JPH09102408A - 磁性箔とその製造方法及びそれを用いた高周波用磁心 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高磁束密度を有する高周波対応の磁性材料を
提供する。 【解決手段】 重量百分率で、１％以上１０％以下のＡ
ｌを含有し、厚さ５μｍ以上１５０μｍ以下のＦｅ−Ａ
ｌ合金箔であって、箔を構成する結晶粒の５０％以上
が、板面方位が（１１０）で圧延方向が［００１］のゴ
ス方位の結晶粒からなる磁性箔。また冷間圧延条件と中
間焼鈍条件を特定し、仕上げ焼鈍を１０００℃以上１３
００℃以下の温度で非酸化性の雰囲気中にて行う磁性箔
の製造方法。上記磁性箔を用いて作製した高周波用磁
心。これにより、高磁束密度を有するＦｅ−Ａｌ合金磁
性箔の提供が可能になり、トランス、インダクタ等高周
波磁性部品に適用することにより高性能化が達成され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、トランス、インダ
クタ（リアクトル又はチョークコイル）等磁性部品の磁
心用の磁性箔とその製造方法、及びそれを用いた高周波
用磁心に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、高周波では酸化物系のソフトフェ
ライトが磁心損失が小さい故に使われてきたが、近年の
電子機器の小型化要求に伴い、高周波で利用される鉄心
材料にも磁束密度の高いものが要求されるようになって
きた。例えば、チョークコイルなどの直流重畳下の高周
波で使用される磁性材料には、磁束の飽和を避けるため
特に磁束密度の高いものが要求されることが多く、この
ような用途には金属系の磁性材料が使われている。

【０００３】磁性材料のエネルギー損失（Ｗ）は、次式
のように表すことができる。すなわち、ヒステリシス損
失（Ｗ_h ）と渦電流損失（Ｗ_e ）からなり、ヒステリシ
ス損失は周波数（ｆ）に比例し、渦電流損失は周波数の
二乗に比例する。 Ｗ＝Ｗ_h ＋Ｗ_e ＝Ａ_h ｆ＋Ｂ_e ｆ² 渦電流損失の項の係数であるＢ_e は、

【数１】 と書くことができ、磁性材料の高電気抵抗率化、薄手化
により渦電流損失の低減が可能である。

【０００４】Ｆｅ−３％Ｓｉ合金を主成分とする方向性
珪素鋼板としては、二次再結晶法によるゴス方位（圧延
面：（１１０）、圧延方向：［００１］）の実現によ
り、圧延方向に１．８〜１．９Ｔに及ぶ高い磁束密度を
有するものが得られている。しかしながら、従来の珪素
鋼板は板厚が２００〜４００μｍのものに限られてお
り、用途は商用の低周波数で駆動される電力用トランス
に限られている。高周波で使用可能にするには、渦電流
損失に基づく鉄損を低くする必要があり、そのためには
材料の電気抵抗率を上げるか板厚を薄くする必要があ
る。

【０００５】方向性珪素鋼板の結晶配向にはＭｎＳ、Ａ
ｌＮ等のインヒビターを使った二次再結晶が使われてい
る。しかし、板厚が薄くなると、再結晶焼鈍中にインヒ
ビターが分解して表面から抜けるために、完全な二次再
結晶組織が得にくいという問題がある。高周波用途に板
厚の薄い方向性珪素鋼板を得る試みは、１９４９年にM.
F.Littmannによって初めて開示されている（ＵＳ特許第
２４７３１５６号明細書）。この方法は、通常の二次再
結晶によって作製されたゴス方位の方向性珪素鋼板を出
発材料とし、再度それに圧下率で６０〜９０％の圧延を
施して１０〜２００μｍの箔とし、さらに再度再結晶焼
鈍を施す方法である。この方法により、微細結晶粒から
なるゴス方位のＦｅ−Ｓｉ箔が得られることが知られて
いるが、工程が長すぎてコスト高になるという欠点があ
る。

【０００６】薄手の珪素鋼板の結晶配向には、結晶面に
よる表面エネルギー差を駆動力とする二次再結晶を利用
することが有効とされている。清浄表面を有する珪素鋼
板を真空等の清浄雰囲気中で１２００℃程度の温度で焼
鈍することにより、ゴス方位の集合組織が得られること
が知られている（例えば、J.L.Walter, J.Appl.Phys.3
6,1213(1965) ）。最近になって、熱延板を出発材料と
してさらに配向度の高いゴス方位のＦｅ−Ｓｉ合金箔を
得る試みが報告されている（特開平５−１８６８２９号
公報、特開平５−１８６８３０号公報、特開平５−１８
６８３１号公報、特開平７−７６７３４号公報、及び荒
井賢一他、日本応用磁気学会誌１９，４３３（１９９
５））。

【０００７】これらの一連の特許公報や文献には、熱延
板に特定条件の中間焼鈍を挾んで２回又は３回の特定条
件の冷間圧延を施して箔状となし、１０００〜１３００
℃で焼鈍を施すことにより高磁束密度を得る方法が開示
されている。この焼鈍により、表面エネルギーを駆動力
とする二次再結晶が起こり、集積度の高いゴス方位が得
られ、その結果圧延方向に高い磁束密度が得られるとし
ている。上記特許公報はＦｅ−Ｓｉ系について結晶配向
の方法を開示したものであるが、その技術内容において
は、特にＡｌの添加量を０．０１％以下に限定すること
を狙いとしている。その理由は、Ａｌは酸素との親和力
が強い元素であるために、熱処理中に表面に酸化物を形
成し、表面エネルギーによる結晶粒の成長を阻害するた
めとしている。

【０００８】鉄に固溶する元素で合金の電気抵抗率を高
める効果の最も大きいものはＳｉであり、次いでＡｌが
ある。溶質元素の増大による電気抵抗率の増加率は、Ｆ
ｅ−Ｓｉ系とＦｅ−Ａｌ系とではほぼ同じである。Ｆｅ
−Ｓｉ合金はＳｉが３．５ｗｔ％を超えると冷間圧延が
困難となるが、Ｆｅ−Ａｌ合金ではＡｌが１０ｗｔ％ま
で冷間加工が可能であるという特徴を持つ。電気抵抗率
は溶質元素の増大にほぼ比例して増大し、Ｆｅ−１０％
Ａｌ合金ではＦｅ−３％Ｓｉ合金の約２倍の９６μΩｃ
ｍとなる。したがって、高周波で低鉄損の用途には、よ
り高電気抵抗率を有する箔の製造が可能なＦｅ−Ａｌ系
が有利である。

【０００９】この特徴に注目して、無方向性ではあるが
高周波用の磁心材料として関心を集めたことがある（J.
F.Nachman and W.J.Buehler, J.Appl.Phys.34,1325(196
3)）。しかし、従来、Ｆｅ−Ａｌ系についての研究は少
なく、結晶配向については再結晶によって（１００）配
向を得やすいとの報告が数例あるのみである（K.Foster
and D.Pavlovic, J.Appl.Phys.34,1325(1963)、又は、
C.Talowski,Th.Waeckerle and B.Cornut,IEEE Trans.Ma
g.30,4842(1994) ）。Ｆｅ−Ａｌ系で結晶配向により高
磁束密度のものが得られるならば、高周波用の磁性材料
として有望と思われるが、現在までにＦｅ−Ａｌ系で二
次再結晶によりゴス方位を得たという公知文献はない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、高磁束密度
を有し、高周波で利用が可能であるＦｅ−Ａｌ系磁性材
料とその製造方法及びそれを用いた高周波用磁心を提供
することを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、重量百分率で
１％以上１０％以下のＡｌを含有し、厚さ５μｍ以上１
５０μｍ以下のＦｅ−Ａｌ合金箔であって、箔を構成す
る結晶粒の５０％以上が、板面方位が（１１０）で圧延
方向が［００１］のゴス方位の結晶粒からなることを特
徴とする磁性箔である。本発明の磁性箔は、特に厚さ５
０μｍ以下において高い磁束密度を示す。また、本発明
は、重量百分率で１％以上１０％以下のＡｌを含有し、
残部はＦｅ及び不可避的不純物からなる合金鋳片に熱間
圧延を施して厚さ１ｍｍ以上５ｍｍ以下の鋼帯となし、
中間焼鈍を間に挾む２回以上の冷間圧延を施して厚さ５
μｍ以上１５０μｍ以下の圧延箔となし、その後この圧
延箔に仕上げ焼鈍を行う工程で、中間焼鈍を７００℃以
上１０００℃以下の温度で行い、各回の冷間圧延を６０
％以上９０％以下の圧下率で行い、仕上げ焼鈍を１００
０℃以上１３００℃以下の温度で非酸化性雰囲気中にて
行うことを特徴とする磁性箔の製造方法である。冷間圧
延前の熱延板に８００℃以上１２００℃以下の熱延板焼
鈍を施すことにより磁束密度のより高い磁性箔を得るこ
とがである。さらに、本発明は、重量百分率で１％以上
１０％以下のＡｌを含有し、厚さ５μｍ以上１５０μｍ
以下のＦｅ−Ａｌ合金箔であって、箔を構成する結晶粒
の５０％以上が、板面方位が（１１０）で圧延方向が
［００１］のゴス方位の結晶粒からなる磁性箔を用い、
圧延方向が周方向となるように巻き回したことを特徴と
する高周波用磁心である。本発明の高周波用磁心は特に
重量百分率で３％以上７％以下のＡｌを含有していると
きに低損失特性を示す。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に、本発明を詳細に説明す
る。表面エネルギーを駆動力とする二次再結晶では、一
次再結晶から二次再結晶に移行する過程でどの方位の結
晶粒が成長するかという二次再結晶核の選択性に表面エ
ネルギーの効果が現れ、表面エネルギーの小さい結晶粒
が優先的に成長を始め、表面エネルギーの大きい結晶粒
が浸食されていく。鉄系合金では、清浄表面が実現され
ていれば、（１１０）面の表面エネルギーが最も低く、
その次に（１００）面の表面エネルギーが低いとされ
る。微量酸素が存在する条件下では、（１００）面の表
面エネルギーの方が（１１０）面のそれよりも低くなる
場合が生じ、現象が複雑になる。前述のように、従来、
Ａｌは熱処理中に箔表面に酸化物を形成し、結晶粒の成
長を阻害すると思われていた。

【００１３】しかし、本発明者らは、高濃度のＡｌを含
むＦｅ−Ａｌ基の合金では、そのような酸化物は観察さ
れず、むしろ表面エネルギーを駆動力とする二次再結晶
が起こりやすいことを見い出したのである。より詳しく
は、Ｆｅ−Ａｌ系合金における二次再結晶後の組織は、
ゴス方位（圧延面：（１１０）、圧延方向：［００
１］）の結晶粒とキューブ方位（圧延面：（１００）、
圧延方向：［００１］）の結晶粒が混在し、その比率が
製造条件によって変化することを実験において観察し
た。一連の実験の中で、本発明者らは、合金中の不純物
を制御し、箔にするまでの圧延条件と焼鈍条件を特定す
ることにより、箔を構成する結晶粒の５０％以上をゴス
方位とすることができることを見い出した。さらに、本
発明者らは、Ｆｅ−Ａｌ合金箔において箔の厚さが薄い
ほど表面エネルギーの効果が大きく、より完全なゴス方
位の結晶粒からなる集合組織が得られるという全く新し
い知見を獲得するに至った。

【００１４】図１は、仕上げ焼鈍前の最終圧延の圧下率
をほぼ一定にし、Ｆｅ−Ａｌ合金箔の厚さのみを変え
て、二次再結晶後の圧延方向の磁束密度Ｂ₈ （印可磁場
８００Ａ／ｍにおける磁束密度）を測定したものであ
る。集合組織の変化を反映して、磁束密度は箔の厚さが
薄くなるほど大きくなっている。また、Ｆｅ−Ａｌ合金
箔はＡｌの含有量が１０ｗｔ％まで冷間圧延加工が可能
であるために電気抵抗率の高い箔が得られる。本発明者
らは、Ｆｅ−Ａｌ合金箔を用いて磁心を作製し、高周波
においてＦｅ−Ｓｉ合金箔磁心よりも低損失の磁心が得
られることを見い出した。

【００１５】本発明においては、合金中の不純物の量は
できるだけ少ないことが望ましく、特に酸素の量は３０
ｐｐｍ以下にするのが望ましい。酸素濃度が３０ｐｐｍ
を越えると、キューブ方位が出やすくなり、体積百分率
で５０％以上のゴス方位を得るのに後述の仕上げ焼鈍に
おいて長時間を必要とする。

【００１６】本発明においては、Ａｌの含有量を重量百
分率で１％以上１０％以下に限定する。これは、Ａｌの
含有量が１％未満では、９００℃以上の温度でγ／α変
態点が現れ、本発明のプロセスが適用できないからであ
る。一方、Ａｌの含有量が１０％を越えると、合金が硬
くなり、冷間圧延ができなくなる。本発明の高周波用磁
心にとってより望ましいＡｌの含有量の範囲は、重量百
分率で３％以上７％以下である。この範囲では合金の電
気抵抗率が高いために低損失の磁心が作製でき、同時に
磁歪定数の値や加工性に関しても磁心に適した範囲であ
るからである。また、合金の工業的製造過程で不可避的
に混入するＳｉ及びＭｎはその量が１％以下であるなら
ば、本発明の作用を妨げない。

【００１７】次に、本発明の製造工程を、溶解・鋳造、
熱間圧延、冷間圧延／中間焼鈍、仕上げ焼鈍、および巻
き回の順に説明する。 （ａ）溶解・鋳造 合金鋳片の製造は、少規模では高周波加熱による真空溶
解炉を、中規模では電気炉を、大規模では転炉をそれぞ
れ用いて行うことができる。いずれの方法においても、
通常の精練手法により溶鋼の酸素量を十分に減らした上
で、Ａｌの添加を行うことにより酸素含有量の低い鋳片
を得ることができる。

【００１８】（ｂ）熱間圧延／熱延板焼鈍 合金鋳片の熱間圧延の条件は特に限定しないが、鋳片の
加熱温度は１１００〜１３００℃、圧延仕上げ温度は６
００〜９００℃が好ましい。熱延板の板厚は、通常１ｍ
ｍ以上５ｍｍ以下である。仕上げ温度が低い場合には、
８００℃以上１２００℃以下の温度で熱延板焼鈍を行う
と、最終の磁性箔の特性向上につながる。この時の焼鈍
温度が８００℃未満では十分な再結晶が起こらず、１２
００℃超では結晶粒が粗大化し引き続く冷間圧延時に割
れが発生しやすい。

【００１９】（ｃ）冷間圧延／中間焼鈍 熱延板は、表面酸化層を除去した後に冷間圧延に供す
る。本発明においては、箔の厚さ、それを実現する冷間
圧延の圧下率と圧延間の中間焼鈍の条件をそれぞれ下記
のように限定する。まず、箔の厚さは、５μｍ以上１５
０μｍ以下に限定する。箔の厚さは薄いほど好ましい
が、下限の５μｍは、現在の圧延技術ではそれ未満の厚
さの箔は工業的には製造できないからである。上限の１
５０μｍは、その厚さを越えると、二次再結晶によるゴ
ス方位粒が十分に得られず、実用的に意味のある磁束密
度が得られないことから決まる。より好ましい箔の厚さ
の範囲は、５μｍ以上５０μｍ以下である。前述のよう
に、箔の配向度は厚さが薄いほど高くなり、５０μｍ以
下で特に高い磁束密度を得ることができる。

【００２０】厚さ１〜５ｍｍの熱延板から一回の冷間圧
延によって所定の厚さまで落とすと、圧延率が９０％を
越え、引き続く再結晶によって高配向の磁性箔を得るこ
とができない。本発明においては、仕上げ焼鈍前に最適
な集合組織を得るために、中間焼鈍を挾んで二回以上の
圧延を施して、最終板厚にする。中間焼鈍は、７００℃
以上１０００℃以下の温度で行い、各回の冷間圧延の圧
下率を６０％以上９０％以下とする必要がある。中間焼
鈍温度が７００℃未満では短時間で再結晶を行わせるこ
とができない。また、１０００℃を越えると結晶粒が粗
大化し、引き続く圧延再結晶で最適な再結晶集合組織を
得ることができない。圧延と再結晶の繰り返しを行う場
合、圧下率が６０％以上９０％以下の範囲においての
み、ゴス方位の（１１０）［００１］成分を一次再結晶
集合組織として保持できる。特に、仕上げ焼鈍前の最終
圧延の圧下率が９０％を越えると、（１００）面を表面
に平行に持つ結晶粒が優先的に成長するようになる。こ
れらのことから、各回の圧下率はすべて上記の範囲に限
定される。

【００２１】（ｄ）仕上げ焼鈍 上記条件で最終圧延が施された圧延箔に対して、仕上げ
焼鈍を行う。この仕上げ焼鈍は表面エネルギーを駆動力
とする二次再結晶を行わせるためであり、焼鈍温度は１
０００℃以上１３００℃以下にする必要がある。温度が
１０００℃未満では二次再結晶が起こり難く、１３００
℃超では高温であるために熱効率の点で実生産上好まし
くない。昇温速度は特に限定しない。昇温中に一次再結
晶が起こり、到達温度近傍で二次再結晶が起こるような
条件であれば良く、１０〜１０００℃／分程度の許容範
囲がある。到達温度での保持時間は、温度によって異な
るが、通常１分以上２０時間以下が好適である。焼鈍分
離材としてＡｌ₂ Ｏ₃ 粉末等の酸化物の粉末を利用して
も良い。表面エネルギーを駆動力とする二次再結晶を行
わせるためには、箔表面の酸化を抑制しなければならな
い。焼鈍雰囲気としては、酸素濃度の低いＡｒ又はＮ₂
雰囲気、あるいはＡｒ又はＮ₂ とＨ₂ との混合雰囲気、
又は真空などの非酸化性雰囲気を用いることができる。

【００２２】（ｅ）巻き回 上記の箔を巻き回し、磁心を作製する。スリッター等に
より箔を圧延方向に沿って切断し、所定の幅の帯状の箔
とする。この箔を巻き回し、磁心とする。箔を巻き回す
る際に層間の電気的な絶縁が必要であり、箔の表面に絶
縁被覆材を塗布し、絶縁処理をする。絶縁被覆材とし
て、Ａｌ₂ Ｏ₃ 等の酸化物の粉末を利用しても良い。こ
の切断加工及び巻き回は、仕上げ焼鈍の工程の前に行っ
ても良い。仕上げ焼鈍を行い、二次再結晶した箔を巻き
回した場合には加工による歪みを取るための歪み取り焼
鈍を行う。歪み取り焼鈍の条件は特に限定しないが、熱
処理温度は６００〜１０００℃が好ましい。

【００２３】

【実施例】以下に、本発明を実施例により説明する。実施例１ 重量百分率でＦｅ−５％Ａｌの組成の鋳片を真空溶解に
より作製した。合金の化学分析結果を、表１に示す。Ｓ
ｉを除いてすべての元素が０．００３％以下に抑えられ
ている。特に、ＯとＮは０．００１％以下、Ｓは０．０
００３％以下になっている。鋳片を１２００℃に加熱
後、熱間圧延を施し、板厚３．８ｍｍに仕上げた。仕上
げ温度は７００℃とした。熱延板に、中間焼鈍を挾んで
二回以上の冷間圧延を施し、板厚１０〜２００μｍの圧
延箔を作製した。表２にその具体的な作製条件を示す。
最終圧延の圧下率は７５〜８０％とほぼ一定にし、その
前段の圧延は圧下率で６０〜８０％の範囲で行った。中
間焼鈍はＡｒ雰囲気中で行い、すべて９００℃で１０分
とした。作製した圧延箔に、酸素濃度０．０１ｐｐｍ以
下のＡｒ雰囲気で１２００℃で１時間の仕上げ焼鈍を施
した。この時の昇温速度は２０℃／分とした。

【００２４】仕上げ焼鈍を施した箔の磁束密度を測定し
た。図１に、厚さ１２μｍと５０μｍの箔の磁束密度Ｂ
₈ （印加磁場８００Ａ／ｍにおける磁束密度）の測定結
果を示す。測定試料は長さ１２０ｍｍ、幅２５．４ｍｍ
で、単板試験機で５０Ｈｚの磁界印加の下に室温で測定
した。図１では昇温中の配向の変化を調べるために、９
００〜１２００℃の温度で１０分保持した後に急冷した
箔の磁束密度を図の左側に示し、到達温度１２００℃で
の保持時間の効果を調べるために１時間保持後の箔の磁
束密度を図の右側に示した。

【００２５】図１から分るように、１１００℃から１２
００℃にかけて二次再結晶が始まり、急激に磁束密度が
向上している。１２００℃で１時間保持後の到達磁束密
度は、板厚が薄い方が大きい。

【００２６】また、種々の板厚が圧延箔について、１２
００℃で１時間保持後の磁束密度を測定した結果を、図
２に示す。板厚が２００μｍの時の磁束密度は、一次再
結晶終了時の磁束密度の値とほぼ同じである。

【００２７】箔の再結晶集合組織を調べたところ、１０
０μｍ以下の箔ではすべて二次再結晶が起こっていた。
図３に、板厚が５０μｍの時の金属組織写真を示す。写
真中の白いコントラストの部分が二次再結晶によって成
長したゴス方位粒であり、黒いコントラストの部分がキ
ューブ方位粒である。

【００２８】また、Ｘ線回析強度から、ゴス方位の結晶
粒とキューブ方位の結晶粒の割合を求めた。その結果
を、図４に示す。二次再結晶の起こっている１００μｍ
以下の箔については、面積率で８０％以上がゴス方位の
結晶粒からなることが確認される。板厚が２００μｍの
時には、金属組織写真の観察結果から、二次再結晶によ
るゴス配向は観察されず、ほぼ一次結晶状態のままであ
った。

【００２９】

【表１】

【００３０】

【表２】

【００３１】実施例２ 実施例１に用いたＦｅ−５％Ａｌ合金と同じ鋳片を用い
て、厚さ１．３ｍｍ、２．５ｍｍ及び３．８ｍｍの熱延
板を用意した。これらの熱延板を用いて、磁性箔の特性
に及ぼす冷間圧延条件の影響を調べた。一回圧延、二回
圧延、三回圧延の三通りの方法で圧延し、箔の最終厚さ
はすべて５０μｍとした。圧延の詳細条件、及び仕上げ
焼鈍後の箔におけるゴス方位粒の割合と箔の磁束密度の
値を、表３に示す。ここで、圧延間の中間焼鈍条件及び
仕上げ焼鈍条件は実施例１と同じにした。表３に示すよ
うに、圧下率９０％超では、ゴス方位粒の割合は５０％
未満であり、磁束密度としても高い値は得られない。中
間焼鈍をはさんで２回以上の圧延を施して、最終圧延圧
下率を９０％以下にすることにより、ゴス方位粒の割合
が５０％以上になり、高い磁束密度が得られることが分
る。

【００３２】

【表３】

【００３３】実施例３ 実施例１と同じ合金を用いて、最終仕上げ焼鈍雰囲気の
効果を調べた。厚さ３．８ｍｍの熱延板に表２の試料N
o. ５に示したのと同じ条件で冷間圧延を行い、最終板
厚５０μｍの圧延箔を作製した。この圧延箔に、仕上げ
焼鈍の雰囲気を純水素にして１２００℃、１時間の焼鈍
を施した結果、高純度Ａｒ中焼鈍の場合と同じく二次再
結晶が起こり、ゴス方位の結晶粒からなる磁性箔が得ら
れた。箔の磁束密度Ｂ₈ を測定した結果、１．６７Ｔと
高い値が得られた。

【００３４】実施例４ 実施例１と同じ熱延板を用いて、冷間圧延前の熱延板焼
鈍の効果を調べた。熱延板焼鈍は、１１００℃で１０分
行った。最終板厚５０μｍの圧延箔を、表２の試料No.
５に示したのと同じ条件で作製し、実施例１と同じくＡ
ｒ中で１２００℃、１時間の仕上げ焼鈍を施した。箔の
磁束密度Ｂ₈ を測定した結果、熱延板焼鈍をしないもの
に比べ、０．０２Ｔ高い１．６４Ｔが得られた。

【００３５】実施例５ 実施例１と同じ合金の磁性箔を用いて作製した磁心を高
周波で駆動したときの特性を調べた。厚さ３．８ｍｍの
熱延板を、表２の試料No. ５に示した条件で冷間圧延を
行い、最終板厚５０μｍの圧延箔を作製した。比較材と
してＦｅ−３％Ｓｉ合金を用いた。Ｆｅ−３％Ｓｉ合金
の化学分析結果を、表４に示す。Ｆｅ−３％Ｓｉ箔はＦ
ｅ−５％Ａｌ箔と溶解から最終焼鈍までの工程を全く同
様にして作製した。

【００３６】箔の厚さが５０μｍのＦｅ−５％ＡｌとＦ
ｅ−３％Ｓｉにスリット加工を施し、幅１６ｍｍ、長さ
１．２ｍのリボン状の箔とした。この箔にＡｌ₂ Ｏ₃ 粉
末を焼鈍分離材として塗布し、仕上げ焼鈍を施した。仕
上げ焼鈍条件は、実施例１と同様にした。箔の層間の電
気的な絶縁のためにＡｌ₂ Ｏ₃ 粉末を絶縁被覆材として
塗布し、箔を巻き回することにより内径２８ｍｍ、外径
３２ｍｍ、高さ１６ｍｍの巻き磁心とした。その後、８
００℃、１０分の歪み取り焼鈍をＡｒ雰囲気中で行っ
た。この巻き磁心をケースに入れて巻線を施し、Ｂ−Ｈ
アナライザーを用いて磁束密度が２００ｍＴのときの鉄
損の測定を行った。その結果を、図５に示す。図５から
Ｆｅ−５％Ａｌ合金の方が周波数の高い領域で低損失で
あり、例えば２０ｋＨｚではＦｅ−３％Ｓｉに比べ損失
が約３割低減できることが分る。

【００３７】

【表４】

【００３８】

【発明の効果】本発明により、高磁束密度を有するＦｅ
−Ａｌ合金磁性箔の提供が可能になり、それをトラン
ス、インダクタ等高周波磁性部品に適用することにより
高性能化が達成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明磁性箔の仕上げ焼鈍時における昇温中の
各温度の磁束密度と到達温度１２００℃で１時間保持後
の磁束密度を示す。

【図２】本発明の圧延箔の厚さに対する磁束密度の変化
を示す。

【図３】本発明の厚さ５０μｍの圧延箔の仕上げ焼鈍後
の二次再結晶金属組織写真を示す。

【図４】本発明磁性箔のゴス方位粒とキューブ方位粒の
割合の板厚依存性を示す。

【図５】厚さ５０μｍのＦｅ−５％Ａｌ箔とＦｅ−３％
Ｓｉ箔を巻き回して磁心としたときの損失の周波数依存
性を示す。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】重量百分率で、１％以上１０％以下のＡｌ
   を含有し、厚さ５μｍ以上１５０μｍ以下のＦｅ−Ａｌ
   合金箔であって、箔を構成する結晶粒の５０％以上が、
   板面方位が（１１０）で圧延方向が［００１］のゴス方
   位の結晶粒からなることを特徴とする磁性箔。
2. 【請求項２】箔の厚さが５μｍ以上５０μｍ以下である
   ことを特徴とする請求項１に記載の磁性箔。
3. 【請求項３】重量百分率で、１％以上１０％以下のＡｌ
   を含有し、残部はＦｅ及び不可避的不純物からなる合金
   鋳片に熱間圧延を施して厚さ１ｍｍ以上５ｍｍ以下の鋼
   帯とし、中間焼鈍を間に挾む２回以上の冷間圧延を施し
   て厚さ５μｍ以上１５０μｍ以下の圧延箔とし、その後
   この圧延箔に仕上げ焼鈍を行う工程で、中間焼鈍を７０
   ０℃以上１０００℃以下の温度で行い、各回の冷間圧延
   を６０％以上９０％以下の圧下率で行い、仕上げ焼鈍を
   １０００℃以上１３００℃以下の温度で非酸化性雰囲気
   中にて行うことを特徴とする、磁性箔の製造方法。
4. 【請求項４】冷間圧延前の熱延板に８００℃以上１２０
   ０℃以下の熱延板焼鈍を施すことを特徴とする請求項３
   に記載の磁性箔の製造方法。
5. 【請求項５】請求項１または２に記載の磁性箔を圧延方
   向が周方向となるように巻き回した高周波用磁心。
6. 【請求項６】重量百分率で、３％以上７％以下のＡｌを
   含有する請求項１または２に記載の磁性箔を圧延方向が
   周方向となるように巻き回した高周波用磁心。