JP3313088B2 - 成膜方法 - Google Patents
成膜方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体膜や絶縁膜
の成膜を行うための成膜装置さらには成膜方法に関す
る。
の成膜を行うための成膜装置さらには成膜方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体膜や絶縁膜を成膜する
方法として、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、減圧ＣＶ
Ｄ法、光ＣＶＤ法等が知られているが、高速成膜とステ
ップカバレージの高さを両立する成膜方法は存在しなか
った。
方法として、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、減圧ＣＶ
Ｄ法、光ＣＶＤ法等が知られているが、高速成膜とステ
ップカバレージの高さを両立する成膜方法は存在しなか
った。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高速成膜
（高い成膜速度）とステップカバレージ（段差被覆性）
の良い成膜方法を得ること、さらにはそのような成膜を
行うことのできる成膜装置を得ることを目的とする。
（高い成膜速度）とステップカバレージ（段差被覆性）
の良い成膜方法を得ること、さらにはそのような成膜を
行うことのできる成膜装置を得ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、平行平板型の
成膜装置において、その基板間隔を１０ｍｍ以下とする
ことによって成膜速度を向上させ、さらに基板に対して
紫外線を照射することによって、ステップカバレージの
向上を果たし、さらに基板に対して平行に電界が印加さ
れるように２組の平行平板型電極を直交して設け、この
２組の電極からリサージュ波形を有する高周波電界を印
加させることによって、反応ガスの攪拌と活性化を助長
させ、さらに成膜速度とステップカバレージの向上を得
るものである。
成膜装置において、その基板間隔を１０ｍｍ以下とする
ことによって成膜速度を向上させ、さらに基板に対して
紫外線を照射することによって、ステップカバレージの
向上を果たし、さらに基板に対して平行に電界が印加さ
れるように２組の平行平板型電極を直交して設け、この
２組の電極からリサージュ波形を有する高周波電界を印
加させることによって、反応ガスの攪拌と活性化を助長
させ、さらに成膜速度とステップカバレージの向上を得
るものである。
【０００５】直交する２組の電極からリーサジュ波形を
有する高周波電界を供給するには、それぞれの組の電極
（１組の電極は一対の平行平板型の電極によって構成さ
れる）に位相の異なる同一周波数の高周波電力を印加す
ればよい。なおこの位相の異なる高周波電力は、同じ周
波数または高調波関係にある周波数が好ましい。
有する高周波電界を供給するには、それぞれの組の電極
（１組の電極は一対の平行平板型の電極によって構成さ
れる）に位相の異なる同一周波数の高周波電力を印加す
ればよい。なおこの位相の異なる高周波電力は、同じ周
波数または高調波関係にある周波数が好ましい。
【０００６】
【作用】平行平板型電極の間隔を狭くすることで、成膜
速度を高くすることができる。また、紫外線を照射する
ことによって、ステップカバレージを高くすることがで
きる。また、リサージュ波形を有す高周波電力の印加に
より、電子やイオンが効率良く振動または回転運動させ
られ、反応ガスの攪拌、活性化を向上させることがで
き、さらに高い成膜速度と良好なステップカバレージを
得ることができる。
速度を高くすることができる。また、紫外線を照射する
ことによって、ステップカバレージを高くすることがで
きる。また、リサージュ波形を有す高周波電力の印加に
より、電子やイオンが効率良く振動または回転運動させ
られ、反応ガスの攪拌、活性化を向上させることがで
き、さらに高い成膜速度と良好なステップカバレージを
得ることができる。
【０００７】
【実施例】〔実施例１〕本実施例の構成を図１に示す。
図１に示すのは本実施例の成膜装置の上面から見た断面
図である。図１において、１１が真空チャンバーであ
り、真空系（図示せず）により減圧内部が状態にされ
る。チャンバー１１内には、成膜が行われる基板１９が
配置される。またチャンバー１１内にはガス供給系（図
示せず）より成膜に必要とされる反応ガスや希釈ガス、
さらにはドーピングガス等が供給される。チャンバー内
に供給される反応ガスには、一対の電極１２と１３、さ
らにそれに直交して設けられた一対の電極１５と１６か
ら供給されるリサージュ波形を有した高周波電力により
活性化される。この一対の電極１２と１３、さらには一
対の電極１５と１６、とが互いに直交した２組の電極と
なる。
図１に示すのは本実施例の成膜装置の上面から見た断面
図である。図１において、１１が真空チャンバーであ
り、真空系（図示せず）により減圧内部が状態にされ
る。チャンバー１１内には、成膜が行われる基板１９が
配置される。またチャンバー１１内にはガス供給系（図
示せず）より成膜に必要とされる反応ガスや希釈ガス、
さらにはドーピングガス等が供給される。チャンバー内
に供給される反応ガスには、一対の電極１２と１３、さ
らにそれに直交して設けられた一対の電極１５と１６か
ら供給されるリサージュ波形を有した高周波電力により
活性化される。この一対の電極１２と１３、さらには一
対の電極１５と１６、とが互いに直交した２組の電極と
なる。
【０００８】一対の電極１２と１３には高周波電力供給
系（発振器、増幅器、整合回路よりなる）１４から高周
波電力が供給される。また一対の電極１５と１６にも高
周波電力供給系（発振器、増幅器、整合回路よりなる）
１７から高周波電力が供給される。そして、高周波電力
供給系１４と１７から供給される高周波電力は、フェー
ズロック機構１８によりその位相が異なるように調整さ
れる。この位相差を制御することにより、基板１９が配
置された反応空間にリサージュ波形を有する高周波電力
が印加され、電子あるいはイオンがリサージュ図形を描
くように運動させられ、反応ガスの攪拌と活性化が助長
させる。この位相差は、９０度とすることが一般的であ
るが、それ以外の位相差としてもよい。また位相差を時
間的に変化させる即ちリサージュ図形が時間的に変化す
るようにしてもよい。なおここでは、高周波電力供給系
１４と１７とから５０ＭＨｚの周波数が供給されるもと
するが、この周波数は、１ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの周
波数は使用可能であり、それぞれの周波数が異なってい
てもよい、然しながら、同一の周波数か高調波関係にあ
る方が好ましい。
系（発振器、増幅器、整合回路よりなる）１４から高周
波電力が供給される。また一対の電極１５と１６にも高
周波電力供給系（発振器、増幅器、整合回路よりなる）
１７から高周波電力が供給される。そして、高周波電力
供給系１４と１７から供給される高周波電力は、フェー
ズロック機構１８によりその位相が異なるように調整さ
れる。この位相差を制御することにより、基板１９が配
置された反応空間にリサージュ波形を有する高周波電力
が印加され、電子あるいはイオンがリサージュ図形を描
くように運動させられ、反応ガスの攪拌と活性化が助長
させる。この位相差は、９０度とすることが一般的であ
るが、それ以外の位相差としてもよい。また位相差を時
間的に変化させる即ちリサージュ図形が時間的に変化す
るようにしてもよい。なおここでは、高周波電力供給系
１４と１７とから５０ＭＨｚの周波数が供給されるもと
するが、この周波数は、１ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの周
波数は使用可能であり、それぞれの周波数が異なってい
てもよい、然しながら、同一の周波数か高調波関係にあ
る方が好ましい。
【０００９】図２は、図１に示す成膜装置をＡ−Ａ’で
切った断面図である。図２には、一対の電極１５と１６
が示されているが、さらに紙面手前側と向う側に一対の
電極１３と１２が存在している。基板１９には、紫外線
光源２１（水銀ランプ）より石英の窓２３を介して紫外
線が供給される。また、メッシュ電極２２と接地電極
（基板１９が配置される）２５との間に高周波電力が加
えられる。この高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）は、高
周波電力供給系２４より加えられる。また、図示はしな
いが、基板１９は任意の温度に加熱できるようになって
いる。
切った断面図である。図２には、一対の電極１５と１６
が示されているが、さらに紙面手前側と向う側に一対の
電極１３と１２が存在している。基板１９には、紫外線
光源２１（水銀ランプ）より石英の窓２３を介して紫外
線が供給される。また、メッシュ電極２２と接地電極
（基板１９が配置される）２５との間に高周波電力が加
えられる。この高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）は、高
周波電力供給系２４より加えられる。また、図示はしな
いが、基板１９は任意の温度に加熱できるようになって
いる。
【００１０】メッシュ電極と接地電極とは一対の平行平
板型電極を構成するが、この電極間隔は可能な限り狭い
法がよい。好ましくは、１０ｍｍ以下とすることがよい
が、基板の厚み、ガスの供給の仕方、基板の搬入及び搬
出方法等によってその下限が限定される。基板１９に対
する成膜は、メッシュ電極２２と対向接地電極２５との
間で行われる高周波放電によるプラズマ気相反応と、紫
外線光源から供給される紫外線のエネルギー、さらには
２組の直交関係におあるい電極１５、１６と１２、１３
とから印加される位相の異なるリサージュ波形の高周波
電力によって、行われる。
板型電極を構成するが、この電極間隔は可能な限り狭い
法がよい。好ましくは、１０ｍｍ以下とすることがよい
が、基板の厚み、ガスの供給の仕方、基板の搬入及び搬
出方法等によってその下限が限定される。基板１９に対
する成膜は、メッシュ電極２２と対向接地電極２５との
間で行われる高周波放電によるプラズマ気相反応と、紫
外線光源から供給される紫外線のエネルギー、さらには
２組の直交関係におあるい電極１５、１６と１２、１３
とから印加される位相の異なるリサージュ波形の高周波
電力によって、行われる。
【００１１】メッシュ電極２２と対向接地電極の間隔を
狭くするのは、成膜速度を高めるためである。例えばＴ
ＥＯＳガスと酸素とを用いた酸化珪素膜の成膜速度が電
極間隔を狭くすることにより向上することが確かめられ
ている。さらに紫外線のエネルギーを供給するのは、ス
ッテプカバレージを高めることと、ＴＥＯＳに代表され
る有機シラン等を効果的に分解活性化するためである。
狭くするのは、成膜速度を高めるためである。例えばＴ
ＥＯＳガスと酸素とを用いた酸化珪素膜の成膜速度が電
極間隔を狭くすることにより向上することが確かめられ
ている。さらに紫外線のエネルギーを供給するのは、ス
ッテプカバレージを高めることと、ＴＥＯＳに代表され
る有機シラン等を効果的に分解活性化するためである。
【００１２】〔実施例２〕本実施例は、図１及び図２に
示す成膜装置を用いて、酸化珪素膜（ＳｉＯ2 ）を形成
する例である。成膜ガスとしては、ＴＥＯＳ（Ｓｉ（Ｏ
Ｃ2 Ｈ5 ）4 ）（テトラ・エトキシ・シラン）を用いた
が、それ以外にエトキシ基を有する有機シランであるＳ
ｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、Ｓｉ2 Ｏ（ＯＣ2 Ｈ5 ）6 、Ｓｉ
3 Ｏ2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）8 、Ｓｉ4 Ｏ3 （ＯＣ
2 Ｈ5 ）10、Ｓｉ5 Ｏ4 （ＯＣ2 Ｈ5 ）12 を用いるこ
とができる。
示す成膜装置を用いて、酸化珪素膜（ＳｉＯ2 ）を形成
する例である。成膜ガスとしては、ＴＥＯＳ（Ｓｉ（Ｏ
Ｃ2 Ｈ5 ）4 ）（テトラ・エトキシ・シラン）を用いた
が、それ以外にエトキシ基を有する有機シランであるＳ
ｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、Ｓｉ2 Ｏ（ＯＣ2 Ｈ5 ）6 、Ｓｉ
3 Ｏ2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）8 、Ｓｉ4 Ｏ3 （ＯＣ
2 Ｈ5 ）10、Ｓｉ5 Ｏ4 （ＯＣ2 Ｈ5 ）12 を用いるこ
とができる。
【００１３】成膜にあたっては、一対の電極１２、１
３、さらにそれに直交した一対の電極１５、１６とで構
成される直交した２組の電極に、一定の位相差（普通は
９０度）を与えて高周波電力（５０ＭＨｚ）を加え、チ
ャンバー内にリサージュ波形の高周波電力を供給する。
そして、メッシュ電極２２と接地電極２５との間に１
３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給し、さらに水銀ラン
プで構成された紫外線光源２１から紫外線を基板１９に
対して供給することにより、酸化珪素膜を基板１９表面
に成膜する。またこの際、基板を２００度〜６００度程
度、好ましくは３００度程度に加熱する。また反応圧力
は０．０１〜１０Ｔｏｒｒ好ましくは、０．１〜１Ｔｏ
ｒｒとする。
３、さらにそれに直交した一対の電極１５、１６とで構
成される直交した２組の電極に、一定の位相差（普通は
９０度）を与えて高周波電力（５０ＭＨｚ）を加え、チ
ャンバー内にリサージュ波形の高周波電力を供給する。
そして、メッシュ電極２２と接地電極２５との間に１
３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給し、さらに水銀ラン
プで構成された紫外線光源２１から紫外線を基板１９に
対して供給することにより、酸化珪素膜を基板１９表面
に成膜する。またこの際、基板を２００度〜６００度程
度、好ましくは３００度程度に加熱する。また反応圧力
は０．０１〜１０Ｔｏｒｒ好ましくは、０．１〜１Ｔｏ
ｒｒとする。
【００１４】この場合、反応ガスがリサージュ波形を有
する高周波電力によって攪拌，活性化され、高い効率で
分解が促進される。さらにメッシュ電極２２と対向接地
電極２５との間で供給される高周波電力と紫外光源２１
からの紫外線によって、基板にスッテプカバレージ（段
差被覆性）の高い成膜を高速で行うことができる。
する高周波電力によって攪拌，活性化され、高い効率で
分解が促進される。さらにメッシュ電極２２と対向接地
電極２５との間で供給される高周波電力と紫外光源２１
からの紫外線によって、基板にスッテプカバレージ（段
差被覆性）の高い成膜を高速で行うことができる。
【００１５】特に本実施例のように有機シランガスを用
い酸化珪素膜を形成する場合には、紫外線の照射によっ
て、ＣをＯと反応させ、酸化珪素膜中から炭素をＣＯ2
として外部に除去することができ、Ｃが含まれない良質
な酸化珪素膜を得ることができる。本実施例で作製され
る酸化珪素膜は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲイト
絶縁膜、ＩＣのパッシベーション膜、ＩＣの層間絶縁膜
等に利用することができる。
い酸化珪素膜を形成する場合には、紫外線の照射によっ
て、ＣをＯと反応させ、酸化珪素膜中から炭素をＣＯ2
として外部に除去することができ、Ｃが含まれない良質
な酸化珪素膜を得ることができる。本実施例で作製され
る酸化珪素膜は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲイト
絶縁膜、ＩＣのパッシベーション膜、ＩＣの層間絶縁膜
等に利用することができる。
【００１６】以上のように、リサージュ波形の高周波電
力の印加と、紫外線の照射とによって、高品質の膜を高
いステップカバレージを得ることができ、それに加え、
基板に垂直に高周波電界を加える一対の電極２２と２５
との間隔を狭くすることによって、高い成膜速度が得る
ことができる。
力の印加と、紫外線の照射とによって、高品質の膜を高
いステップカバレージを得ることができ、それに加え、
基板に垂直に高周波電界を加える一対の電極２２と２５
との間隔を狭くすることによって、高い成膜速度が得る
ことができる。
【００１７】〔実施例３〕実施例２においては、成膜中
に紫外線の照射行った例であるが、本実施例は、実施例
２に示す成膜後に、さらにつづけて紫外線を照射しなが
らのアニールを行う例である。こうすることによって、
例えばＴＦＴのゲイト絶縁膜の界面特性を改善すること
ができる。さらに、紫外線を照射しながら、２００〜５
００度好ましくは３５０度程度の加熱を行うことで、上
記アニール効果を高めることができる。
に紫外線の照射行った例であるが、本実施例は、実施例
２に示す成膜後に、さらにつづけて紫外線を照射しなが
らのアニールを行う例である。こうすることによって、
例えばＴＦＴのゲイト絶縁膜の界面特性を改善すること
ができる。さらに、紫外線を照射しながら、２００〜５
００度好ましくは３５０度程度の加熱を行うことで、上
記アニール効果を高めることができる。
【００１８】〔実施例４〕本実施例は、実施例１に示す
成膜装置によって、Ｓｉ膜を成膜する例である。成膜に
際しては、反応ガスとしてシラン（ＳｉＨ4 ）等の非単
結晶珪素膜を成膜するために用いられる反応ガスと水
素、さらには必要に応じてドーピングガスであるフォス
フィン（ＰＨ3 ）やジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）等を用いれば
よい。
成膜装置によって、Ｓｉ膜を成膜する例である。成膜に
際しては、反応ガスとしてシラン（ＳｉＨ4 ）等の非単
結晶珪素膜を成膜するために用いられる反応ガスと水
素、さらには必要に応じてドーピングガスであるフォス
フィン（ＰＨ3 ）やジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）等を用いれば
よい。
【００１９】〔実施例５〕本実施例は、実施例１の成膜
装置を用いて、反応ガスとしてシラン（ＳｉＨ4）とア
ンモニア（ＮＨ4 ）を用い、窒化珪素膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）
を成膜する例である。実施例１に示す成膜装置を用いる
と、上記酸化珪素膜や窒化珪素膜の他に、ＰｄＴｉＯ3
やＴａＯ5 を成膜することも可能である。また、これら
の膜の成膜後に実施例３に示すような紫外線の照射と加
熱によるアニールを行うことは有用である。
装置を用いて、反応ガスとしてシラン（ＳｉＨ4）とア
ンモニア（ＮＨ4 ）を用い、窒化珪素膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）
を成膜する例である。実施例１に示す成膜装置を用いる
と、上記酸化珪素膜や窒化珪素膜の他に、ＰｄＴｉＯ3
やＴａＯ5 を成膜することも可能である。また、これら
の膜の成膜後に実施例３に示すような紫外線の照射と加
熱によるアニールを行うことは有用である。
【００２０】〔実施例６〕本実施例は、実施例１に示す
成膜装置を多数並列に接続した例でありその概略の構成
を図３に示す。図３において３１は共通の基板搬送室で
あり、この室では成膜は行われない。３２〜２６が実施
例１に示す成膜装置のチャンバーであり、図３に示す構
成では、図１、図２に示す５組の成膜装置（図３ではチ
ャンバーのみ示してある）が搬送室３１を介して並列に
接続されている。また搬送室３１と各チャンバーとは基
板の搬送機構を備えたゲイトバルブ３７によって接続さ
れている。
成膜装置を多数並列に接続した例でありその概略の構成
を図３に示す。図３において３１は共通の基板搬送室で
あり、この室では成膜は行われない。３２〜２６が実施
例１に示す成膜装置のチャンバーであり、図３に示す構
成では、図１、図２に示す５組の成膜装置（図３ではチ
ャンバーのみ示してある）が搬送室３１を介して並列に
接続されている。また搬送室３１と各チャンバーとは基
板の搬送機構を備えたゲイトバルブ３７によって接続さ
れている。
【００２１】成膜を行うには、まず基板を搬送室３１に
搬入し、高真空に真空引きした後、同じく高真空に真空
引きがされた第１のチャンバー（例えば３２）にゲイト
バルブ３７を介して基板を搬入する。そしてゲイトバル
ブ３７を閉めた後に、所定の成膜が基板上に行われる。
成膜終了後、あるいは成膜後のアニール終了後は、チャ
ンバー内を高真空に真空引きし、再びゲイトバルブ３７
を介して、やはり高真空に真空引きがされた搬送室３１
に基板は搬送される。さらに必要に応じて第２のチャン
バー（例えば３３）に同様な動作によって基板を搬入す
ることによって、次の成膜が行われる。
搬入し、高真空に真空引きした後、同じく高真空に真空
引きがされた第１のチャンバー（例えば３２）にゲイト
バルブ３７を介して基板を搬入する。そしてゲイトバル
ブ３７を閉めた後に、所定の成膜が基板上に行われる。
成膜終了後、あるいは成膜後のアニール終了後は、チャ
ンバー内を高真空に真空引きし、再びゲイトバルブ３７
を介して、やはり高真空に真空引きがされた搬送室３１
に基板は搬送される。さらに必要に応じて第２のチャン
バー（例えば３３）に同様な動作によって基板を搬入す
ることによって、次の成膜が行われる。
【００２２】上記の構成は、ことなる膜を次々に成膜し
ていく場合に有用である。また全てのチャンバーが実施
例１に示すような構成を有している必要はなく、必要に
応じて、スパッタ装置はプラズマＣＶＤ装置、さらには
イオン注入装置等を接続してもよい。この場合でも、必
ず高真空に真空引きがされた状態で共通の搬送室３１を
介して基板を移動させることによって、異なる成膜ガス
や不純物が互いに混入することを防ぐことができる。
ていく場合に有用である。また全てのチャンバーが実施
例１に示すような構成を有している必要はなく、必要に
応じて、スパッタ装置はプラズマＣＶＤ装置、さらには
イオン注入装置等を接続してもよい。この場合でも、必
ず高真空に真空引きがされた状態で共通の搬送室３１を
介して基板を移動させることによって、異なる成膜ガス
や不純物が互いに混入することを防ぐことができる。
【００２３】また、各チャンバーと搬送室３１には、独
立に真空排気系がターボ分子ポンプやクライオポンプを
用いて構成されており、真空引きよって、残留ガスや不
純物を極力排除できる構成となっている。
立に真空排気系がターボ分子ポンプやクライオポンプを
用いて構成されており、真空引きよって、残留ガスや不
純物を極力排除できる構成となっている。
【００２４】
【発明の効果】間隔の狭い一対の平行平板型電極の一方
の電極上に基板を配置し、該基板に平行に電界が印加さ
れるように、直交する２組の電極を配置し、この直交す
る２組の電極からリサージュ波形の高周波電力を印加
し、さらに基板に対して紫外線を照射することによっ
て、高品質の膜の成膜、高いステップカバレージを有す
る膜の成膜、高い成膜速度、といった効果を得ることが
できる。
の電極上に基板を配置し、該基板に平行に電界が印加さ
れるように、直交する２組の電極を配置し、この直交す
る２組の電極からリサージュ波形の高周波電力を印加
し、さらに基板に対して紫外線を照射することによっ
て、高品質の膜の成膜、高いステップカバレージを有す
る膜の成膜、高い成膜速度、といった効果を得ることが
できる。
【図１】 実施例の成膜装置の概要を示す。
【図２】 実施例の成膜装置の概要を示す。
【図３】 実施例の成膜装置の概要を示す。
１１・・・・・・・・チャンバー １２・・・・・・・・電極 １３・・・・・・・・電極 １４・・・・・・・・高周波電力供給系 １５・・・・・・・・電極 １６・・・・・・・・電極 １７・・・・・・・・高周波電力供給系 １８・・・・・・・・フェーズロック機構 １９・・・・・・・・基板 ２０・・・・・・・・電極間隔 ２１・・・・・・・・紫外線光源 ２２・・・・・・・・メッシュ電極 ２３・・・・・・・・石英窓 ２４・・・・・・・・高周波電力供給系 ２５・・・・・・・・対向接地基板 ３１・・・・・・・・搬送室 ３１〜３６・・・・・チャンバー ３７・・・・・・・・ゲイトバルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/31 C23C 16/505 H01L 21/205 H05H 1/46
Claims (7)
- 【請求項１】基板が配置される接地電極と、該接地電極
と対向し、且つ、所定の距離だけ離間されて設置した成
膜速度を高めるためのメッシュ電極とからなる平行平板
型の一対の電極間の距離を１０ｍｍ以下とし、 互いに直交する複数の電極を用意し、 平行平板型の電極の隙間に基板を配置し、 前記隙間に有機シランガスを供給し、 プラズマを発生させる第１の電力を前記メッシュ電極に
印加することと、 前記基板が配置された反応空間にリサージュ波形を有す
る高周波電界を印加する第２の電力を前記複数の電極に
印加することと、 紫外線を前記基板に照射すること、とを同時に行い膜を
成膜することを特徴とする成膜方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記複数の電極は基板
に平行に高周波電界を印加することを特徴とする成膜方
法。 - 【請求項３】請求項１または請求項２において、前記第
１の電力または前記第２の電力の周波数は、１ＭＨｚ〜
１０００ＭＨｚであることを特徴とする成膜方法。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれか一において、前
記有機シランガスは、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4 、Ｓｉ（ＯＣ
2Ｈ5）4 、Ｓｉ2Ｏ（ＯＣ2Ｈ5）6 、Ｓｉ3Ｏ2（ＯＣ2Ｈ
5）8、Ｓｉ4Ｏ3（ＯＣ2Ｈ5）10、Ｓｉ5 Ｏ4 （ＯＣ2Ｈ5
）12から選ばれたガスであることを特徴とする成膜方
法。 - 【請求項５】基板が配置される接地電極と、該接地電極
と対向し、且つ、所定の距離だけ離間されて設置した成
膜速度を高めるためのメッシュ電極とからなる平行平板
型の一対の電極間の距離を１０ｍｍ以下とし、 互いに直交する複数の電極を用意し、 平行平板型の一対の電極の隙間に基板を配置し、 前記隙間に有機シランガスを供給し、 プラズマを発生させる第１の電力をメッシュ電極に印加
することと、 前記基板が配置された反応空間にリサージュ波形を有す
る高周波電界を印加する第２の電力を前記複数の電極に
印加することと、 紫外線を前記基板に照射すること、とを同時に行い薄膜
トランジスタのゲイト絶縁膜を形成することを特徴とす
る成膜方法。 - 【請求項６】減圧状態のチャンバー内に基板を接地電極
に設置し、 前記チャンバー内に反応ガスを供給し、 前記接地電極との間隔が１０ｍｍ以下であるメッシュ電
極に高周波電力を印加することと、 互いに直交した２組の電極に高周波電力を印加し、前記
基板が配置された反応空間にリサージュ波形を有する高
周波電界を印加することと、紫外線を照射すること、と
を同時に行い前記基板上に膜を成膜することを特徴とす
る成膜方法。 - 【請求項７】請求項１乃至６のいずれか一において、前
記メッシュ電極で成膜速度を制御することを特徴とする
成膜方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3313088B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7632375B2 (en) | 2004-12-30 | 2009-12-15 | Lam Research Corporation | Electrically enhancing the confinement of plasma |
| JP5142364B2 (ja) * | 2007-07-05 | 2013-02-13 | パナソニック株式会社 | マイクロ波処理装置 |
| KR100899768B1 (ko) * | 2007-10-08 | 2009-05-27 | 주식회사 케이씨텍 | 플라즈마 기판 처리 장치 |
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| JP2000082702A (ja) | 2000-03-21 |
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