JPH0878567A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH0878567A JPH0878567A JP23043694A JP23043694A JPH0878567A JP H0878567 A JPH0878567 A JP H0878567A JP 23043694 A JP23043694 A JP 23043694A JP 23043694 A JP23043694 A JP 23043694A JP H0878567 A JPH0878567 A JP H0878567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- ceramic base
- semiconductor device
- cap
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、半導体素子を内装したパッ
ケージ内への透湿を抑制して耐湿性を改善し、かつ樹脂
封止剤の溶剤によるダメージを防止して信頼性を高めた
樹脂封止型半導体装置を得る。 【構成】 セラミックベース１１に固体撮像素子１３が
マウントされ、かつセラミックベース１１に透光性キャ
ップ１８が被せられ、これらセラミックベース１１とキ
ャップ１８とをビスフェノールＳ型エポキシ樹脂を主成
分とした樹脂からなる接着剤１９で接着して固体撮像素
子１３をパッケージ内に気密封止する。接着剤１９にビ
スフェノールＳ型エポキシ樹脂を用いることで、セラミ
ックベース１１とキャップ１８との間の透湿性を改善
し、パッケージ内における水分含有率を低減し、かつ溶
剤成分含有率を低減し、固体撮像素子へのダメージを緩
和し、半導体装置の耐湿性と信頼性を改善する。
ケージ内への透湿を抑制して耐湿性を改善し、かつ樹脂
封止剤の溶剤によるダメージを防止して信頼性を高めた
樹脂封止型半導体装置を得る。 【構成】 セラミックベース１１に固体撮像素子１３が
マウントされ、かつセラミックベース１１に透光性キャ
ップ１８が被せられ、これらセラミックベース１１とキ
ャップ１８とをビスフェノールＳ型エポキシ樹脂を主成
分とした樹脂からなる接着剤１９で接着して固体撮像素
子１３をパッケージ内に気密封止する。接着剤１９にビ
スフェノールＳ型エポキシ樹脂を用いることで、セラミ
ックベース１１とキャップ１８との間の透湿性を改善
し、パッケージ内における水分含有率を低減し、かつ溶
剤成分含有率を低減し、固体撮像素子へのダメージを緩
和し、半導体装置の耐湿性と信頼性を改善する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置のパッケージ
構造に関し、特に樹脂封止剤を用いて半導体素子を気密
封止する樹脂封止型半導体装置に関する。
構造に関し、特に樹脂封止剤を用いて半導体素子を気密
封止する樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置として、固体
撮像装置がある。図４に概略構成を示すように、セラミ
ックベース３１の表面に設けた凹部３２にＣＣＤやＭＯ
Ｓ等の固体撮像素子３３がダイアタッチ剤等３４により
マウントされ、かつセラミックベース３１の周辺部には
低融点ガラス３５により複数本のリード３６が固定され
ている。そして、固体撮像素子３３とリード３６とは金
属細線３７で電気接続される。そして、セラミックベー
ス３１上に透光性のキャップ３８が被せられ、樹脂封止
剤としての接着剤３９によりセラミックベースに固定さ
れている。
撮像装置がある。図４に概略構成を示すように、セラミ
ックベース３１の表面に設けた凹部３２にＣＣＤやＭＯ
Ｓ等の固体撮像素子３３がダイアタッチ剤等３４により
マウントされ、かつセラミックベース３１の周辺部には
低融点ガラス３５により複数本のリード３６が固定され
ている。そして、固体撮像素子３３とリード３６とは金
属細線３７で電気接続される。そして、セラミックベー
ス３１上に透光性のキャップ３８が被せられ、樹脂封止
剤としての接着剤３９によりセラミックベースに固定さ
れている。
【０００３】このような固体撮像装置では、予め接着剤
３９をキャップ３８の周辺部に塗布しておき、セラミッ
クベース３１上に被せた後にクリップ等を用いてキャッ
プ３８をセラミックベース３１に向けて加圧し、その加
圧状態のまま加熱して接着剤３９を溶融させ、その後硬
化させて接着を行っている。この接着剤３９としては、
例えば特開平３−１３１０５５号公報に記載されている
ように、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールＦ型エポキシ樹脂のいずれか、或いは両者を主成分
として含有するものが用いられている。
３９をキャップ３８の周辺部に塗布しておき、セラミッ
クベース３１上に被せた後にクリップ等を用いてキャッ
プ３８をセラミックベース３１に向けて加圧し、その加
圧状態のまま加熱して接着剤３９を溶融させ、その後硬
化させて接着を行っている。この接着剤３９としては、
例えば特開平３−１３１０５５号公報に記載されている
ように、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールＦ型エポキシ樹脂のいずれか、或いは両者を主成分
として含有するものが用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の半
導体装置では、セラミックベース３１とキャップ３８と
を封止するために用いられる接着剤３９の耐湿性が低い
と、この接着剤３９の部分からの透湿によってパッケー
ジ内の水分が増大し、これにより例えば固体撮像素子３
３の表面や内部に結露が生じ、光の受光効率が低下され
るという光学的な特性劣化や、電気短絡による電気的な
特性劣化が生じるという問題がある。
導体装置では、セラミックベース３１とキャップ３８と
を封止するために用いられる接着剤３９の耐湿性が低い
と、この接着剤３９の部分からの透湿によってパッケー
ジ内の水分が増大し、これにより例えば固体撮像素子３
３の表面や内部に結露が生じ、光の受光効率が低下され
るという光学的な特性劣化や、電気短絡による電気的な
特性劣化が生じるという問題がある。
【０００５】この点、前記した公報に記載の接着剤は、
パッケージ形成後におけるパッケージ内でのガスの発生
を抑制すると同時にパッケージ外からパッケージ内への
透湿を抑制し、固体撮像素子における耐湿性の改善を図
る上では有効である。しかしながら、本発明者がこの従
来の接着剤について詳細な検討を加えたところ、固体撮
像素子の表面での結露を完全に防止するまでには至って
おらず、更に改善する必要かあることが判明した。
パッケージ形成後におけるパッケージ内でのガスの発生
を抑制すると同時にパッケージ外からパッケージ内への
透湿を抑制し、固体撮像素子における耐湿性の改善を図
る上では有効である。しかしながら、本発明者がこの従
来の接着剤について詳細な検討を加えたところ、固体撮
像素子の表面での結露を完全に防止するまでには至って
おらず、更に改善する必要かあることが判明した。
【０００６】また、この接着剤を用いたところ、接着剤
に含まれる溶剤がパッケージ内に浸透し、固体撮像素子
の表面に設けられている結像用の樹脂性のレンズアレイ
を溶融させ、レンズアレイの特性を劣化させて鮮明な結
像、及びその光電変換作用が行われなくなるという問題
が存在していることが明らかにされた。
に含まれる溶剤がパッケージ内に浸透し、固体撮像素子
の表面に設けられている結像用の樹脂性のレンズアレイ
を溶融させ、レンズアレイの特性を劣化させて鮮明な結
像、及びその光電変換作用が行われなくなるという問題
が存在していることが明らかにされた。
【０００７】
【発明の目的】本発明の目的は、半導体素子を内装した
パッケージ内への透湿を抑制して耐湿性を改善した樹脂
封止型半導体装置を提供することにある。また、本発明
の他の目的は、樹脂封止剤によるパッケージに内装した
半導体素子に対するダメージを回避して信頼性を高めた
樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
パッケージ内への透湿を抑制して耐湿性を改善した樹脂
封止型半導体装置を提供することにある。また、本発明
の他の目的は、樹脂封止剤によるパッケージに内装した
半導体素子に対するダメージを回避して信頼性を高めた
樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、セラミックベースとキャップとを接着して半
導体素子をパッケージ内に封止するための樹脂封止剤を
ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂を主成分とした樹脂で
構成したことを特徴とする。
体装置は、セラミックベースとキャップとを接着して半
導体素子をパッケージ内に封止するための樹脂封止剤を
ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂を主成分とした樹脂で
構成したことを特徴とする。
【０００９】ここで、樹脂封止剤は、例えば、ビスフェ
ノールＳ型エポキシ剤を主成分とし、硬化剤にジアミノ
ジフェニールスルホンを、フィラーとして酸化亜鉛をそ
れぞれ含有する。
ノールＳ型エポキシ剤を主成分とし、硬化剤にジアミノ
ジフェニールスルホンを、フィラーとして酸化亜鉛をそ
れぞれ含有する。
【００１０】本発明の樹脂封止型半導体装置は、セラミ
ックベースに固体撮像素子がマウントされ、このセラミ
ックベースに透光性キャップが被せられ、前記セラミッ
クベースとキャップとをビスフェノールＳ型エポキシ樹
脂を主成分とした樹脂で接着して前記固体撮像素子をセ
ラミックベースとキャップとで画成されるパッケージ内
に気密封止した構成とする。
ックベースに固体撮像素子がマウントされ、このセラミ
ックベースに透光性キャップが被せられ、前記セラミッ
クベースとキャップとをビスフェノールＳ型エポキシ樹
脂を主成分とした樹脂で接着して前記固体撮像素子をセ
ラミックベースとキャップとで画成されるパッケージ内
に気密封止した構成とする。
【００１１】
【作用】樹脂封止剤にビスフェノールＳ型エポキシ樹脂
を用いることで、セラミックベースとキャップとの間の
透湿性を改善し、パッケージ内における水分含有率を低
減し、かつ溶剤成分含有率を低減し、半導体素子へのダ
メージを緩和し、半導体装置の耐湿性と信頼性を改善す
る。
を用いることで、セラミックベースとキャップとの間の
透湿性を改善し、パッケージ内における水分含有率を低
減し、かつ溶剤成分含有率を低減し、半導体素子へのダ
メージを緩和し、半導体装置の耐湿性と信頼性を改善す
る。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明を固体撮像装置に適用した第１実施
例の縦断面図である。矩形の厚板状をしたセラミックベ
ース１１の表面の略中央部に凹部１２が設けられてお
り、この凹部１２内にＣＣＤやＭＯＳ等の固体撮像素子
１３がダイアタッチ剤１４によりマウントされる。この
ダイアタッチ剤１４としては、例えば、エポテック社製
Ｈ２０Ｅが用いられる。また、セラミックベース１１の
周辺部には低融点ガラス１５により複数本のリード１６
が固定されており、前記固体撮像素子１３に設けた電極
（図示せず）とリード１６とがアルミニウムや金を主成
分とする金属細線１７で電気接続される。
する。図１は本発明を固体撮像装置に適用した第１実施
例の縦断面図である。矩形の厚板状をしたセラミックベ
ース１１の表面の略中央部に凹部１２が設けられてお
り、この凹部１２内にＣＣＤやＭＯＳ等の固体撮像素子
１３がダイアタッチ剤１４によりマウントされる。この
ダイアタッチ剤１４としては、例えば、エポテック社製
Ｈ２０Ｅが用いられる。また、セラミックベース１１の
周辺部には低融点ガラス１５により複数本のリード１６
が固定されており、前記固体撮像素子１３に設けた電極
（図示せず）とリード１６とがアルミニウムや金を主成
分とする金属細線１７で電気接続される。
【００１３】更に、前記セラミックベース１１上に透光
性の矩形板材からなるキャップ１８が被せられ、セラミ
ックベース１１の周辺部において樹脂封止剤としての接
着剤１９により固定されてセラミックベース１１内を封
止し、前記固体撮像素子１３を気密封止している。前記
キャップ１８としては、硼珪酸ガラスのような透光性ガ
ラスが用いられる。また、前記接着剤１９としては、ビ
スフェノールＳ型エポキシ樹脂を主成分とし、これに硬
化剤としてのジアミノジフェニールスルホンと、フィラ
ーとしての酸化亜鉛を含有したものが用いられる。この
接着剤１９をメチルアルコール等の溶剤により溶融させ
た上で、これを予めキャップ１８の内面の周辺部に塗布
しておき、乾燥して半硬化状態とする。その後に、キャ
ップ１８をセラミックベース１１上に被せた上でクリッ
プ等を用いてキャップ１８をセラミックベース１１に向
けて加圧し、その加圧状態のまま加熱して接着剤１９を
溶融させ、その後硬化させて接着を行っている。
性の矩形板材からなるキャップ１８が被せられ、セラミ
ックベース１１の周辺部において樹脂封止剤としての接
着剤１９により固定されてセラミックベース１１内を封
止し、前記固体撮像素子１３を気密封止している。前記
キャップ１８としては、硼珪酸ガラスのような透光性ガ
ラスが用いられる。また、前記接着剤１９としては、ビ
スフェノールＳ型エポキシ樹脂を主成分とし、これに硬
化剤としてのジアミノジフェニールスルホンと、フィラ
ーとしての酸化亜鉛を含有したものが用いられる。この
接着剤１９をメチルアルコール等の溶剤により溶融させ
た上で、これを予めキャップ１８の内面の周辺部に塗布
しておき、乾燥して半硬化状態とする。その後に、キャ
ップ１８をセラミックベース１１上に被せた上でクリッ
プ等を用いてキャップ１８をセラミックベース１１に向
けて加圧し、その加圧状態のまま加熱して接着剤１９を
溶融させ、その後硬化させて接着を行っている。
【００１４】このように構成された本実施例の固体撮像
装置の信頼性を確認するために、図１の構成をした２２
ピン、ＤＩＰタイプのパッケージの固体撮像装置を２個
作成した。１つは前記実施例のように接着剤１９にビス
フェノールＳ型エポキシ樹脂を主成分としたものであ
り、比較試料として接着剤にビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂を主成分としたものである。これらは、１５０
℃、０．７気圧、１００分の同一条件で接着剤による封
止を行っている。
装置の信頼性を確認するために、図１の構成をした２２
ピン、ＤＩＰタイプのパッケージの固体撮像装置を２個
作成した。１つは前記実施例のように接着剤１９にビス
フェノールＳ型エポキシ樹脂を主成分としたものであ
り、比較試料として接着剤にビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂を主成分としたものである。これらは、１５０
℃、０．７気圧、１００分の同一条件で接着剤による封
止を行っている。
【００１５】そして、これらの固体撮像装置に対し、Ｍ
ＩＬ−ＳＴＤ−８８３、方法１０１８．２ 内部水蒸気
量に従い、パッケージ内のガス成分（接着剤の溶剤とな
るメチルアルコールやメチルセルソルブ）の含有率を測
定した。また、パッケージの水分含有率については、１
２５℃、２．３気圧、１００％ＲＨ、２４ｈの条件で固
体撮像装置に対してプレッシャークッカーテスト（ＰＣ
Ｔ）を行ない、その上で前記ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３、
方法１０１８．２の測定を行った。この測定の結果を図
２（ａ）及び（ｂ）に示す。
ＩＬ−ＳＴＤ−８８３、方法１０１８．２ 内部水蒸気
量に従い、パッケージ内のガス成分（接着剤の溶剤とな
るメチルアルコールやメチルセルソルブ）の含有率を測
定した。また、パッケージの水分含有率については、１
２５℃、２．３気圧、１００％ＲＨ、２４ｈの条件で固
体撮像装置に対してプレッシャークッカーテスト（ＰＣ
Ｔ）を行ない、その上で前記ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３、
方法１０１８．２の測定を行った。この測定の結果を図
２（ａ）及び（ｂ）に示す。
【００１６】図２（ａ）の水分含有率の結果から判るよ
うに、本実施例のようにパッケージの封止用樹脂として
の接着剤１９にビスフェノールＳ型エポキシ樹脂を主成
分としているものは、比較対象のビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂を主成分とするものと比較して、パッケージ
内の水分含有率は、ＰＣＴ実施前においては０．５８の
比率であり、ＰＣＴの実施後においては、０．４３の比
率となる。この結果から、本実施例の固体撮像装置にお
けるパッケージ内水分含有率は比較対象のパッケージ構
造よりも低減できることが確認された。
うに、本実施例のようにパッケージの封止用樹脂として
の接着剤１９にビスフェノールＳ型エポキシ樹脂を主成
分としているものは、比較対象のビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂を主成分とするものと比較して、パッケージ
内の水分含有率は、ＰＣＴ実施前においては０．５８の
比率であり、ＰＣＴの実施後においては、０．４３の比
率となる。この結果から、本実施例の固体撮像装置にお
けるパッケージ内水分含有率は比較対象のパッケージ構
造よりも低減できることが確認された。
【００１７】したがって、本実施例の固体撮像装置で
は、セラミックベース１１とキャップ１８とで構成され
るパッケージ内に内装された固体撮像素子１３における
結露を抑制することができ、集光作用を行うためのレン
ズアレイ表面に結露が生じて結像が不鮮明になること
や、光の受光効率が低下されること等の光学的な特性劣
化や、電気短絡による電気的な特性劣化が防止できる。
は、セラミックベース１１とキャップ１８とで構成され
るパッケージ内に内装された固体撮像素子１３における
結露を抑制することができ、集光作用を行うためのレン
ズアレイ表面に結露が生じて結像が不鮮明になること
や、光の受光効率が低下されること等の光学的な特性劣
化や、電気短絡による電気的な特性劣化が防止できる。
【００１８】また、図２（ｂ）の溶剤成分含有率から判
るように、本実施例の溶剤成分であるメチルアルコール
は、比較対象の溶剤成分であるメチルセルソルブに比較
して略１／１０であった。したがって、固体撮像素子に
設けられている樹脂製レンズアレイが溶剤によってダメ
ージを受けることが軽減でき、結像特性の劣化が防止で
き、鮮明な結像による光電特性を確保することができ
る。
るように、本実施例の溶剤成分であるメチルアルコール
は、比較対象の溶剤成分であるメチルセルソルブに比較
して略１／１０であった。したがって、固体撮像素子に
設けられている樹脂製レンズアレイが溶剤によってダメ
ージを受けることが軽減でき、結像特性の劣化が防止で
き、鮮明な結像による光電特性を確保することができ
る。
【００１９】図３は本発明の第２実施例の断面図であ
り、本発明をサイドブレーズタイプのセラミックＤＩＰ
に適用した半導体装置に適用した例である。セラミック
ベース２１はその表面に設けた凹部２２内に半導体素子
２３をダイアタッチ剤２４によりマウントしている。ま
た、セラミックベース２１の外側面にはリード２６が固
定されており、このリード２６に電気接続されるメタラ
イズ２５がセラミックベース２１の周辺部に形成されて
いる。そして、前記半導体素子２３の電極（図示せず）
はこのメタライズ２５に金属細線２７により電気接続さ
れる。そして、セラミックベース２１上にセラミックや
金属のキャップ２８が被せられ、封止用樹脂としてビス
フェノールＳ型エポキシ系樹脂を主成分とする接着剤２
９を用いてキャップ２８をセラミックベース２１に接着
固定し、パッケージ内を封止している。
り、本発明をサイドブレーズタイプのセラミックＤＩＰ
に適用した半導体装置に適用した例である。セラミック
ベース２１はその表面に設けた凹部２２内に半導体素子
２３をダイアタッチ剤２４によりマウントしている。ま
た、セラミックベース２１の外側面にはリード２６が固
定されており、このリード２６に電気接続されるメタラ
イズ２５がセラミックベース２１の周辺部に形成されて
いる。そして、前記半導体素子２３の電極（図示せず）
はこのメタライズ２５に金属細線２７により電気接続さ
れる。そして、セラミックベース２１上にセラミックや
金属のキャップ２８が被せられ、封止用樹脂としてビス
フェノールＳ型エポキシ系樹脂を主成分とする接着剤２
９を用いてキャップ２８をセラミックベース２１に接着
固定し、パッケージ内を封止している。
【００２０】この構成の半導体装置においても、半導体
素子２３を内装したセラミックベース２１とキャップ２
８との間を封止する接着剤２９にビスフェノールＳ型エ
ポキシ系樹脂を用いているために、第１実施例と同様に
パッケージ内における水分含有率を低減でき、かつ溶剤
成分含有率を低減することが可能となる。これにより、
半導体素子の表面における結露が抑制でき、半導体素子
における電気的な短絡が防止でき、かつ金属部分の腐食
等を未然に防止することができる。また、溶剤成分によ
る半導体素子へのダメージも防止される。
素子２３を内装したセラミックベース２１とキャップ２
８との間を封止する接着剤２９にビスフェノールＳ型エ
ポキシ系樹脂を用いているために、第１実施例と同様に
パッケージ内における水分含有率を低減でき、かつ溶剤
成分含有率を低減することが可能となる。これにより、
半導体素子の表面における結露が抑制でき、半導体素子
における電気的な短絡が防止でき、かつ金属部分の腐食
等を未然に防止することができる。また、溶剤成分によ
る半導体素子へのダメージも防止される。
【００２１】なお、前記第１及び第２実施例はセラミッ
クベースに半導体素子をマウントし、このセラミックベ
ースにキャップを封着する構成例を示しているが、本発
明はリードフレームに搭載した半導体素子をセラミック
パッケージで封止する構成の半導体装置、或いは半導体
素子をフリップチップ法でセラミックパッケージに搭載
する半導体装置、リードがセラミックパッケージの下面
に設けられている半導体装置、等種々のパッケージ構造
の半導体装置に適用することが可能である。
クベースに半導体素子をマウントし、このセラミックベ
ースにキャップを封着する構成例を示しているが、本発
明はリードフレームに搭載した半導体素子をセラミック
パッケージで封止する構成の半導体装置、或いは半導体
素子をフリップチップ法でセラミックパッケージに搭載
する半導体装置、リードがセラミックパッケージの下面
に設けられている半導体装置、等種々のパッケージ構造
の半導体装置に適用することが可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、セラミッ
クベースとキャップとを接着して半導体素子をパッケー
ジ内に封止するための樹脂封止剤をビスフェノールＳ型
エポキシ樹脂を主成分とした樹脂で構成しているので、
セラミックベースとキャップとの間の透湿性を改善し、
パッケージ内における水分含有率を低減し、かつ溶剤成
分含有率を低減し、半導体素子へのダメージを緩和し、
半導体装置の耐湿性と信頼性を改善することができる。
クベースとキャップとを接着して半導体素子をパッケー
ジ内に封止するための樹脂封止剤をビスフェノールＳ型
エポキシ樹脂を主成分とした樹脂で構成しているので、
セラミックベースとキャップとの間の透湿性を改善し、
パッケージ内における水分含有率を低減し、かつ溶剤成
分含有率を低減し、半導体素子へのダメージを緩和し、
半導体装置の耐湿性と信頼性を改善することができる。
【００２３】また、本発明は、セラミックベースに固体
撮像素子がマウントされ、このセラミックベースに透光
性キャップが被せられ、これらのセラミックベースとキ
ャップとをビスフェノールＳ型エポキシ樹脂を主成分と
した樹脂で接着して固体撮像素子をパッケージ内に気密
封止したことにより、固体撮像素子のレンズ面に結露が
生じて結像特性が劣化されることが防止でき、かつ樹脂
製レンズが溶剤成分によってダメージを受けることもな
く、光学的特性を顕著に改善することができる。
撮像素子がマウントされ、このセラミックベースに透光
性キャップが被せられ、これらのセラミックベースとキ
ャップとをビスフェノールＳ型エポキシ樹脂を主成分と
した樹脂で接着して固体撮像素子をパッケージ内に気密
封止したことにより、固体撮像素子のレンズ面に結露が
生じて結像特性が劣化されることが防止でき、かつ樹脂
製レンズが溶剤成分によってダメージを受けることもな
く、光学的特性を顕著に改善することができる。
【図１】本発明を固体撮像装置に適用した第１実施例の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の半導体装置における水分含有率と溶剤
成分含有率を従来装置と比較した測定結果を示す図であ
る。
成分含有率を従来装置と比較した測定結果を示す図であ
る。
【図３】本発明を半導体装置に適用した第２実施例の断
面図である。
面図である。
【図４】従来の固体撮像装置の一例の断面図である。
１１，２１ セラミックベース １３，２３ 半導体素子（固体撮像素子） １６，２６ リード １８，２８ キャップ １９，２９ 接着剤
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子をセラミックベースとキャッ
プとで構成されるパッケージ内に内装し、前記セラミッ
クベースとキャップとを樹脂封止剤により接着して前記
半導体素子をパッケージ内に封止してなる樹脂封止型半
導体装置において、前記樹脂封止剤をビスフェノールＳ
型エポキシ樹脂を主成分とした樹脂で構成したことを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 樹脂封止剤は、ビスフェノールＳ型エポ
キシ樹脂を主成分とし、硬化剤にジアミノジフェニール
スルホンを、フィラーとして酸化亜鉛をそれぞれ含有し
てなる請求項１の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 セラミックベースに固体撮像素子がマウ
ントされ、このセラミックベースに透光性キャップが被
せられ、前記セラミックベースとキャップとをビスフェ
ノールＳ型エポキシ樹脂を主成分とした樹脂で接着して
前記固体撮像素子をセラミックベースとキャップとで画
成されるパッケージ内に気密封止してなる樹脂封止型半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23043694A JPH0878567A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23043694A JPH0878567A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878567A true JPH0878567A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16907880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23043694A Pending JPH0878567A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878567A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63116461A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-20 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 固体撮像装置の気密封止方法 |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP23043694A patent/JPH0878567A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63116461A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-20 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 固体撮像装置の気密封止方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7268436B2 (en) | Electronic device with cavity and a method for producing the same | |
| US6512219B1 (en) | Fabrication method for integrally connected image sensor packages having a window support in contact with the window and active area | |
| EP0089044A2 (en) | A semiconductor device having a container sealed with a solder of low melting point | |
| JPS58207657A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6515269B1 (en) | Integrally connected image sensor packages having a window support in contact with a window and the active area | |
| JPH06204442A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP3355881B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| US4558346A (en) | Highly reliable hermetically sealed package for a semiconductor device | |
| JPH0621414A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
| JP2001068654A (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH03151666A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPS62273768A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0878567A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US5063435A (en) | Semiconductor device | |
| JPH02125454A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US10374104B2 (en) | Waterproof electronic packaging structure and method for making the same | |
| JP2561329B2 (ja) | 光結合型半導体装置 | |
| JPH0311757A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0969591A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS59110174A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2511148Y2 (ja) | 光結合素子 | |
| JPH06241889A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0382059A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH06252194A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0312467B2 (ja) |