JPH088832A - 光増幅器 - Google Patents
光増幅器Info
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- JPH088832A JPH088832A JP6141707A JP14170794A JPH088832A JP H088832 A JPH088832 A JP H088832A JP 6141707 A JP6141707 A JP 6141707A JP 14170794 A JP14170794 A JP 14170794A JP H088832 A JPH088832 A JP H088832A
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- pumping light
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- light source
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094003—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light the pumped medium being a fibre
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- Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】制御用にレーザーダイオードを用いることな
く、安定した利得を得ることができるようにする。 【構成】希土類元素ドープファイバ２を透過する励起光
の増減に応じて励起光源４の出力を制御するＡＧＣ回路
８、もしくは、希土類元素ドープファイバ２１で信号光
を増幅する際に生じる蛍光成分の増幅に応じて励起光源
２３の出力を帰還制御するＡＧＣ回路２８を備えた光増
幅器。
く、安定した利得を得ることができるようにする。 【構成】希土類元素ドープファイバ２を透過する励起光
の増減に応じて励起光源４の出力を制御するＡＧＣ回路
８、もしくは、希土類元素ドープファイバ２１で信号光
を増幅する際に生じる蛍光成分の増幅に応じて励起光源
２３の出力を帰還制御するＡＧＣ回路２８を備えた光増
幅器。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、励起光による誘導放出
効果で信号光を増幅する希土類元素ドープファイバを備
えた光増幅器に関する。
効果で信号光を増幅する希土類元素ドープファイバを備
えた光増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光増幅器として、希土類元素ド
ープファイバに入力される励起光の誘導放出効果で信号
光を増幅するものが知られている。
ープファイバに入力される励起光の誘導放出効果で信号
光を増幅するものが知られている。
【０００３】このような光増幅器では、時間的に間隔を
開けて入力されるバースト信号を増幅すると、波形歪み
が生じるという問題があった。これは、無信号光状態か
ら急にバースト信号が入力されると、一時的に利得が変
動することを原因としていた。
開けて入力されるバースト信号を増幅すると、波形歪み
が生じるという問題があった。これは、無信号光状態か
ら急にバースト信号が入力されると、一時的に利得が変
動することを原因としていた。
【０００４】このような波形歪みを防止したものとし
て、従来から、励起光制御方式、すなわち、励起光のパ
ワーを制御することで利得の安定化を図るＡＧＣ（Auto
maticGain control）回路を備えた光増幅器と、補償光
制御方式、すなわち、補償光のパワーを制御することで
利得の安定化を図るＡＧＣ回路を備えた光増幅器があ
る。
て、従来から、励起光制御方式、すなわち、励起光のパ
ワーを制御することで利得の安定化を図るＡＧＣ（Auto
maticGain control）回路を備えた光増幅器と、補償光
制御方式、すなわち、補償光のパワーを制御することで
利得の安定化を図るＡＧＣ回路を備えた光増幅器があ
る。
【０００５】励起光制御方式の光増幅器では、図５に示
すように、プロープ光レーザーダイオード５０と、プロ
ープ光検出用のフォトダイオード５１と、制御部５２と
からＡＧＣ回路が構成されている。プロープ光レーザー
ダイオード５０は希土類元素ドープファイバ５３の信号
入力側に合波器５４を介して接続されている。フォトダ
イオード５１は希土類元素ドープファイバ５３の信号出
力側にビームスプリッタ５５を介して接続されている。
制御部５２はフォトダイオード５１が検出したプローブ
光の値の増減に応じて励起光の出力を帰還制御してい
る。プロープ光の波長λ2は信号光の波長λ1とほぼ同様
の値になっており、例えば、信号光波長λ1＝１５５３
ｎｍに対してプロープ光波長λ2＝１５３３ｎｍにして
おく。なお、図中、符号５６は波長λP＝１４８０ｎｍ
等の励起光源、５７は励起光源５６を希土類元素ドープ
ファイバ５３に接続する合波器である。
すように、プロープ光レーザーダイオード５０と、プロ
ープ光検出用のフォトダイオード５１と、制御部５２と
からＡＧＣ回路が構成されている。プロープ光レーザー
ダイオード５０は希土類元素ドープファイバ５３の信号
入力側に合波器５４を介して接続されている。フォトダ
イオード５１は希土類元素ドープファイバ５３の信号出
力側にビームスプリッタ５５を介して接続されている。
制御部５２はフォトダイオード５１が検出したプローブ
光の値の増減に応じて励起光の出力を帰還制御してい
る。プロープ光の波長λ2は信号光の波長λ1とほぼ同様
の値になっており、例えば、信号光波長λ1＝１５５３
ｎｍに対してプロープ光波長λ2＝１５３３ｎｍにして
おく。なお、図中、符号５６は波長λP＝１４８０ｎｍ
等の励起光源、５７は励起光源５６を希土類元素ドープ
ファイバ５３に接続する合波器である。
【０００６】この光増幅器では、信号光の入力｛図６
（ａ）参照｝で利得が変化｛図６（ｂ）参照｝すると、
それに伴って希土類元素ドープファイバ５３を透過した
プロープ光のパワーが変化するので、その変化をフォト
ダイオード５１によるプロープ光検出値の変化｛図６
（ｃ）参照｝として検出する。そして、このプロープ光
検出値の変化に応じて、制御部５２が励起光源５６の出
力を帰還制御｛図６（ｄ）参照｝することにより、利得
の安定化を図るようになっている。なお、図６（ｅ）に
示すように、プロープ光の出力は常時一定に保たれてい
る。
（ａ）参照｝で利得が変化｛図６（ｂ）参照｝すると、
それに伴って希土類元素ドープファイバ５３を透過した
プロープ光のパワーが変化するので、その変化をフォト
ダイオード５１によるプロープ光検出値の変化｛図６
（ｃ）参照｝として検出する。そして、このプロープ光
検出値の変化に応じて、制御部５２が励起光源５６の出
力を帰還制御｛図６（ｄ）参照｝することにより、利得
の安定化を図るようになっている。なお、図６（ｅ）に
示すように、プロープ光の出力は常時一定に保たれてい
る。
【０００７】補償光制御方式の光増幅器では、図７に示
すように、補償光レーザーダイオード６０と、希土類元
素ドープファイバ６１での光増幅に伴って発生する蛍光
成分（Amplified Spontaneous Emission：以下、ＡＳＥ
光と称す）を検出するフォトダイオード６２と、制御部
６３とからＡＧＣ回路を構成している。補償光レーザー
ダイオード６０は希土類元素ドープファイバ６１の信号
出力側に合波器６４を介して接続されている。この補償
光の波長λCは信号光の波長λ1とほぼ同様の値にしてお
く。例えば、信号光波長λ1＝１５５４ｎｍに対して補
償光波長λC＝１５５５ｎｍにしておく。フォトダイオ
ード６２は希土類元素ドープファイバ６１の信号入力側
にビームスプリッタ６５を介して接続されている。制御
部６３はフォトダイオード６２が検出したＡＳＥ光の値
の増減に応じて補償光レーザーダイオード６０の出力を
帰還制御している。なお、図中、符号６６は波長λP＝
１４８０ｎｍ等の励起光源、６７は励起光源６６と希土
類元素ドープファイバ６０とを接続する合波器である。
すように、補償光レーザーダイオード６０と、希土類元
素ドープファイバ６１での光増幅に伴って発生する蛍光
成分（Amplified Spontaneous Emission：以下、ＡＳＥ
光と称す）を検出するフォトダイオード６２と、制御部
６３とからＡＧＣ回路を構成している。補償光レーザー
ダイオード６０は希土類元素ドープファイバ６１の信号
出力側に合波器６４を介して接続されている。この補償
光の波長λCは信号光の波長λ1とほぼ同様の値にしてお
く。例えば、信号光波長λ1＝１５５４ｎｍに対して補
償光波長λC＝１５５５ｎｍにしておく。フォトダイオ
ード６２は希土類元素ドープファイバ６１の信号入力側
にビームスプリッタ６５を介して接続されている。制御
部６３はフォトダイオード６２が検出したＡＳＥ光の値
の増減に応じて補償光レーザーダイオード６０の出力を
帰還制御している。なお、図中、符号６６は波長λP＝
１４８０ｎｍ等の励起光源、６７は励起光源６６と希土
類元素ドープファイバ６０とを接続する合波器である。
【０００８】この光ファイバ増幅器では、無信号時にお
ける希土類元素ドープファイバ６１のエネルギーレベル
を、補償光を入力させることによって信号光入力時と同
様のエネルギーレベルに維持している。そして、信号光
の入力｛図８（ａ）参照｝で利得が変化｛図８（ｂ）参
照｝すると、それに伴って、フォトダイオード６２が検
出するるＡＳＥ光のパワーが変化｛図８（ｃ）参照｝す
るので、その変化に応じて、制御部６３が補償光レーザ
ーダイオード６０の出力を帰還制御｛図８（ｄ）参照｝
することにより、利得の安定化を図るようになってい
る。なお、図８（ｅ）に示すように、励起光の出力は常
時一定に保たれている。
ける希土類元素ドープファイバ６１のエネルギーレベル
を、補償光を入力させることによって信号光入力時と同
様のエネルギーレベルに維持している。そして、信号光
の入力｛図８（ａ）参照｝で利得が変化｛図８（ｂ）参
照｝すると、それに伴って、フォトダイオード６２が検
出するるＡＳＥ光のパワーが変化｛図８（ｃ）参照｝す
るので、その変化に応じて、制御部６３が補償光レーザ
ーダイオード６０の出力を帰還制御｛図８（ｄ）参照｝
することにより、利得の安定化を図るようになってい
る。なお、図８（ｅ）に示すように、励起光の出力は常
時一定に保たれている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成した従来の光増幅器には次のような問題があっ
た。すなわち、いずれの従来例においても、プロープ光
レーザーダイオード５０、補償光レーザーダイオード６
０といった制御用のレーザーダイオードが必要である
が、このようなレーザーダイオード５０，６０は高価な
部品であり、このような高価な部品を必要とする分、コ
ストアップの原因となっていた。また、レーザーダイオ
ード５０，６０は大きな電力を消費するために、その
分、全体の消費電力を上昇させるという問題もあった。
さらには、信号光の増幅には直接関係のないレーザーダ
イオード５０，６０を光路上に配置する分、装置全体の
信頼性を低下させるという問題もあった。
うに構成した従来の光増幅器には次のような問題があっ
た。すなわち、いずれの従来例においても、プロープ光
レーザーダイオード５０、補償光レーザーダイオード６
０といった制御用のレーザーダイオードが必要である
が、このようなレーザーダイオード５０，６０は高価な
部品であり、このような高価な部品を必要とする分、コ
ストアップの原因となっていた。また、レーザーダイオ
ード５０，６０は大きな電力を消費するために、その
分、全体の消費電力を上昇させるという問題もあった。
さらには、信号光の増幅には直接関係のないレーザーダ
イオード５０，６０を光路上に配置する分、装置全体の
信頼性を低下させるという問題もあった。
【００１０】また、プローブ光や補償光を入出力するた
めの合波器等を光路中に挿入するために、挿入損失の増
大を生じ、利得、出力、雑音等の特性を劣化させる原因
ともなっていた。
めの合波器等を光路中に挿入するために、挿入損失の増
大を生じ、利得、出力、雑音等の特性を劣化させる原因
ともなっていた。
【００１１】したがって、本発明においては、制御用に
レーザーダイオードを用いることなく、安定した利得を
得ることができる光増幅器の提供を目的としている。
レーザーダイオードを用いることなく、安定した利得を
得ることができる光増幅器の提供を目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の光増幅器は、希土類元素ドープファ
イバを透過する励起光の増減に応じて励起光源の出力を
制御するＡＧＣ回路、もしくは、希土類元素ドープファ
イバで信号光を増幅する際に生じる蛍光成分の増幅に応
じて励起光源の出力を帰還制御するＡＧＣ回路を備えて
いることに特徴がある。
るために、本発明の光増幅器は、希土類元素ドープファ
イバを透過する励起光の増減に応じて励起光源の出力を
制御するＡＧＣ回路、もしくは、希土類元素ドープファ
イバで信号光を増幅する際に生じる蛍光成分の増幅に応
じて励起光源の出力を帰還制御するＡＧＣ回路を備えて
いることに特徴がある。
【００１３】
【作用】希土類元素ドープファイバを透過する励起光の
増減、もしくは、信号光増減の際に生じる蛍光成分の増
減に応じて励起光源の出力を帰還制御しており、利得制
御にレーザーダイオードは必要なくなる。
増減、もしくは、信号光増減の際に生じる蛍光成分の増
減に応じて励起光源の出力を帰還制御しており、利得制
御にレーザーダイオードは必要なくなる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。図
１は本発明の第１実施例の光増幅器の構成を示すブロッ
ク図である。この光増幅器１は励起光をモニタすること
によって利得を制御するように構成されており、希土類
元素ドープファイバであるElbium-Doped-Fiber(以下、Ｅ
ＤＦと略す)２とＡＧＣ回路８とを備えている。ＥＤＦ
２の信号出力側には合波器３を介して波長λP＝１４８
０ｎｍの励起光源４が接続されている。励起光源４は例
えばレーザーダイオードから構成され、ＥＤＦ２に向け
て励起光を出力している。ＥＤＦ２はこの励起光による
誘導放出効果で波長λ1＝１５５３ｎｍの信号光を増幅
している。ＥＤＦ２の信号入力側には、分波器５を介し
て励起光検出用のフォトダイオード６が接続されてい
る。フォトダイオード６の検出値、つまりＥＤＦ２を透
過した励起光の出力は制御部７に入力される。透過励起
光の出力を入力された制御部７はその入力値に応じて励
起光源４の出力を帰還制御することにより、利得の安定
化を図っている。この光増幅器１では、ＡＧＣ回路８を
フォトダイオード６と制御部７とから構成している。
１は本発明の第１実施例の光増幅器の構成を示すブロッ
ク図である。この光増幅器１は励起光をモニタすること
によって利得を制御するように構成されており、希土類
元素ドープファイバであるElbium-Doped-Fiber(以下、Ｅ
ＤＦと略す)２とＡＧＣ回路８とを備えている。ＥＤＦ
２の信号出力側には合波器３を介して波長λP＝１４８
０ｎｍの励起光源４が接続されている。励起光源４は例
えばレーザーダイオードから構成され、ＥＤＦ２に向け
て励起光を出力している。ＥＤＦ２はこの励起光による
誘導放出効果で波長λ1＝１５５３ｎｍの信号光を増幅
している。ＥＤＦ２の信号入力側には、分波器５を介し
て励起光検出用のフォトダイオード６が接続されてい
る。フォトダイオード６の検出値、つまりＥＤＦ２を透
過した励起光の出力は制御部７に入力される。透過励起
光の出力を入力された制御部７はその入力値に応じて励
起光源４の出力を帰還制御することにより、利得の安定
化を図っている。この光増幅器１では、ＡＧＣ回路８を
フォトダイオード６と制御部７とから構成している。
【００１５】この光増幅器１では、帰還制御は次のよう
にしてなされる。すなわち、励起光の吸光係数は基底準
位の電子数で決定されるので、基底準位の電子数を一定
に保てば、上準位の電子数も一定となり増幅時の利得を
一定に保持することができることになる。つまり、励起
光はＥＤＦ２では増幅されないが、信号光の入力の有無
によりＥＤＦ２の励起光に対する透過率が変化してい
る。この光増幅器１では、この点に着目し、励起光の減
衰率を一定に保持するような帰還制御を制御部７で行な
っている。
にしてなされる。すなわち、励起光の吸光係数は基底準
位の電子数で決定されるので、基底準位の電子数を一定
に保てば、上準位の電子数も一定となり増幅時の利得を
一定に保持することができることになる。つまり、励起
光はＥＤＦ２では増幅されないが、信号光の入力の有無
によりＥＤＦ２の励起光に対する透過率が変化してい
る。この光増幅器１では、この点に着目し、励起光の減
衰率を一定に保持するような帰還制御を制御部７で行な
っている。
【００１６】次にこの光増幅器１の動作を図２に示すタ
イムチャートに基づいて説明する。
イムチャートに基づいて説明する。
【００１７】ＥＤＦ２に信号光が入力｛図２（ａ）参
照｝されると、結果として利得が変化｛図２（ｂ）参
照｝する。このとき、励起光の吸光係数も変化｛図２
（ｃ）参照｝する。このような励起光の吸光係数の変化
は励起光の減衰率の変化として現れる。励起光の減衰率
の変化はフォトダイオード６で検出される透過励起光
（ＥＤＦ２を透過した励起光）の検出値から判断でき
る。したがって、制御部７において、励起光源４の出力
に対してフォトダイオード６の検出値を基にした帰還制
御をかけることによって利得の安定化を図るようになっ
ている。具体的には帰還制御は、信号光が入力されない
ときには励起光の出力を絞る一方、信号光が入力されれ
ば励起光の出力を上昇させる｛図２（ｄ）参照｝ように
なっている。
照｝されると、結果として利得が変化｛図２（ｂ）参
照｝する。このとき、励起光の吸光係数も変化｛図２
（ｃ）参照｝する。このような励起光の吸光係数の変化
は励起光の減衰率の変化として現れる。励起光の減衰率
の変化はフォトダイオード６で検出される透過励起光
（ＥＤＦ２を透過した励起光）の検出値から判断でき
る。したがって、制御部７において、励起光源４の出力
に対してフォトダイオード６の検出値を基にした帰還制
御をかけることによって利得の安定化を図るようになっ
ている。具体的には帰還制御は、信号光が入力されない
ときには励起光の出力を絞る一方、信号光が入力されれ
ば励起光の出力を上昇させる｛図２（ｄ）参照｝ように
なっている。
【００１８】次に、本発明の第２実施例を図３を基にし
て説明する。この光増幅器２０は、光増幅に伴って発生
するＡＳＥ光を検出しその検出値に応じて励起光の出力
を調整するすることによって利得を制御するように構成
されており、第１実施例の光増幅器１と同様、ＥＤＦ２
１とＡＧＣ回路２８とを備えている。ＥＤＦ２１の信号
出力側には合波器２２を介して波長λP＝１４８０ｎｍ
の励起光源２３が接続されている。ＥＤＦ２１の信号入
力側には、スプリッタやバンドパスフィルタといったＡ
ＳＥ光の分波器２４を介してＡＳＥ光検出用のフォトダ
イオード２５が接続されている。フォトダイオード２５
と分波器２４との間には、必要に応じて励起光カットフ
ィルタ２６が配設されている。この励起光カットフィル
タ２６は例えば分波器２４が励起光を反射しないもので
あれば不要になる。また、合波器２２より出力側に分波
器２４を配設した場合では励起光がフォトダイオード２
５に入力されないので励起光カットフィルタ２６は不要
になる。
て説明する。この光増幅器２０は、光増幅に伴って発生
するＡＳＥ光を検出しその検出値に応じて励起光の出力
を調整するすることによって利得を制御するように構成
されており、第１実施例の光増幅器１と同様、ＥＤＦ２
１とＡＧＣ回路２８とを備えている。ＥＤＦ２１の信号
出力側には合波器２２を介して波長λP＝１４８０ｎｍ
の励起光源２３が接続されている。ＥＤＦ２１の信号入
力側には、スプリッタやバンドパスフィルタといったＡ
ＳＥ光の分波器２４を介してＡＳＥ光検出用のフォトダ
イオード２５が接続されている。フォトダイオード２５
と分波器２４との間には、必要に応じて励起光カットフ
ィルタ２６が配設されている。この励起光カットフィル
タ２６は例えば分波器２４が励起光を反射しないもので
あれば不要になる。また、合波器２２より出力側に分波
器２４を配設した場合では励起光がフォトダイオード２
５に入力されないので励起光カットフィルタ２６は不要
になる。
【００１９】そして、フォトダイオード２５の検出値、
つまりＡＳＥ光の出力は制御部２７に入力される。制御
部２７は、フォトダイオード２５の検出値に応じて励起
光源２３の出力を帰還制御することにより、利得の安定
化を図っている。この光増幅器２０では、ＡＧＣ回路２
８をフォトダイオード２５と制御部２７とから構成して
いる。
つまりＡＳＥ光の出力は制御部２７に入力される。制御
部２７は、フォトダイオード２５の検出値に応じて励起
光源２３の出力を帰還制御することにより、利得の安定
化を図っている。この光増幅器２０では、ＡＧＣ回路２
８をフォトダイオード２５と制御部２７とから構成して
いる。
【００２０】この光増幅器２０による帰還制御は次のよ
うにして行われる。すなわち、ＥＤＦ２１での光増幅に
伴って発生するＡＳＥ光の出力パワーは上準位の電子数
で決定されるので、ＡＳＥ光の出力パワーが一定になる
ように、制御部２７で励起光の出力を帰還制御すれば、
利得を一定に保持することができることになる。この光
増幅器２０では、この点に着目し、ＡＳＥ光の出力パワ
ーを検出し、その検出値に応じて制御部２７で励起光源
２３の出力を帰還制御することで利得の安定を図ってい
る。
うにして行われる。すなわち、ＥＤＦ２１での光増幅に
伴って発生するＡＳＥ光の出力パワーは上準位の電子数
で決定されるので、ＡＳＥ光の出力パワーが一定になる
ように、制御部２７で励起光の出力を帰還制御すれば、
利得を一定に保持することができることになる。この光
増幅器２０では、この点に着目し、ＡＳＥ光の出力パワ
ーを検出し、その検出値に応じて制御部２７で励起光源
２３の出力を帰還制御することで利得の安定を図ってい
る。
【００２１】次にこの光増幅器２０の動作を図４に示す
タイムチャートに基づいて説明する。
タイムチャートに基づいて説明する。
【００２２】ＥＤＦ２１に信号光が入力｛図４（ａ）参
照｝されると、結果として利得が変化｛図４（ｂ）参
照｝する。このとき、発生するＡＳＥ光も変化し、その
変化はフォトダイオード２５で検出｛図４（ｃ）参照｝
される。したがって、制御部２７において、励起光源２
３の出力に対してフォトダイオード２５の検出値を基に
した帰還制御をかけることによって利得の安定化を図る
ようになっている。具体的には帰還制御は、第１実施例
と同様、信号光が入力されないときには励起光の出力を
絞る一方、信号光が入力されれば励起光の出力を上昇さ
せる｛図４（ｄ）参照｝ようになっている。
照｝されると、結果として利得が変化｛図４（ｂ）参
照｝する。このとき、発生するＡＳＥ光も変化し、その
変化はフォトダイオード２５で検出｛図４（ｃ）参照｝
される。したがって、制御部２７において、励起光源２
３の出力に対してフォトダイオード２５の検出値を基に
した帰還制御をかけることによって利得の安定化を図る
ようになっている。具体的には帰還制御は、第１実施例
と同様、信号光が入力されないときには励起光の出力を
絞る一方、信号光が入力されれば励起光の出力を上昇さ
せる｛図４（ｄ）参照｝ようになっている。
【００２３】なお、第１実施例や第２実施例では、信号
光の進行方向と励起光の進行方向とが逆になっている
が、これら光の進行方向が同方向になった光増幅器であ
っても、本発明を実施できるのはいうまでもない。
光の進行方向と励起光の進行方向とが逆になっている
が、これら光の進行方向が同方向になった光増幅器であ
っても、本発明を実施できるのはいうまでもない。
【００２４】さらに、第２実施例においては、バンドパ
スフィルタ等の分波器２４を合波器２２より信号出力側
に配設することができる。このように構成すれば、前述
したように、励起光カットフィルタ２６が必要なくな
る。
スフィルタ等の分波器２４を合波器２２より信号出力側
に配設することができる。このように構成すれば、前述
したように、励起光カットフィルタ２６が必要なくな
る。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、希土類元
素ドープファイバを透過する励起光の増減、もしくは、
信号光増幅に際に生じる蛍光成分の増減に応じて励起光
源の励起光出力を帰還制御することで、利得の安定化を
図っており、利得制御にレーザーダイオードを必要とし
なくなった。そのため、高価なレーザーダイオードが要
らなくなる分、コストダウンを達成できた。また、大き
な電力を消費するレーザーダイオードが要らなくなる
分、全体の消費電力を減少させることができた。さらに
は、レーザーダイオードが要らなくなる分、回路を簡略
化できて、その分、装置の信頼性が向上した。
素ドープファイバを透過する励起光の増減、もしくは、
信号光増幅に際に生じる蛍光成分の増減に応じて励起光
源の励起光出力を帰還制御することで、利得の安定化を
図っており、利得制御にレーザーダイオードを必要とし
なくなった。そのため、高価なレーザーダイオードが要
らなくなる分、コストダウンを達成できた。また、大き
な電力を消費するレーザーダイオードが要らなくなる
分、全体の消費電力を減少させることができた。さらに
は、レーザーダイオードが要らなくなる分、回路を簡略
化できて、その分、装置の信頼性が向上した。
【００２６】また、プローブ光や補償光となるレーザ光
を入出力するための合波器等を光路中に挿入する必要が
なくなったので、その分、挿入損失特性が良くなって、
利得、出力、雑音等の特性が向上した。
を入出力するための合波器等を光路中に挿入する必要が
なくなったので、その分、挿入損失特性が良くなって、
利得、出力、雑音等の特性が向上した。
【図１】本発明の第１実施例に係る光増幅器の構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図２】第１実施例の光増幅器の利得制御の説明に供す
るタイムチャートをそれぞれ示す図である。
るタイムチャートをそれぞれ示す図である。
【図３】本発明の第２実施例に係る光増幅器の構造を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図４】第２実施例の光増幅器の利得制御の説明に供す
るタイムチャートをそれぞれ示す図である。
るタイムチャートをそれぞれ示す図である。
【図５】第１従来例のブロック図である。
【図６】第１従来例の光増幅器の利得制御の説明に供す
るタイムチャートをそれぞれ示す図である。
るタイムチャートをそれぞれ示す図である。
【図７】第２従来例のブロック図である。
【図８】第２従来例の光増幅器の利得制御の説明に供す
るタイムチャートをそれぞれ示す図である。
るタイムチャートをそれぞれ示す図である。
２ ＥＤＦ（希土類元素ドープファイバ） ４ 励起光源 ６ フォトダイオード（励起光検出器） ７ 制御部 ８ ＡＧＣ回路 ２１ ＥＤＦ（希土類元素ドープファイバ） ２３ 励起光源 ２５ フォトダイオード（蛍光成分検出器） ２７ 制御部 ２８ ＡＧＣ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/10 Ｚ 3/17 (72)発明者 御前 俊和 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 中沢 正隆 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 木村 康郎 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】励起光源と、前記励起光源から入力される
励起光による誘導放出効果で信号光を増幅する希土類元
素ドープファイバと、増幅後の信号光の利得を一定に制
御するＡＧＣ回路とを備え、 前記ＡＧＣ回路が、前記希土類元素ドープファイバを透
過する励起光の増減に応じて前記励起光源の出力を帰還
制御するものであることを特徴とする光増幅器。 - 【請求項２】前記ＡＧＣ回路は、前記希土類元素ドープ
ファイバを透過した励起光を検出する励起光検出器と、
前記励起光検出器が検出した透過励起光の増減に応じて
前記励起光源の出力を帰還制御する制御部とを備えてい
ることを特徴とする請求項１記載の光増幅器。 - 【請求項３】励起光源と、前記励起光源から入力される
励起光による誘導放出効果で信号光を増幅する希土類元
素ドープファイバと、増幅後の信号光の利得を一定に制
御するＡＧＣ回路とを備え、 前記ＡＧＣ回路が、希土類元素ドープファイバで信号光
を増幅する際に生じる蛍光成分の増減に応じて前記励起
光源の出力を帰還制御するものであることを特徴とする
光増幅器。 - 【請求項４】前記ＡＧＣ回路は、前記希土類元素ドープ
ファイバで信号光を増幅する際に生じる蛍光成分を検出
する蛍光成分検出器と、前記蛍光成分検出器が検出した
蛍光成分の増減に応じて前記励起光源の出力を帰還制御
する制御部とを備えていることを特徴とする請求項３記
載の光増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6141707A JPH088832A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6141707A JPH088832A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 光増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088832A true JPH088832A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15298335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6141707A Pending JPH088832A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088832A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6442309B1 (en) | 1998-11-11 | 2002-08-27 | Nec Corporation | Optical amplifier |
| WO2011118817A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | 株式会社フジクラ | レーザ装置 |
-
1994
- 1994-06-23 JP JP6141707A patent/JPH088832A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6442309B1 (en) | 1998-11-11 | 2002-08-27 | Nec Corporation | Optical amplifier |
| WO2011118817A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | 株式会社フジクラ | レーザ装置 |
| JP5049412B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2012-10-17 | 株式会社フジクラ | レーザ装置 |
| US8503495B2 (en) | 2010-03-26 | 2013-08-06 | Fujikura Ltd. | Laser device |
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