JPH0878300A - 真空排気機構 - Google Patents
真空排気機構Info
- Publication number
- JPH0878300A JPH0878300A JP23949994A JP23949994A JPH0878300A JP H0878300 A JPH0878300 A JP H0878300A JP 23949994 A JP23949994 A JP 23949994A JP 23949994 A JP23949994 A JP 23949994A JP H0878300 A JPH0878300 A JP H0878300A
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- Japan
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- pipe
- piping
- specific
- reaction products
- vacuum pump
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- Applications Or Details Of Rotary Compressors (AREA)
- Non-Positive Displacement Air Blowers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空排気系配管より効果的に反応生成物を除
去する。 【構成】 半導体加工装置１０にはターボ式真空ポンプ
１２およびロータリ式真空ポンプ１６を備えた真空排気
配管系が接続される。この配管系は特定の配管部分２０
を残してヒータ１８，１９により加熱されている排気系
配管１４，１５からなる。特定の配管部分２０は加熱さ
れていないので、反応生成物２４はこの特定の配管部分
２０に集中的に付着または吸着される。
去する。 【構成】 半導体加工装置１０にはターボ式真空ポンプ
１２およびロータリ式真空ポンプ１６を備えた真空排気
配管系が接続される。この配管系は特定の配管部分２０
を残してヒータ１８，１９により加熱されている排気系
配管１４，１５からなる。特定の配管部分２０は加熱さ
れていないので、反応生成物２４はこの特定の配管部分
２０に集中的に付着または吸着される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体加工装置の真空
排気系配管に係わり、より具体的には半導体の加工中に
発生する反応生成物の除去手段に関する。
排気系配管に係わり、より具体的には半導体の加工中に
発生する反応生成物の除去手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造プロセスは、図４に概
略図示されるようなもので、高温プロセス処理部の半導
体加工装置４１０で発生した気体反応生成物がターボ式
真空ポンプ４１２で排気されて、常温に近い排気ライン
４１３を通過する際、急激な冷却により液化現象を起こ
して配管４１４の内壁４３２に付着する。この付着物
は、特に配管の屈曲部分４４５，４４６では、排気抵抗
が大きくなるので、反応生成物が堆積しやすく、経時変
化に伴って排気系配管を閉塞したり、あるいは排気ライ
ン端部に配設されたロータリ式真空ポンプ４１６の性能
を劣化させる等の悪影響を及ぼすようになる。
略図示されるようなもので、高温プロセス処理部の半導
体加工装置４１０で発生した気体反応生成物がターボ式
真空ポンプ４１２で排気されて、常温に近い排気ライン
４１３を通過する際、急激な冷却により液化現象を起こ
して配管４１４の内壁４３２に付着する。この付着物
は、特に配管の屈曲部分４４５，４４６では、排気抵抗
が大きくなるので、反応生成物が堆積しやすく、経時変
化に伴って排気系配管を閉塞したり、あるいは排気ライ
ン端部に配設されたロータリ式真空ポンプ４１６の性能
を劣化させる等の悪影響を及ぼすようになる。
【０００３】このような不具合を防止するため、従来
は、排気系配管形状や配管ラインを複雑にし、また排気
ラインの定期的な保守点検やパーツ交換等を行いこれら
の作業管理を十分に行わなければならなかった。
は、排気系配管形状や配管ラインを複雑にし、また排気
ラインの定期的な保守点検やパーツ交換等を行いこれら
の作業管理を十分に行わなければならなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来技術ではシステム構造全体が複雑化し保守点検作業も
面倒なものとなっていた。
来技術ではシステム構造全体が複雑化し保守点検作業も
面倒なものとなっていた。
【０００５】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、真空排気系配管内から容易にかつ効果
的に反応生成物を除去することにより、簡単な構成で排
気系統の劣化を防止しメンテナンスやパーツ交換に要す
る労力や経費の低減を図った真空排気機構の提供を目的
とする。
たものであって、真空排気系配管内から容易にかつ効果
的に反応生成物を除去することにより、簡単な構成で排
気系統の劣化を防止しメンテナンスやパーツ交換に要す
る労力や経費の低減を図った真空排気機構の提供を目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明の構成は、半導体加工装置の真空排気系配管の
特定の配管部分を残してその前後の配管を加熱するよう
にしている。好ましくはこの特定の配管部分は空冷する
ように構成する。また、この特定の配管部分を脱着自在
なカートリッジ式とし、好適には、この特定の配管部分
にフィルタ部材を内設するとよい。
に本発明の構成は、半導体加工装置の真空排気系配管の
特定の配管部分を残してその前後の配管を加熱するよう
にしている。好ましくはこの特定の配管部分は空冷する
ように構成する。また、この特定の配管部分を脱着自在
なカートリッジ式とし、好適には、この特定の配管部分
にフィルタ部材を内設するとよい。
【０００７】
【作用】排気配管内の特定の配管部分より上流にある加
熱された配管部分では反応生成物が配管内に付着または
吸着されることはない。この排気配管内に特定した加熱
していない配管部分を通過するとき、反応生成物は冷却
されて凝縮しやすくなる。凝縮した粒子は加熱を受けな
いで常温にある特定の配管部分の内壁に付着する。また
凝縮粒子が核となって周囲の反応生成物を取り込むこと
もあり、重力の影響下でさらに常温にある特定の配管部
分内壁への付着が促進される。
熱された配管部分では反応生成物が配管内に付着または
吸着されることはない。この排気配管内に特定した加熱
していない配管部分を通過するとき、反応生成物は冷却
されて凝縮しやすくなる。凝縮した粒子は加熱を受けな
いで常温にある特定の配管部分の内壁に付着する。また
凝縮粒子が核となって周囲の反応生成物を取り込むこと
もあり、重力の影響下でさらに常温にある特定の配管部
分内壁への付着が促進される。
【０００８】このように反応生成物の一部が特定の配管
部分に付着して流れの中から除去される。凝縮されずに
下流の加熱配管の部分に流入する反応生成物の残りは、
この加熱された下流の配管部分では内壁に付着すること
なく排出側のロータリーポンプを通過することになる。
しかしながらその量は極めて僅かであって、ポンプの性
能劣化に及ぼす影響は小さい。
部分に付着して流れの中から除去される。凝縮されずに
下流の加熱配管の部分に流入する反応生成物の残りは、
この加熱された下流の配管部分では内壁に付着すること
なく排出側のロータリーポンプを通過することになる。
しかしながらその量は極めて僅かであって、ポンプの性
能劣化に及ぼす影響は小さい。
【０００９】さらに、この特定の配管部分を空冷等によ
り冷却して温度差を大きくすると、凝縮を一層容易にす
ることができる。またこの特定の配管部分をカートリッ
ジ式にすると、パーツ交換が簡単になって反応生成物の
除去が容易になり、メンテナンスの繁雑さから解放され
る。しかもこの特定の配管部分に適当なフィルタもしく
は邪魔板を内設させると、これが反応生成物を冷却して
凝縮させるように機能する上、付着面積が増大するの
で、反応生成物の除去効率を増加させることができる。
り冷却して温度差を大きくすると、凝縮を一層容易にす
ることができる。またこの特定の配管部分をカートリッ
ジ式にすると、パーツ交換が簡単になって反応生成物の
除去が容易になり、メンテナンスの繁雑さから解放され
る。しかもこの特定の配管部分に適当なフィルタもしく
は邪魔板を内設させると、これが反応生成物を冷却して
凝縮させるように機能する上、付着面積が増大するの
で、反応生成物の除去効率を増加させることができる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。以下、図面中共通するものには同一の符号が用い
てある。図１は本発明に係わる真空排気機構の模式的説
明図で、１０は半導体加工装置、１２はターボ式真空ポ
ンプ、１４，１５は排気系配管、１６はロータリ式真空
ポンプである。１８，１９は配管を周回させて巻装した
ヒータでニクロム線入りのラバーヒータ、マントルヒー
タ等が好適である。２０は加熱を行わない特定の配管部
分である。２２は排気の流れを示す矢印、２４は誇張し
て図示した反応生成物である。このような構成により、
特定の配管部分２０とその前後の配管１４、１５との間
に温度差が生じて、この特定の配管部分の内壁に反応生
成物が凝縮付着する。これにより反応生成物によるロー
タリ式真空ポンプ１６への悪影響等が減少する。
する。以下、図面中共通するものには同一の符号が用い
てある。図１は本発明に係わる真空排気機構の模式的説
明図で、１０は半導体加工装置、１２はターボ式真空ポ
ンプ、１４，１５は排気系配管、１６はロータリ式真空
ポンプである。１８，１９は配管を周回させて巻装した
ヒータでニクロム線入りのラバーヒータ、マントルヒー
タ等が好適である。２０は加熱を行わない特定の配管部
分である。２２は排気の流れを示す矢印、２４は誇張し
て図示した反応生成物である。このような構成により、
特定の配管部分２０とその前後の配管１４、１５との間
に温度差が生じて、この特定の配管部分の内壁に反応生
成物が凝縮付着する。これにより反応生成物によるロー
タリ式真空ポンプ１６への悪影響等が減少する。
【００１１】図２は本発明に係わる真空排気機構の特定
の配管部分２０の実施例を図示したもので、図２（ａ）
は第１実施例、図２（ｂ）は第２実施例である。２６は
カートリッジ式反応生成物集積管（以下集積管）で、上
流側配管１４および下流側配管１５の端部に設けた断熱
遮蔽フランジ２８，２９の間に挿入される。集積管２６
は、反応生成物が集積しやすいように、管の内壁３０の
表面を粗くして流動抵抗を大きくした金属管であり、こ
れが接続される両側の配管１４，１５の内壁３２，３３
は、表面を平滑にして流動抵抗を少なくし、反応生成物
の堆積が困難なようにすることが好ましい。
の配管部分２０の実施例を図示したもので、図２（ａ）
は第１実施例、図２（ｂ）は第２実施例である。２６は
カートリッジ式反応生成物集積管（以下集積管）で、上
流側配管１４および下流側配管１５の端部に設けた断熱
遮蔽フランジ２８，２９の間に挿入される。集積管２６
は、反応生成物が集積しやすいように、管の内壁３０の
表面を粗くして流動抵抗を大きくした金属管であり、こ
れが接続される両側の配管１４，１５の内壁３２，３３
は、表面を平滑にして流動抵抗を少なくし、反応生成物
の堆積が困難なようにすることが好ましい。
【００１２】３４は、集積管２６に一体に設けた放熱フ
ィンで、内部を流れる排気から熱を奪って、この区間の
排気温度を低下させる（図３参照）。３６は集積管２６
の両端に設けた接合フランジで、集積管との接合部分近
傍には肉厚を薄くした弾性部分３８を付与し、断熱遮蔽
フランジ２８，２９との着脱を容易にするように構成し
てもよい。また接合フランジ３６，３６の両接合面４
０，４０は平滑にして、断熱遮蔽フランジ２８，２９の
面と良好な密着を保つようにする。４２は、気密を保持
するためのシールリングである。
ィンで、内部を流れる排気から熱を奪って、この区間の
排気温度を低下させる（図３参照）。３６は集積管２６
の両端に設けた接合フランジで、集積管との接合部分近
傍には肉厚を薄くした弾性部分３８を付与し、断熱遮蔽
フランジ２８，２９との着脱を容易にするように構成し
てもよい。また接合フランジ３６，３６の両接合面４
０，４０は平滑にして、断熱遮蔽フランジ２８，２９の
面と良好な密着を保つようにする。４２は、気密を保持
するためのシールリングである。
【００１３】図２（ｂ）の第２実施例にあっては、集積
管２６をベローズ形状として、ベローズ自体の保有する
弾性を利用して着脱の作業性向上を図るとともに、当然
存在する内面の凹凸が反応生成物の堆積に対して良好に
機能する。４４は適当なメッシュを有するフィルタで、
集積管２６の中央部を流れる反応生成物を捕捉するのに
効果的である。
管２６をベローズ形状として、ベローズ自体の保有する
弾性を利用して着脱の作業性向上を図るとともに、当然
存在する内面の凹凸が反応生成物の堆積に対して良好に
機能する。４４は適当なメッシュを有するフィルタで、
集積管２６の中央部を流れる反応生成物を捕捉するのに
効果的である。
【００１４】本発明に係わる真空排気機構は以上のよう
に構成されているので、排気系配管内の集積管２６近傍
における管内温度分布は図３に示すグラフのようにな
る。グラフは縦軸を温度とし、横軸を配管の位置とした
ものである。５０，５１は、上流側配管１４および下流
側配管１５と集積管２６の境界部分であり、断熱遮断フ
ランジ２８，２９の位置に相当する。５２は、反応生成
物の付着の難易温度領域を区分する閾値の温度を示す。
に構成されているので、排気系配管内の集積管２６近傍
における管内温度分布は図３に示すグラフのようにな
る。グラフは縦軸を温度とし、横軸を配管の位置とした
ものである。５０，５１は、上流側配管１４および下流
側配管１５と集積管２６の境界部分であり、断熱遮断フ
ランジ２８，２９の位置に相当する。５２は、反応生成
物の付着の難易温度領域を区分する閾値の温度を示す。
【００１５】５３は管内の温度分布曲線で、領域５４，
５６は高温部でほぼ同一の条件にあり、閾値５２より高
温側にあるために、反応生成物は管内壁に付着し難い条
件にあることが判る。一方、領域５５は低温部で、内部
温度が閾値５２より低温側になるようにして、反応生成
物を凝縮液化する条件を満足させ、この区間に堆積を集
中させることができる。このようにして反応生成物の堆
積した集積管２６は、着脱容易であるから、簡単に交換
できる。
５６は高温部でほぼ同一の条件にあり、閾値５２より高
温側にあるために、反応生成物は管内壁に付着し難い条
件にあることが判る。一方、領域５５は低温部で、内部
温度が閾値５２より低温側になるようにして、反応生成
物を凝縮液化する条件を満足させ、この区間に堆積を集
中させることができる。このようにして反応生成物の堆
積した集積管２６は、着脱容易であるから、簡単に交換
できる。
【００１６】なお、上記実施例は空冷により特定の配管
部分を冷却したが別の冷却手段により強制冷却すること
もできる。
部分を冷却したが別の冷却手段により強制冷却すること
もできる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明に係わる真空
排気機構は、真空排気系配管の特定の配管部分以外を加
熱して、配管経路の特定部分に温度差を持たせるように
したので、この特定の配管部分に反応生成物を集中的に
付着させて、反応生成物による配管および真空ポンプへ
の悪影響を除去し、トラブルを未然に防止することがで
きる。また特定の配管部分を着脱可能にすれば交換が簡
便となり、複雑な排気ラインのメンテナンスを簡素化す
ることができ、しかも、反応生成物の廃棄処理等に関す
る環境衛生上の問題を改善することができる。
排気機構は、真空排気系配管の特定の配管部分以外を加
熱して、配管経路の特定部分に温度差を持たせるように
したので、この特定の配管部分に反応生成物を集中的に
付着させて、反応生成物による配管および真空ポンプへ
の悪影響を除去し、トラブルを未然に防止することがで
きる。また特定の配管部分を着脱可能にすれば交換が簡
便となり、複雑な排気ラインのメンテナンスを簡素化す
ることができ、しかも、反応生成物の廃棄処理等に関す
る環境衛生上の問題を改善することができる。
【図１】本発明に係わる真空排気機構の模式的説明図で
ある。
ある。
【図２】（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明に係わる真空排
気機構の各別の実施例の断面による側面図である。
気機構の各別の実施例の断面による側面図である。
【図３】本発明に係わる真空排気機構の配管内の温度分
布を示すグラフである。
布を示すグラフである。
【図４】従来の真空排気機構の模式図である。
１０ 半導体加工装置 １２ ターボ式真空ポンプ １４，１５ 排気系配管 １６ ロータリ式真空ポンプ １８，１９ ヒータ ２０ 特定の配管部分 ２４ 反応生成物 ２６ カートリッジ式反応生成物集積管 ２８，２９ 断熱遮蔽フランジ ３０ （集積管の）内壁 ３２，３３ （配管の）内壁 ３４ 放熱フィン ３６ 接合フランジ ３８ 弾性部分 ４０ （接合フランジの）接合面 ４２ シールリング ４４ フィルタ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体加工装置の真空排気系配管に特定
の配管部分を残してその前後の配管を加熱するようにし
た真空排気機構。 - 【請求項２】 前記特定の配管部分を空冷するようにし
た請求項１に記載の真空排気機構。 - 【請求項３】 前記特定の配管部分を脱着自在なカート
リッジ式とした請求項１または２に記載の真空排気機
構。 - 【請求項４】 前記特定の配管部分にフィルタ部材を内
設するようにした請求項１から３までのいずれかに記載
の真空排気機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23949994A JPH0878300A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | 真空排気機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23949994A JPH0878300A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | 真空排気機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878300A true JPH0878300A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=17045697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23949994A Withdrawn JPH0878300A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | 真空排気機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878300A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003057222A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-26 | Fis Inc | ガスクロマトグラフ |
| EP1398506A2 (en) | 2002-09-10 | 2004-03-17 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Hermetic multistage vacuum pump |
| US6874989B2 (en) | 2002-09-10 | 2005-04-05 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Vacuum pump |
| JP2018062872A (ja) * | 2016-10-11 | 2018-04-19 | 株式会社荏原製作所 | 真空ポンプ、真空ポンプの冷却装置、真空ポンプの冷却方法、真空排気システム、及び、真空ポンプのメンテナンス方法 |
| WO2018169133A1 (ko) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | 주식회사 플랜 | 반도체 챔버용 펌프 시스템 |
| WO2022145292A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | エドワーズ株式会社 | 真空ポンプ及び制御装置 |
-
1994
- 1994-09-06 JP JP23949994A patent/JPH0878300A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003057222A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-26 | Fis Inc | ガスクロマトグラフ |
| JP4733314B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2011-07-27 | エフアイエス株式会社 | ガスクロマトグラフ |
| EP1398506A2 (en) | 2002-09-10 | 2004-03-17 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Hermetic multistage vacuum pump |
| US6874989B2 (en) | 2002-09-10 | 2005-04-05 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Vacuum pump |
| US7255541B2 (en) | 2002-09-10 | 2007-08-14 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Fluid pump |
| JP2018062872A (ja) * | 2016-10-11 | 2018-04-19 | 株式会社荏原製作所 | 真空ポンプ、真空ポンプの冷却装置、真空ポンプの冷却方法、真空排気システム、及び、真空ポンプのメンテナンス方法 |
| WO2018169133A1 (ko) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | 주식회사 플랜 | 반도체 챔버용 펌프 시스템 |
| CN109155232A (zh) * | 2017-03-15 | 2019-01-04 | 普兰有限责任公司 | 用于半导体腔室的泵系统 |
| US11353023B2 (en) * | 2017-03-15 | 2022-06-07 | Plan Co., Ltd | Pump system for semiconductor chamber |
| WO2022145292A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | エドワーズ株式会社 | 真空ポンプ及び制御装置 |
| US12078178B2 (en) | 2020-12-28 | 2024-09-03 | Edwards Japan Limited | Vacuum pump and control device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20041104 |