JPH088511A - Ｂｇａパッケージとその製造方法 - Google Patents
Ｂｇａパッケージとその製造方法Info
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- JPH088511A JPH088511A JP6140044A JP14004494A JPH088511A JP H088511 A JPH088511 A JP H088511A JP 6140044 A JP6140044 A JP 6140044A JP 14004494 A JP14004494 A JP 14004494A JP H088511 A JPH088511 A JP H088511A
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- bump
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- bumps
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バンプの高さが高く、かつウエスト形状とす
ることにより、バンプに耐応力性を持たせ、更には、キ
ャリア基板とマザーボードとの間に中間層を設けること
により、バンプの接続付近に発生する熱応力を最低限に
することができるＢＧＡパッケージとその製造方法を提
供する。 【構成】 マザーボード上にキャリア基板を介して電気
装置を実装するＢＧＡパッケージにおいて、マザーボー
ド１４上に金属シートもしくはペースト２３を介して接
合された接続板１６と、この接続板１６に形成されるス
ルーホール１７内に形成されるバンプ１５と、接続板１
６上に金属シートもしくはペースト２３を介して接合さ
れるとともに、バンプ１５にハンダ付けされるキャリア
基板１２とを設け、接続板１６の高さを調節し、バンプ
をウエスト形状に形成してなる。
ることにより、バンプに耐応力性を持たせ、更には、キ
ャリア基板とマザーボードとの間に中間層を設けること
により、バンプの接続付近に発生する熱応力を最低限に
することができるＢＧＡパッケージとその製造方法を提
供する。 【構成】 マザーボード上にキャリア基板を介して電気
装置を実装するＢＧＡパッケージにおいて、マザーボー
ド１４上に金属シートもしくはペースト２３を介して接
合された接続板１６と、この接続板１６に形成されるス
ルーホール１７内に形成されるバンプ１５と、接続板１
６上に金属シートもしくはペースト２３を介して接合さ
れるとともに、バンプ１５にハンダ付けされるキャリア
基板１２とを設け、接続板１６の高さを調節し、バンプ
をウエスト形状に形成してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＢＧＡ（ボール・グリ
ッド・アレイ：Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッ
ケージの構造とその製造方法に関するものである。
ッド・アレイ：Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッ
ケージの構造とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化が進み、電子部
品の高密度実装化が不可欠となってきている。それに伴
い、ＬＳＩ（大規模集積回路装置）がキャリア基板に実
装され、それが更に、マザーボード基板へと実装される
ＢＧＡパッケージが用いられるようになってきている。
品の高密度実装化が不可欠となってきている。それに伴
い、ＬＳＩ（大規模集積回路装置）がキャリア基板に実
装され、それが更に、マザーボード基板へと実装される
ＢＧＡパッケージが用いられるようになってきている。
【０００３】従来、このような分野の技術としては、例
えば、文献（１）１９９３ ＪＡＰＡＮ ＩＥＭＴ Ｓ
ＹＭＰＯＳＩＵＭ ｐｐ４１〜４５、文献（２）「高信
頼度マイクロソルダリング技術」、発行所 工業調査
会、１９９１年１月１１日初版発行、ｐｐ２５０〜２５
３，２７６〜２７７、文献（３）「熱解析システムを利
用したＣＯＧの設計」沖電気研究開発 １９９２年１月
第１５３号 Ｖｏｌ．５９ Ｎｏ．１ ｐｐ７５〜７
８等に記載されるようなものがあった。
えば、文献（１）１９９３ ＪＡＰＡＮ ＩＥＭＴ Ｓ
ＹＭＰＯＳＩＵＭ ｐｐ４１〜４５、文献（２）「高信
頼度マイクロソルダリング技術」、発行所 工業調査
会、１９９１年１月１１日初版発行、ｐｐ２５０〜２５
３，２７６〜２７７、文献（３）「熱解析システムを利
用したＣＯＧの設計」沖電気研究開発 １９９２年１月
第１５３号 Ｖｏｌ．５９ Ｎｏ．１ ｐｐ７５〜７
８等に記載されるようなものがあった。
【０００４】図６は従来のＢＧＡパッケージの説明図で
ある。この図に示すように、ＬＳＩ１はキャリア基板２
へバンプ〔ワイヤボンディングやＴＡＢ（テープ・オー
トメイティド・ボンディングでもよい）〕による接続で
実装され、封止用の樹脂３でコーティングされる。この
キャリア基板２は、更にマザーボード４へ接続するため
に、バンプ５が印刷法もしくはボールバンプ搭載法など
で接続される。この状態でＢＧＡパッケージは完成す
る。
ある。この図に示すように、ＬＳＩ１はキャリア基板２
へバンプ〔ワイヤボンディングやＴＡＢ（テープ・オー
トメイティド・ボンディングでもよい）〕による接続で
実装され、封止用の樹脂３でコーティングされる。この
キャリア基板２は、更にマザーボード４へ接続するため
に、バンプ５が印刷法もしくはボールバンプ搭載法など
で接続される。この状態でＢＧＡパッケージは完成す
る。
【０００５】また、ＬＳＩ１に高発熱ＬＳＩなどを適用
する場合には、このＬＳＩ１裏面に放熱用フィンが接続
されたり、キャリア基板２にサーマルビア等を形成した
りする場合がある。
する場合には、このＬＳＩ１裏面に放熱用フィンが接続
されたり、キャリア基板２にサーマルビア等を形成した
りする場合がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のＢＧＡパッケージ構造では、図７に示すよう
に、キャリア基板２とマザーボード４との間において、
両基板の熱膨張係数（ＴＣＥ）が異なることに起因する
熱応力が発生し、前記バンプ５部分やその接合界面、及
び両基板内部にマイクロクラック６や破壊が起こり、キ
ャリア基板２及びマザーボード４の間の接続部オープン
不良や接触不良により信頼性が劣るといった問題点があ
った。
た従来のＢＧＡパッケージ構造では、図７に示すよう
に、キャリア基板２とマザーボード４との間において、
両基板の熱膨張係数（ＴＣＥ）が異なることに起因する
熱応力が発生し、前記バンプ５部分やその接合界面、及
び両基板内部にマイクロクラック６や破壊が起こり、キ
ャリア基板２及びマザーボード４の間の接続部オープン
不良や接触不良により信頼性が劣るといった問題点があ
った。
【０００７】本発明は、上記問題点を除去し、バンプを
ウエスト形状とすることにより、バンプに耐応力性を持
たせ、更には、キャリア基板とマザーボードとの間に中
間層を設けることにより、バンプの接続付近に発生する
熱応力を最低限にすることができるＢＧＡパッケージと
その製造方法を提供することを目的とする。
ウエスト形状とすることにより、バンプに耐応力性を持
たせ、更には、キャリア基板とマザーボードとの間に中
間層を設けることにより、バンプの接続付近に発生する
熱応力を最低限にすることができるＢＧＡパッケージと
その製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）マザーボード上にキャリア基板を介して電気装置
を実装するＢＧＡパッケージにおいて、マザーボード
（１４）上に金属シートもしくはペースト（２３）を介
して接合される接続板（１６）と、この接続板（１６）
に形成されるスルーホール（１７）内に形成されるバン
プ（１５）と、前記接続板（１６）上に金属シートもし
くはペースト（２３）を介して接合されるとともに、前
記バンプ（１５）にハンダ付けされるキャリア基板（１
２）とを設け、前記接続板（１６）の高さを調節し、バ
ンプをウエスト形状に形成するようにしたものである。
成するために、 （１）マザーボード上にキャリア基板を介して電気装置
を実装するＢＧＡパッケージにおいて、マザーボード
（１４）上に金属シートもしくはペースト（２３）を介
して接合される接続板（１６）と、この接続板（１６）
に形成されるスルーホール（１７）内に形成されるバン
プ（１５）と、前記接続板（１６）上に金属シートもし
くはペースト（２３）を介して接合されるとともに、前
記バンプ（１５）にハンダ付けされるキャリア基板（１
２）とを設け、前記接続板（１６）の高さを調節し、バ
ンプをウエスト形状に形成するようにしたものである。
【０００９】（２）マザーボード上にキャリア基板を介
して電気装置を実装するＢＧＡパッケージの製造方法に
おいて、マザーボード（１４）上に金属シートもしくは
ペースト（２３）を搭載し、接続板（１６）を搭載する
工程と、この接続板（１６）に形成されるスルーホール
（１７）内に柱状金属（１３）を装着する工程と、キャ
リア基板（１２）へ金属シートもしくはペースト（２
３）を搭載し、このキャリア基板（１２）を前記接続板
（１６）上へ載置し、このキャリア基板（１２）上へお
もり（３１）を搭載する工程と、このおもり（３１）を
搭載した状態で、一括リフローする工程とを施すように
したものである。
して電気装置を実装するＢＧＡパッケージの製造方法に
おいて、マザーボード（１４）上に金属シートもしくは
ペースト（２３）を搭載し、接続板（１６）を搭載する
工程と、この接続板（１６）に形成されるスルーホール
（１７）内に柱状金属（１３）を装着する工程と、キャ
リア基板（１２）へ金属シートもしくはペースト（２
３）を搭載し、このキャリア基板（１２）を前記接続板
（１６）上へ載置し、このキャリア基板（１２）上へお
もり（３１）を搭載する工程と、このおもり（３１）を
搭載した状態で、一括リフローする工程とを施すように
したものである。
【００１０】（３）マザーボード上にキャリア基板を介
して電気装置を実装するＢＧＡパッケージにおいて、マ
ザーボード（４４）上に配置されるバンプ保持用Ｂステ
ージ（４６）と、このＢステージ（４６）に形成される
スルーホール（４７）内に形成されるバンプ（４５）
と、このバンプ（４５）にハンダ付けされるキャリア基
板（４２）とを設け、前記Ｂステージ（４６）の高さを
調節し、バンプをウエスト形状に形成するようにしたも
のである。
して電気装置を実装するＢＧＡパッケージにおいて、マ
ザーボード（４４）上に配置されるバンプ保持用Ｂステ
ージ（４６）と、このＢステージ（４６）に形成される
スルーホール（４７）内に形成されるバンプ（４５）
と、このバンプ（４５）にハンダ付けされるキャリア基
板（４２）とを設け、前記Ｂステージ（４６）の高さを
調節し、バンプをウエスト形状に形成するようにしたも
のである。
【００１１】（４）マザーボード上にキャリア基板を介
して電気装置を実装するＢＧＡパッケージの製造方法に
おいて、マザーボード（４４）上にバンプ保持用Ｂステ
ージ（４６）を搭載する工程と、このＢステージ（４
６）に形成されるスルーホール（４７）内に柱状金属
（４３）を装着する工程と、キャリア基板（４２）を前
記Ｂステージ（４６）上へ載置し、このキャリア基板
（４２）上へおもり（５１）を搭載する工程と、このお
もり（５１）を搭載した状態で、一括リフローする工程
とを施すようにしたものである。
して電気装置を実装するＢＧＡパッケージの製造方法に
おいて、マザーボード（４４）上にバンプ保持用Ｂステ
ージ（４６）を搭載する工程と、このＢステージ（４
６）に形成されるスルーホール（４７）内に柱状金属
（４３）を装着する工程と、キャリア基板（４２）を前
記Ｂステージ（４６）上へ載置し、このキャリア基板
（４２）上へおもり（５１）を搭載する工程と、このお
もり（５１）を搭載した状態で、一括リフローする工程
とを施すようにしたものである。
【００１２】（５）マザーボード上にキャリア基板を介
して電気装置を実装するＢＧＡパッケージにおいて、マ
ザーボード（６４）上に配置されるバンプ保持板（６
６）と、このバンプ保持板（６６）に形成されるスルー
ホール（６７）内に形成されるバンプ（６５）と、この
バンプ（６５）にハンダ付けされるキャリア基板（６
２）とを設け、前記バンプ保持板（６６）の高さを調節
し、バンプをウエスト形状に形成するようにしたもので
ある。
して電気装置を実装するＢＧＡパッケージにおいて、マ
ザーボード（６４）上に配置されるバンプ保持板（６
６）と、このバンプ保持板（６６）に形成されるスルー
ホール（６７）内に形成されるバンプ（６５）と、この
バンプ（６５）にハンダ付けされるキャリア基板（６
２）とを設け、前記バンプ保持板（６６）の高さを調節
し、バンプをウエスト形状に形成するようにしたもので
ある。
【００１３】（６）マザーボード上にキャリア基板を介
して電気装置を実装するＢＧＡパッケージの製造方法に
おいて、マザーボード（６４）上にバンプ保持板（６
６）を搭載する工程と、このバンプ保持板（６６）に形
成されるスルーホール（６７）内に柱状金属（６３）を
装着する工程と、キャリア基板（６２）を前記バンプ保
持板（６６）上へ載置し、このキャリア基板（６２）上
へおもり（７１）を搭載する工程と、このおもり（７
１）を搭載した状態で、一括リフローする工程とを施す
ようにしたものである。
して電気装置を実装するＢＧＡパッケージの製造方法に
おいて、マザーボード（６４）上にバンプ保持板（６
６）を搭載する工程と、このバンプ保持板（６６）に形
成されるスルーホール（６７）内に柱状金属（６３）を
装着する工程と、キャリア基板（６２）を前記バンプ保
持板（６６）上へ載置し、このキャリア基板（６２）上
へおもり（７１）を搭載する工程と、このおもり（７
１）を搭載した状態で、一括リフローする工程とを施す
ようにしたものである。
【００１４】
【作用】本発明は、上記したように、キャリア基板とマ
ザーボードの間にバンプ保持用の接続板、Ｂステージ又
はバンプ保持板を挟み込むことにより、バンプの高さ
を、高くし、更に、そのバンプ形状を耐応力性のあるウ
エスト形状にすることができる。つまり、この接続板、
Ｂステージ又はバンプ保持板の高さと、供給バンプ材の
量とにより、バンプの高さを高く、かつ、バンプの形状
をウエスト形状に設定することが可能になり、発生する
熱応力を吸収するべく耐応力性を有する高さの高いウエ
スト形状のバンプを形成し、キャリア基板とマザーボー
ドの間の接続を確実にすることができる。
ザーボードの間にバンプ保持用の接続板、Ｂステージ又
はバンプ保持板を挟み込むことにより、バンプの高さ
を、高くし、更に、そのバンプ形状を耐応力性のあるウ
エスト形状にすることができる。つまり、この接続板、
Ｂステージ又はバンプ保持板の高さと、供給バンプ材の
量とにより、バンプの高さを高く、かつ、バンプの形状
をウエスト形状に設定することが可能になり、発生する
熱応力を吸収するべく耐応力性を有する高さの高いウエ
スト形状のバンプを形成し、キャリア基板とマザーボー
ドの間の接続を確実にすることができる。
【００１５】更に、キャリア基板とマザーボードの間に
挟み込まれた接続板、Ｂステージ又はバンプ保持板をキ
ャリア基板とマザーボードに接続固定することにより、
キャリア基板とマザーボードのＴＣＥ差により、バンプ
に発生する引張方向の熱応力を圧縮方向にし、しかもそ
の最大ストレスの値を小さくすることにより、ＢＧＡパ
ッケージの低応力化を実現することができる。
挟み込まれた接続板、Ｂステージ又はバンプ保持板をキ
ャリア基板とマザーボードに接続固定することにより、
キャリア基板とマザーボードのＴＣＥ差により、バンプ
に発生する引張方向の熱応力を圧縮方向にし、しかもそ
の最大ストレスの値を小さくすることにより、ＢＧＡパ
ッケージの低応力化を実現することができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示す
ＢＧＡパッケージの断面図、図２は図１のＡ部（キャリ
ア基板とマザーボードとの接続部）の拡大断面図であ
る。これらの図に示すように、キャリア基板１２（例え
ば、低温焼成ガラスセラミック基板：ＬＴＣＣ等）へ、
ＬＳＩ（大規模集積回路装置）１１が接続され、キャリ
ア基板１２は接続板１６へ、また、この接続板１６はマ
ザーボード１４（例えば、ガラスエポキシ材など）へ接
続される。
がら詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示す
ＢＧＡパッケージの断面図、図２は図１のＡ部（キャリ
ア基板とマザーボードとの接続部）の拡大断面図であ
る。これらの図に示すように、キャリア基板１２（例え
ば、低温焼成ガラスセラミック基板：ＬＴＣＣ等）へ、
ＬＳＩ（大規模集積回路装置）１１が接続され、キャリ
ア基板１２は接続板１６へ、また、この接続板１６はマ
ザーボード１４（例えば、ガラスエポキシ材など）へ接
続される。
【００１７】キャリア基板１２とマザーボード１４との
電気的接続は、接続板１６に設けられているスルーホー
ル１７内に存在しているバンプ１５（例えば、ハンダ
等）が、両基板に設けられているＩ／Ｏ接続パッド１８
と金属間化合物を生成して結合して行われる。また、キ
ャリア基板１２と接続板１６、及びマザーボード１４と
接続板１６の接続は、バンプ１５と同融点を有する金属
シート／ペースト２３（例えば、ハンダなど）を用いて
行われる。
電気的接続は、接続板１６に設けられているスルーホー
ル１７内に存在しているバンプ１５（例えば、ハンダ
等）が、両基板に設けられているＩ／Ｏ接続パッド１８
と金属間化合物を生成して結合して行われる。また、キ
ャリア基板１２と接続板１６、及びマザーボード１４と
接続板１６の接続は、バンプ１５と同融点を有する金属
シート／ペースト２３（例えば、ハンダなど）を用いて
行われる。
【００１８】図２に示すように、最大熱応力を受けるバ
ンプ１５は、中心より最も距離が遠い四隅のバンプであ
り、その発生方向はキャリア基板１２とマザーボード１
４のＴＣＥ差でＺ軸方向に沿って変位した両者の差分：
δｚが正であるため引張応力となる。この熱応力を圧縮
方向に変化させ、更に、最大応力値を低減するために
は、上記δｚを負にする必要があり、それは接続板１６
のＴＣＥに依存し、その最適値は１６〜３５ｐｐｍ程度
が良い。
ンプ１５は、中心より最も距離が遠い四隅のバンプであ
り、その発生方向はキャリア基板１２とマザーボード１
４のＴＣＥ差でＺ軸方向に沿って変位した両者の差分：
δｚが正であるため引張応力となる。この熱応力を圧縮
方向に変化させ、更に、最大応力値を低減するために
は、上記δｚを負にする必要があり、それは接続板１６
のＴＣＥに依存し、その最適値は１６〜３５ｐｐｍ程度
が良い。
【００１９】また、接続板１６のヤング率も重要なパラ
メータで、その最適値は０．０６〜０．１１×１０４ｋ
ｇ／ｍｍ2 程度が良い。これより、接続板１６に最適な
材料は、そのコスト性や加工性を考慮し、ガラスエポキ
シ材が良い。図３は、本発明の第１実施例を示すＬＳＩ
が接続されたキャリア基板とマザーボードとの接続板の
詳細構成図であり、図３（ａ）はその接続板の部分平面
図、図３（ｂ）は図３（ａ）の右側面の透視図、図３
（ｃ）は接続板のスルーホールに装着される柱状金属を
示す図である。なお、ここでは、図５も参照する。
メータで、その最適値は０．０６〜０．１１×１０４ｋ
ｇ／ｍｍ2 程度が良い。これより、接続板１６に最適な
材料は、そのコスト性や加工性を考慮し、ガラスエポキ
シ材が良い。図３は、本発明の第１実施例を示すＬＳＩ
が接続されたキャリア基板とマザーボードとの接続板の
詳細構成図であり、図３（ａ）はその接続板の部分平面
図、図３（ｂ）は図３（ａ）の右側面の透視図、図３
（ｃ）は接続板のスルーホールに装着される柱状金属を
示す図である。なお、ここでは、図５も参照する。
【００２０】この図において、接続板１６に形成されて
いるスルーホール１７の直径ｄ1 は、溶融後にバンプ１
５となる柱状金属１３（例えば、ハンダ）の直径より一
回り大きくし、また、その上下面にはキャリア基板１２
とマザーボード１４との接続を行うため、薄膜などで金
属膜１９が形成されている。その金属膜１９のパターン
形状は、溶融後の金属シート／ペースト２３とバンプ１
５がショートするのを防止するために、非金属膜部分
（例えば、スルーホール１７と同心円で一回り大きい直
径のパターン）を残したパターン形状とする。
いるスルーホール１７の直径ｄ1 は、溶融後にバンプ１
５となる柱状金属１３（例えば、ハンダ）の直径より一
回り大きくし、また、その上下面にはキャリア基板１２
とマザーボード１４との接続を行うため、薄膜などで金
属膜１９が形成されている。その金属膜１９のパターン
形状は、溶融後の金属シート／ペースト２３とバンプ１
５がショートするのを防止するために、非金属膜部分
（例えば、スルーホール１７と同心円で一回り大きい直
径のパターン）を残したパターン形状とする。
【００２１】更に、キャリア基板１２及びマザーボード
１４との接続板１６の接続面側には、接続板１６の上下
面に形成されている金属膜１９と同形状の金属膜２１が
薄膜または厚膜で形成される。バンプ１５の高さと形状
は、接続板１６の板厚と供給バンプ材の量を調整するこ
とにより高く、かつウエスト形状（鼓形状）に設定する
ことができる。
１４との接続板１６の接続面側には、接続板１６の上下
面に形成されている金属膜１９と同形状の金属膜２１が
薄膜または厚膜で形成される。バンプ１５の高さと形状
は、接続板１６の板厚と供給バンプ材の量を調整するこ
とにより高く、かつウエスト形状（鼓形状）に設定する
ことができる。
【００２２】従来技術で得られるバンプ高さは、バンプ
ピッチによって異なるが、例えば、キャリア基板１２を
マザーボード１４へ実装した状態でのバンプ高さは、バ
ンプピッチ０．６５ｍｍで最大０．３ｍｍ程度、バンプ
ピッチ１．２７ｍｍでも最大０．８ｍｍ程度が限界であ
る。しかしながら、上記した本発明の方法により、１．
０ｍｍ以上の高さを有するバンプ１５が得られる。
ピッチによって異なるが、例えば、キャリア基板１２を
マザーボード１４へ実装した状態でのバンプ高さは、バ
ンプピッチ０．６５ｍｍで最大０．３ｍｍ程度、バンプ
ピッチ１．２７ｍｍでも最大０．８ｍｍ程度が限界であ
る。しかしながら、上記した本発明の方法により、１．
０ｍｍ以上の高さを有するバンプ１５が得られる。
【００２３】図４は本発明の第１実施例のＢＧＡパッケ
ージの製造フローチャートである。 （１）まず、ステップＳ１において、マザーボード上に
接続板を搭載する。 （２）次に、ステップＳ２において、接続板に形成され
たスルーホールへ柱状金属を充填する。 （３）次に、ステップＳ３において、接続板へ充填され
た柱状金属上へキャリア基板を搭載する。
ージの製造フローチャートである。 （１）まず、ステップＳ１において、マザーボード上に
接続板を搭載する。 （２）次に、ステップＳ２において、接続板に形成され
たスルーホールへ柱状金属を充填する。 （３）次に、ステップＳ３において、接続板へ充填され
た柱状金属上へキャリア基板を搭載する。
【００２４】（４）次に、ステップＳ４において、キャ
リア基板上へおもりを搭載する。 （５）次に、ステップＳ５において、一括リフローを行
う。図５はそのＢＧＡパッケージの製造工程断面図であ
り、順次、その製造工程について説明する。 （１）まず、図５（ａ）に示すように、マザーボード１
４に同形状の金属シートもしくはペースト２３（例え
ば、ハンダ等）を搭載し、マザーボード１４上に接続板
１６を搭載する。
リア基板上へおもりを搭載する。 （５）次に、ステップＳ５において、一括リフローを行
う。図５はそのＢＧＡパッケージの製造工程断面図であ
り、順次、その製造工程について説明する。 （１）まず、図５（ａ）に示すように、マザーボード１
４に同形状の金属シートもしくはペースト２３（例え
ば、ハンダ等）を搭載し、マザーボード１４上に接続板
１６を搭載する。
【００２５】（２）次に、図５（ｂ）に示すように、接
続板１６のスルーホール１７内ヘ柱状金属１３（例え
ば、ハンダ等）を搭載する。ここで、１８はＩ／Ｏ接続
パッドである。 （３）次いで、図５（ｃ）に示すように、キャリア基板
１２に形成された金属膜２１か、もしくは接続板１６に
形成された金属膜１９に、それと同形状の金属シートま
たはペースト２３を搭載し、キャリア基板１２を柱状金
属１３の上へ搭載する。その後、キャリア基板１２上に
おもり３１を搭載する。
続板１６のスルーホール１７内ヘ柱状金属１３（例え
ば、ハンダ等）を搭載する。ここで、１８はＩ／Ｏ接続
パッドである。 （３）次いで、図５（ｃ）に示すように、キャリア基板
１２に形成された金属膜２１か、もしくは接続板１６に
形成された金属膜１９に、それと同形状の金属シートま
たはペースト２３を搭載し、キャリア基板１２を柱状金
属１３の上へ搭載する。その後、キャリア基板１２上に
おもり３１を搭載する。
【００２６】（４）次いで、図５（ｄ）に示すように、
一括リフローを行い、キャリア基板１２とマザーボード
１４の接続が完了する。ここで、図２と同様に、高さの
高いウエスト形状のバンプ１５を得ることができる。一
括リフローを行うことで、プロセスの簡易化が図れるこ
とから、柱状金属１３及び金属シートもしくはペースト
２３へ適用する金属材料には、同一融点を有する同一材
料とする。
一括リフローを行い、キャリア基板１２とマザーボード
１４の接続が完了する。ここで、図２と同様に、高さの
高いウエスト形状のバンプ１５を得ることができる。一
括リフローを行うことで、プロセスの簡易化が図れるこ
とから、柱状金属１３及び金属シートもしくはペースト
２３へ適用する金属材料には、同一融点を有する同一材
料とする。
【００２７】この実施例によれば、ＢＧＡパッケージに
おいて、キャリア基板とマザーボードの間で発生する熱
ストレスにより、バンプ及びその接合界面が破壊される
のを防止するため、溶融前の柱状金属を接続板で保持
し、リフローすることにより、バンプの高さを従来技術
では得ることが不可能なバンプ高さにするとともに、バ
ンプの形状をウエスト形状にすることができ、バンプの
耐応力性の向上を図ることができる。
おいて、キャリア基板とマザーボードの間で発生する熱
ストレスにより、バンプ及びその接合界面が破壊される
のを防止するため、溶融前の柱状金属を接続板で保持
し、リフローすることにより、バンプの高さを従来技術
では得ることが不可能なバンプ高さにするとともに、バ
ンプの形状をウエスト形状にすることができ、バンプの
耐応力性の向上を図ることができる。
【００２８】次に、本発明の第２実施例について詳細に
説明する。図８は本発明の第２実施例を示すＢＧＡパッ
ケージの断面図、図９は図８のＡ部（キャリア基板とマ
ザーボードとの接続部）拡大断面図である。なお、ここ
では、図１１も参照する。これらの図に示すように、キ
ャリア基板４２（例えば、低温焼成ガラスセラミック基
板：ＬＴＣＣ等）へ、ＬＳＩ４１が接続され、キャリア
基板４２とマザーボード４４（例えば、ガラスエポキシ
材）は、バンプ４５で電気的接続が行われる。
説明する。図８は本発明の第２実施例を示すＢＧＡパッ
ケージの断面図、図９は図８のＡ部（キャリア基板とマ
ザーボードとの接続部）拡大断面図である。なお、ここ
では、図１１も参照する。これらの図に示すように、キ
ャリア基板４２（例えば、低温焼成ガラスセラミック基
板：ＬＴＣＣ等）へ、ＬＳＩ４１が接続され、キャリア
基板４２とマザーボード４４（例えば、ガラスエポキシ
材）は、バンプ４５で電気的接続が行われる。
【００２９】図９に示すように、キャリア基板４２とマ
ザーボード４４の間には、バンプ保持用Ｂステージ４６
が存在し、バンプ４５（例えば、ハンダ）の高さは、バ
ンプ保持用Ｂステージ４６の板厚に依存し、板厚を厚く
することにより高いバンプ４５、つまり、高さの高いバ
ンプを形成することができる。従来技術で得られるバン
プ高さは、バンプピッチ０．６５ｍｍで、最大０．３ｍ
ｍ程度、バンプピッチ１．２７ｍｍでも最大０．８ｍｍ
程度が限界である。
ザーボード４４の間には、バンプ保持用Ｂステージ４６
が存在し、バンプ４５（例えば、ハンダ）の高さは、バ
ンプ保持用Ｂステージ４６の板厚に依存し、板厚を厚く
することにより高いバンプ４５、つまり、高さの高いバ
ンプを形成することができる。従来技術で得られるバン
プ高さは、バンプピッチ０．６５ｍｍで、最大０．３ｍ
ｍ程度、バンプピッチ１．２７ｍｍでも最大０．８ｍｍ
程度が限界である。
【００３０】しかしながら、上記した本発明の第２実施
例の方法によれば、１．０ｍｍ以上の高さを有するバン
プ４５が得られる。更に、バンプ４５の形状は供給ハン
ダ材の量（例えば、Ｐｂ／Ｓｎ組成の柱状金属４３の体
積）に依存し、その最適形状は相当歪み振幅（εｅｑｍ
ａｘ）が最小となるウエスト形状であり〔上記文献
（２）「高信頼度マイクロソルダリング技術」、２５０
〜２５３，２７６〜２７７頁参照）、ウエスト形状効果
による信頼性の向上が図られる。
例の方法によれば、１．０ｍｍ以上の高さを有するバン
プ４５が得られる。更に、バンプ４５の形状は供給ハン
ダ材の量（例えば、Ｐｂ／Ｓｎ組成の柱状金属４３の体
積）に依存し、その最適形状は相当歪み振幅（εｅｑｍ
ａｘ）が最小となるウエスト形状であり〔上記文献
（２）「高信頼度マイクロソルダリング技術」、２５０
〜２５３，２７６〜２７７頁参照）、ウエスト形状効果
による信頼性の向上が図られる。
【００３１】また、溶融前の柱状金属４３の高さ寸法
は、バンプ保持用Ｂステージ４６の板厚より高くしなけ
ればならず、溶融前の状態で、必ず柱状金属４３とキャ
リア基板４２及びマザーボード４４のＩ／Ｏ接続パッド
４８を接触させる。ここで、Ｂステージとは、オリゴマ
ーが線状に成長し、側鎖が形成されたりしているが、熱
を加えると溶融する熱可塑の段階をいう〔例えば、文献
（４）「高分子新素材 Ｏｎｅ Ｐｏｉｎｔ 耐熱
・絶縁材料」発行所、共立出版株式会社、１９８８年１
月２０日発行、４２〜４６頁参照）。
は、バンプ保持用Ｂステージ４６の板厚より高くしなけ
ればならず、溶融前の状態で、必ず柱状金属４３とキャ
リア基板４２及びマザーボード４４のＩ／Ｏ接続パッド
４８を接触させる。ここで、Ｂステージとは、オリゴマ
ーが線状に成長し、側鎖が形成されたりしているが、熱
を加えると溶融する熱可塑の段階をいう〔例えば、文献
（４）「高分子新素材 Ｏｎｅ Ｐｏｉｎｔ 耐熱
・絶縁材料」発行所、共立出版株式会社、１９８８年１
月２０日発行、４２〜４６頁参照）。
【００３２】図１０は本発明の第２実施例を示すＬＳＩ
が接続されたキャリア基板とマザーボードとのバンプ保
持用Ｂステージの詳細構成図であり、図１０（ａ）はそ
のバンプ保持用Ｂステージの部分平面図、図１０（ｂ）
は図１０（ａ）の右側面の透視図、図１０（ｃ）はバン
プ保持用Ｂステージのスルーホールに装着される柱状金
属を示す図である。
が接続されたキャリア基板とマザーボードとのバンプ保
持用Ｂステージの詳細構成図であり、図１０（ａ）はそ
のバンプ保持用Ｂステージの部分平面図、図１０（ｂ）
は図１０（ａ）の右側面の透視図、図１０（ｃ）はバン
プ保持用Ｂステージのスルーホールに装着される柱状金
属を示す図である。
【００３３】これらの図に示すように、バンプ保持用Ｂ
ステージ４６には、柱状金属４３が挿入されるスルーホ
ール４７（直径ｄ2 ）が形成されている。バンプ保持用
Ｂステージ４６の材質はコスト性や加工性を考慮し、例
えば、エポキシ樹脂を用いる。このように構成すること
により、バンプ保持用Ｂステージ４６はリフロー前は柱
状金属４３を保持し、リフローでＢステージ４６が軟化
及び硬化して、キャリア基板４２とマザーボード４４と
密着し、第１の実施例と同様なバンプに対する低応力効
果を発揮することができる。
ステージ４６には、柱状金属４３が挿入されるスルーホ
ール４７（直径ｄ2 ）が形成されている。バンプ保持用
Ｂステージ４６の材質はコスト性や加工性を考慮し、例
えば、エポキシ樹脂を用いる。このように構成すること
により、バンプ保持用Ｂステージ４６はリフロー前は柱
状金属４３を保持し、リフローでＢステージ４６が軟化
及び硬化して、キャリア基板４２とマザーボード４４と
密着し、第１の実施例と同様なバンプに対する低応力効
果を発揮することができる。
【００３４】図１１は本発明の第２実施例を示すＢＧＡ
パッケージの製造工程断面図であり、図８のＡ部を示し
ている。 （１）まず、図１１（ａ）に示すように、マザーボード
４４の上にＢステージ４６を搭載する。 （２）次に、図１１（ｂ）に示すように、柱状金属４３
をＢステージ４６のスルーホール４７中に充填する。こ
こで、マザーボード４４上のスルーホール４７に対応す
る箇所には、Ｉ／Ｏ接続パッド４８が形成されている。
パッケージの製造工程断面図であり、図８のＡ部を示し
ている。 （１）まず、図１１（ａ）に示すように、マザーボード
４４の上にＢステージ４６を搭載する。 （２）次に、図１１（ｂ）に示すように、柱状金属４３
をＢステージ４６のスルーホール４７中に充填する。こ
こで、マザーボード４４上のスルーホール４７に対応す
る箇所には、Ｉ／Ｏ接続パッド４８が形成されている。
【００３５】（３）次に、図１１（ｃ）に示すように、
ＬＳＩ（図示なし）を接続したキャリア基板４２を、柱
状金属４３上に搭載し、キャリア基板４２上におもり５
１を搭載する。ここで、キャリア基板４２上のスルーホ
ール４７に対応する箇所にはＩ／Ｏ接続パッド４８が形
成されている。 （４）次に、図１１（ｄ）に示すように、一括リフロー
を行い、キャリア基板４２とマザーボード４４の接続が
完了する。
ＬＳＩ（図示なし）を接続したキャリア基板４２を、柱
状金属４３上に搭載し、キャリア基板４２上におもり５
１を搭載する。ここで、キャリア基板４２上のスルーホ
ール４７に対応する箇所にはＩ／Ｏ接続パッド４８が形
成されている。 （４）次に、図１１（ｄ）に示すように、一括リフロー
を行い、キャリア基板４２とマザーボード４４の接続が
完了する。
【００３６】上記のように構成することにより、ＢＧＡ
パッケージにおいて、キャリア基板４２とマザーボード
４４の間で発生する熱ストレスにより、バンプ４５及び
その接合界面が破壊されるのを防止するため、溶融前の
柱状金属４３をＢステージ４６で保持し、リフローする
ことにより、バンプ４５の高さを高くするとともに、バ
ンプ４５の形状をウエスト形状にすることができ、バン
プ４５の耐応力性の向上を図ることができる。
パッケージにおいて、キャリア基板４２とマザーボード
４４の間で発生する熱ストレスにより、バンプ４５及び
その接合界面が破壊されるのを防止するため、溶融前の
柱状金属４３をＢステージ４６で保持し、リフローする
ことにより、バンプ４５の高さを高くするとともに、バ
ンプ４５の形状をウエスト形状にすることができ、バン
プ４５の耐応力性の向上を図ることができる。
【００３７】また、この実施例においては、バンプ保持
用Ｂステージを用いることにより、第１実施例における
ように、接続板の上下基板への接続プロセスが不要なた
め、プロセスが簡易化される。次に、本発明の第３実施
例について詳細に説明する。図１２は本発明の第３実施
例を示すＢＧＡパッケージの断面図である。
用Ｂステージを用いることにより、第１実施例における
ように、接続板の上下基板への接続プロセスが不要なた
め、プロセスが簡易化される。次に、本発明の第３実施
例について詳細に説明する。図１２は本発明の第３実施
例を示すＢＧＡパッケージの断面図である。
【００３８】この図に示すように、キャリア基板６２
（例えば、低温焼成ガラスセラミック基板：ＬＴＣＣ
等）へ、ＬＳＩ（大規模集積回路装置）６１が接続さ
れ、キャリア基板６２はバンプ保持板６６へ、また、バ
ンプ保持板６６はマザーボード６４（例えば、ガラスエ
ポキシ材など）へ接続される。キャリア基板６２とマザ
ーボード６４との電気的接続は、バンプ保持板６６に設
けられているスルーホール６７内に存在しているバンプ
６５（例えば、ハンダ等）が、両基板に設けられている
Ｉ／Ｏ接続パッド６８（図１３参照）と金属間化合物を
生成して結合して行われる。
（例えば、低温焼成ガラスセラミック基板：ＬＴＣＣ
等）へ、ＬＳＩ（大規模集積回路装置）６１が接続さ
れ、キャリア基板６２はバンプ保持板６６へ、また、バ
ンプ保持板６６はマザーボード６４（例えば、ガラスエ
ポキシ材など）へ接続される。キャリア基板６２とマザ
ーボード６４との電気的接続は、バンプ保持板６６に設
けられているスルーホール６７内に存在しているバンプ
６５（例えば、ハンダ等）が、両基板に設けられている
Ｉ／Ｏ接続パッド６８（図１３参照）と金属間化合物を
生成して結合して行われる。
【００３９】このように、キャリア基板６２とマザーボ
ード６４の間にはバンプ保持板６６が存在し、バンプ６
５（例えば、ハンダ）の高さは、バンプ保持板６６の板
厚に依存し、板厚を厚くすることで高いバンプ６５、つ
まり、高さの高いバンプを形成することができる。更
に、バンプ６５の形状は供給ハンダ材の量（例えば、Ｐ
ｂ／Ｓｎ組成の柱状金属６３の体積）に依存し、その最
適形状は、上記実施例と同様に、ウエスト形状である。
ード６４の間にはバンプ保持板６６が存在し、バンプ６
５（例えば、ハンダ）の高さは、バンプ保持板６６の板
厚に依存し、板厚を厚くすることで高いバンプ６５、つ
まり、高さの高いバンプを形成することができる。更
に、バンプ６５の形状は供給ハンダ材の量（例えば、Ｐ
ｂ／Ｓｎ組成の柱状金属６３の体積）に依存し、その最
適形状は、上記実施例と同様に、ウエスト形状である。
【００４０】図１３は本発明の第３実施例のＢＧＡパッ
ケージの製造工程断面図であり、図１２のＡ部を示して
いる。 （１）まず、図１３（ａ）に示すように、マザーボード
６４の上にバンプ保持板６６を搭載する。 （２）次に、図１３（ｂ）に示すように、柱状金属６３
をバンプ保持板６６のスルーホール６７中に充填する。
ここで、マザーボード６４上のスルーホール６７に対応
する箇所には、Ｉ／Ｏ接続パッド６８が形成されてい
る。
ケージの製造工程断面図であり、図１２のＡ部を示して
いる。 （１）まず、図１３（ａ）に示すように、マザーボード
６４の上にバンプ保持板６６を搭載する。 （２）次に、図１３（ｂ）に示すように、柱状金属６３
をバンプ保持板６６のスルーホール６７中に充填する。
ここで、マザーボード６４上のスルーホール６７に対応
する箇所には、Ｉ／Ｏ接続パッド６８が形成されてい
る。
【００４１】（３）次に、図１３（ｃ）に示すように、
ＬＳＩ（図示なし）を接続したキャリア基板６２を柱状
金属６３上に搭載し、キャリア基板６２上におもり７１
を搭載する。ここで、キャリア基板６２上のスルーホー
ル６７に対応する箇所にはＩ／Ｏ接続パッド６８が形成
されている。 （４）次に、図１３（ｄ）に示すように、一括リフロー
を行い、キャリア基板６２とマザーボード６４の接続が
完了する。
ＬＳＩ（図示なし）を接続したキャリア基板６２を柱状
金属６３上に搭載し、キャリア基板６２上におもり７１
を搭載する。ここで、キャリア基板６２上のスルーホー
ル６７に対応する箇所にはＩ／Ｏ接続パッド６８が形成
されている。 （４）次に、図１３（ｄ）に示すように、一括リフロー
を行い、キャリア基板６２とマザーボード６４の接続が
完了する。
【００４２】上記のように構成することにより、ＢＧＡ
パッケージにおいて、キャリア基板６２とマザーボード
６４の間で発生する熱ストレスにより、バンプ６５及び
その接合界面が破壊されるのを防止するため、溶融前の
柱状金属６３をバンプ保持板６６で保持し、リフローす
ることにより、バンプ６５の高さを高くするとともに、
バンプ６５の形状をウエスト形状にすることができ、バ
ンプ６５の耐応力性の向上を図ることができる。
パッケージにおいて、キャリア基板６２とマザーボード
６４の間で発生する熱ストレスにより、バンプ６５及び
その接合界面が破壊されるのを防止するため、溶融前の
柱状金属６３をバンプ保持板６６で保持し、リフローす
ることにより、バンプ６５の高さを高くするとともに、
バンプ６５の形状をウエスト形状にすることができ、バ
ンプ６５の耐応力性の向上を図ることができる。
【００４３】図１４は本発明の第２実施例と第３実施例
をまとめたＢＧＡパッケージの製造フローチャートであ
る。 （１）まず、ステップＳ１１において、マザーボード上
に、バンプ保持用Ｂステージ又はバンプ保持板を搭載す
る。 （２）次に、ステップＳ１２において、バンプ保持用Ｂ
ステージ又はバンプ保持板のスルーホールへ柱状金属を
充填する。
をまとめたＢＧＡパッケージの製造フローチャートであ
る。 （１）まず、ステップＳ１１において、マザーボード上
に、バンプ保持用Ｂステージ又はバンプ保持板を搭載す
る。 （２）次に、ステップＳ１２において、バンプ保持用Ｂ
ステージ又はバンプ保持板のスルーホールへ柱状金属を
充填する。
【００４４】（３）次に、ステップＳ１３において、バ
ンプ保持用Ｂステージ又はバンプ保持板へ充填された柱
状金属上へキャリア基板を搭載する。 （４）次に、ステップＳ１４において、キャリア基板上
へおもりを搭載する。 （５）次に、ステップＳ５において、一括リフローを行
う。 この実施例によれば、バンプの耐応力性の向上を図るこ
とができるとともに、第１実施例のような接続板の上下
基板への接続プロセスを省略することができ、コストダ
ウンを図ることができる。
ンプ保持用Ｂステージ又はバンプ保持板へ充填された柱
状金属上へキャリア基板を搭載する。 （４）次に、ステップＳ１４において、キャリア基板上
へおもりを搭載する。 （５）次に、ステップＳ５において、一括リフローを行
う。 この実施例によれば、バンプの耐応力性の向上を図るこ
とができるとともに、第１実施例のような接続板の上下
基板への接続プロセスを省略することができ、コストダ
ウンを図ることができる。
【００４５】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００４６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。請求
項１又は２記載の発明によれば、ＢＧＡパッケージにお
いて、キャリア基板とマザーボードの間で発生する熱ス
トレスにより、バンプ及びその接合界面が破壊されるの
を防止するため、溶融前の柱状金属を接続板で保持し、
リフローすることにより、バンプの高さを高くするとと
もに、バンプの形状をウエスト形状にすることができ、
バンプの耐応力性の向上を図ることができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。請求
項１又は２記載の発明によれば、ＢＧＡパッケージにお
いて、キャリア基板とマザーボードの間で発生する熱ス
トレスにより、バンプ及びその接合界面が破壊されるの
を防止するため、溶融前の柱状金属を接続板で保持し、
リフローすることにより、バンプの高さを高くするとと
もに、バンプの形状をウエスト形状にすることができ、
バンプの耐応力性の向上を図ることができる。
【００４７】更に、接続板をキャリア基板とマザーボー
ド間へ接合することにより、接続板がバンプに作用する
熱応力を低減し、低応力なＢＧＡパッケージ構造とする
ことができる。請求項３又は４記載の発明によれば、上
記のように、バンプの耐応力性の向上を図ることができ
るとともに、上記発明のような接続板の上下基板への接
続プロセスが不要なためプロセスが簡易化され、コスト
ダウンを図ることができる。
ド間へ接合することにより、接続板がバンプに作用する
熱応力を低減し、低応力なＢＧＡパッケージ構造とする
ことができる。請求項３又は４記載の発明によれば、上
記のように、バンプの耐応力性の向上を図ることができ
るとともに、上記発明のような接続板の上下基板への接
続プロセスが不要なためプロセスが簡易化され、コスト
ダウンを図ることができる。
【００４８】請求項５又は６記載の発明によれば、上記
のように、バンプの耐応力性の向上を図ることができる
とともに、請求項１又は２記載の発明のような、接続板
の上下基板への接続プロセスを省略することができ、コ
ストダウンを図ることができる。
のように、バンプの耐応力性の向上を図ることができる
とともに、請求項１又は２記載の発明のような、接続板
の上下基板への接続プロセスを省略することができ、コ
ストダウンを図ることができる。
【図１】本発明の第１実施例を示すＢＧＡパッケージの
断面図である。
断面図である。
【図２】図１のＡ部（キャリア基板とマザーボードとの
接続部）拡大断面図である。
接続部）拡大断面図である。
【図３】本発明の第１実施例を示すＬＳＩが接続された
キャリア基板とマザーボードとの接続板の詳細構成図で
ある。
キャリア基板とマザーボードとの接続板の詳細構成図で
ある。
【図４】本発明の第１実施例のＢＧＡパッケージの製造
フローチャートである。
フローチャートである。
【図５】本発明の第１実施例のＢＧＡパッケージの製造
工程断面図である。
工程断面図である。
【図６】従来のＢＧＡパッケージの説明図である。
【図７】従来技術の問題点の説明図である。
【図８】本発明の第２実施例を示すＢＧＡパッケージの
断面図である。
断面図である。
【図９】図８のＡ部（キャリア基板とマザーボードとの
接続部）拡大断面図である。
接続部）拡大断面図である。
【図１０】本発明の第２実施例を示すＬＳＩが接続され
たキャリア基板とマザーボードとのバンプ保持用Ｂステ
ージの詳細構成図である。
たキャリア基板とマザーボードとのバンプ保持用Ｂステ
ージの詳細構成図である。
【図１１】本発明の第２実施例を示すＢＧＡパッケージ
の製造工程断面図である。
の製造工程断面図である。
【図１２】本発明の第３実施例を示すＢＧＡパッケージ
の断面図である。
の断面図である。
【図１３】本発明の第３実施例のＢＧＡパッケージの製
造工程断面図である。
造工程断面図である。
【図１４】本発明の第２実施例と第３実施例をまとめた
ＢＧＡパッケージの製造フローチャートである。
ＢＧＡパッケージの製造フローチャートである。
【符号の説明】 １１，４１，６１ ＬＳＩ １２，４２，６２ キャリア基板 １３，４３，６３ 柱状金属 １４，４４，６４ マザーボード １５，４５，６５ バンプ １６ 接続板 １７，４７，６７ スルーホール １８，４８，６８ Ｉ／Ｏ接続パッド １９，２１ 金属膜 ２３ 金属シート／ペースト ３１，５１，７１ おもり ４６ バンプ保持用Ｂステージ ６６ バンプ保持板
Claims (6)
- 【請求項１】 マザーボード上にキャリア基板を介して
電気装置を実装するＢＧＡパッケージにおいて、（ａ）
マザーボード上に金属シートもしくはペーストを介して
接合される接続板と、（ｂ）該接続板に形成されるスル
ーホール内に形成されるバンプと、（ｃ）前記接続板上
に金属シートもしくはペーストを介して接合されるとと
もに、前記バンプにハンダ付けされるキャリア基板とを
設け、（ｄ）前記接続板の高さを調節し、バンプをウエ
スト形状に形成してなるＢＧＡパッケージ。 - 【請求項２】 マザーボード上にキャリア基板を介して
電気装置を実装するＢＧＡパッケージの製造方法におい
て、（ａ）マザーボード上に金属シートもしくはペース
トを搭載し、接続板を搭載する工程と、（ｂ）該接続板
に形成されるスルーホール内に柱状金属を装着する工程
と、（ｃ）キャリア基板へ金属シートもしくはペースト
を搭載し、該キャリア基板を前記接続板上へ載置し、該
キャリア基板上へおもりを搭載する工程と、（ｄ）該お
もりを搭載した状態で、一括リフローする工程とを施す
ことを特徴とするＢＧＡパッケージの製造方法。 - 【請求項３】 マザーボード上にキャリア基板を介して
電気装置を実装するＢＧＡパッケージにおいて、（ａ）
マザーボード上に配置されるバンプ保持用Ｂステージ
と、（ｂ）該Ｂステージに形成されるスルーホール内に
形成されるバンプと、（ｃ）該バンプにハンダ付けされ
るキャリア基板とを設け、（ｄ）前記Ｂステージの高さ
を調節し、バンプをウエスト形状に形成してなるＢＧＡ
パッケージ。 - 【請求項４】 マザーボード上にキャリア基板を介して
電気装置を実装するＢＧＡパッケージの製造方法におい
て、（ａ）マザーボード上にバンプ保持用Ｂステージを
搭載する工程と、（ｂ）該Ｂステージに形成されるスル
ーホール内に柱状金属を装着する工程と、（ｃ）キャリ
ア基板を前記Ｂステージ上へ載置し、該キャリア基板上
へおもりを搭載する工程と、（ｄ）該おもりを搭載した
状態で、一括リフローする工程とを施すことを特徴とす
るＢＧＡパッケージの製造方法。 - 【請求項５】 マザーボード上にキャリア基板を介して
電気装置を実装するＢＧＡパッケージにおいて、（ａ）
マザーボード上に配置されるバンプ保持板と、（ｂ）該
バンプ保持板に形成されるスルーホール内に形成される
バンプと、（ｃ）該バンプにハンダ付けされるキャリア
基板とを設け、（ｄ）前記バンプ保持板の高さを調節
し、バンプをウエスト形状に形成してなるＢＧＡパッケ
ージ。 - 【請求項６】 マザーボード上にキャリア基板を介して
電気装置を実装するＢＧＡパッケージの製造方法におい
て、（ａ）マザーボード上にバンプ保持板を搭載する工
程と、（ｂ）該バンプ保持板に形成されるスルーホール
内に柱状金属を装着する工程と、（ｃ）キャリア基板を
前記バンプ保持板上へ載置し、該キャリア基板上へおも
りを搭載する工程と、（ｄ）該おもりを搭載した状態
で、一括リフローする工程とを施すことを特徴とするＢ
ＧＡパッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6140044A JPH088511A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | Ｂｇａパッケージとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6140044A JPH088511A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | Ｂｇａパッケージとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088511A true JPH088511A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15259679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6140044A Withdrawn JPH088511A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | Ｂｇａパッケージとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088511A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100339178B1 (ko) * | 1998-04-28 | 2002-05-31 | 포만 제프리 엘 | 전자 패키지, 전자 시스템 및 전자 부품 접속 방법 |
| US7247508B2 (en) | 2001-04-25 | 2007-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device with intermediate connector |
-
1994
- 1994-06-22 JP JP6140044A patent/JPH088511A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100339178B1 (ko) * | 1998-04-28 | 2002-05-31 | 포만 제프리 엘 | 전자 패키지, 전자 시스템 및 전자 부품 접속 방법 |
| US7247508B2 (en) | 2001-04-25 | 2007-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device with intermediate connector |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |