JPH0851057A - Ｘ線露光用マスクおよび露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクおよび露光方法Info
- Publication number
- JPH0851057A JPH0851057A JP18596994A JP18596994A JPH0851057A JP H0851057 A JPH0851057 A JP H0851057A JP 18596994 A JP18596994 A JP 18596994A JP 18596994 A JP18596994 A JP 18596994A JP H0851057 A JPH0851057 A JP H0851057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- pattern
- mask
- exposure
- absorber layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 １：１のパタン転写が不可能な領域のパタン
に対して実効的露光コントラストが高く、かつ良好な転
写特性を得る。 【構成】 Ｘ線露光用マスク３は、Ｘ線透過性膜１と、
このＸ線透過性膜１上に形成されたＸ線吸収体層２を有
し、露光すべきパタンに対応する部分にＸ線吸収体層
２′を設け、この露光すべきパタンに対応する部分の周
辺部に４個のＸ線透過性窓４を設けた。
に対して実効的露光コントラストが高く、かつ良好な転
写特性を得る。 【構成】 Ｘ線露光用マスク３は、Ｘ線透過性膜１と、
このＸ線透過性膜１上に形成されたＸ線吸収体層２を有
し、露光すべきパタンに対応する部分にＸ線吸収体層
２′を設け、この露光すべきパタンに対応する部分の周
辺部に４個のＸ線透過性窓４を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線透過性膜上にパタ
ン化されたＸ線吸収体層が形成されている構造を有する
Ｘ線露光用マスクおよび露光方法に関するものである。
ン化されたＸ線吸収体層が形成されている構造を有する
Ｘ線露光用マスクおよび露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にＸ線露光に用いられるＸ線マスク
は、Ｘ線を良く透過するＸ線透過性膜上にＸ線を吸収す
る吸収体層からなるＸ線吸収体パタンを形成して作製さ
れる。
は、Ｘ線を良く透過するＸ線透過性膜上にＸ線を吸収す
る吸収体層からなるＸ線吸収体パタンを形成して作製さ
れる。
【０００３】図１４は、従来のＸ線露光用マスクの構成
を説明する図であり、図１４（ａ）は底面図、図１４
（ｂ）は図１４（ａ）のＡ−Ａ′線の断面図である。図
１４において、１はＸ線透過性膜、２はＸ線吸収層、３
はＸ線透過性膜１およびＸ線吸収層２を基本的な構成要
素とするＸ線マスクであり、このＸ線マスク３には露光
すべきパタンに対応して抜きパタンからなるＸ線透過性
窓４が形成されている。
を説明する図であり、図１４（ａ）は底面図、図１４
（ｂ）は図１４（ａ）のＡ−Ａ′線の断面図である。図
１４において、１はＸ線透過性膜、２はＸ線吸収層、３
はＸ線透過性膜１およびＸ線吸収層２を基本的な構成要
素とするＸ線マスクであり、このＸ線マスク３には露光
すべきパタンに対応して抜きパタンからなるＸ線透過性
窓４が形成されている。
【０００４】従来、図１４に示すような例えば窒化シリ
コン（ＳｉＮ）からなるＸ線透過性膜１と、このＸ線透
過性膜１上に形成されたＸ線透過性窓４を有するタンタ
ル（Ｔａ）からなるＸ線吸収体層２とを設けたＸ線露光
用マスクを用いた１：１の等倍近接露光において、ウエ
ハにポジ型レジストを塗布した場合、Ｘ線透過性窓４に
対応した部分が露光されるため、これに対応した抜きパ
タンが形成されていた。このように従来のＸ線マスクで
は、露光すべきパタンに１：１に対応する平面的形状の
吸収体パタンが形成されていた。
コン（ＳｉＮ）からなるＸ線透過性膜１と、このＸ線透
過性膜１上に形成されたＸ線透過性窓４を有するタンタ
ル（Ｔａ）からなるＸ線吸収体層２とを設けたＸ線露光
用マスクを用いた１：１の等倍近接露光において、ウエ
ハにポジ型レジストを塗布した場合、Ｘ線透過性窓４に
対応した部分が露光されるため、これに対応した抜きパ
タンが形成されていた。このように従来のＸ線マスクで
は、露光すべきパタンに１：１に対応する平面的形状の
吸収体パタンが形成されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ｘ線露光用マスクを用いた１：１び等倍近接露光におい
ては、パタン寸法の微細化に伴い、マスクパタンエッジ
からのＸ線回折と相互干渉との影響で１：１のパタン転
写が不可能になり、転写パタンの解像性，寸法制御性お
よび露光量マージンなどの露光特性が劣化するという問
題があった。
Ｘ線露光用マスクを用いた１：１び等倍近接露光におい
ては、パタン寸法の微細化に伴い、マスクパタンエッジ
からのＸ線回折と相互干渉との影響で１：１のパタン転
写が不可能になり、転写パタンの解像性，寸法制御性お
よび露光量マージンなどの露光特性が劣化するという問
題があった。
【０００６】したがって本発明は、前述した従来の課題
を解決するためになされたものであり、その目的は、
１：１のパタン転写が不可能な領域のパタンに対して実
効的露光コントラストが高く、かつ良好な転写特性が得
られるＸ線露光用マスクおよび露光方法を提供すること
にある。
を解決するためになされたものであり、その目的は、
１：１のパタン転写が不可能な領域のパタンに対して実
効的露光コントラストが高く、かつ良好な転写特性が得
られるＸ線露光用マスクおよび露光方法を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明によるＸ線露光用マスクは、Ｘ線透過性
膜と、このＸ線透過性膜上に形成されたＸ線吸収体を有
し、露光すべきパタンに対応する部分にＸ線吸収体を設
け、この露光すべきパタンに対応する部分の周辺部に少
なくとも１個のＸ線透過性窓を設けたものである。ま
た、本発明によるＸ線露光用マスクを用いてＸ線を用い
て基板にパタンを転写するＸ線露光方法において、基板
上の露光すべきパタン上には少なくとも一部にＸ線の照
射を阻害するＸ線吸収体を設け、パタンの周辺部の上に
はＸ線を透過する窓を設けたＸ線露光用マスクを用いて
露光するものである。
るために本発明によるＸ線露光用マスクは、Ｘ線透過性
膜と、このＸ線透過性膜上に形成されたＸ線吸収体を有
し、露光すべきパタンに対応する部分にＸ線吸収体を設
け、この露光すべきパタンに対応する部分の周辺部に少
なくとも１個のＸ線透過性窓を設けたものである。ま
た、本発明によるＸ線露光用マスクを用いてＸ線を用い
て基板にパタンを転写するＸ線露光方法において、基板
上の露光すべきパタン上には少なくとも一部にＸ線の照
射を阻害するＸ線吸収体を設け、パタンの周辺部の上に
はＸ線を透過する窓を設けたＸ線露光用マスクを用いて
露光するものである。
【０００８】
【作用】本発明によるＸ線露光用マスクによれば、パタ
ンエッジからの回折Ｘ線の相互干渉を逆利用でき、従来
の１：１の転写が不可能な微細な領域の孤立パタンまた
はこれらのパタンが隣接して複数個存在する場合にも、
従来のＸ線マスクに比べて実効的露光コントラストの増
加が図れ、解像性，寸法制御性および露光量マージンな
どの露光特性が改善される。
ンエッジからの回折Ｘ線の相互干渉を逆利用でき、従来
の１：１の転写が不可能な微細な領域の孤立パタンまた
はこれらのパタンが隣接して複数個存在する場合にも、
従来のＸ線マスクに比べて実効的露光コントラストの増
加が図れ、解像性，寸法制御性および露光量マージンな
どの露光特性が改善される。
【０００９】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。 （実施例１）図１は、本発明によるＸ線露光用マスクの
一実施例による構成を説明する図であり、図１（ａ）は
底面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′線の断面図
である。図１において、１は例えば膜厚が約２μｍの窒
化シリコン（ＳｉＮ）により形成されたＸ線透過性膜、
２，２′は例えば膜厚が約０．６５μｍのタンタル（Ｔ
ａ）により形成されたＸ線吸収体層、３はＸ線透過性膜
１とＸ線吸収体層２，２′とを基本的な構成要素とする
Ｘ線マスクである。
説明する。 （実施例１）図１は、本発明によるＸ線露光用マスクの
一実施例による構成を説明する図であり、図１（ａ）は
底面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′線の断面図
である。図１において、１は例えば膜厚が約２μｍの窒
化シリコン（ＳｉＮ）により形成されたＸ線透過性膜、
２，２′は例えば膜厚が約０．６５μｍのタンタル（Ｔ
ａ）により形成されたＸ線吸収体層、３はＸ線透過性膜
１とＸ線吸収体層２，２′とを基本的な構成要素とする
Ｘ線マスクである。
【００１０】このＸ線マスク３は、ウエハに露光しよう
とするポジ型レジストを用いたときの約０．１μｍ角の
コンタクトホールパタンに対応する部分がＸ線吸収体層
２′であり、このＸ線吸収体層２′に隣接する周辺部に
４個のＸ線透過性窓４′を有する構造となっている。こ
のＸ線透過性窓４′は、矩形であり、幅が約０．０５μ
ｍで長さが約０．１μｍである。
とするポジ型レジストを用いたときの約０．１μｍ角の
コンタクトホールパタンに対応する部分がＸ線吸収体層
２′であり、このＸ線吸収体層２′に隣接する周辺部に
４個のＸ線透過性窓４′を有する構造となっている。こ
のＸ線透過性窓４′は、矩形であり、幅が約０．０５μ
ｍで長さが約０．１μｍである。
【００１１】このように構成されるＸ線露光用マスクの
作製に当たっては、先ずシリコン基板の表裏面の両面に
窒化シリコン膜をＣＶＤ法により約２μｍの膜厚に形成
した後、タンタルをスパッタリング法により約０．６５
μｍの膜厚に形成し、引き続き、二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）をＥＣＲ法により約０．２μｍの膜厚に形成し
た。次にこのシリコン基板にポジ型ＥＢレジストを塗布
し、ＥＢ装置によりＸ線透過性窓４′上のレジストのみ
を露光した。
作製に当たっては、先ずシリコン基板の表裏面の両面に
窒化シリコン膜をＣＶＤ法により約２μｍの膜厚に形成
した後、タンタルをスパッタリング法により約０．６５
μｍの膜厚に形成し、引き続き、二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）をＥＣＲ法により約０．２μｍの膜厚に形成し
た。次にこのシリコン基板にポジ型ＥＢレジストを塗布
し、ＥＢ装置によりＸ線透過性窓４′上のレジストのみ
を露光した。
【００１２】また、未露光部分のレジストパタンをエッ
チングマスクとして二酸化シリコンをＲＩＥ法によりエ
ッチングした。さらに二酸化シリコンをエッチングマス
クとしてＲＩＥ法によりタンタルをエッチングした。最
後にシリコン基板の裏面側に形成されている窒化シリコ
ン膜をエッチングマスクとしてシリコン基板をウェット
エッチング法で除去した。
チングマスクとして二酸化シリコンをＲＩＥ法によりエ
ッチングした。さらに二酸化シリコンをエッチングマス
クとしてＲＩＥ法によりタンタルをエッチングした。最
後にシリコン基板の裏面側に形成されている窒化シリコ
ン膜をエッチングマスクとしてシリコン基板をウェット
エッチング法で除去した。
【００１３】このように構成されたＸ線露光用マスクを
用いて約０．８ｎｍのピーク波長を有するシンクロトロ
ン放射光を利用したＸ線露光装置でパタン転写を行っ
た。マスクとウエハとの間のギャップは、約２０μｍに
制御した。露光レジストとしては、ポジ型レジストを約
０．５μｍの膜厚でシリコンウエハに塗布した。このＸ
線露光用マスクを使用した場合、パタン寸法が約０．１
μｍのホールパタンを良好にレジストパタンに転写する
ことができ、しかも、露光量許容幅は、１００〜３５０
ｍＪ／ｃｍ2 と極めて大きな値を得た。
用いて約０．８ｎｍのピーク波長を有するシンクロトロ
ン放射光を利用したＸ線露光装置でパタン転写を行っ
た。マスクとウエハとの間のギャップは、約２０μｍに
制御した。露光レジストとしては、ポジ型レジストを約
０．５μｍの膜厚でシリコンウエハに塗布した。このＸ
線露光用マスクを使用した場合、パタン寸法が約０．１
μｍのホールパタンを良好にレジストパタンに転写する
ことができ、しかも、露光量許容幅は、１００〜３５０
ｍＪ／ｃｍ2 と極めて大きな値を得た。
【００１４】一方、ウエハに露光しようとする抜きパタ
ンに対応する部分にＸ線透過性窓４を設けた従来のＸ線
露光用マスクを使用した場合、約２０μｍギャップの露
光条件では、パタン寸法が約０．１μｍのホールパタン
をレジストパタンに転写するための露光量許容幅が小さ
く、良好なパタンが得られなかった。
ンに対応する部分にＸ線透過性窓４を設けた従来のＸ線
露光用マスクを使用した場合、約２０μｍギャップの露
光条件では、パタン寸法が約０．１μｍのホールパタン
をレジストパタンに転写するための露光量許容幅が小さ
く、良好なパタンが得られなかった。
【００１５】次に本実施例によるＸ線露光用マスクを用
いた場合の転写特性が良好となる理由について以下に説
明する。図２は、Ｘ線透過性窓４の形状が正方形であ
り、一辺の長さが約０．１μｍである従来のＸ線露光用
マスクを用いた場合の約２０μｍのギャップにおける透
過Ｘ線強度分布を示したものであり、Ｘ線吸収体パタン
がないときのＸ線強度を１として規格化してある。図２
に示すようにＸ線透過性膜を透過したＸ線は約２０μｍ
のギャップに応じて回折を起こす。また、吸収体層を透
過したＸ線は強度の減衰と同時に位相の変化を生じる。
さらにこれらのＸ線は互いに干渉する。
いた場合の転写特性が良好となる理由について以下に説
明する。図２は、Ｘ線透過性窓４の形状が正方形であ
り、一辺の長さが約０．１μｍである従来のＸ線露光用
マスクを用いた場合の約２０μｍのギャップにおける透
過Ｘ線強度分布を示したものであり、Ｘ線吸収体パタン
がないときのＸ線強度を１として規格化してある。図２
に示すようにＸ線透過性膜を透過したＸ線は約２０μｍ
のギャップに応じて回折を起こす。また、吸収体層を透
過したＸ線は強度の減衰と同時に位相の変化を生じる。
さらにこれらのＸ線は互いに干渉する。
【００１６】前述した回折および干渉の及ぶ範囲は、Ｘ
線の波長とギャップとに依存しており、本実施例のＸ線
波長およびギャップの場合、最も影響が大きく現れる範
囲はマスクパタンエッジから約０．２μｍ程度であり、
従来のマスクでは、マスクパタンエッジからのＸ線回折
と相互干渉との影響でパタン周辺部に発生する２次ピー
クが強くなり、露光量許容幅は劣化する。
線の波長とギャップとに依存しており、本実施例のＸ線
波長およびギャップの場合、最も影響が大きく現れる範
囲はマスクパタンエッジから約０．２μｍ程度であり、
従来のマスクでは、マスクパタンエッジからのＸ線回折
と相互干渉との影響でパタン周辺部に発生する２次ピー
クが強くなり、露光量許容幅は劣化する。
【００１７】これに対して本実施例のようにウエハに露
光しようとするホールパタンに対応する部分がＸ線吸収
体層２′であり、このＸ線吸収体層２′に隣接する周辺
部に４個のＸ線透過性窓４′を有するＸ線露光マスク３
を用いれば、図３に示すように前述したパタンエッジか
らの回折および干渉の影響を逆利用することが可能とな
り、所望の約０．１μｍホールパタンを大きな露光量許
容幅で形成可能とするＸ線露光分布が得られる。
光しようとするホールパタンに対応する部分がＸ線吸収
体層２′であり、このＸ線吸収体層２′に隣接する周辺
部に４個のＸ線透過性窓４′を有するＸ線露光マスク３
を用いれば、図３に示すように前述したパタンエッジか
らの回折および干渉の影響を逆利用することが可能とな
り、所望の約０．１μｍホールパタンを大きな露光量許
容幅で形成可能とするＸ線露光分布が得られる。
【００１８】（実施例２）図４は、本発明によるＸ線露
光用マスクの他の実施例による構成を説明する底面図で
ある。図４において、２はＸ線吸収体層、３はＸ線透過
性膜１とＸ線吸収体層２とを基本的な構成要素とするＸ
線マスクである。このＸ線マスク３は、ウエハに露光し
ようとするポジ型レジストを用いたときの約０．１μｍ
角のコンタクトホールパタンに対応する部分を中心に４
個のＸ線透過性窓４′が取り囲む構造となっている。
光用マスクの他の実施例による構成を説明する底面図で
ある。図４において、２はＸ線吸収体層、３はＸ線透過
性膜１とＸ線吸収体層２とを基本的な構成要素とするＸ
線マスクである。このＸ線マスク３は、ウエハに露光し
ようとするポジ型レジストを用いたときの約０．１μｍ
角のコンタクトホールパタンに対応する部分を中心に４
個のＸ線透過性窓４′が取り囲む構造となっている。
【００１９】また、このＸ線透過性窓４′は、矩形状で
あり、幅が約０．０５μｍで長さが約０．１μｍで相対
するＸ線透過性窓４′の間隔は約０．２μｍである。な
お、Ｘ線透過性膜１は、膜厚が約２μｍの窒化シリコン
（ＳｉＮ）で形成し、Ｘ線吸収体層２は、膜厚が約０．
６５μｍのタンタル（Ｔａ）で形成した。
あり、幅が約０．０５μｍで長さが約０．１μｍで相対
するＸ線透過性窓４′の間隔は約０．２μｍである。な
お、Ｘ線透過性膜１は、膜厚が約２μｍの窒化シリコン
（ＳｉＮ）で形成し、Ｘ線吸収体層２は、膜厚が約０．
６５μｍのタンタル（Ｔａ）で形成した。
【００２０】このＸ線露光用マスクの作製については、
実施例１と同様である。このＸ線露光用マスクを用いて
０．８ｎｍのピーク波長を有するシンクロトロン放射光
を利用したＸ線露光装置でパタン転写を行った。マスク
とウエハとのギャップは約２０μｍに制御した。露光レ
ジストとしてはポジ型レジストを約０．５μｍの膜厚で
シリコンウエハに塗布した。
実施例１と同様である。このＸ線露光用マスクを用いて
０．８ｎｍのピーク波長を有するシンクロトロン放射光
を利用したＸ線露光装置でパタン転写を行った。マスク
とウエハとのギャップは約２０μｍに制御した。露光レ
ジストとしてはポジ型レジストを約０．５μｍの膜厚で
シリコンウエハに塗布した。
【００２１】このＸ線露光用マスクを使用した場合、パ
タン寸法が約０．１μｍのホールパタンをレジストパタ
ンに転写するための露光量許容幅は、１００〜３５０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 と極めて大きな値を得た。図５にこのＸ線露
光用マスクを用いた場合の約２０μｍのギャップにおけ
る透過Ｘ線強度分布を示す。図２に示す従来のＸ線露光
用マスクに比べて２次ピークの強度を抑えることがで
き、露光量許容幅が大幅に向上することができた。
タン寸法が約０．１μｍのホールパタンをレジストパタ
ンに転写するための露光量許容幅は、１００〜３５０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 と極めて大きな値を得た。図５にこのＸ線露
光用マスクを用いた場合の約２０μｍのギャップにおけ
る透過Ｘ線強度分布を示す。図２に示す従来のＸ線露光
用マスクに比べて２次ピークの強度を抑えることがで
き、露光量許容幅が大幅に向上することができた。
【００２２】（実施例３）図６は、本発明によるＸ線露
光用マスクのさらに他の実施例による構成を説明する底
面図である。図６において、２，２′はＸ線吸収体層、
３はＸ線透過性膜１とＸ線吸収体層２，２′とを基本的
な構成要素とするＸ線マスクである。このＸ線マスク３
はウエハに露光しようとするポジ型レジストを用いたと
きの約０．１μｍ角のコンタクトホールパタンに対応す
る部分をＸ線透過性窓４′が溝形状で取り囲む構造とな
っている。
光用マスクのさらに他の実施例による構成を説明する底
面図である。図６において、２，２′はＸ線吸収体層、
３はＸ線透過性膜１とＸ線吸収体層２，２′とを基本的
な構成要素とするＸ線マスクである。このＸ線マスク３
はウエハに露光しようとするポジ型レジストを用いたと
きの約０．１μｍ角のコンタクトホールパタンに対応す
る部分をＸ線透過性窓４′が溝形状で取り囲む構造とな
っている。
【００２３】このＸ線透過性窓４′の内側の正方形の一
辺の長さは約０．１μｍで外側の正方形の一辺の長さは
約０．１５μｍであり、溝の幅は約０．０５μｍであ
る。なお、Ｘ線透過性膜１は、膜厚が約２μｍの窒化シ
リコン（ＳｉＮ）で形成し、Ｘ線吸収体層２，２′は、
膜厚が約０．６５μｍのタンタル（Ｔａ）で形成した。
辺の長さは約０．１μｍで外側の正方形の一辺の長さは
約０．１５μｍであり、溝の幅は約０．０５μｍであ
る。なお、Ｘ線透過性膜１は、膜厚が約２μｍの窒化シ
リコン（ＳｉＮ）で形成し、Ｘ線吸収体層２，２′は、
膜厚が約０．６５μｍのタンタル（Ｔａ）で形成した。
【００２４】このＸ線露光用マスクの作製については、
実施例１と同様である。このＸ線露光用マスクを用いて
０．８ｎｍのピーク波長を有するシンクロトロン放射光
を利用したＸ線露光装置でパタン転写を行った。マスク
とウエハとのギャップは約２０μｍに制御した。露光レ
ジストとしてはポジ型レジストを約０．５μｍの膜厚で
シリコンウエハに塗布した。
実施例１と同様である。このＸ線露光用マスクを用いて
０．８ｎｍのピーク波長を有するシンクロトロン放射光
を利用したＸ線露光装置でパタン転写を行った。マスク
とウエハとのギャップは約２０μｍに制御した。露光レ
ジストとしてはポジ型レジストを約０．５μｍの膜厚で
シリコンウエハに塗布した。
【００２５】このＸ線露光用マスクを使用した場合、パ
タン寸法が約０．１μｍのホールパタンをレジストパタ
ンに転写するための露光量許容幅は、１００〜３５０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 と極めて大きな値を得た。
タン寸法が約０．１μｍのホールパタンをレジストパタ
ンに転写するための露光量許容幅は、１００〜３５０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 と極めて大きな値を得た。
【００２６】以上の実施例１〜実施例３においては、ウ
エハに露光しようとするパタンとして約０．１μｍ角の
ホールパタンの場合について、ポジ型レジストを用いた
ときの実施例を説明したが、ウエハに露光しようとする
パタンがネガ型レジストを用いた場合の残しパタンであ
っても同様の効果が得られる。さらに任意の矩形状で形
成されたパタンが任意のパタン配列で配置されている場
合にも応用できることは明かである。
エハに露光しようとするパタンとして約０．１μｍ角の
ホールパタンの場合について、ポジ型レジストを用いた
ときの実施例を説明したが、ウエハに露光しようとする
パタンがネガ型レジストを用いた場合の残しパタンであ
っても同様の効果が得られる。さらに任意の矩形状で形
成されたパタンが任意のパタン配列で配置されている場
合にも応用できることは明かである。
【００２７】また、Ｘ線吸収体層の材料としてタンタル
を用い、吸収体層の膜厚として約０．６５μｍ，ギャッ
プとして約２０μｍ，Ｘ線透過性窓４′の形状として矩
形状の組み合わせについての実施例を示したが、他の吸
収体材料，吸収体膜厚，ギャップの場合においても、Ｘ
線透過性窓４′の平面的形状，寸法，位置および配列を
補正するだけで同様の効果が期待できる。
を用い、吸収体層の膜厚として約０．６５μｍ，ギャッ
プとして約２０μｍ，Ｘ線透過性窓４′の形状として矩
形状の組み合わせについての実施例を示したが、他の吸
収体材料，吸収体膜厚，ギャップの場合においても、Ｘ
線透過性窓４′の平面的形状，寸法，位置および配列を
補正するだけで同様の効果が期待できる。
【００２８】（実施例４）図７は、本発明によるＸ線露
光用マスクの他の実施例による構成を説明する底面図で
ある。図７において、２，２′はＸ線吸収体層、３はＸ
線透過性膜１とＸ線吸収体層２，２′とを基本的な構成
要素とするＸ線マスクである。このＸ線マスク３は、ウ
エハに露光しようとするポジ型レジストを用いたときの
パタンピッチ（ホール径：スペース幅）が１：１となる
約０．１μｍ角の複数のコンタクトホールパタンに対応
する部分がＸ線吸収体層２′であり、このＸ線吸収体層
２′に隣接する周辺部に４個のＸ線透過性窓４′を有
し、３×３の９個の約０．１μｍのホールパタンをパタ
ンピッチが１：１になるように形成するための構造とな
っている。
光用マスクの他の実施例による構成を説明する底面図で
ある。図７において、２，２′はＸ線吸収体層、３はＸ
線透過性膜１とＸ線吸収体層２，２′とを基本的な構成
要素とするＸ線マスクである。このＸ線マスク３は、ウ
エハに露光しようとするポジ型レジストを用いたときの
パタンピッチ（ホール径：スペース幅）が１：１となる
約０．１μｍ角の複数のコンタクトホールパタンに対応
する部分がＸ線吸収体層２′であり、このＸ線吸収体層
２′に隣接する周辺部に４個のＸ線透過性窓４′を有
し、３×３の９個の約０．１μｍのホールパタンをパタ
ンピッチが１：１になるように形成するための構造とな
っている。
【００２９】また、このＸ線透過性窓４′は、矩形状で
あり、幅が約０．０３μｍで長さが約０．１μｍであ
る。なお、Ｘ線透過性膜１は、膜厚が約２μｍの窒化シ
リコン（ＳｉＮ）で形成し、Ｘ線吸収体層２，２′は、
膜厚が約０．６５μｍのタンタル（Ｔａ）で形成した。
あり、幅が約０．０３μｍで長さが約０．１μｍであ
る。なお、Ｘ線透過性膜１は、膜厚が約２μｍの窒化シ
リコン（ＳｉＮ）で形成し、Ｘ線吸収体層２，２′は、
膜厚が約０．６５μｍのタンタル（Ｔａ）で形成した。
【００３０】このＸ線露光用マスクの作製については、
実施例１と同様である。このＸ線露光用マスクを用いて
０．８ｎｍのピーク波長を有するシンクロトロン放射光
を利用したＸ線露光装置でパタン転写を行った。マスク
とウエハとのギャップは約３０μｍに制御した。露光レ
ジストとしてはポジ型レジストを約０．５μｍの膜厚で
シリコンウエハに塗布した。
実施例１と同様である。このＸ線露光用マスクを用いて
０．８ｎｍのピーク波長を有するシンクロトロン放射光
を利用したＸ線露光装置でパタン転写を行った。マスク
とウエハとのギャップは約３０μｍに制御した。露光レ
ジストとしてはポジ型レジストを約０．５μｍの膜厚で
シリコンウエハに塗布した。
【００３１】このＸ線露光用マスクを使用した場合、パ
タン寸法が約０．１μｍの９個のホールパタンをパタン
ピッチ１：１でレジストパタンに転写することが可能で
あり、しかも露光量許容幅は１００〜３５０ｍＪ／ｃｍ
2 と極めて大きな値を得た。
タン寸法が約０．１μｍの９個のホールパタンをパタン
ピッチ１：１でレジストパタンに転写することが可能で
あり、しかも露光量許容幅は１００〜３５０ｍＪ／ｃｍ
2 と極めて大きな値を得た。
【００３２】一方、ウエハに露光しようとする約０．１
μｍのコンタクトホールパタンに対応する部分にＸ線透
過窓４を設けた従来のＸ線露光用マスク（図８）を使用
した場合は、約３０μｍギャップの露光条件では、パタ
ン寸法が約０．１μｍのホールパタンをレジストパタン
に転写することはできなかった。
μｍのコンタクトホールパタンに対応する部分にＸ線透
過窓４を設けた従来のＸ線露光用マスク（図８）を使用
した場合は、約３０μｍギャップの露光条件では、パタ
ン寸法が約０．１μｍのホールパタンをレジストパタン
に転写することはできなかった。
【００３３】次に本実施例によるＸ線露光用マスクを用
いた場合の転写特性が良好となる理由について以下に説
明する。図９は、転写すべきパタンに１：１に対応した
Ｘ線透過性窓４の形状が正方形であり、一辺の長さが約
０．１μｍである９個のホールパタンを有する従来のＸ
線露光用マスク（図８）を用いた場合の約３０μｍのギ
ャップにおける透過Ｘ線強度分布を示したものであり、
Ｘ線吸収体パタンがないときのＸ線強度を１として規格
化してある。図９に示すように９個の１次ピークが得ら
れず、マスクパタンエッジからのＸ線回折と相互干渉と
の影響で２次ピークが強くなり、４個のゴーストパタン
が現れ、マスクパタンに忠実なパタン転写ができない。
いた場合の転写特性が良好となる理由について以下に説
明する。図９は、転写すべきパタンに１：１に対応した
Ｘ線透過性窓４の形状が正方形であり、一辺の長さが約
０．１μｍである９個のホールパタンを有する従来のＸ
線露光用マスク（図８）を用いた場合の約３０μｍのギ
ャップにおける透過Ｘ線強度分布を示したものであり、
Ｘ線吸収体パタンがないときのＸ線強度を１として規格
化してある。図９に示すように９個の１次ピークが得ら
れず、マスクパタンエッジからのＸ線回折と相互干渉と
の影響で２次ピークが強くなり、４個のゴーストパタン
が現れ、マスクパタンに忠実なパタン転写ができない。
【００３４】しかしながら、本実施例のようにウエハに
露光しようとするホールパタンに対応する部分がＸ線吸
収体層２′であり、このＸ線吸収体層２′に隣接する周
辺部にそれぞれ４個のＸ線透過性窓４′を有するＸ線露
光用マスクを用いれば、図１０に示すように前述したパ
タンエッジからの回折と干渉との影響を逆利用すること
が可能となり、所望のホールパタンを大きな露光量許容
幅で形成可能とするためのＸ線強度分布が得られる。
露光しようとするホールパタンに対応する部分がＸ線吸
収体層２′であり、このＸ線吸収体層２′に隣接する周
辺部にそれぞれ４個のＸ線透過性窓４′を有するＸ線露
光用マスクを用いれば、図１０に示すように前述したパ
タンエッジからの回折と干渉との影響を逆利用すること
が可能となり、所望のホールパタンを大きな露光量許容
幅で形成可能とするためのＸ線強度分布が得られる。
【００３５】（実施例５）図１１は、本発明によるＸ線
露光用マスクの他の実施例による構成を説明する底面図
である。図１１において、２はＸ線吸収体層、３はＸ線
透過性膜１とＸ線吸収体層２とを基本的な構成要素とす
るＸ線マスクである。このＸ線マスク３はウエハに露光
しようとするポジ型レジストを用いたときの約０．１μ
ｍ角のコンタクトホールパタンに対応する部分を中心に
してＸ線透過性窓４′が取り囲み、３×３の９個の約
０．１μｍのホールパタンをパタンピッチ（ホール径：
スペース幅）が１：１になるように形成するための構造
となっている。
露光用マスクの他の実施例による構成を説明する底面図
である。図１１において、２はＸ線吸収体層、３はＸ線
透過性膜１とＸ線吸収体層２とを基本的な構成要素とす
るＸ線マスクである。このＸ線マスク３はウエハに露光
しようとするポジ型レジストを用いたときの約０．１μ
ｍ角のコンタクトホールパタンに対応する部分を中心に
してＸ線透過性窓４′が取り囲み、３×３の９個の約
０．１μｍのホールパタンをパタンピッチ（ホール径：
スペース幅）が１：１になるように形成するための構造
となっている。
【００３６】また、このＸ線透過性窓４′は矩形状であ
り、幅が約０．０４μｍで長さが約０．１μｍであり、
相対するＸ線透過性窓４′の間隔は約０．１６μｍであ
る。なお、Ｘ線透過性膜１は膜厚が約２μｍの窒化シリ
コン（ＳｉＮ）で形成し、Ｘ線吸収体層２は、膜厚が約
０．６５μｍのタンタル（Ｔａ）で形成した。
り、幅が約０．０４μｍで長さが約０．１μｍであり、
相対するＸ線透過性窓４′の間隔は約０．１６μｍであ
る。なお、Ｘ線透過性膜１は膜厚が約２μｍの窒化シリ
コン（ＳｉＮ）で形成し、Ｘ線吸収体層２は、膜厚が約
０．６５μｍのタンタル（Ｔａ）で形成した。
【００３７】このＸ線露光用マスクの作製については、
実施例１と同様である。このＸ線露光用マスクを用いて
０．８ｎｍのピーク波長を有するシンクロトロン放射光
を利用したＸ線露光装置でパタン転写を行った。マスク
とウエハとのギャップは約３０μｍに制御した。露光レ
ジストとしてはポジ型レジストを約０．５μｍの膜厚で
シリコンウエハに塗布した。
実施例１と同様である。このＸ線露光用マスクを用いて
０．８ｎｍのピーク波長を有するシンクロトロン放射光
を利用したＸ線露光装置でパタン転写を行った。マスク
とウエハとのギャップは約３０μｍに制御した。露光レ
ジストとしてはポジ型レジストを約０．５μｍの膜厚で
シリコンウエハに塗布した。
【００３８】このＸ線露光用マスクを使用した場合、パ
タン寸法が約０．１μｍの９個のホールパタンをパタン
ピッチ１：１でレジストパタンに転写することが可能で
あり、しかも露光量許容幅は１００〜３５０ｍＪ／ｃｍ
2 と極めて大きな値を得た。
タン寸法が約０．１μｍの９個のホールパタンをパタン
ピッチ１：１でレジストパタンに転写することが可能で
あり、しかも露光量許容幅は１００〜３５０ｍＪ／ｃｍ
2 と極めて大きな値を得た。
【００３９】（実施例６）図１２は、本発明によるＸ線
露光用マスクの他の実施例による構成を説明する底面図
である。図１２において、２，２′はＸ線吸収体層、３
はＸ線透過性膜１とＸ線吸収体層２，２′とを基本的な
構成要素とするＸ線マスクである。このＸ線マスク３は
ウエハに露光しようとするポジ型レジストを用いたとき
の約０．１μｍ角のコンタクトホールパタンに対応する
部分に重なる形でＸ線透過性窓４′が溝形状で形成され
ている。これにより、３×３の９個の約０．１μｍのホ
ールパタンをパタンピッチ（ホール径：スペース幅）が
１：１になるように形成するための構造となっている。
露光用マスクの他の実施例による構成を説明する底面図
である。図１２において、２，２′はＸ線吸収体層、３
はＸ線透過性膜１とＸ線吸収体層２，２′とを基本的な
構成要素とするＸ線マスクである。このＸ線マスク３は
ウエハに露光しようとするポジ型レジストを用いたとき
の約０．１μｍ角のコンタクトホールパタンに対応する
部分に重なる形でＸ線透過性窓４′が溝形状で形成され
ている。これにより、３×３の９個の約０．１μｍのホ
ールパタンをパタンピッチ（ホール径：スペース幅）が
１：１になるように形成するための構造となっている。
【００４０】また、このＸ線透過性窓４′の内側の正方
形の一辺の長さは約０．０８μｍで外側の正方形の一辺
の長さは約０．１２μｍである。また、相隣接するＸ線
透過性窓４′同士の間隔は、約０．０４μｍである。な
お、Ｘ線透過性膜１は、膜厚が約２μｍの窒化シリコン
（ＳｉＮ）で形成し、Ｘ線吸収体層２，２′は、膜厚が
約０．６５μｍのタンタル（Ｔａ）で形成した。
形の一辺の長さは約０．０８μｍで外側の正方形の一辺
の長さは約０．１２μｍである。また、相隣接するＸ線
透過性窓４′同士の間隔は、約０．０４μｍである。な
お、Ｘ線透過性膜１は、膜厚が約２μｍの窒化シリコン
（ＳｉＮ）で形成し、Ｘ線吸収体層２，２′は、膜厚が
約０．６５μｍのタンタル（Ｔａ）で形成した。
【００４１】このＸ線露光用マスクの作製については、
実施例１と同様である。このＸ線露光用マスクを用いて
０．８ｎｍのピーク波長を有するシンクロトロン放射光
を利用したＸ線露光装置でパタン転写を行った。マスク
とウエハとのギャップは約３０μｍに制御した。露光レ
ジストとしてはポジ型レジストを約０．５μｍの膜厚で
シリコンウエハに塗布した。
実施例１と同様である。このＸ線露光用マスクを用いて
０．８ｎｍのピーク波長を有するシンクロトロン放射光
を利用したＸ線露光装置でパタン転写を行った。マスク
とウエハとのギャップは約３０μｍに制御した。露光レ
ジストとしてはポジ型レジストを約０．５μｍの膜厚で
シリコンウエハに塗布した。
【００４２】このＸ線露光用マスクを使用した場合、パ
タン寸法が約０．１μｍの９個のホールパタンをパタン
ピッチ１：１でレジストパタンに転写することが可能で
あり、しかも露光量許容幅は１００〜３５０ｍＪ／ｃｍ
2 と極めて大きな値を得た。
タン寸法が約０．１μｍの９個のホールパタンをパタン
ピッチ１：１でレジストパタンに転写することが可能で
あり、しかも露光量許容幅は１００〜３５０ｍＪ／ｃｍ
2 と極めて大きな値を得た。
【００４３】以上の実施例４，５，６においては、ウエ
ハに露光しようとするパタンとして約０．１μｍ角のホ
ールパタンの場合について、ポジ型レジストを用いたと
きの実施例を説明したが、ウエハに露光しようとするパ
タンが、ネガ型レジストを用いた場合の残しパタンであ
っても同様の効果が得られる。さらに任意の矩形状で形
成されたパタンが任意のパタン配列で配置された場合に
も応用できることは明かである。
ハに露光しようとするパタンとして約０．１μｍ角のホ
ールパタンの場合について、ポジ型レジストを用いたと
きの実施例を説明したが、ウエハに露光しようとするパ
タンが、ネガ型レジストを用いた場合の残しパタンであ
っても同様の効果が得られる。さらに任意の矩形状で形
成されたパタンが任意のパタン配列で配置された場合に
も応用できることは明かである。
【００４４】また、Ｘ線吸収体層の材料としてタンタル
を用い、吸収体層の膜厚として約０．６５μｍ，ギャッ
プとして約３０μｍ，Ｘ線透過性窓４′の形状として矩
形状の組み合わせについての実施例を示したが、他の吸
収体材料，吸収体膜厚，ギャップの場合においても、Ｘ
線透過性窓４′の平面的形状，寸法，位置および配列を
補正するだけで同様の効果が期待できる。
を用い、吸収体層の膜厚として約０．６５μｍ，ギャッ
プとして約３０μｍ，Ｘ線透過性窓４′の形状として矩
形状の組み合わせについての実施例を示したが、他の吸
収体材料，吸収体膜厚，ギャップの場合においても、Ｘ
線透過性窓４′の平面的形状，寸法，位置および配列を
補正するだけで同様の効果が期待できる。
【００４５】（実施例７）図１３は、本発明によるＸ線
露光用マスクの他の実施例による構成を説明する底面図
である。図１３において、２，２′はＸ線吸収体層、３
はＸ線透過性膜１とＸ線吸収体層２，２′とを基本的な
構成要素とするＸ線マスクである。このＸ線マスク３
は、ウエハに露光しようとするポジ型レジストを用いた
ときの約０．１μｍ角の１：１ピッチの複数のコンタク
トホールパタンに対応する部分がＸ線吸収体層２′であ
り、このＸ線吸収体層２′の周辺部にはＸ線透過性窓
４′が連続して取り囲むように形成され、つまり、周辺
部が全体にＸ線透過性膜１となっており、３×３の９個
の約０．１μｍのホールパタンをパタンピッチ（ホール
径：スペース幅）が１：１になるように形成するための
構造となっている。
露光用マスクの他の実施例による構成を説明する底面図
である。図１３において、２，２′はＸ線吸収体層、３
はＸ線透過性膜１とＸ線吸収体層２，２′とを基本的な
構成要素とするＸ線マスクである。このＸ線マスク３
は、ウエハに露光しようとするポジ型レジストを用いた
ときの約０．１μｍ角の１：１ピッチの複数のコンタク
トホールパタンに対応する部分がＸ線吸収体層２′であ
り、このＸ線吸収体層２′の周辺部にはＸ線透過性窓
４′が連続して取り囲むように形成され、つまり、周辺
部が全体にＸ線透過性膜１となっており、３×３の９個
の約０．１μｍのホールパタンをパタンピッチ（ホール
径：スペース幅）が１：１になるように形成するための
構造となっている。
【００４６】また、このＸ線吸収層２′は、正方形であ
り、一辺の長さは約０．１μｍであり、相隣接するＸ線
吸収体層２′同士の間隔は約０．１μｍである。また、
Ｘ線吸収体層２′とそれを取り囲むＸ線吸収体層２との
間隔は、約０．０５μｍである。なお、Ｘ線透過性膜１
は、膜厚が約２μｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）で形成
し、Ｘ線吸収体層２，２′は、膜厚が約０．６５μｍの
タンタル（Ｔａ）で形成した。
り、一辺の長さは約０．１μｍであり、相隣接するＸ線
吸収体層２′同士の間隔は約０．１μｍである。また、
Ｘ線吸収体層２′とそれを取り囲むＸ線吸収体層２との
間隔は、約０．０５μｍである。なお、Ｘ線透過性膜１
は、膜厚が約２μｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）で形成
し、Ｘ線吸収体層２，２′は、膜厚が約０．６５μｍの
タンタル（Ｔａ）で形成した。
【００４７】このＸ線露光用マスクの作製については、
実施例１と同様である。このＸ線露光用マスクを用いて
０．８ｎｍのピーク波長を有するシンクロトロン放射光
を利用したＸ線露光装置でパタン転写を行った。マスク
とウエハとのギャップは約３０μｍに制御した。露光レ
ジストとしてはポジ型レジストを約０．５μｍの膜厚で
シリコンウエハに塗布した。
実施例１と同様である。このＸ線露光用マスクを用いて
０．８ｎｍのピーク波長を有するシンクロトロン放射光
を利用したＸ線露光装置でパタン転写を行った。マスク
とウエハとのギャップは約３０μｍに制御した。露光レ
ジストとしてはポジ型レジストを約０．５μｍの膜厚で
シリコンウエハに塗布した。
【００４８】このＸ線露光用マスクを使用した場合、パ
タン寸法が約０．１μｍの９個のホールパタンをパタン
ピッチ１：１でレジストパタンに転写することが可能と
なり、しかも露光許容幅は１００〜３５０ｍＪ／ｃｍ2
と極めて大きな値を得た。
タン寸法が約０．１μｍの９個のホールパタンをパタン
ピッチ１：１でレジストパタンに転写することが可能と
なり、しかも露光許容幅は１００〜３５０ｍＪ／ｃｍ2
と極めて大きな値を得た。
【００４９】以上は、ウエハに露光しようとするパタン
として約０．１μｍ角のホールパタンの場合について、
ポジ型レジストを用いたときの実施例を説明したが、ウ
エハに露光しようとするパタンが、ネガ型レジストを用
いた場合の残しパタンであっても同様の効果が得られ
る。さらに任意の矩形状で形成されたパタンが任意のパ
タン配列で配置された場合にも応用できることは明かで
ある。
として約０．１μｍ角のホールパタンの場合について、
ポジ型レジストを用いたときの実施例を説明したが、ウ
エハに露光しようとするパタンが、ネガ型レジストを用
いた場合の残しパタンであっても同様の効果が得られ
る。さらに任意の矩形状で形成されたパタンが任意のパ
タン配列で配置された場合にも応用できることは明かで
ある。
【００５０】また、Ｘ線吸収体層の材料としてはタンタ
ルを用い、吸収体層の膜厚として約０．６５μｍ，ギャ
ップとして約３０μｍ，Ｘ線透過性膜１およびＸ線吸収
体層２′の形状として矩形状の組み合わせについての実
施例を示したが、他の吸収体材料，吸収体膜厚，ギャッ
プの場合においてもＸ線透過性膜１およびＸ線吸収体層
２′の平面的形状，寸法，位置および配列を補正するだ
けで同様の効果が期待できる。
ルを用い、吸収体層の膜厚として約０．６５μｍ，ギャ
ップとして約３０μｍ，Ｘ線透過性膜１およびＸ線吸収
体層２′の形状として矩形状の組み合わせについての実
施例を示したが、他の吸収体材料，吸収体膜厚，ギャッ
プの場合においてもＸ線透過性膜１およびＸ線吸収体層
２′の平面的形状，寸法，位置および配列を補正するだ
けで同様の効果が期待できる。
【００５１】さらに以上の実施例１〜実施例７において
は、ウエハに露光しようとするパタンとして約０．１μ
ｍ角のホールパタンの場合についての実施例を示した
が、同一マスク内にラインパタン，矩形状パタンまたは
これらの組み合わせからなる多種類のパタンが混在する
場合においても、Ｘ線透過性窓の寸法，その形状，その
配置を予め作成した補正量のテーブルを参照し、ウエハ
に露光しようとするパタン寸法，その形状，その配置に
応じて各々変えることにより、同一露光量でしかも大き
な露光量マージンで精度良く転写できることは明かであ
る。
は、ウエハに露光しようとするパタンとして約０．１μ
ｍ角のホールパタンの場合についての実施例を示した
が、同一マスク内にラインパタン，矩形状パタンまたは
これらの組み合わせからなる多種類のパタンが混在する
場合においても、Ｘ線透過性窓の寸法，その形状，その
配置を予め作成した補正量のテーブルを参照し、ウエハ
に露光しようとするパタン寸法，その形状，その配置に
応じて各々変えることにより、同一露光量でしかも大き
な露光量マージンで精度良く転写できることは明かであ
る。
【００５２】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によるＸ線
露光用マスクによれば、１：１のパタン転写が不可能な
領域のパタンに対して実効的露光コントラストが高く、
かつ良好な転写特性が得られるという極めて優れた効果
を有する。
露光用マスクによれば、１：１のパタン転写が不可能な
領域のパタンに対して実効的露光コントラストが高く、
かつ良好な転写特性が得られるという極めて優れた効果
を有する。
【００５３】また、本発明によるＸ線露光用マスクを用
いた露光方法によれば、露光すべきパタンとＸ線マスク
吸収体パタンとが１：１である従来のＸ線露光用マスク
では解像不可能な微細パタンを大きなプロキシミティギ
ャップで解像可能となり、寸法制御性，露光量マージン
などの露光特性が向上するという極めて優れた効果を有
する。
いた露光方法によれば、露光すべきパタンとＸ線マスク
吸収体パタンとが１：１である従来のＸ線露光用マスク
では解像不可能な微細パタンを大きなプロキシミティギ
ャップで解像可能となり、寸法制御性，露光量マージン
などの露光特性が向上するという極めて優れた効果を有
する。
【００５４】さらにＸ線透過性窓の形状または寸法を転
写すべきパタンの寸法または種類の応じて各々変えるこ
とにより、同一マスク内に存在する多種類のパタンを同
一露光量でしかも大きな露光量マージンで精度良く転写
することができるという極めて優れた効果を有する。
写すべきパタンの寸法または種類の応じて各々変えるこ
とにより、同一マスク内に存在する多種類のパタンを同
一露光量でしかも大きな露光量マージンで精度良く転写
することができるという極めて優れた効果を有する。
【図１】 本発明によるＸ線露光用マスクの第１の実施
例による構成を示す図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ′線の断面図である。
例による構成を示す図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ′線の断面図である。
【図２】 従来のＸ線露光用マスクの説明に供するウエ
ハの表面上における透過Ｘ線強度分布を示す図である。
ハの表面上における透過Ｘ線強度分布を示す図である。
【図３】 本発明によるＸ線露光用マスクの第１の実施
例の説明に供するウエハの表面上における透過Ｘ線強度
分布を示す図である。
例の説明に供するウエハの表面上における透過Ｘ線強度
分布を示す図である。
【図４】 本発明によるＸ線露光用マスクの第２の実施
例による構成を示す底面図である。
例による構成を示す底面図である。
【図５】 本発明によるＸ線露光用マスクの第２の実施
例の説明に供するウエハの表面上における透過Ｘ線強度
分布を示す図である。
例の説明に供するウエハの表面上における透過Ｘ線強度
分布を示す図である。
【図６】 本発明によるＸ線露光用マスクの第３の実施
例による構成を示す底面図である。
例による構成を示す底面図である。
【図７】 本発明によるＸ線露光用マスクの第４の実施
例による構成を示す底面図である。
例による構成を示す底面図である。
【図８】 従来のＸ線露光用マスクの他の一例による構
成を示す底面図である。
成を示す底面図である。
【図９】 従来のＸ線露光用マスクの説明に供するウエ
ハの表面上における透過Ｘ線強度分布を示す図である。
ハの表面上における透過Ｘ線強度分布を示す図である。
【図１０】 本発明によるＸ線露光用マスクの第４の実
施例の説明に供するウエハの表面上における透過Ｘ線強
度分布を示す図である。
施例の説明に供するウエハの表面上における透過Ｘ線強
度分布を示す図である。
【図１１】 本発明によるＸ線露光用マスクの第５の実
施例による構成を示す底面図である。
施例による構成を示す底面図である。
【図１２】 本発明によるＸ線露光用マスクの第６の実
施例による構成を示す底面図である。
施例による構成を示す底面図である。
【図１３】 本発明によるＸ線露光用マスクの第７の実
施例による構成を示す底面図である。
施例による構成を示す底面図である。
【図１４】 従来のＸ線露光用マスクの構成を示す図で
あり、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線の
断面図である。
あり、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線の
断面図である。
１…Ｘ線透過性膜、２，２′…Ｘ線吸収体層、３…Ｘ線
マスク、４，４′…Ｘ線透過性窓。
マスク、４，４′…Ｘ線透過性窓。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線を透過するＸ線透過性膜上にＸ線を
吸収するＸ線吸収体層からなるＸ線吸収体パタンを形成
してなるＸ線露光用マスクにおいて、 被露光面における露光すべきパタンに対応する部分にＸ
線吸収体層を設け、前記Ｘ線吸収体層の周辺部にＸ線を
透過させるＸ線透過性窓を設けたことを特徴とするＸ線
露光用マスク。 - 【請求項２】 Ｘ線露光用マスクを基板に転写するＸ線
露光方法において、 被露光面における露光すべきパタンに対応する部分にＸ
線吸収体層を設け、前記Ｘ線吸収体層の周辺部にＸ線透
過性窓を設けたＸ線露光用マスクを用いて露光すること
を特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18596994A JP3278710B2 (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | Ｘ線露光用マスクおよび露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18596994A JP3278710B2 (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | Ｘ線露光用マスクおよび露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851057A true JPH0851057A (ja) | 1996-02-20 |
| JP3278710B2 JP3278710B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=16180050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18596994A Expired - Fee Related JP3278710B2 (ja) | 1994-08-08 | 1994-08-08 | Ｘ線露光用マスクおよび露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3278710B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012436A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光方法 |
| JP2007171333A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ用フォトマスク、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び液晶表示装置 |
| JP2007171332A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ用フォトマスク、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び液晶表示装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01152724A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Toshiba Corp | 微細パターン転写方法 |
| JPH04322419A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
| JPH04346414A (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク及びｘ線露光方法 |
| JPH0519446A (ja) * | 1991-07-11 | 1993-01-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置又は半導体集積回路装置の製造方法又は露光方法及びそれに用いるマスク |
| JPH06138642A (ja) * | 1992-10-26 | 1994-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | ホトマスク |
-
1994
- 1994-08-08 JP JP18596994A patent/JP3278710B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01152724A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Toshiba Corp | 微細パターン転写方法 |
| JPH04322419A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
| JPH04346414A (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク及びｘ線露光方法 |
| JPH0519446A (ja) * | 1991-07-11 | 1993-01-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置又は半導体集積回路装置の製造方法又は露光方法及びそれに用いるマスク |
| JPH06138642A (ja) * | 1992-10-26 | 1994-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | ホトマスク |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012436A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク及びこれを用いたｘ線露光方法 |
| JP2007171333A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ用フォトマスク、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び液晶表示装置 |
| JP2007171332A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ用フォトマスク、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3278710B2 (ja) | 2002-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6048647A (en) | Phase shift mask of attenuation type and manufacturing method thereof | |
| JP3411613B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク | |
| US5853923A (en) | Double layer method for fabricating a rim type attenuating phase shifting mask | |
| US20100323280A1 (en) | Mask for EUV Lithography and Method for Exposure Using the Same | |
| US5888678A (en) | Mask and simplified method of forming a mask integrating attenuating phase shifting mask patterns and binary mask patterns on the same mask substrate | |
| US5902701A (en) | Phase shift mask and method for fabricating the same | |
| US5853921A (en) | Methods of fabricating phase shift masks by controlling exposure doses | |
| US5849438A (en) | Phase shift mask and method for fabricating the same | |
| JP2006191076A (ja) | 反射フォトマスク及びその製造方法 | |
| US6528216B2 (en) | Phase shift mask and fabrication method thereof | |
| JP3278710B2 (ja) | Ｘ線露光用マスクおよび露光方法 | |
| US5879839A (en) | Photomask having a half-tone type phase shift material and chrome pattern on a transparent substrate | |
| JPH0695360A (ja) | 光学マスク | |
| JPH04322419A (ja) | Ｘ線マスク | |
| US6333129B2 (en) | Method of fabricating phase shift mask | |
| US5895735A (en) | Phase shift masks including first and second radiation blocking layer patterns, and methods of fabricating and using the same | |
| US5658695A (en) | Method for fabricating phase shift mask comprising the use of a second photoshield layer as a sidewall | |
| US5942355A (en) | Method of fabricating a phase-shifting semiconductor photomask | |
| US6767672B2 (en) | Method for forming a phase-shifting mask for semiconductor device manufacture | |
| US5747196A (en) | Method of fabricating a phase-shift photomask | |
| JPH08297360A (ja) | 光学リソグラフマスクを製造する方法 | |
| US5922217A (en) | Method for correcting defects in a phase shift mask | |
| JP2734396B2 (ja) | 露光マスク | |
| JP7393573B1 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JP3222637B2 (ja) | 位相シフトマスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090222 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |