JPH0899979A - ジシリルアミンの製造方法 - Google Patents
ジシリルアミンの製造方法Info
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- JPH0899979A JPH0899979A JP3757195A JP3757195A JPH0899979A JP H0899979 A JPH0899979 A JP H0899979A JP 3757195 A JP3757195 A JP 3757195A JP 3757195 A JP3757195 A JP 3757195A JP H0899979 A JPH0899979 A JP H0899979A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 一般式（１）
Ｒ1ＮＨＲ2・・・（１）
で示される一級アミンを、一般式（２）
Ｒ3ＳｉＮＲ3 2・・・（２）
で示されるアミノシランにより、一般式（３）
Ｒ4Ｘ・・・（３）
で示される有機ハロゲン化合物の存在下にシリル化する
ことを特徴とする下記一般式（４） Ｒ1Ｎ（ＳｉＲ3）2・・・（４） で示されるジシリルアミンの製造方法を提供する。（式
中、Ｒ1は炭素数１〜２０の一価炭化水素基、、Ｒ2は水
素原子又はＲ3Ｓｉ基を示し、Ｒ3は水素原子又は炭素数
１〜２０の一価炭化水素基を示し、Ｒは水素原子又は炭
素数１〜１０の一価炭化水素基を示し、Ｘは臭素原子又
はヨウ素原子から選ばれるハロゲン原子を示し、Ｒ4は
炭素数１〜１０の一価炭化水素基を示す。） 【効果】 ジシリルアミンを簡単かつ確実にしかも高収
率で合成できる。
ことを特徴とする下記一般式（４） Ｒ1Ｎ（ＳｉＲ3）2・・・（４） で示されるジシリルアミンの製造方法を提供する。（式
中、Ｒ1は炭素数１〜２０の一価炭化水素基、、Ｒ2は水
素原子又はＲ3Ｓｉ基を示し、Ｒ3は水素原子又は炭素数
１〜２０の一価炭化水素基を示し、Ｒは水素原子又は炭
素数１〜１０の一価炭化水素基を示し、Ｘは臭素原子又
はヨウ素原子から選ばれるハロゲン原子を示し、Ｒ4は
炭素数１〜１０の一価炭化水素基を示す。） 【効果】 ジシリルアミンを簡単かつ確実にしかも高収
率で合成できる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一級アミンの活性水素
原子２個をシリル基で保護したジシリルアミンの製造方
法に関する。
原子２個をシリル基で保護したジシリルアミンの製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
アミノシランの製造法としては、下記式に示されたよう
に、トリメチルクロロシランとアミンとの反応による方
法が最も一般的である。
アミノシランの製造法としては、下記式に示されたよう
に、トリメチルクロロシランとアミンとの反応による方
法が最も一般的である。
【０００３】２Ｈ2ＮＲ’＋Ｍｅ3ＳｉＣ１→Ｍｅ3Ｓｉ
ＮＨＲ’＋Ｈ3Ｎ+Ｒ’Ｃ１- ［但し、Ｍｅはメチル基、Ｒ’は一価炭化水素基を示す
（以下同様）］
ＮＨＲ’＋Ｈ3Ｎ+Ｒ’Ｃ１- ［但し、Ｍｅはメチル基、Ｒ’は一価炭化水素基を示す
（以下同様）］
【０００４】しかしながら、この方法は、ジシリルアミ
ンを得るには有効でない。即ち、トリメチルクロロシラ
ンを用いてピリジンの存在下Ｎ−トリメチルシリルエチ
ルアミンを更にシリル化し、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチル
シリル）エチルアミンを１３％で得たという報告がある
（文献：（１）Ｅ．Ｗ．Ａｂｅｌ，Ｇ．Ｒ．Ｗｉｌｌｅ
ｙ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１５２８（１９６４））
が、トリメチルクロロシランを用いての１級アミンのシ
リル化では、ケイ素が一つだけ導入されたトリメチルシ
リルアルキルアミンの生成が一般的で、この種のアミン
の工業的製造方法となっている。また、この反応で得ら
れるトリメチルシリルアルキルアミンを硫酸アンモニウ
ムやアミン塩酸塩のような酸の存在下に加熱してビスト
リメチルシリルアルキルアミンを生成する方法や、同様
の酸触媒存在下にトリメチルシリルジエチルアミンを用
い一級アミンをシリル化する方法も知られている（文
献：（２）Ｊ．Ｈｉｌｓ，Ｖ．Ｈａｇｅｎ，Ｈ．Ｌｕｄ
ｗｉｇ，Ｋ．Ｒｕｅｈｌｍａｎ，Ｃｈｅｍ．Ｂｅｒ．，
９９，７７６（１９６６），（３）Ｊ．Ｌ．Ｓｐｅｉｅ
ｒ，Ｒ．Ｚｉｍｍｅｒｍａｎ，Ｊ．Ｗｅｂｓｔｅｒ，
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，７８，２２７８（１９
５６））。
ンを得るには有効でない。即ち、トリメチルクロロシラ
ンを用いてピリジンの存在下Ｎ−トリメチルシリルエチ
ルアミンを更にシリル化し、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチル
シリル）エチルアミンを１３％で得たという報告がある
（文献：（１）Ｅ．Ｗ．Ａｂｅｌ，Ｇ．Ｒ．Ｗｉｌｌｅ
ｙ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１５２８（１９６４））
が、トリメチルクロロシランを用いての１級アミンのシ
リル化では、ケイ素が一つだけ導入されたトリメチルシ
リルアルキルアミンの生成が一般的で、この種のアミン
の工業的製造方法となっている。また、この反応で得ら
れるトリメチルシリルアルキルアミンを硫酸アンモニウ
ムやアミン塩酸塩のような酸の存在下に加熱してビスト
リメチルシリルアルキルアミンを生成する方法や、同様
の酸触媒存在下にトリメチルシリルジエチルアミンを用
い一級アミンをシリル化する方法も知られている（文
献：（２）Ｊ．Ｈｉｌｓ，Ｖ．Ｈａｇｅｎ，Ｈ．Ｌｕｄ
ｗｉｇ，Ｋ．Ｒｕｅｈｌｍａｎ，Ｃｈｅｍ．Ｂｅｒ．，
９９，７７６（１９６６），（３）Ｊ．Ｌ．Ｓｐｅｉｅ
ｒ，Ｒ．Ｚｉｍｍｅｒｍａｎ，Ｊ．Ｗｅｂｓｔｅｒ，
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，７８，２２７８（１９
５６））。
【０００５】
【化２】
【０００６】しかし、これらの方法は、反応を進めるた
めに、生成するアミンを反応中に系外に除いてやる必要
があり、その際アミンと共に沸点差の比較的少ないモノ
シリルアミン等も失われるという問題点があり、ジシリ
ルアミンの一般的方法として使われていない。
めに、生成するアミンを反応中に系外に除いてやる必要
があり、その際アミンと共に沸点差の比較的少ないモノ
シリルアミン等も失われるという問題点があり、ジシリ
ルアミンの一般的方法として使われていない。
【０００７】一般的な一級アミンのジシリル誘導体の合
成法としては、一級アミンのモノシリル誘導体をアルカ
リ金属（文献：（４）Ｊ．Ｆ．Ｋｌｅｂｅ，Ｊ．Ｂ．Ｂ
ｕｓｈ，Ｊｒ．，Ｊ．Ｅ．Ｌｙｏｎｓ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈ
ｅｍ．Ｓｏｃ．，８６，４４００（１９６４），（５）
Ｗ．Ｂｒｏｓｅｒ，Ｗ．Ｈａｒｒｅｒ，Ａｎｇｅｗ．Ｃ
ｈｅｍ．，Ｉｎｔｅｒｎ．Ｅｄ．，４，１０８１（１９
６５），（６）Ｂ．Ｗａｌｄｅｍａｒ，Ｈ．Ｗｏｒｆｇ
ａｎｇ，Ｚ．Ｎａｔｕｒｆｏｒｓｃｈ．Ｂ２４，５４２
（１９６９），（７）Ｊ．Ｒ．Ｐｒａｔｔ，Ｗ．Ｄ．Ｍ
ａｓｓｅｙ，Ｆ．Ｈ．Ｐｉｎｋｅｒｔｏｎ，Ｓ．Ｆ．Ｔ
ｈａｍｅｓ，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４０，１０９０
（１９７５），（８）Ｋ．Ｒｅｕｈｌｍａｎｎ，Ｃｈｅ
ｍ．Ｂｅｒ．，９４，２３１１（１９６１））、マグネ
シウム（文献：（９）Ｄ．Ｒ．Ｍ．Ｗａｌｔｏｎ，Ｊ．
Ｃｈｅｍ．，Ｓｏｃ（Ｃ），１７０６（１９６６），
（１０）Ｒ．Ｂ．Ｗｅｉｓｅｎｆｅｌｄ，Ｊ．Ｏｒｇ．
Ｃｈｅｍ．，５１，２４３４（１９８６））等の金属塩
とし、トリアルキルクロロシランを反応させる方法が採
用されている。
成法としては、一級アミンのモノシリル誘導体をアルカ
リ金属（文献：（４）Ｊ．Ｆ．Ｋｌｅｂｅ，Ｊ．Ｂ．Ｂ
ｕｓｈ，Ｊｒ．，Ｊ．Ｅ．Ｌｙｏｎｓ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈ
ｅｍ．Ｓｏｃ．，８６，４４００（１９６４），（５）
Ｗ．Ｂｒｏｓｅｒ，Ｗ．Ｈａｒｒｅｒ，Ａｎｇｅｗ．Ｃ
ｈｅｍ．，Ｉｎｔｅｒｎ．Ｅｄ．，４，１０８１（１９
６５），（６）Ｂ．Ｗａｌｄｅｍａｒ，Ｈ．Ｗｏｒｆｇ
ａｎｇ，Ｚ．Ｎａｔｕｒｆｏｒｓｃｈ．Ｂ２４，５４２
（１９６９），（７）Ｊ．Ｒ．Ｐｒａｔｔ，Ｗ．Ｄ．Ｍ
ａｓｓｅｙ，Ｆ．Ｈ．Ｐｉｎｋｅｒｔｏｎ，Ｓ．Ｆ．Ｔ
ｈａｍｅｓ，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４０，１０９０
（１９７５），（８）Ｋ．Ｒｅｕｈｌｍａｎｎ，Ｃｈｅ
ｍ．Ｂｅｒ．，９４，２３１１（１９６１））、マグネ
シウム（文献：（９）Ｄ．Ｒ．Ｍ．Ｗａｌｔｏｎ，Ｊ．
Ｃｈｅｍ．，Ｓｏｃ（Ｃ），１７０６（１９６６），
（１０）Ｒ．Ｂ．Ｗｅｉｓｅｎｆｅｌｄ，Ｊ．Ｏｒｇ．
Ｃｈｅｍ．，５１，２４３４（１９８６））等の金属塩
とし、トリアルキルクロロシランを反応させる方法が採
用されている。
【０００８】
【化３】 （但し、Ｂｕはブチル基、Ｅｔはエチル基を示す。）
【０００９】この方法は、高価でかつ取扱いが難しいア
ルキルリチウムを用いなければならないという問題点が
ある。また、グリニャール試薬を用いてマグネシウム塩
にし、トリメチルクロロシランと反応する方法は塩の生
成が十分でなく、しかも、シリルアミンの加水分解性の
ため系を水処理できないため、生成するマグネシウム塩
からの生成物の分離の過程での収率の低下がさけられな
い。
ルキルリチウムを用いなければならないという問題点が
ある。また、グリニャール試薬を用いてマグネシウム塩
にし、トリメチルクロロシランと反応する方法は塩の生
成が十分でなく、しかも、シリルアミンの加水分解性の
ため系を水処理できないため、生成するマグネシウム塩
からの生成物の分離の過程での収率の低下がさけられな
い。
【００１０】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、一級アミンの２個の活性水素原子をそれぞれシリル
基で保護したジシリルアミンを簡単かつ確実に、しかも
高収率で製造することができるジシリルアミンの製造方
法を提供することを目的とする。
で、一級アミンの２個の活性水素原子をそれぞれシリル
基で保護したジシリルアミンを簡単かつ確実に、しかも
高収率で製造することができるジシリルアミンの製造方
法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を進めた結果、下記一般
式（２）で示されるアミノシランと下記一般式（３）で
示される有機ハロゲン化合物（有機臭素化合物又は有機
ヨウ素化合物）との反応によって生成する塩が、下記一
般式（１）で示される一級アミンの２個の活性水素原子
（窒素原子に直結した水素原子）及びそのモノシリル誘
導体の残りの活性水素原子をシリル基で置換するのに有
効であること、この場合、この反応に預った塩がヨウ化
水素酸塩の形で生成物から分離するので、容易に分離で
き、下記一般式（４）で示されるジシリルアミンを下記
反応式に従い、簡単かつ確実に、しかも高収率で純度よ
く合成できることを知見し、本発明をなすに至った。
記目的を達成するため鋭意検討を進めた結果、下記一般
式（２）で示されるアミノシランと下記一般式（３）で
示される有機ハロゲン化合物（有機臭素化合物又は有機
ヨウ素化合物）との反応によって生成する塩が、下記一
般式（１）で示される一級アミンの２個の活性水素原子
（窒素原子に直結した水素原子）及びそのモノシリル誘
導体の残りの活性水素原子をシリル基で置換するのに有
効であること、この場合、この反応に預った塩がヨウ化
水素酸塩の形で生成物から分離するので、容易に分離で
き、下記一般式（４）で示されるジシリルアミンを下記
反応式に従い、簡単かつ確実に、しかも高収率で純度よ
く合成できることを知見し、本発明をなすに至った。
【００１２】
【化４】
【００１３】従って、本発明は、下記一般式（１） Ｒ1ＮＨＲ2 ・・・（１） （式中、Ｒ1は炭素数１〜２０の置換もしくは非置換の
一価炭化水素基、Ｒ2は水素原子又はＲ 3Ｓｉ基を示し、
Ｒは水素原子又は炭素数１〜１０の置換もしくは非置換
の一価炭化水素基を示し、各Ｒは互いに同一であっても
異なっていてもよく、又は、２個のＲが互いに結合して
アルキレン基を形成する基であってもよい。）で示され
る一級アミンを、下記一般式（２） Ｒ3ＳｉＮＲ3 2 ・・・（２） （式中、Ｒ3は水素原子又は炭素数１〜２０の置換もし
くは非置換の一価炭化水素基を示し、各Ｒ3は互いに同
一であっても異なっていてもよく、又は、互いに結合し
てアルキレン基を形成する基であってもよい。Ｒは上記
と同様の意味を示す。）で示されるアミノシランによ
り、下記一般式（３） Ｒ4Ｘ ・・・（３） （式中、Ｘは臭素原子又はヨウ素原子から選ばれるハロ
ゲン原子を示し、Ｒ4は炭素数１〜１０の置換もしくは
非置換の一価炭化水素基を示す。）で示される有機ハロ
ゲン化合物の存在下にシリル化することを特徴とする下
記一般式（４） Ｒ1Ｎ（ＳｉＲ3）2 ・・・（４） （式中、Ｒ1及びＲは上記と同様の意味を示す。）で示
されるジシリルアミンの製造方法を提供する。
一価炭化水素基、Ｒ2は水素原子又はＲ 3Ｓｉ基を示し、
Ｒは水素原子又は炭素数１〜１０の置換もしくは非置換
の一価炭化水素基を示し、各Ｒは互いに同一であっても
異なっていてもよく、又は、２個のＲが互いに結合して
アルキレン基を形成する基であってもよい。）で示され
る一級アミンを、下記一般式（２） Ｒ3ＳｉＮＲ3 2 ・・・（２） （式中、Ｒ3は水素原子又は炭素数１〜２０の置換もし
くは非置換の一価炭化水素基を示し、各Ｒ3は互いに同
一であっても異なっていてもよく、又は、互いに結合し
てアルキレン基を形成する基であってもよい。Ｒは上記
と同様の意味を示す。）で示されるアミノシランによ
り、下記一般式（３） Ｒ4Ｘ ・・・（３） （式中、Ｘは臭素原子又はヨウ素原子から選ばれるハロ
ゲン原子を示し、Ｒ4は炭素数１〜１０の置換もしくは
非置換の一価炭化水素基を示す。）で示される有機ハロ
ゲン化合物の存在下にシリル化することを特徴とする下
記一般式（４） Ｒ1Ｎ（ＳｉＲ3）2 ・・・（４） （式中、Ｒ1及びＲは上記と同様の意味を示す。）で示
されるジシリルアミンの製造方法を提供する。
【００１４】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明は、下記式（１）の一級アミンを下記式
（２）のアミノシランにより下記式（３）の有機ハロゲ
ン化合物の存在下にシリル化して、下記式（４）のジシ
リルアミンを得るものである。
と、本発明は、下記式（１）の一級アミンを下記式
（２）のアミノシランにより下記式（３）の有機ハロゲ
ン化合物の存在下にシリル化して、下記式（４）のジシ
リルアミンを得るものである。
【００１５】
【化５】
【００１６】ここで、Ｒ1は炭素数１〜２０の置換もし
くは非置換の一価炭化水素基を示す。Ｒ1の具体例とし
て、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基のような飽和脂肪族炭化水素基（アルキル
基）、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチ
ルシクロヘキシル基のようなアルキル置換又は非置換の
脂環式炭化水素基（シクロアルキル基）、ビニル基、ア
リル基、１−プロペニル基、イソプロペニル基、２−ブ
テニル基、３−ブテニル基のような不飽和脂肪族炭化水
素基（アルケニル基、アルキニル基）、フェニル基、キ
シリル基、ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メ
チルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−ブロモフ
ェニル基、３−ブロモフェニル基、４−ブロモフェニル
基、２−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、４
−クロロフェニル基、２−フルオロフェニル基、３−フ
ルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２−ヨー
ドフェニル基、３−ヨードフェニル基、４−ヨードフェ
ニル基、２，４−ジブロモフェニル基、２，５−ジブロ
モフェニル基、２，６−ジブロモフェニル基、２，３−
ジクロロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、
２，５−ジクロロフェニル基、２，６−ジクロロフェニ
ル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−ジクロロ
フェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，５−
ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル
基、３，４−ジフルオロフェニル基、２，４，６−トリ
ブロモフェニル基、２，３，４−トリクロロフェニル
基、２，４，５−トリクロロフェニル基、２，４，６−
トリクロロフェニル基等のハロゲン置換及び非置換の芳
香族基（アリール基）ならびにベンジル基、２−フェニ
ルエチル基のような芳香環を有する炭化水素基（アラル
キル基）等が挙げられる。
くは非置換の一価炭化水素基を示す。Ｒ1の具体例とし
て、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基のような飽和脂肪族炭化水素基（アルキル
基）、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチ
ルシクロヘキシル基のようなアルキル置換又は非置換の
脂環式炭化水素基（シクロアルキル基）、ビニル基、ア
リル基、１−プロペニル基、イソプロペニル基、２−ブ
テニル基、３−ブテニル基のような不飽和脂肪族炭化水
素基（アルケニル基、アルキニル基）、フェニル基、キ
シリル基、ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メ
チルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−ブロモフ
ェニル基、３−ブロモフェニル基、４−ブロモフェニル
基、２−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、４
−クロロフェニル基、２−フルオロフェニル基、３−フ
ルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２−ヨー
ドフェニル基、３−ヨードフェニル基、４−ヨードフェ
ニル基、２，４−ジブロモフェニル基、２，５−ジブロ
モフェニル基、２，６−ジブロモフェニル基、２，３−
ジクロロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、
２，５−ジクロロフェニル基、２，６−ジクロロフェニ
ル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−ジクロロ
フェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，５−
ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル
基、３，４−ジフルオロフェニル基、２，４，６−トリ
ブロモフェニル基、２，３，４−トリクロロフェニル
基、２，４，５−トリクロロフェニル基、２，４，６−
トリクロロフェニル基等のハロゲン置換及び非置換の芳
香族基（アリール基）ならびにベンジル基、２−フェニ
ルエチル基のような芳香環を有する炭化水素基（アラル
キル基）等が挙げられる。
【００１７】Ｒ2は水素原子又はＲ3Ｓｉ基を示し、従っ
て上記式（１）の一級アミンは、Ｒ1ＮＨ2で示される２
個の活性水素基を有するもの及びＲ1ＮＨ（ＳｉＲ3）で
示されるＲ1ＮＨ2のモノシリル誘導体を包含する。
て上記式（１）の一級アミンは、Ｒ1ＮＨ2で示される２
個の活性水素基を有するもの及びＲ1ＮＨ（ＳｉＲ3）で
示されるＲ1ＮＨ2のモノシリル誘導体を包含する。
【００１８】Ｒは水素原子又は炭素数１〜１０の置換も
しくは非置換の一価炭化水素基であり、各Ｒは互いに同
じであっても異なっていてもよい。Ｒの具体例として
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基、トリフルオロプロピル基のようなハロゲ
ン置換又は非置換の飽和脂肪族炭化水素基（アルキル
基）、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチ
ルシクロヘキシル基のようなアルキル置換又は非置換の
脂環式炭化水素基（シクロアルキル基）、ビニル基、ア
リル基、１−プロペニル基、イソプロペニル基、３−ブ
テニル基のような不飽和脂肪族炭化水素基（アルケニル
基、アルキニル基）、フェニル基、キシリル基、ナフチ
ル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、
４−メチルフェニル基のようなアルキル置換又は非置換
の芳香族基（アリール基）、ベンジル基、２−フェニル
エチル基のような芳香環を有する炭化水素基（アラルキ
ル基）等が挙げられる。
しくは非置換の一価炭化水素基であり、各Ｒは互いに同
じであっても異なっていてもよい。Ｒの具体例として
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基、トリフルオロプロピル基のようなハロゲ
ン置換又は非置換の飽和脂肪族炭化水素基（アルキル
基）、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチ
ルシクロヘキシル基のようなアルキル置換又は非置換の
脂環式炭化水素基（シクロアルキル基）、ビニル基、ア
リル基、１−プロペニル基、イソプロペニル基、３−ブ
テニル基のような不飽和脂肪族炭化水素基（アルケニル
基、アルキニル基）、フェニル基、キシリル基、ナフチ
ル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、
４−メチルフェニル基のようなアルキル置換又は非置換
の芳香族基（アリール基）、ベンジル基、２−フェニル
エチル基のような芳香環を有する炭化水素基（アラルキ
ル基）等が挙げられる。
【００１９】また、２個のＲは互いに結合して、テトラ
メチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オ
クタメチレン基、メチルプロピレン基、メチルブチレン
基等の炭素４〜１０のアルキレン基を形成するものであ
ってもよい。
メチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オ
クタメチレン基、メチルプロピレン基、メチルブチレン
基等の炭素４〜１０のアルキレン基を形成するものであ
ってもよい。
【００２０】Ｒ3は水素原子又は炭素数１〜２０の置換
もしくは非置換の一価炭化水素基を示し、各Ｒ3は互い
に同じであっても異なっていてもよい。Ｒ3の具体例と
して、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基のような飽和脂肪族炭化水素基（アルキル
基）、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチ
ルシクロヘキシル基のような脂環式炭化水素基（シクロ
アルキル基）、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イ
ソプロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基のよ
うな不飽和脂肪族炭化水素基（アルケニル基、アルキニ
ル基）、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル
基等のアリール基、ベンジル基、２−フェニルエチル基
のようなアラルキル基等の前記のＲ1において例示した
ものと同様の基などが挙げられる。
もしくは非置換の一価炭化水素基を示し、各Ｒ3は互い
に同じであっても異なっていてもよい。Ｒ3の具体例と
して、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基のような飽和脂肪族炭化水素基（アルキル
基）、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチ
ルシクロヘキシル基のような脂環式炭化水素基（シクロ
アルキル基）、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イ
ソプロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基のよ
うな不飽和脂肪族炭化水素基（アルケニル基、アルキニ
ル基）、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル
基等のアリール基、ベンジル基、２−フェニルエチル基
のようなアラルキル基等の前記のＲ1において例示した
ものと同様の基などが挙げられる。
【００２１】また、２個のＲ3は互いに結合して、テト
ラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等
の炭素数４〜１０のアルキレン基を形成するものであっ
てもよい。
ラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等
の炭素数４〜１０のアルキレン基を形成するものであっ
てもよい。
【００２２】Ｘは臭素原子又はヨウ素原子を示す。Ｒ4
は炭素数１〜１０の置換もしくは非置換の一価炭化水素
基であり、Ｒ4の具体例としては、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ヘ
キシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、トリフル
オロプロピル基等のハロゲン置換又は非置換の飽和脂肪
族炭化水素基（アルキル基）、シクロヘキシル基等の脂
環式炭化水素基（シクロアルキル基）、ビニル基、アリ
ル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基等の脂肪族不飽
和炭化水素基（アルケニル基、アルキニル基）、ベンジ
ル基、２−フェニルエチル基等のアラルキル基等の前記
のＲにおいて例示したものと同様の基などが例示され
る。
は炭素数１〜１０の置換もしくは非置換の一価炭化水素
基であり、Ｒ4の具体例としては、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ヘ
キシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、トリフル
オロプロピル基等のハロゲン置換又は非置換の飽和脂肪
族炭化水素基（アルキル基）、シクロヘキシル基等の脂
環式炭化水素基（シクロアルキル基）、ビニル基、アリ
ル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基等の脂肪族不飽
和炭化水素基（アルケニル基、アルキニル基）、ベンジ
ル基、２−フェニルエチル基等のアラルキル基等の前記
のＲにおいて例示したものと同様の基などが例示され
る。
【００２３】この場合、一般に、アミンはシリル化され
ることによって塩基性が弱くなるため、有機ハロゲン化
合物と塩を生成する性質が弱くなることが知られてい
る。本発明におけるＲ3ＳｉＮＲ3 2のアミノシランは有
機臭素又はヨウ素化合物と塩を生成し、シリル化剤とし
て作用していると考えられるので、Ｒ4はアンモニウム
塩を形成する能力の高い残基であることが好ましく、ま
た又Ｒ3はＲ3ＳｉＮＲ3 2のアミノシランが式（３）の臭
素又はヨウ素化合物と塩を生成するのを阻害するほど塩
基性を低下させることなく、かつ生成した塩のシリル化
反応を阻害しないものであることが好ましい。また、式
（３）の臭素又はヨウ素化合物は、式（２）のアミノシ
ランと塩を生成し、シリル化能力を持つものであれば特
に限定されるものではないが、好ましくは臭素又はヨウ
素がｓｐ3炭素に結合した誘導体である。
ることによって塩基性が弱くなるため、有機ハロゲン化
合物と塩を生成する性質が弱くなることが知られてい
る。本発明におけるＲ3ＳｉＮＲ3 2のアミノシランは有
機臭素又はヨウ素化合物と塩を生成し、シリル化剤とし
て作用していると考えられるので、Ｒ4はアンモニウム
塩を形成する能力の高い残基であることが好ましく、ま
た又Ｒ3はＲ3ＳｉＮＲ3 2のアミノシランが式（３）の臭
素又はヨウ素化合物と塩を生成するのを阻害するほど塩
基性を低下させることなく、かつ生成した塩のシリル化
反応を阻害しないものであることが好ましい。また、式
（３）の臭素又はヨウ素化合物は、式（２）のアミノシ
ランと塩を生成し、シリル化能力を持つものであれば特
に限定されるものではないが、好ましくは臭素又はヨウ
素がｓｐ3炭素に結合した誘導体である。
【００２４】本発明において、Ｒ2は上述したように水
素原子又はＳｉＲ3基であり、式（１）の一級アミンは
Ｒ1ＮＨ2又はＲ1ＮＨ（ＳｉＲ3）で示されるが、式
（１）の一級アミンがＲ1ＮＨ（ＳｉＲ3）である場合、
式（２）のアミノシランはこれと同じであってもよく、
又はこれと異なっていてもよい。従って、本発明の上記
式（４）のジシリルアミンの製造方法は、下記反応式
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを包含する。
素原子又はＳｉＲ3基であり、式（１）の一級アミンは
Ｒ1ＮＨ2又はＲ1ＮＨ（ＳｉＲ3）で示されるが、式
（１）の一級アミンがＲ1ＮＨ（ＳｉＲ3）である場合、
式（２）のアミノシランはこれと同じであってもよく、
又はこれと異なっていてもよい。従って、本発明の上記
式（４）のジシリルアミンの製造方法は、下記反応式
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを包含する。
【００２５】
【化６】
【００２６】尚、反応式Ａにおいては、一般にＲ1ＮＨ2
の一級アミンは塩基性が強いため、式（２）のアミノシ
ランとの反応が速く、式（３）の有機臭素又はヨウ素化
合物の存在に関係なく瞬時に反応式Ｂにおけるモノシリ
ルアミンＲ1ＮＨ（ＳｉＲ3）を生成することになる。
の一級アミンは塩基性が強いため、式（２）のアミノシ
ランとの反応が速く、式（３）の有機臭素又はヨウ素化
合物の存在に関係なく瞬時に反応式Ｂにおけるモノシリ
ルアミンＲ1ＮＨ（ＳｉＲ3）を生成することになる。
【００２７】ここで、上記反応式Ａ〜Ｃの場合、シリル
化の対象となる式（１）の一級アミンは式（３）の臭素
又はヨウ素化合物と塩を生成する能力がシリル化剤とし
て働く式（２）のアミノシランと比較して同等あるいは
それより弱いものに限定される。
化の対象となる式（１）の一級アミンは式（３）の臭素
又はヨウ素化合物と塩を生成する能力がシリル化剤とし
て働く式（２）のアミノシランと比較して同等あるいは
それより弱いものに限定される。
【００２８】本発明において、シリル化剤として働く式
（２）のアミノシランとシリル化される式（１）の一級
アミンが異なり、該一級アミンが臭素又はヨウ素化合物
と塩を生成しないものの場合は、式（２）のアミノシラ
ンの量は目的のシリル化を達成できる量であれば特に一
義的に限定されるものではなく、式（１）の一級アミン
の水素に対して１〜５倍モル、好ましくは１．１〜１．
５倍モルであり、有機臭素又はヨウ素化合物は式（２）
のアミノシランに対して１〜５倍モル、好ましくは１．
１〜１．５倍モルである。一方、シリル化されるアミン
とシリル化剤として働くアミンが同一の場合は、有機臭
素又はヨウ素化合物の量はアミンに対して０．５〜０．
６モル当量が好ましい。臭素又はヨウ素化合物がアミノ
シランと塩を生成して、塩がシリル化反応に預かるた
め、臭素又はヨウ素化合物が０．６モルより多いと、シ
リル化に預かるアミンが少なくなるので、得られるジシ
リルアミンの絶対収量が悪くなり、逆に、臭素又はヨウ
素化合物が０．５モルより少ないと、シリル化剤として
働く塩が不足するため、原料の式（１）の一級アミンが
残存し、終了の低下を招くと共に、生成物の単離を難し
くする。
（２）のアミノシランとシリル化される式（１）の一級
アミンが異なり、該一級アミンが臭素又はヨウ素化合物
と塩を生成しないものの場合は、式（２）のアミノシラ
ンの量は目的のシリル化を達成できる量であれば特に一
義的に限定されるものではなく、式（１）の一級アミン
の水素に対して１〜５倍モル、好ましくは１．１〜１．
５倍モルであり、有機臭素又はヨウ素化合物は式（２）
のアミノシランに対して１〜５倍モル、好ましくは１．
１〜１．５倍モルである。一方、シリル化されるアミン
とシリル化剤として働くアミンが同一の場合は、有機臭
素又はヨウ素化合物の量はアミンに対して０．５〜０．
６モル当量が好ましい。臭素又はヨウ素化合物がアミノ
シランと塩を生成して、塩がシリル化反応に預かるた
め、臭素又はヨウ素化合物が０．６モルより多いと、シ
リル化に預かるアミンが少なくなるので、得られるジシ
リルアミンの絶対収量が悪くなり、逆に、臭素又はヨウ
素化合物が０．５モルより少ないと、シリル化剤として
働く塩が不足するため、原料の式（１）の一級アミンが
残存し、終了の低下を招くと共に、生成物の単離を難し
くする。
【００２９】反応温度及び反応時間は、シリル化の反応
速度によって決まってくるものであり、一義的に規定さ
れるものではないが、１０℃から１５０℃、１時間から
１５０時間、好ましくは室温から１２０℃、３時間から
５０時間である。
速度によって決まってくるものであり、一義的に規定さ
れるものではないが、１０℃から１５０℃、１時間から
１５０時間、好ましくは室温から１２０℃、３時間から
５０時間である。
【００３０】本発明の系において、必要に応じて溶媒を
使用することも可能である。溶媒の種類はアミノシラ
ン、臭素又はヨウ素化合物、また反応によって生成する
塩等に対して不活性なものであれば特に限定されるもの
ではなく、石油エーテル、ヘキサン、ペンタン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒及びジブチ
ルエーテル、ジメトキシエタン、ジグライム等の反応に
不活性な鎖状エーテル系の溶媒が例示される。特に反応
性が比較的低い臭素化合物を使用する場合は、極性の高
いエーテル類を溶媒として使用することにより反応性を
向上させることができる。
使用することも可能である。溶媒の種類はアミノシラ
ン、臭素又はヨウ素化合物、また反応によって生成する
塩等に対して不活性なものであれば特に限定されるもの
ではなく、石油エーテル、ヘキサン、ペンタン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒及びジブチ
ルエーテル、ジメトキシエタン、ジグライム等の反応に
不活性な鎖状エーテル系の溶媒が例示される。特に反応
性が比較的低い臭素化合物を使用する場合は、極性の高
いエーテル類を溶媒として使用することにより反応性を
向上させることができる。
【００３１】本発明の反応は触媒を用いなくても十分進
行するが、硫酸アンモニウムのような酸触媒の使用もま
た可能であり、その使用を妨げるものではない。
行するが、硫酸アンモニウムのような酸触媒の使用もま
た可能であり、その使用を妨げるものではない。
【００３２】本発明のジシリルアミンは、特に金属試薬
や金属触媒を使用する際のアミノ基の保護等に有用であ
り、ブロモアニリン、アリルアミン、ベンジルアミン等
の活性水素を保護した誘導体は特に金属試薬や金属触媒
を用いる種々の反応に安定に供することのできる工業的
に有用な材料であり、例えばトリメチルシリル基で活性
水素が保護されたジ（トリメチルシリル）ブロモアニリ
ン等は、下記の様な合成経過によってポリイミド樹脂、
ポリイミドシリコーン樹脂等の原料を得るのに有効に供
されるものである。
や金属触媒を使用する際のアミノ基の保護等に有用であ
り、ブロモアニリン、アリルアミン、ベンジルアミン等
の活性水素を保護した誘導体は特に金属試薬や金属触媒
を用いる種々の反応に安定に供することのできる工業的
に有用な材料であり、例えばトリメチルシリル基で活性
水素が保護されたジ（トリメチルシリル）ブロモアニリ
ン等は、下記の様な合成経過によってポリイミド樹脂、
ポリイミドシリコーン樹脂等の原料を得るのに有効に供
されるものである。
【００３３】
【化７】 （Ｍｅ：メチル基）
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、ジシリルアミンを簡単
かつ確実にしかも高収率で合成できる。
かつ確実にしかも高収率で合成できる。
【００３５】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。
るが、本発明は下記の実施例に制限されるものではな
い。
【００３６】［実施例１］撹拌機、コンデンサー、滴下
ロート及び温度計を備えた４ツ口フラスコにＮ−トリメ
チルシリルブチルアミン（１４５ｇ，１．０モル）及び
ヘキサン（１００ｍｌ）を仕込み、内部を窒素置換し
た。６５〜７０℃に保ちながらヨウ化メチル（８５．７
ｇ，０．６モル）を１．５時間で滴下した後、そのまま
の温度で１０．５時間撹拌した。ガスクロマトグラフで
原料の消失を確認した後、反応によって生成したアミン
塩からヘキサン層を分離し、ヘキサンを除いた後、減圧
蒸留すると、７９℃／２０ｍｍＨｇの留分として、Ｎ，
Ｎ−ビス（トリメチルシリル）ブチルアミンが７７ｇ
（収率８９％：原料アミンからヨウ化メチルのモル量を
引いたシリル化に預かる正味のＮ，Ｎ−ビス（トリメチ
ルシリル）ブチルアミンに対する収率）得られた。生成
物の構造は標品のＮＭＲスペクトル及びＩＲスペクトル
と、生成物のそれらを比較することによって同定した。
（文献２）
ロート及び温度計を備えた４ツ口フラスコにＮ−トリメ
チルシリルブチルアミン（１４５ｇ，１．０モル）及び
ヘキサン（１００ｍｌ）を仕込み、内部を窒素置換し
た。６５〜７０℃に保ちながらヨウ化メチル（８５．７
ｇ，０．６モル）を１．５時間で滴下した後、そのまま
の温度で１０．５時間撹拌した。ガスクロマトグラフで
原料の消失を確認した後、反応によって生成したアミン
塩からヘキサン層を分離し、ヘキサンを除いた後、減圧
蒸留すると、７９℃／２０ｍｍＨｇの留分として、Ｎ，
Ｎ−ビス（トリメチルシリル）ブチルアミンが７７ｇ
（収率８９％：原料アミンからヨウ化メチルのモル量を
引いたシリル化に預かる正味のＮ，Ｎ−ビス（トリメチ
ルシリル）ブチルアミンに対する収率）得られた。生成
物の構造は標品のＮＭＲスペクトル及びＩＲスペクトル
と、生成物のそれらを比較することによって同定した。
（文献２）
【００３７】赤外吸収スペクトル １２５５ｃｍ-1（ＳｉＭｅ）
【００３８】 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル：＞ＮＳｉＭｅ3基
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ3，１８Ｈ） ０．６０〜１．５３ｐｐｍ（ｍ，−（ＣＨ2）2ＣＨ3，
７Ｈ） ２．４３〜２．８３ｐｐｍ（ｍ，＞ＮＣＨ2−，２Ｈ）
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ3，１８Ｈ） ０．６０〜１．５３ｐｐｍ（ｍ，−（ＣＨ2）2ＣＨ3，
７Ｈ） ２．４３〜２．８３ｐｐｍ（ｍ，＞ＮＣＨ2−，２Ｈ）
【００３９】［実施例２］実施例１に従い、Ｎ−トリメ
チルシリルアリルアミン（１１７．４ｇ，０．９１モ
ル）の石油エーテル（１００ｍｌ）溶液にヨウ化メチル
（７１ｇ，０．５モル）を室温に保ちながら１時間で滴
下した。室温で２６時間撹拌し、ガスクロマトグラフに
より原料の消失を確認した。
チルシリルアリルアミン（１１７．４ｇ，０．９１モ
ル）の石油エーテル（１００ｍｌ）溶液にヨウ化メチル
（７１ｇ，０．５モル）を室温に保ちながら１時間で滴
下した。室温で２６時間撹拌し、ガスクロマトグラフに
より原料の消失を確認した。
【００４０】アミン塩から石油エーテル層を分離し、石
油エーテルを留去した後、減圧蒸留すると、７０℃／４
０ｍｍＨｇの留分として、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシ
リル）アリルアミンが６３．５ｇ（収率７７％）得られ
た。生成物の構造は標品のＮＭＲスペクトル及びＩＲス
ペクトルと、生成物のそれらを比較することによって同
定した。（文献３）
油エーテルを留去した後、減圧蒸留すると、７０℃／４
０ｍｍＨｇの留分として、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシ
リル）アリルアミンが６３．５ｇ（収率７７％）得られ
た。生成物の構造は標品のＮＭＲスペクトル及びＩＲス
ペクトルと、生成物のそれらを比較することによって同
定した。（文献３）
【００４１】赤外吸収スペクトル １６４０ｃｍ-1（−ＣＨ＝ＣＨ2） １２５０ｃｍ-1（ＳｉＭｅ）
【００４２】 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル：＞ＮＳｉＭｅ3基
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ ，１８Ｈ） ３．２０〜３．４３ｐｍ（ｍ，ＣＨ2，２Ｈ） ４．６０〜５．１３ｐｐｍ（ｍ，＝ＣＨ2，２Ｈ） ５．３０〜５．９３ｐｐｍ（ｍ，−ＣＨ＝，１Ｈ）
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ ，１８Ｈ） ３．２０〜３．４３ｐｍ（ｍ，ＣＨ2，２Ｈ） ４．６０〜５．１３ｐｐｍ（ｍ，＝ＣＨ2，２Ｈ） ５．３０〜５．９３ｐｐｍ（ｍ，−ＣＨ＝，１Ｈ）
【００４３】［実施例３］実施例１に従い、Ｎ−トリメ
チルシリルベンジルアミン（１９６．９ｇ，１．１モ
ル）のトルエン（１００ｍｌ）溶液に、ヨウ化メチル
（８５．２ｇ，０．６モル）を６０〜７０℃の温度で１
時間で滴下した。６５〜７０℃で８時間撹拌し、ガスク
ロマトグラフで反応が９６％以上進行したことを確認し
た。
チルシリルベンジルアミン（１９６．９ｇ，１．１モ
ル）のトルエン（１００ｍｌ）溶液に、ヨウ化メチル
（８５．２ｇ，０．６モル）を６０〜７０℃の温度で１
時間で滴下した。６５〜７０℃で８時間撹拌し、ガスク
ロマトグラフで反応が９６％以上進行したことを確認し
た。
【００４４】アミン塩からトルエン層を分離し、トルエ
ンを留去した後、石油エーテルに溶解し、アミン塩を更
に濾別した後、減圧蒸留すると、７６℃／１ｍｍＨｇの
留分として、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）ベンジ
ルアミンが９４．９ｇ（収率７６％）得られた。生成物
の構造は標品のＮＭＲスペクトル及びＩＲスペクトル
と、生成物のそれらを比較することによって同定した。
（文献８）
ンを留去した後、石油エーテルに溶解し、アミン塩を更
に濾別した後、減圧蒸留すると、７６℃／１ｍｍＨｇの
留分として、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）ベンジ
ルアミンが９４．９ｇ（収率７６％）得られた。生成物
の構造は標品のＮＭＲスペクトル及びＩＲスペクトル
と、生成物のそれらを比較することによって同定した。
（文献８）
【００４５】赤外吸収スペクトル １６００ｃｍ-1（ベンゼン環） １２５０ｃｍ-1（ＳｉＭｅ）
【００４６】 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル：＞ＮＳｉＭｅ3基
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ ，１８Ｈ） ３．９３ｐｐｍ（ｓ，ＣＨ2，２Ｈ） ７．００ｐｐｍ（ｓ，ベンゼン環水素，５Ｈ）
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ ，１８Ｈ） ３．９３ｐｐｍ（ｓ，ＣＨ2，２Ｈ） ７．００ｐｐｍ（ｓ，ベンゼン環水素，５Ｈ）
【００４７】［実施例４］撹拌機、コンデンサー、滴下
ロート及び温度計を備えた４ツ口フラスコにＮ−トリメ
チルシリルアニリン（８２．５ｇ，０．５モル）、Ｎ−
トリメチルシリルジエチルアミン（８７．０ｇ，０．６
モル）及びヘキサン（１００ｍｌ）を仕込み、内部を窒
素置換した。室温に保ちながらヨウ化メチル（８５．７
ｇ，０．６モル）を１時間で滴下した後、６０〜７０℃
で２０時間撹拌した。ガスクロマトグラフで原料の消失
を確認した後、反応によって生成したアミン塩からヘキ
サン層を分離し、ヘキサンを除いた後、減圧蒸留する
と、６８〜６９℃／２ｍｍＨｇの留分としてＮ，Ｎ−ビ
ス（トリメチルシリル）アニリンが１０１．６ｇ（収率
８６％）得られた。生成物の構造は標品のＮＭＲスペク
トル及びＩＲスペクトルと、生成物のそれらを比較する
ことによって同定した。（文献４）
ロート及び温度計を備えた４ツ口フラスコにＮ−トリメ
チルシリルアニリン（８２．５ｇ，０．５モル）、Ｎ−
トリメチルシリルジエチルアミン（８７．０ｇ，０．６
モル）及びヘキサン（１００ｍｌ）を仕込み、内部を窒
素置換した。室温に保ちながらヨウ化メチル（８５．７
ｇ，０．６モル）を１時間で滴下した後、６０〜７０℃
で２０時間撹拌した。ガスクロマトグラフで原料の消失
を確認した後、反応によって生成したアミン塩からヘキ
サン層を分離し、ヘキサンを除いた後、減圧蒸留する
と、６８〜６９℃／２ｍｍＨｇの留分としてＮ，Ｎ−ビ
ス（トリメチルシリル）アニリンが１０１．６ｇ（収率
８６％）得られた。生成物の構造は標品のＮＭＲスペク
トル及びＩＲスペクトルと、生成物のそれらを比較する
ことによって同定した。（文献４）
【００４８】赤外吸収スペクトル １５９０ｃｍ-1（ベンゼン環） １２５０ｃｍ-1（ＳｉＭｅ）
【００４９】 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル：＞ＮＳｉＭｅ3基
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ ，１８Ｈ） ６．６０〜７．２０ｐｐｍ（ｍ、ベンゼン環水素，５
Ｈ）
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ ，１８Ｈ） ６．６０〜７．２０ｐｐｍ（ｍ、ベンゼン環水素，５
Ｈ）
【００５０】［実施例５］実施例４に従い、Ｎ−トリメ
チルシリルアニリン（２４．８ｇ，０．１５モル）とＮ
−トリメチルシリルジエチルアミン（２６．１ｇ，０．
１８モル）のトルエン（６０ｍｌ）溶液にヨウ化アリル
（３０．２ｇ，０．１８モル）を室温〜７０℃の温度で
１時間で滴下した。７０〜７５℃で７時間撹拌し、ガス
クロマトグラフで反応が９８％以上進行したことを確認
した。
チルシリルアニリン（２４．８ｇ，０．１５モル）とＮ
−トリメチルシリルジエチルアミン（２６．１ｇ，０．
１８モル）のトルエン（６０ｍｌ）溶液にヨウ化アリル
（３０．２ｇ，０．１８モル）を室温〜７０℃の温度で
１時間で滴下した。７０〜７５℃で７時間撹拌し、ガス
クロマトグラフで反応が９８％以上進行したことを確認
した。
【００５１】アミン塩からトルエン層を分離し、トルエ
ンを留去した後、石油エーテルに溶解し、濾過によって
アミン塩を除いた後、減圧蒸留すると、Ｎ，Ｎ−ビス
（トリメチルシリル）アニリンが３０．３ｇ（収率８５
％）得られた。
ンを留去した後、石油エーテルに溶解し、濾過によって
アミン塩を除いた後、減圧蒸留すると、Ｎ，Ｎ−ビス
（トリメチルシリル）アニリンが３０．３ｇ（収率８５
％）得られた。
【００５２】［実施例６］実施例４に従い、Ｎ−トリメ
チルシリル−ｐ−ブロモアニリン（５７ｇ，０．２３モ
ル）、Ｎ−トリメチルシリルジエチルアミン（３５ｇ，
０．２４モル）及びヘキサン（１００ｍｌ）を仕込み、
内部を窒素置換した。室温に保ちながらヨウ化メチル
（３５ｇ，０．２５モル）を１分で滴下した後、８０℃
で１０時間撹拌した。ガスクロマトグラフで原料の消失
を確認した後、反応によって生成したアミン塩を冷却
後、デカンテーションで分離し、ヘキサンを除いた後、
減圧蒸留すると、１３０℃／３ｍｍＨｇの留分として
Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）−ｐ−ブロモアニリ
ンが１２６．３ｇ（収率９１％）得られた。生成物の構
造は標品のＮＭＲスペクトル及びＩＲスペクトルと、生
成物のそれらを比較することによって同定した。（文献
７）
チルシリル−ｐ−ブロモアニリン（５７ｇ，０．２３モ
ル）、Ｎ−トリメチルシリルジエチルアミン（３５ｇ，
０．２４モル）及びヘキサン（１００ｍｌ）を仕込み、
内部を窒素置換した。室温に保ちながらヨウ化メチル
（３５ｇ，０．２５モル）を１分で滴下した後、８０℃
で１０時間撹拌した。ガスクロマトグラフで原料の消失
を確認した後、反応によって生成したアミン塩を冷却
後、デカンテーションで分離し、ヘキサンを除いた後、
減圧蒸留すると、１３０℃／３ｍｍＨｇの留分として
Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）−ｐ−ブロモアニリ
ンが１２６．３ｇ（収率９１％）得られた。生成物の構
造は標品のＮＭＲスペクトル及びＩＲスペクトルと、生
成物のそれらを比較することによって同定した。（文献
７）
【００５３】赤外吸収スペクトル １５９２ｃｍ-1（ベンゼン環） １２５１ｃｍ-1（ＳｉＭｅ）
【００５４】 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル：＞ＮＳｉＭｅ3基
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ ，１８Ｈ） ６．７０〜７．３０ｐｐｍ（ｍ，ベンゼン環水素，４
Ｈ）
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ ，１８Ｈ） ６．７０〜７．３０ｐｐｍ（ｍ，ベンゼン環水素，４
Ｈ）
【００５５】［実施例７］実施例４に従い、Ｎ−トリメ
チルシリル−ｍ−ブロモアニリン（１６８ｇ，０．６９
モル）、Ｎ−トリメチルシリルジエチルアミン（１１０
ｇ，０．７６モル）及びトルエン（３００ｍｌ）を仕込
み、内部を窒素置換した。室温に保ちながらヨウ化メチ
ル（１１０ｇ，０．７８モル）を１０分間で滴下した
後、１１０℃で５時間撹拌した。ガスクロマトグラフで
原料の消失を確認した後、反応によって生成したアミン
塩を冷却後、デカンテーションで分離し、トルエンを除
いた後、減圧蒸留すると、１２３℃／２ｍｍＨｇの留分
としてＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）−ｍ−ブロモ
アニリンが２０２ｇ（収率９３％）得られた。生成物の
確認はＮＭＲスペクトル及びＩＲスペクトルによって行
なった。（文献７）
チルシリル−ｍ−ブロモアニリン（１６８ｇ，０．６９
モル）、Ｎ−トリメチルシリルジエチルアミン（１１０
ｇ，０．７６モル）及びトルエン（３００ｍｌ）を仕込
み、内部を窒素置換した。室温に保ちながらヨウ化メチ
ル（１１０ｇ，０．７８モル）を１０分間で滴下した
後、１１０℃で５時間撹拌した。ガスクロマトグラフで
原料の消失を確認した後、反応によって生成したアミン
塩を冷却後、デカンテーションで分離し、トルエンを除
いた後、減圧蒸留すると、１２３℃／２ｍｍＨｇの留分
としてＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）−ｍ−ブロモ
アニリンが２０２ｇ（収率９３％）得られた。生成物の
確認はＮＭＲスペクトル及びＩＲスペクトルによって行
なった。（文献７）
【００５６】赤外吸収スペクトル １５８４ｃｍ-1（ベンゼン環） １２５０ｃｍ-1（ＳｉＭｅ）
【００５７】 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル：＞ＮＳｉＭｅ3基
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ ，１８Ｈ） ６．６０〜７．３０ｐｐｍ（ｍ，ベンゼン環水素，４
Ｈ）
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ ，１８Ｈ） ６．６０〜７．３０ｐｐｍ（ｍ，ベンゼン環水素，４
Ｈ）
【００５８】［実施例８］撹拌機、コンデンサー、滴下
ロート及び温度計を備えた４ツ口フラスコにＮ−トリメ
チルシリルジエチルアミン（５２．２ｇ，０．３６モ
ル）及びトルエン（６０ｍｌ）を仕込み、内部を窒素置
換した。４０〜５０℃に保ちながらヨウ化メチル（５
１．１ｇ，０．３６モル）を３０分で滴下した。４０〜
５０℃で４時間撹拌した後、アニリン（１４．０ｇ，
０．１５モル）を１０分で滴下した。６５〜７５℃で６
時間撹拌した後、ガスクロマトグラフで原料の消失を確
認した後、反応によって生成したアミン塩を分離し、ト
ルエンを除き、減圧蒸留すると、６８〜６９℃／２ｍｍ
Ｈｇの留分としてＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）ア
ニリンが３．３１ｇ（収率８８％）得られた。
ロート及び温度計を備えた４ツ口フラスコにＮ−トリメ
チルシリルジエチルアミン（５２．２ｇ，０．３６モ
ル）及びトルエン（６０ｍｌ）を仕込み、内部を窒素置
換した。４０〜５０℃に保ちながらヨウ化メチル（５
１．１ｇ，０．３６モル）を３０分で滴下した。４０〜
５０℃で４時間撹拌した後、アニリン（１４．０ｇ，
０．１５モル）を１０分で滴下した。６５〜７５℃で６
時間撹拌した後、ガスクロマトグラフで原料の消失を確
認した後、反応によって生成したアミン塩を分離し、ト
ルエンを除き、減圧蒸留すると、６８〜６９℃／２ｍｍ
Ｈｇの留分としてＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）ア
ニリンが３．３１ｇ（収率８８％）得られた。
【００５９】［実施例９］コンデンサー、滴下ロートを
備えた２口フラスコにＮ−トリメチルシリルアニリン
（１０．０ｇ，６１ｍｍｏｌ）、ジエチルアミノトリメ
チルシラン（１０．０ｇ，６９ｍｍｏｌ）及びトルエン
（３０ｍｌ）を仕込み、内部を窒素置換した。マグネチ
ックスターラーで攪拌しながら滴下ロートより臭化アリ
ル（８．４ｇ，６９ｍｍｏｌ）を滴下し、３時間加熱還
流させた。ガスクロマトグラフにより原料の消失を確認
した後、生成したアミン塩をデカンテーションにより除
き、濃縮後、減圧蒸留により、７６℃／１ｍｍＨｇの成
分としてＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アニリン１
３．０ｇ（収率８９．７％）を得た。生成物の構造決定
はＮＭＲ、ＩＲスペクトル及びガスクロマトグラフの保
持時間を標品と比較することにより行った。
備えた２口フラスコにＮ−トリメチルシリルアニリン
（１０．０ｇ，６１ｍｍｏｌ）、ジエチルアミノトリメ
チルシラン（１０．０ｇ，６９ｍｍｏｌ）及びトルエン
（３０ｍｌ）を仕込み、内部を窒素置換した。マグネチ
ックスターラーで攪拌しながら滴下ロートより臭化アリ
ル（８．４ｇ，６９ｍｍｏｌ）を滴下し、３時間加熱還
流させた。ガスクロマトグラフにより原料の消失を確認
した後、生成したアミン塩をデカンテーションにより除
き、濃縮後、減圧蒸留により、７６℃／１ｍｍＨｇの成
分としてＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アニリン１
３．０ｇ（収率８９．７％）を得た。生成物の構造決定
はＮＭＲ、ＩＲスペクトル及びガスクロマトグラフの保
持時間を標品と比較することにより行った。
【００６０】赤外吸収スペクトル １５９０ｃｍ-1（一置換フェニル） １２５０ｃｍ-1（ＳｉＭｅ3）
【００６１】 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル：Ｎ−ＳｉＭｅ 基
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ3，１８Ｈ） ６．６０〜７．２０ｐｐｍ（ｍ，ａｒｏｍａｔｉｃ Ｃ
−Ｈ ｓ，５Ｈ）
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ3，１８Ｈ） ６．６０〜７．２０ｐｐｍ（ｍ，ａｒｏｍａｔｉｃ Ｃ
−Ｈ ｓ，５Ｈ）
【００６２】［実施例１０］実施例９に従い、臭化アリ
ルに変えて臭化エチル（７．５ｇ，６９ｍｍｏｌ）を使
用し、反応を行った。８０時間還流の後、同様の処理に
より目的物、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アニリ
ン８．１ｇ（収率５９．９％）を得た。目的物以外の成
分としては原料のＮ−トリメチルシリルアニリン３．５
ｇ（回収率３５％）が回収された。なお、ガスクロマト
グラフにおいても原料と目的物以外の成分は確認されな
かった。
ルに変えて臭化エチル（７．５ｇ，６９ｍｍｏｌ）を使
用し、反応を行った。８０時間還流の後、同様の処理に
より目的物、Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アニリ
ン８．１ｇ（収率５９．９％）を得た。目的物以外の成
分としては原料のＮ−トリメチルシリルアニリン３．５
ｇ（回収率３５％）が回収された。なお、ガスクロマト
グラフにおいても原料と目的物以外の成分は確認されな
かった。
【００６３】［実施例１１］実施例９に従い、臭化アリ
ルに変えて臭化ベンジル（１２．０ｇ，７０ｍｍｏｌ）
を使用し、反応を行った。４時間加熱還流の後、ガスク
ロマトグラフにて原料の消失を確認し、デカンテーショ
ン、濃縮、減圧蒸留により、目的物，Ｎ，Ｎ−ビス（ト
リメチルシリル）アニリン１３．２ｇ（収率９１．１
％）を得た。
ルに変えて臭化ベンジル（１２．０ｇ，７０ｍｍｏｌ）
を使用し、反応を行った。４時間加熱還流の後、ガスク
ロマトグラフにて原料の消失を確認し、デカンテーショ
ン、濃縮、減圧蒸留により、目的物，Ｎ，Ｎ−ビス（ト
リメチルシリル）アニリン１３．２ｇ（収率９１．１
％）を得た。
【００６４】［実施例１２］実施例９に従い、シクロヘ
キシルアミン（１０．０ｇ，１０１ｍｍｏｌ）、ジエチ
ルアミノトリメチルシラン（３３．０ｇ，２２８ｍｍｏ
ｌ）及びジブチルエーテル（５０ｍｌ）を仕込み、内部
を窒素置換した。マグネチックスターラーで攪拌しなが
ら滴下ロートより臭化アリル（２７．５ｇ，２２７ｍｍ
ｏｌ）を滴下し、３時間加熱還流させた。ガスクロマト
グラフにより原料の消失を確認した後、生成したアミン
塩をデカンテーションにより除き、濃縮後、減圧蒸留に
より、８０℃／１ｍｍＨｇの成分としてＮ，Ｎ−ビス
（トリメチルシリル）シクロヘキシルアミン１３．０ｇ
（収率８９．７％）を得た。生成物の構造決定はＮＭ
Ｒ、ＩＲスペクトル及びガスクロマトグラフの保持時間
を標品と比較することにより行った。
キシルアミン（１０．０ｇ，１０１ｍｍｏｌ）、ジエチ
ルアミノトリメチルシラン（３３．０ｇ，２２８ｍｍｏ
ｌ）及びジブチルエーテル（５０ｍｌ）を仕込み、内部
を窒素置換した。マグネチックスターラーで攪拌しなが
ら滴下ロートより臭化アリル（２７．５ｇ，２２７ｍｍ
ｏｌ）を滴下し、３時間加熱還流させた。ガスクロマト
グラフにより原料の消失を確認した後、生成したアミン
塩をデカンテーションにより除き、濃縮後、減圧蒸留に
より、８０℃／１ｍｍＨｇの成分としてＮ，Ｎ−ビス
（トリメチルシリル）シクロヘキシルアミン１３．０ｇ
（収率８９．７％）を得た。生成物の構造決定はＮＭ
Ｒ、ＩＲスペクトル及びガスクロマトグラフの保持時間
を標品と比較することにより行った。
【００６５】赤外吸収スペクトル １２５５ｃｍ-1（ＳｉＭｅ3）
【００６６】 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル：Ｎ−ＳｉＭｅ 基
準，ＣＨＣｌ3溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ3，１８Ｈ） ０．６７〜１．８３ｐｐｍ（ｍ，ａｌｉｐｈａｔｉｃ
Ｃ−Ｈｓ，１１Ｈ）
準，ＣＨＣｌ3溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ3，１８Ｈ） ０．６７〜１．８３ｐｐｍ（ｍ，ａｌｉｐｈａｔｉｃ
Ｃ−Ｈｓ，１１Ｈ）
【００６７】［実施例１３］実施例９に従い、トリメチ
ルブチルアミン（１４．５ｇ，１００ｍｍｏｌ）及びト
ルエン（２０ｍｌ）を仕込み内部を窒素置換した後、臭
化アリル（７．３ｇ，６０ｍｍｏｌ）を加えて４時間加
熱還流を行った。ガスクロマトグラフにより原料の消失
を確認した後、生成したアミン塩をデカンテーションに
より除き、濃縮後、減圧蒸留により、７８℃／２ｍｍＨ
ｇの成分としてＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）ブチ
ルアミン９．６ｇ（収率８８．５％）を得た。生成物の
構造決定はＮＭＲ、ＩＲスペクトル及びガスクロマトグ
ラフの保持時間を標品と比較することにより行った。
ルブチルアミン（１４．５ｇ，１００ｍｍｏｌ）及びト
ルエン（２０ｍｌ）を仕込み内部を窒素置換した後、臭
化アリル（７．３ｇ，６０ｍｍｏｌ）を加えて４時間加
熱還流を行った。ガスクロマトグラフにより原料の消失
を確認した後、生成したアミン塩をデカンテーションに
より除き、濃縮後、減圧蒸留により、７８℃／２ｍｍＨ
ｇの成分としてＮ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）ブチ
ルアミン９．６ｇ（収率８８．５％）を得た。生成物の
構造決定はＮＭＲ、ＩＲスペクトル及びガスクロマトグ
ラフの保持時間を標品と比較することにより行った。
【００６８】赤外吸収スペクトル １２５５ｃｍ-1（ＳｉＭｅ3）
【００６９】 1Ｈ−ＮＭＲスペクトル：Ｎ−ＳｉＭｅ 基
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ3，１８Ｈ） ０．６０〜１．５３ｐｐｍ（ｍ，ａｌｉｐｈａｔｉｃ
Ｃ−Ｈ ｓ，７Ｈ） ２．４３〜２．８３ｐｐｍ（ｍ，Ｎ−ＣＨ2，２Ｈ）
準，ＣＣｌ4溶媒 ０ｐｐｍ（ｓ，ＳｉＭｅ3，１８Ｈ） ０．６０〜１．５３ｐｐｍ（ｍ，ａｌｉｐｈａｔｉｃ
Ｃ−Ｈ ｓ，７Ｈ） ２．４３〜２．８３ｐｐｍ（ｍ，Ｎ−ＣＨ2，２Ｈ）
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（１） Ｒ1ＮＨＲ2 ・・・（１） （式中、Ｒ1は炭素数１〜２０の置換もしくは非置換の
一価炭化水素基、Ｒ2は水素原子又はＲ 3Ｓｉ基を示し、
Ｒは水素原子又は炭素数１〜１０の置換もしくは非置換
の一価炭化水素基を示し、各Ｒは互いに同一であっても
異なっていてもよく、又は、２個のＲが互いに結合して
アルキレン基を形成する基であってもよい。）で示され
る一級アミンを、下記一般式（２） Ｒ3ＳｉＮＲ3 2 ・・・（２） （式中、Ｒ3は水素原子又は炭素数１〜２０の置換もし
くは非置換の一価炭化水素基を示し、各Ｒ3は互いに同
一であっても異なっていてもよく、又は、互いに結合し
てアルキレン基を形成する基であってもよい。Ｒは上記
と同様の意味を示す。）で示されるアミノシランによ
り、下記一般式（３） Ｒ4Ｘ ・・・（３） （式中、Ｘは臭素原子又はヨウ素原子から選ばれるハロ
ゲン原子を示し、Ｒ4は炭素数１〜１０の置換もしくは
非置換の一価炭化水素基を示す。）で示される有機ハロ
ゲン化合物の存在下にシリル化することを特徴とする下
記一般式（４） Ｒ1Ｎ（ＳｉＲ3）2 ・・・（４） （式中、Ｒ1及びＲは上記と同様の意味を示す。）で示
されるジシリルアミンの製造方法。 - 【請求項２】 式（１）の一級アミンが下記一般式
（１’） 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲは上記と同様の意味を示す。）で示
されるものであり、かつ式（２）のアミノシランが上記
式（１’）の一級アミノシランと同一のものである請求
項１記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3757195A JPH0899979A (ja) | 1994-08-01 | 1995-02-02 | ジシリルアミンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-199000 | 1994-08-01 | ||
| JP19900094 | 1994-08-01 | ||
| JP3757195A JPH0899979A (ja) | 1994-08-01 | 1995-02-02 | ジシリルアミンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0899979A true JPH0899979A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=26376700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3757195A Pending JPH0899979A (ja) | 1994-08-01 | 1995-02-02 | ジシリルアミンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0899979A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7847116B2 (en) | 2004-10-04 | 2010-12-07 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Method of manufacturing an aminoaryl-containing organosilicon compound and method of manufacturing an intermediate product of the aforementioned compound |
| US7863391B2 (en) | 2004-10-04 | 2011-01-04 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Organopolysiloxane and curable silicone composition that contains aforementioned organopolysiloxane |
| JP2014074236A (ja) * | 2011-05-24 | 2014-04-24 | Air Products And Chemicals Inc | 有機アミノシラン前駆体、並びにその製造方法及び使用方法 |
| JP2015146429A (ja) * | 2006-05-23 | 2015-08-13 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 酸化ケイ素及び酸窒化ケイ素膜、それらの形成方法、並びに化学気相成長用組成物 |
| JP2016128518A (ja) * | 2014-12-04 | 2016-07-14 | 信越化学工業株式会社 | 末端にアミノ基を有するポリアルキレングリコール誘導体の製造方法 |
| US10377775B2 (en) | 2014-12-04 | 2019-08-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing polyalkylene glycol derivative having amino group at end |
| US10472377B2 (en) | 2014-12-04 | 2019-11-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing polyalkylene glycol derivative having amino group at end, polymerization initiator for use in the same, and alcohol compound as raw material for the polymerization initiator |
-
1995
- 1995-02-02 JP JP3757195A patent/JPH0899979A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7847116B2 (en) | 2004-10-04 | 2010-12-07 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Method of manufacturing an aminoaryl-containing organosilicon compound and method of manufacturing an intermediate product of the aforementioned compound |
| US7863391B2 (en) | 2004-10-04 | 2011-01-04 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Organopolysiloxane and curable silicone composition that contains aforementioned organopolysiloxane |
| US7932412B2 (en) | 2004-10-04 | 2011-04-26 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Method of manufacturing an aminoaryl-containing organosilicon compound and method of manufacturing an intermediate product of the aforementioned compound |
| JP2015146429A (ja) * | 2006-05-23 | 2015-08-13 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 酸化ケイ素及び酸窒化ケイ素膜、それらの形成方法、並びに化学気相成長用組成物 |
| JP2015159335A (ja) * | 2006-05-23 | 2015-09-03 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 酸化ケイ素及び酸窒化ケイ素膜、それらの形成方法、並びに化学気相成長用組成物 |
| JP2014074236A (ja) * | 2011-05-24 | 2014-04-24 | Air Products And Chemicals Inc | 有機アミノシラン前駆体、並びにその製造方法及び使用方法 |
| JP2016128518A (ja) * | 2014-12-04 | 2016-07-14 | 信越化学工業株式会社 | 末端にアミノ基を有するポリアルキレングリコール誘導体の製造方法 |
| US10377775B2 (en) | 2014-12-04 | 2019-08-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing polyalkylene glycol derivative having amino group at end |
| US10472377B2 (en) | 2014-12-04 | 2019-11-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing polyalkylene glycol derivative having amino group at end, polymerization initiator for use in the same, and alcohol compound as raw material for the polymerization initiator |
| US10550136B2 (en) | 2014-12-04 | 2020-02-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing polyalkylene glycol derivative having amino group at end |
| US11066430B2 (en) | 2014-12-04 | 2021-07-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing polyalkylene glycol derivative having amino group at end |
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