
【0011】前項記載の樹脂封止半導体リードフレーム
のはんだめっき方法において、はんだめっき浴槽内に浸
漬した樹脂封止半導体リードフレームを一定時間毎に大
気中に露出させ、不連続にめっきをすることにより達成
することができる。
【0012】また、上記目的は、樹脂封止半導体リード
フレームのはんだめっき方法に係る本発明の構成を、樹
脂封止半導体リードフレームのはんだめっき方法におい
て、はんだめっき全工程の内、前半の工程で、前項記載
のはんだめっき方法を用いることにより達成することが
できる。
【0013】
【作用】上記各技術的手段の働きは次のとおりである。
【0014】請求項1の発明の構成によれば、衝撃力発
生手段から発生させた衝撃力により針状異常析出物の先
端を除去、変形、酸化させ、当該針状異常析出物の成長
を防止することができる。
【0015】請求項2の発明の構成によれば、一定時間
毎に大気中に露出させ、不連続にめっきをすることによ
り、針状異常析出物の先端を不働態化することができ、
当該針状異常析出物の成長を防止することができる。
【0016】請求項3の発明の構成によれば、はんだめ
っき全工程の内、少なくとも、前半の工程に、前項記載
のはんだめっき方法を用いることにより、針状異常析出
物が小なる間に処理を施すことができるので、当該針状
異常析出物の成長を防止することができる。
【0017】
【実施例】以下本発明の各実施例を図1および図2を参
照して説明する。
【0018】〔実施例1〕図1は、本発明の一実施例に
係る樹脂封止半導体リードフレームのはんだめっき方法
の略示説明図である。
【0019】図1において、1ははんだめっき浴槽本
体、2は樹脂封止後のリードフレーム、3ははんだめっ
き液、4は超音波振動子、5は超音波発振器、6は回転
ブラシ、7はジェット流噴出ノズルである。
【0020】図1において、はんだめっき浴槽本体1
は、長さ5mの電気めっき浴槽であり、リードフレーム
2は1M−DRAM樹脂封止半導体リードフレーム、は
んだめっき液3は、60%Sn無光沢液であり、ここで
施される平均はんだめっきの厚さは8μmであった。
【0021】図1に示すように、上記はんだめっき浴槽
本体1の入口より500mmの位置に、超音波発振器5に
接続された超音波振動子4、ナイロン系製回転ブラシ
6、ジェット流噴出ノズル7を配設する。前記リードフ
レーム2の搬送に伴い、当該リードフレーム2のアウタ
リード部分に前記超音波振動子4およびジェット流噴出
ノズル7から物理的衝撃およびナイロン系製回転ブラシ
6による表面摩擦を付与した。その結果、異常析出物
は、全く発生しなかった。
【0022】本実施例を実施する以前は、月に2ないし
3回の頻度で、平均長さ300μmの針状異常析出物が
発生していた。上記の超音波振動子4、ナイロン系製回
転ブラシ6、ジェット流噴出ノズル7を、はんだめっき
浴槽本体1の入口より3000mmおよび4000mmの位
置に配設したときは、必ずしも好結果がえられなかっ
た。このことより、針状異常析出物が小さい時に対処す
ることが好ましいことがわかる。
【0023】〔実施例2〕次に、本発明の他の実施例を
説明する。
【0024】図2は、本発明の他の実施例に係る樹脂封
止半導体リードフレームのはんだめっき方法の略示説明
図である。本実施例は、図1の〔実施例1〕におけるは
んだめっき浴槽本体1にリードフレーム搬送用のロボッ
トシステム8を配設したものである。図2に示すよう
に、めっき工程中において、不連続的に大気中に取り出
し、大気酸化させた。すなわち、めっき液中に1分、大
気中に0.5分のサイクルを三サイクルとした。この結
果、針状異常析出物がなかった。
【0025】本発明は、上記実施例に限定されることな
く、例えば不連続めっきの方法として、めっき電流の一
時停止することでも差し支えない。本発明は、上記した
如く、いずれの方法も針状異常析出物が小さい時に対処
することが好ましく、全工程の入口から1/3までの位
置に設けたり、作用させるのが好ましい。
【0026】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の構
成によれば、コストパフォーマンスがよく、針状の異常
析出の発生を防止し得る樹脂封止半導体リードフレーム
のはんだめっき方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る樹脂封止半導体リード
フレームのはんだめっき方法の略示説明図である。
【図2】本発明の他の実施例に係る樹脂封止半導体リー
ドフレームのはんだめっき方法の略示説明図である。
【図3】はんだめっき後のリードフレームの外観を示す
平面図である。
【図4】異常析出物を示す図である。
【符号の説明】
1 はんだめっき浴槽本体 2 樹脂封止後のリードフレーム 3 はんだめっき液 4 超音波振動子 5 超音波発振器 6 回転ブラシ 7 ジェット流噴出ノズル 8 ロボットシステム

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】樹脂封止半導体リードフレームのはんだめ
    っき方法において、はんだめっき浴槽内に衝撃力発生手
    段を配設し、当該衝撃力発生手段の衝撃力によりめっき
    加工中の前記リードフレームに機械的衝撃をあたえるこ
    とを特徴とする樹脂封止半導体リードフレームのはんだ
    めっき方法。
  2. 【請求項2】請求項1記載の樹脂封止半導体リードフレ
    ームのはんだめっき方法において、はんだめっき浴槽内
    に浸漬した樹脂封止半導体リードフレームを一定時間毎
    に大気中に露出させ、不連続にめっきをすることを特徴
    とする樹脂封止半導体リードフレームのはんだめっき方
    法。
  3. 【請求項3】樹脂封止半導体リードフレームのはんだめ
    っき方法において、はんだめっき全工程の内、前半の工
    程で、請求項1もしくは2記載のいずれかのはんだめっ
    き方法を用いることを特徴とする樹脂封止半導体リード
    フレームのはんだめっき方法。
JP16065695A 1995-06-27 1995-06-27 樹脂封止半導体リードフレームのはんだめっき方法 Pending JPH0913195A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6776675B2 (en) * 2001-09-18 2004-08-17 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Jet propulsion boat
JP2008280559A (ja) * 2007-05-08 2008-11-20 Akita Univ 錫メッキの針状ウィスカの発生を抑制する方法

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US6776675B2 (en) * 2001-09-18 2004-08-17 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Jet propulsion boat
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