WO2010134446A1 - 電子部品素子 - Google Patents

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WO2010134446A1
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transparent conductive
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sin
component element
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剣治 伊達
克成 岩木
正明 平井
顕英 北畠
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三容真空工業株式会社
シャープ株式会社
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641—Nitrides
    • C23C14/0652—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
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    • C03C17/3678—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties specially adapted for use in solar cells
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    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/90—Other aspects of coatings
    • C03C2217/94—Transparent conductive oxide layers [TCO] being part of a multilayer coating
    • C03C2217/948—Layers comprising indium tin oxide [ITO]

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component element in which a transparent conductive film is formed on a substrate.
  • the prior art electronic component element of forming the transparent conductive film on the substrate, an SiO 2 film is formed on both surfaces of the substrate is to form a transparent conductive film on the SiO 2 film formed on a surface of a substrate (e.g. , See Patent Document 1).
  • Patent Document 1 The electronic component element described in Patent Document 1 is used in a display unit of a display. According to Patent Document 1, an antireflection effect is obtained by forming a transparent conductive film on a SiO 2 film formed on a substrate. An electronic component element having high transmittance can be obtained.
  • the transparent conductive film becomes an uppermost layer and is exposed, so that the transparent conductive film is scratched.
  • the present invention protects a transparent conductive film, and further protects the transparent conductive film, and also prevents an electronic component element newly generated by protecting the transparent conductive film.
  • the purpose is to provide.
  • an electronic component element includes a substrate, a transparent conductive film formed on the substrate, and protection for protecting the surface of the transparent conductive film formed on the transparent conductive film.
  • the protective film is composed of at least a SiOx film and a SiN film made of a Si compound containing N, and is formed by laminating the SiN film and the SiOx film in this order on the transparent conductive film. It is characterized by being.
  • the substrate, the transparent conductive film, and the protective film are provided, and the protective film includes at least the SiOx film and the SiN film, and the SiN film, Since the SiOx film is laminated and formed in order, the transparent conductive film is protected, and further, not only the transparent conductive film is protected, but also the transparent conductive film is protected to prevent newly occurring defects. Is possible.
  • the transparent conductive film is protected by the protective film, and the transparent conductive film and the SiOx film are protected by the SiN film. It is possible to increase the adhesion strength. Further, optical characteristics such as transmittance are not deteriorated. Furthermore, according to the present invention, since the SiOx film is formed on the transparent conductive film with the SiN film interposed therebetween, it is possible to improve the wear resistance and corrosion resistance of the electronic component element. In particular, even when the electronic component element is washed with alcohol after forming the transparent conductive film and the protective film on the substrate, the protective film is difficult to peel off from the transparent conductive film.
  • the SiOx film is made SiO 2
  • the SiN film, SiN, SiON may consist either of Si 3 N 4.
  • the SiN film is made of any one of SiN, SiON, and Si 3 N 4 , it is possible to have a film configuration that does not affect the chromaticity. According to this configuration, the thin SiN film is sufficient to increase the strength with which the SiOx film made of SiO 2 is brought into close contact with the transparent conductive film.
  • a metal part to be an electrode may be formed on the transparent conductive film, and the protective film may be formed on the transparent conductive film and the metal part.
  • the SiN film and the SiOx film are sequentially formed on the transparent conductive film and the metal part, the transparent conductive film (the surface thereof) and the metal part are protected by the protective film,
  • the SiN film can increase the adhesion strength between the transparent conductive film and the metal part and the SiOx film.
  • the SiOx film is formed on the transparent conductive film and the metal part with the SiN film interposed, it is possible to improve the wear resistance and corrosion resistance of the electronic component element. It becomes. In particular, even when the electronic component element is cleaned with alcohol after forming the transparent conductive film, the metal part, and the protective film on the substrate, the protective film is peeled off from the transparent conductive film and the metal part. It becomes difficult.
  • the present invention it is possible to protect not only the transparent conductive film but also the transparent conductive film, and also prevent newly occurring defects by protecting the transparent conductive film.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an electronic component element according to this embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an electronic component element according to another embodiment.
  • the electronic component element 1 is used for a display unit of an electronic component element of a display.
  • an ITO film 3 that is a conductive film made of an inorganic material and a protective film that protects the surface of the ITO film 3 on one surface 21 of a substrate 2 made of a glass substrate. 4 are laminated in order.
  • the ITO film 3 which is a transparent conductive film is used as the conductive film.
  • the protective film 4 is composed of at least a SiOx film 41 and a SiN film 42 made of a Si compound containing N, and is formed by laminating the SiN film 42 and the SiOx film 41 in this order on one surface 21 of the ITO film 3. .
  • the SiOx film 41 is made of SiO 2 and the film thickness is set to 50 to 100 nm.
  • the SiN film 42 is made of SiN, and the film thickness is set to 1 to 5 nm.
  • the film thickness of the SiN film 42 according to this embodiment is set so that the transmittance can be maintained at 85% or more. Further, the transmittance is more preferably 90% or more.
  • the ITO film 3 is formed on the one surface 21 of the substrate 2 by a sputtering method using plasma.
  • the SiN film 42 of the protective film 4 is formed on the ITO film 3 on the one surface 21 of the substrate by sputtering using plasma, and the SiOx film 41 is further formed on the SiN film 42. That is, the substrate 2 in which the SiN film 42 and the SiOx film 41 are sequentially laminated on the ITO film 3 on the one surface 21 of the substrate 2 is configured.
  • the substrate 2, the ITO film 3, and the protective film 4 are provided, and the protective film 4 includes the SiOx film 41 and the SiN film 42, Since the SiN film 42 and the SiOx film 41 are stacked in this order on the ITO film 3, the ITO film 3 is protected, and not only the ITO film 3 but also the ITO film 3 is newly protected. Can also be prevented.
  • the protective film 4 is formed on the ITO film 3 in the order of the SiN film 42 and the SiOx film 41, the ITO film 3 is protected by the protective film 4, and the ITO film 3 and the SiOx film are protected by the SiN film 42.
  • the adhesion strength with 41 can be increased. Further, optical characteristics such as transmittance are not deteriorated.
  • the SiOx film 41 is formed on the ITO film 3 with the SiN film 42 interposed, the wear resistance and corrosion resistance of the electronic component element 1 can be improved. In particular, even when the electronic component element 1 is washed with alcohol after forming the ITO film 3 and the protective film on the substrate 2, the protective film 4 is hardly peeled off from the ITO film 3.
  • the SiOx film 41 is made of SiO 2 and the SiN film 42 is made of SiN, a film configuration that does not affect the chromaticity can be obtained. According to this configuration, a thin SiN film 42 is sufficient to increase the strength with which the SiOx film 41 made of SiO 2 is brought into close contact with the ITO film 3.
  • a glass substrate is used as the substrate 2, but the present invention is not limited to this, and other materials such as ceramics may be used.
  • the ITO film 3 and the protective film 4 are sequentially laminated on the one surface 21 of the substrate 2, but the present invention is not limited to this, and as shown in FIG.
  • the ITO film 3 and the protective film 4 may be laminated on the one surface 21 and the other surface 22.
  • the ITO film 3 is formed on one surface 21 of the substrate 2, and the metal part 5 that serves as an electrode and the surface of the ITO film 3 (part of the ITO film 3). And the protective film 4 which protects the metal part 5 is laminated
  • an ITO film 3 is formed on the other surface 22 of the substrate 2, and a metal part 5 that serves as an electrode, a surface of (a part of) the ITO film 3, and protection for protecting the metal part 5 are formed on the ITO film 3.
  • a film 4 is laminated.
  • the ITO film 3 is formed on both surfaces (one surface 21 and the other surface 22) of the substrate 2 by a sputtering method using plasma.
  • the metal part 5 is formed on both surfaces 21 and 22 of the substrate 2 to pattern the electrode, thereby forming the electrode.
  • the SiN film 42 of the protective film 4 is formed on the ITO film 3 and the metal part 5 on both surfaces 21 and 22 of the substrate by sputtering using plasma, and further on the SiN film 42 A SiOx film 41 is formed.
  • the substrate 2 in which the SiN film 42 and the SiOx film 41 are sequentially laminated on the ITO film 3 and the metal part 5 on both surfaces 21 and 22 of the substrate 2 to form a wiring pattern by the electrodes of the metal part 5 is formed.
  • the substrate 2, the ITO film 3, the protective film 4, and the metal part 5 are provided.
  • the protective film 4 is composed of the SiOx film 41 and the SiN film 42, and the ITO film Since the SiN film 42 and the SiOx film 41 are laminated on the metal layer 5 and the metal part 5 in this order, the ITO film 3 and the metal part 5 are protected, and the ITO film 3 and the metal part 5 are not only protected. Also, by newly protecting the metal part 5, it is possible to prevent newly occurring defects.
  • the protective film 4 since the protective film 4 is formed in the order of the SiN film 42 and the SiOx film 41 on the ITO film 3 and the metal part 5, the protective film 4 protects the ITO film 3 (the surface thereof) and the metal part 5. In addition, the adhesion strength between the ITO film 3 and the metal part 5 and the SiOx film 41 can be increased by the SiN film 42. Furthermore, since the SiOx film 41 is formed on the ITO film 3 and the metal part 5 with the SiN film 42 interposed therebetween, the wear resistance and corrosion resistance of the electronic component element 1 can be improved. In particular, even when the electronic component element 1 is washed with alcohol after the ITO film 3, the protective film 4, and the metal part 5 are formed on the substrate 2, the protective film 4 is hardly peeled off from the ITO film 3 and the metal part 5. Become.
  • a part of the surface of the ITO film 3 is protected by the protective film 4, but the protection range is not limited to this, and the protective film 4 provides the ITO.
  • the entire surface of the film 3 and the entire surface and side surfaces of the ITO film 3 may be protected.
  • the present invention is applied to the display portion of the electronic component element of the display.
  • the present invention is not limited to this, and any other form may be used as long as the electronic component element forms a wiring pattern. It may be.
  • it may be a semiconductor element used in other electronic circuits, an electronic component element used outdoors such as a solar cell module, or the like.
  • SiN is used as the material for the SiN film 42.
  • this is a preferred example, and the present invention is not limited to this.
  • SiON or Si 3 N 4 may be used.
  • the term SiN film is used for convenience, but this means a film made of a Si compound containing N.
  • SiO 2 is used as the material for the SiOx film 41.
  • this is a preferred example, and the present invention is not limited to this.
  • Other SiOx such as SiO 3 may be used.
  • the protective film 4 has a configuration in which the SiN film 42 and the SiOx film 41 are laminated.
  • the present invention is not limited to this, and another film is laminated on the SiOx film 41. Also good. In other words, as long as at least the SiN film 42 and the SiOx film 41 are sequentially laminated on the substrate 2, the protective film 4 may be further laminated thereon.
  • the ITO film 3 is used as the conductive film.
  • the present invention is not limited to this, and the adhesion between the conductive film made of an inorganic material and the SiOx film laminated thereon is as follows. Any material that can be strengthened by interposing a SiN film and that is composed of the same components as the ITO film may be used.
  • an electronic component element an element having a wiring pattern
  • an electronic component element used outdoors such as a semiconductor element, a display element, a solar cell module, etc. Can be mentioned.

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Abstract

　本発明は、透明導電膜を保護し、透明導電膜を保護することで新たに発生する不具合も防止する電子部品素子を提供することを目的とする。　本発明の電子部品素子は、基板と、この基板上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜上に形成され前記透明導電膜の表面を保護する保護膜とが設けられ、前記保護膜は、少なくとも、ＳｉＯｘ膜と、Ｎを含むＳｉ化合物からなるＳｉＮ膜とから構成され、前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜、前記ＳｉＯｘ膜の順に積層形成されたことを特徴とする。

Description

電子部品素子
　本発明は、基板に透明導電膜を形成した電子部品素子に関する。
　基板に透明導電膜を形成した電子部品素子の従来技術に、基板の両面にＳｉＯ2膜を形成し、基板の一表面に形成したＳｉＯ2膜上に透明導電膜を形成するものがある（例えば、特許文献１参照）。
　この特許文献１に記載の電子部品素子は、ディスプレイの表示部に用いられ、特許文献１によれば、基板上に形成したＳｉＯ2膜上に透明導電膜を形成することで、反射防止効果を有する高透過率の電子部品素子が得られる。
特開平１０－１９４７８３号公報
　ところで、上記した特許文献１では、透明導電膜が最上位層となり露出した状態となるため、透明導電膜にキズがついたりする。
　そこで、上記課題を解決するために、本発明は、透明導電膜を保護し、さらに透明導電膜の保護だけではなく、透明導電膜を保護することで新たに発生する不具合も防止する電子部品素子を提供することを目的とする。
　上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品素子は、基板と、この基板上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜上に形成され前記透明導電膜の表面を保護する保護膜とが設けられ、前記保護膜は、少なくとも、ＳｉＯｘ膜と、Ｎを含むＳｉ化合物からなるＳｉＮ膜とからなり、前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜、前記ＳｉＯｘ膜の順に積層形成されて構成されることを特徴とする。
　本発明によれば、前記基板と前記透明導電膜と前記保護膜とが設けられ、前記保護膜は、少なくとも前記ＳｉＯｘ膜と前記ＳｉＮ膜とからなり、前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜、前記ＳｉＯｘ膜の順に積層形成されて構成されるので、前記透明導電膜を保護し、さらに前記透明導電膜の保護だけではなく、前記透明導電膜を保護することで新たに発生した不具合も防止することが可能となる。
　具体的には、前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜、前記ＳｉＯｘ膜の順に形成されるので、前記保護膜により前記透明導電膜を保護するとともに、前記ＳｉＮ膜により前記透明導電膜と前記ＳｉＯｘ膜との密着強度を高めることが可能となる。また、透過率などの光学特性も劣化しない。さらに、本発明によれば、前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜を介在させて前記ＳｉＯｘ膜が形成されるので、当該電子部品素子の耐摩耗性や耐食性を向上させることが可能となる。特に、前記基板に前記透明導電膜と前記保護膜を形成した後に当該電子部品素子をアルコール洗浄した場合であっても、前記透明導電膜から前記保護膜が剥がれ難くなる。
　前記構成において、前記ＳｉＯｘ膜は、ＳｉＯ2からなり、前記ＳｉＮ膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｓｉ3Ｎ4のいずれかからなってもよい。
　この場合、前記ＳｉＮ膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｓｉ3Ｎ4のいずれかからなっても、色度に影響を及ぼさない膜構成とすることが可能となる。本構成によれば、ＳｉＯ2からなる前記ＳｉＯｘ膜を前記透明導電膜に密着させる強度を高めるのに、薄膜の前記ＳｉＮ膜で足りる。
　前記構成において、前記透明導電膜上に電極となるメタル部が形成され、前記透明導電膜および前記メタル部上に前記保護膜が形成されてもよい。
　この場合、前記透明導電膜および前記メタル部を保護し、さらに前記透明導電膜および前記メタル部を保護することで新たに発生した不具合も防止することが可能となる。
　具体的には、前記透明導電膜および前記メタル部上に前記ＳｉＮ膜、前記ＳｉＯｘ膜の順に形成されるので、前記保護膜により前記透明導電膜（の表面）および前記メタル部を保護するとともに、前記ＳｉＮ膜により前記透明導電膜および前記メタル部と前記ＳｉＯｘ膜との密着強度を高めることが可能となる。さらに、本発明によれば、前記透明導電膜および前記メタル部上に前記ＳｉＮ膜を介在させて前記ＳｉＯｘ膜が形成されるので、当該電子部品素子の耐摩耗性や耐食性を向上させることが可能となる。特に、前記基板に前記透明導電膜と前記メタル部と前記保護膜とを形成した後に当該電子部品素子をアルコール洗浄した場合であっても、前記透明導電膜および前記メタル部から前記保護膜が剥がれ難くなる。
　本発明によれば、透明導電膜を保護し、さらに透明導電膜の保護だけではなく、透明導電膜を保護することで新たに発生した不具合も防止することが可能となる。
図１は、本実施の形態にかかる電子部品素子の概略構成図である。 図２は、他の実施の形態にかかる電子部品素子の概略構成図である。
  以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
　本発明の実施の形態にかかる電子部品素子１は、ディスプレイの電子部品素子のディスプレイ部に用いられる。
　この電子部品素子１では、図１に示すように、ガラス基板からなる基板２の一表面２１上に、無機材料の導電膜であるＩＴＯ膜３と、このＩＴＯ膜３の表面を保護する保護膜４とが順に積層されている。なお、本実施の形態では、導電膜として透明導電膜であるＩＴＯ膜３を用いている。
　保護膜４は、少なくとも、ＳｉＯｘ膜４１と、Ｎを含むＳｉ化合物からなるＳｉＮ膜４２とから構成され、ＩＴＯ膜３の一表面２１上にＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１の順に積層形成されている。
　具体的には、本実施の形態にかかる保護膜４では、ＳｉＯｘ膜４１はＳｉＯ2からなり、その膜厚は５０～１００ｎｍに設定されている。また、ＳｉＮ膜４２はＳｉＮからなり、その膜厚は１～５ｎｍに設定されている。なお、本実施の形態にかかるＳｉＮ膜４２の膜厚は、透過率を８５％以上に保つことができる設定となっている。また、透過率は９０％以上であることがより好ましい。
　上記した構成からなる電子部品素子１では、基板２の一表面２１に、プラズマを使ったスパッタリング法によりＩＴＯ膜３を形成する。ＩＴＯ膜３形成後、基板の一表面２１のＩＴＯ膜３上に、プラズマを使ったスパッタリング法により保護膜４のうちＳｉＮ膜４２を形成し、さらにＳｉＮ膜４２上にＳｉＯｘ膜４１を形成する。すなわち、基板２の一表面２１のＩＴＯ膜３上に、ＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１を順に積層形成した基板２を構成する。
　上記したように、本実施の形態にかかる電子部品素子１によれば、基板２とＩＴＯ膜３と保護膜４とが設けられ、保護膜４はＳｉＯｘ膜４１とＳｉＮ膜４２とから構成され、ＩＴＯ膜３上にＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１の順に積層形成されるので、ＩＴＯ膜３を保護し、さらにＩＴＯ膜３の保護だけではなく、ＩＴＯ膜３を保護することで新たに発生した不具合も防止することができる。
　具体的には、ＩＴＯ膜３上にＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１の順に保護膜４が形成されるので、保護膜４によりＩＴＯ膜３を保護するとともに、ＳｉＮ膜４２によりＩＴＯ膜３とＳｉＯｘ膜４１との密着強度を高めることができる。また、透過率などの光学特性も劣化しない。さらに、本実施の形態によれば、ＩＴＯ膜３上にＳｉＮ膜４２を介在させてＳｉＯｘ膜４１が形成されるので、当該電子部品素子１の耐摩耗性や耐食性を向上させることができる。特に、基板２にＩＴＯ膜３と保護膜を形成した後に当該電子部品素子１をアルコール洗浄した場合であっても、ＩＴＯ膜３から保護膜４が剥がれ難くなる。
　また、ＳｉＯｘ膜４１はＳｉＯ2からなり、ＳｉＮ膜４２はＳｉＮからなるので、色度に影響を及ぼさない膜構成とすることができる。本構成によれば、ＳｉＯ2からなるＳｉＯｘ膜４１をＩＴＯ膜３に密着させる強度を高めるのに、薄膜のＳｉＮ膜４２で足りる。
　なお、本実施の形態では、基板２にガラス基板を用いているが、これに限定されるものではなく、セラミックなどの他の材料であってもよい。
　また、本実施の形態では、基板２の一表面２１上に、ＩＴＯ膜３と保護膜４とが順に積層されているが、これに限定されるものではなく、図２に示すように、基板２の一表面２１および他表面２２上にＩＴＯ膜３と保護膜４が積層形成されてもよい。
　図２に示す電子部品素子１では、基板２の一表面２１上にＩＴＯ膜３が形成され、このＩＴＯ膜３上に、電極となるメタル部５と、ＩＴＯ膜３の表面（の一部）およびメタル部５を保護する保護膜４とが積層形成されている。また、基板２の他表面２２上にＩＴＯ膜３が形成され、このＩＴＯ膜３上に、電極となるメタル部５と、ＩＴＯ膜３の表面（の一部）およびメタル部５を保護する保護膜４とが積層形成されている。
　この図２に示す電子部品素子１では、基板２の両表面（一表面２１，他表面２２）に、プラズマを使ったスパッタリング法によりＩＴＯ膜３を形成する。ＩＴＯ膜３形成後、基板２の両表面２１，２２にメタル部５を形成して電極のパターンニングを行い、電極を構成する。メタル部５の形成後、基板の両表面２１，２２のＩＴＯ膜３およびメタル部５上に、プラズマを使ったスパッタリング法により保護膜４のうちＳｉＮ膜４２を形成し、さらにＳｉＮ膜４２上にＳｉＯｘ膜４１を形成する。すなわち、基板２の両表面２１，２２のＩＴＯ膜３およびメタル部５の上に、ＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１を順に積層形成して、メタル部５の電極による配線パターンを形成した基板２を構成する。
　この図２に示す電子部品素子１によれば、基板２とＩＴＯ膜３と保護膜４とメタル部５とが設けられ、保護膜４はＳｉＯｘ膜４１とＳｉＮ膜４２とから構成され、ＩＴＯ膜３およびメタル部５上にＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１の順に積層形成されるので、ＩＴＯ膜３およびメタル部５を保護し、さらにＩＴＯ膜３およびメタル部５の保護だけではなく、ＩＴＯ膜３およびメタル部５を保護することで新たに発生した不具合も防止することができる。
　具体的には、ＩＴＯ膜３およびメタル部５上にＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１の順に保護膜４が形成されるので、保護膜４によりＩＴＯ膜３（の表面）およびメタル部５を保護するとともに、ＳｉＮ膜４２によりＩＴＯ膜３およびメタル部５とＳｉＯｘ膜４１との密着強度を高めることができる。さらに、ＩＴＯ膜３およびメタル部５上にＳｉＮ膜４２を介在させてＳｉＯｘ膜４１が形成されるので、当該電子部品素子１の耐摩耗性や耐食性を向上させることができる。特に、基板２にＩＴＯ膜３と保護膜４とメタル部５とを形成した後に当該電子部品素子１をアルコール洗浄した場合であっても、ＩＴＯ膜３およびメタル部５から保護膜４が剥がれ難くなる。
　また、本実施の形態や他の実施の形態では、保護膜４によりＩＴＯ膜３の表面の一部を保護しているが、保護範囲はこれに限定されるものではなく、保護膜４によりＩＴＯ膜３の表面全てや、ＩＴＯ膜３表面および側面全てを保護してもよい。
　また、本実施の形態では、ディスプレイの電子部品素子のディスプレイ部に本発明を適用しているが、これに限定されるものではなく、配線パターンを形成する電子部品素子であれば他の形態ものであってもよい。例えば、他の電子回路に用いる半導体素子や、太陽電池モジュールなどの屋外で用いられる電子部品素子などであってもよい。
　また、本実施の形態では、ＳｉＮ膜４２としてＳｉＮを材料としているが、これは好適な例であり、これに限定されるものではなく、Ｎを含むＳｉ化合物からなるものであれば、他にＳｉＯＮ、Ｓｉ3Ｎ4であってもよい。なお、本実施の形態では、便宜上ＳｉＮ膜という用語を用いているが、これはＮを含むＳｉ化合物からなる膜のことをいう。
　また、本実施の形態では、ＳｉＯｘ膜４１としてＳｉＯ2を材料としているが、これは好適な例であり、これに限定されるものではなく、ＳｉＯ3などの他のＳｉＯｘであってもよい。
　また、本実施の形態では、保護膜４がＳｉＮ膜４２とＳｉＯｘ膜４１とを積層した構成からなるが、これに限定されるものではなく、ＳｉＯｘ膜４１に更に別の膜が積層形成されてもよい。すなわち、保護膜４は、少なくともＳｉＮ膜４２とＳｉＯｘ膜４１とが基板２上に順に積層されていれば、その上にさらに膜が積層されてもよい。
　また、本実施の形態では、導電膜としてＩＴＯ膜３を用いているが、これに限定されるものではなく、無機材料の導電膜であってその上に積層するＳｉＯｘ膜との密着性を、ＳｉＮ膜を介在させることで強める材料であって、ＩＴＯ膜と同等の成分からなる材料であればよい。
  なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
　また、この出願は、２００９年５月１９日に日本で出願された特願２００９－１２１２０５号に基づく優先権を請求する。これに言及することにより、その全ての内容は本出願に組み込まれるものである。
　本発明では、電子部品に用いられる電子部品素子（配線パターンを施した素子）に有用であり、具体的に、半導体素子やディスプレイ用素子、太陽電池モジュールなどの屋外で用いられる電子部品素子などが挙げられる。
１　電子部品素子
２　基板
２１　一表面
２２　他表面
３　ＩＴＯ膜
４　保護膜
４１　ＳｉＯｘ膜
４２　ＳｉＮ膜
５　メタル部

Claims (3)

  1. 　電子部品素子において、
    　基板と、この基板上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜上に形成され前記透明導電膜の表面を保護する保護膜とが設けられ、
    　前記保護膜は、少なくとも、ＳｉＯｘ膜と、Ｎを含むＳｉ化合物からなるＳｉＮ膜とから構成され、
    　前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜、前記ＳｉＯｘ膜の順に積層形成されたことを特徴とする電子部品素子。
  2. 　請求項１に記載の電子部品素子において、
    　前記ＳｉＯｘ膜は、ＳｉＯ2からなり、
    　前記ＳｉＮ膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｓｉ3Ｎ4のいずれかからなることを特徴とする電子部品素子。
  3. 　請求項１または２に記載の電子部品素子において、
    　前記透明導電膜上に電極となるメタル部が形成され、前記透明導電膜および前記メタル部上に前記保護膜が形成され、
    　前記保護膜は、前記透明導電膜の表面とメタル部とを保護することを特徴とする電子部品素子。
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