JPH09102491A - ＳｉＯ２絶縁膜の形成方法 - Google Patents
ＳｉＯ２絶縁膜の形成方法Info
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- JPH09102491A JPH09102491A JP25526595A JP25526595A JPH09102491A JP H09102491 A JPH09102491 A JP H09102491A JP 25526595 A JP25526595 A JP 25526595A JP 25526595 A JP25526595 A JP 25526595A JP H09102491 A JPH09102491 A JP H09102491A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大電力や大型のガス導入系、真空排気系が不
要で通常の周波数の高周波を使用して良好な絶縁特性の
ＳiＯ2絶縁膜を高い成膜速度で形成する方法を提供する 【解決手段】 真空槽１内に、有機シラン系ガスと、酸
素、水、亜酸化窒素等の酸化性ガスのうちの少なくとも
１種類との混合ガスに対して、更にアルゴン、ヘリウ
ム、キセノンのうちの少なくとも１種類の不活性ガスを
加えて導入し、該真空槽内に発生させた放電によるプラ
ズマＣＶＤ法により該真空槽内に用意した基板７上にＳ
iＯ2絶縁膜を形成する。該有機シラン系ガスは、テトラ
エトキシシラン、テトラメトキシシラン、シロキサン等
の分子中にＳi−Ｏ結合を有するガスのいずれかであ
り、該不活性ガスは、該酸化性ガスの流量の２０〜３０
０％とする。
要で通常の周波数の高周波を使用して良好な絶縁特性の
ＳiＯ2絶縁膜を高い成膜速度で形成する方法を提供する 【解決手段】 真空槽１内に、有機シラン系ガスと、酸
素、水、亜酸化窒素等の酸化性ガスのうちの少なくとも
１種類との混合ガスに対して、更にアルゴン、ヘリウ
ム、キセノンのうちの少なくとも１種類の不活性ガスを
加えて導入し、該真空槽内に発生させた放電によるプラ
ズマＣＶＤ法により該真空槽内に用意した基板７上にＳ
iＯ2絶縁膜を形成する。該有機シラン系ガスは、テトラ
エトキシシラン、テトラメトキシシラン、シロキサン等
の分子中にＳi−Ｏ結合を有するガスのいずれかであ
り、該不活性ガスは、該酸化性ガスの流量の２０〜３０
０％とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳiＯ2絶縁膜の形
成方法に関し、詳細にはＰoly−Ｓiを用いた半導体装置
の製造時にＰoly−Ｓi半導体へ高品質のＳiＯ2絶縁膜を
高速で形成する方法に関する。
成方法に関し、詳細にはＰoly−Ｓiを用いた半導体装置
の製造時にＰoly−Ｓi半導体へ高品質のＳiＯ2絶縁膜を
高速で形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＰoly−ＳiＴＦＴ（Ｐoly−Ｓi薄
膜トランジスタ）用ゲート絶縁膜の形成方法としては、
大面積に形成でき且つ低温で高品質膜が形成できる方法
として、スパッタ法、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラ
ン）／Ｏ2系プラズマＣＶＤ法がある。スパッタ法は段
差被覆性が劣るので、ＴＥＯＳ／Ｏ2系プラズマＣＶＤ
法が注目されている。また、層間絶縁膜、平坦化膜の形
成方法としても、ＴＥＯＳ／Ｈ2Ｏ系プラズマＣＶＤ
法、ＴＥＯＳ／Ｏ2系プラズマＣＶＤ法とＴＥＯＳ／Ｏ3
系ＣＶＤ法の組み合わせにより絶縁膜を得る方法が注目
されている。これらＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法
に於いては、ガス導入系と排気系が接続された真空槽内
の電極に高周波電力を供給し、該ガス導入系から有機シ
ラン系ガス、例えばＴＥＯＳと、酸素、亜酸化窒素、
水、窒素のうちの少なくとも１種類のガスとの混合ガス
を、該高周波により発生させたプラズマにより分解さ
せ、加熱された基板上に絶縁膜を形成しているが、この
方法で高い成膜速度で絶縁膜を形成する場合、膜の絶縁
特性が劣化するという問題があった。
膜トランジスタ）用ゲート絶縁膜の形成方法としては、
大面積に形成でき且つ低温で高品質膜が形成できる方法
として、スパッタ法、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラ
ン）／Ｏ2系プラズマＣＶＤ法がある。スパッタ法は段
差被覆性が劣るので、ＴＥＯＳ／Ｏ2系プラズマＣＶＤ
法が注目されている。また、層間絶縁膜、平坦化膜の形
成方法としても、ＴＥＯＳ／Ｈ2Ｏ系プラズマＣＶＤ
法、ＴＥＯＳ／Ｏ2系プラズマＣＶＤ法とＴＥＯＳ／Ｏ3
系ＣＶＤ法の組み合わせにより絶縁膜を得る方法が注目
されている。これらＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法
に於いては、ガス導入系と排気系が接続された真空槽内
の電極に高周波電力を供給し、該ガス導入系から有機シ
ラン系ガス、例えばＴＥＯＳと、酸素、亜酸化窒素、
水、窒素のうちの少なくとも１種類のガスとの混合ガス
を、該高周波により発生させたプラズマにより分解さ
せ、加熱された基板上に絶縁膜を形成しているが、この
方法で高い成膜速度で絶縁膜を形成する場合、膜の絶縁
特性が劣化するという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記ＴＥＯＳ／Ｏ2系
プラズマＣＶＤ法あるいはＴＥＯＳ／Ｈ2Ｏ系プラズマ
ＣＶＤ法において、絶縁特性の良好な膜を得る方法とし
て、次の３方法がある。 １）放電時の投入電力を増加してプラズマ密度を高め、
ＴＥＯＳの分解を促進させる。 ２）放電時に用いる高周波の周波数を増加し、プラズマ
密度を高め、ＴＥＯＳの分解を促進させる。 ３）ＴＥＯＳに対する酸素あるいは水等の酸化性ガスの
混合量を増加させ、ＴＥＯＳに対する活性種の相対量を
増加させる。 前記１）の方法の場合、電源を大型化し、大電力に対応
した装置設計が必要で、通常の装置では投入電力の増加
に限界があるので困難であり、前記２）の方法では、放
電周波数の増加に伴って放電の均一性、安定性が悪くな
るので、高高周波に対応できる装置設計をしなくてはな
らず装置が高価になる欠点がある。また、前記３）の方
法の場合、酸化性ガス量の増加のためにガス導入系、真
空排気系の大型化を必要とするので、一般的な装置では
実施できない欠点がある。
プラズマＣＶＤ法あるいはＴＥＯＳ／Ｈ2Ｏ系プラズマ
ＣＶＤ法において、絶縁特性の良好な膜を得る方法とし
て、次の３方法がある。 １）放電時の投入電力を増加してプラズマ密度を高め、
ＴＥＯＳの分解を促進させる。 ２）放電時に用いる高周波の周波数を増加し、プラズマ
密度を高め、ＴＥＯＳの分解を促進させる。 ３）ＴＥＯＳに対する酸素あるいは水等の酸化性ガスの
混合量を増加させ、ＴＥＯＳに対する活性種の相対量を
増加させる。 前記１）の方法の場合、電源を大型化し、大電力に対応
した装置設計が必要で、通常の装置では投入電力の増加
に限界があるので困難であり、前記２）の方法では、放
電周波数の増加に伴って放電の均一性、安定性が悪くな
るので、高高周波に対応できる装置設計をしなくてはな
らず装置が高価になる欠点がある。また、前記３）の方
法の場合、酸化性ガス量の増加のためにガス導入系、真
空排気系の大型化を必要とするので、一般的な装置では
実施できない欠点がある。
【０００４】本発明は、大電力や大型のガス導入系、真
空排気系が不要で通常の周波数の高周波を使用して良好
な絶縁特性のＳiＯ2絶縁膜を高い成膜速度で形成する方
法を提供することを目的とするものである。
空排気系が不要で通常の周波数の高周波を使用して良好
な絶縁特性のＳiＯ2絶縁膜を高い成膜速度で形成する方
法を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、真空槽内
に、有機シラン系ガスと、酸素、水、亜酸化窒素等の酸
化性ガスのうちの少なくとも１種類との混合ガスに対し
て、更にアルゴン、ヘリウム、キセノンのうちの少なく
とも１種類の不活性ガスを加えて導入し、該真空槽内に
発生させた放電によるプラズマＣＶＤ法により該真空槽
内に用意した基板上にＳiＯ2絶縁膜を形成することによ
り、上記の目的を達成するようにした。該有機シラン系
ガスは、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラ
ン、シロキサン等の分子中にＳi−Ｏ結合を有するガス
のいずれかであり、該不活性ガスは、該酸化性ガスの流
量の２０〜３００％とすることが好ましい。
に、有機シラン系ガスと、酸素、水、亜酸化窒素等の酸
化性ガスのうちの少なくとも１種類との混合ガスに対し
て、更にアルゴン、ヘリウム、キセノンのうちの少なく
とも１種類の不活性ガスを加えて導入し、該真空槽内に
発生させた放電によるプラズマＣＶＤ法により該真空槽
内に用意した基板上にＳiＯ2絶縁膜を形成することによ
り、上記の目的を達成するようにした。該有機シラン系
ガスは、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラ
ン、シロキサン等の分子中にＳi−Ｏ結合を有するガス
のいずれかであり、該不活性ガスは、該酸化性ガスの流
量の２０〜３００％とすることが好ましい。
【０００６】有機シラン系ガスと酸化性ガスとの混合ガ
スにより高い成膜速度で良好な絶縁性を持つＳiＯ2膜を
形成するには、プラズマ密度を一般的なプラズマＣＶＤ
法の場合よりも大幅に増加させる必要があったが、本発
明の如く該混合ガスに更に不活性ガスを混合することに
よって、投入電力の大幅増や高高周波を使用せず、しか
も酸化性ガスの量を増大させずに有機シラン系ガスの分
解を促進させて絶縁性の良いＳiＯ2膜を高速で成膜でき
る。
スにより高い成膜速度で良好な絶縁性を持つＳiＯ2膜を
形成するには、プラズマ密度を一般的なプラズマＣＶＤ
法の場合よりも大幅に増加させる必要があったが、本発
明の如く該混合ガスに更に不活性ガスを混合することに
よって、投入電力の大幅増や高高周波を使用せず、しか
も酸化性ガスの量を増大させずに有機シラン系ガスの分
解を促進させて絶縁性の良いＳiＯ2膜を高速で成膜でき
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の方法の実施の形態を、図
１に示した上方からガスを導入して下方の基板へ成膜す
るデポダウン型の平行平板プラズマＣＶＤ装置を使用し
て実施した場合につき説明すると、同図に於いて、符号
１はガスボンベ等のガス源に接続されたガス導入系２
と、真空ポンプに接続された排気系３を有する真空槽を
示す。該真空槽１内には２個の平板状の電極４、５が平
行して上下に設けられ、その上方の電極４にこれに高周
波電力を与える高周波電源６を接続し、下方の電極５上
に成膜処理される基板７が搭載される。
１に示した上方からガスを導入して下方の基板へ成膜す
るデポダウン型の平行平板プラズマＣＶＤ装置を使用し
て実施した場合につき説明すると、同図に於いて、符号
１はガスボンベ等のガス源に接続されたガス導入系２
と、真空ポンプに接続された排気系３を有する真空槽を
示す。該真空槽１内には２個の平板状の電極４、５が平
行して上下に設けられ、その上方の電極４にこれに高周
波電力を与える高周波電源６を接続し、下方の電極５上
に成膜処理される基板７が搭載される。
【０００８】該上方の電極４をその前面にシャワープレ
ート８を備えた中空の電極で構成し、その中空部９に該
ガス導入系２を接続して該中空部９内へ導入した反応ガ
スを該シャワープレート８に形成した多数のガス噴出口
１０から真空槽１内へ均一に噴出させるようにした。ま
た、下方の電極５は基板７を加熱するヒーターとしての
機能を具備し、成膜中はアース電位となるように接地さ
れる。該ガス導入系２には、ＴＥＯＳ、テトラメトキシ
シラン、シロキサン等の分子中にＳi−Ｏ結合を有する
有機シラン系ガスと、酸素、亜酸化窒素、水等の酸化性
ガスの少なくとも１種類と、ヘリウム、アルゴン等の不
活性ガスの少なくとも１種類との混合ガスが導入され
る。
ート８を備えた中空の電極で構成し、その中空部９に該
ガス導入系２を接続して該中空部９内へ導入した反応ガ
スを該シャワープレート８に形成した多数のガス噴出口
１０から真空槽１内へ均一に噴出させるようにした。ま
た、下方の電極５は基板７を加熱するヒーターとしての
機能を具備し、成膜中はアース電位となるように接地さ
れる。該ガス導入系２には、ＴＥＯＳ、テトラメトキシ
シラン、シロキサン等の分子中にＳi−Ｏ結合を有する
有機シラン系ガスと、酸素、亜酸化窒素、水等の酸化性
ガスの少なくとも１種類と、ヘリウム、アルゴン等の不
活性ガスの少なくとも１種類との混合ガスが導入され
る。
【０００９】高周波電源６から高周波電力を投入して両
電極４、５間にプラズマを発生させ、該電極５上の基板
７が所定温度になったところで該真空槽１内を真空に排
気し、該ガス導入系２から該混合ガスを流しすと、該混
合ガスが分解され、該基板７上にＳiＯ2の絶縁膜が形成
されるが、該混合ガスが有機シラン系ガスと酸化性ガス
に更に不活性ガスが混合されているため不活性ガスの放
電によってプラズマ密度が増加し、特別に大きな高周波
電力あるいは周波数を高周波放電で用いられる工業用周
波数13.56ＭHz以上の高周波としなくても、高品質ＳiＯ
2絶縁膜が得られる。また酸化性ガスのみを用いる場合
のガス総量と比較して、該混合ガスを用いた場合にはガ
スの総量が増加することがないのでガス導入系、排気系
を大型化する必要もない。
電極４、５間にプラズマを発生させ、該電極５上の基板
７が所定温度になったところで該真空槽１内を真空に排
気し、該ガス導入系２から該混合ガスを流しすと、該混
合ガスが分解され、該基板７上にＳiＯ2の絶縁膜が形成
されるが、該混合ガスが有機シラン系ガスと酸化性ガス
に更に不活性ガスが混合されているため不活性ガスの放
電によってプラズマ密度が増加し、特別に大きな高周波
電力あるいは周波数を高周波放電で用いられる工業用周
波数13.56ＭHz以上の高周波としなくても、高品質ＳiＯ
2絶縁膜が得られる。また酸化性ガスのみを用いる場合
のガス総量と比較して、該混合ガスを用いた場合にはガ
スの総量が増加することがないのでガス導入系、排気系
を大型化する必要もない。
【００１０】該不活性ガスの流量は、酸化性ガスの２０
〜３００％の割合が適切であり、その割合が２０％以下
であると、基板７に絶縁特性があまり改善されず、また
３００％以上では不活性ガスを混入しなかった場合より
も絶縁特性が低下する。この低下の理由は、不活性ガス
の流量の増加に伴って基板７に照射されるイオンが増加
し、膜中にダメージが生じたことが原因である。
〜３００％の割合が適切であり、その割合が２０％以下
であると、基板７に絶縁特性があまり改善されず、また
３００％以上では不活性ガスを混入しなかった場合より
も絶縁特性が低下する。この低下の理由は、不活性ガス
の流量の増加に伴って基板７に照射されるイオンが増加
し、膜中にダメージが生じたことが原因である。
【００１１】
（実施例１）図１に示す装置を使用して無アルカリガラ
ス製の基板７上に厚さ１５００ÅのＳiＯ2膜を１０００
Å／minの成膜速度で形成することを試みた。該電極５
に基板７を搭載し、高周波電源６から１Ｋw、13.56ＭHz
の高周波電力を投入してプラズマ放電を両電極４、５間
に発生させ、該基板７を３００℃にまで加熱する。そし
て該真空槽１内の圧力が０．８Ｔorrになるように排気
系３により排気調整し、ガス導入系２からＴＥＯＳの流
量が１４０sccm一定で、これに混合される酸素の酸化性
ガスとアルゴンの不活性ガスの流量比を変化させて該真
空槽１内へ導入し、その流量比を変化させる毎に該基板
７を交換して各基板７上にＳiＯ2膜を形成した。その
際、各基板７上に形成されたＳiＯ2絶縁膜の夫々につい
て電界を印加し、１．０μＡ／ｃｍ2の電流が流れた時
の電界強度を絶縁耐圧とした。
ス製の基板７上に厚さ１５００ÅのＳiＯ2膜を１０００
Å／minの成膜速度で形成することを試みた。該電極５
に基板７を搭載し、高周波電源６から１Ｋw、13.56ＭHz
の高周波電力を投入してプラズマ放電を両電極４、５間
に発生させ、該基板７を３００℃にまで加熱する。そし
て該真空槽１内の圧力が０．８Ｔorrになるように排気
系３により排気調整し、ガス導入系２からＴＥＯＳの流
量が１４０sccm一定で、これに混合される酸素の酸化性
ガスとアルゴンの不活性ガスの流量比を変化させて該真
空槽１内へ導入し、その流量比を変化させる毎に該基板
７を交換して各基板７上にＳiＯ2膜を形成した。その
際、各基板７上に形成されたＳiＯ2絶縁膜の夫々につい
て電界を印加し、１．０μＡ／ｃｍ2の電流が流れた時
の電界強度を絶縁耐圧とした。
【００１２】酸素の流量を６００sccm一定としアルゴン
流量を変化させた場合のアルゴン、酸素の流量比と絶縁
耐圧の関係は図２の曲線Ａで示す関係となった。これに
見られるように、アルゴンの流量の増加に伴って絶縁耐
圧は増加し、流量比２０％から急激に増加している。ま
た流量比５０％以上に於いては絶縁耐圧の増加は緩やか
になっている。
流量を変化させた場合のアルゴン、酸素の流量比と絶縁
耐圧の関係は図２の曲線Ａで示す関係となった。これに
見られるように、アルゴンの流量の増加に伴って絶縁耐
圧は増加し、流量比２０％から急激に増加している。ま
た流量比５０％以上に於いては絶縁耐圧の増加は緩やか
になっている。
【００１３】参考のためにＴＥＯＳに酸素の酸化性ガス
のみを混入し、その酸素の流量を増加させた場合を曲線
Ｂに示した。この場合、酸素流量の増加に伴って絶縁耐
圧は増加してはいるが、曲線Ａで示したアルゴン混入の
場合と比較して約１ＭＶ／ｃｍ程低い値を示しており、
アルゴンの添加によって絶縁特性が改善されていること
が分かる。
のみを混入し、その酸素の流量を増加させた場合を曲線
Ｂに示した。この場合、酸素流量の増加に伴って絶縁耐
圧は増加してはいるが、曲線Ａで示したアルゴン混入の
場合と比較して約１ＭＶ／ｃｍ程低い値を示しており、
アルゴンの添加によって絶縁特性が改善されていること
が分かる。
【００１４】（実施例２）図１に示す装置を使用して無
アルカリガラス製の基板７上に５０００ÅのＳiＯ２膜
を３０００Åの成膜速度で形成することを試みた。該電
極５に基板７を搭載し、高周波電源６から１Ｋw、13.56
ＭHzの高周波電力を投入してプラズマ放電を両電極４、
５間に発生させ、該基板７を２５０℃にまで加熱する。
該真空槽１内の圧力が１．５Ｔorrになるように排気系
３により排気調整し、ガス導入系２からＴＥＯＳの流量
が５００sccm一定で、これに混合される酸素の酸化性ガ
スとアルゴンの不活性ガスの流量比を変化させて該真空
槽１内へ導入し、その流量比を変化させる毎に該基板７
を交換して各基板７上にＳiＯ２膜を形成した。各基板
７上に形成されたＳiＯ2絶縁膜の夫々について、実施例
１の場合と同様に電界を印加し、１．０μＡ／ｃｍ2の
電流が流れた時の電界強度を絶縁耐圧とした。
アルカリガラス製の基板７上に５０００ÅのＳiＯ２膜
を３０００Åの成膜速度で形成することを試みた。該電
極５に基板７を搭載し、高周波電源６から１Ｋw、13.56
ＭHzの高周波電力を投入してプラズマ放電を両電極４、
５間に発生させ、該基板７を２５０℃にまで加熱する。
該真空槽１内の圧力が１．５Ｔorrになるように排気系
３により排気調整し、ガス導入系２からＴＥＯＳの流量
が５００sccm一定で、これに混合される酸素の酸化性ガ
スとアルゴンの不活性ガスの流量比を変化させて該真空
槽１内へ導入し、その流量比を変化させる毎に該基板７
を交換して各基板７上にＳiＯ２膜を形成した。各基板
７上に形成されたＳiＯ2絶縁膜の夫々について、実施例
１の場合と同様に電界を印加し、１．０μＡ／ｃｍ2の
電流が流れた時の電界強度を絶縁耐圧とした。
【００１５】酸素の流量を１０００sccm一定としアルゴ
ン流量を変化させた場合のアルゴン、酸素の流量比と絶
縁耐圧の関係は図３の曲線Ｃで示す関係となった。これ
に見られるように、アルゴンの流量の増加に伴って絶縁
耐圧は増加し、流量比２００％程度でピークとなった。
ン流量を変化させた場合のアルゴン、酸素の流量比と絶
縁耐圧の関係は図３の曲線Ｃで示す関係となった。これ
に見られるように、アルゴンの流量の増加に伴って絶縁
耐圧は増加し、流量比２００％程度でピークとなった。
【００１６】参考のためにＴＥＯＳに酸素の酸化性ガス
のみを混入し、その酸素の流量を増加させた場合を曲線
Ｄに示した。この場合、酸素流量の増加に伴って絶縁耐
圧は増加してはいるが、曲線Ｃで示したアルゴン混入の
場合の方が約１．５ＭＶ／ｃｍ程向上しており、アルゴ
ンの添加によって絶縁特性が改善されていることが分か
る。
のみを混入し、その酸素の流量を増加させた場合を曲線
Ｄに示した。この場合、酸素流量の増加に伴って絶縁耐
圧は増加してはいるが、曲線Ｃで示したアルゴン混入の
場合の方が約１．５ＭＶ／ｃｍ程向上しており、アルゴ
ンの添加によって絶縁特性が改善されていることが分か
る。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明によるときは、Ｓi
Ｏ2絶縁膜を、真空槽内に有機シラン系ガスと、酸化性
ガスとの混合ガスに対して、更に不活性ガスを加えて導
入し、該真空槽内に発生させた放電によるプラズマＣＶ
Ｄ法により形成するもので、大電力を投入する必要がな
く、また大型のガス導入系、真空排気系が不要で、通常
の周波数の高周波を使用して良好な絶縁特性のＳiＯ2絶
縁膜を高い成膜速度で形成でき、成膜設備が簡単になる
から安価に該絶縁膜を形成できる効果がある。
Ｏ2絶縁膜を、真空槽内に有機シラン系ガスと、酸化性
ガスとの混合ガスに対して、更に不活性ガスを加えて導
入し、該真空槽内に発生させた放電によるプラズマＣＶ
Ｄ法により形成するもので、大電力を投入する必要がな
く、また大型のガス導入系、真空排気系が不要で、通常
の周波数の高周波を使用して良好な絶縁特性のＳiＯ2絶
縁膜を高い成膜速度で形成でき、成膜設備が簡単になる
から安価に該絶縁膜を形成できる効果がある。
【図１】本発明の実施に使用した装置の切断側面図
【図２】本発明の方法により形成されたＳiＯ2絶縁膜の
絶縁耐圧の線図
絶縁耐圧の線図
【図３】本発明の方法により形成された他のＳiＯ2絶縁
膜の絶縁耐圧の線図
膜の絶縁耐圧の線図
１ 真空槽 ２ ガス導入系 ３
排気系 ４、５ 電極 ６ 高周波電源 ７
基板
排気系 ４、５ 電極 ６ 高周波電源 ７
基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷 典明 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 橋本 征典 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 真空槽内に、有機シラン系ガスと、酸
素、水、亜酸化窒素等の酸化性ガスのうちの少なくとも
１種類との混合ガスに対して、更にアルゴン、ヘリウ
ム、キセノンのうちの少なくとも１種類の不活性ガスを
加えて導入し、該真空槽内に発生させた放電によるプラ
ズマＣＶＤ法により該真空槽内に用意した基板上にＳi
Ｏ2絶縁膜を形成することを特徴とするＳiＯ2絶縁膜の
形成方法。 - 【請求項２】 上記有機シラン系ガスは、テトラエトキ
シシラン、テトラメトキシシラン、シロキサン等の分子
中にＳi−Ｏ結合を有するガスのいずれかであることを
特徴とする請求項１に記載のＳiＯ2絶縁膜の形成方法。 - 【請求項３】 上記不活性ガスは、上記酸化性ガスの流
量の２０〜３００％とすることを特徴とする請求項１に
記載のＳiＯ2絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25526595A JPH09102491A (ja) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | ＳｉＯ２絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25526595A JPH09102491A (ja) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | ＳｉＯ２絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102491A true JPH09102491A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17276352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25526595A Pending JPH09102491A (ja) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | ＳｉＯ２絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09102491A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000345348A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-12 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法 |
| JP2014229709A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ |
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1995
- 1995-10-02 JP JP25526595A patent/JPH09102491A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000345348A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-12 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法 |
| JP2014229709A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ |
| US9647134B2 (en) | 2013-05-21 | 2017-05-09 | Japan Display Inc. | Thin-film transistor and method for manufacturing the same |
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