JPH0876348A - マスクデータ検証装置、マスクデータ作成装置、マスクデータ検証方法、マスクデータ作成方法及び補助パターンマスク作成方法 - Google Patents
マスクデータ検証装置、マスクデータ作成装置、マスクデータ検証方法、マスクデータ作成方法及び補助パターンマスク作成方法Info
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- JPH0876348A JPH0876348A JP21368194A JP21368194A JPH0876348A JP H0876348 A JPH0876348 A JP H0876348A JP 21368194 A JP21368194 A JP 21368194A JP 21368194 A JP21368194 A JP 21368194A JP H0876348 A JPH0876348 A JP H0876348A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 設計データから所望の領域を選択してリソグ
ラフィ行程で所望の寸法値が得られない箇所を検証抽出
し、さらにその箇所を修正することを目的とする。 【構成】 設計データから所望の領域を選択してデータ
を取り込む機能ａと、選択した領域の光強度を計算する
機能ｂと、レジストの現像溶解速度を計算する機能ｃ
と、前記光強度とレジスト溶解速度によりレジスト形状
を計算する機能ｄと、前記光強度とレジスト形状により
所望の寸法値が得られない箇所を検証抽出する。
ラフィ行程で所望の寸法値が得られない箇所を検証抽出
し、さらにその箇所を修正することを目的とする。 【構成】 設計データから所望の領域を選択してデータ
を取り込む機能ａと、選択した領域の光強度を計算する
機能ｂと、レジストの現像溶解速度を計算する機能ｃ
と、前記光強度とレジスト溶解速度によりレジスト形状
を計算する機能ｄと、前記光強度とレジスト形状により
所望の寸法値が得られない箇所を検証抽出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体を製作するリソグ
ラフィ技術に関するものである。
ラフィ技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体の微細化はますます進み、
その加工ルールは転写する光の波長に迫りつつある。そ
れに伴い光近接効果による設計寸法と加工寸法の差は無
視できなくなってきた。そのため、一度作ったマスクを
修正する必要が生じ、時間的にもコスト的にも負担にな
っている。近年、行程の複雑化によるマスク枚数の増加
やマスクサイズの大型化によるマスク価格の上昇に伴
い、益々その問題は大きくなっている。
その加工ルールは転写する光の波長に迫りつつある。そ
れに伴い光近接効果による設計寸法と加工寸法の差は無
視できなくなってきた。そのため、一度作ったマスクを
修正する必要が生じ、時間的にもコスト的にも負担にな
っている。近年、行程の複雑化によるマスク枚数の増加
やマスクサイズの大型化によるマスク価格の上昇に伴
い、益々その問題は大きくなっている。
【０００３】以下図面を参照しながら、上記した従来の
マスク修正方法の一例について説明する。
マスク修正方法の一例について説明する。
【０００４】図３２は従来のマスク修正方法のフローチ
ャートを示すものである。図３２において、１は設計デ
ータで、２は設計データから作られたマスクで、３はそ
のマスクで露光した加工パターンであり、４はその加工
データである。２２は加工データ４によってフィードバ
ックされたマスクであり、３３は設計どうりに加工され
たパターンである。
ャートを示すものである。図３２において、１は設計デ
ータで、２は設計データから作られたマスクで、３はそ
のマスクで露光した加工パターンであり、４はその加工
データである。２２は加工データ４によってフィードバ
ックされたマスクであり、３３は設計どうりに加工され
たパターンである。
【０００５】以上のように構成されたマスク修正方法に
ついて、以下その動作について説明する。まずＬＳＩの
チップを設計するために各レイヤーの設計データ１がＣ
ＡＤ上で作成される。次にそのデータから実際にパター
ンに転写するためのマスク２が作られる。そのマスク２
を用いてウエハ上のチップにパターンが転写される。そ
の転写されたパターン３の寸法データ４を計測し、設計
された寸法と異なる箇所のデータ部分を所望の寸法にな
る様に改善し、再び新たなマスク２２を作成する。
ついて、以下その動作について説明する。まずＬＳＩの
チップを設計するために各レイヤーの設計データ１がＣ
ＡＤ上で作成される。次にそのデータから実際にパター
ンに転写するためのマスク２が作られる。そのマスク２
を用いてウエハ上のチップにパターンが転写される。そ
の転写されたパターン３の寸法データ４を計測し、設計
された寸法と異なる箇所のデータ部分を所望の寸法にな
る様に改善し、再び新たなマスク２２を作成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、転写されたパターンデータを計測する時
間や、新たなマスクを作成する時間、またその費用は増
大し、製品開発に大きな負担を生じるという問題点を有
していた。
うな構成では、転写されたパターンデータを計測する時
間や、新たなマスクを作成する時間、またその費用は増
大し、製品開発に大きな負担を生じるという問題点を有
していた。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、設計データが
作られた時点で、予め所望の寸法値が得られない箇所を
つきとめ、またそのデータを修正したマスクを作成する
ためのマスクデータ検証装置及びマスクデータ検証方法
を提供するものである。
作られた時点で、予め所望の寸法値が得られない箇所を
つきとめ、またそのデータを修正したマスクを作成する
ためのマスクデータ検証装置及びマスクデータ検証方法
を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第一の発明は上記の問題
点を解決するために、ＬＳＩの設計データの中から検査
領域を抽出する機能と、抽出された検査領域において光
強度計算を行なう機能と、さらに前記光強度計算結果と
現像溶解速度を計算する機能を結合することにより、リ
ソグラフィ工程での加工形状を評価する機能と、リソグ
ラフィ工程で規定のマージンを満足しない部分をの設計
データの中から抽出する機能を備えたものである。
点を解決するために、ＬＳＩの設計データの中から検査
領域を抽出する機能と、抽出された検査領域において光
強度計算を行なう機能と、さらに前記光強度計算結果と
現像溶解速度を計算する機能を結合することにより、リ
ソグラフィ工程での加工形状を評価する機能と、リソグ
ラフィ工程で規定のマージンを満足しない部分をの設計
データの中から抽出する機能を備えたものである。
【０００９】第二の発明は、ＬＳＩの設計データの中か
ら検査領域を抽出する機能と、抽出された検査領域にお
いて光強度計算を行なう機能と、さらに前記光強度計算
結果と現像溶解速度を計算する機能を結合することによ
り、リソグラフィ工程での加工形状を評価する機能と、
各々のパタンにおいてリソグラフィ工程で規定のマージ
ンを満足しているか否かを検査する機能と、リソグラフ
ィ工程で規定のマージンを満足しない部分を修正し、全
てのパタンにおいてリソグラフィ工程で規定のマージン
を満足するマスクデータを作成する機能を備えたもので
ある。
ら検査領域を抽出する機能と、抽出された検査領域にお
いて光強度計算を行なう機能と、さらに前記光強度計算
結果と現像溶解速度を計算する機能を結合することによ
り、リソグラフィ工程での加工形状を評価する機能と、
各々のパタンにおいてリソグラフィ工程で規定のマージ
ンを満足しているか否かを検査する機能と、リソグラフ
ィ工程で規定のマージンを満足しない部分を修正し、全
てのパタンにおいてリソグラフィ工程で規定のマージン
を満足するマスクデータを作成する機能を備えたもので
ある。
【００１０】第三の発明は上記の問題点をゲート部のみ
に着目して、ＬＳＩの設計データの中からゲート長の対
辺となるゲートエッジを抽出する機能と、抽出されたゲ
ートエッジ近傍での光強度計算あるいは光強度計算と現
像溶解速度計算を結合した加工形状計算から寸法シフト
量を評価する機能と、その寸法シフト量が所定の値を越
えている箇所に対して警告を行なう機能を備えたもので
ある。
に着目して、ＬＳＩの設計データの中からゲート長の対
辺となるゲートエッジを抽出する機能と、抽出されたゲ
ートエッジ近傍での光強度計算あるいは光強度計算と現
像溶解速度計算を結合した加工形状計算から寸法シフト
量を評価する機能と、その寸法シフト量が所定の値を越
えている箇所に対して警告を行なう機能を備えたもので
ある。
【００１１】第四の発明は上記の問題点をゲート部のみ
に着目して、、ＬＳＩの設計データの中からゲート長の
対辺となるゲートエッジを抽出する機能と、抽出された
ゲートエッジ近傍での光強度計算あるいは光強度計算と
現像溶解速度計算を結合した加工形状計算から寸法シフ
ト量を評価する機能と、その寸法シフト量をマスクデー
タにおいてゲートエッジと線幅を表すパラメータによっ
て修正する機能を備えたものである。
に着目して、、ＬＳＩの設計データの中からゲート長の
対辺となるゲートエッジを抽出する機能と、抽出された
ゲートエッジ近傍での光強度計算あるいは光強度計算と
現像溶解速度計算を結合した加工形状計算から寸法シフ
ト量を評価する機能と、その寸法シフト量をマスクデー
タにおいてゲートエッジと線幅を表すパラメータによっ
て修正する機能を備えたものである。
【００１２】第五の発明は上記第四の発明の構成の寸法
シフト量をマスクデータにおいて修正する機能におい
て、波形エッジ図形を用いて寸法シフト量をマスクデー
タにおいて修正する機能を備えたものである。
シフト量をマスクデータにおいて修正する機能におい
て、波形エッジ図形を用いて寸法シフト量をマスクデー
タにおいて修正する機能を備えたものである。
【００１３】第六の発明は上記第四の発明の構成の寸法
シフト量をマスクデータにおいて修正する機能におい
て、平行補助パタンを発生することにより寸法シフト量
をマスクデータにおいて修正する機能を備えたものであ
る。
シフト量をマスクデータにおいて修正する機能におい
て、平行補助パタンを発生することにより寸法シフト量
をマスクデータにおいて修正する機能を備えたものであ
る。
【００１４】第七の発明は、ＬＳＩの設計データの中か
らゲート長の対辺となるゲートエッジを抽出する機能
と、抽出されたゲートエッジ上での光強度値が所定の閾
値に十分に近い値を実現しているか否かの判定機能と、
ゲートエッジ上での光強度値が所定の閾値の閾値に成る
ようにゲートパタンを修正する機能を備えたものであ
る。
らゲート長の対辺となるゲートエッジを抽出する機能
と、抽出されたゲートエッジ上での光強度値が所定の閾
値に十分に近い値を実現しているか否かの判定機能と、
ゲートエッジ上での光強度値が所定の閾値の閾値に成る
ようにゲートパタンを修正する機能を備えたものであ
る。
【００１５】第八の発明は、ゲートの設計データを用い
リサイズによって平行補助パターンを入れない領域をな
くす手段と、その後リサイズ処理等により補助パターン
を発生する手段と発生した補助パターンとゲートの設計
データを組み合わせて新たなマスクデータを作成する手
段をもうけたものである。
リサイズによって平行補助パターンを入れない領域をな
くす手段と、その後リサイズ処理等により補助パターン
を発生する手段と発生した補助パターンとゲートの設計
データを組み合わせて新たなマスクデータを作成する手
段をもうけたものである。
【００１６】
【作用】本発明は上記した構成によって、リソグラフィ
工程でマージンを光強度計算と現像溶解速度計算を結合
した加工形状計算を行なうことによって評価できるの
で、ＬＳＩの設計データからゲート線幅のバラツキの大
きな箇所をリソグラフィ工程で規定のマージンを満足し
ない部分を抽出することが出来る。
工程でマージンを光強度計算と現像溶解速度計算を結合
した加工形状計算を行なうことによって評価できるの
で、ＬＳＩの設計データからゲート線幅のバラツキの大
きな箇所をリソグラフィ工程で規定のマージンを満足し
ない部分を抽出することが出来る。
【００１７】また、同じく上記した構成によって、各々
のパタンにおいてリソグラフィ工程で規定のマージンを
満足するか否かを検査し、規定のマージンを満足しない
部分を修正するすることにより、全てのパタンにおいて
リソグラフィ工程で規定のマージンを満足するマスクデ
ータを作成出来る。
のパタンにおいてリソグラフィ工程で規定のマージンを
満足するか否かを検査し、規定のマージンを満足しない
部分を修正するすることにより、全てのパタンにおいて
リソグラフィ工程で規定のマージンを満足するマスクデ
ータを作成出来る。
【００１８】また、上記した構成によって、特に寸法に
対する規定が重要なゲートに対しては、各ゲート毎の寸
法シフト量を設計データから光強度計算あるいは光強度
計算と現像溶解速度計算を結合した加工形状計算を行な
うことによって評価できるので、ＬＳＩの設計データか
らゲート線幅のバラツキの大きな箇所を発見することが
出来る。
対する規定が重要なゲートに対しては、各ゲート毎の寸
法シフト量を設計データから光強度計算あるいは光強度
計算と現像溶解速度計算を結合した加工形状計算を行な
うことによって評価できるので、ＬＳＩの設計データか
らゲート線幅のバラツキの大きな箇所を発見することが
出来る。
【００１９】また、同じく上記した構成によって、各ゲ
ート毎の寸法シフト量に相当する寸法を各ゲート毎に修
正することが可能となり、ゲート線幅のバラツキを抑制
したＬＳＩ用のマスクデータが作成出来る。
ート毎の寸法シフト量に相当する寸法を各ゲート毎に修
正することが可能となり、ゲート線幅のバラツキを抑制
したＬＳＩ用のマスクデータが作成出来る。
【００２０】また、同じく上記した構成によって波形エ
ッジ図形を用いることにより、リソグラフィ工程におい
て設計データで設定された寸法よりも小さな寸法を制御
することが可能となり、高価なマスクを使用しなくても
ゲート線幅のバラツキを抑制したＬＳＩ用のマスクデー
タが作成出来る。
ッジ図形を用いることにより、リソグラフィ工程におい
て設計データで設定された寸法よりも小さな寸法を制御
することが可能となり、高価なマスクを使用しなくても
ゲート線幅のバラツキを抑制したＬＳＩ用のマスクデー
タが作成出来る。
【００２１】また、同じく上記した構成によって平行補
助パタンを用いることにより、パタンの疎密による寸法
シフトを抑制できるので、ゲート線幅のバラツキを抑制
したＬＳＩ用のマスクデータが作成出来る。
助パタンを用いることにより、パタンの疎密による寸法
シフトを抑制できるので、ゲート線幅のバラツキを抑制
したＬＳＩ用のマスクデータが作成出来る。
【００２２】また、同じく上記した構成によって,隣接
するゲートパタン同士の寸法シフト量を同時に考慮する
ことにより、高密度なゲートパタンを有するＬＳＩに対
してもゲート線幅のバラツキを抑制したマスクデータが
作成出来る。
するゲートパタン同士の寸法シフト量を同時に考慮する
ことにより、高密度なゲートパタンを有するＬＳＩに対
してもゲート線幅のバラツキを抑制したマスクデータが
作成出来る。
【００２３】また上記したマスクデータの作成によって
ゲート線幅のバラツキを抑制することが出来る。
ゲート線幅のバラツキを抑制することが出来る。
【００２４】
（実施例１）以下本発明の第１の実施例のマスクデータ
検証装置の構成について、図面を参照しながら説明す
る。
検証装置の構成について、図面を参照しながら説明す
る。
【００２５】図１は本発明の第１の実施例におけるマス
クデータ検証装置の構成を示すものである。図１におい
て１０２はマスクデータ入力部、１０３は検査領域出
部、１０４は光強度計算部、１０５形状計算部、１０６
現像溶解速度計算部、１０７は検査部、１０８は警告箇
所抽出部、１０９表示部である。
クデータ検証装置の構成を示すものである。図１におい
て１０２はマスクデータ入力部、１０３は検査領域出
部、１０４は光強度計算部、１０５形状計算部、１０６
現像溶解速度計算部、１０７は検査部、１０８は警告箇
所抽出部、１０９表示部である。
【００２６】図２は上記のように構成された、マスクデ
ータ検証装置の動作方法のフローチャートである。
ータ検証装置の動作方法のフローチャートである。
【００２７】以下、マスクデータ検証装置の動作及び、
本実施例におけるマスクデータ検証検証方法について説
明する。
本実施例におけるマスクデータ検証検証方法について説
明する。
【００２８】まず、マスクデータ入力部１０２により、
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次に検査領域出部１０３によりマスクデータ入力部
１０２より入力されたマスクデータからの検査領域を抽
出する。次に光強度計算部１０４により検査領域出部１
０３で抽出された検査領域での光強度計分布を計算す
る。次に現像溶解速度計算部１０６により、レジストの
現像溶解速度分布の計算を行なう。次に形状計算部１０
５により光強度計分布と現像溶解速度分布を結合するこ
とにりリソグラフィ工程における加工形状を計算する。
次に検査部１０７により、形状計算部１０５で計算され
た加工形状のリソグラフィ工程におけるマージンを検査
する。次に警告箇所抽出部１０８により、検査部１０７
でリソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足した
部分を抽出する。最後に表示部１０９により警告箇所抽
出部１０８で抽出された部分を警告箇所としてCRT等に
表示してマスクデータ検証装置の動作を終了する。
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次に検査領域出部１０３によりマスクデータ入力部
１０２より入力されたマスクデータからの検査領域を抽
出する。次に光強度計算部１０４により検査領域出部１
０３で抽出された検査領域での光強度計分布を計算す
る。次に現像溶解速度計算部１０６により、レジストの
現像溶解速度分布の計算を行なう。次に形状計算部１０
５により光強度計分布と現像溶解速度分布を結合するこ
とにりリソグラフィ工程における加工形状を計算する。
次に検査部１０７により、形状計算部１０５で計算され
た加工形状のリソグラフィ工程におけるマージンを検査
する。次に警告箇所抽出部１０８により、検査部１０７
でリソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足した
部分を抽出する。最後に表示部１０９により警告箇所抽
出部１０８で抽出された部分を警告箇所としてCRT等に
表示してマスクデータ検証装置の動作を終了する。
【００２９】以上のように本実施例によれば、光強度計
分布と現像溶解速度分布を結合することによりリソグラ
フィ工程におけるマージンを設計データから評価し、LS
Iの品質の劣化を設計データの段階で発見し、設計変更
により修正されたマスクデータを作成することが可能と
なる。
分布と現像溶解速度分布を結合することによりリソグラ
フィ工程におけるマージンを設計データから評価し、LS
Iの品質の劣化を設計データの段階で発見し、設計変更
により修正されたマスクデータを作成することが可能と
なる。
【００３０】（実施例２）以下本発明の第２の実施例の
マスクデータ作成装置の構成について、図面を参照しな
がら説明する。
マスクデータ作成装置の構成について、図面を参照しな
がら説明する。
【００３１】図３は本発明の第２の実施例におけるマス
クデータ作成装置の構成を示すものである。
クデータ作成装置の構成を示すものである。
【００３２】図３において２０２はマスクデータ入力
部、２０３は検査領域出部、２０４は光強度計算部、２
０５形状計算部、２０６現像溶解速度計算部、２０７は
検査部であり、以上の構成は図１に示す第１の実施例の
構成と同様なものである。
部、２０３は検査領域出部、２０４は光強度計算部、２
０５形状計算部、２０６現像溶解速度計算部、２０７は
検査部であり、以上の構成は図１に示す第１の実施例の
構成と同様なものである。
【００３３】第１の実施例と異なるのは２０８のマスク
データ修正部と２０９のマスクデータ出力部をを設けた
点である。
データ修正部と２０９のマスクデータ出力部をを設けた
点である。
【００３４】図４は上記のように構成された、マスクデ
ータ作成装置の動作方法のフローチャートである。
ータ作成装置の動作方法のフローチャートである。
【００３５】以下、マスクデータ作成装置の動作及び、
本実施例におけるマスクデータ作成証方法について説明
する。
本実施例におけるマスクデータ作成証方法について説明
する。
【００３６】まず、マスクデータ入力部２０２により、
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次に検査領域出部２０３によりマスクデータ入力部
２０２より入力されたマスクデータからの検査領域を抽
出する。次に光強度計算部２０４により検査領域出部で
抽出された検査領域での光強度計分布を計算する。次に
現像溶解速度計算部２０６により、レジストの現像溶解
速度分布の計算を行なう。次に形状計算部２０５により
光強度計分布と現像溶解速度分布を結合することにより
リソグラフィ工程における加工形状を計算する。次に検
査部２０７により、形状計算部２０５で計算された加工
形状のリソグラフィ工程におけるマージンを検査し、リ
ソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足しない部
分を抽出する。以上の動作は第１の実施例と同様であ
る。
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次に検査領域出部２０３によりマスクデータ入力部
２０２より入力されたマスクデータからの検査領域を抽
出する。次に光強度計算部２０４により検査領域出部で
抽出された検査領域での光強度計分布を計算する。次に
現像溶解速度計算部２０６により、レジストの現像溶解
速度分布の計算を行なう。次に形状計算部２０５により
光強度計分布と現像溶解速度分布を結合することにより
リソグラフィ工程における加工形状を計算する。次に検
査部２０７により、形状計算部２０５で計算された加工
形状のリソグラフィ工程におけるマージンを検査し、リ
ソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足しない部
分を抽出する。以上の動作は第１の実施例と同様であ
る。
【００３７】次にマスクデータ修正部２０８により、リ
ソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足しない部
分をその規定を満足するように修正する。次に再び形状
計算部２０５により新たに修正されたマスクデータに対
してリソグラフィ工程における加工形状を計算し、以下
検査部２０７とマスクデータ修正部２０８による修正を
全てのパタンにおいてリソグラフィ工程におけるマージ
ンが規定を満足するまで繰り返す。最後に全てのパター
ンにおいてリソグラフィ工程におけるマージンが規定を
満足すれば、マスクデータ出力部２０９により修正され
たマスクデータを出力することによりマスクデータ検証
装置の動作を終了する。
ソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足しない部
分をその規定を満足するように修正する。次に再び形状
計算部２０５により新たに修正されたマスクデータに対
してリソグラフィ工程における加工形状を計算し、以下
検査部２０７とマスクデータ修正部２０８による修正を
全てのパタンにおいてリソグラフィ工程におけるマージ
ンが規定を満足するまで繰り返す。最後に全てのパター
ンにおいてリソグラフィ工程におけるマージンが規定を
満足すれば、マスクデータ出力部２０９により修正され
たマスクデータを出力することによりマスクデータ検証
装置の動作を終了する。
【００３８】以上のように本実施例によれば、リソグラ
フィ工程におけるマージンを設計データから評価し、さ
らにリソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足し
ない部分をその規定を満足するまで修正することによ
り、LSIの品質の劣化が修正されたマスクデータを作成
することが可能となる。
フィ工程におけるマージンを設計データから評価し、さ
らにリソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足し
ない部分をその規定を満足するまで修正することによ
り、LSIの品質の劣化が修正されたマスクデータを作成
することが可能となる。
【００３９】（実施例３）以下本発明の第３の実施例の
マスクデータ検証装置の構成について、図面を参照しな
がら説明する。
マスクデータ検証装置の構成について、図面を参照しな
がら説明する。
【００４０】図５は本発明の第３の実施例におけるマス
クデータ検証装置の構成を示すものであり、本実施例は
特に寸法規定が重要なゲートに着目したマスクデータ検
証装置である。
クデータ検証装置の構成を示すものであり、本実施例は
特に寸法規定が重要なゲートに着目したマスクデータ検
証装置である。
【００４１】図５において３０２はマスクデータ入力
部、３０３はゲート領域抽出部、３０４はゲートエッジ
抽出部、３０５各ゲート線幅の寸法シフト計算部、３０
８は警告箇抽出部、３０９表示部である。
部、３０３はゲート領域抽出部、３０４はゲートエッジ
抽出部、３０５各ゲート線幅の寸法シフト計算部、３０
８は警告箇抽出部、３０９表示部である。
【００４２】図６は上記のように構成された、マスクデ
ータ検証の動作方法のフローチャートである。
ータ検証の動作方法のフローチャートである。
【００４３】以下、ゲート線幅のバラツキ検証装置の動
作及び、本実施例におけるマスクデータ検証方法につい
て図５〜図８を用いて説明する。
作及び、本実施例におけるマスクデータ検証方法につい
て図５〜図８を用いて説明する。
【００４４】まず、マスクデータ入力部３０２により、
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部３０３によりマスクデータ入
力部３０２より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タン３１１と活性化領域３１２の重なりからゲートパタ
ン３１３を抽出する。次にゲートエッジ抽出部３０４に
よりゲート領域抽出部３０３で抽出されたゲートパタン
でゲート長の対辺となるゲートエッジ３１４を抽出す
る。次に各ゲート線幅の寸法シフト量評価部により、マ
スクデータ入力部３０２からゲート配線パタン３１１を
入力し、ゲートエッジ抽出部３０４からゲートエッジ３
１４を入力し、ゲートエッジ近傍における光強度を計算
し、その光強度値より近接効果による寸法シフト量を評
価する。
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部３０３によりマスクデータ入
力部３０２より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タン３１１と活性化領域３１２の重なりからゲートパタ
ン３１３を抽出する。次にゲートエッジ抽出部３０４に
よりゲート領域抽出部３０３で抽出されたゲートパタン
でゲート長の対辺となるゲートエッジ３１４を抽出す
る。次に各ゲート線幅の寸法シフト量評価部により、マ
スクデータ入力部３０２からゲート配線パタン３１１を
入力し、ゲートエッジ抽出部３０４からゲートエッジ３
１４を入力し、ゲートエッジ近傍における光強度を計算
し、その光強度値より近接効果による寸法シフト量を評
価する。
【００４５】一例としては、ゲートエッジ部の上とその
両側に0.1〜0.2μm離れた評価点３１５を設定し、それ
ぞれの評価点での光強度分布３１６を計算し、この３点
での光強度分布の傾きより、臨界解像強度となる閾値３
１７から寸法シフト量３１８を計算する方法がある。
両側に0.1〜0.2μm離れた評価点３１５を設定し、それ
ぞれの評価点での光強度分布３１６を計算し、この３点
での光強度分布の傾きより、臨界解像強度となる閾値３
１７から寸法シフト量３１８を計算する方法がある。
【００４６】次に警告箇所抽出部３０８によりマスクデ
ータ入力部３０２からゲート配線パタン３１１を入力
し、各ゲート線幅の寸法シフト量評価部３０５からゲー
ト線幅の寸法シフト量３１８を入力し、寸法シフト量が
所定の値より大きい場合３１９を抽出する。最後に表示
部３０９により警告箇所抽出部３０８で抽出された部分
３１９を警告箇所としてCRT等に表示してマスクデータ
検証装置の動作を終了する。
ータ入力部３０２からゲート配線パタン３１１を入力
し、各ゲート線幅の寸法シフト量評価部３０５からゲー
ト線幅の寸法シフト量３１８を入力し、寸法シフト量が
所定の値より大きい場合３１９を抽出する。最後に表示
部３０９により警告箇所抽出部３０８で抽出された部分
３１９を警告箇所としてCRT等に表示してマスクデータ
検証装置の動作を終了する。
【００４７】以上のように本実施例によれば、ゲートエ
ッジを抽出し、その近傍の光強度を計算するだけでゲー
ト線幅の寸法シフトが評価できるので、近接効果による
ゲート線幅のバラツキにによるLSIの品質の劣化を設計
データの状態で発見し、設計変更によりを抑制するよう
に修正されたゲート配線のマスクデータを作成すること
が可能となる。
ッジを抽出し、その近傍の光強度を計算するだけでゲー
ト線幅の寸法シフトが評価できるので、近接効果による
ゲート線幅のバラツキにによるLSIの品質の劣化を設計
データの状態で発見し、設計変更によりを抑制するよう
に修正されたゲート配線のマスクデータを作成すること
が可能となる。
【００４８】（実施例４）以下本発明の第４の実施例の
マスクデータ作成装置の構成について、図面を参照しな
がら説明する。
マスクデータ作成装置の構成について、図面を参照しな
がら説明する。
【００４９】図９は本発明の第４の実施例におけるマス
クデータ作成装置の構成を示すものである。
クデータ作成装置の構成を示すものである。
【００５０】図９において４０２はマスクデータ入力
部、４０３はゲート領域抽出部、４０４はゲートエッジ
抽出部、４０５各ゲート線幅の寸法シフト計算部であ
り、以上は図５に示した第３の実施例におけるマスクデ
ータ作成装置の構成と同様なものである。
部、４０３はゲート領域抽出部、４０４はゲートエッジ
抽出部、４０５各ゲート線幅の寸法シフト計算部であ
り、以上は図５に示した第３の実施例におけるマスクデ
ータ作成装置の構成と同様なものである。
【００５１】図５の構成と異なるのは４０６の線幅修正
量規定部と４０８のマスクデータ修正部と４０９のマス
クデータ出力部を設けた点である。
量規定部と４０８のマスクデータ修正部と４０９のマス
クデータ出力部を設けた点である。
【００５２】図１０は上記のように構成された、マスク
データ作成装置装置の動作方法のフローチャートであ
る。
データ作成装置装置の動作方法のフローチャートであ
る。
【００５３】以上のように構成された、ゲート線幅修正
装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスクデ
ータの作成方法について、図９〜図１２を用いて説明す
る。
装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスクデ
ータの作成方法について、図９〜図１２を用いて説明す
る。
【００５４】まず、マスクデータ入力部４０２により、
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部４０３によりマスクデータ入
力部４０２より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部４０４によりゲート領域抽
出部４０３で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。次に各ゲート線幅の寸
法シフト量評価部４０５により、マスクデータ入力部４
０２からゲート配線パタンを入力し、ゲートエッジ抽出
部４０４からゲートエッジを入力し、ゲートエッジ近傍
における光強度を計算し、その光強度値より近接効果に
よる寸法シフト量を評価する。以上の動作は第３の実施
例と同様である。
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部４０３によりマスクデータ入
力部４０２より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部４０４によりゲート領域抽
出部４０３で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。次に各ゲート線幅の寸
法シフト量評価部４０５により、マスクデータ入力部４
０２からゲート配線パタンを入力し、ゲートエッジ抽出
部４０４からゲートエッジを入力し、ゲートエッジ近傍
における光強度を計算し、その光強度値より近接効果に
よる寸法シフト量を評価する。以上の動作は第３の実施
例と同様である。
【００５５】次に線幅修正量規定部４０６により寸法シ
フト量評価部で計算された寸法シフト量に基づいて各ゲ
ートパタンエッジ部毎に修正量を規定する。ここでは各
ゲートパタンエッジ部毎の修正量をゲートエッジと線幅
パラメータ４１９によって規定している。例えば、ゲー
ト線幅を0.1μm太くするように修正する場合はゲートエ
ッジに線幅パラメータ＋0.1を与える。また、逆にゲー
ト線幅を0.1μm細くするように修正する場合はゲートエ
ッジに線幅パラメータ−0.1を与える。
フト量評価部で計算された寸法シフト量に基づいて各ゲ
ートパタンエッジ部毎に修正量を規定する。ここでは各
ゲートパタンエッジ部毎の修正量をゲートエッジと線幅
パラメータ４１９によって規定している。例えば、ゲー
ト線幅を0.1μm太くするように修正する場合はゲートエ
ッジに線幅パラメータ＋0.1を与える。また、逆にゲー
ト線幅を0.1μm細くするように修正する場合はゲートエ
ッジに線幅パラメータ−0.1を与える。
【００５６】次にマスクデータ修正部４０８により修正
量規定部４０６で設定されたゲート線幅修正量に基づい
て修正されたゲート配線のマスクデータを作成する。こ
こでは、まずゲートエッジ４１４と線幅パラメータ４１
９より、ゲートエッジ部を中心として線幅パラメータで
規定された値の２倍の幅を持ったゲート線幅修正図形４
２０を作成する。次に線幅パラメータがプラスの値をも
つゲート線幅修正図形はゲート配線のマスクデータに加
算し、マイナスの値をもつゲート線幅修正図形はゲート
配線のマスクデータから引き去ることにより修正された
ゲート配線のマスクデータ４２１を作成している。最後
にマスクデータ出力部４０８により、修正されたマスク
データを出力することによりマスクデータ作成装置の動
作を終了する。
量規定部４０６で設定されたゲート線幅修正量に基づい
て修正されたゲート配線のマスクデータを作成する。こ
こでは、まずゲートエッジ４１４と線幅パラメータ４１
９より、ゲートエッジ部を中心として線幅パラメータで
規定された値の２倍の幅を持ったゲート線幅修正図形４
２０を作成する。次に線幅パラメータがプラスの値をも
つゲート線幅修正図形はゲート配線のマスクデータに加
算し、マイナスの値をもつゲート線幅修正図形はゲート
配線のマスクデータから引き去ることにより修正された
ゲート配線のマスクデータ４２１を作成している。最後
にマスクデータ出力部４０８により、修正されたマスク
データを出力することによりマスクデータ作成装置の動
作を終了する。
【００５７】以上のように本実施例によれば、近接効果
による線幅修正量規定部とマスクデータ修正部を設定す
ることにより、近接効果によるゲート線幅のバラツキを
抑制するように修正されたゲート配線のマスクデータを
作成することが可能となる。
による線幅修正量規定部とマスクデータ修正部を設定す
ることにより、近接効果によるゲート線幅のバラツキを
抑制するように修正されたゲート配線のマスクデータを
作成することが可能となる。
【００５８】なお、ここではゲートエッジ近傍における
光強度を計算し、その光強度値より近接効果による寸法
シフト量を評価したが、光強度計算と現像溶解速度計算
を用いて寸法シフト量を評価しもよい。
光強度を計算し、その光強度値より近接効果による寸法
シフト量を評価したが、光強度計算と現像溶解速度計算
を用いて寸法シフト量を評価しもよい。
【００５９】（実施例５）以下本発明の第５の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。
ついて図面を参照しながら説明する。
【００６０】図１３は本発明の第５の実施例におけるマ
スクデータ作成装置の構成を示すものである。
スクデータ作成装置の構成を示すものである。
【００６１】図１３において５０２はマスクデータ入力
部、５０３はゲート領域抽出部、５０４はゲートエッジ
抽出部、５０５各ゲート線幅の寸法シフト計算部、５０
９はマスクデータ出力部であり、以上は図９に示す第４
の実施例の構成と同様なものである。図９と異なるのは
５０７の波形エッジ図形作成部を４０６線幅修正量規定
部の代わりに設けた点であり、５０８のマスクデータ修
正部はそれに対応したものとなる。
部、５０３はゲート領域抽出部、５０４はゲートエッジ
抽出部、５０５各ゲート線幅の寸法シフト計算部、５０
９はマスクデータ出力部であり、以上は図９に示す第４
の実施例の構成と同様なものである。図９と異なるのは
５０７の波形エッジ図形作成部を４０６線幅修正量規定
部の代わりに設けた点であり、５０８のマスクデータ修
正部はそれに対応したものとなる。
【００６２】これにより、リソグラフィ工程で形成され
る線幅を実際のマスクデータの線幅を変更する代わり
に、波形エッジ図形の波形のピッチを変更することによ
り調整する機能を備えたものとなる。
る線幅を実際のマスクデータの線幅を変更する代わり
に、波形エッジ図形の波形のピッチを変更することによ
り調整する機能を備えたものとなる。
【００６３】図１４は以上のように構成された、マスク
データ作成装置装置の動作方法のフローチャートであ
る。
データ作成装置装置の動作方法のフローチャートであ
る。
【００６４】以上のように構成された、ゲート線幅修正
装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスクデ
ータの作成方法について、図１３〜図１６を用いて説明
する。
装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスクデ
ータの作成方法について、図１３〜図１６を用いて説明
する。
【００６５】まず、マスクデータ入力部５０２により、
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部５０３によりマスクデータ入
力部５０２より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部５０４によりゲート領域抽
出部５０３で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。次に各ゲート線幅の寸
法シフト量評価部５０５により、マスクデータ入力部５
０２からゲート配線パタンを入力し、ゲートエッジ抽出
部５０４からゲートエッジを入力し、ゲートエッジ近傍
における光強度を計算し、その光強度値より近接効果に
よる寸法シフト量を評価する。以上の動作は上記の第４
の実施例と同様である。
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部５０３によりマスクデータ入
力部５０２より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部５０４によりゲート領域抽
出部５０３で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。次に各ゲート線幅の寸
法シフト量評価部５０５により、マスクデータ入力部５
０２からゲート配線パタンを入力し、ゲートエッジ抽出
部５０４からゲートエッジを入力し、ゲートエッジ近傍
における光強度を計算し、その光強度値より近接効果に
よる寸法シフト量を評価する。以上の動作は上記の第４
の実施例と同様である。
【００６６】次に波形エッジ図形作成部５０７により寸
法シフト量評価部５０５で計算された寸法シフト量に基
づいて各ゲートパタンを波形エッジ図形５２１に変形
し、その波形エッジを表すパラメータを設定する。
法シフト量評価部５０５で計算された寸法シフト量に基
づいて各ゲートパタンを波形エッジ図形５２１に変形
し、その波形エッジを表すパラメータを設定する。
【００６７】波形エッジを表すパラメータとリソグラフ
ィ工程で形成される線幅寸法の関係は、図１７に示すよ
うに、リソグラフィ工程で形成される線幅は波形エッジ
図形のピッチ幅を変更することによっても修正できる。
図１７において、５２２は波形エッジの振幅の寸法Ｄｗ
であり、５２３は波形エッジのピッチ幅Ｐｗであり、５
２４は波形エッジの山部分の寸法Ｏｗである。ここで
は、１例として0.4μmの線幅Ｗを持った波形エッジ図形
で波形エッジの振幅の寸法Ｄｗを0.05μm、波形エッジ
の山部分の寸法Ｏｗを0.2μmとして固定したときに、波
形エッジのピッチ幅Ｐｗを0.20μmから0.25μmまで変化
させたときの光強度から計算される線幅寸法を５２５に
示してある。ただし、計算条件は光源はｉ線で干渉度は
0.6で開口数は0.5である。
ィ工程で形成される線幅寸法の関係は、図１７に示すよ
うに、リソグラフィ工程で形成される線幅は波形エッジ
図形のピッチ幅を変更することによっても修正できる。
図１７において、５２２は波形エッジの振幅の寸法Ｄｗ
であり、５２３は波形エッジのピッチ幅Ｐｗであり、５
２４は波形エッジの山部分の寸法Ｏｗである。ここで
は、１例として0.4μmの線幅Ｗを持った波形エッジ図形
で波形エッジの振幅の寸法Ｄｗを0.05μm、波形エッジ
の山部分の寸法Ｏｗを0.2μmとして固定したときに、波
形エッジのピッチ幅Ｐｗを0.20μmから0.25μmまで変化
させたときの光強度から計算される線幅寸法を５２５に
示してある。ただし、計算条件は光源はｉ線で干渉度は
0.6で開口数は0.5である。
【００６８】このように、波形エッジ図形を用いると0.
05μm程度（実際には５倍マスクを用いれば0.25μm）の
寸法制御で作成出来るピッチ図形を用いて、リソグラフ
ィ工程で出来上がるパタンに対して0.01μm程度の寸法
修正が可能である。
05μm程度（実際には５倍マスクを用いれば0.25μm）の
寸法制御で作成出来るピッチ図形を用いて、リソグラフ
ィ工程で出来上がるパタンに対して0.01μm程度の寸法
修正が可能である。
【００６９】マスクの作成において、0.01μm程度（実
際には５倍マスクを用いれば0.05μm）の寸法を制御す
るためには、非常に高価なマスクを作成する必要がある
が、波形エッジ図形を用いる方法では、高価なマスクを
使用しなくても十分な効果を得ることができる。
際には５倍マスクを用いれば0.05μm）の寸法を制御す
るためには、非常に高価なマスクを作成する必要がある
が、波形エッジ図形を用いる方法では、高価なマスクを
使用しなくても十分な効果を得ることができる。
【００７０】次にマスクデータ修正部５０８により波形
エッジ図形作成部５０７で作成された波形エッジ図形が
ゲートパタンとなるように修正されたゲート配線のマス
クデータ５２１を作成する。最後にマスクデータ出力部
５０９により、修正されたマスクデータを出力すること
によりマスクデータ作成装置の動作を終了する。
エッジ図形作成部５０７で作成された波形エッジ図形が
ゲートパタンとなるように修正されたゲート配線のマス
クデータ５２１を作成する。最後にマスクデータ出力部
５０９により、修正されたマスクデータを出力すること
によりマスクデータ作成装置の動作を終了する。
【００７１】以上のように本実施例によれば、高価なマ
スクを使用せずに近接効果によるゲート線幅のバラツキ
を抑制するように修正されたゲート配線のマスクデータ
を作成することが可能となる。
スクを使用せずに近接効果によるゲート線幅のバラツキ
を抑制するように修正されたゲート配線のマスクデータ
を作成することが可能となる。
【００７２】なお、ここでは波形エッジ図形による寸法
調整は波形エッジのピッチ幅を変化させて行なったが、
波形エッジの山部分の寸法あるいは波形エッジの振幅の
寸法をそれぞれ単独あるいは組み合わせて変化させても
よい。
調整は波形エッジのピッチ幅を変化させて行なったが、
波形エッジの山部分の寸法あるいは波形エッジの振幅の
寸法をそれぞれ単独あるいは組み合わせて変化させても
よい。
【００７３】なお、ここでもゲートエッジ近傍における
光強度を計算し、その光強度値より近接効果による寸法
シフト量を評価したが、光強度計算と現像溶解速度計算
を用いて寸法シフト量を評価しもよい。
光強度を計算し、その光強度値より近接効果による寸法
シフト量を評価したが、光強度計算と現像溶解速度計算
を用いて寸法シフト量を評価しもよい。
【００７４】（実施例６）以下本発明の第６の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。
ついて図面を参照しながら説明する。
【００７５】図１８は本発明の第６の実施例におけるマ
スクデータ作成装置の構成を示すものである。
スクデータ作成装置の構成を示すものである。
【００７６】図１８において６０２はマスクデータ入力
部、６０３はゲート領域抽出部、６０４はゲートエッジ
抽出部、６０５各ゲート線幅の寸法シフト計算部、６０
９はマスクデータ出力部であり、以上は図９に示す第４
の実施例の構成と同様なものである。
部、６０３はゲート領域抽出部、６０４はゲートエッジ
抽出部、６０５各ゲート線幅の寸法シフト計算部、６０
９はマスクデータ出力部であり、以上は図９に示す第４
の実施例の構成と同様なものである。
【００７７】図９に示す第４の実施例と異なるのは６０
７の平行補助パタン作成部を４０６線幅修正量規定部の
代わりに設けた点であり、６０８のマスクデータ修正部
はそれに対応したものとなる。
７の平行補助パタン作成部を４０６線幅修正量規定部の
代わりに設けた点であり、６０８のマスクデータ修正部
はそれに対応したものとなる。
【００７８】これにより、ゲート領域となるマスクパタ
ンを直接変更する代わりに、ゲート領域となるマスクパ
タンに対して平行な補助パタンを追加することにより、
パタンの疎密による近接効果を抑制する機能を備えたも
のとなる。
ンを直接変更する代わりに、ゲート領域となるマスクパ
タンに対して平行な補助パタンを追加することにより、
パタンの疎密による近接効果を抑制する機能を備えたも
のとなる。
【００７９】図１９は上記のように構成された、マスク
データ作成装置装置の動作方法のフローチャートであ
る。
データ作成装置装置の動作方法のフローチャートであ
る。
【００８０】以上のように構成された、マスクデータ作
成装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスク
データの作成方法について、図１８〜図２１を用いて説
明する。
成装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスク
データの作成方法について、図１８〜図２１を用いて説
明する。
【００８１】まず、マスクデータ入力部６０２により、
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部６０３によりマスクデータ入
力部６０２より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部６０４によりゲート領域抽
出部６０３で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。次に各ゲート線幅の寸
法シフト量評価部６０５により、マスクデータ入力部６
０２からゲート配線パタンを入力し、ゲートエッジ抽出
部６０４からゲートエッジを入力し、ゲートエッジ近傍
における光強度を計算し、その光強度値より近接効果に
よる寸法シフト量を評価する。以上の動作は第４の実施
例と同様である。
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部６０３によりマスクデータ入
力部６０２より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部６０４によりゲート領域抽
出部６０３で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。次に各ゲート線幅の寸
法シフト量評価部６０５により、マスクデータ入力部６
０２からゲート配線パタンを入力し、ゲートエッジ抽出
部６０４からゲートエッジを入力し、ゲートエッジ近傍
における光強度を計算し、その光強度値より近接効果に
よる寸法シフト量を評価する。以上の動作は第４の実施
例と同様である。
【００８２】次に平行補助パタン作成部６０７により寸
法シフト量評価部６０５で計算された寸法シフト量に基
づいてゲート領域となるマスクパタンに対して平行な補
助パタン６１９を作成する。平行補助パタン付加した場
合にリソグラフィ工程で形成される線幅寸法の関係は図
２２に示されるように、リソグラフィ工程で形成される
線幅は平行補助パタン付加することによっても修正でき
る。次にマスクデータ修正部６０８により波形エッジ図
形作成部で作成された波形エッジ図形がゲートパタンと
なるように修正されたゲート配線のマスクデータ６２１
を作成する。最後にマスクデータ出力部６０９により、
修正されたマスクデータを出力することによりマスクデ
ータ作成装置の動作を終了する。
法シフト量評価部６０５で計算された寸法シフト量に基
づいてゲート領域となるマスクパタンに対して平行な補
助パタン６１９を作成する。平行補助パタン付加した場
合にリソグラフィ工程で形成される線幅寸法の関係は図
２２に示されるように、リソグラフィ工程で形成される
線幅は平行補助パタン付加することによっても修正でき
る。次にマスクデータ修正部６０８により波形エッジ図
形作成部で作成された波形エッジ図形がゲートパタンと
なるように修正されたゲート配線のマスクデータ６２１
を作成する。最後にマスクデータ出力部６０９により、
修正されたマスクデータを出力することによりマスクデ
ータ作成装置の動作を終了する。
【００８３】以上のように本実施例によれば、ゲート領
域となるマスクパタンに対して平行な補助パタンを追加
することにより、ゲート線幅のバラツキを抑制するよう
に修正されたゲート配線のマスクデータを作成すること
が可能となる。
域となるマスクパタンに対して平行な補助パタンを追加
することにより、ゲート線幅のバラツキを抑制するよう
に修正されたゲート配線のマスクデータを作成すること
が可能となる。
【００８４】なお、ここでもゲートエッジ近傍における
光強度を計算し、その光強度値より近接効果による寸法
シフト量を評価したが、光強度計算と現像溶解速度計算
を用いて寸法シフト量を評価しもよい。
光強度を計算し、その光強度値より近接効果による寸法
シフト量を評価したが、光強度計算と現像溶解速度計算
を用いて寸法シフト量を評価しもよい。
【００８５】なお、ゲート線幅の調整には本実施例の方
法、実施例４の線幅パラメータの方法、実施例５の波形
エッジ図形の方法の複数の方法を組み合わせてもよい。
法、実施例４の線幅パラメータの方法、実施例５の波形
エッジ図形の方法の複数の方法を組み合わせてもよい。
【００８６】（実施例７）以下本発明の第７の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。
ついて図面を参照しながら説明する。
【００８７】図２３は本発明の第７の実施例におけるマ
スクデータ作成装置の構成を示すものである。
スクデータ作成装置の構成を示すものである。
【００８８】図２３において７０２はマスクデータ入力
部、７０３はゲート領域抽出部、７０４はゲートエッジ
抽出部、７０７は線幅修正量規定部、７０８のマスクデ
ータ修正部、７０９はマスクデータ出力部であり、以上
は図９に示す第４の実施例の構成と同様なものである。
部、７０３はゲート領域抽出部、７０４はゲートエッジ
抽出部、７０７は線幅修正量規定部、７０８のマスクデ
ータ修正部、７０９はマスクデータ出力部であり、以上
は図９に示す第４の実施例の構成と同様なものである。
【００８９】図９に示す第４の実施例と異なるのは４０
５各ゲート線幅の寸法シフト計算部の代わりにと７０５
ゲートエッジ上での光強度計算部と７０６の判定部を設
けた点である。これにより、個々のゲート線幅をほぼ同
一の精度で修正できる機能を備えたものとなる。
５各ゲート線幅の寸法シフト計算部の代わりにと７０５
ゲートエッジ上での光強度計算部と７０６の判定部を設
けた点である。これにより、個々のゲート線幅をほぼ同
一の精度で修正できる機能を備えたものとなる。
【００９０】図２４は上記のように構成された、マスク
データ作成装置の動作方法のフローチャートである。
データ作成装置の動作方法のフローチャートである。
【００９１】以上のように構成された、マスクデータ作
成装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスク
データの作成方法について説明する。
成装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスク
データの作成方法について説明する。
【００９２】まず、マスクデータ入力部７０２により、
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部７０３によりマスクデータ入
力部７０２より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部７０４によりゲート領域抽
出部７０３で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。以上の動作は第４の実
施例と同様である。
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部７０３によりマスクデータ入
力部７０２より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部７０４によりゲート領域抽
出部７０３で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。以上の動作は第４の実
施例と同様である。
【００９３】次にゲートエッジ上の光強度計算部７０５
によりゲートエッジ上での光強度を計算する。これは、
ゲートエッジ上に幾つかの評価点を設定し、その点での
光強度を計算するだけである。次に判定部７０６により
ゲートエッジ上の光強度計算部で計算されたゲートエッ
ジ上での光強度を所定の閾値と比較し、それぞれの光強
度と閾値の差が所定の値より小さいか否かを判定する。
このとき、その差が所定の値より小さい場合はマスクデ
ータ出力部に移り処理を終了するが、小さくない場合は
線幅修正量規定部７０７に移る。線幅修正量規定部７０
７ではゲートエッジ上の光強度と所定の閾値との差に比
例した線幅修正値を設定する。すなわち、リソグラフィ
工程においてポジ型レジストを用いる場合はおいては、
光強度が閾値より大きいときはゲート線幅修正量におい
てゲート線幅が太くなるように修正量を変更する。光強
度が閾値より小さいときはゲート線幅修正量においてゲ
ート線幅が細くなるように修正量を変更する。ただし、
リソグラフィ工程においてネガ型レジストを用いる場合
はおいては、その逆となる。修正量の規定の方法は第２
の実施例と同様にゲートエッジデータと線幅パラメータ
で表せばよい。さらに、線幅修正量規定後はマスクデー
タ修正部により修正されたゲート配線のマスクデータを
作成する。修正されたゲート配線のマスクデータの作成
方法は第４の実施例と同様である。さらに、その後は再
びゲートエッジ上の光強度計算部により前記マスクデー
タ修正部で作成された修正されたゲート配線のマスクデ
ータを用いてゲートエッジ上での光強度を計算する。こ
れらの判定部からゲートエッジ上の光強度計算部までの
操作を各ゲートエッジ上の光強度と所定の閾値との差が
所定の値より小さくなるまで繰り返す。
によりゲートエッジ上での光強度を計算する。これは、
ゲートエッジ上に幾つかの評価点を設定し、その点での
光強度を計算するだけである。次に判定部７０６により
ゲートエッジ上の光強度計算部で計算されたゲートエッ
ジ上での光強度を所定の閾値と比較し、それぞれの光強
度と閾値の差が所定の値より小さいか否かを判定する。
このとき、その差が所定の値より小さい場合はマスクデ
ータ出力部に移り処理を終了するが、小さくない場合は
線幅修正量規定部７０７に移る。線幅修正量規定部７０
７ではゲートエッジ上の光強度と所定の閾値との差に比
例した線幅修正値を設定する。すなわち、リソグラフィ
工程においてポジ型レジストを用いる場合はおいては、
光強度が閾値より大きいときはゲート線幅修正量におい
てゲート線幅が太くなるように修正量を変更する。光強
度が閾値より小さいときはゲート線幅修正量においてゲ
ート線幅が細くなるように修正量を変更する。ただし、
リソグラフィ工程においてネガ型レジストを用いる場合
はおいては、その逆となる。修正量の規定の方法は第２
の実施例と同様にゲートエッジデータと線幅パラメータ
で表せばよい。さらに、線幅修正量規定後はマスクデー
タ修正部により修正されたゲート配線のマスクデータを
作成する。修正されたゲート配線のマスクデータの作成
方法は第４の実施例と同様である。さらに、その後は再
びゲートエッジ上の光強度計算部により前記マスクデー
タ修正部で作成された修正されたゲート配線のマスクデ
ータを用いてゲートエッジ上での光強度を計算する。こ
れらの判定部からゲートエッジ上の光強度計算部までの
操作を各ゲートエッジ上の光強度と所定の閾値との差が
所定の値より小さくなるまで繰り返す。
【００９４】以上のように本実施例のよれば、隣接し合
うゲートの線幅を同時に正確に修正でき、ゲートが密集
した構成を有するLSIに有効な修正されたゲート配線の
マスクデータを作成することが可能となる。
うゲートの線幅を同時に正確に修正でき、ゲートが密集
した構成を有するLSIに有効な修正されたゲート配線の
マスクデータを作成することが可能となる。
【００９５】なお、ゲート線幅の調整には第５の実施例
に示した波形エッジ図形を用いてもよい。
に示した波形エッジ図形を用いてもよい。
【００９６】図２５は本実施例において波形エッジ図形
を用いた場合におけるマスクデータ作成装置の構成を示
すものである。また、図２６は波形エッジ図形を用いた
場合におけるマスクデータ作成装置の動作方法のフロー
チャート示す図である。
を用いた場合におけるマスクデータ作成装置の構成を示
すものである。また、図２６は波形エッジ図形を用いた
場合におけるマスクデータ作成装置の動作方法のフロー
チャート示す図である。
【００９７】これにより、高価なマスクを使用せずにゲ
ートが密集した構成を有するLSIに対しても個々のゲー
ト線幅をより正確に修正できる。
ートが密集した構成を有するLSIに対しても個々のゲー
ト線幅をより正確に修正できる。
【００９８】なお、ゲート線幅の調整には実施例６の平
行補助パタンを用いてもよい。図２７は本実施例におい
て平行補助パタンを用いた場合におけるマスクデータ作
成装置の構成を示すものである。これにより線幅の太い
ゲートは細くなり全体として線幅のバラツキが抑えられ
る。図２８は補助パターンを配置するパラメータとそれ
によって孤立の線幅がどのように変化するかを、シミュ
レーションと実験値によって調べたものである。パラメ
ータＷとＳ１を調整する事によって線幅がコントロール
できることがわかる。図２９は平行補助パタンを用いた
場合におけるマスクデータ作成装置の動作方法のフロー
チャート示す図である。
行補助パタンを用いてもよい。図２７は本実施例におい
て平行補助パタンを用いた場合におけるマスクデータ作
成装置の構成を示すものである。これにより線幅の太い
ゲートは細くなり全体として線幅のバラツキが抑えられ
る。図２８は補助パターンを配置するパラメータとそれ
によって孤立の線幅がどのように変化するかを、シミュ
レーションと実験値によって調べたものである。パラメ
ータＷとＳ１を調整する事によって線幅がコントロール
できることがわかる。図２９は平行補助パタンを用いた
場合におけるマスクデータ作成装置の動作方法のフロー
チャート示す図である。
【００９９】なお、ゲート線幅の調整には本実施例の方
法、実施例５の波形エッジ図形の方法、実施例６の平行
補助パタンの方法の複数の方法を組み合わせてもよい。
法、実施例５の波形エッジ図形の方法、実施例６の平行
補助パタンの方法の複数の方法を組み合わせてもよい。
【０１００】（実施例８）以下本発明の実施例を図３０
および図３１を参照しながら説明する。
および図３１を参照しながら説明する。
【０１０１】図３０は平行補助パターン作成のフローチ
ャートである。図３１はこれら一連の処理の簡略図であ
る。まずゲートの設計データを入力する。次にそのデー
タを所定の量だけ拡大リサイズしたマスクデータ１を作
成する。再び所定の量だけ縮小リサイズすると、所定の
量の半分以下の間隔を持つゲート及びゲート配線はつな
がって１つになる（図３１（ｂ））。次にそのマスクデ
ータ１を補助パターンの幅Ｗと補助パターンとゲートと
の間隔Ｓ１だけリサイズしたマスクデータ２を作成す
る。次に同じくマスクデータ１を補助パターンとゲート
間隔Ｓ１だけ拡大リサイズしたマスクデータ３を作成す
る。マスクデータ２からマスクデータ３を引く論理処理
を行うとマスクデータ１の周辺に補助パターンができる
マスクデータ４ができる（図３１（ｃ））。次にそのマ
スクデータ４と活性領域とのアンド処理を行えば活性領
域上に補助パターンが形成されるマスクデータ５ができ
る。最後に設計データとマスクデータ５を合わせれば平
行補助パターンのマスクが形成される（図３１
（ｄ））。
ャートである。図３１はこれら一連の処理の簡略図であ
る。まずゲートの設計データを入力する。次にそのデー
タを所定の量だけ拡大リサイズしたマスクデータ１を作
成する。再び所定の量だけ縮小リサイズすると、所定の
量の半分以下の間隔を持つゲート及びゲート配線はつな
がって１つになる（図３１（ｂ））。次にそのマスクデ
ータ１を補助パターンの幅Ｗと補助パターンとゲートと
の間隔Ｓ１だけリサイズしたマスクデータ２を作成す
る。次に同じくマスクデータ１を補助パターンとゲート
間隔Ｓ１だけ拡大リサイズしたマスクデータ３を作成す
る。マスクデータ２からマスクデータ３を引く論理処理
を行うとマスクデータ１の周辺に補助パターンができる
マスクデータ４ができる（図３１（ｃ））。次にそのマ
スクデータ４と活性領域とのアンド処理を行えば活性領
域上に補助パターンが形成されるマスクデータ５ができ
る。最後に設計データとマスクデータ５を合わせれば平
行補助パターンのマスクが形成される（図３１
（ｄ））。
【０１０２】
【発明の効果】以上のように本発明は、設計データから
リソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足しない
部分を抽出したり、あるいはその部分を事前に修正する
ことかでき、ＬＳＩの設計コストを縮小することができ
る。
リソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足しない
部分を抽出したり、あるいはその部分を事前に修正する
ことかでき、ＬＳＩの設計コストを縮小することができ
る。
【０１０３】さらに本発明によれば、設計データからゲ
ートエッジを抽出すること、そのゲートエッジ近傍での
光強度計算を行なうことにより、ゲート線幅寸法のバラ
ツキを予測し、設計段階で不良ゲートを検出できる。
ートエッジを抽出すること、そのゲートエッジ近傍での
光強度計算を行なうことにより、ゲート線幅寸法のバラ
ツキを予測し、設計段階で不良ゲートを検出できる。
【０１０４】さらに本発明によれば、ゲートエッジと線
幅パラメータを規定することにより設計データからゲー
ト線幅寸法のバラツキを抑制するように修正されたマス
クデータを作成することも可能となる。
幅パラメータを規定することにより設計データからゲー
ト線幅寸法のバラツキを抑制するように修正されたマス
クデータを作成することも可能となる。
【０１０５】さらに本発明によれば、制御寸法値が小さ
い高価なマスクを用いなくても、ゲート線幅寸法のバラ
ツキを抑制するように修正されたマスクデータを作成す
ることも可能である。
い高価なマスクを用いなくても、ゲート線幅寸法のバラ
ツキを抑制するように修正されたマスクデータを作成す
ることも可能である。
【図１】本発明第１の実施例におけるマスクデータ検証
装置の構成図
装置の構成図
【図２】同実施例におけるマスクデータ検証方法のフロ
ーチャート
ーチャート
【図３】本発明第２の実施例におけるマスクデータ作成
装置の構成図
装置の構成図
【図４】同実施例におけるマスクデータ作成方法のフロ
ーチャート
ーチャート
【図５】本発明第３の実施例におけるマスクデータ検証
装置の構成図
装置の構成図
【図６】同実施例におけるマスクデータ検証方法のフロ
ーチャート
ーチャート
【図７】同実施例おける処理説明のためのマスクパタン
を示す図
を示す図
【図８】同実施例おける処理説明のためのマスクパタン
の拡大図
の拡大図
【図９】本発明第４の実施例におけるマスクデータ作成
装置の構成図
装置の構成図
【図１０】同実施例におけるマスクデータ作成方法のフ
ローチャート
ローチャート
【図１１】同実施例における処理説明のためのマスクパ
タンを示す図
タンを示す図
【図１２】同実施例おける処理説明のためのマスクパタ
ンの拡大図
ンの拡大図
【図１３】本発明第５の実施例におけるマスクデータ作
成装置の構成図
成装置の構成図
【図１４】同実施例におけるマスクデータ作成方法のフ
ローチャート
ローチャート
【図１５】同実施例における処理説明のためのマスクパ
タンを示す図
タンを示す図
【図１６】同実施例おける処理説明のためのマスクパタ
ンの拡大図
ンの拡大図
【図１７】同実施例における波形エッジ図形の仕様と効
果を示す図
果を示す図
【図１８】本発明第５の実施例におけるマスクデータ作
成装置の構成図
成装置の構成図
【図１９】同実施例におけるマスクデータ作成方法のフ
ローチャート
ローチャート
【図２０】同実施例における処理説明のためのマスクパ
タンを示す図
タンを示す図
【図２１】同実施例おける処理説明のためのマスクパタ
ンの拡大図
ンの拡大図
【図２２】同実施例におけるで平行補助パタンの仕様と
効果を示す図
効果を示す図
【図２３】本発明第４の実施例におけるマスクデータ作
成装置の構成図
成装置の構成図
【図２４】同実施例におけるマスクデータ作成方法のフ
ローチャート
ローチャート
【図２５】同実施例のマスクデータ作成装置において波
形エッジ図形を用いた場合の構成図
形エッジ図形を用いた場合の構成図
【図２６】同実施例のにマスクデータ作成方法で波形エ
ッジ図形を用いた場合のフローチャート
ッジ図形を用いた場合のフローチャート
【図２７】同実施例のマスクデータ作成装置において平
行補助パタンを用いた場合の構成図
行補助パタンを用いた場合の構成図
【図２８】同実施例の平行補助パタンの作用を示す図
【図２９】同実施例のマスクデータ作成方法で平行補助
パタンを用いた場合のフローチャート
パタンを用いた場合のフローチャート
【図３０】本発明第８の実施例の平行補助パタン作成方
法のフローチャート
法のフローチャート
【図３１】同実施例の平行補助パタン作成方法を示す図
【図３２】従来のマスク修正方法のフローチャート
1,101,201,301,401,501,601,701,711,721 設計データ 2,22 マスク 3,33 加工パターン 4 加工パターンの測定データ 102,202,302,402,502,602,702,712,722 マスクデータ
入力部 103,203 検査領域抽出部 303,403,503,603,703,713,723 ゲート領域抽出部 104,204 光強度計算部 304,404,504,604,704,714,724 ゲートエッジ抽出部 105,205 形状計算部 305,405,505,605 各ゲートの線幅の寸法シフト量計算
部 705,715,725 ゲートエッジ上の光強度計算部 106,206 現像溶解速度計算部 406 線幅修正量規定部 706,716,726 判定部 107,207 検査部 507,717 波形エッジ図形作成部 607,727 平行補助パターン作成部 707 線幅修正量規定部 108,308 警告箇所抽出部 208,408,508,608,708,718,728 マスクデータ修正部 109,309 表示部 209,409,509,609,709,719,729 マスクデータ出力部 210,410,510,610,710,720,730 マスクデータ 311,411,511,611,911 ゲート配線パターン 312,412,512,612,812,912 活性領域 313,413,513,613,813 ゲートパターン 314,414,514,614 ゲートエッジ 315,415,515,615 評価点 316,416,516,616 評価点での光強度分布 317,417,517,617 臨海解像度となるしきい値 318,418,518,618 寸法シフト量 319 警告箇所抽出部 419 線幅パラメータ 619 平行な補助パターン 420 ゲート修正図形 421,521,621 修正されたゲート配線のマスクデータ 522 波形エッジの振幅の寸法Ｄｗ 523 波形エッジのピッチ幅Ｐｗ 524 波形エッジの山部分の寸法Ｏｗ 525 波形エッジのＰｗを振った時の線幅 826 平行補助パターンの幅Ｗ 827 平行補助パターンとゲートの間隔Ｓ１
入力部 103,203 検査領域抽出部 303,403,503,603,703,713,723 ゲート領域抽出部 104,204 光強度計算部 304,404,504,604,704,714,724 ゲートエッジ抽出部 105,205 形状計算部 305,405,505,605 各ゲートの線幅の寸法シフト量計算
部 705,715,725 ゲートエッジ上の光強度計算部 106,206 現像溶解速度計算部 406 線幅修正量規定部 706,716,726 判定部 107,207 検査部 507,717 波形エッジ図形作成部 607,727 平行補助パターン作成部 707 線幅修正量規定部 108,308 警告箇所抽出部 208,408,508,608,708,718,728 マスクデータ修正部 109,309 表示部 209,409,509,609,709,719,729 マスクデータ出力部 210,410,510,610,710,720,730 マスクデータ 311,411,511,611,911 ゲート配線パターン 312,412,512,612,812,912 活性領域 313,413,513,613,813 ゲートパターン 314,414,514,614 ゲートエッジ 315,415,515,615 評価点 316,416,516,616 評価点での光強度分布 317,417,517,617 臨海解像度となるしきい値 318,418,518,618 寸法シフト量 319 警告箇所抽出部 419 線幅パラメータ 619 平行な補助パターン 420 ゲート修正図形 421,521,621 修正されたゲート配線のマスクデータ 522 波形エッジの振幅の寸法Ｄｗ 523 波形エッジのピッチ幅Ｐｗ 524 波形エッジの山部分の寸法Ｏｗ 525 波形エッジのＰｗを振った時の線幅 826 平行補助パターンの幅Ｗ 827 平行補助パターンとゲートの間隔Ｓ１
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 29/78 21/336 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２ Ｗ 29/78 ３０１ Ｚ
Claims (17)
- 【請求項１】マスクデータ中から検査を行なう領域を選
択する検査領域抽出手段と、選択された前記領域の光強
度を計算する光強度計算手段と、レジストの現像溶解速
度を計算する現像溶解速度計算手段と、前記光強度計算
手段及び前記レジスト溶解速度計算手段の結果からレジ
スト形状を計算する形状計算手段と、前記マスクデータ
と前記形状計算手段により得られた結果を比較し所望の
寸法値が得られない箇所を検証抽出する検証抽出手段と
を備えたマスクデータ検証装置。 - 【請求項２】マスクデータ中から検査を行なう領域を選
択する検査領域抽出工程と、選択された前記領域の光強
度を計算する光強度計算工程と、レジストの現像溶解速
度を計算する現像溶解速度計算工程と、前記光強度計算
工程及び前記レジスト溶解速度計算工程により得られた
結果からレジスト形状を計算する形状計算工程と、前記
マスクデータと前記形状計算工程により得られた結果を
比較し所望の寸法値が得られない警告箇所を検証抽出す
る検証抽出工程とを備えたマスクデータ検証方法。 - 【請求項３】マスクデータ中から検査を行なう領域を選
択する検査領域抽出手段と、選択された前記領域の光強
度を計算する光強度計算手段と、レジストの現像溶解速
度を計算する現像溶解速度計算手段と、前記光強度計算
手段及び前記レジスト溶解速度計算手段の結果からレジ
スト形状を計算する形状計算手段と、前記マスクデータ
と前記形状計算手段により得られた結果を比較し所望の
寸法値が得られない警告箇所を検証抽出する検証抽出手
段と、前記警告箇所を修正するマスクデータ修正手段と
を備えたマスクデータ作成装置。 - 【請求項４】マスクデータ中から検査を行なう領域を選
択する検査領域抽出工程と、選択された前記領域の光強
度を計算する光強度計算工程と、レジストの現像溶解速
度を計算する現像溶解速度計算工程と、前記光強度計算
工程及び前記レジスト溶解速度計算工程により得られた
結果からレジスト形状を計算する形状計算工程と、前記
マスクデータと前記形状計算工程により得られた結果を
比較し所望の寸法値が得られない警告箇所を検証抽出す
る検証抽出工程と、前記警告箇所を修正するマスクデー
タ修正工程とを備えたマスクデータ作成方法。 - 【請求項５】マスクデータ中から検査を行なうゲート領
域を選択するゲート領域抽出手段と、選択された前記ゲ
ート領域のうちのゲートエッジを抽出するゲートエッジ
抽出手段と、前記マスクデータと抽出された前記ゲート
エッジデータからゲートエッジ近傍における光強度を計
算し前記光強度より近接効果による寸法シフト量を計算
するゲート線幅の寸法シフト量計算手段とを備えたマス
クデータ検証装置。 - 【請求項６】ゲートエッジ抽出手段により、マスクデー
タの中からゲート長の対辺となるゲートエッジを抽出す
ることを特徴とする請求項５記載のマスクデータ検証装
置。 - 【請求項７】ゲート線幅の寸法シフト量計算手段におい
て、寸法シフト量をゲートエッジ上及び、その両側に評
価点を設定することにより計算することを特徴とする請
求項５または６記載のマスクデータ検証装置。 - 【請求項８】マスクデータ中から検査を行なうゲート領
域を選択するゲート領域抽出工程と、選択された前記ゲ
ート領域のうちのゲートエッジを抽出するゲートエッジ
抽出工程と、前記マスクデータと抽出された前記ゲート
エッジデータからゲートエッジ近傍における光強度を計
算し前記光強度より近接効果による寸法シフト量を計算
するゲート線幅の寸法シフト量計算工程とを備えたマス
クデータ検証方法。 - 【請求項９】マスクデータ中から検査を行なうゲート領
域を選択するゲート領域抽出手段と、選択された前記ゲ
ート領域のうちのゲートエッジを抽出するゲートエッジ
抽出手段と、前記マスクデータと抽出された前記ゲート
エッジデータからゲートエッジ近傍における光強度を計
算し前記光強度より近接効果による寸法シフト量を計算
するゲート線幅の寸法シフト量計算手段と、前記ゲート
線幅の寸法シフト量計算手段により計算された寸法シフ
ト量に基づいて抽出された前記ゲートエッジの修正量を
規定する線幅修正量規定手段と、前記線幅修正量規定手
段により規定されたゲートエッジの修正量に基づいてマ
スクデータを修正するマスクデータ修正手段とを備えた
マスクデータ作成装置。 - 【請求項１０】マスクデータ中から検査を行なうゲート
領域を選択するゲート領域抽出工程と、選択された前記
ゲート領域のうちのゲートエッジを抽出するゲートエッ
ジ抽出工程と、前記マスクデータと抽出された前記ゲー
トエッジデータからゲートエッジ近傍における光強度を
計算し前記光強度より近接効果による寸法シフト量を計
算するゲート線幅の寸法シフト量計算工程と、前記ゲー
ト線幅の寸法シフト量計算工程により計算された寸法シ
フト量に基づいて抽出された前記ゲートエッジの修正量
を規定する線幅修正量規定工程と、前記線幅修正量規定
工程により規定されたゲートエッジの修正量に基づいて
マスクデータを修正するマスクデータ修正工程とを備え
たマスクデータ作成方法。 - 【請求項１１】マスクデータ中から検査を行なうゲート
領域を選択するゲート領域抽出手段と、選択された前記
ゲート領域のうちのゲートエッジを抽出するゲートエッ
ジ抽出手段と、前記マスクデータと抽出された前記ゲー
トエッジデータからゲートエッジ近傍における光強度を
計算し前記光強度より近接効果による寸法シフト量を計
算するゲート線幅の寸法シフト量計算手段と、前記ゲー
ト線幅の寸法シフト量計算手段により計算された寸法シ
フト量に基づいてゲートパタンを波形エッジ図形に変形
し前記波形エッジを表すパラメータを設定する波形エッ
ジ図形作成手段と、前記波形エッジ図形の波形のピッチ
を変更することによりマスクデータを修正するマスクデ
ータ修正手段とを備えたマスクデータ作成装置。 - 【請求項１２】マスクデータ中から検査を行なうゲート
領域を選択するゲート領域抽出工程と、選択された前記
ゲート領域のうちのゲートエッジを抽出するゲートエッ
ジ抽出工程と、前記マスクデータと抽出された前記ゲー
トエッジデータからゲートエッジ近傍における光強度を
計算し前記光強度より近接効果による寸法シフト量を計
算するゲート線幅の寸法シフト量計算工程と、前記ゲー
ト線幅の寸法シフト量計算工程により計算された寸法シ
フト量に基づいてゲートパタンを波形エッジ図形に変形
し前記波形エッジを表すパラメータを設定する波形エッ
ジ図形作成工程と、前記波形エッジ図形の波形のピッチ
を変更することによりマスクデータを修正するマスクデ
ータ修正工程とを備えたマスクデータ作成方法。 - 【請求項１３】マスクデータ中から検査を行なうゲート
領域を選択するゲート領域抽出手段と、選択された前記
ゲート領域のうちのゲートエッジを抽出するゲートエッ
ジ抽出手段と、前記マスクデータと抽出された前記ゲー
トエッジデータからゲートエッジ近傍における光強度を
計算し前記光強度より近接効果による寸法シフト量を計
算するゲート線幅の寸法シフト量計算手段と、前記ゲー
ト線幅の寸法シフト量計算手段により計算された寸法シ
フト量に基づいてゲート領域となるマスクパタンに対し
て平行な補助パタンを作成する平行補助パタン作成手段
と、前記平行な補助パタンによりマスクデータを修正す
るマスクデータ修正手段とを備えたマスクデータ作成装
置。 - 【請求項１４】マスクデータ中から検査を行なうゲート
領域を選択するゲート領域抽出工程と、選択された前記
ゲート領域のうちのゲートエッジを抽出するゲートエッ
ジ抽出工程と、前記マスクデータと抽出された前記ゲー
トエッジデータからゲートエッジ近傍における光強度を
計算し前記光強度より近接効果による寸法シフト量を計
算するゲート線幅の寸法シフト量計算工程と、前記ゲー
ト線幅の寸法シフト量計算工程により計算された寸法シ
フト量に基づいてゲート領域となるマスクパタンに対し
て平行な補助パタンを作成する平行補助パタン作成工程
と、前記平行な補助パタンによりマスクデータを修正す
るマスクデータ修正工程とを備えたマスクデータ作成方
法。 - 【請求項１５】マスクデータ中から検査を行なうゲート
領域を選択するゲート領域抽出手段と、選択された前記
ゲート領域のうちのゲートエッジを抽出するゲートエッ
ジ抽出手段と、光を用いたリソグラフィ工程においてゲ
ート長の対辺となるゲートエッジ上での露光強度を評価
し所望の露光強度を得られないゲートのパタン図形を修
正するマスクデータ修正手段とを備え、各々の前記ゲー
ト長の対辺となるゲートエッジ上で所望の露光強度が得
られるまで修正を繰り返し行なうことを特徴とするマス
クデータ作成装置。 - 【請求項１６】マスクデータ中から検査を行なうゲート
領域を選択するゲート領域抽出手段と、選択された前記
ゲート領域のうちのゲートエッジを抽出するゲートエッ
ジ抽出手段と、前記ゲートエッジ上に複数のの評価点を
設定し前記ゲートエッジ上での光強度を計算する光強度
計算手段と、前記光強度計算手段で計算された前記ゲー
トエッジ上での光強度を所定の閾値と比較し前記光強度
と閾値の差が所定の値より小さいか否かを判定する判定
手段と、前記光強度と閾値の差が所定の値より大きい場
合前記光強度と閾値の差に比例した前記ゲートエッジの
修正量を規定する線幅修正量規定手段と、前記線幅修正
量規定手段により規定されたゲートエッジの修正量に基
づいてマスクデータを修正するマスクデータ修正手段と
を備えたマスクデータ作成装置。 - 【請求項１７】ゲートマスクの設計データを用い、補助
パターンを配置しない領域をデータのリサイズ処理によ
ってなくした第１のマスクデータを作成する第１マスク
データ作成手段と、前記第１のマスクデータを補助パタ
ーンと補助パターンとゲートの間隔だけ拡大リサイズし
て第２のマスクデータを作成する第２マスクデータ作成
手段と、前記第１のマスクデータを補助パターンとゲー
トの間隔だけ拡大リサイズして第３のマスクデータを作
成する第３マスクデータを作成手段と、前記第２のマス
クデータから前記第３のマスクデータを引いて第４のマ
スクデータを作成する第４マスクデータを作成手段と、
マスクの設計データと前記第４のマスクデータを加えて
第５のマスクデータを作成する第５マスクデータ作成手
段を有する補助パターンマスク作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21368194A JP3223718B2 (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | マスクデータの作成方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001019555A Division JP3223919B2 (ja) | 2001-01-29 | 2001-01-29 | マスクデータ作成方法 |
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Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012436A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光方法 |
| JP2002110913A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体回路のテスト用設計回路パタン |
| US6487503B2 (en) | 1998-07-10 | 2002-11-26 | Nec Corporation | Method of estimating shape of chemically amplified resist |
| JP2003015272A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-15 | Sony Corp | マスクパターン生成方法およびフォトマスク |
| WO2003052512A1 (fr) * | 2001-12-19 | 2003-06-26 | Sony Corporation | Appareil et procede permettant de corriger un motif de masque, procede de fabrication d'un masque et procede de fabrication d'un dispositif a semiconducteur |
| US6691297B1 (en) | 1999-03-04 | 2004-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for planning layout for LSI pattern, method for forming LSI pattern and method for generating mask data for LSI |
| JP2005134520A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マスクパターンデータ作成方法 |
| JP2006235607A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Synopsys Inc | 改善されたアシストフィーチャ構造をマスクレイアウトにおいて決定するための方法および装置 |
| JP2006235600A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Synopsys Inc | プロセス感度モデルを用いてレイアウト内の製造問題領域を識別する方法および装置 |
| CN1324512C (zh) * | 2003-12-08 | 2007-07-04 | 株式会社东芝 | 危险图形抽出方法和半导体器件的制造方法 |
| JP2008310353A (ja) * | 1995-12-22 | 2008-12-25 | Toshiba Corp | 光近接効果補正方法と装置、光近接効果検証方法と装置、露光用マスクの製造方法、更に光近接効果補正プログラムと光近接効果検証プログラム |
| JP2010049268A (ja) * | 2000-07-10 | 2010-03-04 | Mentor Graphics Corp | モデルベース光近接補正用収束技術 |
| JP2010199159A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Toshiba Corp | 半導体装置製造方法および露光パラメータ作成プログラム |
| JP2010224192A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| JP2011065002A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | フォトマスクの設計方法およびフォトマスクの設計プログラム |
| US8972907B1 (en) | 2013-09-10 | 2015-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Layout correcting method, recording medium and design layout correcting apparatus |
-
1994
- 1994-09-07 JP JP21368194A patent/JP3223718B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4510118B2 (ja) * | 1995-12-22 | 2010-07-21 | 株式会社東芝 | 光近接効果補正方法と装置、光近接効果検証方法と装置、露光用マスクの製造方法、更に光近接効果補正プログラムと光近接効果検証プログラム |
| JP2008310353A (ja) * | 1995-12-22 | 2008-12-25 | Toshiba Corp | 光近接効果補正方法と装置、光近接効果検証方法と装置、露光用マスクの製造方法、更に光近接効果補正プログラムと光近接効果検証プログラム |
| JP2000012436A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光方法 |
| US6487503B2 (en) | 1998-07-10 | 2002-11-26 | Nec Corporation | Method of estimating shape of chemically amplified resist |
| US6691297B1 (en) | 1999-03-04 | 2004-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for planning layout for LSI pattern, method for forming LSI pattern and method for generating mask data for LSI |
| US7103870B2 (en) | 1999-03-04 | 2006-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for planning layout for LSI pattern, method for forming LSI pattern and method for generating mask data for LSI |
| US8095894B2 (en) | 1999-03-04 | 2012-01-10 | Panasonic Corporation | Changing a design rule for forming LSI pattern based on evaluating effectiveness of optical proximity corrected patterns |
| US7404165B2 (en) | 1999-03-04 | 2008-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for planning layout for LSI pattern, method for forming LSI pattern and method for generating mask data for LSI |
| JP2010049268A (ja) * | 2000-07-10 | 2010-03-04 | Mentor Graphics Corp | モデルベース光近接補正用収束技術 |
| JP2002110913A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体回路のテスト用設計回路パタン |
| JP2003015272A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-15 | Sony Corp | マスクパターン生成方法およびフォトマスク |
| JP4691840B2 (ja) * | 2001-07-05 | 2011-06-01 | ソニー株式会社 | マスクパターン生成方法およびフォトマスク |
| US7139996B2 (en) | 2001-12-19 | 2006-11-21 | Sony Corporation | Mask pattern correction apparatus and mask pattern correction method and mask preparation method and method of production of a semiconductor device |
| WO2003052512A1 (fr) * | 2001-12-19 | 2003-06-26 | Sony Corporation | Appareil et procede permettant de corriger un motif de masque, procede de fabrication d'un masque et procede de fabrication d'un dispositif a semiconducteur |
| JP2005134520A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マスクパターンデータ作成方法 |
| JP4507558B2 (ja) * | 2003-10-29 | 2010-07-21 | パナソニック株式会社 | マスクパターンデータ作成方法 |
| CN1324512C (zh) * | 2003-12-08 | 2007-07-04 | 株式会社东芝 | 危险图形抽出方法和半导体器件的制造方法 |
| JP2006235600A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Synopsys Inc | プロセス感度モデルを用いてレイアウト内の製造問題領域を識別する方法および装置 |
| JP2006235607A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Synopsys Inc | 改善されたアシストフィーチャ構造をマスクレイアウトにおいて決定するための方法および装置 |
| JP2010199159A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Toshiba Corp | 半導体装置製造方法および露光パラメータ作成プログラム |
| JP2010224192A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| US8266552B2 (en) | 2009-03-23 | 2012-09-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern generating method, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
| JP2011065002A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | フォトマスクの設計方法およびフォトマスクの設計プログラム |
| US8423922B2 (en) | 2009-09-18 | 2013-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photomask designing method and photomask designing program |
| US8972907B1 (en) | 2013-09-10 | 2015-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Layout correcting method, recording medium and design layout correcting apparatus |
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| Publication number | Publication date |
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