JPH087677A - 結線用複合導体の製造法 - Google Patents

結線用複合導体の製造法

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JPH087677A
JPH087677A JP6139015A JP13901594A JPH087677A JP H087677 A JPH087677 A JP H087677A JP 6139015 A JP6139015 A JP 6139015A JP 13901594 A JP13901594 A JP 13901594A JP H087677 A JPH087677 A JP H087677A
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wire
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low melting
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Kazunao Kudo
和直 工藤
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子部品のリード線などの結線用導体として
適合するように芯材と被覆材の構成比率が所定割合とな
る複合導体の製造法である。 【構成】 低融点合金材の芯材２は芯材供給部１５から
連続的に供給され、ストレーナ１６で真直ぐにされ、清
浄装置１７を通り成形装置１２へ導入される。成形装置
については被覆材供給装置１１からパイプ状の被覆材１
が供給され、そのパイプ内に芯材１が押し込まれて一体
成形された後、ダイス１８で減面処理が行なわれ伸線さ
れて巻取機１９に巻取られる。その後低ダイス半角のダ
イスで数段の伸線処理がされて結線用導体を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＩＣ、ＬＳＩなどの
半導体装置やダイオード、抵抗器、コンデンサ等の電子
部品の結線用導体として用いられる複合導体の製造法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置の結線用導体とし
ては、ボンデングワイヤー、ジャンパーリード、コネク
ター・ソケットピン端子の様に多種多様の金属線が用い
られている。これらのリードやピンはその端部をＩＣチ
ップ、プリント基盤、リードフレームと結線する際、先
端を溶着させたり、抵抗溶接したり、はんだ付けしたり
している。さらに、これらの端子結線方式を簡略化する
ため、あらかじめ銅線の軸芯に鉛または半田合金を有す
る複合線材を使い、切断面に低融点材（鉛等）を露出さ
せておき加熱するだけで簡単に端子と基盤を結線できる
材料が考えられている。
【０００３】上記複合線材は、例えば実公昭５９−３５
９５４号公報、あるいは特開昭６２−１４１７５０号公
報に開示されている。上記第一の公報では、芯部に鉛合
金を有する銅合金線を適宜長さに切断し、その一端を加
工ヘッダにて加工して頭部を形成したリード端子とさ
れ、頭部を電子部品に接して、他端は例えば斜めに切断
して他の接続線と接続され、それぞれの端部を加熱溶融
させると露出した低融点の芯材が溶け出して溶着され
る。溶出する芯材は銅合金内に封入されているので酸化
させずに溶出し、このため溶接性が良好とされている。
【０００４】第二の公報による複合導体も、第一の公報
と同様に銅又は銅合金の外被材の中に融点が４５０℃以
下の芯材が含まれた導体であり、この公報ではその断面
構成についてのみ開示している。そして、この公報の複
合導体は、過電流が流れたときに芯材が溶融し、その結
果体積膨張が生じて外被材を破り、導体が断線してヒュ
ーズ機能を持たせることを目的としたものである。従っ
て、接続端での形状については何ら特定されていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】ところで、これら低
融点材を軸芯とする材料は実際使用する際、中の低融点
材の量（ボリュウム）や外被銅の厚みによって、溶け出
し量が多くて必要外の所に付着したり、突沸して飛散し
たり、なかには外被を破って破断したり、量が少ないと
溶け出しがないため結線不良になったりして、結線に適
切な低融点材料の構成比が決められていないのが現状で
ある。又今までのこれらの線材の製造に関しては、中空
の銅のインゴットに低融点の芯材を溶かし込み、その後
ドローベンチ等の大型引抜き機で伸線機に供給可能サイ
ズに落とし、さらに伸線機で細径化して所定サイズにし
ており、これでは、ボンデングワイヤーやジャンパーリ
ード等の様に長尺電線として使うにはその単重が不足し
たり、加えてコストが極めて高くなり汎用電子部品材料
には適さなかったりしている。
【０００６】本発明はこれらの問題を試行錯誤しながら
得られた半導体用の結線材料で、最適な構成で安価な複
合線の製造法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決する手
段としてこの発明は、長尺の銅又は銅合金からなる被覆
材に低融点合金線材の芯材を連続的に挿入して被覆した
のち、減面率３０％以上の加工を加えて嵌合線とし、さ
らに低角度ダイスで伸線加工して面積被覆率６０〜９５
％の導体を形成することから成る結線用複合導体の製造
法としたのである。
【０００８】この製造法において、前記低融点合金線材
を錫、鉛、カドミウム、亜鉛又はそれらの群から選ばれ
た合金とし、ダイス半角α＝１５〜３０度のダイスを用
いて減面率３０％以上の加工を加え、さらに低角度ダイ
スはダイス半角α＝２〜５度とするのが好ましい。
【０００９】
【作用】この発明に従った結線用複合導体は、低融点金
属からなる芯材のまわりを囲む被覆材からなる。被覆材
は銅および銅合金からなり、その金、錫、半田めっき性
からと導電性から無酸素銅やさらにバネ性を要求される
場合はリン青銅やオーリン等の銅合金でよく、その線全
体の面積被覆率は６０〜９５％である。
【００１０】芯材の低融点合金は、一般に約４００℃以
下の融点を持つ金属又はその合金が用いられる。好まし
い実施態様では、この芯材は錫、鉛、カドミウム、亜鉛
の金属もしくはこれらの群から選ばれた合金からなる低
融点材で、その融点は錫２３１．９度、鉛３２７．４
度、カドミウム３２０．９度、亜鉛４１９度であり、こ
れらから選ばれた合金の融点はさらに金属単体より低く
なる。加えてこの低融点合金を用いた金属線の中にハン
ダ付け性をより容易にしたフラックス（ヤニ）を入れる
ことも可能である。
【００１１】このような複合導体は又安価な線材を提供
するために、その製造にあたり長尺の銅もしくは銅合金
材中に前記の低融点金属線を連続的に挿入して被覆した
後、ダイスを用いて前記被覆材減面率３０％以上の加工
を加えて嵌合線とした後、低角度ダイスで伸線加工して
前記面積比率を有する線材に仕上げるものである。
【００１２】ここで、コストの安い汎用電子部品として
使うために、長尺の被覆管ならびに低融点材料を用いて
製造するが、長尺の被覆管を用いるため中央部の低融点
材料がこの被覆管材より柔らかいため所定の面積被覆比
率を得るのは至難である。このため発明者らはテストを
繰り返し被覆材中に低融点材料を連続的に挿入しながら
用いる所定比率を得るためのダイスの半角が重要である
ことに気付き、その半角をα＝１５〜３０度とすること
と、その後伸線加工する時、そのダイス半角をα＝２〜
５度とすることで問題が解決した。
【００１３】ここで、最初の嵌合時の半角を１５〜３０
としたのは、１５度以下とくに１０度以下になると、線
材にかかる伸線応力が中央部の低融点材料部に及び柔ら
かい低融点材が所定の面積比率に成りにくく、また３０
度以上とくに４０度になると線が破断したりするからで
ある。またこの加工の際被覆管材の減面率は３０％以上
かかる様に設計したほうが良い。すなわち、異種の金属
をクラッドする際にはそのコンタクト力を高めるのには
最初の減面加工が大きく寄与するからである。又、次の
伸線工程で伸線ダイスの半角を２〜５度としたのは、２
度以下ではダイスにかかる面圧が高くなり加工しづらい
ことと低角度のため、一回で大きな減面率が得られず工
程が長くなり、コストアップにつながる。また５度以上
特に８度以上になれば、被覆部のみ大きな応力がかかり
線が断線したりするからである。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１は、この発明の製造法により得られ
る結線用複合導体の断面を示し、１は銅又は銅合金から
成る被覆材、２は低融点合金の芯材である。そして、こ
の複合導体は被覆材の線全体に対する面積被覆率は６０
〜７５％としている。低融点合金の芯材２は、実施例で
は錫、鉛、カドミウム、亜鉛のいずれか又はその合金を
用いている。
【００１５】図２は、この発明の製造法を実施する装置
の概略図である。１１は無酸素銅管をロール状にしたも
のを連続的に繰り出す被覆材供給装置、１２は芯材２を
管内に押し込んで被覆材１と芯材２を一体成形する成形
装置、１３は送りロールである。
【００１６】１５は低融点合金をロール状にして連続的
に芯材を送り出す芯材供給装置、１６は芯材の巻きぐせ
を真直ぐにするストレーナ、１７は芯材外周に付着した
汚れを落とす清浄装置である。上記成形装置１２で一体
に嵌合させた嵌合材ｄは、ダイス１８で減面処理され伸
線されて巻取機１９で巻取られる。
【００１７】なお、図示の装置は第１段のダイス１８に
よる伸線工程のみを示しており、実際には第２段、第３
段……と複数段の径の異なるダイス１８’、１８”……
で伸線処理されるが、これについては図示省略してい
る。
【００１８】以上の装置により線形４mmの低融点半田合
金線（共晶）の芯材２は芯材供給部１５から連続的に繰
り出され、ストレーナ１６で真直ぐにされながら清浄装
置１７を通り、成形装置１２へと導入される。そして、
成形装置１２において、被覆材１である無酸素銅外径１
６mmパイプの軸方向に沿った突き合わせ部からパイプ内
へ芯材２を連続的に押し込みながら、所定の面積率を得
るために半角α＝２０〜２５度のダイス１８を経て芯材
２に無酸素被覆材１が嵌合された約１０mm径嵌合材ｄと
なって巻取機１９で巻き取る。その後、嵌合材ｄをダイ
ス半角α＝２〜５度の伸線ダイスを用い連続伸線機で約
４mmの線材とした。その後も同様のダイスを用い途中で
軽い軟化を加えながら０．１mmの複合導体線を得た。
【００１９】
【効果】以上詳細に説明したように、この出願の第一の
発明の製造法では銅又は銅合金の被覆材に低融点合金材
芯線を嵌合し、これを減面率３０％以上の加工を加え、
さらに、低角度ダイスで伸線加工し面積被覆率６０〜９
５％の導体を形成する方法としたから、低融点材の構成
比の極めて良好な導体が得られ、従来のインゴットに鋳
造して作るより大単重で安価でかつ最適な複合線を提供
することができた。又、この材料は銅の熱伝導性の良い
点を利用すれば半導体製品に広く適応し、ヒートシンク
用のパッケージ材料としても色々応用できるものであ
る。加えて、被覆材にアルミニウム又はアルミニウム合
金を用いれば、アルミボンディングワイヤ等の代替とし
ても応用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例の複合導体断面図
【図２】この発明による製造法を実施する装置の概略図
【符号の説明】
１ 被覆材 ２ 芯材 １１ 被覆材供給装置 １２ 成形装置 １３ 送りロール １５ 芯材供給装置 １６ ストレーナ １７ 清浄装置 １８ ダイス １９ 巻取機
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｇ 4/228

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 長尺の銅又は銅合金からなる被覆材に低
    融点合金線材の芯材を連続的に挿入して被覆したのち、
    減面率３０％以上の加工を加えて嵌合線とし、さらに低
    角度ダイスで伸線加工して面積被覆率６０〜９５％の導
    体を形成することから成る結線用複合導体の製造法。
  2. 【請求項２】 前記低融点合金線材を錫、鉛、カドミウ
    ム、亜鉛又はそれらの群から選ばれた合金とし、ダイス
    半角α＝１５〜３０度のダイスを用いて減面率３０％以
    上の加工を加え、さらに低角度ダイスはダイス半角α＝
    ２〜５度としたことを特徴とする請求項１に記載の結線
    用複合導体の製造法。
JP6139015A 1994-06-21 1994-06-21 結線用複合導体の製造法 Pending JPH087677A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103143936A (zh) * 2013-03-18 2013-06-12 天津美腾铜业有限公司 铜排做头用铣头机及做头工艺
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Cited By (6)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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CN110549216A (zh) * 2019-09-18 2019-12-10 南京工业大学 钛合金拉丝处理设备
CN111584165A (zh) * 2020-05-11 2020-08-25 嘉兴达宝文线缆有限公司 线缆加工用屏蔽层自动包覆装置
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