JPH0888298A - 樹脂封止型電子回路装置 - Google Patents
樹脂封止型電子回路装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型電子回路装置のリード細線の切断
を防ぐ。 【構成】 放熱基板１の上に電力用トランジスタ２と集
積回路３を配置する。集積回路３の基板７の上の半導体
素子１１及びリード細線１２、１４の端部を含むように
ポリイミド樹脂から成る第１の保護樹脂層５ａを設け
る。この第１の保護樹脂層５ａの表面上にリード細線１
２、１４を覆わないようにシリコーンラバーから成る第
２の保護樹脂層５ｂを設ける。最後にエポキシ樹脂から
なる樹脂封止体６を設ける。
を防ぐ。 【構成】 放熱基板１の上に電力用トランジスタ２と集
積回路３を配置する。集積回路３の基板７の上の半導体
素子１１及びリード細線１２、１４の端部を含むように
ポリイミド樹脂から成る第１の保護樹脂層５ａを設け
る。この第１の保護樹脂層５ａの表面上にリード細線１
２、１４を覆わないようにシリコーンラバーから成る第
２の保護樹脂層５ｂを設ける。最後にエポキシ樹脂から
なる樹脂封止体６を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は放熱基板上に半導体素子
を含む回路基板（例えば集積回路）を配置する構成の樹
脂封止型電子回路装置に関する。
を含む回路基板（例えば集積回路）を配置する構成の樹
脂封止型電子回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電圧調整装置等の電子回路装置を図１に
示すように樹脂封止型半導体装置に構成することがあ
る。図１の電子回路装置は、金属製の放熱基板１の上に
電力用半導体素子としてのトランジスタ２を配置すると
共に集積回路３を配置し、これ等をシリコーンラバー又
はポリイミド樹脂等の保護樹脂層４、５で被覆した後に
エポキシ樹脂等の樹脂封止体６を設けることによって構
成されている。
示すように樹脂封止型半導体装置に構成することがあ
る。図１の電子回路装置は、金属製の放熱基板１の上に
電力用半導体素子としてのトランジスタ２を配置すると
共に集積回路３を配置し、これ等をシリコーンラバー又
はポリイミド樹脂等の保護樹脂層４、５で被覆した後に
エポキシ樹脂等の樹脂封止体６を設けることによって構
成されている。
【０００３】各部を更に詳しく説明すると、集積回路３
はセラミック等の絶縁性の回路基板７の上に配線導体層
８、９、１０等を設け、配線導体層９、１０に例えばフ
リップチップ型の半導体素子１１を接続し、更に図示さ
れていない別の半導体素子、抵抗、コンデンサを配設し
たものである。回路基板７は放熱基板１に接着剤（図示
せず）で固着され、トランジスタ２は半田（図示せず）
によって放熱基板１に固着されている。集積回路３の配
線導体層８とトランジスタ２とは可撓性を有する金属細
線１２によって接続されている。また、集積回路３の配
線導体層９は放熱基板１から導出された外部リード１３
に金属細線１４によって接続されている。
はセラミック等の絶縁性の回路基板７の上に配線導体層
８、９、１０等を設け、配線導体層９、１０に例えばフ
リップチップ型の半導体素子１１を接続し、更に図示さ
れていない別の半導体素子、抵抗、コンデンサを配設し
たものである。回路基板７は放熱基板１に接着剤（図示
せず）で固着され、トランジスタ２は半田（図示せず）
によって放熱基板１に固着されている。集積回路３の配
線導体層８とトランジスタ２とは可撓性を有する金属細
線１２によって接続されている。また、集積回路３の配
線導体層９は放熱基板１から導出された外部リード１３
に金属細線１４によって接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、樹脂封止体
６は、モールド成形性に優れている等の理由によって例
えば熱硬化性樹脂であるエポキシ系の樹脂から成る。な
お、この種のエポキシ系樹脂には、シリカ粉末等がフィ
ラー材（充填材）として付加されている。もし、この種
の外装用の樹脂封止体６で集積回路３を直接に被覆する
と、回路基板７上への異物（例えば水分）の侵入を十分
に防ぐことができない。また、回路基板７に応力が直接
にかかり、集積回路３におけるワイヤボンディング部の
損傷又は信頼性の低下を招くおそれがある。図１の保護
樹脂層５は上述のような問題を解決するために設けられ
たものであって、回路基板７への応力の伝達を抑制する
作用を有すると共に、樹脂封止体６に比べて緻密である
ために水分等の異質物の侵入防止の効果も有する。
６は、モールド成形性に優れている等の理由によって例
えば熱硬化性樹脂であるエポキシ系の樹脂から成る。な
お、この種のエポキシ系樹脂には、シリカ粉末等がフィ
ラー材（充填材）として付加されている。もし、この種
の外装用の樹脂封止体６で集積回路３を直接に被覆する
と、回路基板７上への異物（例えば水分）の侵入を十分
に防ぐことができない。また、回路基板７に応力が直接
にかかり、集積回路３におけるワイヤボンディング部の
損傷又は信頼性の低下を招くおそれがある。図１の保護
樹脂層５は上述のような問題を解決するために設けられ
たものであって、回路基板７への応力の伝達を抑制する
作用を有すると共に、樹脂封止体６に比べて緻密である
ために水分等の異質物の侵入防止の効果も有する。
【０００５】しかしながら、保護樹脂層５をシリコーン
ラバーを主成分とする軟質性樹脂を使用して形成した場
合は、保護樹脂層５から露出したリード細線１２、１４
が樹脂封止体６と保護樹脂層５との界面で断線（切断）
されやすいことが判明した。また、保護樹脂層５をポリ
イミド系樹脂を主成分とする硬質性樹脂を使用して形成
した場合は、リード細線１２、１４の接続部分（ボンデ
ィング部分）近傍で断線されやすいことが判明した。前
者は軟質性樹脂が樹脂封止体６と良好に密着しないため
に保護樹脂層５が樹脂封止体６から浮いた状態となり、
この部分に露出したリード細線１２、１４に応力（破断
力）が加わることに起因するためである。また、後者
は、ポリイミド系硬質樹脂が樹脂封止体６と強固に密着
するため、保護樹脂層５が回路基板７から浮いたような
状態となり、保護樹脂層５自体が樹脂封止体６の熱収縮
に伴って動き、この部分に露出したリード細線１２、１
４のワイヤボンディング部分に応力が加わることに起因
すると思われる。なお、保護樹脂層４を介して樹脂封止
体６に対向する表面積が小さい半導体素子即ちトランジ
スタ２では、上記のリード細線の破断はほとんど問題に
ならない。
ラバーを主成分とする軟質性樹脂を使用して形成した場
合は、保護樹脂層５から露出したリード細線１２、１４
が樹脂封止体６と保護樹脂層５との界面で断線（切断）
されやすいことが判明した。また、保護樹脂層５をポリ
イミド系樹脂を主成分とする硬質性樹脂を使用して形成
した場合は、リード細線１２、１４の接続部分（ボンデ
ィング部分）近傍で断線されやすいことが判明した。前
者は軟質性樹脂が樹脂封止体６と良好に密着しないため
に保護樹脂層５が樹脂封止体６から浮いた状態となり、
この部分に露出したリード細線１２、１４に応力（破断
力）が加わることに起因するためである。また、後者
は、ポリイミド系硬質樹脂が樹脂封止体６と強固に密着
するため、保護樹脂層５が回路基板７から浮いたような
状態となり、保護樹脂層５自体が樹脂封止体６の熱収縮
に伴って動き、この部分に露出したリード細線１２、１
４のワイヤボンディング部分に応力が加わることに起因
すると思われる。なお、保護樹脂層４を介して樹脂封止
体６に対向する表面積が小さい半導体素子即ちトランジ
スタ２では、上記のリード細線の破断はほとんど問題に
ならない。
【０００６】そこで、本発明の目的は回路基板と金属細
線の両方が保護された樹脂封止型電子回路装置を提供す
ることにある。
線の両方が保護された樹脂封止型電子回路装置を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、放熱性基板と、前記放熱性基板上に固着さ
れた絶縁性回路基板と、前記回路基板上に固着された半
導体素子と、前記半導体素子と前記回路基板以外の部分
とを接続するための金属性細線と、前記半導体素子の特
性劣化を生じさせる物質の外部からの侵入を防ぐために
少なくとも前記半導体素子と前記細線の一部とを被覆す
るように前記回路基板上に配設された第１の保護樹脂層
と、前記細線を被覆しないように前記第１の保護樹脂層
の上に設けられた第２の保護樹脂層と、前記回路基板と
前記第１及び第２の保護樹脂層と前記細線とを被覆する
ように前記放熱性基板の少なくとも一方の主面上に設け
られた樹脂封止体とから成り、前記第１の保護樹脂層の
前記樹脂封止体及び前記細線に対する接着力が前記第２
の保護樹脂層の前記樹脂封止体及び前記細線に対する接
着力よりも大きい樹脂封止型電子回路装置に係わるもの
である。なお、請求項２に示すように第２の保護樹脂層
は第１の保護樹脂層及び樹脂封止体よりも大きな弾性を
有していることが望ましい。また、請求項３に示すよう
に第２の保護樹脂層の代りに、応力抑制又は異物阻止の
作用をほとんど有さないが、接着力を低下させる作用を
有する層を設けることができる。
の本発明は、放熱性基板と、前記放熱性基板上に固着さ
れた絶縁性回路基板と、前記回路基板上に固着された半
導体素子と、前記半導体素子と前記回路基板以外の部分
とを接続するための金属性細線と、前記半導体素子の特
性劣化を生じさせる物質の外部からの侵入を防ぐために
少なくとも前記半導体素子と前記細線の一部とを被覆す
るように前記回路基板上に配設された第１の保護樹脂層
と、前記細線を被覆しないように前記第１の保護樹脂層
の上に設けられた第２の保護樹脂層と、前記回路基板と
前記第１及び第２の保護樹脂層と前記細線とを被覆する
ように前記放熱性基板の少なくとも一方の主面上に設け
られた樹脂封止体とから成り、前記第１の保護樹脂層の
前記樹脂封止体及び前記細線に対する接着力が前記第２
の保護樹脂層の前記樹脂封止体及び前記細線に対する接
着力よりも大きい樹脂封止型電子回路装置に係わるもの
である。なお、請求項２に示すように第２の保護樹脂層
は第１の保護樹脂層及び樹脂封止体よりも大きな弾性を
有していることが望ましい。また、請求項３に示すよう
に第２の保護樹脂層の代りに、応力抑制又は異物阻止の
作用をほとんど有さないが、接着力を低下させる作用を
有する層を設けることができる。
【０００８】
【発明の作用及び効果】各請求項の発明によれば、第１
の保護樹脂層は樹脂封止体及び金属細線に対して強く接
着する。従って、金属細線の切断が生じにくい。第１の
保護樹脂層の樹脂封止体に対する接着力が大き過ぎる
と、第１の保護樹脂層が樹脂封止体に引張られて回路基
板から浮き上がるような動きが生じるおそれがあるが、
本発明では接着力の弱い第２の保護樹脂層又はこれに類
似の層が両者の間に部分的に介在しているので上述のよ
うな問題を防ぐことができる。請求項２に示すように第
２の保護樹脂層として弾性のあるものを使用すると、応
力吸収効果が生じ、回路基板及びこの上の回路を保護す
ることができる。
の保護樹脂層は樹脂封止体及び金属細線に対して強く接
着する。従って、金属細線の切断が生じにくい。第１の
保護樹脂層の樹脂封止体に対する接着力が大き過ぎる
と、第１の保護樹脂層が樹脂封止体に引張られて回路基
板から浮き上がるような動きが生じるおそれがあるが、
本発明では接着力の弱い第２の保護樹脂層又はこれに類
似の層が両者の間に部分的に介在しているので上述のよ
うな問題を防ぐことができる。請求項２に示すように第
２の保護樹脂層として弾性のあるものを使用すると、応
力吸収効果が生じ、回路基板及びこの上の回路を保護す
ることができる。
【０００９】
【実施例】次に、図２及び図３を参照して本発明の実施
例に係わる樹脂封止型電子回路装置を説明する。図２及
び図６の樹脂封止型電子回路装置は、図１の保護樹脂層
５の代りに第１及び第２の保護樹脂層５ａ、５ｂを設け
た他は図１と同一に構成されている。即ち、平面形状四
角形の金属製放熱基板１の上には、電力用半導体素子と
してのトランジスタ２と集積回路３とが配置され、トラ
ンジスタ２の裏面のコレクタ電極は半田（図示せず）に
よって放熱基板１に固着され、集積回路３のセラミック
製の絶縁性回路基板７の下面は接着剤（図示せず）によ
って放熱基板１に固着されている。回路基板７の上面に
は配線導体層８、９、１０等が設けられ、これ等にフリ
ップチップ型半導体素子１１が半田（図示せず）によっ
て接続されている。回路基板７の上面には図示が省かれ
ている厚膜抵抗やコンデンサ等も設けられている。な
お、この電子回路装置は図３に示すように放熱基板１に
接続されていない複数の外部リード１５を有する。トラ
ンジスタ２と回路基板７の配線導体層８等とを接続する
ためのＡｕ線、Ａｌ線等の可撓性を有するリード細線１
２が周知のワイヤボンディング法によって設けられてい
ると共に、回路基板７の配線導体層９等と外部リード１
５を接続するための可撓性を有するリード細線１４もワ
イヤボンディング法によって設けられている。
例に係わる樹脂封止型電子回路装置を説明する。図２及
び図６の樹脂封止型電子回路装置は、図１の保護樹脂層
５の代りに第１及び第２の保護樹脂層５ａ、５ｂを設け
た他は図１と同一に構成されている。即ち、平面形状四
角形の金属製放熱基板１の上には、電力用半導体素子と
してのトランジスタ２と集積回路３とが配置され、トラ
ンジスタ２の裏面のコレクタ電極は半田（図示せず）に
よって放熱基板１に固着され、集積回路３のセラミック
製の絶縁性回路基板７の下面は接着剤（図示せず）によ
って放熱基板１に固着されている。回路基板７の上面に
は配線導体層８、９、１０等が設けられ、これ等にフリ
ップチップ型半導体素子１１が半田（図示せず）によっ
て接続されている。回路基板７の上面には図示が省かれ
ている厚膜抵抗やコンデンサ等も設けられている。な
お、この電子回路装置は図３に示すように放熱基板１に
接続されていない複数の外部リード１５を有する。トラ
ンジスタ２と回路基板７の配線導体層８等とを接続する
ためのＡｕ線、Ａｌ線等の可撓性を有するリード細線１
２が周知のワイヤボンディング法によって設けられてい
ると共に、回路基板７の配線導体層９等と外部リード１
５を接続するための可撓性を有するリード細線１４もワ
イヤボンディング法によって設けられている。
【００１０】トランジスタ２はシリカを含有しないポリ
イミド樹脂から成る保護樹脂層４によって被覆されてい
る。
イミド樹脂から成る保護樹脂層４によって被覆されてい
る。
【００１１】集積回路３の基板７の上面の実質的に全部
が異物（特性劣化物質）の侵入阻止及び応力抑制のため
の第１の保護樹脂層５ａによって被覆され、この上に部
分的に第２の保護樹脂層５ｂが設けられている。第１の
保護樹脂層５ａは、シリカ等のフィラー（充填材）の含
有率が８０〜９５重量％のポリイミド樹脂又はポリイミ
ド系樹脂又はポリアミド樹脂又はポリアミド系樹脂であ
ることが望ましい。第１の保護樹脂層５ａにおけるフィ
ラーの含有率を８０重量％以上にすると、第１の保護樹
脂層５ａの線膨脹係数がセラミック回路基板７に近づく
ために保護機能が向上する。また、第１の保護樹脂層５
ａにおけるフィラーの含有率を９５重量％以下に保つこ
とにより第１の保護樹脂層５ａの回路基板７及びリード
細線１２、１４に対する密着力及び接着力を大きく保つ
ことができる。
が異物（特性劣化物質）の侵入阻止及び応力抑制のため
の第１の保護樹脂層５ａによって被覆され、この上に部
分的に第２の保護樹脂層５ｂが設けられている。第１の
保護樹脂層５ａは、シリカ等のフィラー（充填材）の含
有率が８０〜９５重量％のポリイミド樹脂又はポリイミ
ド系樹脂又はポリアミド樹脂又はポリアミド系樹脂であ
ることが望ましい。第１の保護樹脂層５ａにおけるフィ
ラーの含有率を８０重量％以上にすると、第１の保護樹
脂層５ａの線膨脹係数がセラミック回路基板７に近づく
ために保護機能が向上する。また、第１の保護樹脂層５
ａにおけるフィラーの含有率を９５重量％以下に保つこ
とにより第１の保護樹脂層５ａの回路基板７及びリード
細線１２、１４に対する密着力及び接着力を大きく保つ
ことができる。
【００１２】リード細線１２の一端部は第１の保護樹脂
層５ａで被覆され、中間部は樹脂封止体６で被覆され、
他端部はトランジスタの保護樹脂層４で被覆されてい
る。リード細線１４の一端部は第１の保護樹脂層５ａで
被覆され、中間部及び他端部は樹脂封止体６で被覆され
ている。第２の保護樹脂層５ｂは第１の保護樹脂層５ａ
の中央領域のみを第１の保護樹脂層５ａよりも薄く被覆
しているのみであって、リード細線１２、１４を被覆し
ていない。なお、第２の保護樹脂層５ｂの被覆面積は第
１の保護樹脂層５ａの１／３〜２／３程度が望ましい。
第２の保護樹脂層５ｂは半導体素子１１の特性を劣化さ
せる物質の侵入を防ぐとともに応力を防ぐためにシリコ
ーンラバーによって形成されている。また、第２の保護
樹脂層５ｂは第１の保護樹脂層５ａの樹脂封止体６に対
する接着を弱めるためのものとして使用されている。従
って、第２の保護樹脂層５ｂの樹脂封止体６及びリード
細線１２、１４に対する接着力は第１の保護樹脂層５ａ
のそれよりも弱い。
層５ａで被覆され、中間部は樹脂封止体６で被覆され、
他端部はトランジスタの保護樹脂層４で被覆されてい
る。リード細線１４の一端部は第１の保護樹脂層５ａで
被覆され、中間部及び他端部は樹脂封止体６で被覆され
ている。第２の保護樹脂層５ｂは第１の保護樹脂層５ａ
の中央領域のみを第１の保護樹脂層５ａよりも薄く被覆
しているのみであって、リード細線１２、１４を被覆し
ていない。なお、第２の保護樹脂層５ｂの被覆面積は第
１の保護樹脂層５ａの１／３〜２／３程度が望ましい。
第２の保護樹脂層５ｂは半導体素子１１の特性を劣化さ
せる物質の侵入を防ぐとともに応力を防ぐためにシリコ
ーンラバーによって形成されている。また、第２の保護
樹脂層５ｂは第１の保護樹脂層５ａの樹脂封止体６に対
する接着を弱めるためのものとして使用されている。従
って、第２の保護樹脂層５ｂの樹脂封止体６及びリード
細線１２、１４に対する接着力は第１の保護樹脂層５ａ
のそれよりも弱い。
【００１３】樹脂封止体６は、放熱基板１、トランジス
タ２及びその保護樹脂層４、集積回路３、第１及び第２
の保護樹脂層５ａ、５ｂ、リード細線１２、１４の一
部、外部リード１３、１５の一部を覆うように形成され
ている。
タ２及びその保護樹脂層４、集積回路３、第１及び第２
の保護樹脂層５ａ、５ｂ、リード細線１２、１４の一
部、外部リード１３、１５の一部を覆うように形成され
ている。
【００１４】本実施例の樹脂封止型電子回路装置は次の
利点を有する。 （１） 第１の保護樹脂層５ａは樹脂封止体６よりも外
部からの異物（例えば水分）の侵入を阻止する作用が大
きいので、半導体素子１１が保護される。 （２） 回路基板７上のリード細線１２、１４の接続部
（ワイヤボンディング部分）及び半導体素子１１の上面
は、第１及び第２の保護樹脂層５ａ、５ｂの２つの樹脂
層で被覆されているので、回路基板７への応力の伝達抑
制効果が十分に得られ、基板７上のボンディング部分の
寿命、半導体素子１１の寿命が延びる。 （３） 樹脂封止体６との密着性に優れた第１の保護樹
脂層５ａが、樹脂封止体６との密着性がそれよりも劣る
第２の保護樹脂層５ｂを介して樹脂封止体６と接する部
分を有するので、第１の保護樹脂層５ａと樹脂封止体６
との間の密着力が弱められることとなり、第１の保護樹
脂層５ａが樹脂封止体６の熱収縮に伴って動き、回路基
板７から浮き上がるような現象を防ぎ、リード細線１
２、１４のボンディング部分を保護することができる。 （４） リード細線１２、１４が導出される部分は樹脂
封止体との密着性に優れた第１の保護樹脂層５ａとなっ
ているので、リード細線１２、１４の導出部分に応力集
中が発生せず、この切断が防止される。即ち、従来のシ
リコーンラバーのみで保護樹脂層を形成した場合に生じ
るリード細線１２、１４の切断を防ぐことができる。
利点を有する。 （１） 第１の保護樹脂層５ａは樹脂封止体６よりも外
部からの異物（例えば水分）の侵入を阻止する作用が大
きいので、半導体素子１１が保護される。 （２） 回路基板７上のリード細線１２、１４の接続部
（ワイヤボンディング部分）及び半導体素子１１の上面
は、第１及び第２の保護樹脂層５ａ、５ｂの２つの樹脂
層で被覆されているので、回路基板７への応力の伝達抑
制効果が十分に得られ、基板７上のボンディング部分の
寿命、半導体素子１１の寿命が延びる。 （３） 樹脂封止体６との密着性に優れた第１の保護樹
脂層５ａが、樹脂封止体６との密着性がそれよりも劣る
第２の保護樹脂層５ｂを介して樹脂封止体６と接する部
分を有するので、第１の保護樹脂層５ａと樹脂封止体６
との間の密着力が弱められることとなり、第１の保護樹
脂層５ａが樹脂封止体６の熱収縮に伴って動き、回路基
板７から浮き上がるような現象を防ぎ、リード細線１
２、１４のボンディング部分を保護することができる。 （４） リード細線１２、１４が導出される部分は樹脂
封止体との密着性に優れた第１の保護樹脂層５ａとなっ
ているので、リード細線１２、１４の導出部分に応力集
中が発生せず、この切断が防止される。即ち、従来のシ
リコーンラバーのみで保護樹脂層を形成した場合に生じ
るリード細線１２、１４の切断を防ぐことができる。
【００１５】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、変形が可能なものである。例えば第２の保護樹脂層
５ｂの代りに樹脂封止体６に対する接着力の弱い物質層
即ちリコーンラバー以外の低接着力物質層を設けること
ができる。
く、変形が可能なものである。例えば第２の保護樹脂層
５ｂの代りに樹脂封止体６に対する接着力の弱い物質層
即ちリコーンラバー以外の低接着力物質層を設けること
ができる。
【図１】従来の樹脂封止型電子回路装置を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例に係わる樹脂封止型電子回路装
置を図３のＡ−Ａ線で示す断面図である。
置を図３のＡ−Ａ線で示す断面図である。
【図３】図２の樹脂封止型電子回路装置を示す平面図で
ある。
ある。
１ 放熱基板 ２ トランジスタ ３ 集積回路 ５ａ、５ｂ 第１及び第２の保護樹脂層 ７ 回路基板 １２、１４ リード細線
Claims (3)
- 【請求項１】 放熱性基板と、 前記放熱性基板上に固着された絶縁性回路基板と、 前記回路基板上に固着された半導体素子と、 前記半導体素子と前記回路基板以外の部分とを接続する
ための金属性細線と、 前記半導体素子の特性劣化を生じさせる物質の外部から
の侵入を防ぐために少なくとも前記半導体素子と前記細
線の一部とを被覆するように前記回路基板上に配設され
た第１の保護樹脂層と、 前記細線を被覆しないように前記第１の保護樹脂層の上
に設けられた第２の保護樹脂層と、 前記回路基板と前記第１及び第２の保護樹脂層と前記細
線とを被覆するように前記放熱性基板の少なくとも一方
の主面上に設けられた樹脂封止体とから成り、前記第１
の保護樹脂層の前記樹脂封止体に対する接着力が前記第
２の保護樹脂層の前記樹脂封止体に対する接着力よりも
大きいことを特徴とする樹脂封止型電子回路装置。 - 【請求項２】 前記第２の保護樹脂層は前記第１の保護
樹脂層及び前記樹脂封止体よりも大きな弾性を有してい
ることを特徴とする樹脂封止型電子回路装置。 - 【請求項３】 前記第２の保護樹脂層の代りに前記樹脂
封止体に対する接着力が前記第１の保護樹脂層よりも小
さい低接着力層を設けたことを特徴とする請求項１の樹
脂封止型電子回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6248405A JPH0888298A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 樹脂封止型電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6248405A JPH0888298A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 樹脂封止型電子回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888298A true JPH0888298A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=17177628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6248405A Pending JPH0888298A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 樹脂封止型電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0888298A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006179538A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール |
| US10109549B2 (en) | 2014-12-24 | 2018-10-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and power conversion device using same |
-
1994
- 1994-09-16 JP JP6248405A patent/JPH0888298A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006179538A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール |
| US10109549B2 (en) | 2014-12-24 | 2018-10-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and power conversion device using same |
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