JPH0868990A - ガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板およびその用途 - Google Patents

ガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板およびその用途

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JPH0868990A
JPH0868990A JP20313894A JP20313894A JPH0868990A JP H0868990 A JPH0868990 A JP H0868990A JP 20313894 A JP20313894 A JP 20313894A JP 20313894 A JP20313894 A JP 20313894A JP H0868990 A JPH0868990 A JP H0868990A
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Abstract

(57)【要約】 【構成】ポリエーテルスルフォンやポリアリレートの透
明基板に窒化物の透明薄膜と酸化物の透明薄膜を積層し
た透明電極用基板。適宜この積層体上にポリビニルアル
コール等の高分子層を積層する。 【効果】水蒸気や酸素を避けなければならない液晶表示
素子への応用に適した、ガスバリヤー性低透湿性絶縁性
透明電極用基板およびEL素子用防湿フィルムが提供さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はガスバリヤー性低透湿性
絶縁性透明電極用基板およびこれを用いてなるガスバリ
ヤー性低透湿性透明導電性電極基板に関する。詳しくは
本発明は、高分子フィルムを基材とした防湿性、ガスバ
リヤー性に優れた絶縁性透明電極用基板およびこれを用
いてなるガスバリヤー性低透湿性透明導電性電極基板に
関する。さらに詳しくは本発明は、可視領域における透
明性を有し、かつ酸素および水蒸気等の気体の透過率が
小さく、かつ、優れた耐候性、耐薬品性ならびに耐摩耗
性を有する透明電極用基板に関するものであって、水蒸
気や酸素、その他有害な気体を避けなければならない液
晶表示素子やエレクトロルミネッセンス(電界発光素
子、以下EL素子と言う)素子等への応用に適した、ガ
スバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板およびこれ
を用いてなるガスバリヤー性低透湿性透明導電性電極基
板である。
【0002】
【従来の技術】従来より、液晶表示透明導電体の基材と
してはガラスが用いられてきたが、近年になり、1)軽
量化、2)薄膜化、3)大面積化、4)耐破損性、5)
優れた加工性、6)形状の多様化と言う観点から透明導
電性フィルムを電極に用いることが提案されている。し
かしながら、導電性フィルムを使用した場合、フィルム
を透過する水蒸気や酸素が液晶素子の性能劣化を招くこ
とがわかってきた。このような問題を解決するために、
フィルム基材に気体に対するバリヤー性を付与する必要
があった。
【0003】例えば、特開昭59−204545号には
高分子フィルムに酸化物層を設け、これら高分子層の少
なくとも片面上に酸化インジウムを主成分とする被膜を
形成した透明導電性フィルムが開示されている。しか
し、これら酸化物被膜は薄膜にクラックが入りやすい等
の欠点のため、水蒸気バリヤー性が不完全である。アル
ミニウム等の金属の蒸着を行なうと、水蒸気バリヤー性
は発揮されるもの、透明性が著しく損なわれるため、透
明電極基板には使用できない。
【0004】また、特開昭63−205094号には高
分子フィルムに窒化アルミニウム薄膜を設け、これら高
分子層の少なくとも一の面上に透明導電性薄膜を形成し
た透明導電性フィルムが開示されている。しかし、この
窒化アルミニウム薄膜は単層であり、ガスバリヤー性が
不十分であり、また傷が入りやすく、窒化アルミニウム
薄膜を設けた透明導電性フィルムを液晶表示素子や分散
型EL素子等への加工時、窒化アルミニウム薄膜に傷が
つき、透明導電性フィルムの水蒸気バリヤー性、ガスバ
リヤー性の低下が見られた。また、窒化アルミニウムは
水にあうと常温で、徐々に分解してアンモニアを発生し
たり、酸にあうとアンモニアを発生して分解するなど問
題をもち、液晶表示素子へ応用した場合、導電膜のエッ
チング液が酸性であるので、導電膜エッチング後のガス
バリア性の低下なども問題であった。
【0005】また、特開昭60−190342号には高
分子フィルムにポリビニルアルコール、エチレン・ビニ
ルアルコール共重合体、三フッ化モノクロロエチレンま
たは透明金属酸化物を積層したものが提案されている。
また特開昭63−71829号にはアンカーコート剤を
設けた高分子フィルムにアクリロニトリル成分を50モ
ル%以上含有する重合体等の透気性樹脂またはエポキシ
樹脂等の架橋性樹脂硬化物を積層したガスバリヤー性フ
ィルムを提案されているが、これら有機物層のみを高ガ
スバリヤー層に使用したガスバリヤー性フィルムは、高
湿度下では、空気バリア性が急激に低下する。すなわ
ち、純酸素状態での酸素透過率は高レベルを保持できる
が、水蒸気と酸素が混合された状態での酸素透過率は著
しく低下する。
【0006】またInおよびSnからなる金属の酸化物
層を高分子フィルムで挟んだEL素子用の防湿フィルム
の改良として特開平2−265738号にはInおよび
Snからなる金属酸化物の電気絶縁性を増すためにフッ
素を金属酸化物層に混入するという提案をしているが、
金属酸化物層の電気絶縁性を増すためにフッ素量を制御
しなければならず、フッ素量が多過ぎると基板とフッ素
を含む金属酸化物層との密着性が悪くなり、ガスバリヤ
ー性が損なわれる恐れがある。
【0007】以上、金属酸化物の単独層を設ける場合、
装置内にある微粒子、ベースフィルムの汚れや作成時の
応力等で生じるピンホールを皆無にすることは難しく、
金属酸化物の単独層だけでは充分なバリヤー層とはなら
ない。
【0008】また有機物層は通常セルロース系やポリア
クリロニトリル系、ポリ塩化ビニリデン系、ポリアミド
系樹脂等であるが、分子間力が強く、官能基濃度が高い
ポリビニルアルコール系樹脂が好ましい。しかしなが
ら、ポリビニルアルコール系樹脂は親水性であるため、
多くの高分子フィルムへの直接接着には充分な接着強度
が得られない場合が多く、また、高湿度下では、水を吸
収し、構造の緻密性が損なわれ、空気バリヤー性が急激
に低下する。更に、ポリビニルアルコール系樹脂は導電
膜のエッチング液である塩酸に侵されるため、ポリビニ
ルアルコール系樹脂単独では液晶表示用透明電極用基板
に用いることは出来ない。
【0009】上記の様に従来技術では、透明性を保つ場
合には水蒸気バリヤー性、ガスバリヤー性が充分でな
く、より高度の水蒸気バリヤー性、ガスバリヤー性を保
持すると透明性が損なわれ、水蒸気バリヤー性とガスバ
リヤー性のうち少なくとも一つと透明性を保持すると耐
久性が損なわれると言う難点がある。また現実、使用さ
れる状態に近い水蒸気と酸素が混合された環境では酸素
透過率が高く、水蒸気の量により、酸素透過率が影響さ
れると言う難点がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、本発明の目
的は、上記のような問題点のないガスバリヤー性と低透
湿性に優れた絶縁性透明電極用基板およびこれを用いて
なるガスバリヤー性低透湿性透明導電性電極基板を提供
することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明者らはかかる問題
の解決に鋭意検討した結果、窒化物または酸化物の単独
層では難しかったピンホールの減少を二つの層を積層す
ることにより、すなわち、耐水蒸気透過性の有る窒化物
と耐透気性のある酸化物を積層し、ピンホールの少な
い、耐水蒸気透過性、耐透気性の透明薄膜を透明基板に
積層させることにより、水蒸気量による酸素透過率への
影響が少なく、ガスバリヤー性及び水蒸気バリヤー性も
向上する事を見出し、さらにそれらに耐透気性のある樹
脂層、硬化性樹脂および熱可塑性樹脂を積層することに
より、そのフィルムが透明で、液晶表示素子やEL素子
等への加工時の物理的衝撃や擦りにも耐えられる耐久性
があり、しかも水蒸気量により、酸素透過率が影響され
難い、著しく優れた水蒸気バリヤー性、ガスバリヤー性
及び絶縁性を示すことを見出し、本発明に到達した。
【0012】すなわち、本発明は透明基板の少なくとも
一の面上に少なくとも一層の窒化物からなる透明薄膜お
よび少なくとも一層の酸化物からなる透明薄膜を積層す
ることを特徴とするガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明
電極用基板である。
【0013】本発明の好ましい態様として、窒化物から
なる透明薄膜が、窒化珪素、窒化インジウム、窒化ガリ
ウム、窒化アルミニウム、窒化錫、窒化硼素、窒化クロ
ム、のうち少なくとも1種からなる単層又は多層の透明
薄膜であることを特徴とする前記したガスバリヤー性低
透湿性絶縁性透明電極用基板があり、窒化物からなる透
明薄膜が、一部酸化されている材料から構成されること
を特徴とするガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用
基板であり、または、窒化物からなる透明薄膜が、一部
水素化されている材料から構成されることを特徴とする
ガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板であり、
または、酸化物からなる透明薄膜が、酸化インジウム、
酸化インジウム・スズ(ITO)、酸化スズ、酸化亜
鉛、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化チタン、酸化ジ
ルコニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化セレンの
うち少なくとも1種からなる単層又は多層の透明薄膜で
あることを特徴とするガスバリヤー性低透湿性絶縁性透
明電極用基板であり、または、透明基板上及び/または
透明薄膜上に透明高分子層が積層されてなることを特徴
とするガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板で
あり、または、透明電極用基板の透明薄膜上に透明高分
子層が積層され、さらに、透明薄膜、透明基板が逐次積
層されてなることを特徴とするガスバリヤー性低透湿性
絶縁性透明電極用基板であり、または、透明電極用基板
の少なくとも一の面上に硬化型樹脂及び/または熱可塑
性樹脂が積層されてなることを特徴とするガスバリヤー
性低透湿性絶縁性透明電極用基板であり、または、透明
高分子層が耐透気性樹脂、アンカーコート剤、硬化型樹
脂、熱可塑性樹脂のうち少なくとも1種からなることを
特徴とするガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基
板であり、または、耐透気性樹脂がセルロース成分、ポ
リアミド系樹脂成分、ビニルアルコール成分、ハロゲン
化ビニリデン成分、アクリロニトリル成分、アモルファ
スポリエステル成分の内、少なくとも1成分を60モル
%以上含有する重合体または混合物であることを特徴と
するガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板であ
り、または、アンカーコート剤がポリウレタン、ポリア
ミド、ポリエチレンイミン、アモルファスポリエステ
ル、親水性ポリエステル、イオン高分子錯体、アルキル
チタネート樹脂、よりなる群から選ばれた1種、それら
の共重合体または混合物からなるアンカーコート剤であ
ることを特徴とするガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明
電極用基板であり、または、硬化型樹脂がウレタン樹
脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アクリル酸エステル
樹脂、フェノキシエーテル系架橋樹脂、メラミン樹脂、
フェノール樹脂、シリコーン樹脂、キシレン樹脂、グア
ナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ビニルエステル
樹脂、ポリイミド、マレイン酸樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂、アルキッド樹脂よりなる群から選ばれた少なく
とも1種、それらの共重合体または混合物からなること
を特徴とするガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用
基板であり、または、熱可塑性樹脂がポリプロピレン、
ポリエチレン、エチレン−プロピレン共重合体などのポ
リオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、アイオノマ
ー、エチレンー酢ビ共重合体、アクリル酸エステル、メ
タアクリル酸エ ステルなどのアクリル樹脂、ポリビニ
ールアセタール、フェノール、変性エポキシ樹脂、酢酸
ビニル樹脂、シリコーンRTV、ポリマーアロイ型ポリ
イミド、アモルファスポリエステル、これらの共重合体
または混合物からなることを特徴とするガスバリヤー性
低透湿性絶縁性透明電極用基板であり、前記ガスバリヤ
ー性低透湿性絶縁性透明電極用基板の少なくとも一の面
に透明導電性薄膜を形成したことを特徴とするガスバリ
ヤー性低透湿性透明導電性電極基板である。
【0014】すなわち、本発明は、上記の問題を解決す
るためになされたものであって、特に好ましい態様とし
ては、窒化物層と酸化物層とが各々少なくとも一層積層
されてなるガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基
板であり、さらに好ましくは、窒化物層/酸化物層/窒
化物層または酸化物層/窒化物層/酸化物層等の多層か
らなる透明薄膜層を適宜、透明高分子フィルム基材の片
面又は両面に少なくとも1層以上積層されてなるガスバ
リヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板であり、さらに
該透明電極用基板の少なくとも片面、もしくは透明薄膜
と高分子フィルムの間に、透明高分子層が積層され、特
に該透明高分子層が、少なくともビニルアルコールまた
は塩化ビニリデンまたアクリロニトリルの少なくとも1
成分を60%以上含む重合体またはそれら成分を含む共
重合体からなる耐通気性層を含むガスバリヤー性透明電
極フィルムであって、液晶表示素子、EL素子等に適用
できる、ガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板
である。
【0015】透明基板とは、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリメ
チルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、セルローズ、
ポリアセテート、ポリ−4−メチルペンテン−1、ポリ
アクリロニトリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリフェニ
レンオキサイド系樹脂、ポリパラバン酸、ポリスチレン
等のフィルムであり、透明で、可とう性を有するフィル
ムであればよく、これらの例に限定されるものではな
い。
【0016】但し、液晶表示用に用いる場合は一軸延伸
のPETや光学的等方性の観点から、PES,ポリアリ
レート、ポリカーボネート等の非晶性フィルムが好まし
い。そして使用可能のフィルムのレタデーション値は3
0nm以下、好ましくは15nm以下のものである。
【0017】この様なこのようなフィルムを作製する方
法としては押出成形法、キャステング法、圧延法の従来
法が適応できる。フィルムの厚みは通常10〜1,00
0μm,好ましくは20〜400nm,さらに好ましく
は50〜300nmの範囲のものである。
【0018】透明薄膜を構成する素材としての好ましい
窒化物としては窒化ケイ素、窒化スズ、窒化アルミニウ
ム、窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化ホウ素、窒化
クロム、などが例示される。光線透過率は通常50%以
上、好ましくは70%以上、さらに好ましくは80%以
上であるものであればいかなるものでもよい。この場
合、窒化物の一部が酸化されていたり、水素化されてい
てもよい。
【0019】透明薄膜を構成する素材としての窒化物の
一部が酸化されているものとしては、例えば、酸窒化ア
ルミニウム、酸窒化インジウム、酸窒化ガリウム、酸窒
化ケイ素、酸窒化スズ、酸窒化ホウ素、酸窒化クロム、
酸窒化炭化ケイ素などの酸窒化物が挙げられる。これら
酸窒化物の金属を除く成分中の窒素分は30原子%以
上、さらに好ましくは50原子%以上である。
【0020】透明薄膜を構成する素材としての窒化物の
一部が水素化されているものとしては、例えば、水素化
窒化アルミニウム、水素化窒化インジウム、水素化窒化
ガリウム、水素化窒化ケイ素、水素化窒化スズ、水素化
窒化ホウ素、水素化窒化クロム、水素化窒化炭化ケイ素
などの水素化窒化物が挙げられる。これら水素化窒化物
の金属を除く成分中の窒素分は50原子%以上、さらに
好ましくは80原子%以上である。
【0021】以上の様に窒化物からなる透明薄膜は、窒
化物、酸窒化物、水素化窒化物、の中の少なくとも一種
からなる透明薄膜の単層体または積層体からなる。該窒
化物からなる透明薄膜の厚さは、通常0.3nm〜50
0nmであり、好ましくは1nm〜100nmであり、
さらに好ましくは5nm〜50nm、より好ましくは1
0nm〜30nmである。
【0022】透明薄膜を構成する素材としての好ましい
酸化物として、酸化インジウム、酸化インジウム・スズ
(ITO)、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、
酸化珪素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタ
ル、酸化ニオブ、酸化セレン等の少なくとも一種からな
る酸化物の単層体または積層体が例示されるが、光線透
過率は通常50%以上、好ましくは70%以上、さらに
好ましくは80%以上であるものであればいかなるもの
でもよい。該酸化物からなる透明薄膜の厚さは、通常
0.3nm〜500nmであり、好ましくは1nm〜1
00nmであり、さらに好ましくは5nm〜50nm、
より好ましくは10nm〜30nmである。
【0023】酸化物または窒化物はポリビニルアルコー
ル系樹脂を強固に付着させるので、これらの積層は空気
や水蒸気バリヤー性をより高める効果がある。さらに、
同じ厚みであれば、両面に透明薄膜を設ける方がより好
ましい。すなわち、400nmの層を片面に設けるより
も、200nmの層を両面に設ける方がより好ましい。
必要ならば、窒化物層として異種の窒化物層を積層した
り、酸化物層として異種の酸化物層を積層したりしても
良い。
【0024】たとえば、水や酸に弱い窒化アルミニウム
を使用する場合は耐水性、耐酸性の酸化珪素や窒化珪素
を積層すれば、耐水性、耐酸性の積層体が得られる。
【0025】窒化物層や酸化物層の具体的な形成方法を
例示するならば、真空蒸着法、イオンプレーティング
法、スパッタリング法、分子線エピタキシー法(MB
E)、CVD法、MOCVD法、プラズマCVD法等の
方法が挙げられ、透明基板の耐熱温度等に応じて適宜選
択することが出来る。また、反応性物理蒸着法で窒化物
を設ける場合、使用するガスは窒素成分供与として、窒
素、アンモニア等窒素成分を含むものなら何れでも使用
可能である。また酸窒化物、水素化窒化物においては、
これら窒素供与成分に加えて、酸素、水素、酸素成分を
供与できるもの、例えば水、および水素成分を供与でき
るもの、例えば水、メタンを混合して供給してもよい
し、別々に系内に供給しても良い。言うまでもないが、
非反応系の場合でも前記の成分供与体を系内に導入し
て、薄膜の成分を補充しても良い。
【0026】透明高分子層の硬化型樹脂はウレタン樹
脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アクリル酸エステル
樹脂、フェノキシエーテル系架橋樹脂、メラミン樹脂、
フェノール樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、シ
リコーン樹脂、キシレン樹脂、グアナミン樹脂、ジアリ
ルフタレート樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリイミド、
マレイン酸樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキッド
樹脂よりなる群から選ばれた少なくとも1種又はそれら
の共重合体又は混合物が好ましい。
【0027】さらに、UV硬化型樹脂、電子線硬化型樹
脂及び熱硬化型樹脂を例示する。UV硬化型樹脂として
は、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポ
リエステルアクリレート、多官能性アクリレート、ポリ
エーテルアクリレート、シリコンアクリレート、ポリブ
タジエンアクリレート、不飽和ポリエステル/スチレ
ン、ポリエン/チオール、ポリスチリルメタクリレー
ト、UV硬化ラッカー及びこれらの共重合体や混合物が
好ましく用いられる。
【0028】電子線硬化型樹脂としては、エポキシアク
リレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリ
レート、多官能性アクリレート、ポリエーテルアクリレ
ート、シリコンアクリレート、ポリブタジエンアクリレ
ート、不飽和ポリエステル/スチレン、ポリエン/チオ
ール、ポリスチリルメタクリレート、UV硬化ラッカー
及びこれらの共重合体や混合物が好ましく用いられる。
【0029】熱硬化型樹脂としては、エポキシ樹脂、キ
シレン樹脂、グアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹
脂、ポリウレタン、ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエ
ステル、ポリイミド、メラミン樹脂、マレイン酸樹脂、
ユリヤ樹脂、アクリル樹脂、珪素樹脂、アルキッド樹脂
及びこれらの共重合体や混合物が好ましく用いられる。
【0030】透明高分子層の熱可塑性樹脂としては、ポ
リプロピレン、ポリエチレン、エチレン−プロピレン共
重合体などのポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミ
ド、アイオノマー、ポリ酢酸ビニル、エチレン酢ビ共重
合体、アクリル酸エステル、メタアクリル酸エステルな
どのアクリル樹脂、ポリビニールアセタール、フェノー
ル、変性エポキシ樹脂、アモルファスポリエステルおよ
びこれらの共重合体や混合物が好ましい。言うまでもな
いが、熱硬化型樹脂とUV硬化型樹脂との混合物を硬化
樹脂として用いたり、異種型の樹脂を混合しても使用で
きる。
【0031】透明高分子層の耐透気性樹脂としては、ア
クリロニトリル成分、ビニルアルコール成分、ビニルブ
チラール成分、セルロース系成分、アラミド成分、ハロ
ゲン化ビニリデン成分の内、少なくとも1成分を60モ
ル%以上含有する重合体またはこれらの混合物が好まし
い。
【0032】アクリロニトリル成分重合体としてはポリ
アクリロニトリルやポリアクリロニトリル−ブタジエン
コポリマー等があげられる。ビニルアルコール成分重合
体としてはポリビニルアルコール等があげられる。ビニ
ルブチラール成分重合体としてはポリビニルブチラー
ル、ポリビニルブチラールとエポキシ樹脂との混合物等
があげられる。
【0033】ハロゲン化ビニリデン成分重合体としては
PVDC(ポリ塩化ビニリデン)、PVDC−VC共重
合体、PVDC−アクリロニトリル共重合体、PVDC
−アクリル酸エステル共重合体あるいは塩化ビニリデン
と共重合可能な数種のモノマーを含む多元共重合体、P
TFE等があげられる。これら耐透気性樹脂は一般に、
高分子フィルムと接着性が良くないので、耐透気性樹脂
コートの前に透明基板にアンカーコートを設けてもよ
い。
【0034】透明高分子層のアンカーコート剤がポリウ
レタン、ポリアミド、ポリエチレンイミン、アモルファ
スポリエステル、親水性ポリエステル、イオン高分子錯
体、アルキルチタネート樹脂、よりなる群から選ばれた
1種又はそれらの共重合体または混合物が好ましい。
【0035】耐透気性成分、アンカーコート、硬化成分
および熱可塑成分のコート方法としては、エアナイフ
法、グラビコート法、レバースロール法、バーコート
法、スプレー法等の通常の方法が適用できる。またコー
ト後の乾燥、エージング処理は通常の方法で行なえば良
い。
【0036】これら耐透気性樹脂層、アンカーコート
層、硬化型樹脂層、熱可塑性樹脂層、の 厚みは 通
常、それぞれ、0.5〜200μm程度であり、好まし
くは1〜50μmであり、さらに好ましくは5〜30μ
mである。
【0037】透明導電膜としては従来公知の、1)金、
銀、銅、アルミニウム、パラジュウム等の金属及びこれ
らの合金の単層、積層体、2)酸化錫、酸化インジュウ
ム、酸化インジウム・スズ(ITO)、酸化亜鉛、ヨウ
化銅等化合物半導体及びそれらの混合物の単層、積層、
3)前記1),2)を組み合わせた積層膜が使用でき
る。
【0038】透明導電膜の具体的な形成方法を例示する
ならば、スプレー法、金属溶射法、金属メッキ法、真空
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、
分子線エピタキシー法(MBE)、CVD法、プラズマ
CVD法等の方法が挙げられる。
【0039】透明導電膜の厚みは通常8nm〜700n
mであり、好ましくは10nm〜300nmであり、さ
らに好ましくは50nm〜150nmである。
【0040】また、窒化物層、酸化物層、透明導電膜ま
たは透明高分子層を透明基板上に形成するときには、基
板の前処理として、コロナ放電処理、プラズマ処理、グ
ロー放電処理、逆スパッタ処理、表面粗面化処理、化学
処理等を行うことや、公知のアンダーコートを施しても
良い。またここでのアンダーコートに前記アンカーコー
ト剤を使うこともできる。
【0041】また、本発明のガスバリヤー性低透湿性絶
縁性透明電極用基板は絶縁性を有するとされているが、
この絶縁性とは表面抵抗が10,000Ω/□以上であ
ることをいう。この絶縁性は表面抵抗が10,000Ω
/□以上である窒化物や酸化物を使用して窒化物層や酸
化物層を形成するか、導電性の窒化物や酸化物を過剰の
窒素及び/又は酸素中で窒化物層や酸化物層を形成する
か、過剰の窒素及び/又は酸素を供給して金属より窒化
物層や酸化物層を形成することにより達成される。必要
ならば成膜時、各層及び/又は積層体の表面抵抗を測定
し、表面抵抗が10,000Ω/□以上になるように、
窒素及び/又は酸素の供給量を調整しても良い。
【0042】ここで、 前記透明基板(A)、前記窒化
物(B)、前記酸化物(C)、 透明高分子層(D)、
アンカーコート剤(E)、硬化型樹脂(F)、耐透気性
樹脂(G)、熱可塑性樹脂(H)とすると、好ましい例
として、 BCA、CBA、CBCA、BCBA、DBCA, DCBA、DCBACB、CBDA、CBDAC、CBAD、CBADCB、 CBACB、ACBDA、 DCBCA、DCBCACBC、CBCDA、CBCDAC、CBCAD、 CBCADCBC、CBCACBC、ACBCDA、 DBCA、DBCABC、BCDA、BCDAC、 BCAD、BCADBC、BCABC、ABCDA、 DBCBA、DBCBABCB、BCBDA、BCBDAC、BCBAD、 ABCBDBCBA、FACBFGBCAF、FABCFGCBAF、 BAHCBFGF、FACBFBCA、FAHCBFGFBCHAF、 ABCBH、ABCFCBAH、ABCBGCBA、ACBCFCBCA、 ACBEGEBCA、FABCF、FABCGF の順に積層されてなる透明電極用基板が挙げられる。こ
こではBが異種の窒化物の多層体、Cが異種の酸化物の
多層体である場合も含まれる。当然、これ以外の順で積
層されたものでも、透明性、防湿性、ガスバリア性、絶
縁性を備えた積層体フィルムであれば、これらの例示以
外のものでも使用できる。
【0043】本発明はかかる窒化物と酸化物が各々少な
くとも一層以上積層された透明薄膜を含むガスバリヤー
性基板であり、該ガスバリヤー性基板の少なくとも片面
に、該透明薄膜の外側もしくは、該透明薄膜と該透明基
板の間に透明高分子層を含む、EL素子用の防湿用フィ
ルムや液晶表示素子用電極基板であり、また本発明はか
かる透明導電層と該透明薄膜とが、適宜、透明高分子フ
ィルム基材に積層されて成る透明導電性フィルムの少な
くとも片面に該透明薄膜の外側、該透明薄膜と透明基板
の間、もしくは透明導電膜の下に、透明高分子層を含む
防湿性、ガスバリヤー性絶縁性透明電極フィルムであ
る。
【0044】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。
【0045】
【実施例】
実施例1 リタデーション値が5nmの厚さ50μmのポリエーテ
ルスルフォン(以下PES)フィルムの片面に反応性D
Cマグネトロンスパッタ法にて窒化珪素(厚さ20n
m)/酸化インジウム(厚さ20nm)/窒化珪素(厚
さ20nm)の積層体を形成した。該積層体の表面抵抗
は10,000Ω/□以上であった。次に前記積層体の
窒化珪素の上に、熱硬化型シリコーン樹脂(30μm)
をバーコート法で塗布後、その上に、厚さ100μmの
PESフィルムを積層し、150℃で20分保持し、防
湿性、ガスバリヤー性フィルムを作成した。ASTM−
D1434に準じて、このフィルムの酸素透過度の測定
を行ったところ、0.8cc・m-2・day-1であっ
た。さらに、相対湿度100%における酸素透過率をA
STM−D3985に準じて測定したところ0.9cc
・m-2・day-1以下であった。次にASTM−E96
(38%C、90%RH)にて、水蒸気透過率を測定し
たところ、0.2g・m-2・day-1であった。前記防
湿性、ガスバリヤー性フィルムの透明基板の上に、酸化
インジウム・スズ(ITO,In:Sn=9:1)から
なる厚さ600Åの透明電極層をスパッタリング法によ
り形成させ、透明電極とした。表面抵抗200Ω/□、
光線透過率は85%(550nm)であった。
【0046】実施例2 リタデーション値が5nmの厚さ100μmのPESフ
ィルムの片面に反応性DCマグネトロンスパッタ法にて
窒化珪素(厚さ20nm)/酸化インジウム(厚さ20
nm)/窒化珪素(厚さ20nm)の積層体を形成し
た。該積層体の表面抵抗は10,000Ω/□以上であ
った。次に前記積層体の窒化珪素の上に、熱硬化型ポリ
ウレタンをメチルエチルケトンとセロソルブアセテート
(2:1)の混合溶剤に溶解させてバーコート法で熱硬
化型ポリウレタン層(厚さ10nm)を、ポリビニルア
ルコールを水に溶解させてバーコート法でポリビニルア
ルコール層(厚さ8nm)を逐次積層した。さらに熱硬
化型シリコーン樹脂(厚さ20μm)をトルエンに溶解
させてバーコート法で塗布後、120℃で5分保持した
後、その上に、厚さ100μmのPESフィルムを積層
し、150℃で20分保持し、防湿性、ガスバリヤー性
フィルムを作成した。ASTM−D1434に準じて、
このフィルムの酸素透過度の測定を行ったところ、0.
5cc・m-2・day-1であった。さらに、相対湿度1
00%における酸素透過率をASTM−D3985に準
じて測定したところ0.6cc・m-2・day-1以下で
あった。次にASTM−E96(38%C、90%R
H)にて、水蒸気透過率を測定したところ、0.2g・
-2・day-1であった。前記防湿性、ガスバリアー性
フィルムの透明基板の上に、酸化インジウム・スズ(I
TO,In:Sn=8:2)からなる厚さ1000Åの
透明電極層をスパッタリング法により形成させ、透明電
極とした。表面抵抗60Ω/□、光線透過率80%(5
50nm)であった。
【0047】実施例3 厚さ100μmのPESフィルムの片面に反応性DCマ
グネトロンスパッタ法にて酸化インジウム(厚さ20n
m)/窒化珪素(厚さ20nm)/酸化インジウム(厚
さ20nm)の積層体を形成した。該積層体の表面抵抗
は10,000Ω/□以上であった。次に前記積層体の
酸化インジウムの上に、熱硬化型シリコーン樹脂(厚さ
30μm)をイソプロピルアルコールに溶解させてバー
コート法で塗布後、100℃で5分保持した後、その上
に、ドライラミネート法で厚さ100μmの珪素PES
フィルムを積層し、140℃で20分保持し、防湿性、
ガスバリヤー性フィルムを作成した。ASTM−D14
34に準じて、このフィルムの酸素透過度の測定を行っ
たところ、0.9cc・m-2・day-1であった。さら
に、相対湿度100%における酸素透過率をASTM−
D3985に準じて測定したところ1.0cc・m-2
day-1以下であった。次にASTM−E96(38%
C、90%RH)にて、水蒸気透過率を測定したとこ
ろ、0.3g・m-2・day-1であった。
【0048】実施例4 厚さ100μmのポリアリレートフィルムの片面に反応
性DCマグネトロンスパッタ法にて窒化珪素(厚さ40
nm)/酸化インジウム(厚さ40nm)の積層体を形
成した。次に前記積層体の酸化インジウムの上に、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体(厚さ15μm)を積層後、
熱硬化型シリコーン樹脂(厚さ30μm)をバーコート
法で塗布後、その上に、厚さ100μmのポリアリレー
トフィルムを積層し、150℃で20分保持し、防湿
性、ガスバリヤー性フィルムを作成した。ASTM−D
1434に準じて、このフィルムの酸素透過度の測定を
行ったところ、0.5cc・m-2・day-1であった。
さらに、相対湿度100%における酸素透過率をAST
M−D3985に準じて測定したところ0.5cc・m
-2・day-1以下であった。次にASTM−E96(3
8%C、90%RH)にて、水蒸気透過率を測定したと
ころ、0.2g・m-2・day-1であった。
【0049】実施例5 厚さ100μmのPESの片面に反応性DCマグネトロ
ンスパッタ法にて窒化珪素(厚さ40nm)/酸化イン
ジウム(厚さ40nm)の積層体を形成した。該積層体
の表面抵抗は10,000Ω/□以上であった。次に前
記積層体の酸化インジウムの上に、熱硬化型シリコーン
樹脂(厚さ30μm)をイソプロピルアルコールに溶解
させてバーコート法で塗布後、100℃で5分保持した
後、前記積層体フィルムと同じ構成のフィルムの酸化イ
ンジウム面を該シリコーン面と合わせ、150℃で20
分保持し、PES/窒化珪素/酸化インジウム/シリコ
ーン/酸化インジウム/窒化珪素/PESの積層体を形
成し、防湿性、ガスバリヤー性フィルムを作成した。A
STM−D1434に準じて、このフィルムの酸素透過
度の測定を行ったところ、0.6cc・m-2・day-1
であった。さらに、相対湿度100%における酸素透過
率をASTM−D3985に準じて測定したところ0.
6cc・m-2・day-1以下であった。次にASTM−
E96(38%C、90%RH)にて、水蒸気透過率を
測定したところ、0.1g・m-2・day-1であった。
【0050】実施例6 厚さ100μmのポリカーボネートフィルム(PC)の
片面に反応性DCマグネトロンスパッタ法にて酸化イン
ジウム(厚さ10nm)/窒化珪素(厚さ10nm)/
酸化インジウム((厚さ10nm)の積層体を形成し
た。該積層体の表面抵抗は10,000Ω/□以上であ
った。次に前記積層体の酸化インジウムの上に、熱硬化
型シリコーン樹脂(厚さ30μm)をイソプロピルアル
コールに溶解させてバーコート法で塗布後、100℃で
5分保持した後、前記積層体フィルムと同じ構成のフィ
ルムの酸化インジウム面を該シリコーン面と合わせ、1
40℃で50分保持し、PC/酸化インジウム/窒化珪
素/酸化インジウム/シリコーン樹脂/酸化インジウム
/窒化珪素/酸化インジウム/PCの積層体を形成し、
防湿性、ガスバリヤー性フィルムを作成した。ASTM
−D1434に準じて、このフィルムの酸素透過度の測
定を行ったところ、0.5cc・m-2・day-1であっ
た。さらに、相対湿度100%における酸素透過率をA
STM−D3985に準じて測定したところ0.5cc
・m-2・day-1以下であった。次にASTM−E96
(38%C、90%RH)にて、水蒸気透過率を測定し
たところ、0.1g・m-2・day-1であった。
【0051】実施例7 実施例5で作成した、防湿性、ガスバリア性フィルムの
片面にポリエステルからなる熱可塑性樹脂を接着層とし
て押出コーティングによって積層し、ヒートシール層
(厚さ50μm)を設けた後、該フィルムを2枚、ヒー
トシール層が互いに内側にあるようにして重ね、この間
に電界発光体を挿入して、加熱プレスにより、110℃
で接着して、電界発光素子を得た。これら20個に対
し、それぞれ各素子の引出し電極に400Hz,100
Vの電圧を印加し、短絡テストを行った。短絡不良は全
くなかった。また、60℃、90%Rhで100時間
後、著しく輝度の低下はなかった。
【0052】実施例8 リタデーション値が5.0nmの厚さ100μmのPE
Sの片面に、(a)3モルのアジピン酸と4.2モルの
トリメチロールプロパンとの縮合物70重量%と酢酸エ
チル30重量%及び(b)3モルのトリレンジイソシア
ネートとトリメチロールプロパンの付加物75重量%と
酢酸エチル25重量%において(a)100重量部と
(b)40重量部の混合物からなるウレタン樹脂をメチ
ルエチルケトン(MEK)に溶解させた後バーコード法
で塗布、85℃で5分乾燥後150℃で25分間保持し
て硬化させ、厚さ8μmのアンダーコート層を設け、同
様に、ポリビニールアルコール樹脂を水に溶解させた後
バーコード法で塗布、乾燥し、厚さ10μmのポリビニ
ールアルコール層を設けた。次に、ポリビニールアルコ
ール層上に反応性RFイオンプレーティング法にて窒化
珪素(厚さ30nm)、酸化珪素(厚さ30nm)、酸
窒化珪素(厚さ30nm)を逐次積層し、ガスバリヤー
フィルムを得た。各層および該積層体の表面抵抗は1
0,000Ω/□以上であった。ASTM−D1434
に準じて、このフィルムの酸素透過度の測定を行ったと
ころ、0.5cc・m-2・day-1であった。さらに、
相対湿度100%における酸素透過率をASTM−D3
985に準じて測定したところ0.5cc・m-2・da
-1以下であった。次にASTM−E96(38%C、
90%RH)にて、水蒸気透過率を測定したところ、
0.1g・m-2・day-1であった。前記防湿性、ガス
バリヤー性フィルムの透明基板の上に、酸化インジウム
・スズ(ITO,In:Sn=9:1(原子比))から
なる厚さ600Åの透明電極層をスパッタリング法によ
り形成させ、透明電極とした。表面抵抗200Ω/□、
光線透過率は85%(550nm)であった。
【0053】実施例9 厚さ100μmのPESフィルムの片面に、DCマグネ
トロンスパッタ法にて、窒化珪素層、酸化インジウム層
を、またテトラメチルジシロキサンを使った減圧プラズ
マ化学気相蒸着法(CVD法)にて酸化珪素層を形成
し、PET/窒化珪素(厚さ20nm)/酸化珪素(厚
さ20nm)/酸化インジウム(厚さ20nm)の積層
体を形成した。該積層体の表面抵抗は10,000Ω/
□以上であった。次に前記積層体の酸化インジウムの上
に、熱硬化型シリコーン樹脂(厚さ30μm)をトルエ
ンに溶解させてバーコード法で塗布後、120℃で10
分保持した後、140℃で40分保持し、熱硬化型シリ
コーン樹脂を硬化させ、防湿性、ガスバリヤー性フィル
ムを作成した。ASTM−D1434に準じて、このフ
ィルムの酸素透過度の測定を行ったところ、0.9cc
・m-2・day-1であった。さらに、相対湿度100%
における酸素透過率をASTM−D3985に準じて測
定したところ1.0cc・m-2・day-1以下であっ
た。次にASTM−E96(38%C、90%RH)に
て、水蒸気透過率を測定したところ、0.3g・m-2
day-1であった。
【0054】比較例1 100μmのPET、PES、ポリアリレート(PA
R)について、相対湿度100%における酸素透過率を
ASTM−D3985に準じて、水蒸気透過率をAST
M−E96(38%C、90%RH)準じて、測定した
ところ、以下の結果を得た。
【0055】
【表1】
【0056】比較例2 厚さ100μmのPESフィルムの片面に反応性DCマ
グネトロンスパッタ法にて酸化インジウム(厚さ60n
m)を積層した。該層の表面抵抗は10,000Ω/□
以上であった。次に前記積層体の酸化インジウムの上
に、熱硬化型シリコーン樹脂(厚さ30μm )をイソ
プロピルアルコールに溶解させてバーコート法で塗布
後、100℃で5分保持した後、その上に、厚さ100
μmのPESフィルムを積層し、150℃で20分保持
し、積層体を作成した。ASTM−D1434に準じ
て、このフィルムの酸素透過度の測定を行ったところ、
20.2cc・m-2・day-1であった。さらに、相対
湿度100%における酸素透過率をASTM−D398
5に準じて測定したところ30cc・m-2・day-1
下であった。次にASTM−E96(38%C、90%
RH)にて、水蒸気透過率を測定したところ、8g・m
-2・day-1であった。
【0057】比較例3 厚さ100μmのPESフィルムの片面にポリビニルア
ルコール層(厚さ8μm)を形成し、さらに、熱硬化型
シリコーン樹脂(厚さ30μm)のイソプロピルアルコ
ール溶液をバーコート法で塗布後、100℃で5分保持
した後、その上に、厚さ100μmのPESフィルムを
積層し、150℃で30分保持し、積層体を作成した。
ASTM−D1434に準じて、このフィルムの酸素透
過度の測定を行ったところ、0.6cc・m-2・day
-1であった。さらに、相対湿度100%における酸素透
過率をASTM−D3985に準じて測定したところ1
5cc・m-2・day-1以下であった。次にASTM−
E96(38%C、90%RH)にて、水蒸気透過率を
測定したところ、20g・m-2・day-1であった。
【0058】比較例4 厚さ100μmのPESフィルムの片面に反応性DCマ
グネトロンスパッタ法にて酸化インジウム(厚さ30n
m)を積層した。該層の表面抵抗は10,000Ω/□
以上であった。次に前記積層体の酸化インジウムの上
に、熱硬化型シリコーン樹脂(厚さ30nm)のイソプ
ロピルアルコール溶液をバーコート法で塗布後、100
℃で5分保持した後、前記積層体フィルムと同じ構成の
フィルムの酸化インジウム面を該シリコーン面と合わ
せ、120℃で50分保持し、PC/酸化インジウム/
シリコーン/酸化インジウム/PESの積層体を形成
し、防湿性、ガスバリヤー性フィルムを作成した。AS
TM−D1434に準じて、このフィルムの酸素透過度
の測定を行ったところ、14cc・m-2・day-1であ
った。さらに、相対湿度100%における酸素透過率を
ASTM−D3985に準じて測定したところ15cc
・m-2・day-1以下であった。次にASTM−E96
(38%C、90%RH)にて、水蒸気透過率を測定し
たところ、5g・m-2・day-1であった。
【0059】比較例5 厚さ100μmのPESの片面に反応性DCマグネトロ
ンスパッタ法にて酸化インジウム(厚さ80nm)の積
層体を形成した。該層の表面抵抗は10,000Ω/□
以上であった。さらに、酸化インジウムの上にポリエス
テルからなる熱可塑性樹脂を接着層として押出コーティ
ングにより積層し、ヒートシール層(厚さ50μm)を
設けた後、該フィルムを2枚、ヒートシール層が互いに
内側にあるフィルムの片面にようにして重ね、この間に
電界発光体を挿入して、加熱プレスにより、110℃で
接着して、電界発光素子を得た。これら20個に対し、
それぞれ各素子の引出し電極に400Hz,100Vの
電圧を印加し、短絡テストを行った。20個中、11個
が短絡により、発光しないか、著しく輝度が低下した。
また、60℃、90%Rhで100時間後、殆どの素子
が発光しないか、著しく輝度が低下した。
【0060】
【発明の効果】以上の実施例からも明らかなように、本
発明になる基板は防湿性に優れかつ幅広い湿度範囲で極
めて優れたガスバリヤー性を有することがわかる。した
がって、本発明に従えば、例えばEL素子用として優れ
た防湿フィルムや液晶表示用電極基板として優れたガス
バリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板およびこれを
用いてなるガスバリヤー性低透湿性透明導電性電極基板
を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の透明電極用基板の層構成図の一例であ
る。
【図2】本発明の透明電極用基板の層構成図の一例であ
る。
【図3】本発明の透明電極用基板を適用したEL素子用
防湿性フィルムの層構成図の一例である。
【図4】本発明の透明電極用基板を防湿性フィルムとし
て適用したEL素子の断面図の一例である。
【符号の説明】
1 透明基板 2 窒化物層 3 酸化物層 4 透明高分子層 4a アンカーコート層 4b 耐透気性樹脂層 4c 硬化型樹脂層 4d 熱可塑性樹脂層 5 透明導電層 6 ガスバリヤー性・低透湿性透明電極用基板 7 発光層 8 誘電率層 9 引き出し電極(アルムニウム箔)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小山 正人 愛知県名古屋市南区丹後通2丁目1番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 百々 寿浩 東京都千代田区霞が関三丁目2番5号 三 井東圧化学株式会社内 (72)発明者 原田 祐一郎 愛知県名古屋市南区丹後通2丁目1番地 三井東圧化学株式会社内

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明基板の少なくとも一の面上に少なく
    とも一層の窒化物からなる透明薄膜および少なくとも一
    層の酸化物からなる透明薄膜を積層することを特徴とす
    るガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板。
  2. 【請求項2】 前記窒化物からなる透明薄膜が、窒化珪
    素、窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウ
    ム、窒化錫、窒化硼素、窒化クロム、のうち少なくとも
    1種からなる単層又は多層の透明薄膜であることを特徴
    とする請求項1のガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電
    極用基板。
  3. 【請求項3】 前記窒化物からなる透明薄膜が、一部酸
    化されている材料から構成されることを特徴とする請求
    項1または2のガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極
    用基板。
  4. 【請求項4】 前記窒化物からなる透明薄膜が、一部水
    素化されている材料から構成されることを特徴とする請
    求項1または2のガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電
    極用基板。
  5. 【請求項5】 前記酸化物からなる透明薄膜が、酸化イ
    ンジウム、酸化インジウム・スズ(ITO)、酸化ス
    ズ、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化チタ
    ン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸
    化セレンのうち少なくとも1種からなる単層又は多層の
    透明薄膜であることを特徴とする請求項1のガスバリヤ
    ー性低透湿性絶縁性透明電極用基板。
  6. 【請求項6】 前記透明基板上及び/または前記透明薄
    膜上に透明高分子層が積層されてなることを特徴とする
    請求項1のガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基
    板。
  7. 【請求項7】 前記透明電極用基板の透明薄膜上に透明
    高分子層が積層され、さらに、前記透明薄膜、前記透明
    基板が逐次積層されてなることを特徴とする請求項1の
    ガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板。
  8. 【請求項8】 前記透明電極用基板の少なくとも一の面
    上に硬化型樹脂及び/または熱可塑性樹脂が積層されて
    なることを特徴とする請求項7のガスバリヤー性低透湿
    性絶縁性透明電極用基板。
  9. 【請求項9】 前記透明高分子層が耐透気性樹脂、アン
    カーコート剤、硬化型樹脂、熱可塑性樹脂のうち少なく
    とも1種からなることを特徴とする請求項6または7の
    ガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板。
  10. 【請求項10】 前記耐透気性樹脂がセルロース成分、
    ポリアミド系樹脂成分、ビニルアルコール成分、ハロゲ
    ン化ビニリデン成分、アクリロニトリル成分、アモルフ
    ァスポリエステル成分の内、少なくとも1成分を60モ
    ル%以上含有する重合体または混合物であることを特徴
    とする請求項9のガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電
    極用基板。
  11. 【請求項11】 前記アンカーコート剤がポリウレタ
    ン、ポリアミド、ポリエチレンイミン、アモルファスポ
    リエステル、親水性ポリエステル、イオン高分子錯体、
    アルキルチタネート樹脂、よりなる群から選ばれた1
    種、それらの共重合体または混合物からなるアンカーコ
    ート剤であることを特徴とする請求項9のガスバリヤー
    性低透湿性絶縁性透明電極用基板。
  12. 【請求項12】 前硬化型樹脂がウレタン樹脂、エポキ
    シ樹脂、アクリル樹脂、アクリル酸エステル樹脂、フェ
    ノキシエーテル系架橋樹脂、メラミン樹脂、フェノール
    樹脂、シリコーン樹脂、キシレン樹脂、グアナミン樹
    脂、ジアリルフタレート樹脂、ビニルエステル樹脂、ポ
    リイミド、マレイン酸樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、
    アルキッド樹脂よりなる群から選ばれた少なくとも1
    種、それらの共重合体または混合物からなることを特徴
    とする請求項9のガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電
    極用基板。
  13. 【請求項13】 前記熱可塑性樹脂がポリプロピレン、
    ポリエチレン、エチレン−プロピレン共重合体などのポ
    リオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、アイオノマ
    ー、エチレンー酢ビ共重合体、アクリル酸エステル、メ
    タアクリル酸エステルなどのアクリル樹脂、ポリビニー
    ルアセタール、フェノール、変性エポキシ樹脂、酢酸ビ
    ニル樹脂、シリコーンRTV、ポリマーアロイ型ポリイ
    ミド、これらの共重合体または混合物からなることを特
    徴とする請求項9のガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明
    電極用基板。
  14. 【請求項14】 請求項1のガスバリヤー性低透湿性絶
    縁性透明電極用基板の少なくとも一の面に透明導電性薄
    膜を形成したことを特徴とするガスバリヤー性低透湿性
    透明導電性電極基板。
JP20313894A 1994-08-29 1994-08-29 ガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板およびその用途 Expired - Fee Related JP3637078B2 (ja)

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Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6441468B1 (en) 1995-12-14 2002-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2004314626A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Dainippon Printing Co Ltd 保護膜およびその製造方法
US6822391B2 (en) 2001-02-21 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof
US6849877B2 (en) 2001-06-20 2005-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US6965195B2 (en) 1999-09-22 2005-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
JP2005319632A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Toppan Printing Co Ltd 積層体の製造方法及び積層体並びに表示媒体
US6977394B2 (en) 1998-11-02 2005-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US7005671B2 (en) 2001-10-01 2006-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic equipment, and organic polarizing film
US7022556B1 (en) 1998-11-11 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Exposure device, exposure method and method of manufacturing semiconductor device
WO2006043333A1 (ja) * 2004-10-22 2006-04-27 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. ガスバリア性透明樹脂基板、その製造方法、およびガスバリア性透明樹脂基板を用いたフレキシブル表示素子
KR100581626B1 (ko) * 1997-07-16 2006-05-22 소니 가부시끼 가이샤 플라스틱 기판에 반도체 박막을 형성하는 방법 및 플라스틱기판
US7067976B2 (en) 2001-07-03 2006-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
WO2006082794A1 (ja) * 2005-02-01 2006-08-10 Mitsui Chemicals, Inc. 部材の接合方法および複合フィルム、ならびにそれらの用途
JP2006289821A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Fuji Photo Film Co Ltd ガスバリア性フィルム、基材フィルムおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2006327098A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Nitto Denko Corp 透明フィルムおよびその製造方法
US7164155B2 (en) 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2007015350A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Fujifilm Holdings Corp ガスバリア性フィルム、基材フィルムおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
US7222981B2 (en) 2001-02-15 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US7230271B2 (en) 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
CN100433115C (zh) * 2002-02-07 2008-11-12 Nec液晶技术株式会社 有效防止色彩不规则性的液晶显示设备
US7465482B2 (en) 2001-10-10 2008-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film, packaging material, container, lens, window, spectacles, recording medium, and deposition apparatus
US7495644B2 (en) 2003-12-26 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
EP2045355A1 (en) 2007-09-19 2009-04-08 Fujifilm Corporation Gas-barrier film and organic device comprising same
WO2010134446A1 (ja) * 2009-05-19 2010-11-25 三容真空工業株式会社 電子部品素子
EP2274163A1 (en) * 2008-04-29 2011-01-19 Agency for Science, Technology And Research Inorganic graded barrier film and methods for their manufacture
JP2011079197A (ja) * 2009-10-06 2011-04-21 Fuji Xerox Co Ltd ガス遮蔽フィルム、電極膜付きフィルム、及び表示素子
US20120034451A1 (en) * 2010-08-03 2012-02-09 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Substrate for flexible display and method of manufacturing the substrate
US8216684B2 (en) 2005-02-01 2012-07-10 Mitsu Chemicals, Inc. Method for bonding members, composite film and use thereof
EP2508339A2 (en) * 2009-12-03 2012-10-10 LG Chem, Ltd. Barrier film and an electronic device comprising the same
KR101328416B1 (ko) * 2012-07-02 2013-11-14 고려대학교 산학협력단 투명 전극을 포함하는 반도체 소자, 및 투명 전극을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
JP2013230605A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Mitsubishi Plastics Inc ガスバリア性フィルム及びその製造方法
US8957424B2 (en) 1999-11-19 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence display device
US9105855B2 (en) 2004-05-20 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
CN107492526A (zh) * 2017-07-01 2017-12-19 华中科技大学 一种具有宽带减反射作用的柔性水氧阻隔膜及其制备方法
CN111650773A (zh) * 2020-06-30 2020-09-11 厦门天马微电子有限公司 彩膜基板、显示基板及显示面板
CN114730109A (zh) * 2019-12-17 2022-07-08 浙江精一新材料科技有限公司 一种具有保护层的悬浮粒子光阀

Cited By (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6441468B1 (en) 1995-12-14 2002-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US6445059B1 (en) 1995-12-14 2002-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR100581626B1 (ko) * 1997-07-16 2006-05-22 소니 가부시끼 가이샤 플라스틱 기판에 반도체 박막을 형성하는 방법 및 플라스틱기판
US6977394B2 (en) 1998-11-02 2005-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US7863622B2 (en) 1998-11-02 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US7417253B2 (en) 1998-11-02 2008-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US8297991B2 (en) 1998-11-11 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Exposure device, exposure method and method of manufacturing semiconductor device
US8859947B2 (en) 1998-11-11 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising at least dual transistor electrically connected to dual parallel wiring
US7022556B1 (en) 1998-11-11 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Exposure device, exposure method and method of manufacturing semiconductor device
US8476665B2 (en) 1998-11-11 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9366971B2 (en) 1998-11-11 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising dual transistor with LDD regions overlapping the gate electrodes and one of a source electrode and a drain electrode of first transistor is electrically connected to the second gate electrode
US7405432B2 (en) 1998-11-11 2008-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Exposure device, exposure method and method of manufacturing semiconductor device
US6965195B2 (en) 1999-09-22 2005-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US8957424B2 (en) 1999-11-19 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence display device
US9673223B2 (en) 1999-11-19 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence display device
US7222981B2 (en) 2001-02-15 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US6822391B2 (en) 2001-02-21 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof
US7443097B2 (en) 2001-02-21 2008-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic equipment
US6956325B2 (en) 2001-02-21 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
US7420208B2 (en) 2001-06-20 2008-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US6849877B2 (en) 2001-06-20 2005-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9276224B2 (en) 2001-06-20 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting device having dual flexible substrates
US9178168B2 (en) 2001-06-20 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. White light emitting device
US7728326B2 (en) 2001-06-20 2010-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
US9166180B2 (en) 2001-06-20 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having an organic light emitting diode that emits white light
US7067976B2 (en) 2001-07-03 2006-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
US7129102B2 (en) 2001-07-03 2006-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
US7372200B2 (en) 2001-07-03 2008-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
US7005671B2 (en) 2001-10-01 2006-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic equipment, and organic polarizing film
US7800099B2 (en) 2001-10-01 2010-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic equipment, and organic polarizing film
US7465482B2 (en) 2001-10-10 2008-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film, packaging material, container, lens, window, spectacles, recording medium, and deposition apparatus
CN100433115C (zh) * 2002-02-07 2008-11-12 Nec液晶技术株式会社 有效防止色彩不规则性的液晶显示设备
US7675074B2 (en) 2002-05-15 2010-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device including a lamination layer
US9118025B2 (en) 2002-05-15 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7164155B2 (en) 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7230271B2 (en) 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
JP2004314626A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Dainippon Printing Co Ltd 保護膜およびその製造方法
JP4526848B2 (ja) * 2003-03-31 2010-08-18 大日本印刷株式会社 保護膜およびその製造方法
US7495644B2 (en) 2003-12-26 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
JP2005319632A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Toppan Printing Co Ltd 積層体の製造方法及び積層体並びに表示媒体
US9614012B2 (en) 2004-05-20 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
US10784465B2 (en) 2004-05-20 2020-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having white light emission
US9105855B2 (en) 2004-05-20 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
US11683952B2 (en) 2004-05-20 2023-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
US11063236B2 (en) 2004-05-20 2021-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
US9349775B2 (en) 2004-05-20 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
WO2006043333A1 (ja) * 2004-10-22 2006-04-27 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. ガスバリア性透明樹脂基板、その製造方法、およびガスバリア性透明樹脂基板を用いたフレキシブル表示素子
EP1825995A1 (en) * 2004-10-22 2007-08-29 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Gas barrier transparent resin substrate, method for manufacture thereof, and flexible display element using gas barrier transparent resin substrate
EP1825995A4 (en) * 2004-10-22 2012-01-18 Sumitomo Metal Mining Co TRANSPARENT RESIN SUBSTRATE FORMING GAS BARRIER, PROCESS FOR MANUFACTURING SAME, AND SOFT DISPLAY ELEMENT USING THE SAME
US8216684B2 (en) 2005-02-01 2012-07-10 Mitsu Chemicals, Inc. Method for bonding members, composite film and use thereof
JPWO2006082794A1 (ja) * 2005-02-01 2008-06-26 三井化学株式会社 部材の接合方法および複合フィルム、ならびにそれらの用途
WO2006082794A1 (ja) * 2005-02-01 2006-08-10 Mitsui Chemicals, Inc. 部材の接合方法および複合フィルム、ならびにそれらの用途
US7815982B2 (en) 2005-04-12 2010-10-19 Fujifilm Corporation Gas barrier film, substrate film, and organic electroluminescence device
JP2006289821A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Fuji Photo Film Co Ltd ガスバリア性フィルム、基材フィルムおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4663381B2 (ja) * 2005-04-12 2011-04-06 富士フイルム株式会社 ガスバリア性フィルム、基材フィルムおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2006327098A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Nitto Denko Corp 透明フィルムおよびその製造方法
US7838092B2 (en) 2005-07-11 2010-11-23 Fujifilm Corporation Gas barrier film, substrate film, and organic electroluminescence device
JP4698310B2 (ja) * 2005-07-11 2011-06-08 富士フイルム株式会社 ガスバリア性フィルム、基材フィルムおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007015350A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Fujifilm Holdings Corp ガスバリア性フィルム、基材フィルムおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
US8586189B2 (en) 2007-09-19 2013-11-19 Fujifilm Corporation Gas-barrier film and organic device comprising same
EP2045355A1 (en) 2007-09-19 2009-04-08 Fujifilm Corporation Gas-barrier film and organic device comprising same
US20110151173A1 (en) * 2008-04-29 2011-06-23 Agency For Science, Technology And Research Inorganic graded barrier film and methods for their manufacture
EP2274163A4 (en) * 2008-04-29 2013-05-01 Agency Science Tech & Res DEGRADED INORGANIC BARRIER LAYER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
EP2274163A1 (en) * 2008-04-29 2011-01-19 Agency for Science, Technology And Research Inorganic graded barrier film and methods for their manufacture
US10745795B2 (en) 2008-04-29 2020-08-18 Agency For Science, Technology And Research Inorganic graded barrier film and methods for their manufacture
JP2011523977A (ja) * 2008-04-29 2011-08-25 エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ 無機傾斜バリア膜及びそれらの製造方法
WO2010134446A1 (ja) * 2009-05-19 2010-11-25 三容真空工業株式会社 電子部品素子
JP2011079197A (ja) * 2009-10-06 2011-04-21 Fuji Xerox Co Ltd ガス遮蔽フィルム、電極膜付きフィルム、及び表示素子
EP2508339A2 (en) * 2009-12-03 2012-10-10 LG Chem, Ltd. Barrier film and an electronic device comprising the same
EP2508339A4 (en) * 2009-12-03 2015-04-15 Lg Chemical Ltd BARRIER LAYER AND ELECTRONIC DEVICE THEREFORE
JP2013512797A (ja) * 2009-12-03 2013-04-18 エルジー・ケム・リミテッド バリアフィルム及びこれを含む電子装置
US11283049B2 (en) 2009-12-03 2022-03-22 Lg Chem, Ltd. Barrier film and an electronic device comprising the same
US20120034451A1 (en) * 2010-08-03 2012-02-09 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Substrate for flexible display and method of manufacturing the substrate
US20210288173A1 (en) * 2010-08-03 2021-09-16 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display and method of manufacturing the same
JP2013230605A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Mitsubishi Plastics Inc ガスバリア性フィルム及びその製造方法
KR101328416B1 (ko) * 2012-07-02 2013-11-14 고려대학교 산학협력단 투명 전극을 포함하는 반도체 소자, 및 투명 전극을 포함하는 반도체 소자 제조 방법
CN107492526A (zh) * 2017-07-01 2017-12-19 华中科技大学 一种具有宽带减反射作用的柔性水氧阻隔膜及其制备方法
CN107492526B (zh) * 2017-07-01 2019-09-13 华中科技大学 一种具有宽带减反射作用的柔性水氧阻隔膜及其制备方法
CN114730109A (zh) * 2019-12-17 2022-07-08 浙江精一新材料科技有限公司 一种具有保护层的悬浮粒子光阀
CN111650773A (zh) * 2020-06-30 2020-09-11 厦门天马微电子有限公司 彩膜基板、显示基板及显示面板
CN111650773B (zh) * 2020-06-30 2022-07-12 厦门天马微电子有限公司 彩膜基板、显示基板及显示面板

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