JPH09124343A

JPH09124343A - 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法

Info

Publication number: JPH09124343A
Application number: JP30682295A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Kojima; 毅小嶋
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1995-10-31
Filing date: 1995-10-31
Publication date: 1997-05-13
Anticipated expiration: 2015-10-31
Also published as: JP2998948B2

Abstract

(57)【要約】【目的】真円度を損なうことなくガラス端面からの発
塵を防止できる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を
提供する。【構成】円盤状に成形されたガラス基板の少なくとも
端面をケイフッ酸を含む処理液で処理する。これによ
り、ガラス基板の端面を、発塵を防止できる程度の良好
な表面精度にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスクなどに
用いられる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁
気ディスクの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク用ガラス基板としては、ア
ルミニウム基板が多く用いられていたが、磁気ディスク
の小型化や薄板化に伴い、アルミニウム基板に比べ平坦
度が高く薄板化が可能なガラス基板を用いる割合も増え
てきている。

【０００３】ガラス基板を磁気ディスク用基板として用
いる場合には、耐衝撃性や対振動性の向上を目的とし
て、ガラス基板の表面を低温イオン交換法による化学強
化処理を施すのが一般的である。

【０００４】この化学強化は、ガラス基板を研削、研磨
した後に行われる。また、化学強化処理の前工程として
基板の洗浄工程がある。この洗浄工程は、例えば、特開
平２−２８５５０８号公報に記載されているように、純
水で行われる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来、ガラス基板の研
磨は、ガラス基板の表面と裏面に対して行っており、ガ
ラス基板の外周端面や内周端面に対しては行われていな
い。したがって、これらの端面は、表面粗さが粗い状態
になっているので、ガラス基板の持ち運びの際や、収納
ケースに出し入れする際に、これらの端面が擦れて、端
面から発塵することがあった。

【０００６】近年、磁気ディスクの高密度化に伴い、わ
ずかな発塵も問題となっている。

【０００７】なお、端面を研磨することも可能である
が、発塵を防止しうる程度の表面粗度に研磨することは
難しく、コスト高となる。また、端面を化学的にエッチ
ングすることも可能であるが、エッチング力が強すぎる
と、表面粗度の良好な端面が得られないことがあり、特
に磁気ディスク用ガラス基板の場合、エッチングによっ
て真円度が損なわれ芯ずれを起こして不良品となってし
まうことがある。また、エッチング力が強すぎると、端
面の表面粗度を逆に劣化させてしまうこともある。

【０００８】本発明は上記問題点にかんがみてなされた
ものであり、真円度を損なうことがないとともに端面の
表面粗度を劣化させてしまうことなくガラス端面からの
発塵を防止できる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
の提供を第一の目的とする。

【０００９】また、ガラス端面からの発塵による欠陥を
なくし、製品歩留まりの向上、製品品質の向上及び製品
使用時の欠陥発生の低減を図ることのできる磁気ディス
クの製造方法の提供を第二の目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、円
盤状に成形されたガラス基板の少なくとも端面をケイフ
ッ酸を含む処理液で処理する構成、あるいは、円盤状に
成形されたガラス基板を、少なくとも砂かけ又は研磨し
た後に、ガラス基板全体をケイフッ酸を含む処理液で処
理する構成としてある。

【００１１】また、本発明の磁気ディスク用ガラス基板
の製造方法は、上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方
法において、ケイフッ酸の濃度が、０．０１から１０重
量％である構成、ガラス基板が、アルミノシリケートガ
ラス又はソーダライムガラスである構成、あるいは、上
記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の後工程とし
て、イオン交換法によりガラス基板表面を化学強化する
工程を設けた構成としてある。

【００１２】さらに、本発明の磁気ディスクの製造方法
は、上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の後工程
として、磁気ディスク用ガラス基板上に、少なくとも磁
性層を形成した構成としてある。

【００１３】

【作用】本発明では、ガラス基板の端面をケイフッ酸で
処理しているので、ガラス基板の端面の表面粗度が向上
し、ガラス端面からの発塵を防止できる。

【００１４】また、ケイフッ酸のエッチング力は、さほ
ど強くないので、発塵を防止できる程度の良好なガラス
基板端面の表面粗度（Ｒmax ２μｍ以下）にすることが
できるとともに、ガラス基板の真円度を損なうこともな
い。

【００１５】さらに、ケイフッ酸によってガラス基板全
体を処理する場合には、ガラス基板表面の研磨、研削キ
ズの低減を図ることができる。

【００１６】また、本発明の磁気ディスクの製造方法に
よれば、発塵による異物の付着やガラス基板表面の研
磨、研削キズの低減を図ることができ、したがって欠陥
の少ない高品質の磁気ディスクを高歩留まりで製造でき
る。

【００１７】以下、本発明を詳細に説明する。

【００１８】本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造
方法においては、円盤状に成形されたガラス基板の少な
くとも端面（面取部のほか側壁部も含む）をケイフッ酸
を含む処理液（以下、ケイフッ酸処理液という）で処理
する。

【００１９】ここで、ケイフッ酸処理液による処理（以
下、ケイフッ酸処理という）は、円盤状に成形されたガ
ラス基板の研削、研磨工程のいずれの工程の後に行って
もよく、あるいは、各工程の後に行ってもよい。通常
は、精研削工程の後にケイフッ酸処理を行うことが好ま
しい。研削、研磨の工程は、通常、大きく分けて、
（１）荒ずり（粗研削）、（２）砂掛け（精研削）、
（３）第一研磨、（４）第二研磨（ファイナル研磨）の
各工程からなる。

【００２０】ケイフッ酸処理は、ガラス基板の端面のみ
をケイフッ酸処理液に接触させて行ってもよく、あるい
は、ガラス基板全体をケイフッ酸処理液に接触させて行
ってもよい。ガラス基板の端面のみをケイフッ酸処理液
に接触させるには、例えば、ガラス基板を重ね合わせ、
これをケイフッ酸処理液に浸せばよい。

【００２１】ガラス基板全体をケイフッ酸処理液に接触
させる場合には、ガラス基板表面の洗浄を併せて行うこ
とが可能である。したがって、従来の純水等による洗浄
の代わりにケイフッ酸処理液による洗浄を行えば、ガラ
ス基板の洗浄とガラス基板の端面処理を同時に一工程で
行うことができ、工程増加によるコスト増を回避でき
る。

【００２２】ケイフッ酸処理は、ガラス基板の外周端面
及び内周端面に対して行うことが好ましいが、いずれか
一方だけを処理することも可能である。

【００２３】ケイフッ酸としては、代表的なものとして
はケイフッ化水素酸（Ｈ₂ＳｉＦ₆）などが使用される。
ケイフッ酸処理液には、洗浄効果等を高めるため微量で
あれば、フッ酸（フッ化水素酸など）、市販の洗浄剤
（中性洗剤、界面活性剤、アルカリ性洗浄剤など）等を
添加してもよい。

【００２４】ケイフッ酸の濃度は、０．０１〜１０重量
％程度であることが好ましい。ケイフッ酸の濃度が、
０．０１％未満であるとエッチング効果や洗浄効果が低
下し、１０％を超えると表面が粗面となり、発塵をおこ
す。

【００２５】処理時間は、おおよそ１〜１０分の範囲と
することが好ましい。処理時間が３０秒未満であるとガ
ラス基板端面が発塵を防止できる程度の良好な表面粗度
（Ｒmax ２μｍ以下）にならず、１５分を越えるとガラ
ス基板の真円度が損なわれたり、端面の表面粗度が劣化
したりする。研削、研磨の各工程の後にケイフッ酸処理
を行う場合には、合計の処理時間がこの範囲に収まるよ
うにすればよい。

【００２６】処理温度は、１０〜５０℃程度とすること
が好ましい。

【００２７】ガラス基板の種類、サイズ、厚さ等は特に
制限されない。ガラス基板の材質としては、例えば、ア
ルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダ
アルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラ
ス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリ
ケートガラスなどが挙げられる。なお、ケイフッ酸はア
ルミノシリケートガラスに対して特に化学エッチングの
制御性が良く、したがって、極めて容易にガラス基板端
面を発塵を防止できる程度の良好な表面粗度とすること
ができ、しかもガラス基板の真円度を損なうことがな
い。

【００２８】アルミノシリケートガラスとしては、Ｓｉ
Ｏ₂：６２〜７５重量％、Ａｌ₂Ｏ₃：５〜１５重量％、
Ｌｉ₂Ｏ：４〜１０重量％、Ｎａ₂Ｏ：４〜１２重量％、
ＺｒＯ₂：５．５〜１５重量％を主成分として含有する
とともに、Ｎａ₂Ｏ／ＺｒＯ₂の重量比が０．５〜２．
０、Ａｌ₂Ｏ₃／ＺｒＯ₂の重量比が０．４〜２．５であ
る化学強化用ガラス等が好ましい。このようなアルミノ
シリケートガラスは、化学強化することによって、抗折
強度が増加し、圧縮応力層の深さも深く、ヌープ硬度に
も優れる。

【００２９】本発明では、上記磁気ディスク用ガラス基
板の製造方法の後工程として、イオン交換法によりガラ
ス基板表面を化学強化する工程を設けてもよい。ここ
で、化学強化方法としては、従来より公知の化学強化法
であれば特に制限されないが、例えば、ガラス転移点の
観点から転移温度を超えない領域でイオン交換を行う低
温型化学強化などが好ましい。化学強化に用いるアルカ
リ溶融塩としては、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、あ
るいは、それらを混合した硝酸塩などが挙げられる。

【００３０】なお、化学強化後の磁気ディスク用ガラス
基板に上述したケイフッ酸処理を行うことも可能であ
る。

【００３１】上記本発明の磁気ディスク用ガラス基板の
製造方法は、光磁気ディスク用のガラス基板や、発塵を
嫌う光ディスクなどの電子光学用ディスク基板の端面処
理方法としても利用できる。

【００３２】次に、本発明の磁気ディスクの製造方法に
ついて説明する。

【００３３】本発明の磁気ディスクの製造方法は、上記
磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の後工程として、
磁気ディスク用ガラス基板上に、少なくとも磁性層を形
成する。

【００３４】本発明では、発塵及び欠陥の少ないガラス
基板を使用しているので、磁気ディスクとしても高品質
である。すなわち、従来に比べはるかに発塵が少なく、
表面状態の良いガラス基板を使用することによって、磁
気ディスクとした場合にベッドクラッシュを起こすこと
がなく、磁性層等の膜に欠陥が発生しエラーの原因とな
るということもない。

【００３５】磁気記録媒体は、通常、磁気ディスク用ガ
ラス基板上に、下地層、磁性層、保護層、潤滑層を順次
積層して製造する。

【００３６】磁気記録媒体は、通常、所定の平坦度、表
面粗さを有し、表面の化学強化処理を施した磁気ディス
ク用ガラス基板上に、下地層、磁性層、保護層、潤滑層
を順次積層して製造する。

【００３７】磁気記録媒体における、下地層としては、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌなどの非磁性薄膜が
挙げられ、Ａｌ／Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ａｌ／Ｃｒ／Ｃｒ等
の多層下地層としもよい。

【００３８】磁性層としては、例えば、Ｃｏを主成分と
するＣｏＰｔＣｒやＣｏＮｉＣｒＴａなどの磁性薄膜が
挙げられ、磁性層を非磁性膜で分割してノイズの低減を
図ったＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ等の多層
構成としもよい。なお、磁性層は、水平磁気記録、垂直
磁気記録のいずれの磁性層でもよい。

【００３９】保護層としては、例えば、Ｃｒ膜、Ｃｒ合
金膜、炭素膜、ジルコニア膜、シリカ膜等が挙げられ
る。これらの保護膜は、下地層、磁性層等とともにイン
ライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、こ
れらの保護膜は、単層としてもよく、あるいは、同一又
は異種の膜からなる多層構成としてもよい。上記保護層
上にはさらに他の保護層を形成してもよい。例えば、上
記保護層上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶
媒で希釈して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ₂）膜を形成してもよい。

【００４０】潤滑層は、例えば、液体潤滑剤であるパー
フロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶
媒で希釈し、媒体表面にディッピング法、スピンコート
法、スプレイ法によって塗布し、必要に応じ加熱処理を
行って形成する。

【００４１】

【実施例】以下、実施例にもとづき本発明をさらに具体
的に説明する。

【００４２】実施例１

【００４３】（１）荒ずり工程まず、ダウンドロー法で形成したシートガラスから、研
削砥石で直径９６ｍｍφ、厚さ３ｍｍの円盤状に切り出
したアルミノシリケイトガラスからなるガラス基板を、
比較的粗いダイヤモンド砥石で研削加工して、直径９６
ｍｍφ、厚さ１．５ｍｍに成形した。

【００４４】なお、アルミノシリケイトガラスとして
は、ＳｉＯ₂：６３重量％、Ａｌ₂Ｏ₃：１４重量％、Ｌ
ｉ₂Ｏ：６重量％、Ｎａ₂Ｏ：１０重量％、ＺｒＯ₂：７
重量％を主成分として含有する化学強化用ガラスを使用
した。

【００４５】次いで、上記砥石よりも粒度の細かいダイ
ヤモンド砥石で上記ガラス基板の両面を片面ずつ研削加
工した。このときの荷重は１００ｋｇ程度とした。これ
により、ガラス基板両面の表面粗さをＲｍａｘ（ＪＩＳ
Ｂ０６０１で測定）で１０μｍ程度に仕上げた。

【００４６】次に、円筒状の砥石を用いてガラス基板の
中央部分に孔を開けるとともに、外周端面も研削して直
径を９５ｍｍφとした後、外周端面及び内周面に所定の
面取り加工を施した。このときのガラス基板端面の表面
粗度は、Ｒｍａｘ４μｍ程度であった。

【００４７】第一洗浄工程

【００４８】上記形状加工を終えたガラス基板の表面を
水洗浄した。

【００４９】（２）砂掛け（ラッピング）工程次に、ガラス基板に砂掛け加工を施した。この砂掛け工
程は、寸法精度及び形状精度の向上を目的としている。
砂掛け加工は、ラッピング装置を用いて行い、砥粒の粒
度を＃４００、＃１０００と替えて２回行った。

【００５０】詳しくは、はじめに、粒度＃４００のアル
ミナ砥粒を用い、荷重Ｌを１００ｋｇ程度に設定して、
内転ギアと外転ギアを回転させることによって、キャリ
ア内に収納したガラス基板の両面を面精度０〜１μｍ、
表面粗さ（Ｒｍａｘ）６μｍ程度にラッピングした。

【００５１】次いで、アルミナ砥粒の粒度を＃１０００
に替えてラッピングを行い、表面粗さ（Ｒｍａｘ）２μ
ｍ程度とした。

【００５２】第二洗浄工程上記砂掛け加工を終えたガラス基板を、ケイフッ酸（濃
度２％）、中性洗剤、中性洗剤、水の各洗浄槽に順次浸
漬して、洗浄した。

【００５３】なお、ケイフッ酸への浸漬時間は１〜３分
程度とした。また、各洗浄槽には超音波を印加した。

【００５４】このケイフッ酸を用いた洗浄によって、外
周端面と内周端面の表面粗さは、３μｍとなった。ま
た、真円度が損なわれることはなかった。

【００５５】（３）第一研磨工程次に、第一研磨工程を施した。この第一研磨工程は、上
述した砂掛け工程で残留したキズや歪みの除去を目的と
するもので、研磨装置を用いて行った。

【００５６】詳しくは、ポリシャ（研磨粉）として硬質
ポリシャ（セリウムパッドＭＨＣ１５：スピードファム
社製）を用い、以下の研磨条件で第一研磨工程を実施し
た。

【００５７】研磨液：酸化セリウム＋水荷重：３００ｇ／ｃｍ²（Ｌ＝２３８ｋｇ）研磨時間：１５分除去量：３０μｍ下定盤回転数：４０ｒｐｍ上定盤回転数：３５ｒｐｍ内ギア回転数：１４ｒｐｍ外ギア回転数：２９ｒｐｍ

【００５８】第三洗浄工程上記第一研磨工程を終えたガラス基板を、ケイフッ酸
（濃度２％）、中性洗剤、中性洗剤、純水、純水、ＩＰ
Ａ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の
各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。

【００５９】なお、ケイフッ酸への浸漬時間は１〜３分
程度とした。また、各洗浄槽に超音波を印加した。

【００６０】このケイフッ酸を用いた洗浄によって、外
周端面と内周端面の表面粗さは、２μｍとなった。ま
た、真円度が損なわれることはなかった。

【００６１】（４）第二研磨工程次に、第一研磨工程で使用した研磨装置を用い、ポリシ
ャを硬質ポリシャから軟質ポリシャ（ポリラックス：ス
ピードファム社製）に替えて、第二研磨工程を実施し
た。研磨条件は、荷重を１００ｇ／ｃｍ²、研磨時間を
５分、除去量を５μｍとしたこと以外は、第一研磨工程
と同様とした。

【００６２】第四洗浄工程上記第二研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、中
性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、
洗浄した。

【００６３】なお、各洗浄槽には超音波を印加した。

【００６４】（５）化学強化工程次に、上記研削、研磨工程を終えたガラス基板に化学強
化を施した。化学強化は、硝酸カリウム（６０％）と硝
酸ナトリウム（４０％）を混合した化学強化溶液を用意
し、この化学強化溶液を４００℃に加熱し、３００℃に
予熱された洗浄済みのガラス基板を約３時間浸漬して行
った。この浸漬の際に、ガラス基板の表面全体が化学強
化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保
持されるようにホルダーに収納した状態で行った。

【００６５】このように、化学強化溶液に浸漬処理する
ことによって、ガラス基板表層のリチウムイオン、ナト
リウムイオンは、化学強化溶液中のナトリウムイオン、
カリウムイオンにそれぞれ置換されガラス基板は強化さ
れる。

【００６６】ガラス基板の表層に形成された圧縮応力層
の厚さは、約１００〜２００μｍであった。

【００６７】上記化学強化を終えたガラス基板を、２０
℃の水槽に浸漬して急冷し約１０分間維持した。

【００６８】第五洗浄工程上記急冷を終えたガラス基板を、約４０℃に加熱した硫
酸に浸漬し、超音波をかけながら洗浄を行った。

【００６９】このようにして得たガラス基板の表面を検
査したところ異物は認められなかった。また、硫酸を用
いた洗浄によって、外周端面と内周端面の表面粗さ、及
び真円度に変化はなかった。

【００７０】（６）磁気ディスク製造工程上述した工程を経て得られた磁気ディスク用ガラス基板
の両面に、インライン式のスパッタリング装置を用い
て、Ｃｒ下地層、ＣｒＭｏ下地層、ＣｏＰｔＣｒ磁性
層、Ｃ保護層を順次成膜して磁気ディスクを得た。

【００７１】得られた磁気ディスクについてグライドテ
ストを実施したところ、ヒット（ヘッドが磁気ディスク
表面の突起にかすること）やクラッシュ（ヘッドが磁気
ディスク表面の突起に衝突すること）は認められなかっ
た。また、基板表面に発塵による異物や欠陥が発生しな
いので、磁性層等の膜に欠陥が発生していないことも確
認できた。

【００７２】実施例２ケイフッ酸による洗浄処理（処理時間５分）を、第二洗
浄工程だけ行い、他の洗浄工程ではケイフッ酸を使用し
なかったこと以外は実施例１と同様にして、磁気ディス
ク用ガラス基板及び磁気ディスクを得た。

【００７３】その結果は、実施例１と同様であった。

【００７４】実施例３ケイフッ酸による洗浄処理を、第二〜第四洗浄工程の各
工程で行ったこと以外は実施例１と同様にして、磁気デ
ィスク用ガラス基板及び磁気ディスクを得た。

【００７５】その結果は、実施例１と同様であった。

【００７６】実施例４〜５アルミノシリケートガラスの代わりにソーダライムガラ
ス（実施例３）、ソーダアルミノケイ酸ガラス（実施例
４）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、磁気デ
ィスク用ガラス基板及び磁気ディスクを得た。

【００７７】その結果、ソーダライムガラスの場合、ガ
ラス基板の外周端面と内周端面の表面粗さは、３μｍと
なり、アルミノシリケートガラスに比べやや粗面ではあ
ったが、発塵防止の面で実用上問題はなかった。

【００７８】実施例６実施例１で得られた磁気ディスク用ガラス基板の両面
に、Ａｌ（膜厚５０オングストローム）／Ｃｒ（１００
０オングストローム）／ＣｒＭｏ（１００オングストロ
ーム）からなる下地層、ＣｏＰｔＣｒ（１２０オングス
トローム）／ＣｒＭｏ（５０オングストローム）／Ｃｏ
ＰｔＣｒ（１２０オングストローム）からなる磁性層、
Ｃｒ（５０オングストローム）保護層をインライン型ス
パッタ装置で形成した。

【００７９】上記基板を、シリカ微粒子（粒経１００オ
ングストローム）を分散した有機ケイ素化合物溶液（水
とＩＰＡとテトラエトキシシランとの混合液）に浸し、
焼成することによってＳｉＯ₂からなる保護層を形成
し、さらに、この保護層上をパーフロロポリエーテルか
らなる潤滑剤でディップ処理して潤滑層を形成して、Ｍ
Ｒヘッド用磁気ディスクを得た。

【００８０】得られた磁気ディスクについてグライドテ
ストを実施したところ、ヒットやクラッシュは認められ
なかった。また、磁性層等の膜に欠陥が発生していない
ことも確認できた。

【００８１】実施例７下地層をＡｌ／Ｃｒ／Ｃｒとし、磁性層をＣｏＮｉＣｒ
Ｔａとしたこと以外は実施例５と同様にして薄膜ヘッド
用磁気ディスクを得た。

【００８２】上記磁気ディスクについて実施例５と同様
のことが確認された。

【００８３】参考例１ケイフッ酸による洗浄処理を全く行わず、洗浄工程では
ケイフッ酸の代わりにフッ酸を用いたこと以外は実施例
１と同様にして、磁気ディスク用ガラス基板及び磁気デ
ィスクを得た。

【００８４】その結果、ガラス基板の外周端面と内周端
面の表面粗さは、４〜５μｍであり、真円度は、悪化し
て許容値を外れ、芯ずれを起こして不良品となった。こ
のように、フッ酸による処理では、ガラスに対するダメ
ージが大きく、エッチング制御性が悪いことがわかる。
また、得られた磁気ディスクについてグライドテストを
実施したところ、ヒットやクラッシュが認められた。

【００８５】以上好ましい実施例をあげて本発明を説明
したが、本発明は必ずしも上記実施例に限定されるもの
ではない。

【００８６】例えば、洗浄工程において、中性洗剤の代
わりに、市販の界面活性剤や洗浄剤（アルカリタイプの
ものを含む）を用いることもできる。

【００８７】また、研磨剤として、酸化セリウム（Ｃｅ
Ｏ₂）、アルミナ（γ−Ａｌ₂Ｏ₃）、べんがら（Ｆｅ₂Ｏ
₃）、酸化クロム（Ｃｒ₂Ｏ₃）、酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒＯ₂）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）などを使用することも
できる。また、軟質ポリシャとしては、スウェード、ベ
ロアを素材とするものが、硬質ポリシャとしては、硬質
ベロア、ウレタン発砲、ピッチ含浸スウェード等を使用
することもできる。

【００８８】

【発明の効果】以上説明したように本発明の磁気ディス
ク用ガラス基板の製造方法によれば、ガラス基板の端面
をケイフッ酸で処理しているので、ガラス基板の端面の
表面粗度が向上し、ガラス端面からの発塵を防止でき
る。

【００８９】また、ケイフッ酸のエッチング力は、さほ
ど強くないので、ガラス基板の真円度を損なうことがな
く、ガラス基板端面の表面粗度を劣化させることもな
い。

【００９０】さらに、本発明の磁気ディスクの製造方法
によれば、発塵による異物の付着やガラス基板表面の研
磨、研削キズの低減を図ることができ、したがって欠陥
の少ない高品質の磁気ディスクを高歩留まりで製造でき
る。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】円盤状に成形されたガラス基板の少なく
とも端面をケイフッ酸を含む処理液で処理することを特
徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】円盤状に成形されたガラス基板を、少な
くとも砂かけ又は研磨した後に、ガラス基板全体をケイ
フッ酸を含む処理液で処理することを特徴とする磁気デ
ィスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】ケイフッ酸の濃度が、０．０１〜１０重
量％であることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気
ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】ガラス基板が、アルミノシリケートガラ
ス又はソーダライムガラスであることを特徴とする請求
項１〜３のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板
の製造方法。
【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の磁気デ
ィスク用ガラス基板の製造方法の後工程として、イオン
交換法によりガラス基板表面を化学強化する工程を設け
たことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方
法。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の磁気デ
ィスク用ガラス基板の製造方法の後工程として、磁気デ
ィスク用ガラス基板上に、少なくとも磁性層を形成した
ことを特徴とする磁気ディスクの製造方法。