JP2000012436A - Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光方法Info
- Publication number
- JP2000012436A JP2000012436A JP17681998A JP17681998A JP2000012436A JP 2000012436 A JP2000012436 A JP 2000012436A JP 17681998 A JP17681998 A JP 17681998A JP 17681998 A JP17681998 A JP 17681998A JP 2000012436 A JP2000012436 A JP 2000012436A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- ray
- mask
- fine
- fine pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】微細パタン及び大パタンの両者を良好に形成す
ることができるＸ線マスク及びこれを用いたＸ線露光方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】シリコン枠１、シリコンカーバイドのメン
ブレン２、タンタル化合物のＸ線吸収体層３を用い、Ｘ
線吸収体層３は微細パタン形成部３Ａと大パタン形成部
３Ｂとを有し、微細パタン形成部３Ａにパタン寸法が２
００ｎｍ以下の微細パタン４が形成され、大パタン形成
部３Ｂにはアライメントマーク５が形成され、アライメ
ントマーク５のＸ線を透過すべき領域の内部は２００ｎ
ｍ以下である微細パタンの集合体で形成されている。
ることができるＸ線マスク及びこれを用いたＸ線露光方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】シリコン枠１、シリコンカーバイドのメン
ブレン２、タンタル化合物のＸ線吸収体層３を用い、Ｘ
線吸収体層３は微細パタン形成部３Ａと大パタン形成部
３Ｂとを有し、微細パタン形成部３Ａにパタン寸法が２
００ｎｍ以下の微細パタン４が形成され、大パタン形成
部３Ｂにはアライメントマーク５が形成され、アライメ
ントマーク５のＸ線を透過すべき領域の内部は２００ｎ
ｍ以下である微細パタンの集合体で形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線リソグラフィ
に使用されるＸ線マスク及びこれを用いたＸ線露光方法
に関するものである。
に使用されるＸ線マスク及びこれを用いたＸ線露光方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路やメモリ素子等の
高集積化が目覚ましい速度で実現されている。これを技
術的に支えているのは、これらの素子に対応するパタン
をシリコン基板等の被露光基板に形成するリソグラフィ
技術の進歩である。工業用には、これまで紫外線を光源
とした光リソグラフィが主に用いられてきており、光源
の波長を超高圧水銀灯のｇ線４３６ｎｍ，ｉ線３６５ｎ
ｍ，ＫrＦエキシマレーザーの２４８ｎｍと短くするこ
とにより解像性を向上してきた。将来は、さらに波長の
短い波長１９３ｎｍのＡrＦエキシマレーザーの使用や
波長１ｎｍ程度の軟Ｘ線を光源としたＸ線リソグラフィ
の使用が予測されている。
高集積化が目覚ましい速度で実現されている。これを技
術的に支えているのは、これらの素子に対応するパタン
をシリコン基板等の被露光基板に形成するリソグラフィ
技術の進歩である。工業用には、これまで紫外線を光源
とした光リソグラフィが主に用いられてきており、光源
の波長を超高圧水銀灯のｇ線４３６ｎｍ，ｉ線３６５ｎ
ｍ，ＫrＦエキシマレーザーの２４８ｎｍと短くするこ
とにより解像性を向上してきた。将来は、さらに波長の
短い波長１９３ｎｍのＡrＦエキシマレーザーの使用や
波長１ｎｍ程度の軟Ｘ線を光源としたＸ線リソグラフィ
の使用が予測されている。
【０００３】Ｘ線リソグラフィは、形成すべきパタンの
原版となるＸ線マスクを、被露光基板と数１０μｍ以下
の近接ギャップで位置合わせした後、これに光源のＸ線
を一括的に照射して被露光基板に塗布したレジストを感
光させる手法を用いている。Ｘ線マスクはＸ線を良く透
過する軽元素材料からなる薄膜のメンブレンと、この上
に形成されたＸ線を吸収する重金属膜のＸ線吸収体パタ
ンとがシリコン基板により支持される構造となってい
る。
原版となるＸ線マスクを、被露光基板と数１０μｍ以下
の近接ギャップで位置合わせした後、これに光源のＸ線
を一括的に照射して被露光基板に塗布したレジストを感
光させる手法を用いている。Ｘ線マスクはＸ線を良く透
過する軽元素材料からなる薄膜のメンブレンと、この上
に形成されたＸ線を吸収する重金属膜のＸ線吸収体パタ
ンとがシリコン基板により支持される構造となってい
る。
【０００４】Ｘ線露光では、一般に吸収体パタンのエッ
ジでの回折の影響が無視できる大きなパタンの中央部、
例えば数μｍ以上の幅を持つ、抜き及び残しパタンの中
央部におけるＸ線強度比（メンブレンパタン部を透過し
たＸ線強度／吸収体パタン部を透過したＸ線強度）をマ
スクコントラストと定義している。マスクコントラスト
は露光に際して、転写パタンの品質を決める重要な項目
となる。最近、２００ｎｍ以下の微細パタンを転写する
ためのＸ線マスクのマスクコントラストとしては４以下
の低コントラストが適していることが知られている。こ
れは基本的なパタン寸法が２００ｎｍ以下である微細パ
タンにおいては、吸収体部を位相変化を伴いながら透過
したＸ線と吸収体との境界で回折を起こしながらメンブ
レン部を透過するＸ線が相互干渉し、実効的なマスクコ
ントラストを高くする方向に働くためである。この結
果、微細パタンに対応するＸ線強度は微細パタンより大
きな寸法の大パタンに対応するＸ線強度より強くなる。
ジでの回折の影響が無視できる大きなパタンの中央部、
例えば数μｍ以上の幅を持つ、抜き及び残しパタンの中
央部におけるＸ線強度比（メンブレンパタン部を透過し
たＸ線強度／吸収体パタン部を透過したＸ線強度）をマ
スクコントラストと定義している。マスクコントラスト
は露光に際して、転写パタンの品質を決める重要な項目
となる。最近、２００ｎｍ以下の微細パタンを転写する
ためのＸ線マスクのマスクコントラストとしては４以下
の低コントラストが適していることが知られている。こ
れは基本的なパタン寸法が２００ｎｍ以下である微細パ
タンにおいては、吸収体部を位相変化を伴いながら透過
したＸ線と吸収体との境界で回折を起こしながらメンブ
レン部を透過するＸ線が相互干渉し、実効的なマスクコ
ントラストを高くする方向に働くためである。この結
果、微細パタンに対応するＸ線強度は微細パタンより大
きな寸法の大パタンに対応するＸ線強度より強くなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】微細パタンと大パタン
が同一面内に含まれたＸ線マスクを用いて、両パタンを
同時に露光しようとした場合、微細パタンを形成するに
適した露光量は、先に述べたように微細パタンに対応す
るＸ線強度が大パタンに対応するＸ線強度より強いため
に、大パタンに適した露光量よりも小さい値となる。言
い換えれば、微細パタンの形成に適した露光量では、大
パタンはアンダー露光となり良好にパタンが形成できな
いという問題がある。
が同一面内に含まれたＸ線マスクを用いて、両パタンを
同時に露光しようとした場合、微細パタンを形成するに
適した露光量は、先に述べたように微細パタンに対応す
るＸ線強度が大パタンに対応するＸ線強度より強いため
に、大パタンに適した露光量よりも小さい値となる。言
い換えれば、微細パタンの形成に適した露光量では、大
パタンはアンダー露光となり良好にパタンが形成できな
いという問題がある。
【０００６】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、微細パタン及び大パタンの両者を良好に形
成することのできるＸ線マスク及びこれを用いたＸ線露
光方法を提供することを目的とする。
れたもので、微細パタン及び大パタンの両者を良好に形
成することのできるＸ線マスク及びこれを用いたＸ線露
光方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、基本的なパタン寸法が２００ｎ
ｍ以下である微細パタンと、前記微細パタンより大きな
寸法の大パタンを同一面内に含むＸ線マスクにおいて、
前記大パタンのなかでＸ線を透過すべき領域の内部を２
００ｎｍ以下である微細パタンの集合体で形成する。
め、本発明においては、基本的なパタン寸法が２００ｎ
ｍ以下である微細パタンと、前記微細パタンより大きな
寸法の大パタンを同一面内に含むＸ線マスクにおいて、
前記大パタンのなかでＸ線を透過すべき領域の内部を２
００ｎｍ以下である微細パタンの集合体で形成する。
【０００８】また、前記大パタンをステッパのアライメ
ント用のアライメントマークとする。
ント用のアライメントマークとする。
【０００９】また、前記のＸ線マスクを用い、微細パタ
ンの形成に適した露光量で露光するＸ線露光方法を用い
る。
ンの形成に適した露光量で露光するＸ線露光方法を用い
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るＸ線マスクの
実施の形態を示す模式図である。図１（ａ）に示すよう
に、１はシリコン枠、２はシリコンカーバイドのメンブ
レン、３はタンタル化合物のＸ線吸収体層であり、Ｘ線
吸収体層３は微細パタン形成部３Ａと大パタン形成部３
Ｂとを有し、微細パタン形成部３Ａには、図１（ｂ）に
示すような１００ｎｍ幅のライン（吸収体部）と１００
ｎｍ幅のスペース（メンブレン部）を持つラインアンド
スペースパタンからなる微細パタン（ＬＳＩパタン）４
が形成される。Ｘ線吸収体層３の膜厚は３００ｎｍと
し、このときのマスクコントラストは２.５であった。
さらに、大パタン形成部３Ｂには図１（ｃ）に示すよう
な大パタンであるアライメントマーク５が形成され、ア
ライメントマーク５のＸ線を透過すべき領域の内部は２
００ｎｍ以下である微細パタンの集合体で形成されてい
る。すなわち、図２に示す従来のアライメントマーク６
のような２μｍ幅のライン（吸収体部）と２μｍ幅のス
ペース（メンブレン部）を持つラインアンドスペースパ
タン（１００ｎｍに比べて十分大きい大パタン）に対し
て、図１（ｃ）のアライメントマーク５は、２μｍ幅の
ラインは従来の大パタンのままにＸ線吸収体層３を残
し、Ｘ線を透過すべき２μｍ幅のスペースを、ライン幅
とスペース幅がそれぞれ１００ｎｍの微細パタンのライ
ンアンドスペース１０組で埋め尽くす構成とした。
実施の形態を示す模式図である。図１（ａ）に示すよう
に、１はシリコン枠、２はシリコンカーバイドのメンブ
レン、３はタンタル化合物のＸ線吸収体層であり、Ｘ線
吸収体層３は微細パタン形成部３Ａと大パタン形成部３
Ｂとを有し、微細パタン形成部３Ａには、図１（ｂ）に
示すような１００ｎｍ幅のライン（吸収体部）と１００
ｎｍ幅のスペース（メンブレン部）を持つラインアンド
スペースパタンからなる微細パタン（ＬＳＩパタン）４
が形成される。Ｘ線吸収体層３の膜厚は３００ｎｍと
し、このときのマスクコントラストは２.５であった。
さらに、大パタン形成部３Ｂには図１（ｃ）に示すよう
な大パタンであるアライメントマーク５が形成され、ア
ライメントマーク５のＸ線を透過すべき領域の内部は２
００ｎｍ以下である微細パタンの集合体で形成されてい
る。すなわち、図２に示す従来のアライメントマーク６
のような２μｍ幅のライン（吸収体部）と２μｍ幅のス
ペース（メンブレン部）を持つラインアンドスペースパ
タン（１００ｎｍに比べて十分大きい大パタン）に対し
て、図１（ｃ）のアライメントマーク５は、２μｍ幅の
ラインは従来の大パタンのままにＸ線吸収体層３を残
し、Ｘ線を透過すべき２μｍ幅のスペースを、ライン幅
とスペース幅がそれぞれ１００ｎｍの微細パタンのライ
ンアンドスペース１０組で埋め尽くす構成とした。
【００１１】図１に示すＸ線マスクを用いてレジストが
塗布されたウエハにＸ線を露光するＸ線露光方法を説明
する。マスクとウエハの露光ギャップは１５μｍにセッ
トした。レジストには化学増幅系ポジ型レジストのＵＶ
II-ＨＳ（シップレイ株式会社）を用いた。本レジスト
のＸ線感度は、通常のＸ線露光における大パタンのメン
ブレン部（Ｘ線透過パタン）のレジストが溶解して残膜
がゼロとなるＤ0感度で、２５０ｍＪ／cｍ2であった。
しかし、本発明の露光量は、Ｄ0感度より小さい１８０
ｍＪ／cｍ2とした。それにもかかわらず１００ｎｍのラ
インアンドスペースパタンからなる微細パタン４及びこ
れと同じラインアンドスペースの集合体で構成されたア
ライメントマーク５もレジストパタンとして良好に形成
された。これは、微細パタンを形成した大パタンにおい
ては吸収体部における透過Ｘ線の位相シフトとメンブレ
ン部における回折およびこれらの相互干渉に起因して、
微細パタンを形成しない大パタンに比べてＸ線強度が強
められるためである。
塗布されたウエハにＸ線を露光するＸ線露光方法を説明
する。マスクとウエハの露光ギャップは１５μｍにセッ
トした。レジストには化学増幅系ポジ型レジストのＵＶ
II-ＨＳ（シップレイ株式会社）を用いた。本レジスト
のＸ線感度は、通常のＸ線露光における大パタンのメン
ブレン部（Ｘ線透過パタン）のレジストが溶解して残膜
がゼロとなるＤ0感度で、２５０ｍＪ／cｍ2であった。
しかし、本発明の露光量は、Ｄ0感度より小さい１８０
ｍＪ／cｍ2とした。それにもかかわらず１００ｎｍのラ
インアンドスペースパタンからなる微細パタン４及びこ
れと同じラインアンドスペースの集合体で構成されたア
ライメントマーク５もレジストパタンとして良好に形成
された。これは、微細パタンを形成した大パタンにおい
ては吸収体部における透過Ｘ線の位相シフトとメンブレ
ン部における回折およびこれらの相互干渉に起因して、
微細パタンを形成しない大パタンに比べてＸ線強度が強
められるためである。
【００１２】引き続き、レジストパタンをエッチングマ
スクとして下地膜のエッチングを行い良好な結果を得
た。次の露光工程で必要となるアライメントマークも１
００ｎｍラインアンドスペースの集合体パタンとして形
成された。引き続き、レジストを塗布し、次の工程の露
光を行った。このとき、上記アライメントマーク５を用
いることにより、従来の図２に示す２μｍ幅のラインア
ンドスペースパタンからの１次回折光を検出するアライ
メントマーク６に代わり、２μｍのスペース部を１００
ｎｍラインアンドスペースで埋め尽くしたアライメント
マーク５を用いると、検出信号レベルは低下するもの
の、２μｍのラインアンドスペースパタンからの回折光
と同様にアライメントが可能であった。これは、１００
ｎｍのラインアンドスペースからの回折光の回折角が２
μｍラインアンドスペースからの回折角よりも十分大き
いために、アライメントマーク５が見かけ上２μｍライ
ンアンドペースと同じに働くからである。
スクとして下地膜のエッチングを行い良好な結果を得
た。次の露光工程で必要となるアライメントマークも１
００ｎｍラインアンドスペースの集合体パタンとして形
成された。引き続き、レジストを塗布し、次の工程の露
光を行った。このとき、上記アライメントマーク５を用
いることにより、従来の図２に示す２μｍ幅のラインア
ンドスペースパタンからの１次回折光を検出するアライ
メントマーク６に代わり、２μｍのスペース部を１００
ｎｍラインアンドスペースで埋め尽くしたアライメント
マーク５を用いると、検出信号レベルは低下するもの
の、２μｍのラインアンドスペースパタンからの回折光
と同様にアライメントが可能であった。これは、１００
ｎｍのラインアンドスペースからの回折光の回折角が２
μｍラインアンドスペースからの回折角よりも十分大き
いために、アライメントマーク５が見かけ上２μｍライ
ンアンドペースと同じに働くからである。
【００１３】一方、図２に示す従来のアライメントマー
ク６を含むＸ線マスクを用いた露光では、２μｍ幅のラ
インアンドスペースのアライメントマーク６に対する適
正露光量はＤ0の２５０ｍＪ／cｍ2より大きい値が要求
されるため、１８０ｍＪ／cｍ2の露光量ではアライメン
トマーク６が形成されない問題があった。そのため、露
光量を２５０ｍＪ／cｍ2に増やすとアライメントマーク
６は良好に形成されるものの、微細パタン４がオーバー
露光となりパタン流れが起こり、良好なパタンは形成で
きなかった。
ク６を含むＸ線マスクを用いた露光では、２μｍ幅のラ
インアンドスペースのアライメントマーク６に対する適
正露光量はＤ0の２５０ｍＪ／cｍ2より大きい値が要求
されるため、１８０ｍＪ／cｍ2の露光量ではアライメン
トマーク６が形成されない問題があった。そのため、露
光量を２５０ｍＪ／cｍ2に増やすとアライメントマーク
６は良好に形成されるものの、微細パタン４がオーバー
露光となりパタン流れが起こり、良好なパタンは形成で
きなかった。
【００１４】上述のように、本発明により通常の大パタ
ンを露光する場合に必要な露光量（２５０ｍＪ／cｍ2）
より小さい露光量（１８０ｍＪ／cｍ2）で露光すること
が可能となった。
ンを露光する場合に必要な露光量（２５０ｍＪ／cｍ2）
より小さい露光量（１８０ｍＪ／cｍ2）で露光すること
が可能となった。
【００１５】なお、本実施の形態では微細パタン４を１
００ｎｍのラインアンドスペースパタンとしたが、２０
０ｎｍ以下のラインアンドスペースパタン、ホールパタ
ン及び２次元の周期パタンであってもよく、また、アラ
イメントマーク５のスペース部に設けた微細パタンの線
幅を６０〜２００ｎｍの範囲の適当な値に調整すること
により同様な結果が得られる。この場合、微細パタン４
の適正露光量と大パタン（アライメントマーク５）の適
正露光量とが一致するようにする。さらに、ラインアン
ドスペースのピッチも１：１である必要はない。また、
アライメントマークの寸法は２μｍであったが、１μｍ
程度以上であれば同様の結果が得られる。
００ｎｍのラインアンドスペースパタンとしたが、２０
０ｎｍ以下のラインアンドスペースパタン、ホールパタ
ン及び２次元の周期パタンであってもよく、また、アラ
イメントマーク５のスペース部に設けた微細パタンの線
幅を６０〜２００ｎｍの範囲の適当な値に調整すること
により同様な結果が得られる。この場合、微細パタン４
の適正露光量と大パタン（アライメントマーク５）の適
正露光量とが一致するようにする。さらに、ラインアン
ドスペースのピッチも１：１である必要はない。また、
アライメントマークの寸法は２μｍであったが、１μｍ
程度以上であれば同様の結果が得られる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＸ線
マスク及びこれを用いたＸ線露光方法においては、基本
的なパタン寸法が２００ｎｍ以下である微細パタンと、
これより大きな寸法の大パタンを同一面上に含むＸ線マ
スクにおいて、前記大パタンのなかでＸ線を透過すべき
領域の内部が微細パタンの集合体で形成されているよう
な構成とし、また、前記Ｘ線マスクを用いたＸ線露光方
法により、従来、微細パタンに適した露光量では大パタ
ンが形成できなかったが、本発明では大パタンも微細パ
タンと同じ露光量で形成が可能となる。そのうえ、通常
のＸ線マスクの大パタンを露光するに必要な露光量より
遥かに小さい露光量でパタン形成が可能となり、微細パ
タン及び大パタンの両者を良好に形成することができ
る。このことは、スループットの改善にも大きく寄与す
る。
マスク及びこれを用いたＸ線露光方法においては、基本
的なパタン寸法が２００ｎｍ以下である微細パタンと、
これより大きな寸法の大パタンを同一面上に含むＸ線マ
スクにおいて、前記大パタンのなかでＸ線を透過すべき
領域の内部が微細パタンの集合体で形成されているよう
な構成とし、また、前記Ｘ線マスクを用いたＸ線露光方
法により、従来、微細パタンに適した露光量では大パタ
ンが形成できなかったが、本発明では大パタンも微細パ
タンと同じ露光量で形成が可能となる。そのうえ、通常
のＸ線マスクの大パタンを露光するに必要な露光量より
遥かに小さい露光量でパタン形成が可能となり、微細パ
タン及び大パタンの両者を良好に形成することができ
る。このことは、スループットの改善にも大きく寄与す
る。
【図１】本発明に係るＸ線マスクの実施の形態を示す模
式図である。
式図である。
【図２】従来のＸ線マスクのアライメントマーク（大パ
タン）を示す模式図である。
タン）を示す模式図である。
１……シリコン枠 ２……メンブレン ３……Ｘ線吸収体層 ３Ａ…微細パタン形成部 ３Ｂ…大パタン形成部 ４……微細パタン ５……アライメントマーク ６……アライメントマーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芳賀 恒之 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 福田 真 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA10 BC09 BE03 BE09 2H097 BB01 CA15 GB01 JA02 KA03 KA12 LA10 5F046 DA02 EA03 EA09 GA14 GD01 GD03 GD09
Claims (3)
- 【請求項１】基本的なパタン寸法が２００ｎｍ以下であ
る微細パタンと、前記微細パタンより大きな寸法の大パ
タンを同一面内に含むＸ線マスクにおいて、前記大パタ
ンのなかでＸ線を透過すべき領域の内部が２００ｎｍ以
下である微細パタンの集合体で形成されていることを特
徴とするＸ線マスク。 - 【請求項２】前記大パタンがステッパのアライメント用
のアライメントマークであることを特徴とする請求項１
に記載のＸ線マスク。 - 【請求項３】基本的なパタン寸法が２００ｎｍ以下であ
る微細パタンと、前記微細パタンより大きな寸法の大パ
タンとを同時に転写するＸ線露光方法において、請求項
１または２に記載のＸ線マスクを用い、前記微細パタン
の形成に適した露光量で露光することを特徴とするＸ線
露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17681998A JP3399839B2 (ja) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17681998A JP3399839B2 (ja) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012436A true JP2000012436A (ja) | 2000-01-14 |
| JP3399839B2 JP3399839B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=16020408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17681998A Expired - Fee Related JP3399839B2 (ja) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3399839B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007207964A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線露光用マスク及びその製造方法並びに極端紫外線の露光方法 |
| CN104391426A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-03-04 | 胜科纳米（苏州）有限公司 | 一种掩膜版 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04322419A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
| JPH0851057A (ja) * | 1994-08-08 | 1996-02-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線露光用マスクおよび露光方法 |
| JPH0876348A (ja) * | 1994-09-07 | 1996-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マスクデータ検証装置、マスクデータ作成装置、マスクデータ検証方法、マスクデータ作成方法及び補助パターンマスク作成方法 |
| JPH09190963A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-22 | Canon Inc | マスク及びこれを用いたデバイス生産方法や露光装置 |
-
1998
- 1998-06-24 JP JP17681998A patent/JP3399839B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04322419A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
| JPH0851057A (ja) * | 1994-08-08 | 1996-02-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線露光用マスクおよび露光方法 |
| JPH0876348A (ja) * | 1994-09-07 | 1996-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マスクデータ検証装置、マスクデータ作成装置、マスクデータ検証方法、マスクデータ作成方法及び補助パターンマスク作成方法 |
| JPH09190963A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-22 | Canon Inc | マスク及びこれを用いたデバイス生産方法や露光装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007207964A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線露光用マスク及びその製造方法並びに極端紫外線の露光方法 |
| CN104391426A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-03-04 | 胜科纳米（苏州）有限公司 | 一种掩膜版 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3399839B2 (ja) | 2003-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3518275B2 (ja) | フォトマスクおよびパターン形成方法 | |
| US5716758A (en) | Process for forming fine pattern for semiconductor device utilizing multiple interlaced exposure masks | |
| US7691549B1 (en) | Multiple exposure lithography technique and method | |
| JP2004069841A (ja) | マスクパターンおよびそれを用いたレジストパターンの形成方法 | |
| JP3950981B2 (ja) | 高解像度パターン転写方法 | |
| JPH10123692A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法 | |
| KR20040094706A (ko) | 이중 파장을 이용한 자기정렬 패턴 형성 방법 | |
| US5593799A (en) | Exposure mask | |
| US8067133B2 (en) | Phase shift mask with two-phase clear feature | |
| US6670106B2 (en) | Formation method of pattern | |
| US6649452B2 (en) | Method for manufacturing a lithographic reticle for transferring an integrated circuit design to a semiconductor wafer | |
| KR100914291B1 (ko) | 림 타입의 포토마스크 제조방법 | |
| JP3399839B2 (ja) | Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光方法 | |
| US6555274B1 (en) | Pupil filtering for a lithographic tool | |
| US7579121B2 (en) | Optical proximity correction photomasks | |
| US6861183B2 (en) | Scatter dots | |
| US5716738A (en) | Dark rims for attenuated phase shift mask | |
| US6707538B2 (en) | Near-field exposure system selectively applying linearly polarized exposure light to exposure mask | |
| JP2000021978A (ja) | フォトマスクおよびパターン形成方法 | |
| US6645707B2 (en) | Device manufacturing method | |
| US6576376B1 (en) | Tri-tone mask process for dense and isolated patterns | |
| KR100949889B1 (ko) | 노광 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법 | |
| JPH05142751A (ja) | フオトマスクおよび投影露光方法 | |
| KR100772784B1 (ko) | 이유브이 노광 공정용 위상반전 마스크 및 그 제조 방법 | |
| US20120009510A1 (en) | Lithography mask and method of manufacturing semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080221 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |