JPH09121177A - マイクロ波ミキサー回路とダウンコンバータ - Google Patents

マイクロ波ミキサー回路とダウンコンバータ

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JPH09121177A
JPH09121177A JP8045741A JP4574196A JPH09121177A JP H09121177 A JPH09121177 A JP H09121177A JP 8045741 A JP8045741 A JP 8045741A JP 4574196 A JP4574196 A JP 4574196A JP H09121177 A JPH09121177 A JP H09121177A
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    • H03D7/125—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes with field effect transistors

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数のマイクロ波信号入力から受信対象とな
る信号を選択し、中間周波信号に変換する小型のマイク
ロ波ミキサー回路を提供する。 【解決手段】 マイクロ波信号入力部２に入力された１
２ＧＨｚ帯のマイクロ波信号は、コンパレータ２０より
バイアス端子１１を介してバイアス電圧が供給され、バ
イアス端子２３よりバイアス電流が供給されているＦＥ
Ｔ９によって周波数変換されるが、マイクロ波信号入力
部１に入力されたマイクロ波信号はＦＥＴ８にバイアス
電流が供給されないため非線形動作がおこなわれず、周
波数変換されないため中間周波信号出力部２１にはマイ
クロ波信号入力部２に対応した１ＧＨｚ帯の中間周波信
号のみが現れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は,放送衛星及び通信
衛星による衛星放送又は通信受信用ダウンコンバータ等
に用いられるマイクロ波ミキサー回路と，これを備えた
衛星放送又は通信受信用ダウンコンバータ（国際特許分
類Ｈ０１Ｐ １／１７）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、衛星放送は普及期を迎え、また民
間の通信衛星を利用するＣＳ放送もサービスを開始し、
一般家庭で複数の衛星を直接受信する機会が増えてき
た。それに伴い受信用アンテナの小型化、低コスト化が
要求されるようになってきた。また、ＣＳ放送の場合、
周波数の有効利用のために、同一周波数で偏波の異なる
電波（水平偏波および垂直偏波）を用いて多チャンネル
化を行っているために、偏波切換機能を有する低雑音ダ
ウンコンバータが主流となりつつある。
【０００３】以下に従来のマイクロ波ミキサー回路につ
いて図３を用いて説明する。図３は従来の偏波切換機能
を有するマイクロ波ミキサー回路および中間周波増幅器
の構成を示すものである。図４において、１および２は
水平、垂直の偏波に対応したマイクロ波信号入力部、３
はローカル発振器、４、５はローカル周波数を通過させ
るバンドパスフィルタ（以下ＢＰＦと略す）、６、７は
マイクロストリップライン（以下ＭＳＬと略す）、４
８、４９は周波数変換用のショットキーバリアーダイオ
ード（以下ＳＢＤと略す）、１０、１１はＳＢＤのアノ
ードにバイアス電流を供給するバイアス端子、１２、１
３は中間周波信号を通過させるローパスフィルタ（以下
ＬＰＦと略す）、３４、３５、３６、３７および４０、
４１は中間周波増幅器、３８、３９はピンダイオード、
４２、４３はトランジスタ、４４はコンパレータ、４５
は中間周波信号出力部、４６、４７は偏波切換制御端子
である。
【０００４】以上のように構成された従来のマイクロ波
ミキサー回路および中間周波増幅器の動作について以下
に説明する。マイクロ波信号入力部１および２に入力さ
れた垂直および水平偏波に対応する１２ＧＨｚ帯のマイ
クロ波信号は、ローカル発振器３よりＢＰＦ４および５
を介して供給される局部発振周波数（例えば１１．２Ｇ
Ｈｚ）とＭＳＬ６および７に接続されたＳＢＤ４８およ
び４９によりそれぞれ混合され、１ＧＨｚ帯の中間周波
信号に変換される。ここで、ＳＢＤ４８および４９のア
ノードに接続されたバイアス端子１０および１１は、ロ
ーカル発振器３から供給される局部発振周波数出力が小
さい場合の変換損失の劣化を防止するため、ＳＢＤ４８
および４９に順方向のバイアス電流を印加している。Ｌ
ＰＦ１２および１３を通過した中間周波信号は、中間周
波増幅器３４、３５および３６、３７によって増幅さ
れ、ピンダイオード３８、３９を通過するが、中間周波
増幅器３４、３５の電流供給端子とピンダイオード３８
のアノードとは偏波切換制御端子４６に接続されてお
り、偏波切換端子４６は、中間周波信号出力部４５より
外部から供給される直流電圧（例えば１１Ｖまたは１５
Ｖ）に応じた異なる２値の直流信号を出力するコンパレ
ータ４４とその出力をベースに接続するトランジスタ４
２のコレクタと接続されている。同様に、中間周波増幅
器３６、３７の電流供給端子とピンダイオード３９のア
ノードとはトランジスタ４３のエミッタと偏波切換制御
端子４７を介して接続されている。上記の構成におい
て、中間周波信号出力部４５より１１Ｖの直流電圧が供
給されると、トランジスタ４２がオンすると同時にトラ
ンジスタ４３がオフとなる。従って、中間周波増幅器３
４、３５およびピンダイオード３８がオンし、中間周波
増幅器３６、３７およびピンダイオード３９はオフとな
るため中間周波増幅器４０および４１にはマイクロ波信
号入力部１より入力される垂直偏波のマイクロ波信号に
対応した中間周波信号が供給され、所望のレベルまで増
幅された後、中間周波信号出力部４５より取り出され
る。同様に中間周波信号出力部４５より１５Ｖの直流電
圧が供給された場合には、マイクロ波信号入力部２より
入力される水平偏波のマイクロ波信号に対応した中間周
波信号が取り出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来例の構成では、２つの異なる偏波が入力されるマイク
ロ波信号入力部１、２に対応する中間周波増幅器３４、
３５、３６、３７およびピンダイオード３８、３９が必
要なため、小型化に難があると同時にコスト的にも不利
であった。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
であり、小型で安価なマイクロ波ミキサー回路とダウン
コンバータを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】これらの目的を達成する
ために本発明のマイクロ波ミキサー回路とダウンコンバ
ータは、周波数変換用ＦＥＴのゲートに供給するバイア
ス電圧を、コンパレータを用いた簡単なバイアス切換回
路によって制御することで２つの異なるマイクロ波信号
を選択し、中間周波信号に変換することを特徴とする。
【０００８】本発明によれば、２つ以上の異なる周波数
変換用ＦＥＴのゲートに供給するバイアス電圧を制御す
ることにより、ゲートバイアス電圧が０Ｖに近い負電圧
でドレイン電流がＩDSS 付近の場合にはローカル信号が
損失なくＦＥＴに供給され非線形動作が行われることに
より低変換損失が得られ、ゲートバイアス電圧がピンチ
オフ電圧に近い負電圧でドレイン電流がゼロ付近の場合
にはローカル信号がＦＥＴにほとんど入力されず非線形
動作が行われないため周波数変換されない性質により複
数のマイクロ波信号入力を選択し中間周波信号に変換す
ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、誘電体基板上にマイクロストリップラインにて形成
される複数のマイクロ波信号入力部と、その各々の終端
部にゲートを接続しソースを接地するＦＥＴと、上記Ｆ
ＥＴのゲートにバイアス電圧を供給するバイアス端子
と、バイアス端子に供給するバイアス電圧を制御するバ
イアス切換回路と、各々のＦＥＴのドレインを接続する
ことによって成る共通の中間周波信号出力部を具備する
マイクロ波ミキサー回路であり、２つ以上の異なる周波
数変換用ＦＥＴのゲートに供給するバイアス電圧を制御
することにより、ゲートバイアス電圧が０Ｖに近い負電
圧でドレイン電流がＩDSS 付近の場合にはローカル信号
が損失なくＦＥＴに供給され非線形動作が行われること
により低変換損失が得られ、ゲートバイアス電圧がピン
チオフ電圧に近い負電圧でドレイン電流がゼロ付近の場
合にはローカル信号がＦＥＴにほとんど入力されず非線
形動作が行われないため周波数変換されない性質により
複数のマイクロ波信号入力を選択し中間周波信号に変換
することができるという作用を有する。
【００１０】本発明の請求項２に記載の発明は、各々の
ＦＥＴのドレインと中間周波信号出力部との間にウイル
キンソン型のディバイダを備えた請求項１に記載のマイ
クロ波ミキサー回路であり、２つ以上の異なる周波数変
換用ＦＥＴのゲートに供給するバイアス電圧を制御する
ことにより、ゲートバイアス電圧が０Ｖに近い負電圧で
ドレイン電流がＩDSS 付近の場合にはローカル信号が損
失なくＦＥＴに供給され非線形動作が行われることによ
り低変換損失が得られ、ゲートバイアス電圧がピンチオ
フ電圧に近い負電圧でドレイン電流がゼロ付近の場合に
はローカル信号がＦＥＴにほとんど入力されず非線形動
作が行われないため周波数変換されない性質により複数
のマイクロ波信号入力を選択し中間周波信号に変換する
ことができ且つ、異なるマイクロ波信号のアイソレーシ
ョンが容易に得られるという作用を有する。
【００１１】本発明の請求項３に記載の発明は、１２Ｇ
Ｈｚ帯のマイクロ波信号をＴＥＭ波に変換するプローブ
と、複数の低雑音増幅器と、複数のマイクロストリップ
ラインと、該マイクロストリップラインの各々の終端部
にゲートを接続しソースを接地するＦＥＴと、上記ＦＥ
Ｔのゲートにバイアス電圧を供給するバイアス端子と、
バイアス端子に供給するバイアス電圧を制御するバイア
ス切換回路と、前記各々のＦＥＴのドレインを接続して
中間周波信号を得る共通の中間周波信号出力部を具備す
るダウンコンバータであり、２つ以上の異なる周波数変
換用ＦＥＴのゲートに供給するバイアス電圧を制御する
ことにより、ゲートバイアス電圧が０Ｖに近い負電圧で
ドレイン電流がＩDSS 付近の場合にはローカル信号が損
失なくＦＥＴに供給され非線形動作が行われることによ
り低変換損失が得られ、ゲートバイアス電圧がピンチオ
フ電圧に近い負電圧でドレイン電流がゼロ付近の場合に
はローカル信号がＦＥＴにほとんど入力されず非線形動
作が行われないため周波数変換されない性質により複数
の１２ＧＨｚ帯のマイクロ波信号入力を選択し中間周波
信号に変換することができ、且つ、異なるマイクロ波信
号のアイソレーションが容易に得られるという作用を有
する。
【００１２】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図３を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の第１の実施例における
マイクロ波ミキサー回路および中間周波増幅器の回路パ
ターン図を示すものである。
【００１３】図１において、１および２は垂直および水
平の偏波に対応したマイクロ波信号入力部、３はローカ
ル発振器、４、５はローカル周波数を通過させるＢＰ
Ｆ、６、７はＭＳＬ、８、９は周波数変換用のＧaＡsＦ
ＥＴ（以下ＦＥＴと略す）、１０、１１はＦＥＴのゲー
トにバイアス電流を供給するバイアス端子、１２、１３
は中間周波信号を通過させるＬＰＦ、１４、１５は１Ｇ
Ｈｚ帯の中間周波信号の波長の１／４の線路長をもつＭ
ＳＬ、１６は吸収抵抗、１７および１８は中間周波増幅
器、１９および２０はバイアス端子１０、１１に供給す
るバイアス電圧を切換えるバイアス切換回路を構成する
コンパレータ、２１は中間周波信号出力部であり、中間
周波信号を出力するとともに、外部（例えば衛星受信用
チューナ）から偏波切換制御信号（例えば１１Ｖ、１５
Ｖの直流電圧）が供給される。２２、２３はＦＥＴのド
レインにバイアス電流を供給するバイアス端子である。
【００１４】以上のように構成されるマイクロ波ミキサ
ー回路および中間周波増幅器の動作について、以下、説
明する。まず、中間周波信号出力部２１に１５Ｖの直流
電圧が供給された場合について説明する。マイクロ波信
号入力部２に入力された水平偏波に対応する１２ＧＨｚ
帯のマイクロ波信号は、ローカル発振器３よりＢＰＦ５
を介して供給される局部発振周波数（例えば１１．２Ｇ
Ｈｚ）とともにＭＳＬ７へと導かれる。ＭＳＬ７に接続
されたＦＥＴ９には中間周波信号出力部２１より供給さ
れる１５Ｖの直流電圧に対応したＨＩＧＨ電位の電圧
（例えば０Ｖに近い負電圧）がコンパレータ２０よりバ
イアス端子１１を介して印加され、バイアス端子２３よ
りＩDSS に近いドレイン電流が供給されることにより、
ＢＰＦ５より供給される局部発振周波数出力が小さい場
合でも良好な変換特性を得ることができるため１ＧＨｚ
帯の中間周波信号に変換されＬＰＦ１３を通過後、ＭＳ
Ｌ１５へと導かれる。一方、マイクロ波信号入力部１に
入力された水平偏波に対応する１２ＧＨｚ帯のマイクロ
波信号はＢＰＦ４とともにＭＳＬ６へと導かれるが、Ｆ
ＥＴ８にはコンパレータ１９よりバイアス端子１０を介
してＬＯＷ電位の電圧（例えばピンチオフ電圧に近い負
電圧）が供給され、バイアス端子２２よりゼロに近いド
レイン電流が供給されるため、ＦＥＴ８の１２ＧＨｚ帯
の入力信号に対する反射損失が増大し非線形動作が行わ
れず、更に低い局部発振周波数出力において変換損失が
急激に劣化する性質により周波数変換されずＬＰＦ１２
を通過しＭＳＬ１４へと導かれる。ＭＳＬ１４とＭＳＬ
１５は各々の線路間のアイソレーションを確保するため
の整合回路としての動作をしている。従って、中間周波
増幅器１７の入力側にはマイクロ波信号入力部２に入力
された水平偏波に対応した１ＧＨｚ帯の中間周波信号の
みが現れ、中間周波増幅器１７および１８で所望のレベ
ルまで増幅された後、中間周波信号出力部２１より取り
出される。同様に、中間周波信号出力部２１より１１Ｖ
の直流電圧が供給される場合には、ＦＥＴ８のバイアス
電流がオンになると同時にＦＥＴ９のバイアス電流がオ
フとなるため、垂直偏波に対応した中間周波信号が中間
周波信号出力部２１より取り出される。
【００１５】（実施の形態２）図２は本発明の第２の実
施例におけるマイクロ波ミキサー回路および中間周波増
幅器の回路パターン図を示すものである。
【００１６】図２において、１および２は垂直および水
平の偏波に対応したマイクロ波信号入力部、３はローカ
ル発振器、４、５はローカル周波数を通過させるＢＰ
Ｆ、６、７はＭＳＬ、８、９は周波数変換用のＧaＡsＦ
ＥＴ（以下ＦＥＴと略す）、１０、１１はＦＥＴのゲー
トにバイアス電流を供給するバイアス端子、１２、１３
は中間周波信号を通過させるＬＰＦ、１４、１５は１Ｇ
Ｈｚ帯の中間周波信号の波長の１／４の線路長をもつＭ
ＳＬ、１６は吸収抵抗、１７および１８は中間周波増幅
器、１９および２０はバイアス端子１０、１１に供給す
るバイアス電圧を切換えるバイアス切換回路を構成する
コンパレータ、２１は中間周波信号出力部であり、中間
周波信号を出力するとともに、外部（例えば衛星受信用
チューナ）から偏波切換制御信号（例えば１１Ｖ、１５
Ｖの直流電圧）が供給される。２２、２３はＦＥＴのド
レインにバイアス電流を供給するバイアス端子である。
【００１７】以上のように構成されるマイクロ波ミキサ
ー回路および中間周波増幅器の動作について、以下、説
明する。まず、中間周波信号出力部２１に１５Ｖの直流
電圧が供給された場合について説明する。マイクロ波信
号入力部２に入力された水平偏波に対応する１２ＧＨｚ
帯のマイクロ波信号は、ローカル発振器３よりＢＰＦ５
を介して供給される局部発振周波数（例えば１１．２Ｇ
Ｈｚ）とともにＭＳＬ７へと導かれる。ＭＳＬ７に接続
されたＦＥＴ９には中間周波信号出力部２１より供給さ
れる１５Ｖの直流電圧に対応したＨＩＧＨ電位の電圧
（例えば０Ｖに近い負電圧）がコンパレータ２０よりバ
イアス端子１１を介して印加され、バイアス端子２３よ
りＩDSS に近いドレイン電流が供給されることにより、
ＢＰＦ５より供給される局部発振周波数出力が小さい場
合でも良好な変換特性を得ることができるため１ＧＨｚ
帯の中間周波信号に変換されＬＰＦ１３を通過後、ＭＳ
Ｌ１５へと導かれる。一方、マイクロ波信号入力部１に
入力された水平偏波に対応する１２ＧＨｚ帯のマイクロ
波信号はＢＰＦ４とともにＭＳＬ６へと導かれるが、Ｆ
ＥＴ８にはコンパレータ１９よりバイアス端子１０を介
してＬＯＷ電位の電圧（例えばピンチオフ電圧に近い負
電圧）が供給され、バイアス端子２２よりゼロに近いド
レイン電流が供給されるため、ＦＥＴ８の１２ＧＨｚ帯
の入力信号に対する反射損失が増大し非線形動作が行わ
れず、更に低い局部発振周波数出力において変換損失が
急激に劣化する性質により周波数変換されずＬＰＦ１２
を通過しＭＳＬ１４へと導かれる。ＭＳＬ１４とＭＳＬ
１５は吸収抵抗１６とともにウィルキンソン型のディバ
イダを構成しており、各々の線路間のアイソレーション
を確保している。従って、中間周波増幅器１７の入力側
にはマイクロ波信号入力部２に入力された水平偏波に対
応した１ＧＨｚ帯の中間周波信号のみが現れ、中間周波
増幅器１７および１８で所望のレベルまで増幅された
後、中間周波信号出力部２１より取り出される。同様
に、中間周波信号出力部２１より１１Ｖの直流電圧が供
給される場合には、ＦＥＴ８のバイアス電流がオンにな
ると同時にＦＥＴ９のバイアス電流がオフとなるため、
垂直偏波に対応した中間周波信号が中間周波信号出力部
２１より取り出される。
【００１８】（実施の形態３）図３は本発明の第３の実
施例におけるマイクロ波ミキサー回路の回路パターン図
を示すものである。
【００１９】図３において、２４および２５は垂直およ
び水平の偏波面にて衛星より放射される１２ＧＨｚ帯の
マイクロ波信号をマイクロストリップラインを伝搬する
準ＴＥＭ波に変換するプローブ、２６、２７および２
８、２９はＨＥＭＴ等の低雑音素子にて構成される低雑
音増幅器、３はローカル発振器、４、５はローカル周波
数を通過させるＢＰＦ、６、７はＭＳＬ、８、９は周波
数変換用のＧaＡsＦＥＴ（以下ＦＥＴと略す）、１０、
１１はＦＥＴのゲートにバイアス電流を供給するバイア
ス端子、１２、１３は中間周波信号を通過させるＬＰ
Ｆ、１４、１５は１ＧＨｚ帯の中間周波信号の波長の１
／４の線路長をもつＭＳＬ、１６は吸収抵抗、１７およ
び１８は中間周波増幅器、１９および２０はバイアス端
子１０、１１に供給するバイアス電流をオン・オフさせ
るバイアス切換回路を構成するコンパレータ、２１は中
間周波信号出力部であり、中間周波信号を出力するとと
もに、外部（例えば衛星受信用チューナ）から偏波切換
制御信号（例えば１１Ｖ、１５Ｖの直流電圧）が供給さ
れる。２２、２３はＦＥＴのドレインにバイアス電流を
供給するバイアス端子である。
【００２０】以上のように構成されたマイクロ波ミキサ
ー回路の動作について、以下に説明する。まず、中間周
波信号出力部２１に１５Ｖの直流電圧が供給された場合
について説明する。衛星より放射された水平偏波のマイ
クロ波信号は、プローブ２５によってマイクロストリッ
プラインを伝搬する準ＴＥＭ波に変換され低雑音増幅器
２８および２９によって低雑音増幅されたのち、ローカ
ル発振器３よりＢＰＦ５を介して供給される局部発振周
波数（例えば１１．２ＧＨｚ）とともにＭＳＬ７へと導
かれる。ＭＳＬ７に接続されたＦＥＴ９には中間周波信
号出力部２１より供給される１５Ｖの直流電圧に対応し
たＨＩＧＨ電位の電圧（例えば０Ｖに近い負電圧）がコ
ンパレータ２０よりバイアス端子１１を介して印加さ
れ、バイアス端子２３よりＩDSS に近いドレイン電流が
供給されることにより、ＢＰＦ５より供給される局部発
振周波数出力が小さい場合でも良好な変換特性を得るこ
とができるため１ＧＨｚ帯の中間周波信号に変換されＬ
ＰＦ１３を通過後ＭＳＬ１５へと導かれる。一方、プロ
ーブ２４に入力された水平偏波に対応する１２ＧＨｚ帯
のマイクロ波信号はＢＰＦ４とともにＭＳＬ６へと導か
れるが、ＦＥＴ８にはコンパレータ１９よりバイアス端
子１０を介してＬＯＷ電位の電圧（例えばピンチオフ電
圧に近い負電圧）が供給され、バイアス端子２２よりゼ
ロに近いドレイン電流が供給されるため、ＦＥＴ８の１
２ＧＨｚ帯の入力信号に対する反射損失が増大し非線形
動作が行われず、更に低い局部発振周波数出力において
変換損失が急激に劣化する性質により周波数変換されず
ＬＰＦ１２を通過しＭＳＬ１４へと導かれる。ＭＳＬ１
４とＭＳＬ１５は吸収抵抗１６とともにウィルキンソン
型のディバイダを構成しており、各々の線路間のアイソ
レーションを確保している。従って、中間周波増幅器１
７の入力側にはプローブ２５によって取り出された水平
偏波に対応した１ＧＨｚ帯の中間周波信号のみが現れ、
中間周波増幅器１７および１８で所望のレベルまで増幅
された後、中間周波信号出力部２１より取り出される。
同様に、中間周波信号出力部２１より１１Ｖの直流電圧
が供給される場合には、ＦＥＴ８のバイアス電流がオン
になると同時にＦＥＴ９のバイアス電流がオフとなるた
め、プローブ２４によって準ＴＥＭ波に変換された垂直
偏波に対応した中間周波信号が中間周波信号出力部２１
より取り出される。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明は、周波数変換用Ｆ
ＥＴのゲートにバイアスを供給するバイアス端子と、バ
イアス端子に供給するバイアス電圧を制御する簡単な構
成のバイアス切換回路を付加することにより、入力され
る複数のマイクロ波信号から希望する信号を選択し中間
周波信号に変換することができる安価で小型のマイクロ
波ミキサーとダウンコンバータを実現するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例におけるマイクロ波ミキ
サー回路の回路パターン図
【図２】本発明の第２の実施例におけるマイクロ波ミキ
サー回路の回路パターン図
【図３】本発明の第３の実施例におけるダウンコンバー
タの回路パターン図
【図４】従来のマイクロ波ミキサー回路の回路パターン
図
【符号の説明】
１，２ マイクロ波信号入力部 ３ ローカル発振器 ４，５ ＢＰＦ ６，７，１４，１５ ＭＳＬ ８，９ ＧａＡｓＦＥＴ １０，１１，２２，２３ バイアス端子 １２，１３ ＬＰＦ １６ 吸収抵抗 １７，１８ 中間周波増幅器 １９，２０ コンパレータ ２１ 中間周波信号出力部 ２４，２５ プローブ ２６，２７，２８，２９ 低雑音増幅器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｄ 9/06 Ｈ０３Ｄ 9/06 Ｋ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 誘電体基板上にマイクロストリップライ
    ンにて形成される複数のマイクロ波信号入力部と、その
    各々の終端部にゲートを接続しソースを接地するＦＥＴ
    と、上記ＦＥＴのゲートにバイアス電圧を供給するバイ
    アス端子と、バイアス端子に供給するバイアス電圧を制
    御するバイアス切換回路と、各々のＦＥＴのドレインを
    接続することによって成る共通の中間周波信号出力部を
    具備するマイクロ波ミキサー回路。
  2. 【請求項２】 各々のＦＥＴのドレインと中間周波信号
    出力部との間にウイルキンソン型のディバイダを備えた
    請求項１記載のマイクロ波ミキサー回路。
  3. 【請求項３】 １２ＧＨｚ帯のマイクロ波信号をＴＥＭ
    波に変換するプローブと、複数の低雑音増幅器と、複数
    のマイクロストリップラインと、該マイクロストリップ
    ラインの各々の終端部にゲートを接続しソースを接地す
    るＦＥＴと、上記ＦＥＴのゲートにバイアス電圧を供給
    するバイアス端子と、バイアス端子に供給するバイアス
    電圧を制御するバイアス切換回路と、前記各々のＦＥＴ
    のドレインを接続して中間周波信号を得る共通の中間周
    波信号出力部を具備するダウンコンバータ。
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