JPH06340118A - 画像装置及びその製造方法 - Google Patents
画像装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH06340118A JPH06340118A JP15418793A JP15418793A JPH06340118A JP H06340118 A JPH06340118 A JP H06340118A JP 15418793 A JP15418793 A JP 15418793A JP 15418793 A JP15418793 A JP 15418793A JP H06340118 A JPH06340118 A JP H06340118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wiring
- array
- film
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Landscapes
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 画像装置の基板と一体にレンズを成型して、
安価に基板とレンズアレイとを構成し、画像アレイとレ
ンズアレイとの位置ずれを防止する。基板配線の成膜を
容易にし、かつ画像アレイのフリップチップ接続を容易
にする。 【構成】 プラスチック基板２と一体に単眼レンズ４を
成型し、基板２の表面を粗面化して基板配線８をメッキ
で成膜する。ＬＥＤアレイ６は基板配線８にフリップチ
ップ接続し、接続部で基板配線８を半田膜で構成する。
レンズ４の側からレーザー光でフリップチップ接続部を
加熱し、バンプ１０に半田膜を半田付けする。基板配線
８はＬＥＤアレイ６の列の両側に１／２ずつ配置し、画
像アレイ２個毎に分断してスルーホールを介して、基板
２の裏面で接続する。
安価に基板とレンズアレイとを構成し、画像アレイとレ
ンズアレイとの位置ずれを防止する。基板配線の成膜を
容易にし、かつ画像アレイのフリップチップ接続を容易
にする。 【構成】 プラスチック基板２と一体に単眼レンズ４を
成型し、基板２の表面を粗面化して基板配線８をメッキ
で成膜する。ＬＥＤアレイ６は基板配線８にフリップチ
ップ接続し、接続部で基板配線８を半田膜で構成する。
レンズ４の側からレーザー光でフリップチップ接続部を
加熱し、バンプ１０に半田膜を半田付けする。基板配線
８はＬＥＤアレイ６の列の両側に１／２ずつ配置し、画
像アレイ２個毎に分断してスルーホールを介して、基板
２の裏面で接続する。
Description
【０００１】
【発明の利用分野】この発明は、ＬＥＤヘッドや密着型
イメージセンサ、液晶シャッタアレイヘッド等の、画像
アレイを用いた画像装置とその製造方法とに関する。
イメージセンサ、液晶シャッタアレイヘッド等の、画像
アレイを用いた画像装置とその製造方法とに関する。
【０００２】
【従来技術】ＬＥＤヘッドや液晶シャッタアレイヘッ
ド、密着型イメージセンサ等の画像装置では、ＬＥＤア
レイや液晶シャッタアレイ等の画像アレイを基板に搭載
し、基板配線に接続する。基板配線には通常Ａｌの蒸着
膜等が用いられ、基板には表面の平滑性に優れたガラス
基板が用いられる。
ド、密着型イメージセンサ等の画像装置では、ＬＥＤア
レイや液晶シャッタアレイ等の画像アレイを基板に搭載
し、基板配線に接続する。基板配線には通常Ａｌの蒸着
膜等が用いられ、基板には表面の平滑性に優れたガラス
基板が用いられる。
【０００３】しかし蒸着膜では基板への付着強度が低
く、かつ成膜に時間を要し量産性に乏しい。例えば蒸着
では成膜毎に真空引きをして真空度を得、次いで基板配
線を蒸着して取り出すことになる。これでは１回の成膜
に時間を要し、蒸着装置も大がかりなものが必要とな
る。
く、かつ成膜に時間を要し量産性に乏しい。例えば蒸着
では成膜毎に真空引きをして真空度を得、次いで基板配
線を蒸着して取り出すことになる。これでは１回の成膜
に時間を要し、蒸着装置も大がかりなものが必要とな
る。
【０００４】画像装置では単眼レンズを用いることが検
討されているが、この場合単眼レンズと基板との位置合
わせが決定的に重要となる。位置合わせの精度が低い
と、あるいは熱膨張等により位置合わせが狂うと、印画
像や読み取り画像に白筋や黒筋が発生する。そこで安価
にかつ確実に基板と単眼レンズとの位置合わせを行い、
しかも熱膨張などにより位置合わせが狂わないようにす
る必要がある。
討されているが、この場合単眼レンズと基板との位置合
わせが決定的に重要となる。位置合わせの精度が低い
と、あるいは熱膨張等により位置合わせが狂うと、印画
像や読み取り画像に白筋や黒筋が発生する。そこで安価
にかつ確実に基板と単眼レンズとの位置合わせを行い、
しかも熱膨張などにより位置合わせが狂わないようにす
る必要がある。
【０００５】さらに画像装置では画像アレイを基板配線
にフリップチップ接続することも公知であるが、Ａｌ配
線では半田付けができず、アレイに設けた電極バンプと
Ａｌ配線とを熱圧着することになる。熱圧着には大きな
加圧力を必要とし、脆弱な画像アレイを損傷することが
ある。
にフリップチップ接続することも公知であるが、Ａｌ配
線では半田付けができず、アレイに設けた電極バンプと
Ａｌ配線とを熱圧着することになる。熱圧着には大きな
加圧力を必要とし、脆弱な画像アレイを損傷することが
ある。
【０００６】
【発明の課題】この発明の基本的課題は、 1) 基板と単眼レンズアレイとを安価に設け、 2) 基板と単眼レンズとを正確に位置決めし、かつ熱膨
張などによる位置決めの狂いをなくし、 3) 基板配線に真空プロセスを不要にして、基板配線の
形成を容易にし、 4) 画像アレイと基板配線とのフリップチップ接続を容
易にすることにある（請求項１）。請求項２での課題は
さらに、基板配線の基板への付着力を向上させることに
ある。請求項３での課題はさらに、フリップチップ接続
を半田付けで行えるようにすることにある。請求項４で
の課題はさらに、基板配線の密度を低下させることにあ
る。請求項５での課題は、請求項１，２の課題を満たす
画像装置の製造方法を提供することにある。
張などによる位置決めの狂いをなくし、 3) 基板配線に真空プロセスを不要にして、基板配線の
形成を容易にし、 4) 画像アレイと基板配線とのフリップチップ接続を容
易にすることにある（請求項１）。請求項２での課題は
さらに、基板配線の基板への付着力を向上させることに
ある。請求項３での課題はさらに、フリップチップ接続
を半田付けで行えるようにすることにある。請求項４で
の課題はさらに、基板配線の密度を低下させることにあ
る。請求項５での課題は、請求項１，２の課題を満たす
画像装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【発明の構成と作用】この発明の画像装置は、透明プラ
スチック基板の第１の主面に、多数の受発光素子を設け
た画像アレイを列状に配置するとともに、他方の主面に
は基板と一体に単眼レンズをアレイ状に設け、前記第１
の主面では受発光素子に対向した部分以外の領域を粗面
化して、この粗面化領域上にメッキ膜からなる基板配線
を設け、この基板配線を前記画像アレイの電極バンプに
フリップチップ接続したことを特徴とする。
スチック基板の第１の主面に、多数の受発光素子を設け
た画像アレイを列状に配置するとともに、他方の主面に
は基板と一体に単眼レンズをアレイ状に設け、前記第１
の主面では受発光素子に対向した部分以外の領域を粗面
化して、この粗面化領域上にメッキ膜からなる基板配線
を設け、この基板配線を前記画像アレイの電極バンプに
フリップチップ接続したことを特徴とする。
【０００８】基板を透明プラスチック基板とし単眼レン
ズを一体成型すれば、安価に単眼レンズと基板とを構成
できる。しかも単眼レンズは最初から基板と一体なの
で、両者の位置合わせの必要がなく、また熱膨張などに
より位置合わせが狂うこともない。この結果、白筋や黒
筋の発生などの問題を最初から解消することができる。
基板配線はメッキで成膜し、メッキ膜との密着性を高め
るためにサンドブラストやエッチング等により基板を粗
面化する。粗面化する領域は、画像アレイの受発光素子
を除いた部分で、この領域を全面的にあるいは部分的に
粗面化する。この結果、真空蒸着やスパッタリングなし
で基板配線を形成でき、かつプラスチックはガラスより
も金属との馴染みが良いためメッキ膜との付着力も高
い。基板の裏面に単眼レンズがあるので画像アレイはフ
リップチップ接続に限られ、かつメッキ膜に銅膜や半田
膜などを用いれば容易にフリップチップ接続できる。
ズを一体成型すれば、安価に単眼レンズと基板とを構成
できる。しかも単眼レンズは最初から基板と一体なの
で、両者の位置合わせの必要がなく、また熱膨張などに
より位置合わせが狂うこともない。この結果、白筋や黒
筋の発生などの問題を最初から解消することができる。
基板配線はメッキで成膜し、メッキ膜との密着性を高め
るためにサンドブラストやエッチング等により基板を粗
面化する。粗面化する領域は、画像アレイの受発光素子
を除いた部分で、この領域を全面的にあるいは部分的に
粗面化する。この結果、真空蒸着やスパッタリングなし
で基板配線を形成でき、かつプラスチックはガラスより
も金属との馴染みが良いためメッキ膜との付着力も高
い。基板の裏面に単眼レンズがあるので画像アレイはフ
リップチップ接続に限られ、かつメッキ膜に銅膜や半田
膜などを用いれば容易にフリップチップ接続できる。
【０００９】好ましくは基板配線を金属下地のメッキ膜
上に導電体のメッキ膜を積層したものとし、金属下地膜
により基板との付着力を確保し、導電体膜により導電性
を確保する。金属下地膜には例えばＮｉ，Ｃｒ，Ｔｉ等
の無電解メッキ膜を用い、導電体のメッキ膜には例えば
銅膜や半田膜を用いる。さてフリップチップ接続部で基
板配線に半田メッキがあれば、画像アレイの電極バンプ
とのフリップチップ接続を半田付けで実現できる。この
結果、熱圧着時の圧力による画像アレイの損傷という問
題は解消し、かつ加圧しながら電気炉中で熱圧着するの
に比べて短時間で容易にフリップチップ接続できる。半
田メッキ膜は銅メッキ膜からなる導電体膜上にフリップ
チップ接続部のみをメッキして部分的に設けても良い
が、導電体膜全体を半田メッキ膜とすると工程数が減少
する。
上に導電体のメッキ膜を積層したものとし、金属下地膜
により基板との付着力を確保し、導電体膜により導電性
を確保する。金属下地膜には例えばＮｉ，Ｃｒ，Ｔｉ等
の無電解メッキ膜を用い、導電体のメッキ膜には例えば
銅膜や半田膜を用いる。さてフリップチップ接続部で基
板配線に半田メッキがあれば、画像アレイの電極バンプ
とのフリップチップ接続を半田付けで実現できる。この
結果、熱圧着時の圧力による画像アレイの損傷という問
題は解消し、かつ加圧しながら電気炉中で熱圧着するの
に比べて短時間で容易にフリップチップ接続できる。半
田メッキ膜は銅メッキ膜からなる導電体膜上にフリップ
チップ接続部のみをメッキして部分的に設けても良い
が、導電体膜全体を半田メッキ膜とすると工程数が減少
する。
【００１０】好ましくは基板配線を画像アレイの列の一
方の側に設けた第１の基板配線と列の他方の側に設けた
第２の基板配線とで構成し、各基板配線を画像アレイ２
個毎にほぼＵ字状に折り返して分断された配線とし、基
板の裏面には単眼レンズを設けた領域以外の部分に裏面
配線を設けて、各基板配線と裏面配線とをスルーホール
で接続する。このようにすれば基板配線の密度は１／２
に低下し、メッキで多数の個別配線からなる基板配線を
設けるのが容易になる。メッキによる成膜では高密度配
線には限界があるが、基板配線を２つに分けると問題も
解消する。
方の側に設けた第１の基板配線と列の他方の側に設けた
第２の基板配線とで構成し、各基板配線を画像アレイ２
個毎にほぼＵ字状に折り返して分断された配線とし、基
板の裏面には単眼レンズを設けた領域以外の部分に裏面
配線を設けて、各基板配線と裏面配線とをスルーホール
で接続する。このようにすれば基板配線の密度は１／２
に低下し、メッキで多数の個別配線からなる基板配線を
設けるのが容易になる。メッキによる成膜では高密度配
線には限界があるが、基板配線を２つに分けると問題も
解消する。
【００１１】例えば個別配線の総数が６４本の場合、例
えば３２本ずつの２つの基板配線を画像アレイの列の両
側に設ける。基板配線はほぼＵ字状の形状とし、その両
端を画像アレイの電極バンプにフリップチップ接続する
ので、両端が他の部分に接続されず孤立してしまう。そ
こでプラスチック基板にスルーホールを設け、スルーホ
ール，基板の裏面配線，次のＵ字状の基板配線の順に接
続せ、分断した基板配線を相互に接続する。
えば３２本ずつの２つの基板配線を画像アレイの列の両
側に設ける。基板配線はほぼＵ字状の形状とし、その両
端を画像アレイの電極バンプにフリップチップ接続する
ので、両端が他の部分に接続されず孤立してしまう。そ
こでプラスチック基板にスルーホールを設け、スルーホ
ール，基板の裏面配線，次のＵ字状の基板配線の順に接
続せ、分断した基板配線を相互に接続する。
【００１２】このような画像装置は例えば、プラスチッ
クで基板と単眼レンズとを一体成型する工程と、基板の
単眼レンズを設けた側の反対側の主面を部分的に粗面化
する工程と、粗面化した基板の主面上に金属下地膜をメ
ッキする工程と、金属下地膜上に導電体膜をメッキする
工程と、導電体膜上に画像アレイをフリップチップ接続
する工程とで製造する。ここで好ましくはフリップチッ
プ接続部で導電体膜を半田メッキ膜とし、レンズ側から
レーザー光や赤外線等で電極バンプの付近を局所的に加
熱し半田付けする。このようにすれば例えばレーザーで
走査するだけで、あるいは赤外線で加熱するだけで、フ
リップチップ接続ができる。
クで基板と単眼レンズとを一体成型する工程と、基板の
単眼レンズを設けた側の反対側の主面を部分的に粗面化
する工程と、粗面化した基板の主面上に金属下地膜をメ
ッキする工程と、金属下地膜上に導電体膜をメッキする
工程と、導電体膜上に画像アレイをフリップチップ接続
する工程とで製造する。ここで好ましくはフリップチッ
プ接続部で導電体膜を半田メッキ膜とし、レンズ側から
レーザー光や赤外線等で電極バンプの付近を局所的に加
熱し半田付けする。このようにすれば例えばレーザーで
走査するだけで、あるいは赤外線で加熱するだけで、フ
リップチップ接続ができる。
【００１３】
【実施例】図１〜図５に実施例を示す。図１において、
２はプラスチック基板で、エポキシやアクリルあるいは
ポリカーボネイト等の透明プラスチック基板を用いる。
４は単眼レンズでアレイ状に形成し、例えばＬＥＤアレ
イ６の１個毎に設ける。単眼レンズ４はプラスチック基
板２と一体成型する。６はＬＥＤアレイで、基板２の第
１の主面に沿って例えば直線状に４０個程度配置し、Ｌ
ＥＤアレイ６の他にＭＯＳＣＣＤアレイ等を用いても良
い。基板２の第１の主面には基板配線８を施し、ＬＥＤ
アレイ６の電極に接続した電極バンプ１０とフリップチ
ップ接続する。１２はクリップ端子で、ＬＥＤアレイ６
の共通電極に接続し、例えば基板２の反対側の主面へ接
続する。ＬＥＤアレイ６の共通電極の接続方法は、クリ
ップ端子１２を用いるものの他、任意のものを用いるこ
とができる。
２はプラスチック基板で、エポキシやアクリルあるいは
ポリカーボネイト等の透明プラスチック基板を用いる。
４は単眼レンズでアレイ状に形成し、例えばＬＥＤアレ
イ６の１個毎に設ける。単眼レンズ４はプラスチック基
板２と一体成型する。６はＬＥＤアレイで、基板２の第
１の主面に沿って例えば直線状に４０個程度配置し、Ｌ
ＥＤアレイ６の他にＭＯＳＣＣＤアレイ等を用いても良
い。基板２の第１の主面には基板配線８を施し、ＬＥＤ
アレイ６の電極に接続した電極バンプ１０とフリップチ
ップ接続する。１２はクリップ端子で、ＬＥＤアレイ６
の共通電極に接続し、例えば基板２の反対側の主面へ接
続する。ＬＥＤアレイ６の共通電極の接続方法は、クリ
ップ端子１２を用いるものの他、任意のものを用いるこ
とができる。
【００１４】図２に、単眼レンズ４の側から見た基板２
の配置を示す。ＬＥＤアレイ６の発光体の数を６４個と
すると、基板配線８は６４本の個別配線８−１〜８−６
４からなり、個別配線８−１〜８−３２は図での上側
に、個別配線８−３３〜８−６４は図での下側に配置す
る。各個別配線８−１〜８−６４はほぼＵ字状をなし、
ＬＥＤアレイ６の２個毎に分断して設ける。基板配線８
は個別配線８−１〜８−３２からなる第１の基板配線
と、個別配線８−３３〜８−６４からなる第２の基板配
線とに分割して配置し、ＬＥＤアレイ６の列の両方に設
ける。個別配線８−１〜８−６４は２つの電極バンプ１
０，１０の間をＵ字状に折り返して第１の主面では他に
はつながらないので、スルーホール１４を設けて基板２
の裏面を介して相互に接続する。１６はスルーホール１
４の列で、スルーホール１４の配列ピッチには０．８ｍ
ｍ程度が必要なので、スルーホールの列１６は２列にし
かも基板２の長手方向に対して斜めに配置する。プラス
チック基板２の裏面（単眼レンズ４側の主面）には裏面
配線２０を設け、スルーホール１４を介して基板配線８
と接続する。このようにＬＥＤアレイ６の２個毎に分断
した基板配線８を、スルーホールの列１６と裏面配線２
０並びに次のスルーホールの列１６を通じて相互に接続
する。
の配置を示す。ＬＥＤアレイ６の発光体の数を６４個と
すると、基板配線８は６４本の個別配線８−１〜８−６
４からなり、個別配線８−１〜８−３２は図での上側
に、個別配線８−３３〜８−６４は図での下側に配置す
る。各個別配線８−１〜８−６４はほぼＵ字状をなし、
ＬＥＤアレイ６の２個毎に分断して設ける。基板配線８
は個別配線８−１〜８−３２からなる第１の基板配線
と、個別配線８−３３〜８−６４からなる第２の基板配
線とに分割して配置し、ＬＥＤアレイ６の列の両方に設
ける。個別配線８−１〜８−６４は２つの電極バンプ１
０，１０の間をＵ字状に折り返して第１の主面では他に
はつながらないので、スルーホール１４を設けて基板２
の裏面を介して相互に接続する。１６はスルーホール１
４の列で、スルーホール１４の配列ピッチには０．８ｍ
ｍ程度が必要なので、スルーホールの列１６は２列にし
かも基板２の長手方向に対して斜めに配置する。プラス
チック基板２の裏面（単眼レンズ４側の主面）には裏面
配線２０を設け、スルーホール１４を介して基板配線８
と接続する。このようにＬＥＤアレイ６の２個毎に分断
した基板配線８を、スルーホールの列１６と裏面配線２
０並びに次のスルーホールの列１６を通じて相互に接続
する。
【００１５】図３にフリップチップ接続部を示し、図４
に接続直前の状態を側面から見て示す。ＬＥＤアレイ６
はＧａＡｓ等の半導体基板からなり、図の２２は個別の
発光体でＬＥＤアレイ６に例えば６４個設ける。２４は
ＬＥＤアレイ６の電極で例えばＡｌ膜をエッチングして
設け、フリップチップ接続部ではＡｌ電極２４の上に電
極バンプ１０を積層する。図４に移ると、電極バンプ１
０はＮｉやＣｒあるいはＴｉ等の金属下地膜上にＡｕや
Ａｕ−Ｐｄ，Ｐｄ等の膜を積層したもので、ここでは金
属下地膜としてＮｉメッキ層２６を用い、その上部にＡ
ｕメッキ層２８を積層した。
に接続直前の状態を側面から見て示す。ＬＥＤアレイ６
はＧａＡｓ等の半導体基板からなり、図の２２は個別の
発光体でＬＥＤアレイ６に例えば６４個設ける。２４は
ＬＥＤアレイ６の電極で例えばＡｌ膜をエッチングして
設け、フリップチップ接続部ではＡｌ電極２４の上に電
極バンプ１０を積層する。図４に移ると、電極バンプ１
０はＮｉやＣｒあるいはＴｉ等の金属下地膜上にＡｕや
Ａｕ−Ｐｄ，Ｐｄ等の膜を積層したもので、ここでは金
属下地膜としてＮｉメッキ層２６を用い、その上部にＡ
ｕメッキ層２８を積層した。
【００１６】プラスチック基板２側ではＮｉやＣｒ，Ｔ
ｉ等の金属下地膜３０上に、半田メッキ層３２を積層
し、個別配線８−１〜８−６４とした。金属下地膜３０
は例えばＮｉの無電解メッキにより形成し、不要部をエ
ッチングやリフトオフ等により除去する。金属下地膜３
０の膜厚は例えば２〜３μｍ程度が好ましい。半田メッ
キ層３２は基板２を半田浴に浸すことで形成し、膜厚は
例えば１〜１００μｍ、好ましくは５〜２０μｍ程度と
する。膜厚がこれよりも大きいと基板２への付着力が低
下し、薄すぎると電極バンプ１０との半田付けが難しく
なる。３４は粗面化部で、発光体２２に向き合った部分
と単眼レンズ４の表面部とを除いて、基板２の表裏をサ
ンドブラストやエッチング等により粗面化して形成す
る。粗面化の程度は表面粗さ計で測定した平均表面粗さ
として例えば０．１〜５μｍ程度、好ましくは０．３〜
３μｍ程度とし、粗さをこれ以上大きくするとＬＥＤア
レイ６の搭載精度に影響し、これ以下では金属下地膜３
０の付着強度が低下する。図４には特に示さなかった
が、裏面配線２０も基板２の表面を粗面化した上に金属
下地膜３０と半田メッキ層３２とを積層して形成する。
半田メッキ層３２を用いる理由は、電極バンプ１０との
半田付けを容易にすることである。そこで半田メッキ層
３２に替えて例えば銅メッキ層を用い、電極バンプ１０
とフリップチップ接続する部分に、クリーム半田等を塗
布しても良い。しかし実施例のようにすればクリーム半
田の塗布が不要になるし、また塗布したクリーム半田に
よって個別配線８−１〜８−６４がショートする危険性
もなくなる。
ｉ等の金属下地膜３０上に、半田メッキ層３２を積層
し、個別配線８−１〜８−６４とした。金属下地膜３０
は例えばＮｉの無電解メッキにより形成し、不要部をエ
ッチングやリフトオフ等により除去する。金属下地膜３
０の膜厚は例えば２〜３μｍ程度が好ましい。半田メッ
キ層３２は基板２を半田浴に浸すことで形成し、膜厚は
例えば１〜１００μｍ、好ましくは５〜２０μｍ程度と
する。膜厚がこれよりも大きいと基板２への付着力が低
下し、薄すぎると電極バンプ１０との半田付けが難しく
なる。３４は粗面化部で、発光体２２に向き合った部分
と単眼レンズ４の表面部とを除いて、基板２の表裏をサ
ンドブラストやエッチング等により粗面化して形成す
る。粗面化の程度は表面粗さ計で測定した平均表面粗さ
として例えば０．１〜５μｍ程度、好ましくは０．３〜
３μｍ程度とし、粗さをこれ以上大きくするとＬＥＤア
レイ６の搭載精度に影響し、これ以下では金属下地膜３
０の付着強度が低下する。図４には特に示さなかった
が、裏面配線２０も基板２の表面を粗面化した上に金属
下地膜３０と半田メッキ層３２とを積層して形成する。
半田メッキ層３２を用いる理由は、電極バンプ１０との
半田付けを容易にすることである。そこで半田メッキ層
３２に替えて例えば銅メッキ層を用い、電極バンプ１０
とフリップチップ接続する部分に、クリーム半田等を塗
布しても良い。しかし実施例のようにすればクリーム半
田の塗布が不要になるし、また塗布したクリーム半田に
よって個別配線８−１〜８−６４がショートする危険性
もなくなる。
【００１７】図５に、ＬＥＤアレイ６のフリップチップ
接続までの工程を示す。ポリカーボネイトやエポキシあ
るいはアクリル等のプラスチックを用いて、基板２と単
眼レンズ４を一体成型する。次に発光体２２に向き合う
ことになる部分と単眼レンズ４の表面とをマスクして、
サンドブラストやエッチング等により基板を粗面化す
る。これによって粗面化部３４を形成する。粗面化部３
４を形成する前後に基板２に穴開け加工を施し、次いで
Ｎｉのメッキ液中に基板２を浸して、無電解メッキによ
りＮｉメッキを行う。続いて不要部をエッチングし、金
属下地膜３０を形成する。この後基板２を溶融半田に浸
して半田を金属下地膜３０の上にのみ付着させ、特にパ
ターンニングを行わずに半田メッキ層３２を得る。これ
らの後にスルーホール加工を施し、裏面配線２０と基板
配線８とを接続する。
接続までの工程を示す。ポリカーボネイトやエポキシあ
るいはアクリル等のプラスチックを用いて、基板２と単
眼レンズ４を一体成型する。次に発光体２２に向き合う
ことになる部分と単眼レンズ４の表面とをマスクして、
サンドブラストやエッチング等により基板を粗面化す
る。これによって粗面化部３４を形成する。粗面化部３
４を形成する前後に基板２に穴開け加工を施し、次いで
Ｎｉのメッキ液中に基板２を浸して、無電解メッキによ
りＮｉメッキを行う。続いて不要部をエッチングし、金
属下地膜３０を形成する。この後基板２を溶融半田に浸
して半田を金属下地膜３０の上にのみ付着させ、特にパ
ターンニングを行わずに半田メッキ層３２を得る。これ
らの後にスルーホール加工を施し、裏面配線２０と基板
配線８とを接続する。
【００１８】配線８，２０の形成後にＬＥＤアレイ６を
搭載し、クリップ端子１２を用いて仮止めする。クリッ
プ端子１２には仮止めができる程度の弾性があるものが
好ましい。次に図５の半導体レーザー４０，４０等を用
い、単眼レンズ４の側から可視光や赤外線等を照射し
て、半田メッキ層３２を溶かし、電極バンプ１０に半田
付けする。半田はプラスチック基板２の表面には直接付
着せず、金属下地膜３０がある部分にのみ付着するの
で、半田メッキ層３２を溶融させても個別配線８−１〜
８−６４がショートする恐れはない。
搭載し、クリップ端子１２を用いて仮止めする。クリッ
プ端子１２には仮止めができる程度の弾性があるものが
好ましい。次に図５の半導体レーザー４０，４０等を用
い、単眼レンズ４の側から可視光や赤外線等を照射し
て、半田メッキ層３２を溶かし、電極バンプ１０に半田
付けする。半田はプラスチック基板２の表面には直接付
着せず、金属下地膜３０がある部分にのみ付着するの
で、半田メッキ層３２を溶融させても個別配線８−１〜
８−６４がショートする恐れはない。
【００１９】このようにすればフリップチップ接続を半
田付けで行うことができ、レーザー４０，４０で基板２
の裏面を走査するだけでフリップチップ接続を行うこと
ができる。また半田付けはＡｌの基板配線への熱圧着と
異なりクリップ端子１２からの小さな圧力で位置決めす
るだけでよく、ＬＥＤアレイ６の脆弱なＧａＡｓ基板を
破壊する恐れがない。さらに光による局所的な加熱なの
でプラスチック基板２や単眼レンズ４を変形させたり、
フリップチップ接続部以外の半田メッキ層３２を溶かし
たりすることもない。このため耐熱性の低いプラスチッ
ク基板２や融点の低い半田メッキ層３２でも問題は生じ
ず、リフロー炉を通す必要がないので半田付けに必要な
時間も短く、半田中のフラックスがリフロー炉でＬＥＤ
アレイ６に付着する等の問題もない。
田付けで行うことができ、レーザー４０，４０で基板２
の裏面を走査するだけでフリップチップ接続を行うこと
ができる。また半田付けはＡｌの基板配線への熱圧着と
異なりクリップ端子１２からの小さな圧力で位置決めす
るだけでよく、ＬＥＤアレイ６の脆弱なＧａＡｓ基板を
破壊する恐れがない。さらに光による局所的な加熱なの
でプラスチック基板２や単眼レンズ４を変形させたり、
フリップチップ接続部以外の半田メッキ層３２を溶かし
たりすることもない。このため耐熱性の低いプラスチッ
ク基板２や融点の低い半田メッキ層３２でも問題は生じ
ず、リフロー炉を通す必要がないので半田付けに必要な
時間も短く、半田中のフラックスがリフロー炉でＬＥＤ
アレイ６に付着する等の問題もない。
【００２０】フリップチップ接続部のみを局所的に加熱
するためレーザー４０を用いることが好ましいが、リフ
ロー炉による全体的加熱やフラックスによる汚染を避け
るだけであれば通常の光源を用いた赤外線加熱でも良
い。このような例を図６に示す。図の４２は赤外線ラン
プで、４４は断面が放物線形の反射鏡であり、赤外線ラ
ンプ４２からの光を反射鏡４４で平行光線に変え、ＬＥ
Ｄアレイ６の裏面のみを局所的に加熱する。
するためレーザー４０を用いることが好ましいが、リフ
ロー炉による全体的加熱やフラックスによる汚染を避け
るだけであれば通常の光源を用いた赤外線加熱でも良
い。このような例を図６に示す。図の４２は赤外線ラン
プで、４４は断面が放物線形の反射鏡であり、赤外線ラ
ンプ４２からの光を反射鏡４４で平行光線に変え、ＬＥ
Ｄアレイ６の裏面のみを局所的に加熱する。
【００２１】実施例の作用を示す。実施例の基本的概念
は基板２と単眼レンズ４とを一体にすることである。こ
れはプラスチック基板２を用い一体成型を行うことで達
成される。この結果、基板２と単眼レンズ４との位置合
わせは成型時に行われ、周囲温度の変動による熱膨張等
で位置合わせが狂うとの問題も解消する。ＬＥＤアレイ
６は基板配線８に位置合わせされており、単眼レンズ４
が基板２と一体なので、ＬＥＤアレイ６は基板配線８を
介して単眼レンズ４に位置合わせされる。
は基板２と単眼レンズ４とを一体にすることである。こ
れはプラスチック基板２を用い一体成型を行うことで達
成される。この結果、基板２と単眼レンズ４との位置合
わせは成型時に行われ、周囲温度の変動による熱膨張等
で位置合わせが狂うとの問題も解消する。ＬＥＤアレイ
６は基板配線８に位置合わせされており、単眼レンズ４
が基板２と一体なので、ＬＥＤアレイ６は基板配線８を
介して単眼レンズ４に位置合わせされる。
【００２２】実施例の次の概念は、基板配線８にメッキ
膜を用い、Ａｌの真空蒸着等を不要にすることである。
そしてこれによって画像装置の量産性が大幅に向上す
る。プラスチック基板２はガラス基板よりも金属下地膜
３０との馴染みが良く、基板配線８や裏面配線２０を設
ける部分を粗面化することにより配線８，２０と基板２
との付着力をさらに向上させる。半田メッキ層３２は単
独では基板２に付着しないが、中間に金属下地膜３０を
設けることにより半田メッキ層３２を容易に形成するこ
とができる。
膜を用い、Ａｌの真空蒸着等を不要にすることである。
そしてこれによって画像装置の量産性が大幅に向上す
る。プラスチック基板２はガラス基板よりも金属下地膜
３０との馴染みが良く、基板配線８や裏面配線２０を設
ける部分を粗面化することにより配線８，２０と基板２
との付着力をさらに向上させる。半田メッキ層３２は単
独では基板２に付着しないが、中間に金属下地膜３０を
設けることにより半田メッキ層３２を容易に形成するこ
とができる。
【００２３】メッキによる基板配線８は真空蒸着による
Ａｌ配線に比べて、高密度化には適していない。そこで
基板配線８をＬＥＤアレイ６の上側に設けた個別配線８
−１〜８−３２からなる第１の基板配線と下側に設けた
個別配線８−３３〜８−６４からなる第２の基板配線と
に分割し、配線の密度を１／２に低下させる。個別配線
８−１〜８−６４をほぼＵ字状の形状とし、両端をＬＥ
Ｄアレイ６の電極バンプ１０にフリップチップ接続し
た。これはフリップチップ接続に適した形状である。こ
のようにすると各個別配線８−１〜８−６４はＬＥＤア
レイ６の２個毎に孤立するので、スルーホール１４と裏
面配線２０とを用いて相互に接続した。そしてプラスチ
ック基板２ではスルーホール１４を設けるのが容易で、
裏面配線２０は基板配線８と同じプロセスにより同時に
形成することができる。
Ａｌ配線に比べて、高密度化には適していない。そこで
基板配線８をＬＥＤアレイ６の上側に設けた個別配線８
−１〜８−３２からなる第１の基板配線と下側に設けた
個別配線８−３３〜８−６４からなる第２の基板配線と
に分割し、配線の密度を１／２に低下させる。個別配線
８−１〜８−６４をほぼＵ字状の形状とし、両端をＬＥ
Ｄアレイ６の電極バンプ１０にフリップチップ接続し
た。これはフリップチップ接続に適した形状である。こ
のようにすると各個別配線８−１〜８−６４はＬＥＤア
レイ６の２個毎に孤立するので、スルーホール１４と裏
面配線２０とを用いて相互に接続した。そしてプラスチ
ック基板２ではスルーホール１４を設けるのが容易で、
裏面配線２０は基板配線８と同じプロセスにより同時に
形成することができる。
【００２４】実施例ではＬＥＤヘッドを示したが、これ
に限らず例えばイメージセンサ等でも同様に画像装置を
構成することができる。
に限らず例えばイメージセンサ等でも同様に画像装置を
構成することができる。
【００２５】
【発明の効果】請求項１の発明では、 1) 基板と単眼レンズアレイとをプラスチックで安価に
設け、 2) 一体成型により、基板と単眼レンズとを正確に位置
決めし、かつ熱膨張などによる位置決めの狂いをなく
し、 3) 基板配線に真空プロセスを不要にして、基板配線の
形成を容易にし、 4) 画像アレイと基板配線とのフリップチップ接続を容
易にする。請求項２の発明ではさらに、 5) 基板への付着力に優れた金属下地膜を用い、基板配
線の基板への付着力を向上させる。請求項３の発明では
さらに、 6) 導電体膜を半田メッキ膜で構成するので、フリップ
チップ接続を半田付けで行え、しかも銅メッキ膜上に特
定の部分のみ半田メッキを施す等の工程の増加がない。
請求項４の発明ではさらに、 7) 基板配線の密度を低下させてメッキによる基板配線
の成膜を容易にし、高解像度の画像装置への対応を容易
にする。またプラスチック基板を用いるためスルーホー
ルを設けるのが容易で、裏面配線を用いて分断した基板
配線を接続する。請求項５の発明では、上記1)〜5)の効
果を備えた画像装置の製造方法を提供する。
設け、 2) 一体成型により、基板と単眼レンズとを正確に位置
決めし、かつ熱膨張などによる位置決めの狂いをなく
し、 3) 基板配線に真空プロセスを不要にして、基板配線の
形成を容易にし、 4) 画像アレイと基板配線とのフリップチップ接続を容
易にする。請求項２の発明ではさらに、 5) 基板への付着力に優れた金属下地膜を用い、基板配
線の基板への付着力を向上させる。請求項３の発明では
さらに、 6) 導電体膜を半田メッキ膜で構成するので、フリップ
チップ接続を半田付けで行え、しかも銅メッキ膜上に特
定の部分のみ半田メッキを施す等の工程の増加がない。
請求項４の発明ではさらに、 7) 基板配線の密度を低下させてメッキによる基板配線
の成膜を容易にし、高解像度の画像装置への対応を容易
にする。またプラスチック基板を用いるためスルーホー
ルを設けるのが容易で、裏面配線を用いて分断した基板
配線を接続する。請求項５の発明では、上記1)〜5)の効
果を備えた画像装置の製造方法を提供する。
【図１】 実施例の画像装置の要部断面図
【図２】 実施例の画像装置の要部背面図
【図３】 実施例で画像装置のフリップチップ接続部
を示す図
を示す図
【図４】 実施例で画像装置のフリップチップ接続部
を示す要部断面図
を示す要部断面図
【図５】 実施例の画像装置でのレーザー光によるフ
リップチップ接続を示す要部断面図
リップチップ接続を示す要部断面図
【図６】 変形例での赤外線光源を示す図
２ プラスチック基板 ４ 単眼レンズ ６ ＬＥＤアレイ ８ 基板配線 ８−１〜８−６４ 個別配線 １０ 電極バンプ １２ クリップ端子 １４ スルーホール １６ スルーホールの列 ２０ 裏面配線 ２２ 発光体 ２４ 電極 ２６ Ｎｉメッキ層 ２８ Ａｕメッキ層 ３０ 金属下地膜 ３２ 半田メッキ層 ３４ 粗面化部 ４０ 半導体レーザー ４２ 赤外線ランプ ４４ 反射鏡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｍ 7376−4Ｍ Ｎ 7376−4Ｍ Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｚ Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｆ 7128−4Ｅ 3/18 Ｅ 7511−4Ｅ
Claims (5)
- 【請求項１】 透明プラスチック基板の第１の主面に、
多数の受発光素子を設けた画像アレイを列状に配置する
とともに、他方の主面には基板と一体に単眼レンズをア
レイ状に設け、 前記第１の主面では受発光素子に対向した部分以外の領
域を粗面化して、この粗面化領域上にメッキ膜からなる
基板配線を設け、この基板配線を前記画像アレイに設け
た電極バンプにフリップチップ接続したことを特徴とす
る、画像装置。 - 【請求項２】 前記基板配線を金属下地のメッキ膜上に
導電体のメッキ膜を積層して構成したことを特徴とす
る、請求項１の画像装置。 - 【請求項３】 前記導電体メッキ膜を、少なくともフリ
ップチップ接続部で半田のメッキ膜としたことを特徴と
する、請求項２の画像装置。 - 【請求項４】 前記基板配線を、画像アレイの列の一方
の側に設けた第１の基板配線と列の他方の側に設けた第
２の基板配線とで構成し、 各基板配線を画像アレイ２個毎にほぼＵ字状に折り返し
て分断された配線とし、 基板の裏面には単眼レンズを設けた領域以外の部分に裏
面配線を設けて、各基板配線と裏面配線とをスルーホー
ルで接続したことを特徴とする、請求項１の画像装置。 - 【請求項５】 プラスチックで基板と単眼レンズとを一
体成型する工程と、 単眼レンズを設けた側の反対側の基板主面を部分的に粗
面化する工程と、 粗面化した基板の主面上に金属下地膜をメッキする工程
と、 金属下地膜上に導電体膜をメッキする工程と、 導電体膜上に画像アレイをフリップチップ接続する工程
とを含む、画像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154187A JP2879773B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 画像装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154187A JP2879773B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 画像装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06340118A true JPH06340118A (ja) | 1994-12-13 |
| JP2879773B2 JP2879773B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=15578744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5154187A Expired - Fee Related JP2879773B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 画像装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2879773B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0777276A3 (en) * | 1995-11-13 | 1998-05-13 | Motorola, Inc. | Integrated electro-optical package |
| JP2002100785A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Infineon Technologies Ag | 表面実装可能なオプトエレクトロニクスモジュールおよび該オプトエレクトロニクスモジュールを有するオプトエレクトロニクス結合ユニット |
| US6759687B1 (en) * | 2000-10-13 | 2004-07-06 | Agilent Technologies, Inc. | Aligning an optical device system with an optical lens system |
| JP2005353893A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 支持基板およびその支持基板を用いた半導体装置の形成方法並びに半導体装置 |
| JP2007035881A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 表面実装型の電子部品の実装構造及び照明器具 |
| WO2008004302A1 (fr) * | 2006-07-07 | 2008-01-10 | Fujitsu Microelectronics Limited | Dispositif d'imagerie à l'état solide et procédé de commande |
| JP2008218894A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Oki Data Corp | 表示装置 |
| US7693360B2 (en) | 2002-06-24 | 2010-04-06 | Nec Corporation | Optoelectronic hybrid integrated module and light input/output apparatus having the same as component |
| KR20110038192A (ko) * | 2009-10-07 | 2011-04-14 | 삼성전자주식회사 | 렌즈가 집적된 발광다이오드 어레이, 이를 이용한 라인 프린터 헤드 및 발광다이오드 어레이의 제조방법 |
| JP2011221518A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-11-04 | Asahi Rubber Inc | 反射材 |
| JP2014525675A (ja) * | 2011-08-26 | 2014-09-29 | マイクロン テクノロジー， インク． | フリップチップ実装された固体放射トランスデューサを有する固体放射トランスデューサ素子ならびに関連するシステムおよび方法 |
| JP2016517184A (ja) * | 2013-05-10 | 2016-06-09 | レイセオン カンパニー | 集積回路冷却システムのための選択的半田シール界面を作製する方法 |
| WO2017047420A1 (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 株式会社デンソー | 発光装置 |
| JP2018508971A (ja) * | 2014-12-19 | 2018-03-29 | グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ | バックプレーン上に発光ダイオードアレイを生成する方法 |
| US10693051B2 (en) | 2016-04-04 | 2020-06-23 | Glo Ab | Through backplane laser irradiation for die transfer |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP5154187A patent/JP2879773B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0777276A3 (en) * | 1995-11-13 | 1998-05-13 | Motorola, Inc. | Integrated electro-optical package |
| JP2002100785A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Infineon Technologies Ag | 表面実装可能なオプトエレクトロニクスモジュールおよび該オプトエレクトロニクスモジュールを有するオプトエレクトロニクス結合ユニット |
| US6759687B1 (en) * | 2000-10-13 | 2004-07-06 | Agilent Technologies, Inc. | Aligning an optical device system with an optical lens system |
| US7693360B2 (en) | 2002-06-24 | 2010-04-06 | Nec Corporation | Optoelectronic hybrid integrated module and light input/output apparatus having the same as component |
| JP2005353893A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 支持基板およびその支持基板を用いた半導体装置の形成方法並びに半導体装置 |
| JP4492219B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2010-06-30 | 日亜化学工業株式会社 | 支持基板およびその支持基板を用いた半導体装置の形成方法並びに半導体装置 |
| JP2007035881A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 表面実装型の電子部品の実装構造及び照明器具 |
| WO2008004302A1 (fr) * | 2006-07-07 | 2008-01-10 | Fujitsu Microelectronics Limited | Dispositif d'imagerie à l'état solide et procédé de commande |
| JPWO2008004302A1 (ja) * | 2006-07-07 | 2009-12-03 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置及びその制御方法 |
| US8269314B2 (en) | 2007-03-07 | 2012-09-18 | Oki Data Corporation | Display apparatus |
| JP2008218894A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Oki Data Corp | 表示装置 |
| US8816364B2 (en) | 2007-03-07 | 2014-08-26 | Oki Data Corporation | Display apparatus |
| KR20110038192A (ko) * | 2009-10-07 | 2011-04-14 | 삼성전자주식회사 | 렌즈가 집적된 발광다이오드 어레이, 이를 이용한 라인 프린터 헤드 및 발광다이오드 어레이의 제조방법 |
| JP2011221518A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-11-04 | Asahi Rubber Inc | 反射材 |
| JP2014525675A (ja) * | 2011-08-26 | 2014-09-29 | マイクロン テクノロジー， インク． | フリップチップ実装された固体放射トランスデューサを有する固体放射トランスデューサ素子ならびに関連するシステムおよび方法 |
| JP2016517184A (ja) * | 2013-05-10 | 2016-06-09 | レイセオン カンパニー | 集積回路冷却システムのための選択的半田シール界面を作製する方法 |
| JP2018508971A (ja) * | 2014-12-19 | 2018-03-29 | グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ | バックプレーン上に発光ダイオードアレイを生成する方法 |
| WO2017047420A1 (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 株式会社デンソー | 発光装置 |
| JP2017059742A (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 株式会社デンソー | 発光装置 |
| US10693051B2 (en) | 2016-04-04 | 2020-06-23 | Glo Ab | Through backplane laser irradiation for die transfer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2879773B2 (ja) | 1999-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2879773B2 (ja) | 画像装置及びその製造方法 | |
| US6433414B2 (en) | Method of manufacturing flexible wiring board | |
| JP2629435B2 (ja) | アレイ状光素子用サブ基板の作製方法 | |
| KR960009092B1 (ko) | 집적된 소켓형 패키지 및 기판상의 칩 실장 방법 | |
| US20090267214A1 (en) | Electronic circuit device and method for manufacturing same | |
| KR20010085475A (ko) | 전자 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JP2004012803A (ja) | 光伝送用プリント板ユニット及び実装方法 | |
| JPH1050734A (ja) | チップ型半導体 | |
| US6323551B1 (en) | Resin sealed-type semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP4632426B2 (ja) | 発光ダイオード組立体の組立方法および発光ダイオード組立体 | |
| JP3460330B2 (ja) | 画像装置 | |
| JP2009117760A (ja) | 光透過部材及び電子回路基板 | |
| JP2527054B2 (ja) | 光モジュ―ル用サブマウント及びその製造方法 | |
| JPH056920A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2918423B2 (ja) | 画像装置 | |
| JPH06305196A (ja) | 画像装置 | |
| JPH03129745A (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JP2851780B2 (ja) | 画像装置 | |
| JP2851776B2 (ja) | 画像装置 | |
| JPH08132673A (ja) | 画像装置 | |
| JP2851781B2 (ja) | 画像装置 | |
| JPH0964093A (ja) | 電子部品 | |
| JP2568815B2 (ja) | 平板ディスプレイ装置 | |
| KR100833593B1 (ko) | 플립 칩 패키지의 제조 방법 | |
| JPH07177304A (ja) | 画像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |