JPH0876360A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JPH0876360A JPH0876360A JP28626594A JP28626594A JPH0876360A JP H0876360 A JPH0876360 A JP H0876360A JP 28626594 A JP28626594 A JP 28626594A JP 28626594 A JP28626594 A JP 28626594A JP H0876360 A JPH0876360 A JP H0876360A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造環境での使用に適し、多様なパターン形
状の任意個所に対応し、計算量が少なく、高速な近接効
果補正を施したフォトマスクの製造方法を提供する。 【構成】 レジスト上に転写されるべき設計パターンの
輪郭を分割することにより、その分割された個々の個所
に対する補正パターンの幅を、代数方程式を解く計算を
含むステップによって求める。一つの補正個所につい
て、繰り返し計算を必要とせず、計算量の少ない高速な
補正を加えることができる。また、補正前の設計パター
ンを用いた計算方法なので、フォトマスク上の任意パタ
ーンの任意の個所において、必要とされる補正量を算出
することができる。
状の任意個所に対応し、計算量が少なく、高速な近接効
果補正を施したフォトマスクの製造方法を提供する。 【構成】 レジスト上に転写されるべき設計パターンの
輪郭を分割することにより、その分割された個々の個所
に対する補正パターンの幅を、代数方程式を解く計算を
含むステップによって求める。一つの補正個所につい
て、繰り返し計算を必要とせず、計算量の少ない高速な
補正を加えることができる。また、補正前の設計パター
ンを用いた計算方法なので、フォトマスク上の任意パタ
ーンの任意の個所において、必要とされる補正量を算出
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路等の製造
工程で、回路パターンの転写に利用されるフォトマスク
の製造方法に関する。
工程で、回路パターンの転写に利用されるフォトマスク
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、ウェハー
上にフォトレジスト（以下単にレジストという）を塗布
し、フォトマスクを通してこのレジストに露光し、レジ
スト上の光学像に従って作られたレジストパターンをマ
スクにしてエッチングなどがなされる。従来、ここで用
いられるフォトマスクパターンは、レジスト上に形成し
ようとする設計パターンと同一あるいは数倍に拡大され
た寸法であった。
上にフォトレジスト（以下単にレジストという）を塗布
し、フォトマスクを通してこのレジストに露光し、レジ
スト上の光学像に従って作られたレジストパターンをマ
スクにしてエッチングなどがなされる。従来、ここで用
いられるフォトマスクパターンは、レジスト上に形成し
ようとする設計パターンと同一あるいは数倍に拡大され
た寸法であった。
【０００３】しかし、ＬＳＩの微細化に伴い、前記の方
法では、レジスト面上に形成される光学像の忠実度が低
下し、設計パターンとレジストパターンの差が生じる。
忠実度の低下は、特に変形照明法（特開平４−１８０６
１２号公報）や位相シフト法（特開昭６２−５０８１１
号公報）を用いる際に厳しくなる。
法では、レジスト面上に形成される光学像の忠実度が低
下し、設計パターンとレジストパターンの差が生じる。
忠実度の低下は、特に変形照明法（特開平４−１８０６
１２号公報）や位相シフト法（特開昭６２−５０８１１
号公報）を用いる際に厳しくなる。
【０００４】これに対処する為に、フォトマスクパター
ンに、あらかじめ補正を加えておくことによって、レジ
スト上では設計パターンに近い光学像を実現する方法が
ある。これを近接効果補正という。
ンに、あらかじめ補正を加えておくことによって、レジ
スト上では設計パターンに近い光学像を実現する方法が
ある。これを近接効果補正という。
【０００５】一次元のＬ／Ｓ（ラインアンドスペース）
の線幅補正を行う方法として、特公平４−１７９９５２
号公報「微細パターンの形成方法」に記載のものが知ら
れている。また特公昭６３−２１６０５２号公報「露光
方法」には、図１７に示されるように、試料上に転写さ
れるべき形状のフォトマスクパターン７の角部に、補正
パターン８を加えたフォトマスクパターンを用いて露光
する方法が述べられている。
の線幅補正を行う方法として、特公平４−１７９９５２
号公報「微細パターンの形成方法」に記載のものが知ら
れている。また特公昭６３−２１６０５２号公報「露光
方法」には、図１７に示されるように、試料上に転写さ
れるべき形状のフォトマスクパターン７の角部に、補正
パターン８を加えたフォトマスクパターンを用いて露光
する方法が述べられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記特公平４−１７９
９５２号公報に記載の方法は、一次元のＬ／Ｓに対する
補正であり、二次元的な形状についての補正は述べられ
ていない。また、補正個所の一つに対し、光強度分布の
繰り返し計算を必要とする。また前記特公昭６３−２１
６０５２号公報に記載の方法は、角部の補正パターンの
みについての記述であり、角部以外の補正については述
べられていない。また、角部の補正パターン形状の求め
方についても、計算方法は具体的に述べられていない。
従来用いられている、補正パターンの大きさを変化させ
て最適なものを求める方法であれば、繰り返し計算を必
要とするため、特公平４−１７９９５２号公報に記載の
方法と同様に計算量が多くなる。
９５２号公報に記載の方法は、一次元のＬ／Ｓに対する
補正であり、二次元的な形状についての補正は述べられ
ていない。また、補正個所の一つに対し、光強度分布の
繰り返し計算を必要とする。また前記特公昭６３−２１
６０５２号公報に記載の方法は、角部の補正パターンの
みについての記述であり、角部以外の補正については述
べられていない。また、角部の補正パターン形状の求め
方についても、計算方法は具体的に述べられていない。
従来用いられている、補正パターンの大きさを変化させ
て最適なものを求める方法であれば、繰り返し計算を必
要とするため、特公平４−１７９９５２号公報に記載の
方法と同様に計算量が多くなる。
【０００７】本発明の目的は、製造環境での使用に適
し、多様なパターン形状の任意個所に対応し、計算量が
少なく、高速な近接効果補正を施したフォトマスクの製
造方法を提供することにある。
し、多様なパターン形状の任意個所に対応し、計算量が
少なく、高速な近接効果補正を施したフォトマスクの製
造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスクの
製造方法は、フォトレジスト上に転写されるべき設計パ
ターンを輪郭分割し、その分割された個々の個所に対す
る補正パターンの幅を代数方程式を解く計算を含むステ
ップによって求め、前記設計パターンに前記補正パター
ンを追加あるいは削除したパターンをフォトマスクパタ
ーンとして用いることを特徴とする。
製造方法は、フォトレジスト上に転写されるべき設計パ
ターンを輪郭分割し、その分割された個々の個所に対す
る補正パターンの幅を代数方程式を解く計算を含むステ
ップによって求め、前記設計パターンに前記補正パター
ンを追加あるいは削除したパターンをフォトマスクパタ
ーンとして用いることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明では、レジスト上に転写されるべき設計
パターンの輪郭を分割することにより、その分割された
部分における補正量を、代数方程式を解いて求めるの
で、一つの補正個所について、繰り返し計算を必要とせ
ず、計算量の少ない高速な補正を加えることができる。
また、補正前の設計パターンを用いた計算方法なので、
フォトマスク上の任意パターンの任意の個所において、
必要とされる補正量を算出することができる。
パターンの輪郭を分割することにより、その分割された
部分における補正量を、代数方程式を解いて求めるの
で、一つの補正個所について、繰り返し計算を必要とせ
ず、計算量の少ない高速な補正を加えることができる。
また、補正前の設計パターンを用いた計算方法なので、
フォトマスク上の任意パターンの任意の個所において、
必要とされる補正量を算出することができる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１１】図１はフォトマスク製造方法の流れ図であ
る。ステップ１で、露光したい設計パターンの入力を行
う。次にステップ２で、一定のルールに基づいて、設計
パターンの輪郭の分割を行い、補正点および補正区分を
決定する。次に、これら設計パターン，補正点，補正区
分の入力を受けて、ステップ３で個々の補正点における
補正パターンの幅を算出する。ステップ４で設計パター
ンに補正パターンを追加あるいは削除したパターンは、
ステップ５によりフォトマスクを描画する装置の入力と
なるデータへ変換される。そして、フォトマスクはステ
ップ６で描画およびエッチングされる。ここでいうフォ
トマスク描画装置の例としては、電子ビーム描画装置を
あげることができる。電子ビーム描画装置以外に、レー
ザビーム描画装置を用いてもフォトマスクは描画可能で
ある。
る。ステップ１で、露光したい設計パターンの入力を行
う。次にステップ２で、一定のルールに基づいて、設計
パターンの輪郭の分割を行い、補正点および補正区分を
決定する。次に、これら設計パターン，補正点，補正区
分の入力を受けて、ステップ３で個々の補正点における
補正パターンの幅を算出する。ステップ４で設計パター
ンに補正パターンを追加あるいは削除したパターンは、
ステップ５によりフォトマスクを描画する装置の入力と
なるデータへ変換される。そして、フォトマスクはステ
ップ６で描画およびエッチングされる。ここでいうフォ
トマスク描画装置の例としては、電子ビーム描画装置を
あげることができる。電子ビーム描画装置以外に、レー
ザビーム描画装置を用いてもフォトマスクは描画可能で
ある。
【００１２】まず、第一実施例を説明する。第一実施例
では、設計パターンの例として図２に示す周期的なパタ
ーンを対象として説明する。パターン（遮光部）９は、
０．３５μｍ×０．９５μｍの長方形である。図中１０
は、パターンの無い部分を示している。
では、設計パターンの例として図２に示す周期的なパタ
ーンを対象として説明する。パターン（遮光部）９は、
０．３５μｍ×０．９５μｍの長方形である。図中１０
は、パターンの無い部分を示している。
【００１３】このような設計パターンをレジスト上に忠
実に形成するために、本実施例においては、以下のよう
な手順で補正を行う。
実に形成するために、本実施例においては、以下のよう
な手順で補正を行う。
【００１４】まず図１のステップ２で、設計パターンの
輪郭分割を行う。例えば、図３のように設計パターンの
輪郭を、角から一定の長さ、ここでは０．２μｍずつに
分割し、残りは一括の区分とする。０．２μｍという長
さは５倍のフォトマスク上で１．０μｍとなる。この値
は我々のフォトマスク描画およびエッチングの精度より
選ばれており、異なるフォトマスク描画装置およびエッ
チング装置では異なる値を用いてよい。前記分割により
形成された区分を補正区分と呼び、図中１１〜１８で示
す。また、これらの補正区分の中点１９〜２６を補正点
とする。
輪郭分割を行う。例えば、図３のように設計パターンの
輪郭を、角から一定の長さ、ここでは０．２μｍずつに
分割し、残りは一括の区分とする。０．２μｍという長
さは５倍のフォトマスク上で１．０μｍとなる。この値
は我々のフォトマスク描画およびエッチングの精度より
選ばれており、異なるフォトマスク描画装置およびエッ
チング装置では異なる値を用いてよい。前記分割により
形成された区分を補正区分と呼び、図中１１〜１８で示
す。また、これらの補正区分の中点１９〜２６を補正点
とする。
【００１５】次に図１のステップ３で、各補正点におけ
る補正パターンの幅ｗ（以下、補正量と呼ぶ）を求め
る。ここでは、図３のＡ点（ｕ，ｖ）を例に、補正量ｗ
の直接的な計算方法について説明する。補正量は、次の
式で計算される光強度分布Ｉ（ｕ，ｖ）をもとに算出さ
れる。
る補正パターンの幅ｗ（以下、補正量と呼ぶ）を求め
る。ここでは、図３のＡ点（ｕ，ｖ）を例に、補正量ｗ
の直接的な計算方法について説明する。補正量は、次の
式で計算される光強度分布Ｉ（ｕ，ｖ）をもとに算出さ
れる。
【００１６】
【数１】
【００１７】ここで、Ｐ（ｐ，ｑ）は瞳関数、Ｓ（ｒ，
ｓ）は有効光源、ｔ（ｘ，ｙ）はフォトマスクパターン
の振幅透過率である。Ｐ（ｐ，ｑ）はデフォーカス等の
収差を含むが、ここでは全て０とする。
ｓ）は有効光源、ｔ（ｘ，ｙ）はフォトマスクパターン
の振幅透過率である。Ｐ（ｐ，ｑ）はデフォーカス等の
収差を含むが、ここでは全て０とする。
【００１８】フォトマスクパターンは設計パターンを単
純に５倍したものだとすると、光学像は図４に２８で示
すようになる。図中、２７は設計パターン、３９は光学
像２８の左右方向の幅、４０は光学像２８の上下方向の
幅を示す。露光条件に開口数０．５のＫｒＦエキシマス
テッパーに、図５に示す輪帯状の変形照明用遮光板を光
路中に挿入した照明系を用いたものとした。ここで輪帯
の外円２９の半径はコヒーレンス因子σ＝０．７に相当
し、内円３０の半径は外円の７０％である。
純に５倍したものだとすると、光学像は図４に２８で示
すようになる。図中、２７は設計パターン、３９は光学
像２８の左右方向の幅、４０は光学像２８の上下方向の
幅を示す。露光条件に開口数０．５のＫｒＦエキシマス
テッパーに、図５に示す輪帯状の変形照明用遮光板を光
路中に挿入した照明系を用いたものとした。ここで輪帯
の外円２９の半径はコヒーレンス因子σ＝０．７に相当
し、内円３０の半径は外円の７０％である。
【００１９】図４の光学像２８では、図３のＣ点におけ
る光強度の等強度曲線を示している。そこでＣ点におけ
る光強度を基準値Ｉopt としてＡ点の補正を試みる。光
強度の基準値としてはＣ点以外の任意の点における光強
度を用いても良い。
る光強度の等強度曲線を示している。そこでＣ点におけ
る光強度を基準値Ｉopt としてＡ点の補正を試みる。光
強度の基準値としてはＣ点以外の任意の点における光強
度を用いても良い。
【００２０】Ａ点における光強度を所望の光強度Ｉopt
にするために、点Ａに長さｌ＝０．２μｍ，幅ｗのΔｔ
（ｘ，ｙ；ｕ，ｖ）という補正パターンを追加あるいは
削除する。ｗの値が負のとき補正パターンの追加、正の
とき削除を意味する。ｗの大きさは補正量であるため、
補正区分の長さｌにくらべてずっと小さくなる。このと
きＡ点は、ｘ軸に平行な線上の補正なので、
にするために、点Ａに長さｌ＝０．２μｍ，幅ｗのΔｔ
（ｘ，ｙ；ｕ，ｖ）という補正パターンを追加あるいは
削除する。ｗの値が負のとき補正パターンの追加、正の
とき削除を意味する。ｗの大きさは補正量であるため、
補正区分の長さｌにくらべてずっと小さくなる。このと
きＡ点は、ｘ軸に平行な線上の補正なので、
【００２１】
【数２】
【００２２】と近似することができる。δはＤｉｒａｃ
のδ関数であり、ｆ（ｘ）は（−ｌ／２）＜ｘ＜（ｌ／
２）のとき１、それ以外では０である。
のδ関数であり、ｆ（ｘ）は（−ｌ／２）＜ｘ＜（ｌ／
２）のとき１、それ以外では０である。
【００２３】設計パターンに補正パターンを追加あるい
は削除することにより所望の光強度Ｉopt を得るために
は、（４）式となる必要がある。
は削除することにより所望の光強度Ｉopt を得るために
は、（４）式となる必要がある。
【００２４】
【数３】
【００２５】（３）式を（４）式に代入すると、（４）
式は補正量ｗについての二次方程式になる。二次方程式
ａｗ2 ＋ｂｗ＋ｃ＝０の解の公式を用いて得られる次式
（５）が、補正量ｗを求める式である。
式は補正量ｗについての二次方程式になる。二次方程式
ａｗ2 ＋ｂｗ＋ｃ＝０の解の公式を用いて得られる次式
（５）が、補正量ｗを求める式である。
【００２６】
【数４】
【００２７】ａ，ｂ，ｃはそれぞれｗの二次，一次，０
次の係数であり、（６）〜（８）式で表される。
次の係数であり、（６）〜（８）式で表される。
【００２８】
【数５】
【００２９】と表される。
【００３０】（６）式から（９）式を用いて各補正点の
座標（ｕ，ｖ）を代入して、ａ，ｂ，ｃの値を求め、
（５）式を用いることにより、個々の補正点における補
正量ｗを得る。上記の計算式による点Ａにおける補正量
を具体的に求めると０．１μｍとなる。
座標（ｕ，ｖ）を代入して、ａ，ｂ，ｃの値を求め、
（５）式を用いることにより、個々の補正点における補
正量ｗを得る。上記の計算式による点Ａにおける補正量
を具体的に求めると０．１μｍとなる。
【００３１】図１のステップ４において、ステップ３で
計算した、図３の補正区分１１〜１８における補正パタ
ーンの幅をもとに、補正パターンの設計パターンへの追
加あるいは削除を行う。図６は、図２の設計パターンに
補正を加えたフォトマスクパターンを示す図である。図
中、３１は遮光部、３２は透明部、３３はフォトマスク
上の５倍に拡大された補正前の設計パターンを示してい
る。
計算した、図３の補正区分１１〜１８における補正パタ
ーンの幅をもとに、補正パターンの設計パターンへの追
加あるいは削除を行う。図６は、図２の設計パターンに
補正を加えたフォトマスクパターンを示す図である。図
中、３１は遮光部、３２は透明部、３３はフォトマスク
上の５倍に拡大された補正前の設計パターンを示してい
る。
【００３２】図１のステップ５において、ステップ４で
得られた、図６に示される補正を加えられたフォトマス
クパターンを、フォトマスク描画装置に用いられるデー
タへ変換する。この変換されたデータを用いて、図１の
ステップ６でフォトマスクは描画され、エッチングによ
り完成する。
得られた、図６に示される補正を加えられたフォトマス
クパターンを、フォトマスク描画装置に用いられるデー
タへ変換する。この変換されたデータを用いて、図１の
ステップ６でフォトマスクは描画され、エッチングによ
り完成する。
【００３３】図６に示すフォトマスクパターンは、前述
したように、図２に示すパターンを図３に示されるよう
に輪郭分割し、補正を加えたものである。補正前のフォ
トマスクパターンと５倍に拡大された設計パターンは一
致していない。
したように、図２に示すパターンを図３に示されるよう
に輪郭分割し、補正を加えたものである。補正前のフォ
トマスクパターンと５倍に拡大された設計パターンは一
致していない。
【００３４】図７に、図６に示す補正を加えたフォトマ
スクを用いた場合のレジスト上の光学像３４を示す。図
４で見られた光学像２８の設計パターン２７からの大き
なずれは、図７の光学像３４では矯正されていることが
わかる。特にパターンの上下方向の幅は、ほぼ設計値通
りになっている。
スクを用いた場合のレジスト上の光学像３４を示す。図
４で見られた光学像２８の設計パターン２７からの大き
なずれは、図７の光学像３４では矯正されていることが
わかる。特にパターンの上下方向の幅は、ほぼ設計値通
りになっている。
【００３５】図８は、図２に示す設計パターンの５倍の
フォトマスクを用いた場合に得られる焦点深度特性を示
す。図中、３５は図２の設計パターンを５倍にしたフォ
トマスクパターンを用いた場合の図４の光学像２８の左
右方向３９の焦点深度特性を、３６は図２の設計パター
ンを５倍にしたフォトマスクパターンを用いた場合の図
４の光学像２８の上下方向４０の焦点深度特性を示して
いる。図４の光学像２８の上下方向の幅４０が、線幅変
動の許容値±０．０３５μｍ以上設計寸法からずれてい
るため焦点深度がとれない。
フォトマスクを用いた場合に得られる焦点深度特性を示
す。図中、３５は図２の設計パターンを５倍にしたフォ
トマスクパターンを用いた場合の図４の光学像２８の左
右方向３９の焦点深度特性を、３６は図２の設計パター
ンを５倍にしたフォトマスクパターンを用いた場合の図
４の光学像２８の上下方向４０の焦点深度特性を示して
いる。図４の光学像２８の上下方向の幅４０が、線幅変
動の許容値±０．０３５μｍ以上設計寸法からずれてい
るため焦点深度がとれない。
【００３６】図９は、図６に示す補正を加えたフォトマ
スクを用いた場合に得られる焦点深度特性を示す。３７
は図６のフォトマスクパターンを用いた場合の図７の光
学像３４の左右方向４１の焦点深度特性を、３８は図６
のフォトマスクパターンを用いた場合の図７の光学像３
４の上下方向４２の焦点深度特性を示している。図７の
上下方向の幅４２が±０．８μｍのデフォーカスまで線
幅変動の許容値の範囲内であり、焦点深度が向上するこ
とがわかる。
スクを用いた場合に得られる焦点深度特性を示す。３７
は図６のフォトマスクパターンを用いた場合の図７の光
学像３４の左右方向４１の焦点深度特性を、３８は図６
のフォトマスクパターンを用いた場合の図７の光学像３
４の上下方向４２の焦点深度特性を示している。図７の
上下方向の幅４２が±０．８μｍのデフォーカスまで線
幅変動の許容値の範囲内であり、焦点深度が向上するこ
とがわかる。
【００３７】次に、本発明の第二実施例を説明する。第
二実施例では、前記第一実施例で示した二次方程式が一
次方程式に帰着される。第一実施例では、補正パターン
の幅を二次方程式を解いて求めたが、補正量ｗが小さい
場合、前記の二次方程式は二次の項ａｗ2 を無視した一
次方程式
二実施例では、前記第一実施例で示した二次方程式が一
次方程式に帰着される。第一実施例では、補正パターン
の幅を二次方程式を解いて求めたが、補正量ｗが小さい
場合、前記の二次方程式は二次の項ａｗ2 を無視した一
次方程式
【００３８】
【数６】
【００３９】に帰着され、補正量ｗは（５）式よりも計
算量の少ない（１１）式を用いて求めることができる。
算量の少ない（１１）式を用いて求めることができる。
【００４０】
【数７】
【００４１】第一実施例と全く同じ露光条件のもとで、
図３の点Ａ，Ｂにおける補正量を具体的に求めると、各
点において、（５）式の二次方程式と（１１）式の一次
方程式の解の差は、フォトマスク上の距離で０．０１μ
ｍ以下である。これは、ウェハー上では１／５の０．０
０２μｍ以下であり、線幅変動の許容値±０．０３５μ
ｍに比べ十分小さいので、補正量の値は、前記一次方程
式の解の精度で十分である。
図３の点Ａ，Ｂにおける補正量を具体的に求めると、各
点において、（５）式の二次方程式と（１１）式の一次
方程式の解の差は、フォトマスク上の距離で０．０１μ
ｍ以下である。これは、ウェハー上では１／５の０．０
０２μｍ以下であり、線幅変動の許容値±０．０３５μ
ｍに比べ十分小さいので、補正量の値は、前記一次方程
式の解の精度で十分である。
【００４２】次に、第三実施例を説明する。第三実施例
では、位相シフト方法を用いた図１０に示す周期的な設
計パターンを対象として説明する。なお図中、４３，４
４は設計パターン、４５はパターンのない部分を示して
いる。
では、位相シフト方法を用いた図１０に示す周期的な設
計パターンを対象として説明する。なお図中、４３，４
４は設計パターン、４５はパターンのない部分を示して
いる。
【００４３】図１のステップ２において、図１１に示す
ように輪郭を一定の長さ、ここでは０．４μｍずつに分
割する。４６〜５９は補正区分であり、これらの中点の
６０〜７３は補正点である。図１のステップ３におい
て、図１１の点Ｐ１〜Ｐ３の補正量を直接的に計算する
方法について詳細に説明する。点Ｐ１〜Ｐ３の３点の補
正量は、第一，第二実施例で示したように、各点に対す
る一次方程式または二次方程式を３つ独立に計算するこ
とによっても求められるが、ここでは、近隣の補正パタ
ーンがお互いの補正点の光強度に及ぼす影響も考慮し、
補正量をより正確に得るための計算方法の例を示す。点
Ｐ１〜Ｐ３のようなパターンの角部では、補正パターン
が互いに近づくため、以下の計算方法が重要になる。Ｐ
１点（ｕ1，ｖ1 ）、Ｐ２点（ｕ2 ，ｖ2 ）、Ｐ３点
（ｕ3 ，ｖ3 ）の３点における光強度を同時に所望の光
強度Ｉopt にするために、点Ｐ１〜Ｐ３に長さｌ＝０．
４０μｍ、幅ｗ1 ，ｗ2 ，ｗ3 の補正パターンを追加あ
るいは削除する。このとき点Ｐ１は、ｙ軸に平行な線上
の補正なので
ように輪郭を一定の長さ、ここでは０．４μｍずつに分
割する。４６〜５９は補正区分であり、これらの中点の
６０〜７３は補正点である。図１のステップ３におい
て、図１１の点Ｐ１〜Ｐ３の補正量を直接的に計算する
方法について詳細に説明する。点Ｐ１〜Ｐ３の３点の補
正量は、第一，第二実施例で示したように、各点に対す
る一次方程式または二次方程式を３つ独立に計算するこ
とによっても求められるが、ここでは、近隣の補正パタ
ーンがお互いの補正点の光強度に及ぼす影響も考慮し、
補正量をより正確に得るための計算方法の例を示す。点
Ｐ１〜Ｐ３のようなパターンの角部では、補正パターン
が互いに近づくため、以下の計算方法が重要になる。Ｐ
１点（ｕ1，ｖ1 ）、Ｐ２点（ｕ2 ，ｖ2 ）、Ｐ３点
（ｕ3 ，ｖ3 ）の３点における光強度を同時に所望の光
強度Ｉopt にするために、点Ｐ１〜Ｐ３に長さｌ＝０．
４０μｍ、幅ｗ1 ，ｗ2 ，ｗ3 の補正パターンを追加あ
るいは削除する。このとき点Ｐ１は、ｙ軸に平行な線上
の補正なので
【００４４】
【数８】
【００４５】と近似することができ、点Ｐ２と点Ｐ３
は、ｘ軸に平行な線上の補正なので
は、ｘ軸に平行な線上の補正なので
【００４６】
【数９】
【００４７】と近似することができる。δ（ｘ）とｆ
（ｘ）は、第一実施例と同様の関数である。
（ｘ）は、第一実施例と同様の関数である。
【００４８】設計パターンに補正パターンを追加あるい
は削除することにより前記の３点Ｐ１〜Ｐ３において所
望の光強度Ｉopt を得るためには、（１５）〜（１７）
式となる必要がある。
は削除することにより前記の３点Ｐ１〜Ｐ３において所
望の光強度Ｉopt を得るためには、（１５）〜（１７）
式となる必要がある。
【００４９】
【数１０】
【００５０】（１２）〜（１４）式を（１５）〜（１
７）式に代入すると、（１５）〜（１７）式は、（１
８）〜（２０）式に示すｗ1 ，ｗ2 ，ｗ3 についての連
立二次方程式となる。
７）式に代入すると、（１５）〜（１７）式は、（１
８）〜（２０）式に示すｗ1 ，ｗ2 ，ｗ3 についての連
立二次方程式となる。
【００５１】
【数１１】
【００５２】これらの連立方程式の係数は、（２１）〜
（２５）式等で表される。
（２５）式等で表される。
【００５３】
【数１２】
【００５４】図１３に示すフォトマスクパターンは、図
１０に示すパターンを図１１に示されるように輪郭分割
し、点７３，６０，６１の３点、点６３，６４，６５の
３点と点６９，７０，７１の３点の３組については、そ
れぞれ（１８）〜（２０）式の連立二次方程式を解くこ
とによって補正量を計算し、点６２，６６，６７，６
８，７２については、（１０）式の一次方程式を各点に
ついて独立に解くことにより補正量を計算し、その値を
もとに補正パターンの設計パターンへの追加あるいは削
除を行ったものである。位相シフトマスクを用いている
ため、θ＝１８０°の開口部にはシフタを配置してい
る。露光条件には、開口数０．６，σ値０．３のｉ線ス
テッパーに通常照明を加えたものとした。
１０に示すパターンを図１１に示されるように輪郭分割
し、点７３，６０，６１の３点、点６３，６４，６５の
３点と点６９，７０，７１の３点の３組については、そ
れぞれ（１８）〜（２０）式の連立二次方程式を解くこ
とによって補正量を計算し、点６２，６６，６７，６
８，７２については、（１０）式の一次方程式を各点に
ついて独立に解くことにより補正量を計算し、その値を
もとに補正パターンの設計パターンへの追加あるいは削
除を行ったものである。位相シフトマスクを用いている
ため、θ＝１８０°の開口部にはシフタを配置してい
る。露光条件には、開口数０．６，σ値０．３のｉ線ス
テッパーに通常照明を加えたものとした。
【００５５】図１４に、図１３に示す補正を加えたフォ
トマスクを用いた場合のレジスト上の光学像７９を示
す。図中、７４は設計パターン、８３，８４，８５は光
学像７９の幅を示している。
トマスクを用いた場合のレジスト上の光学像７９を示
す。図中、７４は設計パターン、８３，８４，８５は光
学像７９の幅を示している。
【００５６】図１２は図１０の設計パターンを５倍に拡
大したフォトマスクパターンを用いた時得られる光学像
７５を示す図である。図中、７４は設計パターン、８
１，８２，８３は光学像７５の幅を示している。
大したフォトマスクパターンを用いた時得られる光学像
７５を示す図である。図中、７４は設計パターン、８
１，８２，８３は光学像７５の幅を示している。
【００５７】図１４と図１２の光学像を比較すると、図
１２の光学像７５で見られた点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３におけ
る設計パターン７４からのずれが、図１４の光学像７９
では矯正されていることがわかる。
１２の光学像７５で見られた点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３におけ
る設計パターン７４からのずれが、図１４の光学像７９
では矯正されていることがわかる。
【００５８】図１５は、図１０に示す設計パターンの５
倍のフォトマスクを用いた場合に得られる焦点深度特性
である。図１５の８６，８７，８８は、それぞれ図１２
の幅８０，８１，８２に対応している。線幅変動の許容
値±０．０４μｍ以上設計寸法からずれているため焦点
深度がとれないことがわかる。
倍のフォトマスクを用いた場合に得られる焦点深度特性
である。図１５の８６，８７，８８は、それぞれ図１２
の幅８０，８１，８２に対応している。線幅変動の許容
値±０．０４μｍ以上設計寸法からずれているため焦点
深度がとれないことがわかる。
【００５９】図１６は、図１３に示す補正を加えたフォ
トマスクを用いた場合に得られる焦点深度特性である。
図１６の８９，９０，９１は、それぞれ図１４の幅８
３，８４，８５に対応している。±０．８μｍのデフォ
ーカスまで線幅変動の許容値の範囲内であり、焦点深度
が向上することがわかる。
トマスクを用いた場合に得られる焦点深度特性である。
図１６の８９，９０，９１は、それぞれ図１４の幅８
３，８４，８５に対応している。±０．８μｍのデフォ
ーカスまで線幅変動の許容値の範囲内であり、焦点深度
が向上することがわかる。
【００６０】次に、第四実施例を説明する。第四実施例
では、前記第二実施例で示した連立二次方程式が、連立
一次方程式に帰着される。点Ｐ１〜Ｐ３における補正量
ｗ1〜ｗ3 が十分に小さいとして、補正量の二次の項を
すべて無視し、点Ｐ２と点Ｐ３の補正パターンについて
は、お互いの距離が遠いので相互作用がないとすると、
（２６）〜（２８）式の連立一次方程式を得る。
では、前記第二実施例で示した連立二次方程式が、連立
一次方程式に帰着される。点Ｐ１〜Ｐ３における補正量
ｗ1〜ｗ3 が十分に小さいとして、補正量の二次の項を
すべて無視し、点Ｐ２と点Ｐ３の補正パターンについて
は、お互いの距離が遠いので相互作用がないとすると、
（２６）〜（２８）式の連立一次方程式を得る。
【００６１】
【数１３】
【００６２】この連立一次方程式の解を求める（２９）
〜（３１）式が、補正量ｗ1 ，ｗ2，ｗ3 を求める式で
ある。
〜（３１）式が、補正量ｗ1 ，ｗ2，ｗ3 を求める式で
ある。
【００６３】
【数１４】
【００６４】図１１の点７３，６０，６１の３点、６
３，６４，６５の３点、６９，７０，７１の３点の３組
について（２９）〜（３１）式を用いて求めた補正量と
第三実施例で得られた補正量との差は、ウェハー上で
０．００２μｍ以下である。これは線幅変動の許容値に
比べ十分小さいので、補正量の値は、前記連立一次方程
式の解の精度で十分である。
３，６４，６５の３点、６９，７０，７１の３点の３組
について（２９）〜（３１）式を用いて求めた補正量と
第三実施例で得られた補正量との差は、ウェハー上で
０．００２μｍ以下である。これは線幅変動の許容値に
比べ十分小さいので、補正量の値は、前記連立一次方程
式の解の精度で十分である。
【００６５】第一実施例〜第四実施例では、光源として
ＫｒＦやｉ線を用いたが、前記光源に限らず、ｇ線やＡ
ｒＦでも適用できる。光源の形状は実施例で示したよう
に、通常照明でも変形照明でもよい。また、第三実施例
で示したように位相シフトマスクの場合も容易に適用で
きる。また、瞳関数Ｐ（ｐ，ｑ）に含まれるデフォーカ
スを有限な値とすることにより、焦点深度特性をさらに
最適化することもできる。
ＫｒＦやｉ線を用いたが、前記光源に限らず、ｇ線やＡ
ｒＦでも適用できる。光源の形状は実施例で示したよう
に、通常照明でも変形照明でもよい。また、第三実施例
で示したように位相シフトマスクの場合も容易に適用で
きる。また、瞳関数Ｐ（ｐ，ｑ）に含まれるデフォーカ
スを有限な値とすることにより、焦点深度特性をさらに
最適化することもできる。
【００６６】第三，第四実施例では連立方程式を解いて
補正パターンの幅を求めたが、連立させて求める補正量
の数は、補正パターンが、その周辺の補正点の光強度へ
与える影響の大きさと、必要とされる精度によって任意
に選ぶことができる。
補正パターンの幅を求めたが、連立させて求める補正量
の数は、補正パターンが、その周辺の補正点の光強度へ
与える影響の大きさと、必要とされる精度によって任意
に選ぶことができる。
【００６７】
【発明の効果】以上から明らかなように本発明の方法を
用いると、任意のフォトマスクパターン形状の任意の補
正個所において代数方程式を解くことによって、少ない
計算量で、高速に補正することができる。本発明の方法
により補正したフォトマスクパターンを用いて、投影露
光することにより、レジスト上で設計パターンに近い光
学像を深い焦点深度で得ることができる。従って、製造
される半導体装置の信頼性向上に有効である。
用いると、任意のフォトマスクパターン形状の任意の補
正個所において代数方程式を解くことによって、少ない
計算量で、高速に補正することができる。本発明の方法
により補正したフォトマスクパターンを用いて、投影露
光することにより、レジスト上で設計パターンに近い光
学像を深い焦点深度で得ることができる。従って、製造
される半導体装置の信頼性向上に有効である。
【図１】フォトマスク製造方法の流れ図である。
【図２】設計パターンの一例を示す図である。
【図３】図２の設計パターンを対象とする輪郭の分割の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図４】図２の設計パターンを５倍に拡大したフォトマ
スクパターンを用いたとき得られる光学像を示す図であ
る。
スクパターンを用いたとき得られる光学像を示す図であ
る。
【図５】変形照明に用いられる遮光板を示す図である。
【図６】図２の設計パターンに補正を加えたフォトマス
クパターンを示す図である。
クパターンを示す図である。
【図７】図６のフォトマスクパターンを用いたとき得ら
れる光学像を示す図である。
れる光学像を示す図である。
【図８】図２の設計パターンを５倍に拡大したフォトマ
スクパターンを用いた場合の焦点深度特性を示す図であ
る。
スクパターンを用いた場合の焦点深度特性を示す図であ
る。
【図９】図６のフォトマスクパターンを用いた場合の焦
点深度特性を示す図である。
点深度特性を示す図である。
【図１０】位相シフト方法を用いた設計パターンの一例
を示す図である。
を示す図である。
【図１１】図１０の設計パターンを対象とする輪郭の分
割の一例を示す図である。
割の一例を示す図である。
【図１２】図１０の設計パターンを５倍に拡大したフォ
トマスクパターンを用いたとき得られる光学像を示す図
である。
トマスクパターンを用いたとき得られる光学像を示す図
である。
【図１３】図１０の設計パターンに補正を加えたフォト
マスクパターンを示す図である。
マスクパターンを示す図である。
【図１４】図１３のフォトマスクパターンを用いたとき
得られる光学像を示す図である。
得られる光学像を示す図である。
【図１５】図１０の設計パターンを５倍に拡大したフォ
トマスクパターンを用いた場合の焦点深度特性を示す図
である。
トマスクパターンを用いた場合の焦点深度特性を示す図
である。
【図１６】図１３のフォトマスクパターンを用いた場合
の焦点深度特性を示す図である。
の焦点深度特性を示す図である。
【図１７】従来の方法の角部に補正パターンを加える方
法を示す図である。
法を示す図である。
【符号の説明】 １ 設計パターン入力 ２ パターンの輪郭分割 ３ 補正パターンの幅の計算 ４ 補正パターンの設計パターンへの追加あるいは削除 ５ フォトマスク描画装置へのデータ変換 ６ フォトマスク描画およびエッチング ７ フォトマスクパターン ８ 補正パターン ９ 設計パターン １０ パターンのない部分 １１〜１８ 補正区分 １９〜２６ 補正点 ２７ 設計パターン ２８ 図２の設計パターンを５倍に拡大したフォトマス
クパターンを用いたときに得られる光学像 ２９ 輪帯照明の外円 ３０ 輪帯照明の内円 ３１ 遮光部 ３２ 透明部 ３３ フォトマスク上の５倍に拡大された補正前の設計
パターン ３４ 図６のフォトマスクパターンを用いたときに得ら
れる光学像 ３５ 図２の設計パターンを５倍にしたフォトマスクパ
ターンを用いた場合の図４の光学像の左右方向３９の焦
点深度特性 ３６ 図２の設計パターンを５倍にしたフォトマスクパ
ターンを用いた場合の図４の光学像の上下方向４０の焦
点深度特性 ３７ 図６のフォトマスクパターンを用いた場合の図７
の光学像の左右方向４１の焦点深度特性 ３８ 図６のフォトマスクパターンを用いた場合の図７
の光学像の上下方向４２の焦点深度特性 ３９ 光学像の左右方向の幅 ４０ 光学像の上下方向の幅 ４１ 光学像の左右方向の幅 ４２ 光学像の上下方向の幅 ４３，４４ 設計パターン ４５ パターンのない部分 ４６〜５９ 補正区分 ６０〜７３ 補正点 ７４ 設計パターン ７５ 図１０の設計パターンを５倍に拡大したフォトマ
スクパターンを用いたときに得られる光学像 ７６ 透明部 ７７ 遮光部 ７８ フォトマスク上の５倍に拡大された設計パターン ７９ 図１３のフォトマスクパターンを用いたときに得
られる光学像 ８０〜８５ 光学像の幅 ８６ 図１０の設計パターンを５倍にしたフォトマスク
パターンを用いた場合の図１２の光学像８０の焦点深度
特性 ８７ 図１０の設計パターンを５倍にしたフォトマスク
パターンを用いた場合の図１２の光学像８１の焦点深度
特性 ８８ 図１０の設計パターンを５倍にしたフォトマスク
パターンを用いた場合の図１２の光学像８２の焦点深度
特性 ８９ 図１０の設計パターンを５倍にしたフォトマスク
パターンを用いた場合の図１４の光学像８３の焦点深度
特性 ９０ 図１０の設計パターンを５倍にしたフォトマスク
パターンを用いた場合の図１４の光学像８４の焦点深度
特性 ９１ 図１０の設計パターンを５倍にしたフォトマスク
パターンを用いた場合の図１４の光学像８５の焦点深度
特性
クパターンを用いたときに得られる光学像 ２９ 輪帯照明の外円 ３０ 輪帯照明の内円 ３１ 遮光部 ３２ 透明部 ３３ フォトマスク上の５倍に拡大された補正前の設計
パターン ３４ 図６のフォトマスクパターンを用いたときに得ら
れる光学像 ３５ 図２の設計パターンを５倍にしたフォトマスクパ
ターンを用いた場合の図４の光学像の左右方向３９の焦
点深度特性 ３６ 図２の設計パターンを５倍にしたフォトマスクパ
ターンを用いた場合の図４の光学像の上下方向４０の焦
点深度特性 ３７ 図６のフォトマスクパターンを用いた場合の図７
の光学像の左右方向４１の焦点深度特性 ３８ 図６のフォトマスクパターンを用いた場合の図７
の光学像の上下方向４２の焦点深度特性 ３９ 光学像の左右方向の幅 ４０ 光学像の上下方向の幅 ４１ 光学像の左右方向の幅 ４２ 光学像の上下方向の幅 ４３，４４ 設計パターン ４５ パターンのない部分 ４６〜５９ 補正区分 ６０〜７３ 補正点 ７４ 設計パターン ７５ 図１０の設計パターンを５倍に拡大したフォトマ
スクパターンを用いたときに得られる光学像 ７６ 透明部 ７７ 遮光部 ７８ フォトマスク上の５倍に拡大された設計パターン ７９ 図１３のフォトマスクパターンを用いたときに得
られる光学像 ８０〜８５ 光学像の幅 ８６ 図１０の設計パターンを５倍にしたフォトマスク
パターンを用いた場合の図１２の光学像８０の焦点深度
特性 ８７ 図１０の設計パターンを５倍にしたフォトマスク
パターンを用いた場合の図１２の光学像８１の焦点深度
特性 ８８ 図１０の設計パターンを５倍にしたフォトマスク
パターンを用いた場合の図１２の光学像８２の焦点深度
特性 ８９ 図１０の設計パターンを５倍にしたフォトマスク
パターンを用いた場合の図１４の光学像８３の焦点深度
特性 ９０ 図１０の設計パターンを５倍にしたフォトマスク
パターンを用いた場合の図１４の光学像８４の焦点深度
特性 ９１ 図１０の設計パターンを５倍にしたフォトマスク
パターンを用いた場合の図１４の光学像８５の焦点深度
特性
Claims (5)
- 【請求項１】フォトレジスト上に転写されるべき設計パ
ターンの輪郭を線分に分割し、前記線分に沿って補正パ
ターンを前記設計パターンに追加あるいは削除したパタ
ーンをフォトマスクパターンとして用いるフォトマスク
の製造方法であって、 前記補正パターンの長さは前記線分の長さとし、前記補
正パターンの幅を、前記設計パターンおよび前記線分の
長さより決定される数を係数とする代数方程式を解くこ
とにより求めることを特徴とするフォトマスクの製造方
法。 - 【請求項２】前記代数方程式は二次方程式であることを
特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項３】前記代数方程式は一次方程式であることを
特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項４】前記代数方程式は連立二次方程式であるこ
とを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方
法。 - 【請求項５】前記代数方程式は連立一次方程式であるこ
とを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28626594A JP2616467B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-11-21 | フォトマスクの製造方法 |
| US08/498,335 US5631110A (en) | 1994-07-05 | 1995-07-05 | Process of fabricating photo-mask used for modified illumination, projection aligner using the photo-mask and method of transferring pattern image from the photo-mask to photo-sensitive layer |
| KR1019950020105A KR0163471B1 (ko) | 1994-07-05 | 1995-07-05 | 수정된 조명에 이용되는 포토-마스크 제조 방법, 포토-마스크를 이용하는 투영 정렬기 및 포토-마스크로부터 감광층으로 패턴상을 전사하는 방법 |
| GB9513723A GB2291219B (en) | 1994-07-05 | 1995-07-05 | Photo-mask fabrication and use |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15318594 | 1994-07-05 | ||
| JP6-153185 | 1994-07-05 | ||
| JP28626594A JP2616467B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-11-21 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0876360A true JPH0876360A (ja) | 1996-03-22 |
| JP2616467B2 JP2616467B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=26481898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28626594A Expired - Lifetime JP2616467B2 (ja) | 1994-07-05 | 1994-11-21 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2616467B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6210866B1 (en) | 1998-05-04 | 2001-04-03 | International Business Machines Corporation | Method for forming features using self-trimming by selective etch and device formed thereby |
| US6570174B1 (en) | 1998-12-14 | 2003-05-27 | Nec Electronics Corporation | Optical proximity effect correcting method in semiconductor manufacturing process, which can sufficiently correct optical proximity effect, even under various situations with regard to size and shape of design pattern, and space width and position relation between design patterns |
| JP2010066337A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Nuflare Technology Inc | パターンデータ作成方法、マスク作成方法、半導体装置の製造方法、パターン作成方法及びプログラム |
| JP2012159659A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 光変調素子および光変調素子の製造方法 |
| JP2013214093A (ja) * | 2013-06-26 | 2013-10-17 | Nuflare Technology Inc | パターンデータ作成方法、マスク作成方法、半導体装置の製造方法、パターン作成方法及びプログラム |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3241010B2 (ja) | 1998-11-18 | 2001-12-25 | 日本電気株式会社 | 半導体製造プロセスの光近接効果補正方法 |
-
1994
- 1994-11-21 JP JP28626594A patent/JP2616467B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6210866B1 (en) | 1998-05-04 | 2001-04-03 | International Business Machines Corporation | Method for forming features using self-trimming by selective etch and device formed thereby |
| US6570174B1 (en) | 1998-12-14 | 2003-05-27 | Nec Electronics Corporation | Optical proximity effect correcting method in semiconductor manufacturing process, which can sufficiently correct optical proximity effect, even under various situations with regard to size and shape of design pattern, and space width and position relation between design patterns |
| JP2010066337A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Nuflare Technology Inc | パターンデータ作成方法、マスク作成方法、半導体装置の製造方法、パターン作成方法及びプログラム |
| JP2012159659A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 光変調素子および光変調素子の製造方法 |
| JP2013214093A (ja) * | 2013-06-26 | 2013-10-17 | Nuflare Technology Inc | パターンデータ作成方法、マスク作成方法、半導体装置の製造方法、パターン作成方法及びプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2616467B2 (ja) | 1997-06-04 |
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