JP3223919B2 - マスクデータ作成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体を製作するリ
ソグラフィ技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体の微細化はますます進み、
その加工ルールは転写する光の波長に迫りつつある。そ
れに伴い光近接効果による設計寸法と加工寸法の差は無
視できなくなってきた。そのため、一度作ったマスクを
修正する必要が生じ、時間的にもコスト的にも負担にな
っている。近年、工程の複雑化によるマスク枚数の増加
やマスクサイズの大型化によるマスク価格の上昇に伴
い、益々その問題は大きくなっている。

【０００３】以下図面を参照しながら、上記した従来の
マスク修正方法の一例について説明する。

【０００４】図３２は従来のマスク修正方法のフローチ
ャートを示すものである。図３２において、１は設計デ
ータで、２は設計データから作られたマスクで、３はそ
のマスクで露光した加工パターンであり、４はその加工
データである。２２は加工データ４によってフィードバ
ックされたマスクであり、３３は設計どおりに加工され
たパターンである。

【０００５】以上のように構成されたマスク修正方法に
ついて、以下その動作について説明する。まずＬＳＩの
チップを設計するために各レイヤーの設計データ１がＣ
ＡＤ上で作成される。次にそのデータから実際にパター
ンに転写するためのマスク２が作られる。そのマスク２
を用いてウエハ上のチップにパターンが転写される。そ
の転写されたパターン３の寸法データ４を計測し、設計
された寸法と異なる箇所のデータ部分を所望の寸法にな
る様に改善し、再び新たなマスク２２を作成する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、転写されたパターンデータを計測する時
間や、新たなマスクを作成する時間、またその費用は増
大し、製品開発に大きな負担を生じるという問題点を有
していた。

【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、設計データが
作られた時点で、予め所望の寸法値が得られない箇所を
つきとめ、そのデータを修正したマスクを作成するため
のマスクデータ作成方法を提供するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のマスクデータ作成方法は、入力されたマスク設
計データからゲート配線パタンと活性化領域とが重なり
合う部分をゲートパタンとして抽出し、前記ゲートパタ
ンからゲートエッジを抽出し、前記ゲートパタンの前記
ゲートエッジ近傍における光強度値を計算し、前記光強
度値に基づいて近接効果によるゲート線幅の寸法シフト
量を計算し、前記寸法シフト量が所定の値よりも大きい
ゲートパタンを抽出し、前記寸法シフト量が所定の値よ
りも大きいゲートパタンに対して、そのゲートパタンに
対し前記寸法シフト量に基づいて平行な補助パタンを作
成して、ゲート配線パタンのマスクデータを作成する。

【０００９】また前記補助パタンとゲートパタンとの距
離、および前記補助パタンの幅を変更することにより、
ゲート配線パタンを調整するマスクデータ作成方法とす
る。

【００１０】本発明は上記の構成により、各ゲート毎の
寸法シフト量に相当する寸法を各ゲート毎に修正するこ
とが可能となり、ゲート線幅のバラツキを抑制したＬＳ
Ｉ用のマスクデータが作成出来る。

【００１１】また本発明は上記の構成により、隣接する
ゲートパタン同士の寸法シフト量を同時に考慮すること
により、高密度なゲートパタンを有するＬＳＩに対して
もゲート線幅のバラツキを抑制したマスクデータが作成
出来る。

【００１２】

【発明の実施の形態】（実施例１）以下本発明の第１の
実施例のマスクデータ検証装置の構成について、図面を
参照しながら説明する。

【００１３】図１は本発明の第１の実施例におけるマス
クデータ検証装置の構成を示すものである。図１におい
て１０２はマスクデータ入力部、１０３は検査領域抽出
部、１０４は光強度計算部、１０５は形状計算部、１０
６は現像溶解速度計算部、１０７は検査部、１０８は警
告箇所抽出部、１０９は表示部である。

【００１４】図２は上記のように構成された、マスクデ
ータ検証装置の動作方法のフローチャートである。

【００１５】以下、マスクデータ検証装置の動作及び、
本実施例におけるマスクデータ検証方法について説明す
る。

【００１６】まず、マスクデータ入力部１０２により、
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次に検査領域抽出部１０３によりマスクデータ入力
部１０２より入力されたマスクデータからの検査領域を
抽出する。次に光強度計算部１０４により検査領域抽出
部１０３で抽出された検査領域での光強度分布を計算す
る。次に現像溶解速度計算部１０６により、レジストの
現像溶解速度分布の計算を行なう。次に形状計算部１０
５により光強度分布と現像溶解速度分布を結合すること
によりリソグラフィ工程における加工形状を計算する。
次に検査部１０７により、形状計算部１０５で計算され
た加工形状のリソグラフィ工程におけるマージンを検査
する。次に警告箇所抽出部１０８により、検査部１０７
でリソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足した
部分を抽出する。最後に表示部１０９により警告箇所抽
出部１０８で抽出された部分を警告箇所としてCRT等に
表示してマスクデータ検証装置の動作を終了する。

【００１７】以上のように本実施例によれば、光強度分
布と現像溶解速度分布を結合することによりリソグラフ
ィ工程におけるマージンを設計データから評価し、LSI
の品質の劣化を設計データの段階で発見し、設計変更に
より修正されたマスクデータを作成することが可能とな
る。

【００１８】（実施例２）以下本発明の第２の実施例の
マスクデータ作成装置の構成について、図面を参照しな
がら説明する。

【００１９】図３は本発明の第２の実施例におけるマス
クデータ作成装置の構成を示すものである。

【００２０】図３において２０２はマスクデータ入力
部、２０３は検査領域抽出部、２０４は光強度計算部、
２０５は形状計算部、２０６は現像溶解速度計算部、２
０７は検査部であり、以上の構成は図１に示す第１の実
施例の構成と同様なものである。

【００２１】第１の実施例と異なるのは２０８のマスク
データ修正部と２０９のマスクデータ出力部を設けた点
である。

【００２２】図４は上記のように構成された、マスクデ
ータ作成装置の動作方法のフローチャートである。

【００２３】以下、マスクデータ作成装置の動作及び、
本実施例におけるマスクデータ作成方法について説明す
る。

【００２４】まず、マスクデータ入力部２０２により、
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次に検査領域抽出部２０３によりマスクデータ入力
部２０２より入力されたマスクデータからの検査領域を
抽出する。次に光強度計算部２０４により検査領域抽出
部で抽出された検査領域での光強度分布を計算する。次
に現像溶解速度計算部２０６により、レジストの現像溶
解速度分布の計算を行なう。次に形状計算部２０５によ
り光強度分布と現像溶解速度分布を結合することにより
リソグラフィ工程における加工形状を計算する。次に検
査部２０７により、形状計算部２０５で計算された加工
形状のリソグラフィ工程におけるマージンを検査し、リ
ソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足しない部
分を抽出する。以上の動作は第１の実施例と同様であ
る。

【００２５】次にマスクデータ修正部２０８により、リ
ソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足しない部
分をその規定を満足するように修正する。次に再び形状
計算部２０５により新たに修正されたマスクデータに対
してリソグラフィ工程における加工形状を計算し、以下
検査部２０７とマスクデータ修正部２０８による修正を
全てのパタンにおいてリソグラフィ工程におけるマージ
ンが規定を満足するまで繰り返す。最後に全てのパター
ンにおいてリソグラフィ工程におけるマージンが規定を
満足すれば、マスクデータ出力部２０９により修正され
たマスクデータを出力することによりマスクデータ検証
装置の動作を終了する。

【００２６】以上のように本実施例によれば、リソグラ
フィ工程におけるマージンを設計データから評価し、さ
らにリソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足し
ない部分をその規定を満足するまで修正することによ
り、LSIの品質の劣化が修正されたマスクデータを作成
することが可能となる。

【００２７】（実施例３）以下本発明の第３の実施例の
マスクデータ検証装置の構成について、図面を参照しな
がら説明する。

【００２８】図５は本発明の第３の実施例におけるマス
クデータ検証装置の構成を示すものであり、本実施例は
特に寸法規定が重要なゲートに着目したマスクデータ検
証装置である。

【００２９】図５において３０２はマスクデータ入力
部、３０３はゲート領域抽出部、３０４はゲートエッジ
抽出部、３０５は各ゲート線幅の寸法シフト計算部、３
０８は警告箇抽出部、３０９は表示部である。

【００３０】図６は上記のように構成された、マスクデ
ータ検証装置の動作方法のフローチャートである。

【００３１】以下、ゲート線幅のバラツキ検証装置の動
作及び、本実施例におけるマスクデータ検証方法につい
て図５〜図８を用いて説明する。

【００３２】まず、マスクデータ入力部３０２により、
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部３０３によりマスクデータ入
力部３０２より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タン３１１と活性化領域３１２の重なりからゲートパタ
ン３１３を抽出する。次にゲートエッジ抽出部３０４に
よりゲート領域抽出部３０３で抽出されたゲートパタン
でゲート長の対辺となるゲートエッジ３１４を抽出す
る。次に各ゲート線幅の寸法シフト量評価部により、マ
スクデータ入力部３０２からゲート配線パタン３１１を
入力し、ゲートエッジ抽出部３０４からゲートエッジ３
１４を入力し、ゲートエッジ近傍における光強度を計算
し、その光強度値より近接効果による寸法シフト量を評
価する。

【００３３】一例としては、ゲートエッジ部の上とその
両側に0.1〜0.2μm離れた評価点３１５を設定し、それ
ぞれの評価点での光強度分布３１６を計算し、この３点
での光強度分布の傾きより、臨界解像強度となる閾値３
１７から寸法シフト量３１８を計算する方法がある。

【００３４】次に警告箇所抽出部３０８によりマスクデ
ータ入力部３０２からゲート配線パタン３１１を入力
し、各ゲート線幅の寸法シフト量評価部３０５からゲー
ト線幅の寸法シフト量３１８を入力し、寸法シフト量が
所定の値より大きい場合３１９を抽出する。最後に表示
部３０９により警告箇所抽出部３０８で抽出された部分
３１９を警告箇所としてCRT等に表示してマスクデータ
検証装置の動作を終了する。

【００３５】以上のように本実施例によれば、ゲートエ
ッジを抽出し、その近傍の光強度を計算するだけでゲー
ト線幅の寸法シフトが評価できるので、近接効果による
ゲート線幅のバラツキによるLSIの品質の劣化を設計デ
ータの状態で発見し、設計変更によりゲート線幅のバラ
ツキを抑制するように修正されたゲート配線のマスクデ
ータを作成することが可能となる。

【００３６】（実施例４）以下本発明の第４の実施例の
マスクデータ作成装置の構成について、図面を参照しな
がら説明する。

【００３７】図９は本発明の第４の実施例におけるマス
クデータ作成装置の構成を示すものである。

【００３８】図９において４０２はマスクデータ入力
部、４０３はゲート領域抽出部、４０４はゲートエッジ
抽出部、４０５は各ゲート線幅の寸法シフト計算部であ
り、以上は図５に示した第３の実施例におけるマスクデ
ータ作成装置の構成と同様なものである。

【００３９】図５の構成と異なるのは４０６の線幅修正
量規定部と４０８のマスクデータ修正部と４０９のマス
クデータ出力部を設けた点である。

【００４０】図１０は上記のように構成された、マスク
データ作成装置の動作方法のフローチャートである。

【００４１】以上のように構成された、ゲート線幅修正
装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスクデ
ータの作成方法について、図９〜図１２を用いて説明す
る。

【００４２】まず、マスクデータ入力部４０２により、
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部４０３によりマスクデータ入
力部４０２より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部４０４によりゲート領域抽
出部４０３で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。次に各ゲート線幅の寸
法シフト量評価部４０５により、マスクデータ入力部４
０２からゲート配線パタンを入力し、ゲートエッジ抽出
部４０４からゲートエッジを入力し、ゲートエッジ近傍
における光強度を計算し、その光強度値より近接効果に
よる寸法シフト量を評価する。以上の動作は第３の実施
例と同様である。

【００４３】次に線幅修正量規定部４０６により寸法シ
フト量評価部で計算された寸法シフト量に基づいて各ゲ
ートパタンエッジ部毎に修正量を規定する。ここでは各
ゲートパタンエッジ部毎の修正量をゲートエッジと線幅
パラメータ４１９によって規定している。例えば、ゲー
ト線幅を0.1μm太くするように修正する場合はゲートエ
ッジに線幅パラメータ＋0.1を与える。また、逆にゲー
ト線幅を0.1μm細くするように修正する場合はゲートエ
ッジに線幅パラメータ−0.1を与える。

【００４４】次にマスクデータ修正部４０８により修正
量規定部４０６で設定されたゲート線幅修正量に基づい
て修正されたゲート配線のマスクデータを作成する。こ
こでは、まずゲートエッジ４１４と線幅パラメータ４１
９より、ゲートエッジ部を中心として線幅パラメータで
規定された値の２倍の幅を持ったゲート線幅修正図形４
２０を作成する。次に線幅パラメータがプラスの値をも
つゲート線幅修正図形はゲート配線のマスクデータに加
算し、マイナスの値をもつゲート線幅修正図形はゲート
配線のマスクデータから引き去ることにより修正された
ゲート配線のマスクデータ４２１を作成している。最後
にマスクデータ出力部４０９により、修正されたマスク
データを出力することによりマスクデータ作成装置の動
作を終了する。

【００４５】以上のように本実施例によれば、近接効果
による線幅修正量規定部とマスクデータ修正部を設定す
ることにより、近接効果によるゲート線幅のバラツキを
抑制するように修正されたゲート配線のマスクデータを
作成することが可能となる。

【００４６】なお、ここではゲートエッジ近傍における
光強度を計算し、その光強度値より近接効果による寸法
シフト量を評価したが、光強度計算と現像溶解速度計算
を用いて寸法シフト量を評価してもよい。

【００４７】（実施例５）以下本発明の第５の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。

【００４８】図１３は本発明の第５の実施例におけるマ
スクデータ作成装置の構成を示すものである。

【００４９】図１３において５０２はマスクデータ入力
部、５０３はゲート領域抽出部、５０４はゲートエッジ
抽出部、５０５は各ゲート線幅の寸法シフト計算部、５
０９はマスクデータ出力部であり、以上は図９に示す第
４の実施例の構成と同様なものである。図９と異なるの
は５０７の波形エッジ図形作成部を４０６の線幅修正量
規定部の代わりに設けた点であり、５０８のマスクデー
タ修正部はそれに対応したものとなる。

【００５０】これにより、リソグラフィ工程で形成され
る線幅を実際のマスクデータの線幅を変更する代わり
に、波形エッジ図形の波形のピッチを変更することによ
り調整する機能を備えたものとなる。

【００５１】図１４は以上のように構成された、マスク
データ作成装置の動作方法のフローチャートである。

【００５２】以上のように構成された、ゲート線幅修正
装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスクデ
ータの作成方法について、図１３〜図１６を用いて説明
する。

【００５３】まず、マスクデータ入力部５０２により、
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部５０３によりマスクデータ入
力部５０２より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部５０４によりゲート領域抽
出部５０３で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。次に各ゲート線幅の寸
法シフト量評価部５０５により、マスクデータ入力部５
０２からゲート配線パタンを入力し、ゲートエッジ抽出
部５０４からゲートエッジを入力し、ゲートエッジ近傍
における光強度を計算し、その光強度値より近接効果に
よる寸法シフト量を評価する。以上の動作は上記の第４
の実施例と同様である。

【００５４】次に波形エッジ図形作成部５０７により寸
法シフト量評価部５０５で計算された寸法シフト量に基
づいて各ゲートパタンを波形エッジ図形５２１に変形
し、その波形エッジを表すパラメータを設定する。

【００５５】波形エッジを表すパラメータとリソグラフ
ィ工程で形成される線幅寸法の関係は、図１７に示すよ
うに、リソグラフィ工程で形成される線幅は波形エッジ
図形のピッチ幅を変更することによっても修正できる。
図１７において、５２２は波形エッジの振幅の寸法Ｄｗ
であり、５２３は波形エッジのピッチ幅Ｐｗであり、５
２４は波形エッジの山部分の寸法Ｏｗである。ここで
は、１例として0.4μmの線幅Ｗを持った波形エッジ図形
で波形エッジの振幅の寸法Ｄｗを0.05μm、波形エッジ
の山部分の寸法Ｏｗを0.2μmとして固定したときに、波
形エッジのピッチ幅Ｐｗを0.20μmから0.25μmまで変化
させたときの光強度から計算される線幅寸法を５２５に
示してある。ただし、計算条件は光源はｉ線で干渉度は
0.6で開口数は0.5である。

【００５６】このように、波形エッジ図形を用いると0.
05μm程度（実際には５倍マスクを用いれば0.25μm）の
寸法制御で作成出来るピッチ図形を用いて、リソグラフ
ィ工程で出来上がるパタンに対して0.01μm程度の寸法
修正が可能である。

【００５７】マスクの作成において、0.01μm程度（実
際には５倍マスクを用いれば0.05μm）の寸法を制御す
るためには、非常に高価なマスクを作成する必要がある
が、波形エッジ図形を用いる方法では、高価なマスクを
使用しなくても十分な効果を得ることができる。

【００５８】次にマスクデータ修正部５０８により波形
エッジ図形作成部５０７で作成された波形エッジ図形が
ゲートパタンとなるように修正されたゲート配線のマス
クデータ５２１を作成する。最後にマスクデータ出力部
５０９により、修正されたマスクデータを出力すること
によりマスクデータ作成装置の動作を終了する。

【００５９】以上のように本実施例によれば、高価なマ
スクを使用せずに近接効果によるゲート線幅のバラツキ
を抑制するように修正されたゲート配線のマスクデータ
を作成することが可能となる。

【００６０】なお、ここでは波形エッジ図形による寸法
調整は波形エッジのピッチ幅を変化させて行なったが、
波形エッジの山部分の寸法あるいは波形エッジの振幅の
寸法をそれぞれ単独あるいは組み合わせて変化させても
よい。

【００６１】なお、ここでもゲートエッジ近傍における
光強度を計算し、その光強度値より近接効果による寸法
シフト量を評価したが、光強度計算と現像溶解速度計算
を用いて寸法シフト量を評価してもよい。

【００６２】（実施例６）以下本発明の第６の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。

【００６３】図１８は本発明の第６の実施例におけるマ
スクデータ作成装置の構成を示すものである。

【００６４】図１８において６０２はマスクデータ入力
部、６０３はゲート領域抽出部、６０４はゲートエッジ
抽出部、６０５は各ゲート線幅の寸法シフト計算部、６
０９はマスクデータ出力部であり、以上は図９に示す第
４の実施例の構成と同様なものである。

【００６５】図９に示す第４の実施例と異なるのは６０
７の平行補助パタン作成部を４０６の線幅修正量規定部
の代わりに設けた点であり、６０８のマスクデータ修正
部はそれに対応したものとなる。

【００６６】これにより、ゲート領域となるマスクパタ
ンを直接変更する代わりに、ゲート領域となるマスクパ
タンに対して平行な補助パタンを追加することにより、
パタンの疎密による近接効果を抑制する機能を備えたも
のとなる。

【００６７】図１９は上記のように構成された、マスク
データ作成装置の動作方法のフローチャートである。

【００６８】以上のように構成された、マスクデータ作
成装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスク
データの作成方法について、図１８〜図２１を用いて説
明する。

【００６９】まず、マスクデータ入力部６０２により、
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部６０３によりマスクデータ入
力部６０２より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部６０４によりゲート領域抽
出部６０３で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。次に各ゲート線幅の寸
法シフト量評価部６０５により、マスクデータ入力部６
０２からゲート配線パタンを入力し、ゲートエッジ抽出
部６０４からゲートエッジを入力し、ゲートエッジ近傍
における光強度を計算し、その光強度値より近接効果に
よる寸法シフト量を評価する。以上の動作は第４の実施
例と同様である。

【００７０】次に平行補助パタン作成部６０７により寸
法シフト量評価部６０５で計算された寸法シフト量に基
づいてゲート領域となるマスクパタンに対して平行な補
助パタン６１９を作成する。平行補助パタンを付加した
場合にリソグラフィ工程で形成される線幅寸法の関係は
図２２に示されるように、リソグラフィ工程で形成され
る線幅は平行補助パタンを付加することによっても修正
できる。次にマスクデータ修正部６０８により修正され
たゲート配線のマスクデータ６２１を作成する。最後に
マスクデータ出力部６０９により、修正されたマスクデ
ータを出力することによりマスクデータ作成装置の動作
を終了する。

【００７１】以上のように本実施例によれば、ゲート領
域となるマスクパタンに対して平行な補助パタンを追加
することにより、ゲート線幅のバラツキを抑制するよう
に修正されたゲート配線のマスクデータを作成すること
が可能となる。

【００７２】なお、ここでもゲートエッジ近傍における
光強度を計算し、その光強度値より近接効果による寸法
シフト量を評価したが、光強度計算と現像溶解速度計算
を用いて寸法シフト量を評価してもよい。

【００７３】なお、ゲート線幅の調整には本実施例の方
法、実施例４の線幅パラメータの方法、実施例５の波形
エッジ図形の方法の複数の方法を組み合わせてもよい。

【００７４】（実施例７）以下本発明の第７の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。

【００７５】図２３は本発明の第７の実施例におけるマ
スクデータ作成装置の構成を示すものである。

【００７６】図２３において７０２はマスクデータ入力
部、７０３はゲート領域抽出部、７０４はゲートエッジ
抽出部、７０７は線幅修正量規定部、７０８はマスクデ
ータ修正部、７０９はマスクデータ出力部であり、以上
は図９に示す第４の実施例の構成と同様なものである。

【００７７】図９に示す第４の実施例と異なるのは４０
５の各ゲート線幅の寸法シフト計算部の代わりに７０５
のゲートエッジ上での光強度計算部と７０６の判定部を
設けた点である。これにより、個々のゲート線幅をほぼ
同一の精度で修正できる機能を備えたものとなる。

【００７８】図２４は上記のように構成された、マスク
データ作成装置の動作方法のフローチャートである。

【００７９】以上のように構成された、マスクデータ作
成装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスク
データの作成方法について説明する。

【００８０】まず、マスクデータ入力部７０２により、
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部７０３によりマスクデータ入
力部７０２より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部７０４によりゲート領域抽
出部７０３で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。以上の動作は第４の実
施例と同様である。

【００８１】次にゲートエッジ上の光強度計算部７０５
によりゲートエッジ上での光強度を計算する。これは、
ゲートエッジ上に幾つかの評価点を設定し、その点での
光強度を計算するだけである。次に判定部７０６により
ゲートエッジ上の光強度計算部で計算されたゲートエッ
ジ上での光強度を所定の閾値と比較し、それぞれの光強
度と閾値の差が所定の値より小さいか否かを判定する。
このとき、その差が所定の値より小さい場合はマスクデ
ータ出力部に移り処理を終了するが、小さくない場合は
線幅修正量規定部７０７に移る。線幅修正量規定部７０
７ではゲートエッジ上の光強度と所定の閾値との差に比
例した線幅修正値を設定する。すなわち、リソグラフィ
工程においてポジ型レジストを用いる場合はおいては、
光強度が閾値より大きいときはゲート線幅修正量におい
てゲート線幅が太くなるように修正量を変更する。光強
度が閾値より小さいときはゲート線幅修正量においてゲ
ート線幅が細くなるように修正量を変更する。ただし、
リソグラフィ工程においてネガ型レジストを用いる場合
においては、その逆となる。修正量の規定の方法は第２
の実施例と同様にゲートエッジデータと線幅パラメータ
で表せばよい。さらに、線幅修正量規定後はマスクデー
タ修正部により修正されたゲート配線のマスクデータを
作成する。修正されたゲート配線のマスクデータの作成
方法は第４の実施例と同様である。さらに、その後は再
びゲートエッジ上の光強度計算部により前記マスクデー
タ修正部で作成された修正されたゲート配線のマスクデ
ータを用いてゲートエッジ上での光強度を計算する。こ
れらの判定部からゲートエッジ上の光強度計算部までの
操作を各ゲートエッジ上の光強度と所定の閾値との差が
所定の値より小さくなるまで繰り返す。

【００８２】以上のように本実施例によれば、隣接し合
うゲートの線幅を同時に正確に修正でき、ゲートが密集
した構成を有するLSIに有効な修正されたゲート配線の
マスクデータを作成することが可能となる。

【００８３】なお、ゲート線幅の調整には第５の実施例
に示した波形エッジ図形を用いてもよい。

【００８４】図２５は本実施例において波形エッジ図形
を用いた場合におけるマスクデータ作成装置の構成を示
すものである。また、図２６は波形エッジ図形を用いた
場合におけるマスクデータ作成装置の動作方法のフロー
チャートを示す図である。

【００８５】これにより、高価なマスクを使用せずにゲ
ートが密集した構成を有するLSIに対しても個々のゲー
ト線幅をより正確に修正できる。

【００８６】なお、ゲート線幅の調整には実施例６の平
行補助パタンを用いてもよい。図２７は本実施例におい
て平行補助パタンを用いた場合におけるマスクデータ作
成装置の構成を示すものである。これにより線幅の太い
ゲートは細くなり全体として線幅のバラツキが抑えられ
る。図２８は補助パターンを配置するパラメータとそれ
によって孤立の線幅がどのように変化するかを、シミュ
レーションと実験値によって調べたものである。パラメ
ータＷとＳ１を調整する事によって線幅がコントロール
できることがわかる。図２９は平行補助パタンを用いた
場合におけるマスクデータ作成装置の動作方法のフロー
チャートを示す図である。

【００８７】なお、ゲート線幅の調整には本実施例の方
法、実施例５の波形エッジ図形の方法、実施例６の平行
補助パタンの方法の複数の方法を組み合わせてもよい。

【００８８】（実施例８）以下本発明の実施例を図３０
および図３１を参照しながら説明する。

【００８９】図３０は平行補助パターン作成のフローチ
ャートである。図３１はこれら一連の処理の簡略図であ
る。まずゲートの設計データを入力する。次にそのデー
タを所定の量だけ拡大リサイズしたマスクデータ１を作
成する。再び所定の量だけ縮小リサイズすると、所定の
量の半分以下の間隔を持つゲート及びゲート配線はつな
がって１つになる（図３１（ｂ））。次にそのマスクデ
ータ１を補助パターンの幅Ｗと補助パターンとゲートと
の間隔Ｓ１だけリサイズしたマスクデータ２を作成す
る。次に同じくマスクデータ１を補助パターンとゲート
間隔Ｓ１だけ拡大リサイズしたマスクデータ３を作成す
る。マスクデータ２からマスクデータ３を引く論理処理
を行うとマスクデータ１の周辺に補助パターンができる
マスクデータ４ができる（図３１（ｃ））。次にそのマ
スクデータ４と活性領域とのアンド処理を行えば活性領
域上に補助パターンが形成されるマスクデータ５ができ
る。最後に設計データとマスクデータ５を合わせれば平
行補助パターンのマスクが形成される（図３１
（ｄ））。

【００９０】

【発明の効果】以上のように本発明は、各ゲート毎の寸
法シフト量に相当する寸法を各ゲート毎に修正すること
が可能となり、ゲート線幅のバラツキを抑制したＬＳＩ
用のマスクデータが作成出来る。

【００９１】また本発明は上記の構成により、隣接する
ゲートパタン同士の寸法シフト量を同時に考慮すること
により、高密度なゲートパタンを有するＬＳＩに対して
もゲート線幅のバラツキを抑制したマスクデータが作成
出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明第１の実施例におけるマスクデータ検証
装置の構成図

【図２】同実施例におけるマスクデータ検証方法のフロ
ーチャート

【図３】本発明第２の実施例におけるマスクデータ作成
装置の構成図

【図４】同実施例におけるマスクデータ作成方法のフロ
ーチャート

【図５】本発明第３の実施例におけるマスクデータ検証
装置の構成図

【図６】同実施例におけるマスクデータ検証方法のフロ
ーチャート

【図７】同実施例における処理説明のためのマスクパタ
ンを示す図

【図８】同実施例における処理説明のためのマスクパタ
ンの拡大図

【図９】本発明第４の実施例におけるマスクデータ作成
装置の構成図

【図１０】同実施例におけるマスクデータ作成方法のフ
ローチャート

【図１１】同実施例における処理説明のためのマスクパ
タンを示す図

【図１２】同実施例における処理説明のためのマスクパ
タンの拡大図

【図１３】本発明第５の実施例におけるマスクデータ作
成装置の構成図

【図１４】同実施例におけるマスクデータ作成方法のフ
ローチャート

【図１５】同実施例における処理説明のためのマスクパ
タンを示す図

【図１６】同実施例における処理説明のためのマスクパ
タンの拡大図

【図１７】同実施例における波形エッジ図形の仕様と効
果を示す図

【図１８】本発明第６の実施例におけるマスクデータ作
成装置の構成図

【図１９】同実施例におけるマスクデータ作成方法のフ
ローチャート

【図２０】同実施例における処理説明のためのマスクパ
タンを示す図

【図２１】同実施例における処理説明のためのマスクパ
タンの拡大図

【図２２】同実施例における平行補助パタンの仕様と効
果を示す図

【図２３】本発明第７の実施例におけるマスクデータ作
成装置の構成図

【図２４】同実施例におけるマスクデータ作成方法のフ
ローチャート

【図２５】同実施例のマスクデータ作成装置において波
形エッジ図形を用いた場合の構成図

【図２６】同実施例のマスクデータ作成方法で波形エッ
ジ図形を用いた場合のフローチャート

【図２７】同実施例のマスクデータ作成装置において平
行補助パタンを用いた場合の構成図

【図２８】同実施例の平行補助パタンの作用を示す図

【図２９】同実施例のマスクデータ作成方法で平行補助
パタンを用いた場合のフローチャート

【図３０】本発明第８の実施例の平行補助パタン作成方
法のフローチャート

【図３１】同実施例の平行補助パタン作成方法を示す図

【図３２】従来のマスク修正方法のフローチャート

【符号の説明】

1,101,201,301,401,501,601,701,711,721 設計データ 2,22 マスク 3,33 加工パターン 4 加工パターンの測定データ 102,202,302,402,502,602,702,712,722 マスクデータ
入力部 103,203 検査領域抽出部 303,403,503,603,703,713,723 ゲート領域抽出部 104,204 光強度計算部 304,404,504,604,704,714,724 ゲートエッジ抽出部 105,205 形状計算部 305,405,505,605 各ゲートの線幅の寸法シフト量計算
部 705,715,725 ゲートエッジ上の光強度計算部 106,206 現像溶解速度計算部 406 線幅修正量規定部 706,716,726 判定部 107,207 検査部 507,717 波形エッジ図形作成部 607,727 平行補助パターン作成部 707 線幅修正量規定部 108,308 警告箇所抽出部 208,408,508,608,708,718,728 マスクデータ修正部 109,309 表示部 209,409,509,609,709,719,729 マスクデータ出力部 210,410,510,610,710,720,730 マスクデータ 311,411,511,611,911 ゲート配線パターン 312,412,512,612,812,912 活性領域 313,413,513,613,813 ゲートパターン 314,414,514,614 ゲートエッジ 315,415,515,615 評価点 316,416,516,616 評価点での光強度分布 317,417,517,617 臨界解像度となるしきい値 318,418,518,618 寸法シフト量 319 警告箇所抽出部 419 線幅パラメータ 619 平行な補助パターン 420 ゲート線幅修正図形 421,521,621 修正されたゲート配線のマスクデータ 522 波形エッジの振幅の寸法Ｄｗ 523 波形エッジのピッチ幅Ｐｗ 524 波形エッジの山部分の寸法Ｏｗ 525 波形エッジのＰｗを振った時の線幅 826 平行補助パターンの幅Ｗ 827 平行補助パターンとゲートの間隔Ｓ１

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−83030（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−65055（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−306523（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 1/08 - 1/16

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】入力されたマスク設計データからゲート配
   線パタンと活性化領域とが重なり合う部分をゲートパタ
   ンとして抽出し、 前記ゲートパタンからゲートエッジを抽出し、 前記ゲートパタンの前記ゲートエッジ近傍における光強
   度値を計算し、 前記光強度値に基づいて近接効果によるゲート線幅の寸
   法シフト量を計算し、 前記寸法シフト量が所定の値よりも大きいゲートパタン
   を抽出し、 前記寸法シフト量が所定の値よりも大きいゲートパタン
   に対して、そのゲートパタンに対し前記寸法シフト量に
   基づいて平行な補助パタンを作成して、ゲート配線パタ
   ンのマスクデータを作成するマスクデータ作成方法。
2. 【請求項２】前記補助パタンとゲートパタンとの距離、
   および前記補助パタンの幅を変更することにより、ゲー
   ト配線パタンを調整する請求項１に記載のマスクデータ
   作成方法。