JPH0883990A - 熱伝導素子及びこれを用いた放熱構造 - Google Patents
熱伝導素子及びこれを用いた放熱構造Info
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- JPH0883990A JPH0883990A JP6216296A JP21629694A JPH0883990A JP H0883990 A JPH0883990 A JP H0883990A JP 6216296 A JP6216296 A JP 6216296A JP 21629694 A JP21629694 A JP 21629694A JP H0883990 A JPH0883990 A JP H0883990A
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】ＩＣなどがマウントされている基盤のハンダに
クラックを発生させることがなく携帯の際の低温火傷の
おそれもない放熱効果に優れた薄型情報処理機器を提供
する。 【構成】支持部材２の少なくとも一面にゴム状弾性体部
を当接してなる熱伝導素子１であって、当該支持部材２
の熱伝導率が100 ×10-3（cal ／cm・sec ・℃）以上、
ゴム状弾性体部３の熱伝導率が１〜５×10-3（cal ／cm
・sec ・℃）、針入度が10〜80（mm×10）である熱伝導
素子及び熱伝導素子の一方ゴム状弾性体部３が熱発生源
の天面に密着し、他方は情報処理機器の入力操作凹部配
列パネルの裏面側の金属シャーシに密着していることを
特徴とする薄型情報処理機器の熱発生源から発生する熱
の放熱構造。
クラックを発生させることがなく携帯の際の低温火傷の
おそれもない放熱効果に優れた薄型情報処理機器を提供
する。 【構成】支持部材２の少なくとも一面にゴム状弾性体部
を当接してなる熱伝導素子１であって、当該支持部材２
の熱伝導率が100 ×10-3（cal ／cm・sec ・℃）以上、
ゴム状弾性体部３の熱伝導率が１〜５×10-3（cal ／cm
・sec ・℃）、針入度が10〜80（mm×10）である熱伝導
素子及び熱伝導素子の一方ゴム状弾性体部３が熱発生源
の天面に密着し、他方は情報処理機器の入力操作凹部配
列パネルの裏面側の金属シャーシに密着していることを
特徴とする薄型情報処理機器の熱発生源から発生する熱
の放熱構造。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピューター、ワー
ドプロセッサー、特には携帯用などの薄型情報処理機
器、例えばノート型やラップトップ型のパーソナルコン
ピューター、電子手帳等に使用されるＩＣ、ＬＳＩ、Ｃ
ＰＵなどの消費電力が２Ｗ以上の機器に利用される熱伝
導素子に関する。
ドプロセッサー、特には携帯用などの薄型情報処理機
器、例えばノート型やラップトップ型のパーソナルコン
ピューター、電子手帳等に使用されるＩＣ、ＬＳＩ、Ｃ
ＰＵなどの消費電力が２Ｗ以上の機器に利用される熱伝
導素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピューターに代表される情報処理機
器に用いられるＩＣ、ＬＳＩ、ＣＰＵなどは長時間の使
用により、８０℃以上に発熱するが、８５℃を越えてし
まうと誤動作の原因となったり、ＩＣなどそれ自体が破
壊されるおそれがある。大型情報処理機器の場合は、Ｉ
Ｃなどの熱は図１６に示すように充分な放熱能力を有す
るラジエーター状のヒートシンクより外部に放熱される
が、ノート型パーソナルコンピューターに代表される携
帯用情報処理機器には取付けスペースの制約上、ラジエ
ーター状のヒートシンクは設けることができない。この
ため従来は特に放熱機構は設けないか、例えば図１７に
示すように金属板と弾性体からなる放熱機器をＩＣをマ
ウントさせる基板に備えたＩＣソケットが用いられてい
た。
器に用いられるＩＣ、ＬＳＩ、ＣＰＵなどは長時間の使
用により、８０℃以上に発熱するが、８５℃を越えてし
まうと誤動作の原因となったり、ＩＣなどそれ自体が破
壊されるおそれがある。大型情報処理機器の場合は、Ｉ
Ｃなどの熱は図１６に示すように充分な放熱能力を有す
るラジエーター状のヒートシンクより外部に放熱される
が、ノート型パーソナルコンピューターに代表される携
帯用情報処理機器には取付けスペースの制約上、ラジエ
ーター状のヒートシンクは設けることができない。この
ため従来は特に放熱機構は設けないか、例えば図１７に
示すように金属板と弾性体からなる放熱機器をＩＣをマ
ウントさせる基板に備えたＩＣソケットが用いられてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、薄型情報処理機
器の高速処理化、高メモリー化が要求され、ＩＣ、ＬＳ
Ｉ、ＣＰＵの消費電力が２Ｗ以上の薄型情報処理機器が
望まれるようになったが、これに放熱機構を設けないと
ＩＣなどの誤動作を引き起こしたり、移動するために薄
型情報処理機器の底面を持った時に低温火傷を負うなど
の不都合が生じる。また、従来使用されているようなＩ
Ｃソケットを用いた場合、 基盤の熱膨張に伴い、ＩＣな
どを固定しているハンダにクラックが発生したり、ＩＣ
ソケットとＩＣのピッチが合わなくなるなどの問題があ
った。さらに、ＩＣソケットを基盤に装着する際にＩＣ
ソケットのピンが曲がるという問題もあった。
器の高速処理化、高メモリー化が要求され、ＩＣ、ＬＳ
Ｉ、ＣＰＵの消費電力が２Ｗ以上の薄型情報処理機器が
望まれるようになったが、これに放熱機構を設けないと
ＩＣなどの誤動作を引き起こしたり、移動するために薄
型情報処理機器の底面を持った時に低温火傷を負うなど
の不都合が生じる。また、従来使用されているようなＩ
Ｃソケットを用いた場合、 基盤の熱膨張に伴い、ＩＣな
どを固定しているハンダにクラックが発生したり、ＩＣ
ソケットとＩＣのピッチが合わなくなるなどの問題があ
った。さらに、ＩＣソケットを基盤に装着する際にＩＣ
ソケットのピンが曲がるという問題もあった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するもので、その要旨は支持部材の少なくとも一面にゴ
ム状弾性体部を当接してなる熱伝導素子であって、当該
支持部材の熱伝導率が100 ×10-3（cal ／cm・ sec・
℃）以上、ゴム状弾性体部の熱伝導率が１〜５×10
-3（cal ／cm・ sec・℃）、針入度が10〜80（mm×10：
即ち実測値の１０倍の数値で表す）である熱伝導素子に
ある。
するもので、その要旨は支持部材の少なくとも一面にゴ
ム状弾性体部を当接してなる熱伝導素子であって、当該
支持部材の熱伝導率が100 ×10-3（cal ／cm・ sec・
℃）以上、ゴム状弾性体部の熱伝導率が１〜５×10
-3（cal ／cm・ sec・℃）、針入度が10〜80（mm×10：
即ち実測値の１０倍の数値で表す）である熱伝導素子に
ある。
【０００５】また、本発明は熱伝導素子の一面を薄型情
報処理機器の熱発生源に直接密着させ、他面を入力操作
凸部、つまりキートップ部などが配列しているパネルの
裏面側に設けられた金属シャーシーに密着させ、この金
属シャーシーを経路として放熱を行う放熱構造を提供す
るものである。
報処理機器の熱発生源に直接密着させ、他面を入力操作
凸部、つまりキートップ部などが配列しているパネルの
裏面側に設けられた金属シャーシーに密着させ、この金
属シャーシーを経路として放熱を行う放熱構造を提供す
るものである。
【０００６】以下、本発明の熱伝導素子について説明す
る。本発明は薄型情報処理機器に極めて有効に利用され
るが、それのみに限定されるものではなく、従来のよう
な大型情報処理機器に利用しても問題は生じない。薄型
情報処理機器の熱発生源としてはＩＣ、ＬＳＩ、ＣＰＵ
などがあるがそれに限らず、熱発生を抑えたい部品や部
位に密着させて使用することもできる。金属シャーシー
の具体的材質例としてはアルミニウム、銅などが一般的
ではあるが、熱伝導率が100 ×10-3（cal ／cm・ sec・
℃）の金属であれば特に限定されるものではない。した
がって腐食性、高耐久性、重さ、価格などマウントの条
件を考慮し、任意に選択すればよい。
る。本発明は薄型情報処理機器に極めて有効に利用され
るが、それのみに限定されるものではなく、従来のよう
な大型情報処理機器に利用しても問題は生じない。薄型
情報処理機器の熱発生源としてはＩＣ、ＬＳＩ、ＣＰＵ
などがあるがそれに限らず、熱発生を抑えたい部品や部
位に密着させて使用することもできる。金属シャーシー
の具体的材質例としてはアルミニウム、銅などが一般的
ではあるが、熱伝導率が100 ×10-3（cal ／cm・ sec・
℃）の金属であれば特に限定されるものではない。した
がって腐食性、高耐久性、重さ、価格などマウントの条
件を考慮し、任意に選択すればよい。
【０００７】次に本発明の熱伝導素子について添付図面
を基に詳細に説明する。本発明の熱伝導素子１には、図
１に示すように支持部材２をゴム状弾性体部３（ここで
のゴム状弾性体とは粘弾性を有するゲル層もしくはゲル
体を含むゴム層、非粘着性のゴム層で針入度が10〜80
（mm×10）のものを総称する。）が挟持する状態に当接
したタイプのものや、図２に示すようにゴム状弾性体部
３が支持部材２の片面のみに設けられたタイプ、さらに
は図３に示すようにゴム状弾性体部３が支持部材２を全
面被覆したタイプのものがある。
を基に詳細に説明する。本発明の熱伝導素子１には、図
１に示すように支持部材２をゴム状弾性体部３（ここで
のゴム状弾性体とは粘弾性を有するゲル層もしくはゲル
体を含むゴム層、非粘着性のゴム層で針入度が10〜80
（mm×10）のものを総称する。）が挟持する状態に当接
したタイプのものや、図２に示すようにゴム状弾性体部
３が支持部材２の片面のみに設けられたタイプ、さらに
は図３に示すようにゴム状弾性体部３が支持部材２を全
面被覆したタイプのものがある。
【０００８】これは、ゴム状弾性体の作用により、熱発
生源及び放熱経路に熱伝導素子が確実に密着するためで
ある。なお熱伝導素子の形状は、薄型情報処理機器内の
熱発生源と放熱経路の配置にあわせて、製品設計された
ものであればよい。具体例として支持部材をゴム状弾性
体部が支持する状態に当接したタイプを示すと例えば図
４に示す円形のものや図５に示す四角形のものが挙げら
れる。これらは支持部材２をゴム状弾性体部３が完全被
覆したタイプのものや支持部材２の片面のみにゴム状弾
性体部３が設けられたものであってもよい。このほか形
状について制約はなく多角形や楕円の積層体を用いても
よいし、熱発生源の形状に合わせたタイプのものでもよ
い。
生源及び放熱経路に熱伝導素子が確実に密着するためで
ある。なお熱伝導素子の形状は、薄型情報処理機器内の
熱発生源と放熱経路の配置にあわせて、製品設計された
ものであればよい。具体例として支持部材をゴム状弾性
体部が支持する状態に当接したタイプを示すと例えば図
４に示す円形のものや図５に示す四角形のものが挙げら
れる。これらは支持部材２をゴム状弾性体部３が完全被
覆したタイプのものや支持部材２の片面のみにゴム状弾
性体部３が設けられたものであってもよい。このほか形
状について制約はなく多角形や楕円の積層体を用いても
よいし、熱発生源の形状に合わせたタイプのものでもよ
い。
【０００９】支持部材とゴム状弾性体部の厚みは同一で
ある必要はなく、熱伝導率の高い支持部材の部分を厚く
するなど支持部材部分の容積を大きくし、ゴム状弾性体
部の厚みを薄くすると熱伝導率が低下しにくいので好ま
しい。ゴム状弾性体部が支持部材を挟持するタイプの場
合は、ゴム状弾性体部と支持部材の形状、サイズを等し
くする必要はないが、ゴム状弾性体部が支持部材に比べ
て同一もしくは大きいことが、熱伝導の効率の面から望
ましい。また、消費電力が２Ｗを越えるＩＣなどには、
通常それ自体に金属放熱部が天面に設けられているが、
できるだけその金属放熱部より大きい熱伝導素子を用い
ることが好ましい。なお、熱伝導素子の支持部材は必ず
しもひとつである必要はなく、図６のようにゴム状弾性
体部３と支持部材２が交互に積層し、５層以上の積層体
となったものでもよい。
ある必要はなく、熱伝導率の高い支持部材の部分を厚く
するなど支持部材部分の容積を大きくし、ゴム状弾性体
部の厚みを薄くすると熱伝導率が低下しにくいので好ま
しい。ゴム状弾性体部が支持部材を挟持するタイプの場
合は、ゴム状弾性体部と支持部材の形状、サイズを等し
くする必要はないが、ゴム状弾性体部が支持部材に比べ
て同一もしくは大きいことが、熱伝導の効率の面から望
ましい。また、消費電力が２Ｗを越えるＩＣなどには、
通常それ自体に金属放熱部が天面に設けられているが、
できるだけその金属放熱部より大きい熱伝導素子を用い
ることが好ましい。なお、熱伝導素子の支持部材は必ず
しもひとつである必要はなく、図６のようにゴム状弾性
体部３と支持部材２が交互に積層し、５層以上の積層体
となったものでもよい。
【００１０】ＩＣなどの熱発生源の形状は通常、四角形
であり、大きさは様々であるが、最大でも50mm×50mm、
平均的には30mm×30mmのものが用いられている。これら
の熱発生源の熱を８０℃以下、より好ましくは６０℃以
下に抑えるには、できるだけ熱伝導のよい材質で熱伝導
素子を構成することが望ましい。
であり、大きさは様々であるが、最大でも50mm×50mm、
平均的には30mm×30mmのものが用いられている。これら
の熱発生源の熱を８０℃以下、より好ましくは６０℃以
下に抑えるには、できるだけ熱伝導のよい材質で熱伝導
素子を構成することが望ましい。
【００１１】熱伝導素子を熱発生源天面と情報処理機器
の入力操作凸部配列パネルの裏面側の金属シャーシーの
間に設ける場合、これが剛性の支持部材のみで形成しよ
うとしても加工精度のばらつきで熱発生源天面及び、金
属シャーシーとの密着性が確実ではない。そこで本発明
の熱伝導素子を、熱伝導率の優れた支持部材の少なくと
も一面にゴム状弾性体部を当接して、図７に示すように
熱発生源であるＩＣ４の天面と金属シャーシー５の間に
放熱構造を設けるものとした。
の入力操作凸部配列パネルの裏面側の金属シャーシーの
間に設ける場合、これが剛性の支持部材のみで形成しよ
うとしても加工精度のばらつきで熱発生源天面及び、金
属シャーシーとの密着性が確実ではない。そこで本発明
の熱伝導素子を、熱伝導率の優れた支持部材の少なくと
も一面にゴム状弾性体部を当接して、図７に示すように
熱発生源であるＩＣ４の天面と金属シャーシー５の間に
放熱構造を設けるものとした。
【００１２】ゴム状弾性体部は、各部品の寸法公差、組
立て時に生じる高さや傾きのバラツキの吸収、ＩＣ等熱
発生源自体の発熱時の熱膨張により生じるリードピンハ
ンダ付け箇所への応力の吸収や熱発生源天面及び、金属
シャーシーに対する密着性の確保の点から、ゴム状弾性
体部の少なくとも一部は針入度［JIS K2220 の測定法
で、１／４コーンの先端を使用］が10〜80（mm×10）の
ものでなければならない。ただし、このような条件を満
たすものであっても熱伝導が全く行われないものでは熱
伝導素子としては不適であるし、難燃性のものでなけれ
ば火災などを起こす危険もあるため、例えば、アルミナ
粉末や窒化ホウ素粉末、酸化チタン粉末などを適宜、ゴ
ム状弾性体中に配合して用いれば熱伝導性も高まり、難
燃性も増すことから好ましい。これらを用いればゲル層
の針入度が10〜80（mm×10）の範囲では１〜５×10
-3（cal ／cm・sec ・℃）のものとなり、難燃性もUL94
V-0 規格に適合するものとなる。
立て時に生じる高さや傾きのバラツキの吸収、ＩＣ等熱
発生源自体の発熱時の熱膨張により生じるリードピンハ
ンダ付け箇所への応力の吸収や熱発生源天面及び、金属
シャーシーに対する密着性の確保の点から、ゴム状弾性
体部の少なくとも一部は針入度［JIS K2220 の測定法
で、１／４コーンの先端を使用］が10〜80（mm×10）の
ものでなければならない。ただし、このような条件を満
たすものであっても熱伝導が全く行われないものでは熱
伝導素子としては不適であるし、難燃性のものでなけれ
ば火災などを起こす危険もあるため、例えば、アルミナ
粉末や窒化ホウ素粉末、酸化チタン粉末などを適宜、ゴ
ム状弾性体中に配合して用いれば熱伝導性も高まり、難
燃性も増すことから好ましい。これらを用いればゲル層
の針入度が10〜80（mm×10）の範囲では１〜５×10
-3（cal ／cm・sec ・℃）のものとなり、難燃性もUL94
V-0 規格に適合するものとなる。
【００１３】ゴム状弾性体部の主材料としてはシリコー
ンゲル体やポリエチレンゲル体などから選択すれば良い
が、ゴム状弾性体中では高熱伝導率と耐熱性にも優れた
シリコーンゲル体を用いることが好ましい。
ンゲル体やポリエチレンゲル体などから選択すれば良い
が、ゴム状弾性体中では高熱伝導率と耐熱性にも優れた
シリコーンゲル体を用いることが好ましい。
【００１４】支持部材を両面からゴム状弾性体部で挟持
するタイプのものではそれぞれのゴム状弾性体部層を物
性（硬度・粘着性等）の異なったものとしてもよく、そ
れにより、熱発生源天面もしくは金属シャーシーに対し
て最適な密着性を確保できる。
するタイプのものではそれぞれのゴム状弾性体部層を物
性（硬度・粘着性等）の異なったものとしてもよく、そ
れにより、熱発生源天面もしくは金属シャーシーに対し
て最適な密着性を確保できる。
【００１５】また、本発明の他の形態としては、図８に
示すように、ゴム状弾性体部３が、熱伝導率１〜５×10
-3（cal ／cm・sec ・℃）、針入度10〜80（mm×10）、
好ましくは60〜80（mm×10）であるシリコーンゲル体
を、熱伝導率１〜５×10-3（cal ／cm・sec ・℃）でシ
ョアＡ硬度20〜80度であるシリコーンゲル薄膜を積層も
しくは被覆させてなるもので、当該シリコーンゲル体あ
るいはシリコーンゴム薄膜のいずれか一方は１〜20mol
％のフェニルメチルシロキサン単位又はジフェニル単位
を導入したオルガノポリシロキサンであり、他方はそれ
ら以外のオルガノポリシキロサンであることが好まし
い。
示すように、ゴム状弾性体部３が、熱伝導率１〜５×10
-3（cal ／cm・sec ・℃）、針入度10〜80（mm×10）、
好ましくは60〜80（mm×10）であるシリコーンゲル体
を、熱伝導率１〜５×10-3（cal ／cm・sec ・℃）でシ
ョアＡ硬度20〜80度であるシリコーンゲル薄膜を積層も
しくは被覆させてなるもので、当該シリコーンゲル体あ
るいはシリコーンゴム薄膜のいずれか一方は１〜20mol
％のフェニルメチルシロキサン単位又はジフェニル単位
を導入したオルガノポリシロキサンであり、他方はそれ
ら以外のオルガノポリシキロサンであることが好まし
い。
【００１６】シリコーンゲル体には未架橋の成分が多量
に含まれており、長時間経過すると徐々に流出し、体積
変化が生じ熱発生源天面もしくは金属シャーシーに対し
ての密着性が落ち、接触熱抵抗を上昇させることもある
ため、シリコーンゲルに0.01〜0.05mm程度の厚みのシリ
コーンゴム薄膜を積層してもよい。このとき、シリコー
ンゲルの構成成分とシリコーンゴム薄膜の構成成分同士
が立体障害を起こす関係のものを組み合わせて用いると
効果が高まる。
に含まれており、長時間経過すると徐々に流出し、体積
変化が生じ熱発生源天面もしくは金属シャーシーに対し
ての密着性が落ち、接触熱抵抗を上昇させることもある
ため、シリコーンゲルに0.01〜0.05mm程度の厚みのシリ
コーンゴム薄膜を積層してもよい。このとき、シリコー
ンゲルの構成成分とシリコーンゴム薄膜の構成成分同士
が立体障害を起こす関係のものを組み合わせて用いると
効果が高まる。
【００１７】本発明の熱伝導素子は、熱発生源天面及び
金属シャーシーに対するゴム状弾性体部の密着性を高め
るため、密着性を高めたい面を凹面にしてもよい。この
場合凹面が吸盤状となるので、吸盤のメカニズムで密着
性を高めるためより好ましい。
金属シャーシーに対するゴム状弾性体部の密着性を高め
るため、密着性を高めたい面を凹面にしてもよい。この
場合凹面が吸盤状となるので、吸盤のメカニズムで密着
性を高めるためより好ましい。
【００１８】支持部材は、熱伝導率が100 ×10-3（cal
／cm・sec ・℃）以上とされるが、これはゴム状弾性体
部の熱伝導率が１〜５×10-3（cal ／cm・sec ・℃）と
限定されるため、できるだけ高熱伝導率のものをコスト
との関係も考慮して金属や合金から選択しなければなら
ない。
／cm・sec ・℃）以上とされるが、これはゴム状弾性体
部の熱伝導率が１〜５×10-3（cal ／cm・sec ・℃）と
限定されるため、できるだけ高熱伝導率のものをコスト
との関係も考慮して金属や合金から選択しなければなら
ない。
【００１９】この支持部材の具体例としては、金、銀、
銅、チタン、ジュラルミン、鉄、アルミニウムなどが挙
げられるが、コストを抑えるにはアルミニウムが好まし
い。銅など耐腐食性に劣るものは金などのメッキを施し
て用いてもよい。また、高熱伝導性であれば金属である
必要はなく耐熱性のプラスチックに金などのメッキを施
したものでもよい。未硬化のゴム状弾性体と支持部材を
一体成形する場合は、例えば、KBM403（信越化学工業社
製商品名）などのプライマーを用いるとよいが、あらか
じめゴム状弾性体の硬化したものを別途作製し、支持部
材と接着させる場合は、支持部材面にKBM403（前出）な
どのプライマーを塗布しておき、ゴム状弾性体部の片面
にはSE4420（東レ・ダウコーニング社製商品名）などの
放熱性シリコーン接着剤を用いるのが好ましい。さら
に、接着力を強めるために、支持部材の表面にブラスト
加工などで微細な凹凸を設けたり、支持部材に微細な貫
通孔を設けたりすることは任意である。
銅、チタン、ジュラルミン、鉄、アルミニウムなどが挙
げられるが、コストを抑えるにはアルミニウムが好まし
い。銅など耐腐食性に劣るものは金などのメッキを施し
て用いてもよい。また、高熱伝導性であれば金属である
必要はなく耐熱性のプラスチックに金などのメッキを施
したものでもよい。未硬化のゴム状弾性体と支持部材を
一体成形する場合は、例えば、KBM403（信越化学工業社
製商品名）などのプライマーを用いるとよいが、あらか
じめゴム状弾性体の硬化したものを別途作製し、支持部
材と接着させる場合は、支持部材面にKBM403（前出）な
どのプライマーを塗布しておき、ゴム状弾性体部の片面
にはSE4420（東レ・ダウコーニング社製商品名）などの
放熱性シリコーン接着剤を用いるのが好ましい。さら
に、接着力を強めるために、支持部材の表面にブラスト
加工などで微細な凹凸を設けたり、支持部材に微細な貫
通孔を設けたりすることは任意である。
【００２０】また、金属シャーシー５のみを放熱経路と
はせず、既存の基板でもＩＣなどがマウントされていな
い基板６であれば支持部材の一部を当該基板に接触させ
て２つの経路で放熱すると、より放熱効果は高まる。こ
の場合、例えばそのＩＣ８などがマウントされていない
基板６を、図９に示すように金属箔７を挟持した多層構
成としてもよい。
はせず、既存の基板でもＩＣなどがマウントされていな
い基板６であれば支持部材の一部を当該基板に接触させ
て２つの経路で放熱すると、より放熱効果は高まる。こ
の場合、例えばそのＩＣ８などがマウントされていない
基板６を、図９に示すように金属箔７を挟持した多層構
成としてもよい。
【００２１】次に、本発明の熱伝導素子の製造方法につ
いて以下に説明する。まず第一の製造方法を図１０
（ａ）〜（ｂ）に示すが、得ようとする熱伝導素子のゴ
ム状弾性体部よりも厚い肉厚で、支持部材２よりもやや
小さめの径の貫通孔をもつ２枚のプレートａ、ａ’を準
備する。
いて以下に説明する。まず第一の製造方法を図１０
（ａ）〜（ｂ）に示すが、得ようとする熱伝導素子のゴ
ム状弾性体部よりも厚い肉厚で、支持部材２よりもやや
小さめの径の貫通孔をもつ２枚のプレートａ、ａ’を準
備する。
【００２２】プライマーを塗布した支持部材２を当該２
枚のプレートａ、ａ’の貫通孔の位置で挟持し、図１０
（ａ）で示すように、一方の貫通孔開口部９より吐出装
置により未硬化のゴム状弾性体１０を充填する。なおこ
の時、２枚のプレートのタッチ面が確実に密着できるよ
うに複数の固定ボルト（図示せず）などで固定しておく
必要がある。
枚のプレートａ、ａ’の貫通孔の位置で挟持し、図１０
（ａ）で示すように、一方の貫通孔開口部９より吐出装
置により未硬化のゴム状弾性体１０を充填する。なおこ
の時、２枚のプレートのタッチ面が確実に密着できるよ
うに複数の固定ボルト（図示せず）などで固定しておく
必要がある。
【００２３】次に未硬化のゴム状弾性体１０が図１０
（ｂ）のように中央部が端部よりも１mm未満の凹状態程
度にレベリングした後、硬化させる。プレートの冷却を
確認後、２枚のプレートをその状態で反転させ、支持部
材の反対面にも同様な方法で図１０（ｃ）のように未硬
化のゴム状弾性体１０を充填し硬化させる。最後に２枚
のプレートを分離すると図１０（ｄ）のようにゴム状弾
性体部３が支持部材２を挟持した熱伝導素子が得られ
る。なおゴム弾性体部がシリコーンゲル体である場合、
それ自体が脆弱でかつ金型に対する粘着性が強固である
ため、凹型のキャビティーを有する金型を用いた一般的
な圧縮成形方法や注型方法では成形体を離型する際に成
形体を破損してしまうので好ましくない。
（ｂ）のように中央部が端部よりも１mm未満の凹状態程
度にレベリングした後、硬化させる。プレートの冷却を
確認後、２枚のプレートをその状態で反転させ、支持部
材の反対面にも同様な方法で図１０（ｃ）のように未硬
化のゴム状弾性体１０を充填し硬化させる。最後に２枚
のプレートを分離すると図１０（ｄ）のようにゴム状弾
性体部３が支持部材２を挟持した熱伝導素子が得られ
る。なおゴム弾性体部がシリコーンゲル体である場合、
それ自体が脆弱でかつ金型に対する粘着性が強固である
ため、凹型のキャビティーを有する金型を用いた一般的
な圧縮成形方法や注型方法では成形体を離型する際に成
形体を破損してしまうので好ましくない。
【００２４】また、支持部材の一面にはゴム状弾性体の
うちの粘着性を有するゲル層が設けられ、他面にはゴム
状弾性体のうち、非粘着性のゴム薄膜層が設けられるタ
イプの熱伝導素子の製造方法の一例を図１１（ａ）〜
（ｃ）に示す。
うちの粘着性を有するゲル層が設けられ、他面にはゴム
状弾性体のうち、非粘着性のゴム薄膜層が設けられるタ
イプの熱伝導素子の製造方法の一例を図１１（ａ）〜
（ｃ）に示す。
【００２５】まず、フラットな第一のプレート１１、得
ようとする熱伝導素子の支持部材２を固定可能なサイズ
の貫通孔を有しゲルに対して非粘着性の第二のプレート
１２、当該第二のプレートの貫通孔より所定寸法だけ大
きな貫通孔を有する第三のプレート１３を準備する。
ようとする熱伝導素子の支持部材２を固定可能なサイズ
の貫通孔を有しゲルに対して非粘着性の第二のプレート
１２、当該第二のプレートの貫通孔より所定寸法だけ大
きな貫通孔を有する第三のプレート１３を準備する。
【００２６】次に、図１１（ａ）に示すように、プライ
マーを塗布した面を上面とした支持部材２を第二のプレ
ート１２の貫通孔に挟持し、第一のプレート１１に重ね
合わせる。次に第三のプレート１３を、貫通孔が第二の
プレートの貫通孔の同心円上に位置するように重ね合わ
せる。次に図１１（ｂ）に示すように第三のプレート１
３の貫通孔開口部より未硬化のゲル体を充填し、ゲル体
の中央部が端部よりも１mm未満の凹状態程度にレベリン
グ後、硬化させる。次にそれぞれのプレートを分離する
と図１１（ｃ）のような支持部材とゲル層の一体品が得
られる。当該支持部材−ゲル層一体品と別途シリコーン
ゴムをカレンダーロールや裁断機などを用いて加工して
得られたシリコーンゴム薄膜層をプライマーを用いて接
着させ熱伝導素子が得られる。
マーを塗布した面を上面とした支持部材２を第二のプレ
ート１２の貫通孔に挟持し、第一のプレート１１に重ね
合わせる。次に第三のプレート１３を、貫通孔が第二の
プレートの貫通孔の同心円上に位置するように重ね合わ
せる。次に図１１（ｂ）に示すように第三のプレート１
３の貫通孔開口部より未硬化のゲル体を充填し、ゲル体
の中央部が端部よりも１mm未満の凹状態程度にレベリン
グ後、硬化させる。次にそれぞれのプレートを分離する
と図１１（ｃ）のような支持部材とゲル層の一体品が得
られる。当該支持部材−ゲル層一体品と別途シリコーン
ゴムをカレンダーロールや裁断機などを用いて加工して
得られたシリコーンゴム薄膜層をプライマーを用いて接
着させ熱伝導素子が得られる。
【００２７】さらに、熱伝導素子でも特にゴム状弾性体
部がシリコーンゲル層とシリコーンゴム薄膜層の二層で
あるものの製造方法を図１２（ａ）、（ｂ）を用いて示
す。あらかじめ未硬化のシリコーンゴムをカレンダーロ
ールによりシーティング後、所定サイズにカットするな
どしてシリコーンゴム薄膜に加工しておく。次に、図１
２（ａ）のようにフラットな第一のプレート１４と所定
の径の貫通孔をもつ第二のプレート１５でシリコーンゴ
ム薄膜１６を挟持させ、貫通孔より吐出装置で未硬化の
シリコーンゲル体を充填する。次にシリコーンゲル体が
レベリングし、硬化後、図１２（ｂ）のように第一と第
二のプレートを分離し、シリコーンゲル層とシリコーン
ゴム薄膜１６層が一体化したものを得る。これを必要に
応じて裁断し、ゴム状弾性体部とする。（２つ準備。）
部がシリコーンゲル層とシリコーンゴム薄膜層の二層で
あるものの製造方法を図１２（ａ）、（ｂ）を用いて示
す。あらかじめ未硬化のシリコーンゴムをカレンダーロ
ールによりシーティング後、所定サイズにカットするな
どしてシリコーンゴム薄膜に加工しておく。次に、図１
２（ａ）のようにフラットな第一のプレート１４と所定
の径の貫通孔をもつ第二のプレート１５でシリコーンゴ
ム薄膜１６を挟持させ、貫通孔より吐出装置で未硬化の
シリコーンゲル体を充填する。次にシリコーンゲル体が
レベリングし、硬化後、図１２（ｂ）のように第一と第
二のプレートを分離し、シリコーンゲル層とシリコーン
ゴム薄膜１６層が一体化したものを得る。これを必要に
応じて裁断し、ゴム状弾性体部とする。（２つ準備。）
【００２８】最後にプライマー塗布した支持部材をこれ
らゴム状弾性体部で挟持し、硬化させて熱伝導素子とし
てもよい。なお、シリコーンゴム薄膜層を液状のシリコ
ーンゴムの塗装により形成するとシリコーンゴム薄膜層
が支持部材を被覆した形態のものとなる。
らゴム状弾性体部で挟持し、硬化させて熱伝導素子とし
てもよい。なお、シリコーンゴム薄膜層を液状のシリコ
ーンゴムの塗装により形成するとシリコーンゴム薄膜層
が支持部材を被覆した形態のものとなる。
【００２９】また、このようにして得られる熱伝導素子
の梱包形態であるが、ゴム状弾性体の表面が粘着性を有
している場合は、ほこりなどの付着を避けるため、例え
ば図１３のように非粘着性のシート１７がゴム状弾性体
の粘着面を覆うようにしてケース１８などに収納するこ
とが好ましい。また必要に応じてエアクッションなどの
緩衝材１９を配置してもよい。さらにこの非粘着性シー
トをロール状に巻き取ることなどは任意である。
の梱包形態であるが、ゴム状弾性体の表面が粘着性を有
している場合は、ほこりなどの付着を避けるため、例え
ば図１３のように非粘着性のシート１７がゴム状弾性体
の粘着面を覆うようにしてケース１８などに収納するこ
とが好ましい。また必要に応じてエアクッションなどの
緩衝材１９を配置してもよい。さらにこの非粘着性シー
トをロール状に巻き取ることなどは任意である。
【００３０】
【作用】薄型情報処理機器の熱発生源から発生する熱は
熱伝導素子を経由して金属シャーシーに放熱される。熱
伝導素子の熱伝導は熱伝導率が100 ×10-3（cal ／cm・
sec ・℃）以上の支持部材により効率的に行われる。Ｉ
Ｃ天面及び金属シャーシーとの密着面はゴム状弾性体で
あるため、発熱に伴う素子自体の寸法変化が生じても密
着性が損なわれにくい。
熱伝導素子を経由して金属シャーシーに放熱される。熱
伝導素子の熱伝導は熱伝導率が100 ×10-3（cal ／cm・
sec ・℃）以上の支持部材により効率的に行われる。Ｉ
Ｃ天面及び金属シャーシーとの密着面はゴム状弾性体で
あるため、発熱に伴う素子自体の寸法変化が生じても密
着性が損なわれにくい。
【００３１】
実施例１、比較例１ ノート型パーソナルコンピューターのＣＰＵからの発熱
を抑えるため、以下の仕様の熱伝導素子をＣＰＵを模し
たヒーター（50mm×50mm、厚さが12mm、出力5W）と金属
シャーシーを模したアルミニウム板の間に設け、ヒータ
ー表面に熱電対を取付け、熱伝導素子の有無と時間経過
に伴うヒーター表面温度推移の関係を調査した。
を抑えるため、以下の仕様の熱伝導素子をＣＰＵを模し
たヒーター（50mm×50mm、厚さが12mm、出力5W）と金属
シャーシーを模したアルミニウム板の間に設け、ヒータ
ー表面に熱電対を取付け、熱伝導素子の有無と時間経過
に伴うヒーター表面温度推移の関係を調査した。
【００３２】〈熱伝導素子仕様〉 タイプ…板状の支持部材を両面からゴム状弾性体部で挟
持したもの。 支持部材…直径20mm、厚さ２mmのアルミニウム円盤、熱
伝導率は570 ×10-3（cal ／cm・sec ・℃） ゴム状弾性体部…直径18mm、厚さ0.6 〜0.8 mmのシリコ
ーンゲル円盤、針入度は60（mm×10）、熱伝導率は1.8
×10-3（cal ／cm・sec ・℃）、 支持部材とゴム状弾性体部の接着…シランカップリング
剤による。
持したもの。 支持部材…直径20mm、厚さ２mmのアルミニウム円盤、熱
伝導率は570 ×10-3（cal ／cm・sec ・℃） ゴム状弾性体部…直径18mm、厚さ0.6 〜0.8 mmのシリコ
ーンゲル円盤、針入度は60（mm×10）、熱伝導率は1.8
×10-3（cal ／cm・sec ・℃）、 支持部材とゴム状弾性体部の接着…シランカップリング
剤による。
【００３３】〈製造方法〉直径20mm、厚さ２mmのアルミ
ニウム円盤を脱脂後、当該アルミニウム円盤にシランカ
ップリング剤・KBM-403 （信越化学工業社製商品名）を
スプレーして全面塗布した後、200 ℃の乾燥器中で10分
間加熱して、プライマー皮膜を形成した。これを直径18
mmの貫通孔をもつ２枚の鉄製のプレートの貫通孔の位置
で挟持し、一方の貫通孔開口部よりエアディスペンサー
により未硬化のSE4440A （東レ・ダウコーニング社製商
品名）とSE4440B （同左）の１：１の混合物を充填し
た。
ニウム円盤を脱脂後、当該アルミニウム円盤にシランカ
ップリング剤・KBM-403 （信越化学工業社製商品名）を
スプレーして全面塗布した後、200 ℃の乾燥器中で10分
間加熱して、プライマー皮膜を形成した。これを直径18
mmの貫通孔をもつ２枚の鉄製のプレートの貫通孔の位置
で挟持し、一方の貫通孔開口部よりエアディスペンサー
により未硬化のSE4440A （東レ・ダウコーニング社製商
品名）とSE4440B （同左）の１：１の混合物を充填し
た。
【００３４】混合物充填10分後には中央部が端部よりも
0.2 mm程度の凹状態程度にレベリングしたので乾燥器中
150 ℃×10分の条件で熱硬化させた。次にプレートと支
持部材及び硬化させたゴム状弾性体部が室温となるまで
放置させた。プレートを反転させ、支持部材の他面にも
同様の方法でゴム状弾性体部を設けた。最後に２枚のプ
レートを分離させ熱伝導素子を得た。
0.2 mm程度の凹状態程度にレベリングしたので乾燥器中
150 ℃×10分の条件で熱硬化させた。次にプレートと支
持部材及び硬化させたゴム状弾性体部が室温となるまで
放置させた。プレートを反転させ、支持部材の他面にも
同様の方法でゴム状弾性体部を設けた。最後に２枚のプ
レートを分離させ熱伝導素子を得た。
【００３５】〈性能確認試験結果〉時間の経過に伴うヒ
ーターの表面温度推移は図１４に示すとおりであった。
本発明の熱伝導素子を設けた場合（実施例１）と設けな
い場合（比較例１）とを比較した結果、設けた場合は通
電時間にもよるが５〜10℃程度、熱発生源の温度を低く
できた。
ーターの表面温度推移は図１４に示すとおりであった。
本発明の熱伝導素子を設けた場合（実施例１）と設けな
い場合（比較例１）とを比較した結果、設けた場合は通
電時間にもよるが５〜10℃程度、熱発生源の温度を低く
できた。
【００３６】実施例２ 本発明の他の形態の熱伝導素子（２層品と略称する。）
について実施例１と同様にＣＰＵを模したヒーター（50
mm×50mm、厚さ12mm、出力5W）と金属シャーシーを模し
たアルミニウム板の間に設け、ヒーター表面に熱電対を
取付け、時間経過に伴うヒーター表面温度推移を調査し
たが、ここでは初期の状態ばかりではなく、更に長期間
使用して問題がないか確認すべく、促進処理を施し（15
0 ℃に加熱された２枚の熱板の間に1000時間圧縮挟持
後、室温まで冷却した。）調査した。なお比較として実
施例１の形態の熱伝導素子（１層品と略称する。）につ
いても同様に促進処理を行い、調査した。
について実施例１と同様にＣＰＵを模したヒーター（50
mm×50mm、厚さ12mm、出力5W）と金属シャーシーを模し
たアルミニウム板の間に設け、ヒーター表面に熱電対を
取付け、時間経過に伴うヒーター表面温度推移を調査し
たが、ここでは初期の状態ばかりではなく、更に長期間
使用して問題がないか確認すべく、促進処理を施し（15
0 ℃に加熱された２枚の熱板の間に1000時間圧縮挟持
後、室温まで冷却した。）調査した。なお比較として実
施例１の形態の熱伝導素子（１層品と略称する。）につ
いても同様に促進処理を行い、調査した。
【００３７】〈２層品熱伝導素子仕様〉 タイプ…板状の支持部材をシリコーンゲルで挟持し、更
にそれら全面をシリコーンゴム薄膜で被覆したもの。 支持部材…直径20mm、厚さ２mmのアルミニウム円盤、熱
伝導率は570 ×10-3（cal ／cm・sec ・℃）、 ゴム状弾性体部…シリコーンゲル部：直径20mm、厚さ0.
8 mmのシリコーンゲル円盤、針入度は60（mm×10）、熱
伝導率は1.6 ×10-3（cal ／cm・sec ・℃） シリコーンゴム薄膜部：全体を30〜50ミクロンの厚みで
被覆 支持部材とゴム状弾性体部の接着…シランカップリング
剤による。
にそれら全面をシリコーンゴム薄膜で被覆したもの。 支持部材…直径20mm、厚さ２mmのアルミニウム円盤、熱
伝導率は570 ×10-3（cal ／cm・sec ・℃）、 ゴム状弾性体部…シリコーンゲル部：直径20mm、厚さ0.
8 mmのシリコーンゲル円盤、針入度は60（mm×10）、熱
伝導率は1.6 ×10-3（cal ／cm・sec ・℃） シリコーンゴム薄膜部：全体を30〜50ミクロンの厚みで
被覆 支持部材とゴム状弾性体部の接着…シランカップリング
剤による。
【００３８】〈製造方法〉フラットなプレートと直径30
mmの貫通孔を有するプレートを重ねあわせ、貫通孔の開
口部より未硬化のシリコーンゲル（ジメチルポリシロキ
サンが主成分で少なくともフェニルメチルシロキサン単
位又はジフェニル単位を含まないもの。）をエアディス
ペンサーで充填した。シリコーンゲルがレベリングし、
硬化したところで、プレートを分離し、シリコーンゲル
硬化体を得た。これをφ20mmのポンチ抜きしたものを２
つ準備した。
mmの貫通孔を有するプレートを重ねあわせ、貫通孔の開
口部より未硬化のシリコーンゲル（ジメチルポリシロキ
サンが主成分で少なくともフェニルメチルシロキサン単
位又はジフェニル単位を含まないもの。）をエアディス
ペンサーで充填した。シリコーンゲルがレベリングし、
硬化したところで、プレートを分離し、シリコーンゲル
硬化体を得た。これをφ20mmのポンチ抜きしたものを２
つ準備した。
【００３９】直径20mm、厚さ２mmのアルミニウム円盤を
脱脂後、当該アルミニウム円盤にシランカップリング剤
・KBM-403 （前出）をスプレーにて全面塗布した後、先
に準備したシリコーンゲル硬化体にて狭持し、200 ℃の
乾燥器中で30分間加熱して、両者を一体化させた。
脱脂後、当該アルミニウム円盤にシランカップリング剤
・KBM-403 （前出）をスプレーにて全面塗布した後、先
に準備したシリコーンゲル硬化体にて狭持し、200 ℃の
乾燥器中で30分間加熱して、両者を一体化させた。
【００４０】このものを塗装ブース中にセットし、15mo
l ％のフェニルメチルシロキサン単位を有するポリオル
ガノシロキロサンからなる液状シリコーンゴムを塗布し
た。なお、半面を塗装したところで一旦取り出し、180
℃×５分の乾燥を施した後、ひっくり返して同様の処理
を行い、全面にシリコーンゴム薄膜を形成し熱伝導素子
を得た。
l ％のフェニルメチルシロキサン単位を有するポリオル
ガノシロキロサンからなる液状シリコーンゴムを塗布し
た。なお、半面を塗装したところで一旦取り出し、180
℃×５分の乾燥を施した後、ひっくり返して同様の処理
を行い、全面にシリコーンゴム薄膜を形成し熱伝導素子
を得た。
【００４１】〈性能確認試験結果〉図１５に示すよう
に、一層品と２層品ともに初期状態においては同程度の
発熱低減効果があったが１層品は150 ℃の温度で1000時
間加熱挟持されるとやや発熱低減効果が損なわれたのに
対し、２層品は初期状態と変わらない発熱低減効果が認
められた。これは２層品は１層品に比べて寸法変化が小
さく、アルミニウム板への密着状態が変わらないためと
思われる。
に、一層品と２層品ともに初期状態においては同程度の
発熱低減効果があったが１層品は150 ℃の温度で1000時
間加熱挟持されるとやや発熱低減効果が損なわれたのに
対し、２層品は初期状態と変わらない発熱低減効果が認
められた。これは２層品は１層品に比べて寸法変化が小
さく、アルミニウム板への密着状態が変わらないためと
思われる。
【００４２】実施例３ 直径20mm、厚さ２mmのアルミニウム円盤とカレンダーロ
ールにて製造したフラットな表面をもつ、厚さ0.8 mmシ
リコーンゴムシートからポンチ抜きして得られる２つの
直径20mmのゴム状弾性体円盤をKBM-403 （前出）を用
い、200 ℃×30分の硬化条件で接着させ、支持部材をゴ
ム状弾性体部が挟持するタイプの熱伝導素子とした。こ
のものと実施例１のゴム状弾性体部表面が凹状になって
いる熱伝導素子について実施例１で行ったことと同じ試
験を行ったところ（図示せず）、ゴム状弾性体部が凹状
のもののほうが２〜５℃程度発熱低減効果があることが
わかった。これはゴム状弾性体部の表面が凹であるため
吸盤効果でヒーターやアルミニウム板への密着性が優れ
ていたためであると思われる。
ールにて製造したフラットな表面をもつ、厚さ0.8 mmシ
リコーンゴムシートからポンチ抜きして得られる２つの
直径20mmのゴム状弾性体円盤をKBM-403 （前出）を用
い、200 ℃×30分の硬化条件で接着させ、支持部材をゴ
ム状弾性体部が挟持するタイプの熱伝導素子とした。こ
のものと実施例１のゴム状弾性体部表面が凹状になって
いる熱伝導素子について実施例１で行ったことと同じ試
験を行ったところ（図示せず）、ゴム状弾性体部が凹状
のもののほうが２〜５℃程度発熱低減効果があることが
わかった。これはゴム状弾性体部の表面が凹であるため
吸盤効果でヒーターやアルミニウム板への密着性が優れ
ていたためであると思われる。
【００４３】
【発明の効果】上記実施例から明らかなように本発明の
熱伝導素子によれば、薄型情報処理機器のＩＣなどから
発生する熱を低減でき、しかもＩＣなどがマウントされ
ている基盤には放熱させないため、ＩＣなどを固定する
ハンダにクラックを生じさせることもない。
熱伝導素子によれば、薄型情報処理機器のＩＣなどから
発生する熱を低減でき、しかもＩＣなどがマウントされ
ている基盤には放熱させないため、ＩＣなどを固定する
ハンダにクラックを生じさせることもない。
【００４４】また、ゴム状弾性体部の表面を凹状とすれ
ば吸盤効果で密着性をより高めることができる。さら
に、ゴム状弾性体部が、熱伝導率１〜５×10-3（cal ／
cm・sec ・℃）、針入度10〜80（mm×10）であるシリコ
ーンゲル体と、熱伝導率１〜５×10-3（cal ／cm・sec
・℃）でショアＡ硬度20〜80度であるシリコーンゴム薄
膜と一体化させたものであり、当該シリコーンゲル体あ
るいはシリコーンゴム薄膜のいずれか一方は１〜20mol
％のフェニルメチルシロキサン単位又はジフェニル単位
を導入したオルガノポリシロキサンであり、他方はそれ
ら以外のオルガノポリシロキサンであるものとすれば、
耐久性に優れた良好な熱伝導素子を得ることができる。
ば吸盤効果で密着性をより高めることができる。さら
に、ゴム状弾性体部が、熱伝導率１〜５×10-3（cal ／
cm・sec ・℃）、針入度10〜80（mm×10）であるシリコ
ーンゲル体と、熱伝導率１〜５×10-3（cal ／cm・sec
・℃）でショアＡ硬度20〜80度であるシリコーンゴム薄
膜と一体化させたものであり、当該シリコーンゲル体あ
るいはシリコーンゴム薄膜のいずれか一方は１〜20mol
％のフェニルメチルシロキサン単位又はジフェニル単位
を導入したオルガノポリシロキサンであり、他方はそれ
ら以外のオルガノポリシロキサンであるものとすれば、
耐久性に優れた良好な熱伝導素子を得ることができる。
【図１】本発明の熱伝導素子で支持部材をゴム状弾性体
部で挟持するタイプの一例の縦断面図である。
部で挟持するタイプの一例の縦断面図である。
【図２】本発明の熱伝導素子で支持部材の一面のみにゴ
ム状弾性体部を当接したタイプの一例の縦断面図であ
る。
ム状弾性体部を当接したタイプの一例の縦断面図であ
る。
【図３】本発明の熱伝導素子で支持部材全体がゴム状弾
性体部で被覆されているタイプの一例の縦断面図であ
る。
性体部で被覆されているタイプの一例の縦断面図であ
る。
【図４】本発明の熱伝導素子で支持部材をゴム状弾性体
部で挟持するタイプの一例の斜視図である。
部で挟持するタイプの一例の斜視図である。
【図５】本発明の熱伝導素子で支持部材をゴム状弾性体
部で挟持するタイプの他の一例の斜視図である。
部で挟持するタイプの他の一例の斜視図である。
【図６】本発明の熱伝導素子の複数層の支持部材を有す
るタイプの一例の縦断面図である。
るタイプの一例の縦断面図である。
【図７】本発明の熱伝導素子を用いた放熱構造の一例の
縦断面図である。
縦断面図である。
【図８】本発明の熱伝導素子のゴム状弾性体部が２層構
造であるタイプの縦断面図である。
造であるタイプの縦断面図である。
【図９】本発明の熱伝導素子を用いた放熱構造の他の一
例の縦断面図である。
例の縦断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は本発明の熱伝導素子の製造
方法を工程順に示した縦断面図である。
方法を工程順に示した縦断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の熱伝導素子の製造
方法を工程順に示した縦断面図である。
方法を工程順に示した縦断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｂ）は本発明の熱伝導素子の製造
方法を工程順に示した縦断面図である。
方法を工程順に示した縦断面図である。
【図１３】本発明の熱伝導素子の梱包形態の縦断面図で
ある。
ある。
【図１４】実施例１で行った熱伝導素子の有無における
ヒーター表面温度の時間推移の結果を示すものである。
ヒーター表面温度の時間推移の結果を示すものである。
【図１５】実施例２で行った熱伝導素子の構造の違いに
おけるヒーター表面温度の時間推移の結果を示すもので
ある。
おけるヒーター表面温度の時間推移の結果を示すもので
ある。
【図１６】従来の大型放熱機構の斜視図である。
【図１７】従来のＩＣソケットの縦断面図である。
１ 熱伝導素子 ２ 支持部材 ３ ゴム状弾性体部 ４ ＩＣ等の熱発生源 ５ 金属シャーシ ６ 基板 ７ 金属箔 ８ ＩＣ ９ 貫通孔開口部 １０ ゴム状弾性体 １１ 第一のプレート １２ 第二のプレート １３ 第三のプレート １４ 第一のプレート １５ 第二のプレート １６ シリコーンゴム薄膜 １７ 非粘着性のシート １８ ケース １９ 緩衝材
Claims (4)
- 【請求項１】支持部材の少なくとも一面にゴム状弾性体
部を当接してなる熱伝導素子であって、当該支持部材の
熱伝導率が100 ×10-3（cal ／cm・ sec・℃）以上、ゴ
ム状弾性体部の熱伝導率が１〜５×10-3（cal ／cm・ s
ec・℃）、針入度が10〜80（mm×10）であることを特徴
とする熱伝導素子。 - 【請求項２】ゴム状弾性体部は、熱伝導率１〜５×10-3
（cal ／cm・sec ・℃）、針入度10〜80（mm×10）であ
るシリコーンゲル体が、熱伝導率１〜５×10-3（cal ／
cm・ sec・℃）でショアＡ硬度20〜80度であるシリコー
ンゴム薄膜により被覆されてなるものであり、当該シリ
コーンゲル体あるいはシリコーンゴム薄膜のいずれか一
方は１〜20mol ％のフェニルメチルシロキサン単位又は
ジフェニル単位を導入したオルガノポリシロキサンであ
り、他方はそれら以外のオルガノポリシロキサンである
ことを特徴とする請求項１に記載の熱伝導素子。 - 【請求項３】支持部材に当接するゴム状弾性体部の少な
くとも一面は凹状となっていることを特徴とする請求項
１または請求項２に記載の熱伝導素子。 - 【請求項４】薄型情報処理機器の熱発生源から発生する
熱の放熱構造で、請求項１〜３のいずれかに記載の熱伝
導素子の一方のゲル層もしくはゲル体を含むゴム状弾性
体部が、熱発生源の天面に密着し、他方は情報処理機器
の入力操作凸部配列パネルの裏面側の金属シャーシに密
着していることを特徴とする薄型情報処理機器の放熱構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6216296A JPH0883990A (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 熱伝導素子及びこれを用いた放熱構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6216296A JPH0883990A (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 熱伝導素子及びこれを用いた放熱構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883990A true JPH0883990A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16686316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6216296A Pending JPH0883990A (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 熱伝導素子及びこれを用いた放熱構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0883990A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09321471A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Nec Shizuoka Ltd | 電子部品の放熱装置 |
| JPH1187578A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-03-30 | Kitagawa Ind Co Ltd | 熱伝導スペーサ及びヒートシンク |
| JP2002316499A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-29 | Plus Stationery Corp | 塗布膜転写具の転写ヘッドに用いる小径ローラーの製造方法 |
| JP2005159371A (ja) * | 2005-01-04 | 2005-06-16 | Advantest Corp | 伝熱素子 |
| WO2007119544A1 (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Mochida Corporation | ノートパソコン冷却板及びそれを用いたノートパソコン冷却方法 |
| WO2008114444A1 (ja) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Fujitsu Limited | 電子装置の放熱構造及び回路基板ユニット及び筐体 |
| JP2009117612A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 回路モジュールとその製造方法 |
| JP2009269337A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Taika:Kk | 熱伝導性シート、熱伝導性シート積層体及びその製造方法 |
| WO2011148665A1 (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-01 | シャープ株式会社 | 電子機器の放熱構造 |
| JP7050374B1 (ja) * | 2021-08-16 | 2022-04-08 | 株式会社エゴン | 保温装置および保温装置キット |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55166806A (en) * | 1979-06-15 | 1980-12-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Insulating heat dissipating sheet |
| JPH03151658A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Tokai Rubber Ind Ltd | 放熱シート |
| JPH04329697A (ja) * | 1991-05-01 | 1992-11-18 | Hitachi Ltd | 伝熱部品、その伝熱部品を備えた電子装置、および該伝熱部品の製造方法、並びに電子装置の冷却方法 |
| JPH06188580A (ja) * | 1991-08-13 | 1994-07-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性絶縁カバー |
| JPH06196838A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 部品搭載済み基板 |
-
1994
- 1994-09-09 JP JP6216296A patent/JPH0883990A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55166806A (en) * | 1979-06-15 | 1980-12-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Insulating heat dissipating sheet |
| JPH03151658A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Tokai Rubber Ind Ltd | 放熱シート |
| JPH04329697A (ja) * | 1991-05-01 | 1992-11-18 | Hitachi Ltd | 伝熱部品、その伝熱部品を備えた電子装置、および該伝熱部品の製造方法、並びに電子装置の冷却方法 |
| JPH06188580A (ja) * | 1991-08-13 | 1994-07-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性絶縁カバー |
| JPH06196838A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 部品搭載済み基板 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09321471A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Nec Shizuoka Ltd | 電子部品の放熱装置 |
| JPH1187578A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-03-30 | Kitagawa Ind Co Ltd | 熱伝導スペーサ及びヒートシンク |
| JP2002316499A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-29 | Plus Stationery Corp | 塗布膜転写具の転写ヘッドに用いる小径ローラーの製造方法 |
| JP2005159371A (ja) * | 2005-01-04 | 2005-06-16 | Advantest Corp | 伝熱素子 |
| WO2007119544A1 (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Mochida Corporation | ノートパソコン冷却板及びそれを用いたノートパソコン冷却方法 |
| WO2008114444A1 (ja) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Fujitsu Limited | 電子装置の放熱構造及び回路基板ユニット及び筐体 |
| JP2009117612A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 回路モジュールとその製造方法 |
| JP2009269337A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Taika:Kk | 熱伝導性シート、熱伝導性シート積層体及びその製造方法 |
| WO2011148665A1 (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-01 | シャープ株式会社 | 電子機器の放熱構造 |
| JP7050374B1 (ja) * | 2021-08-16 | 2022-04-08 | 株式会社エゴン | 保温装置および保温装置キット |
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