JPH0872307A - 画像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＬＥＤアレイを正確かつ容易に位置決めで
き、フリップチップ接続が容易な基板構成を提供する。 【構成】 ＬＥＤアレイ２をカソード配線基板４に設け
た溝８に搭載し、フリップチップ接続によりアノード配
線基板６に接続する。溝８は端面を斜めにし、ボンディ
ング時のセルフアラインメント機能で溝８内に位置決め
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の利用分野】この発明は、ＬＥＤヘッドやプラズ
マヘッド，イメージセンサ等の画像装置に関する。

【０００２】

【従来技術】発明者は、画像素子アレイを２枚の基板で
サンドイッチした画像装置を提案した（例えば特願平５
−１８０６１３号）。この画像装置では画像素子アレイ
のカソード電極をカソード基板にダイボンドし、アノー
ド電極をアノード基板にフリップチップ接続する。この
ようにすればカソード電極の接続はダイボンドで処理で
き、アノード電極の接続では多数の電極をフリップチッ
プ接続で一挙に処理できる。この発明は、上記の先願を
さらに改良したものである。

【０００３】

【発明の課題】この発明の基本的課題は、 1) 画像素子アレイを凹溝を用いて基板に正確に位置決
めし、かつフリップチップ接続時に画像素子アレイが基
板から突き出さないようにして、フリップチップ接続を
容易にし、 2) 画像素子アレイを凹溝に収容してからフリップチッ
プ接続して、フリップチップ接続時に基板から加わる力
等のために、画像素子アレイが倒れたりずれたりする恐
れを無くすことにある（請求項１〜７）。

【０００４】請求項２，３の発明での追加的課題は、 3) 凹溝の底面に設けたカソード配線に対する画像素子
アレイの位置決め精度を向上させることにある。請求項
４，５，６の発明での追加的課題は、 4) 凹溝の側面に斜面を設けて、凹溝の表面開口を広
げ、凹溝への画像素子アレイの搭載を容易にすると共
に、画像素子アレイが搭載時に倒れることを防止し、 5) 凹溝に正確に画像素子アレイを位置決めし、 6) かつ凹溝の底面にカソード配線を導くことを容易に
することにある。請求項６の発明での追加的課題は、 7) 凹溝でのカソード配線の断線を確実に防止し、かつ
画像素子アレイの収容を特に容易にする傾斜角を提供す
ることにある。請求項７の発明での追加的課題は、 8) 半田で画像素子アレイの高さばらつきを自動的に吸
収することにある。 9) 請求項８の発明での追加的課題は、アノード配線基
板とカソード配線基板間の、電気的接続と機械的結合と
を容易に行えるようにすることにある。 10) 請求項９の発明での追加的課題は、画像素子アレイ
のカソード電極をカソード配線に正確に位置決め固定し
た後、アノード電極をアノード配線に接続し、かつ２つ
の基板間接続配線を接続することにある。

【０００５】

【発明の構成】この発明は、各々下面にカソード電極、
上面に複数個のアノード電極を有する、複数個の画像素
子アレイと、上面に複数個の長方形状の凹溝を有し、且
つ該各凹溝の底面から側面を介し上面へと導出したカソ
ード配線を有する第１基板と、下面に複数個のアノード
配線を有する第２基板とからなり、前記第１基板の各凹
溝内に画像素子アレイを収容し、画像素子アレイのカソ
ード電極を第１基板のカソード配線に接続すると共に、
アノード電極を第２基板のアノード配線にフリップチッ
プ接続したことを特徴とする。好ましくは、前記凹溝底
面内のカソード配線を、複数個の島部と該島部を接続す
る接続配線部とで形成し、あるいは凹溝底面内のカソー
ド配線を、中央部に窪みを有する平板状とする。また好
ましくは、前記凹溝の２つの長辺側側面を傾斜面とし、
且つ第１基板の上面に、画像素子アレイの側面と当接す
る穴部を有する位置合わせプレートを、該穴部を凹溝に
対向させた状態で取り付ける。あるいは好ましくは、前
記凹溝の１つの長辺側側面を傾斜面となし、他の側面を
画像素子アレイの位置合わせ基準面とする。ここで好ま
しくは、前記凹溝の長辺側傾斜面の傾斜角を６０度以下
とする。好ましくは、前記各凹溝内に画像素子アレイを
収容し、画像素子アレイのカソード電極を該凹溝内のカ
ソード配線に半田接続すると共に、各カソード電極と各
カソード配線間の半田厚さを変化させて、各画像素子ア
レイのアノード電極面を同一平面上に位置させる。また
好ましくは、前記第１基板及び第２基板の各々に基板間
接続配線を設けると共に、両基板間接続配線を接続する
ようにする。さらに好ましくは、前記第１基板のカソー
ド配線と画像素子アレイのカソード電極とを半田を介し
て接続するとともに、第１基板及び第２基板の各々に設
けた基板間接続配線を、前記画像素子アレイのカソード
電極と第１基板のカソード配線とを接続する半田よりも
低融点の半田を介して接続する。

【０００６】画像素子アレイにはＬＥＤアレイやＰＬＺ
Ｔアレイ，プラズマアレイ，イメージセンサの光電池ア
レイ等を用い、溝の底面に設けたカソード配線は半田や
金バンプ等で構成する。

【０００７】

【発明の作用】この発明では、画像素子アレイを凹溝に
収容してカソード電極を凹溝内のカソード配線に接続
し、アノード電極を第２基板のアノード配線にフリップ
チップ接続する。このためアレイの位置は凹溝側で位置
決めされ、アノード電極の表面は第１基板の上面とほぼ
揃い、フリップチップ接続が容易になる（請求項１〜
７）。次に凹溝内のカソード配線を島状あるいは中央部
に窪みを有する平板状とすると、カソード配線に画像素
子アレイのカソード電極を半田を介して取着する際、半
田のセルフアラインメント効果によって画像素子アレイ
がカソード配線に対し、所定位置、所定高さに取着する
ことができる（請求項２，３）。また凹溝の長辺側側面
を少なくとも一方で傾斜面にすると、凹溝への画像素子
アレイの収容が容易になり、傾斜面を利用してカソード
配線を凹溝の底部から第１基板上面へ導出でき、断線の
恐れが無い（請求項４，５，６）。ここで画像素子アレ
イの位置決めには例えば基準プレートを用い（請求項
４）、あるいは基準プレート凹溝の一方の長辺側側面に
設けた基準面を利用する（請求項５，６）。傾斜面の傾
斜角は６０度以下が好ましく、この角度でカソード配線
の導出が特に容易で、かつ画像素子アレイの収容が特に
容易になる（請求項６）。請求項７の発明のように、カ
ソード配線とカソード電極間の半田層を可変にすると、
画像素子アレイの高さばらつきを補償し、アノード電極
の高さ位置を多数の画像素子アレイの間で揃え、フリッ
プチップ接続が容易になる。更に第１基板及び第２基板
の各々に基板間接続配線を設け、これを接続すれば２枚
の基板に設けた配線の接続及び２枚の基板の機械的接合
ができる（請求項８）。ここでカソード電極とカソード
配線間の接続用の半田よりも融点の低い半田を、アノー
ド電極とアノード配線間や基板間配線間の接続に用いる
と、画像素子アレイをカソード配線に対して正確に位置
決めした後、アノード電極とアノード配線のフリップチ
ップ接続や基板間接続配線相互の接続を１工程で容易に
行うことができる（請求項９）。

【０００８】

【実施例】図１〜図２０に、実施例とその変形を示す。
図１は、ＬＥＤアレイ２を第１の基板であるカソード配
線基板４と、第２の基板であるアノード配線基板６とで
サンドイッチし、ＬＥＤアレイ２をカソード配線基板４
に設けた凹溝８内に収容した状態を示す。なおＬＥＤア
レイ２は長さが５．４ｍｍ程度で、幅と高さが各々３０
０μｍ程度で、例えば４０個直線状に配列し、１個ずつ
分離して凹溝８内に搭載する。カソード配線基板４は精
度が高く熱膨張率が小さくしかも耐熱性に優れているも
のが好ましいので、実施例では液晶プラスチック基板を
用いるが、ガラスエポキシ基板等の安価な基板等でも良
い。アノード配線基板６は透明基板とし、ここではガラ
ス基板とするが、硬質プリント基板等にＬＥＤアレイ２
からの光を取り出すための穴を設けたものでも良い。１
０は凹溝８内のカソード配線で、ＬＥＤアレイ２の底面
のカソード電極（共通電極）にダイボンドし、凹溝８の
長手方向側面を介して基板４の上面へ引き出す。１２は
ＬＥＤアレイ２のアノード電極（個別電極）とアノード
配線基板６のアノード配線との半田を介してのフリップ
チップ接続部である。また基板４，６はフリップチップ
接続部１２の他に、基板間接続配線部１４，１６でも結
合する。基板間接続配線１４，１６は基板４，６上の２
つの配線を半田バンプ等で接続して一体としたもので、
その作用は２枚の基板間配線の接続や基板４，６の機械
的結合である。この基板間接続配線１４，１６を接続す
る半田バンプはその融点を、ＬＥＤアレイ２のカソード
電極とカソード配線基板４のカソード配線とを接続する
半田よりも低いものとしておくと、カソード電極とカソ
ード配線との間に接続不良を招来することなく両基板間
接続配線１４，１６で接続させることができる。ＬＥＤ
ヘッドにはこれ以外に４０個の単眼レンズがあり、ＬＥ
Ｄアレイ２と１：１に対応するが、ここでは省略する。

【０００９】図２に、凹溝８の構造を示す。凹溝の底面
２０は基板４の上面に平行で、その大きさはＬＥＤアレ
イ２の底面と等しくあるいはアレイ２の底面よりもやや
大きい。凹溝の長辺側側面２２，２２と短辺側側面２
４，２４は何れも斜面で、長辺側斜面２２が底面２０に
対して成す角をα、短辺側斜面２４が底面２０に対して
成す角をβとすると、これらは何れも６０度以下が好ま
しく、より好ましくは３０〜６０度とする。この結果凹
溝８の表面はアレイ２よりもやや大きなものとなる。

【００１０】凹溝８の長辺側側面を斜面２２，２２とせ
ず垂直面としても良いが、このようにすると搭載時にＬ
ＥＤアレイ２が倒れやすい。この機構を図３に示す。凹
溝８の側面を図の想像線のように垂直にすると、アレイ
２が凹溝８の側面のエッジに引っかかり横倒れしやす
い。これに対して凹溝８の側面を斜面２２，２２にする
と、搭載時にアレイ２が横倒れする恐れがない。次に短
辺方向の２側面を斜面２４，２４としないと、図４に示
すようにアレイ２が一方のエッジに乗り上げ、搭載が難
しくなる。さらに凹溝８の４側面が垂直でアレイ２とほ
ぼ同じ大きさの場合、長尺状のアレイ２を凹溝８に搭載
すること自体が難しい。また斜面２２を設けることに
は、凹溝８内にカソード配線１０を設けるのを容易にす
るという役割があり、例えば図５の鎖線で示すような垂
直な側面では、エッジの部分でカソード配線１０が断線
しやすい。

【００１１】このように斜面２２，２４を設けることに
は、アレイ２の搭載を容易にし、特にアレイ２が横倒れ
するのを防ぐと共に、カソード配線１０の形成を容易に
するという意味がある。実施例では凹溝８の４側面を全
て斜面２２，２４としたが、凹溝８の長辺の一方と短辺
の一方の２側面のみを斜面にしても良い。また角度αや
角度βに対する６０度以下との範囲は配線が容易でアレ
イ２の収容が容易であるという点から経験的に求めたも
ので、３０〜６０度との範囲はなるべく小さな凹溝８を
用いながらこれらの目的を達成するという条件で求めた
ものである。

【００１２】図６，図７に、カソード配線１０の詳細を
示す。図において、２６はクリーム半田やフラックス等
の液状物質で、表面張力の高い物質が好ましい。２８は
ＬＥＤアレイ２の発光体で、３０は発光体２８のアノー
ド電極に接続したパッドである。また３２は半田メッキ
等を施した導電性の枠で、図７に示すようにクリーム半
田やフラックス等からなる液状物質２６の周囲を取り巻
いている。さらに斜面２２には半田層を被覆してある。
ＬＥＤアレイ２のカソード電極との接続は枠３２上の半
田メッキで行い、ＬＥＤアレイ２の高さが大きい場合に
は枠３２上の半田メッキが周囲に逃げ、高さが不足する
場合には斜面２２の半田層からの半田が枠３２とカソー
ド電極との間に補給されて、ＬＥＤアレイ２のアノード
電極側の高さを同一平面上に揃える。３３は枠３２から
の配線の引出し部、３５はアレイ２の底面のカソード電
極である。ここでは液状物質２６を配置した部分に仕切
りが無いが、図７の枠３２の上側と下側の間に例えば１
〜３箇所の仕切り等を設けても良い。カソード配線１０
は真空蒸着やスパッタリング等の薄膜プロセスで設けて
も良いが、低価格な設備で製造可能な方法、即ちガラス
エポキシ樹脂やプラスチック基板に貼付された銅箔にフ
ォトリソグラフィー技術及びエッチング加工技術を施す
ことによって形成され、形成されたカソード配線の枠３
２には半田メッキが施されている。この枠３２に施され
ている半田メッキはアレイ２のカソード電極を枠３２上
に装着する際のロウ材として作用する。クリーム半田や
フラックス等の液状物質２６は枠３２の中にディスペン
サや印刷等で塗布すれば良い。

【００１３】液状物質２６には２つの作用があり、その
１つはコレット等によりＬＥＤアレイ２を搭載する際
に、アレイ２がひっくり返ることを防止することであ
る。この点を図８に示す。コレット３４でアレイ２の保
持を停止し、アレイ２を下に降ろすと、底面のカソード
電極３５は最初に液状物質２６に触れ、液状物質２６の
表面張力で姿勢が矯正されるとともに位置決めされ、正
しく枠３２上に乗る。この結果、半田の溶融によるセル
フアラインメント等を用いる前段階では、低価格，低精
度なダイマウンタでＬＥＤアレイ２を搭載可能になる。

【００１４】第２の作用は、アレイ２の高さばらつきを
吸収することである。この機構を図９に示す。２５は斜
面２２に設けた半田層、２７はＬＥＤアレイ２の高さが
小さい場合に半田層２５から枠３２上に補給された半田
である。３６はアノード基板６側の半田バンプで、ＬＥ
Ｄアレイ２には例えば±２０μｍ程度の高さばらつきが
ある。そしてこのような高さばらつきは、パッド３０と
バンプ３６とのフリップチップ接続を妨げる。そこで斜
面２２に半田メッキ等を施しておき、高さが低いときに
はこの半田メッキの半田を供給して高さ調整を行うよう
にする。ここで図９の左側のようにアレイ２の高さが大
きい場合には、液状物質２６が周囲に逃げてアレイ２が
沈み、枠３２上の半田メッキにカソード電極が結合され
る。また図９の右側のようにアレイ２の高さが小さい場
合には、周囲の半田層２５から半田が枠３２上に補給さ
れて、半田２７により枠３２とカソード電極３５とが結
合される。これらのためＬＥＤアレイ２に高さばらつき
が有っても、アレイ２の表面高さが４０個とも揃うこと
になる。

【００１５】実施例ではカソード電極３５とカソード配
線１０との間にセルフアラインメント機能が働き、アレ
イ２はセルフアラインメント機能で枠３２に対して正し
い位置に半田付けされる。即ち液状物質２６とアレイ２
のカソード電極３５及び枠３２は馴染みがよく、液状物
質２６を介してカソード電極３５と枠３２とが互いに引
き寄せられ、アレイ２は枠３２に対して正しい位置に半
田付けされ、凹溝８にアレイ２を最初に収容した時点で
の位置の狂いは、液状物質２６によるセルフアラインメ
ント機能により自動的に矯正される。

【００１６】図１０に、凹溝８内での変形例のカソード
配線４０を示す。カソード配線４０は複数個の島部４２
と各島部４２を接続する接続配線４３とで形成されてい
る。カソード配線４０を複数個の島部４２と各島部４２
を接続する接続配線４３とで形成しておくと、カソード
配線４０にＬＥＤアレイ２のカソード電極３５を枠３２
上の半田を介して結合する際、枠３２上の半田のセルフ
アラインメント効果によってＬＥＤアレイ２のカソード
電極３５がカソード配線４０の所定位置に極めて正確に
接合され、これによってＬＥＤアレイ２のカソード配線
４０に対する接合位置が正確となる。

【００１７】ここで図１に戻り、基板間接続を説明す
る。接続を枠３２や液状物質２６側とアノード配線基板
６側の２工程に分割し、半田層２５や枠３２上の半田メ
ッキを高融点半田とし、半田バンプ３６及び基板間接続
配線１４，１６を低融点半田として、事前に枠３２を用
いてアレイ２を正確に基板４に対して位置決め固定し、
その後にアノード配線基板６とカソード配線基板４を結
合する。即ちカソード配線基板４上に固定されたアレイ
２をアノード配線基板６にフリップチップ接続すると同
時に、基板間接続配線部１４，１６の接続を行う。この
結果、基板間の接続精度とアノード配線の接続精度を向
上させることができると共に、１工程でこれらを接続で
きる。さらにここでは、基板間接続配線１４，１６のセ
ルフアラインメント効果と、アノード電極３０のセルフ
アラインメント効果とを利用することができる。

【００１８】図１１〜図１５に、凹溝８の変形を示す。
図１１の凹溝５０は４辺が垂直で、両側面の基準面５２
と両端の基準面５４を設け、これらの４つの基準面でＬ
ＥＤアレイ２の４端面を位置決めする。この場合、ＬＥ
Ｄアレイ２の凹溝５０内への搭載の作業性は若干劣るも
のの、ＬＥＤアレイ２の４端面を位置決めするためＬＥ
Ｄアレイ２の搭載位置が極めて正確なものとなる。

【００１９】図１２の凹溝５６は一側面及び一端面を基
板４の上面に対し垂直として側面基準面５８、端面基準
面６０とすると共に、他の側面及び端面を前記の斜面２
２，２４とした。このようにすれば引出し部３３の断線
を防止できるし、凹溝５６へのＬＥＤアレイ２の搭載も
より容易になる。そしてアレイ２の位置決めでは、基板
４の上面に垂直な基準面５８，６０を用いる。

【００２０】アレイ２の位置決めには、図１３，図１４
に示す基準プレート６２を用いてもよく、ここでは図１
２の凹溝５６と基準プレート６２を併用したものを示
す。基準プレート６２は例えばステンレスの薄板を用
い、エッチングで正確に穴開けし、基準面６４を形成す
る。そして図１４の状態でアレイ２を凹溝５６に収容
し、プレート６２を図の左側に移動させて、図１３のよ
うにしてアレイ２を位置決めする。このためアレイ２は
基準面５８と基準面６４で位置決めされる。

【００２１】図１３は凹溝５６の長辺側側面の一方を垂
直の基準面５８とした例を示すが、図１５のように双方
の長辺側側面を何れも斜面２２，２２とした凹溝８を用
いても良い。この場合、基準プレート６３の穴でアレイ
２を凹溝８に位置決めする。また基準プレート６２，６
３はアレイ２の搭載後に必要に応じて取り外してもよ
く、あるいはそのまま残しても良い。

【００２２】図１６，図１７に、基板４，６の関係を示
す。図において７０はカソード駆動ＩＣ、７２はアノー
ド駆動ＩＣで、７４はカソード配線である。アノード配
線基板６には、図１７に示すアノード配線７６があり、
絶縁膜７８の下地には下地アノード配線８０がある。こ
れらの配線７６，８０は例えばビアホール等で接続し、
アノード配線は実質上２層の配線である。そして前記の
基板間接続配線部１４，１６は例えば基板４，６の４隅
等に設ける。このようにするとカソード配線７４は基板
４に設け、アノード配線は基板６に２層配線として設
け、これらの相互接続が必要な場合、基板間接続配線１
４，１６と同様に、配線７４，７６を半田バンプ等を介
して接続すれば良いことになる。カソード駆動ＩＣ７
０，アノード駆動ＩＣ７２は特に限定するものではない
が、アレイ２と同様に基板４に設けた凹溝に収容し、例
えばカソード駆動ＩＣ７０は凹溝内のバンプにフリップ
チップ接続し、アノード駆動ＩＣ７２はアノード配線７
６にフリップチップ接続する。次に基板４の配線やＬＥ
Ｄアレイ２，ＩＣ７２を基板６側の配線に接続する。従
って基板４，６間の接続と、アレイ２やＩＣ７２のフリ
ップチップ接続を同時に一挙に行うことができる。

【００２３】図１８にカソード駆動ＩＣ７０とＬＥＤア
レイ２との接続を示し、図１９にアノード駆動ＩＣ７２
とＬＥＤアレイ２との接続を示す。これらの図におい
て、８２は基板４を貫通するスルーホールで、８４は基
板４の裏面側の裏面カソード配線、８６，８８はアノー
ド配線で、４０個のＬＥＤアレイ２を２分割して、左側
の２０個のアレイ２に対する配線８６と、右側の２０個
のアレイ２に対する配線８８の２つから成る。配線８４
は図１７では図示を省略した。カソード駆動ＩＣ７０は
例えば２０個のアレイ２を駆動するためのものを１個設
け、１つの出力端子で２つのアレイ２を駆動するように
する。このため図１９に示すように、２組のアノード配
線８６，８８を設け、アノード駆動ＩＣ７２を２組設け
て、アノード側でＬＥＤアレイ２を２０個ずつ別途に駆
動するようにした。この結果、カソード駆動ＩＣ７０の
個数を２個から１個に削減できる。図１８の配線の特徴
の１つは、カソード配線の引出し部３３がアレイ２の上
下にあることで、これは図６，図７の引出し部３３の配
置に対応する。次の特徴は基板４の２つの表面にほぼ同
数のカソード配線を配置したことである。例えば図１８
では、破線で示した裏面配線はほぼ３本で、実線で示し
た上面側の配線もほぼ３本である。そして基板４の表裏
にほぼ同数の配線を置くことにより、配線幅を小さく
し、基板４の幅を小さくすることができる。また図１８
の場合、１０個示したＬＥＤアレイ２に対してスルーホ
ール８２の数は６個で、スルーホールの数が少ない。こ
れらのため基板４の幅を小さくし、スルーホールの数を
小さくすることができる。なお図１８の配線に対して、
図２０のようにスルーホール８２を全く用いない配線も
可能である。この場合にはアレイ２，２間の隙間をカソ
ード配線９０が通過するようにすることと、凹溝８の両
側に引出し部３３を設けることで、スルーホール８２を
不用にしている。

【００２４】実施例では画像素子アレイとしてＬＥＤア
レイを用いたが、これに限るものではなく例えばＰＬＺ
Ｔアレイやプラズマアレイ，イメージセンサの光電池ア
レイ等でも良い。また凹溝にはアレイ２を１個ずつ搭載
したが、２個のアレイ２，２を密着させて搭載しても良
い。

【００２５】

【発明の効果】この発明では、 1) 画像素子アレイを凹溝に収容するのでその位置決め
が容易で、かつアレイのアノード電極側頂面が凹溝から
突き出さないので、フリップチップ接続が容易になり、 2) 画像素子アレイを凹溝に収容してフリップチップ接
続するので、フリップチップ接続時に画像素子アレイが
倒れたりずれたりすることがない（請求項１〜７）。ま
た請求項２，３の発明では、 3) 凹溝内のカソード配線を島状あるいは中央部に窪み
を有する平板状としたので、カソード配線の所定位置に
画像素子アレイを正確に接合することができる。請求項
４，５，６の発明では、 4) 凹溝の側面に斜面を設けるので、凹溝の表面開口が
広く、凹溝への画像素子アレイの搭載がなり、また画像
素子アレイが搭載時に倒れることがなく、 5) 基準プレートや凹溝の基準面により画像素子アレイ
を正確に位置決めでき、 6) 凹溝の底面と基板上面の間でカソード配線が断線す
ることがない。請求項６の発明ではさらに、 7) 凹溝の傾斜角を特定し、カソード配線の断線をさら
に確実に防止すると共に、画像素子アレイの収容を特に
容易にする。請求項７の発明では、 8) 半田で画像素子アレイの高さばらつきを吸収し、フ
リップチップ接続を容易にする。 9) 請求項８の発明では、アノード配線基板とカソード
配線基板間の、電気的接続と機械的結合とを容易に行え
る。 10) 請求項９の発明では、画像素子アレイのカソード電
極をカソード配線に正確に位置決め固定した後に、アノ
ード電極をアノード配線に接続し、かつ２つの基板間接
続配線を接続することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例の画像装置の要部断面図

【図２】 実施例での凹溝を示す斜視図

【図３】 実施例での凹溝の短辺方向断面図

【図４】 実施例での凹溝の長辺方向断面図

【図５】 実施例での凹溝への電極接続を示す断面図

【図６】 実施例での凹溝でのクリーム半田配置を示
す断面図

【図７】 実施例での凹溝の平面図

【図８】 実施例でのアレイの搭載と横倒れの防止を
示す図

【図９】 実施例でＬＥＤアレイの高さばらつきをク
リーム半田により補正することを示す断面図

【図１０】 変形例での凹溝底面のカソード電極パター
ンを示す図

【図１１】 変形例での凹溝の断面図

【図１２】 変形例の凹溝の斜視図

【図１３】 変形例での基準プレートを示す図

【図１４】 変形例での基準プレートによる位置決め過
程を示す図

【図１５】 変形例の断面図

【図１６】 実施例でのカソード電極基板とアノード電
極基板を示す斜視図

【図１７】 実施例でカソード電極基板とアノード電極
基板とをバンプ接続により基板間接続した状態を示す示
す断面図

【図１８】 実施例でのカソード駆動ＩＣとＬＥＤアレ
イの接続を示す図

【図１９】 実施例でのアノード駆動ＩＣとＬＥＤアレ
イの接続を示す図

【図２０】 変形例でのカソード駆動ＩＣとＬＥＤアレ
イの接続を示す図

【符号の説明】

２ ＬＥＤアレイ ４２ 半田
バンプ ４ カソード配線基板 ４３ 接続
配線部 ６ アノード配線基板 ５０ 凹溝 ８ 凹溝 ５２，５４ 基準
面 １０ 凹溝内のカソード配線 ５６ 凹
溝 １２ フリップチップ接続部 ５８，６０ 基
準面 １４，１６ 基板間接続配線部 ６２，６３ 基
準プレート ２０ 底面 ６４ 基
準面 ２２，２４ 斜面 ７０ カ
ソード駆動ＩＣ ２６ 液状物質 ７２ ア
ノード駆動ＩＣ ２８ 発光体 ７４ カ
ソード配線 ３０ パッド ７６ ア
ノード配線 ３２ 枠 ７８ 絶
縁膜 ３３ 引出し部 ８０ 下
地アノード配線 ３４ コレット ８２ ス
ルーホール ３５ カソード電極 ８４ 裏
面カソード配線 ３６ バンプ ８６，８８ ア
ノード配線 ４０ 凹溝内のカソード配線 ９０ カ
ソード配線

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 各々下面にカソード電極、上面に複数個
   のアノード電極を有する、複数個の画像素子アレイと、 上面に複数個の長方形状の凹溝を有し、且つ該各凹溝の
   底面から側面を介し上面へと導出したカソード配線を有
   する第１基板と、 下面に複数個のアノード配線を有する第２基板とからな
   り、 前記第１基板の各凹溝内に画像素子アレイを収容し、画
   像素子アレイのカソード電極を第１基板のカソード配線
   に接続すると共に、アノード電極を第２基板のアノード
   配線にフリップチップ接続した、ことを特徴とする画像
   装置。
2. 【請求項２】 前記凹溝底面内のカソード配線を、複数
   個の島部と該島部を接続する接続配線部とで形成した、
   ことを特徴とする請求項１に記載の画像装置。
3. 【請求項３】 前記凹溝底面内のカソード配線を、中央
   部に窪みを有する平板状とした、ことを特徴とする請求
   項１に記載の画像装置。
4. 【請求項４】 前記凹溝の２つの長辺側側面を傾斜面と
   し、且つ第１基板の上面に、画像素子アレイの側面と当
   接する穴部を有する位置合わせプレートを、該穴部を凹
   溝に対向させた状態で取り付けた、ことを特徴とする請
   求項１〜３に記載の画像装置。
5. 【請求項５】 前記凹溝の１つの長辺側側面を傾斜面と
   なし、他の側面を画像素子アレイの位置合わせ基準面と
   した、ことを特徴とする請求項１〜３に記載の画像装
   置。
6. 【請求項６】 前記凹溝の長辺側傾斜面の傾斜角を６０
   度以下とした、ことを特徴とする請求項５に記載の画像
   装置。
7. 【請求項７】 前記各凹溝内に画像素子アレイを収容
   し、画像素子アレイのカソード電極を該凹溝内のカソー
   ド配線に半田接続すると共に、各カソード電極と各カソ
   ード配線間の半田厚さを変化させて、各画像素子アレイ
   のアノード電極面を同一平面上に位置させた、ことを特
   徴とする請求項１〜５に記載の画像装置。
8. 【請求項８】 前記第１基板及び第２基板の各々に基板
   間接続配線を設けると共に、両基板間接続配線を接続す
   るようにした請求項１〜７に記載の画像装置。
9. 【請求項９】 前記第１基板のカソード配線と画像素子
   アレイのカソード電極とを半田を介して接続するととも
   に、第１基板及び第２基板の各々に設けた基板間接続配
   線を、前記画像素子アレイのカソード電極と第１基板の
   カソード配線とを接続する半田よりも低融点の半田を介
   して接続するようにした請求項８に記載の画像装置。